CN110724937A - 用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统 - Google Patents

用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统 Download PDF

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陆雪强
潘晓霞
左雪芹
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Abstract

本发明涉及用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统。柜体包括前柜体和后柜体，反应腔安装在前柜体顶部，反应腔包含外腔体和多个内腔处理单元，多个的内腔处理单元在外腔体内呈多层分布，每个内腔处理单元均包括内腔体、内腔上盖和内腔加热器，内腔体与内腔上盖构成沉积腔室，内腔加热器设置在内腔体底部；每个内腔处理单元均对应配备一套前驱体输送系统和一套抽气系统；进样中转腔安装在前柜体顶部，进样中转腔与反应腔中的每个内腔处理单元之间均设有一件插板阀，搬运机器人装置设置在进样中转腔内。本发明可以避免不同薄膜之间的交互污染，同时可以满足多种前驱体源沉积多种薄膜的要求，且可以在不产生交互污染的情况下沉积多组分薄膜。

Description

用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统
技术领域
本发明涉及一种用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，属于原子层沉积技术领域。
背景技术
原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition，ALD)是一种特殊的化学气相沉积技术，是将前驱体源脉冲交替通入反应室并在衬底表面发生化学吸附形成薄膜的一种方法，由于其独特的自限制以及自饱和生长原理，优异的共性性，大面积的均匀性以及精确的膜厚控制，使其在微电子、光学、纳米技术、能源、催化、生物医药、显示器、耐腐蚀及保护层等领域的应用呈现爆发式增长。ALD技术首先是一种气相沉积技术，可以配备不同种类的前躯体源沉积各种氧化物、氮化物、硫化物、单质以及多元化合物的薄膜。市面上所出售ALD设备可配备3-12路前驱体源，所有前躯体都是以气态的形式输送到反应腔室发生化学吸附，气态源可以渗透到的地方均可以镀膜，这就导致不同薄膜之间的交互污染，影响薄膜的纯度以及质量。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，其可以避免不同薄膜之间的交互污染，同时可以满足多种前驱体源沉积多种薄膜的要求，且可以在不产生交互污染的情况下沉积多组分薄膜。
按照本发明提供的技术方案：用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，包括柜体、反应腔、进样中转腔、前驱体输送系统和抽气系统；其特征在于：所述柜体包括前柜体和后柜体，所述前柜体的高度低于后柜体；所述反应腔安装在前柜体顶部，反应腔包含外腔体和多个内腔处理单元，多个所述的内腔处理单元在外腔体内呈多层分布，每个内腔处理单元均包括内腔体、内腔上盖和内腔加热器，所述内腔上盖盖合在内腔体的上端开口处，内腔体与内腔上盖构成沉积腔室，所述内腔加热器设置在内腔体底部；每个内腔处理单元均对应配备一套前驱体输送系统和一套抽气系统，内腔处理单元的内腔体上设有前驱体入口和排气口，所述前驱体入口与对应的前驱体输送系统连接，所述排气口与所述抽气系统连接；所述进样中转腔安装在前柜体顶部并与反应腔相邻，进样中转腔包括进样中转壳体，所述进样中转壳体背离反应腔的一侧设有样品放入口，所述样品放入口配装有中转密封门；进样中转腔与反应腔中的每个内腔处理单元之间均设有一件插板阀，所述搬运机器人装置设置在进样中转腔内，搬运机器人装置能够将样品经插板阀送入到对应的内腔处理单元中。
