CN110790798B - 一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法 - Google Patents
一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110790798B CN110790798B CN201911044555.5A CN201911044555A CN110790798B CN 110790798 B CN110790798 B CN 110790798B CN 201911044555 A CN201911044555 A CN 201911044555A CN 110790798 B CN110790798 B CN 110790798B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- butyne
- dimethyl
- hexacarbonyl
- unit
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- PPWNCLVNXGCGAF-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbut-1-yne Chemical compound CC(C)(C)C#C PPWNCLVNXGCGAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 70
- UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N oxo(oxocobaltiooxy)cobalt Chemical compound O=[Co]O[Co]=O UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000007670 refining Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 98
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000002153 silicon-carbon composite material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 22
- -1 cobalt chlorosulfonate Chemical compound 0.000 claims description 21
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 12
- 239000012043 crude product Substances 0.000 claims description 10
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- MCGQNUMIPZKLNM-UHFFFAOYSA-N 1-n-(2-aminoethyl)-2-n,2-n,2-triethylbutane-1,2-diamine Chemical compound CCN(CC)C(CC)(CC)CNCCN MCGQNUMIPZKLNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims description 8
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 8
- 229940113116 polyethylene glycol 1000 Drugs 0.000 claims description 8
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 claims description 8
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims description 8
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VAXBHJZBCSBXTC-UHFFFAOYSA-N 7-bromoquinoline-2,3-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(Br)C=C2N=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC2=C1 VAXBHJZBCSBXTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 claims description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012847 fine chemical Substances 0.000 abstract description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002309 gasification Methods 0.000 abstract 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 15
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 15