作为本发明的进一步改进，所述原子层沉积系统还包括等离子体辅助系统，所述等离子体辅助系统包括屏蔽罩、等离子体输送管路、匹配器、石英管、等离子体加热器和等离子体输入机构，所述屏蔽罩设置在反应腔和后柜体的顶部，所述等离子体输送管路、匹配器、石英管和等离子体加热器设置在屏蔽罩内，等离子体输送管路的进口端连接等离子体输入机构，等离子体输送管路的出口连接石英管，所述石英管另一端与反应腔内最上端的内腔处理单元中的内腔体连通，所述等离子体加热器套设在石英管上；所述等离子体输入机构设置在后柜体内，等离子体输入机构包括若干个并联设置的等离子体输入组件，每个等离子体输入组件均包括第二流量计和ALD隔膜阀，第二流量计的进口处安装前端管路，第二流量计的出口连接ALD隔膜阀的进口，ALD隔膜阀的出口经后端管路与等离子体输送管路的进口端连接。
作为本发明的进一步改进，所述等离子体加热器采用以水为传热介质的加热器，等离子体加热器包括缠绕在石英管外壁上的传热管，所述传热管的两端分别安装着用于连接供水管路的水嘴。
作为本发明的进一步改进，所述前驱体输送系统包括设置在后柜体内的第一流量计、载气管路、原子层沉积阀和进样管路，所述第一流量计的进口处安装有用于连接载气的进气接头，第一流量计的出口通过载气管路与若干个并联设置的原子层沉积阀的载气进口连接，所述原子层沉积阀的前驱体接口处安装有用于连接源钢瓶的钢瓶阀门，原子层沉积阀的出口连接进样管路，所述进样管路与内腔体上的前驱体入口连接。
作为本发明的进一步改进，所述抽气系统包括吸气管路、真空阀门和抽气泵，所述吸气管路一端与内腔体上的排气口连接，吸气管路另一端连接真空阀门，所述真空阀门通过连接管路连接至抽气泵，在连接管路上设有压力表和泵前处理装置，抽气泵配设有泵速调节阀。
作为本发明的进一步改进，所述泵前处理装置为冷阱、热阱、粉末吸附器或化学物质吸附器中的一种，或由其中几种串联组成。
作为本发明的进一步改进，所述抽气泵采用机械泵、干泵或者分子泵。
作为本发明的进一步改进，所述搬运机器人装置包括升降旋转器、第一手臂、第二手臂和托爪，所述升降旋转器设置在前柜体内，升降旋转器具有一个能够升降并旋转的主轴，所述主轴向上伸入至进样中转腔内，所述第一手臂一端固定安装在主轴上端，第一手臂另一端与第二手臂一端固定连接，第二手臂另一端安装托爪。
作为本发明的进一步改进，所述内腔加热器采用加热丝或加热陶瓷片。
作为本发明的进一步改进，所述外腔体的内壁上设有辅助加热器，外腔体内壁与辅助加热器之间设有反射板以及隔热板。
作为本发明的进一步改进，所述托爪前端设有U形叉，所述U形叉内壁上设有用于承托样品的支托台阶。
作为本发明的进一步改进，所述插板阀的两边开口分别通过盲板与进样中转腔和反应腔密封连接，所述盲板上设有与U形叉尺寸匹配的扁开口。
作为本发明的进一步改进，所述中转密封门上设有透明观察窗口。
本发明与现有技术相比，具有如下优点：
本发明可以避免不同薄膜之间的交互污染，同时可以满足多种前驱体源沉积多种薄膜的要求，且可以在不产生交互污染的情况下沉积多组分薄膜。
附图说明
图1为本发明实施例的立体结构示意图。
图2为本发明实施例去掉进样中转壳体和部分外腔体后的立体结构示意图。
图3为本发明实施例去掉屏蔽罩和后柜体后盖板后的结构示意图。
图4为本发明实施例去掉进样中转壳体、外腔体、屏蔽罩和后柜体后的立体结构示意图。
图5为本发明实施例中内腔处理单元的立体结构放大示意图。
图6为搬运机器人装置中的托爪的立体结构示意图。
图7为本发明的结构原理示意图。