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- KFMLSKLCIQLEQK-UHFFFAOYSA-N [SiH3].[Sb] Chemical compound [SiH3].[Sb] KFMLSKLCIQLEQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012621 metal-organic framework Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/06—Cobalt compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/02—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising inorganic material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J20/00—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
- B01J20/22—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising organic material
- B01J20/223—Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising organic material containing metals, e.g. organo-metallic compounds, coordination complexes
- B01J20/226—Coordination polymers, e.g. metal-organic frameworks [MOF], zeolitic imidazolate frameworks [ZIF]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Abstract
本发明涉及精细化工领域,具体关于一种(3,3‑二甲基‑1‑丁炔)六羰基二钴的精制方法;本发明操作简便,方法简单;在加热单元和收集单元之间增加了吸附单元,通过磁感应精准控温加热方式为(3,3‑二甲基‑1‑丁炔)六羰基二钴的气化提供热量,在吸附单元中加入一种金属有机骨架‑碳硅复合材料,能吸附随(3,3‑二甲基‑1‑丁炔)六羰基二钴蒸汽一起的烷烃杂质,进一步提升产品的质量百分比含量。本发明具备精准控温功能,对吸附单元的精准控温能防止产品在吸附小球上凝结;本发明能作为大量制备高纯度的(3,3‑二甲基‑1‑丁炔)六羰基二钴产品的制备工艺,非常具备应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及精细化工领域,尤其是一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法。
背景技术
(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴(CCTBA),CAS号:56792-69-9,是几种用于制造设备重要功能层的含钴CVD/ALD前体之一。它是制备钴金属、氮化钴、钴硅化物等的重要前驱体,特别是对于钴阻挡层/衬层、共覆盖层和共晶种层的应用,具有优异的性能。在阻挡层和种子层的情况下,钴膜显示出后续种子形成和电镀步骤的高导电性,其结构式为:
200910203981.9涉及利用循环CVD或ALD制备金属氧化物薄膜。一种在基底上制备金属氧化物膜的循环沉积方法,它包括如下步骤:将金属酮亚胺盐引入沉积室,并在加热的基底上沉积金属酮亚胺盐;吹扫沉积室,以去除未反应的金属酮亚胺盐和任何副产物;将含氧源引至加热的基底;吹扫沉积室以去除任何未反应的化学物质以及副产物;并且重复循环该沉积工艺,直至形成了所需厚度的金属氧化物膜。
201510580613.1涉及使用热CVD工艺、ALD工艺或循环CVD工艺形成在HF溶液中具有极低湿法蚀刻速率的二氧化硅薄膜的方法,其中硅前体选自以下之一:R1nR2mSi(NR3R4)4-n-m;和(R1R2SiNR3)p的环硅氮烷,其中R1是烯基或芳香基,如乙烯基、烯丙基和苯基;R2、R3和R4选自H,直链、支链或环状C1-C10烷基,直链、支链或环状C2-C10烯基,和芳香基;n=1-3,m=0-2,p=3-4。
201310353853.9公开了一种使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锗、锑、碲合金(GST)或锗、铋、碲(GBT)薄膜的方法,其中甲硅烷基锑前体被用作合金薄膜中锑的来源。该发明也涉及使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锑与其他元素的合金,其中甲硅烷基锑或甲硅烷基铋前体被用作锑或铋的来源。
CVD/ALD工艺对前体化合物的纯度要求很高,(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴作为一种新的前体化合物,现有技术中暂时未见关于(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴化合物的精制方法。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法。
一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法,其具体方案如下:
本方案采用减压精馏方法精制粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴;所述的减压精馏方法在一种精制塔中进行,该精制塔包括有加热单元,吸附单元和收集单元;首先加热单元放入粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴,使用惰性气体保护置换空气,然后减压抽真空,真空度0.08-0.1MPa;然后加热单元开始加热,控温10-50℃;所述的吸附单元中填充一种金属有机骨架-碳硅复合材料,吸附单元设置于加热单元和收集单元中间,(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴蒸汽经过金属有机骨架-碳硅复合材料吸附杂质后到达冷却单元冷凝成高纯度的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴产品。