附图标记说明：1-柜体、1.1-前柜体、1.2-后柜体、2-反应腔、2.1-外腔体、2.2-内腔处理单元、2.2a-内腔体、2.2b-内腔上盖、2.2c-内腔加热器、2.3-辅助加热器、3-进样中转腔、3.1-进样中转壳体、3.2-中转密封门、3.2a-透明观察窗口、4-插板阀、5-搬运机器人装置、5.1-升降旋转器、5.2-第一手臂、5.3-第二手臂、5.4-托爪、6-屏蔽罩、7-等离子体输送管路、8-匹配器、9-石英管、10-等离子体加热器、10.1-传热管、10.2-水嘴、11-第二流量计、12-ALD隔膜阀、13-前端管路、14-、15-第一流量计、16-载气管路、17-原子层沉积阀、18-进样管路、19-进气接头、20-钢瓶阀门、21-吸气管路、22-真空阀门、23-盲板。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图所示，实施例公开了一种用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，其主要由柜体1、反应腔2、进样中转腔3、前驱体输送系统、抽气系统、等离子体辅助系统和配套的控制系统组成。
如图1、图2、图7所示，所述柜体1包括前柜体1.1和后柜体1.2，所述前柜体1.1的高度低于后柜体1.2；所述反应腔2安装在前柜体1.1顶部，反应腔2包含外腔体2.1和三个内腔处理单元2.2，三个所述的内腔处理单元2.2在外腔体2.1内呈多层分布。
如图2～图5、图7所示，每个内腔处理单元2.2均包括内腔体2.2a、内腔上盖2.2b和内腔加热器2.2c，所述内腔上盖2.2b盖合在内腔体2.2a的上端开口处，内腔体2.2a与内腔上盖2.2b构成沉积腔室，所述内腔加热器2.2c设置在内腔体2.2a底部；每个内腔处理单元2.2均对应配备一套前驱体输送系统和一套抽气系统，内腔处理单元2.2的内腔体2.2a上设有前驱体入口和排气口，所述前驱体入口与对应的前驱体输送系统连接，所述排气口与所述抽气系统连接。
如图2所示，本实施例中，所述外腔体2.1的内壁上设有辅助加热器2.3，外腔体2.1内壁与辅助加热器2.3之间设有反射板以及隔热板。所述辅助加热器2.3可以使反应腔2的温度更为稳定，有利于提高沉积质量；反射板和隔热板能够避免热量散失，进一步提升反应腔2内的温度稳定性。本发明中，所述内腔加热器2.2c可以采用现有技术中的常规产品，从节约空间角度考虑，内腔加热器2.2c优选采用加热丝或加热陶瓷片。
如图1～图3所示，所述进样中转腔3安装在前柜体1.1顶部并与反应腔2相邻，进样中转腔3包括进样中转壳体3.1，所述进样中转壳体3.1背离反应腔2的一侧设有样品放入口，所述样品放入口配装有中转密封门3.2；进样中转腔3与反应腔2中的每个内腔处理单元2.2之间均设有一件插板阀4，所述搬运机器人装置5设置在进样中转腔3内，搬运机器人装置5能够将样品经插板阀4送入到对应的内腔处理单元2.2中。
如图3所示，本实施例中，所述中转密封门3.2上设有透明观察窗口3.2a，这样可以方便地对进样中转腔3进行观察。
如图2、图3所示，所述等离子体辅助系统主要由屏蔽罩6、等离子体输送管路7、匹配器8、石英管9、等离子体加热器10和等离子体输入机构组成，所述屏蔽罩6设置在反应腔2和后柜体1.2的顶部，所述等离子体输送管路7、匹配器8、石英管9和等离子体加热器10设置在屏蔽罩6内，等离子体输送管路7的进口端连接等离子体输入机构，等离子体输送管路7的出口连接石英管9，所述石英管9另一端与反应腔2内最上端的内腔处理单元2.2中的内腔体2.2a连通，所述等离子体加热器10套设在石英管9上；所述等离子体输入机构设置在后柜体1.2内，等离子体输入机构包括若干个并联设置的等离子体输入组件，每个等离子体输入组件均包括第二流量计11和ALD隔膜阀12，第二流量计11的进口处安装前端管路13，第二流量计11的出口连接ALD隔膜阀12的进口，ALD隔膜阀12的出口经后端管路14与等离子体输送管路7的进口端连接。
如图3所示，本实施例中，所述等离子体加热器10采用以水为传热介质的加热器，等离子体加热器10包括缠绕在石英管9外壁上的传热管10.1，所述传热管10.1的两端分别安装着用于连接供水管路的水嘴10.2。
如图3所示，所述前驱体输送系统主要由设置在后柜体1.2内的第一流量计15、载气管路16、原子层沉积阀17和进样管路18组成，所述第一流量计15的进口处安装有用于连接载气的进气接头19，第一流量计15的出口通过载气管路16与若干个并联设置的原子层沉积阀17的载气进口连接，所述原子层沉积阀17的前驱体接口处安装有用于连接源钢瓶的钢瓶阀门20，原子层沉积阀17的出口连接进样管路18，所述进样管路18与内腔体2.2a上的前驱体入口连接。
如图4所示，所述抽气系统主要由吸气管路21、真空阀门22和抽气泵组成，所述吸气管路21一端与内腔体2.2a上的排气口连接，吸气管路21另一端连接真空阀门22，所述真空阀门22通过连接管路连接至抽气泵，在连接管路上设有压力表和泵前处理装置，抽气泵配设有泵速调节阀。所述压力表用于监测抽气系统的压力情况，所述泵前处理装置用于对进入抽气泵之前的气体进行处理，避免混有杂质的气体进入抽气泵而导致抽气泵损坏。
本发明中，所述泵前处理装置为冷阱、热阱、粉末吸附器或化学物质吸附器中的一种，或由其中几种串联组成。所述抽气泵采用机械泵、干泵或者分子泵。
如图2、图4所示，本实施例中，所述搬运机器人装置5主要由升降旋转器5.1、第一手臂5.2、第二手臂5.3和托爪5.4组成，所述升降旋转器5.1设置在前柜体1.1内，升降旋转器5.1具有一个能够升降并旋转的主轴，所述主轴向上伸入至进样中转腔3内，所述第一手臂5.2一端固定安装在主轴上端，第一手臂5.2另一端与第二手臂5.3一端固定连接，第二手臂5.3另一端安装托爪5.4。
本实施例中的升降旋转器5.1可以采用现有技术中的常规设计，如可以用伸缩气缸和旋转气缸组合而成，伸缩气缸负责升降动作，旋转气缸负责须按转动作。
本实施例中，所述托爪5.4的结构具体如图6所示，托爪5.4前端设有U形叉5.4a，所述U形叉5.4a内壁上设有用于承托样品的支托台阶。所述插板阀4的两边开口分别通过盲板23与进样中转腔3和反应腔2密封连接，所述盲板23上设有与U形叉5.4a尺寸匹配的扁开口。
本发明中的内腔处理单元2.2可作为预处理室、沉积反应室(沉积反应室可以是热型也可以是远程等离子体增强型)以及后处理室。每种沉积反应室适用于沉积一种薄膜，该薄膜不限制于各种氧化物、氮化物、硫化物、单质、多元化合物薄膜以及其他可用ALD技术沉积的薄膜。
本发明的工作原理及工作过程如下：
样品首先送入进样中转腔3，放置于托爪5.4之上，然后内腔处理单元2.2开始抽真空，达到一定真空后，开启相应位置的插板阀4，由搬运机器人装置5将样品送入到对应到内腔处理单元2.2的沉积腔室中，然后关闭插板阀4，样品在沉积腔室中镀膜。该样品在沉积腔室中沉积一种薄膜后，如果需要再沉积另外一种薄膜，可以用搬运机器人装置5将样品取出，退入进样中转腔3内，然后再输送至另外一个内腔处理单元2.2的沉积腔室中，沉积另外一种薄膜，在此过程中不存在交互污染。
以上所描述的仅为本发明的较佳实施例，上述具体实施例不是对本发明的限制。在本发明的技术思想范畴内，可以出现各种变形及修改，凡本领域的普通技术人员根据以上描述所做的润饰、修改或等同替换，均属于本发明所保护的范围。

Claims (10)

1.用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，包括柜体(1)、反应腔(2)、进样中转腔(3)、前驱体输送系统和抽气系统；其特征在于：所述柜体(1)包括前柜体(1.1)和后柜体(1.2)，所述前柜体(1.1)的高度低于后柜体(1.2)；
所述反应腔(2)安装在前柜体(1.1)顶部，反应腔(2)包含外腔体(2.1)和多个内腔处理单元(2.2)，多个所述的内腔处理单元(2.2)在外腔体(2.1)内呈多层分布，每个内腔处理单元(2.2)均包括内腔体(2.2a)、内腔上盖(2.2b)和内腔加热器(2.2c)，所述内腔上盖(2.2b)盖合在内腔体(2.2a)的上端开口处，内腔体(2.2a)与内腔上盖(2.2b)构成沉积腔室，所述内腔加热器(2.2c)设置在内腔体(2.2a)底部；每个内腔处理单元(2.2)均对应配备一套前驱体输送系统和一套抽气系统，内腔处理单元(2.2)的内腔体(2.2a)上设有前驱体入口和排气口，所述前驱体入口与对应的前驱体输送系统连接，所述排气口与所述抽气系统连接；