所述的一种金属有机骨架-碳硅复合材料按照以下方法制备:
按照质量份数,取将0.5-5份的可溶性淀粉与50-80份的纯水混合均匀,然后加热沸腾30-60s,冷却到室温后将0.3-2.5份的氯化铁和5-10份的浓盐酸加入到反应釜中,搅拌混合均匀后将20-40份的10%-30%的硅酸钠溶液缓慢滴加到反应体系中,室温搅拌20-30h,然后加入0.01-0.1份的四乙基二乙烯三胺,继续搅拌30-60min,然后过滤,将得到的碳硅二元凝胶与0.1-0.5份的聚乙二醇1000在60-80℃下混合均匀,然后揉制成直径1-5mm的均匀球形颗粒;将成型颗粒置于110-120℃的烘箱中干燥5-10h,然后置于氩气环境下,加热到900-1200℃,恒温3-6h,随后随炉冷却到室温,再加入0.5-2份氯基磺酸钴、0.05-0.3份7-溴喹啉-2,3-二羧酸、0.02-0.3份9-芴酮-2,7-二羧酸甲酯、5-20份N,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到反应釜中,超声处理,并在100℃~150℃下反应24~48小时,得到金属有机骨架-碳硅复合材料。
所述的吸附单元具备精准加热控温功能,工作时温度比加热单元高0.1-3℃。
所述的加热单元和吸附单元采用电磁感应精准控温加热。
所述的精制塔内部材料使用氟聚合物惰性材料制备而成。
本发明操作简便,方法简单;在加热单元和收集单元之间增加了吸附单元,通过磁感应精准控温加热方式为(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的升华提供热量,在吸附单元中加入一种金属有机骨架-碳硅复合材料,利用金属有机骨架来改性具有发达孔隙结构的石墨相碳硅,成功制备出具有烷烃选择性的复合吸附材料,具有二维结构和丰富的氮位点的材料能吸附随(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴蒸汽一起的烷烃杂质,进一步提升产品的质量百分比含量。本发明具备精准控温功能,对吸附单元的精准控温能防止产品在吸附小球上凝结;本发明能作为大量制备高纯度的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴产品的制备工艺,非常具备应用前景。
附图说明
图1为实施例2制备的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴所做的的傅立叶红外光谱图。
由上图可知,3335cm-1附近存在炔基的碳氢的吸收峰,2931cm-1附近存在甲基碳氢的吸收峰,1726cm-1附近存在羰基的吸收峰,说明物质为(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴。
图2为实施例2制备的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴所做的的核磁图谱,1HNMR。
具体实施方式
本发明实施例中使用的粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴,色谱分析质量百分比含量为91.25%。
下面通过具体实施例对该发明作进一步说明:
实施例1
一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法,其具体方案如下:
本方案采用减压精馏方法精制粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴;所述的减压精馏方法在一种制塔中进行,该精制塔包括有加热单元,吸附单元和收集单元;首先加热单元放入粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴,使用惰性气体保护置换空气,然后减压抽真空,真空度0.08MPa;然后加热单元开始加热,控温50℃;其特征在于所述的吸附单元中填充一种金属有机骨架-碳硅复合材料,吸附单元设置于加热单元和收集单元中间,(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴蒸汽经过金属有机骨架-碳硅复合材料吸附杂质后到达冷却单元冷凝成高纯度的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴产品。
所述的一种金属有机骨架-碳硅复合材料按照以下方法制备:
将0.5kg可溶性淀粉与50kg纯水混合均匀,然后加热沸腾30s,冷却到室温后将0.3kg氯化铁和5kg浓盐酸加入到反应釜中,搅拌混合均匀后将20kg10%的硅酸钠溶液缓慢滴加到反应体系中,室温搅拌20h,然后加入0.01kg四乙基二乙烯三胺,继续搅拌30min,然后过滤,将得到的碳硅二元凝胶与0.1kg聚乙二醇1000在60℃下混合均匀,然后揉制成直径1mm的均匀球形颗粒;将成型颗粒置于110℃的烘箱中干燥5h,然后置于氩气环境下,加热到1000℃,恒温4h,随后随炉冷却到室温,再加入1Kg氯基磺酸钴、0.08Kg7-溴喹啉-2,3-二羧酸、0.06Kg9-芴酮-2,7-二羧酸甲酯、15KgN,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到反应釜中,超声处理,并在120℃下反应33小时,得到金属有机骨架-碳硅复合材料。
所述的吸附单元具备精准加热控温功能,工作时温度比加热单元高0.1℃。
所述的加热单元和吸附单元采用电磁感应精准控温加热。
所述的精制塔内部材料使用聚四氟乙烯材料制备而成。