所述进样中转腔(3)安装在前柜体(1.1)顶部并与反应腔(2)相邻，进样中转腔(3)包括进样中转壳体(3.1)，所述进样中转壳体(3.1)背离反应腔(2)的一侧设有样品放入口，所述样品放入口配装有中转密封门(3.2)；进样中转腔(3)与反应腔(2)中的每个内腔处理单元(2.2)之间均设有一件插板阀(4)，所述搬运机器人装置(5)设置在进样中转腔(3)内，搬运机器人装置(5)能够将样品经插板阀(4)送入到对应的内腔处理单元(2.2)中。
2.如权利要求1所述的用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，其特征在于：所述原子层沉积系统还包括等离子体辅助系统，所述等离子体辅助系统包括屏蔽罩(6)、等离子体输送管路(7)、匹配器(8)、石英管(9)、等离子体加热器(10)和等离子体输入机构，所述屏蔽罩(6)设置在反应腔(2)和后柜体(1.2)的顶部，所述等离子体输送管路(7)、匹配器(8)、石英管(9)和等离子体加热器(10)设置在屏蔽罩(6)内，等离子体输送管路(7)的进口端连接等离子体输入机构，等离子体输送管路(7)的出口连接石英管(9)，所述石英管(9)另一端与反应腔(2)内最上端的内腔处理单元(2.2)中的内腔体(2.2a)连通，所述等离子体加热器(10)套设在石英管(9)上；所述等离子体输入机构设置在后柜体(1.2)内，等离子体输入机构包括若干个并联设置的等离子体输入组件，每个等离子体输入组件均包括第二流量计(11)和ALD隔膜阀(12)，第二流量计(11)的进口处安装前端管路(13)，第二流量计(11)的出口连接ALD隔膜阀(12)的进口，ALD隔膜阀(12)的出口经后端管路(14)与等离子体输送管路(7)的进口端连接。
3.如权利要求1所述的用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，其特征在于：所述前驱体输送系统包括设置在后柜体(1.2)内的第一流量计(15)、载气管路(16)、原子层沉积阀(17)和进样管路(18)，所述第一流量计(15)的进口处安装有用于连接载气的进气接头(19)，第一流量计(15)的出口通过载气管路(16)与若干个并联设置的原子层沉积阀(17)的载气进口连接，所述原子层沉积阀(17)的前驱体接口处安装有用于连接源钢瓶的钢瓶阀门(20)，原子层沉积阀(17)的出口连接进样管路(18)，所述进样管路(18)与内腔体(2.2a)上的前驱体入口连接。
4.如权利要求1所述的用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，其特征在于：所述抽气系统包括吸气管路(21)、真空阀门(22)和抽气泵，所述吸气管路(21)一端与内腔体(2.2a)上的排气口连接，吸气管路(21)另一端连接真空阀门(22)，所述真空阀门(22)通过连接管路连接至抽气泵，在连接管路上设有压力表和泵前处理装置，抽气泵配设有泵速调节阀。
5.如权利要求4所述的用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，其特征在于：所述泵前处理装置为冷阱、热阱、粉末吸附器或化学物质吸附器中的一种，或由其中几种串联组成。
6.如权利要求1所述的用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，其特征在于：所述搬运机器人装置(5)包括升降旋转器(5.1)、第一手臂(5.2)、第二手臂(5.3)和托爪(5.4)，所述升降旋转器(5.1)设置在前柜体(1.1)内，升降旋转器(5.1)具有一个能够升降并旋转的主轴，所述主轴向上伸入至进样中转腔(3)内，所述第一手臂(5.2)一端固定安装在主轴上端，第一手臂(5.2)另一端与第二手臂(5.3)一端固定连接，第二手臂(5.3)另一端安装托爪(5.4)。
7.如权利要求1所述的用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，其特征在于：所述内腔加热器(2.2c)采用加热丝或加热陶瓷片。