本方案制备的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的色谱分析质量百分比含量为99.9992%,精制产品收率为94.1%。
实施例2
一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法,其具体方案如下:
本方案采用减压精馏方法精制粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴;所述的减压精馏方法在一种精制塔中进行,该精制塔包括有加热单元,吸附单元和收集单元;首先加热单元放入粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴,使用惰性气体保护置换空气,然后减压抽真空,真空度0.09MPa;然后加热单元开始加热,控温20℃;其特征在于所述的吸附单元中填充一种金属有机骨架-碳硅复合材料,吸附单元设置于加热单元和收集单元中间,(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴蒸汽经过金属有机骨架-碳硅复合材料吸附杂质后到达冷却单元冷凝成高纯度的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴产品。
所述的一种金属有机骨架-碳硅复合材料按照以下方法制备:
将2.5kg可溶性淀粉与70kg纯水混合均匀,然后加热沸腾40s,冷却到室温后将1.5kg氯化铁和8kg浓盐酸加入到反应釜中,搅拌混合均匀后将30kg20%的硅酸钠溶液缓慢滴加到反应体系中,室温搅拌25h,然后加入0.05kg四乙基二乙烯三胺,继续搅拌50min,然后过滤,将得到的碳硅二元凝胶与0.2kg聚乙二醇1000在70℃下混合均匀,然后揉制成直径3mm的均匀球形颗粒;将成型颗粒置于105℃的烘箱中干燥8h,然后置于氩气环境下,加热到900℃,恒温3h,随后随炉冷却到室温,再加入0.5Kg氯基磺酸钴、0.05Kg7-溴喹啉-2,3-二羧酸、0.02Kg9-芴酮-2,7-二羧酸甲酯、5KgN,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到反应釜中,超声处理,并在100℃℃下反应24小时,得到金属有机骨架-碳硅复合材料。
所述的吸附单元具备精准加热控温功能,工作时温度比加热单元高2℃。
所述的加热单元和吸附单元采用电磁感应精准控温加热。
所述的精制塔内部材料使用四氟乙烯/偏氟乙烯共聚物制备而成。
本方案制备的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的色谱分析质量百分比含量为99.9997%,精制产品收率为95.7%。
实施例3
一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法,其具体方案如下:
本方案采用减压精馏方法精制粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴;所述的减压精馏方法在一种精制塔中进行,该精制塔包括有加热单元,吸附单元和收集单元;首先加热单元放入粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴,使用惰性气体保护置换空气,然后减压抽真空,真空度0.1MPa;然后加热单元开始加热,控温50℃;其特征在于所述的吸附单元中填充一种金属有机骨架-碳硅复合材料,吸附单元设置于加热单元和收集单元中间,(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴蒸汽经过金属有机骨架-碳硅复合材料吸附杂质后到达冷却单元冷凝成高纯度的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴产品。
所述的一种金属有机骨架-碳硅复合材料按照以下方法制备:
按照质量份数,取将5份的可溶性淀粉与80份的纯水混合均匀,然后加热沸腾60s,冷却到室温后将2.5份的氯化铁和10份的浓盐酸加入到反应釜中,搅拌混合均匀后将40份的30%的硅酸钠溶液缓慢滴加到反应体系中,室温搅拌30h,然后加入0.1份的四乙基二乙烯三胺,继续搅拌60min,然后过滤,将得到的碳硅二元凝胶与0.5份的聚乙二醇1000在80℃下混合均匀,然后揉制成直径5mm的均匀球形颗粒;将成型颗粒置于120℃的烘箱中干燥10h,然后置于氩气环境下,加热到1200℃,恒温6h,随后随炉冷却到室温,再加入2份氯基磺酸钴、0.3份7-溴喹啉-2,3-二羧酸、0.3份9-芴酮-2,7-二羧酸甲酯、20份N,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到反应釜中,超声处理,并在150℃下反应48小时,得到金属有机骨架-碳硅复合材料。
所述的吸附单元具备精准加热控温功能,工作时温度比加热单元高3℃。
所述的加热单元和吸附单元采用电磁感应精准控温加热。
所述的精制塔内部材料使用四氟乙烯/六氟丙烯共聚物制备而成。
本方案制备的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的色谱分析质量百分比含量为99.9998%,精制产品收率为96.8%。
对比例1
一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法,其具体方案如下:
本方案采用减压精馏方法精制粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴;所述的减压精馏方法在一种精制塔中进行,该精制塔包括有加热单元,吸附单元和收集单元;首先加热单元放入粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴,使用惰性气体保护置换空气,然后减压抽真空,真空度0.08MPa;然后加热单元开始加热,控温50℃;吸附单元设置于加热单元和收集单元中间,(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴蒸汽到达冷却单元冷凝成高纯度的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴产品。
所述的吸附单元具备精准加热控温功能,工作时温度比加热单元高0.1℃。
所述的加热单元和吸附单元采用电磁感应精准控温加热。
所述的精制塔内部材料使用聚四氟乙烯制备而成。
本方案制备的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的色谱分析质量百分比含量为99.8847%,精制产品收率为90.7%。
对比例2
一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法,其具体方案如下:
本方案采用减压精馏方法精制粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴;所述的减压精馏方法在一种精制塔中进行,该精制塔包括有加热单元,吸附单元和收集单元;首先加热单元放入粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴,使用惰性气体保护置换空气,然后减压抽真空,真空度0.08MPa;然后加热单元开始加热,控温50℃;其特征在于所述的吸附单元中填充一种金属有机骨架-碳硅复合材料,吸附单元设置于加热单元和收集单元中间,(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴蒸汽经过金属有机骨架-碳硅复合材料吸附杂质后到达冷却单元冷凝成高纯度的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴产品。
所述的一种金属有机骨架-碳硅复合材料按照以下方法制备:
将0.5kg可溶性淀粉与50kg纯水混合均匀,然后加热沸腾30s,冷却到室温后将0.3kg氯化铁和5kg浓盐酸加入到反应釜中,搅拌混合均匀后将20kg10%的硅酸钠溶液缓慢滴加到反应体系中,室温搅拌20h,然后加入0.01kg四乙基二乙烯三胺,继续搅拌30min,然后过滤,将得到的碳硅二元凝胶与0.1kg聚乙二醇1000在60℃下混合均匀,然后揉制成直径1mm的均匀球形颗粒;将成型颗粒置于110℃的烘箱中干燥5h,然后置于氩气环境下,加热到1000℃,恒温4h,随后随炉冷却到室温,再加入1Kg氯基磺酸钴、0.06Kg9-芴酮-2,7-二羧酸甲酯、15KgN,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到反应釜中,超声处理,并在120℃下反应33小时,得到金属有机骨架-碳硅复合材料。
所述的吸附单元具备精准加热控温功能,工作时温度比加热单元高0.1℃。
所述的加热单元和吸附单元采用电磁感应精准控温加热。
所述的精制塔内部材料使用聚四氟乙烯制备而成。
本方案制备的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的色谱分析质量百分比含量为99.9814%,精制产品收率为93.3%。
对比例3
一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法,其具体方案如下:
本方案采用减压精馏方法精制粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴;所述的减压精馏方法在一种精制塔中进行,该精制塔包括有加热单元,吸附单元和收集单元;首先加热单元放入粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴,使用惰性气体保护置换空气,然后减压抽真空,真空度0.08MPa;然后加热单元开始加热,控温50℃;其特征在于所述的吸附单元中填充一种金属有机骨架-碳硅复合材料,吸附单元设置于加热单元和收集单元中间,(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴蒸汽经过金属有机骨架-碳硅复合材料吸附杂质后到达冷却单元冷凝成高纯度的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴产品。
所述的一种金属有机骨架-碳硅复合材料按照以下方法制备:
将0.5kg可溶性淀粉与50kg纯水混合均匀,然后加热沸腾30s,冷却到室温后将0.3kg氯化铁和5kg浓盐酸加入到反应釜中,搅拌混合均匀后将20kg10%的硅酸钠溶液缓慢滴加到反应体系中,室温搅拌20h,然后加入0.01kg四乙基二乙烯三胺,继续搅拌30min,然后过滤,将得到的碳硅二元凝胶与0.1kg聚乙二醇1000在60℃下混合均匀,然后揉制成直径1mm的均匀球形颗粒;将成型颗粒置于110℃的烘箱中干燥5h,然后置于氩气环境下,加热到1000℃,恒温4h,随后随炉冷却到室温,再加入1Kg氯基磺酸钴、0.08Kg7-溴喹啉-2,3-二羧酸、15KgN,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到反应釜中,超声处理,并在120℃下反应33小时,得到金属有机骨架-碳硅复合材料。
所述的吸附单元具备精准加热控温功能,工作时温度比加热单元高0.1℃。
所述的加热单元和吸附单元采用电磁感应精准控温加热。
所述的精制塔内部材料使用聚四氟乙烯制备而成。
本方案制备的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的色谱分析质量百分比含量为99.9816%,精制产品收率为93.7%。
对比例4
一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法,其具体方案如下:
本方案采用减压精馏方法精制粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴;所述的减压精馏方法在一种精制塔中进行,该精制塔包括有加热单元,吸附单元和收集单元;首先加热单元放入粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴,使用惰性气体保护置换空气,然后减压抽真空,真空度0.08MPa;然后加热单元开始加热,控温50℃;其特征在于所述的吸附单元中填充一种金属有机骨架-碳硅复合材料,吸附单元设置于加热单元和收集单元中间,(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴蒸汽经过有机骨架-碳硅复合材料吸附杂质后到达冷却单元冷凝成高纯度的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴产品。
所述的一种有机骨架-碳硅复合材料按照以下方法制备:
将0.5kg可溶性淀粉与50kg纯水混合均匀,然后加热沸腾30s,冷却到室温后将0.3kg氯化铁和5kg浓盐酸加入到反应釜中,搅拌混合均匀后将20kg10%的硅酸钠溶液缓慢滴加到反应体系中,室温搅拌20h,然后加入0.01kg四乙基二乙烯三胺,继续搅拌30min,然后过滤,将得到的碳硅二元凝胶与0.1kg聚乙二醇1000在60℃下混合均匀,然后揉制成直径1mm的均匀球形颗粒;将成型颗粒置于110℃的烘箱中干燥5h,然后置于氩气环境下,加热到1000℃,恒温4h,随后随炉冷却到室温,再加入0.08Kg7-溴喹啉-2,3-二羧酸、15KgN,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到反应釜中,超声处理,并在120℃下反应33小时,得到有机骨架-碳硅复合材料。
所述的吸附单元具备精准加热控温功能,工作时温度比加热单元高0.1℃。
所述的加热单元和吸附单元采用电磁感应精准控温加热。
所述的精制塔内部材料使用聚四氟乙烯制备而成。
本方案制备的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的色谱分析质量百分比含量为99.9769%,精制产品收率为92.4%。
Claims (4)
1.一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法,其具体方案如下:
本方案采用减压精馏方法精制粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴;所述的减压精馏方法在一种卧式升华精制塔中进行,该精制塔包括有加热单元,吸附单元和收集单元;首先加热单元放入粗品(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴,使用惰性气体保护置换空气,然后减压抽真空,真空度0.08-0.1MPa;然后加热单元开始加热,控温10-50℃;其特征在于所述的吸附单元中填充一种金属有机骨架-碳硅复合材料,吸附单元设置于加热单元和收集单元中间,(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴蒸汽经过金属有机骨架-碳硅复合材料吸附杂质后到达冷却单元冷凝成高纯度的(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴产品;
所述的一种金属有机骨架-碳硅复合材料按照以下方法制备:
按照质量份数,取将0.5-5份的可溶性淀粉与50-80份的纯水混合均匀,然后加热沸腾30-60s,冷却到室温后将0.3-2.5份的氯化铁和5-10份的浓盐酸加入到反应釜中,搅拌混合均匀后将20-40份的10%-30%的硅酸钠溶液缓慢滴加到反应体系中,室温搅拌20-30h,然后加入0.01-0.1份的四乙基二乙烯三胺,继续搅拌30-60min,然后过滤,将得到的碳硅二元凝胶与0.1-0.5份的聚乙二醇1000在60-80℃下混合均匀,然后揉制成直径1-5mm的均匀球形颗粒;将成型颗粒置于110-120℃的烘箱中干燥5-10h,然后置于氩气环境下,加热到900-1200℃,恒温3-6h,随后随炉冷却到室温,再加入0.5-2份氯基磺酸钴、0.05-0.3份7-溴喹啉-2,3-二羧酸、0.02-0.3份9-芴酮-2,7-二羧酸甲酯、5-20份N,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到反应釜中,超声处理,并在100℃~150℃下反应24~48小时,得到金属有机骨架-碳硅复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法,其特征在于:所述的吸附单元具备精准加热控温功能,工作时温度比加热单元高0.1-3℃。
3.根据权利要求1所述的一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法,其特征在于:所述的加热单元和吸附单元采用电磁感应精准控温加热。
4.根据权利要求1所述的一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法,其特征在于:所述的精制塔内部材料使用氟聚合物惰性材料制备而成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911044555.5A CN110790798B (zh) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911044555.5A CN110790798B (zh) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110790798A CN110790798A (zh) | 2020-02-14 |
CN110790798B true CN110790798B (zh) | 2022-04-05 |
Family