8.如权利要求1所述的用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，其特征在于：所述外腔体(2.1)的内壁上设有辅助加热器(2.3)，外腔体(2.1)内壁与辅助加热器(2.3)之间设有反射板以及隔热板。
9.如权利要求1所述的用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，其特征在于：所述托爪(5.4)前端设有U形叉(5.4a)，所述U形叉(5.4a)内壁上设有用于承托样品的支托台阶。
10.如权利要求1所述的用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，其特征在于：所述插板阀(4)的两边开口分别通过盲板(23)与进样中转腔(3)和反应腔(2)密封连接，所述盲板(23)上设有与U形叉(5.4a)尺寸匹配的扁开口。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113881931A (zh) * 2021-10-11 2022-01-04 湘潭大学 一种cvd装置及其分散进气方法
CN114107947A (zh) * 2020-08-28 2022-03-01 昆山微电子技术研究院 原子层沉积设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879459A (en) * 1997-08-29 1999-03-09 Genus, Inc. Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition
CN101061253A (zh) * 2004-11-22 2007-10-24 应用材料股份有限公司 使用批式制程腔室的基材处理装置
CN102503177A (zh) * 2011-10-21 2012-06-20 苏州大学 一种用于超光滑表面的等离子体加工装置
CN102803558A (zh) * 2009-06-15 2012-11-28 Beneq有限公司 设备
CN105957824A (zh) * 2016-06-30 2016-09-21 中国科学院微电子研究所 氮化镓器件介质生长方法及系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879459A (en) * 1997-08-29 1999-03-09 Genus, Inc. Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition
CN101061253A (zh) * 2004-11-22 2007-10-24 应用材料股份有限公司 使用批式制程腔室的基材处理装置
CN102803558A (zh) * 2009-06-15 2012-11-28 Beneq有限公司 设备
CN102503177A (zh) * 2011-10-21 2012-06-20 苏州大学 一种用于超光滑表面的等离子体加工装置
CN105957824A (zh) * 2016-06-30 2016-09-21 中国科学院微电子研究所 氮化镓器件介质生长方法及系统

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
冯丽萍、刘正堂: "《薄膜技术与应用》", 29 February 2016, 西北工业大学出版社 *
张立娟等: "《机电一体化技术》", 30 June 2017, 吉林大学出版社 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114107947A (zh) * 2020-08-28 2022-03-01 昆山微电子技术研究院 原子层沉积设备
CN113881931A (zh) * 2021-10-11 2022-01-04 湘潭大学 一种cvd装置及其分散进气方法

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