ID=69442077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911044555.5A Active CN110790798B (zh) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110790798B (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107456775A (zh) * | 2016-06-03 | 2017-12-12 | 上海幼鲸科技发展有限公司 | 用于回收挥发性有机化合物的方法和系统 |
CN109996803A (zh) * | 2016-11-23 | 2019-07-09 | 恩特格里斯公司 | 用于钴的化学气相沉积的卤炔基六羰基二钴前驱物 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI672390B (zh) * | 2017-12-21 | 2019-09-21 | 美商慧盛材料美國責任有限公司 | 二取代炔基二鈷六羰基化合物、其製造及使用方法 |
-
2019
- 2019-10-30 CN CN201911044555.5A patent/CN110790798B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107456775A (zh) * | 2016-06-03 | 2017-12-12 | 上海幼鲸科技发展有限公司 | 用于回收挥发性有机化合物的方法和系统 |
CN109996803A (zh) * | 2016-11-23 | 2019-07-09 | 恩特格里斯公司 | 用于钴的化学气相沉积的卤炔基六羰基二钴前驱物 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Intermolecular Pauson-Khand Reactions of Cyclopropene: A General Synthesis of Cyclopentanones;Iolanda Marchueta et al.,;《Organic Letters》;20010727;第3卷;3193-3196 * |
Pauson-Khand Reaction of Allenic Hydrocarbons: Synthesis of 4-Alkylidenecyclopentenones;Frederic Antras et al.,;《Eur.J.Org.Chem.》;20101231;3312-3336 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110790798A (zh) | 2020-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105152167A (zh) | 一种利用柠檬酸钠规模化合成二维类石墨烯炭材料的方法 | |
CA2960392A1 (en) | Process to prepare 5,7-dichloro-3,4-dihydro-1h-isoquinolin-6-carboxylic acid using a continuous flow carboxylation reaction | |
CN106256429B (zh) | 一种高比表面积的氟化铝催化剂及其应用 | |
CN109265410A (zh) | 一种以吩噁嗪为核心结构的空穴传输材料及其合成方法和应用 | |
CN109734734A (zh) | 一种二草酸硼酸锂的制备方法 | |
CN106008586A (zh) | 含poss耐高温固态离子液体及其制备方法 | |
CN106674528A (zh) | 一种聚碳硅烷的制备方法 | |
CN110790798B (zh) | 一种(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴的精制方法 | |
CN108187721B (zh) | 一种用于固定床乙炔氢氯化反应制备氯乙烯的氮掺杂碳催化剂的制备方法及其使用方法 | |
CN108772104A (zh) | 一种棒状硫化镉CdS NRs/三碟烯聚合物NTP新型复合光催化剂的制备方法 | |
CN102226000B (zh) | 硼硅炔杂化耐高温树脂及其制备方法 | |
CN106565413B (zh) | 一种气相催化脱氯化氢制备三氟氯乙烯的方法 | |
CN110790671B (zh) | 一种五(二甲胺基)钽的精制方法 | |
CN109678169B (zh) | 一种新型硼烷衍生物nh3bh2i的制备方法 | |
TW201213238A (en) | Synthesis of stannane and deuterostannane | |
CN103819308A (zh) | 一种可固化的聚间苯及其制备方法和应用 | |
CN106946916B (zh) | 一种制备不对称硼试剂Bpin-Bdan的方法 | |
CN110105160B (zh) | 基于三亚苯炔型前驱体及其多环芳香烃衍生物的制备方法 | |
CN109293575B (zh) | 一种手性单体及其制备方法 | |
CN108117567A (zh) | 一种四(4-硼酸苯基)金刚烷及其制备方法 | |
CN104311401A (zh) | 含苯并环丁烯和全氟环丁烷单元的热固性单体、制备方法及其应用 | |
CN112125864B (zh) | 一种1,1’-二氨基-5,5’-联四唑的合成方法 | |
KR102698307B1 (ko) | 고순도 시클로펜타디엔의 제조방법 | |
CN115850232B (zh) | 一种氟哌噻吨ep杂质h的制备方法及其应用 | |
CN111747825B (zh) | 一种乙醇铝的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |