CN105957824A - 氮化镓器件介质生长方法及系统 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种氮化镓GaN器件介质生长方法及系统，氮化镓器件介质生长过程中的高温感应耦合等离子体刻蚀工艺、远程等离子体修饰工艺及沉积工艺之间的转移通过集簇式封闭传送系统进行传送，从而能够在无氧传送环境中在各种工艺系统之间转移，有效避免材料表面的氧化、碳化、酸碱沾污等问题，同时无氧传输环境中的刻蚀工艺采用高温感应耦合等离子体刻蚀，有利于形成低界面态的器件。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种氮化镓器件介质生长方法及系统。
背景技术
氮化镓(GaN)作为宽禁带化合物半导体材料器件，具有输出功率高、耐高温的特点。GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
在第三代半导体氮化镓(GaN)器件制造领域，界面态问题是长期困扰业界的共性问题，是氮化镓电子器件研制迫切需要解决的难点和瓶颈。为了解决界面态这一GaN难点问题，国内外研究者开展了多种方式的探索，主要集中在介质生长方式和介质前表面预处理等方面。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下技术问题：氮化镓器件的制造过程中由于诸多工艺分布在不同的单项系统中，由此存在工艺衔接或转移过程中的氧化等污染问题。另外，一些氮化镓器件的制造过程中需要进行刻蚀，现有的常温下的刻蚀使得形成的器件界面态不理想。
发明内容
本发明提供的氮化镓器件介质生长方法及系统，能够在无氧传送环境中在各种工艺系统之间转移，有效避免材料表面的氧化、碳化、酸碱沾污等问题，同时无氧传输环境中的刻蚀工艺有利于形成低界面态的器件。
第一方面，本发明提供一种氮化镓GaN器件介质生长系统，所述系统包括：
高温感应耦合等离子体刻蚀系统，用于对晶片上的GaN材料表面进行低界面态和低体材料损伤刻蚀，在对晶片上的GaN材料表面进行低界面态和低体材料损伤刻蚀时，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统的腔壁温度大于200℃，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统内装载所述晶片的片拖的温度大于200℃；
远程等离子体修饰系统，用于对经低界面态和低体材料损伤刻蚀的GaN材料表面进行改性处理，实现高均匀低损伤表面预处理；
沉积系统，用于在经改性处理的GaN材料表面上淀积一种或多种介质层；
集簇式封闭传送系统，与所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统、所述远程等离子体修饰系统及所述沉积系统气密连通，用于将晶片从所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统传送至所述远程等离子体修饰系统，再传送至所述沉积系统。
可选地，上述集簇式封闭传送系统包括：
气密腔体；
设于所述气密腔体内的可活动机械臂；
设于所述可活动机械臂前端的片托，由所述可活动机械臂支撑；
设于所述气密腔体内的装载台，配置为将晶片加载到所述片托上；以及
与所述气密腔体连通的多个传送通道，分别与所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统、远程等离子体修饰系统、沉积系统气密连通，
其中，所述可活动机械臂被配置为能够活动从而伸入或退出各传送通道。
可选地，在所述传送通道与所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统、远程等离子体修饰系统、沉积系统之间设有开闭可控的气密阀。
可选地，所述沉积系统为脉冲热化学气相沉积系统或原子层沉积系统。
可选地，在所述脉冲热化学气相沉积系统中，所述介质层的沉积温度在600℃-850℃之间，压强在100mTorr-500Torr之间。
可选地，所述远程等离子体修饰系统的载片台具有温度超过300℃的加热功能。
可选地，还包括与所述气密腔体内部连通的真空泵或氮气源。
第二方面，本发明提供一种利用上述所述的氮化镓GaN器件介质生长系统进行氮化镓GaN器件介质生长的方法，所述方法包括：
将设有GaN材料的晶片放入集簇式封闭传送系统的所述气密腔体内；
将高温感应耦合等离子体刻蚀系统、远程等离子体修饰系统、沉积系统及所述集簇式封闭传送系统内抽成真空环境或充入氮气，使各系统腔体内达到相同的腔压；
通过所述集簇式封闭传送系统将所述晶片送入所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统，对晶片上的GaN材料表面进行低界面态和低体材料损伤刻蚀，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统的腔壁温度大于200℃，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统内装载所述晶片的片拖的温度大于200℃；
通过所述集簇式封闭传送系统，将所述晶片从所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统取出，并送入所述远程等离子体修饰系统，对经低界面态和低体材料损伤刻蚀的GaN材料表面进行改性处理；
通过所述集簇式封闭传送系统，将所述晶片从所述远程等离子体修饰系统取出，并送入所述沉积系统，在经改性处理的GaN材料表面上淀积一种或多种介质层。
可选地，所述沉积系统为脉冲热化学气相沉积系统或原子层沉积系统。
可选地，在经改性处理的GaN材料表面上淀积一种或多种介质层时采用脉冲热化学气相沉积系统，将所述介质层的沉积温度控制在600℃-850℃之间，压强控制在100mTorr-500Torr之间。
可选地，在对经低界面态和低体材料损伤刻蚀的GaN材料表面进行改性处理时，将所述远程等离子体修饰系统的载片台加热到300℃以上。
本发明实施例提供的氮化镓GaN器件介质生长系统、以及利用该系统进行氮化镓GaN器件介质生长的方法，氮化镓器件介质生长过程中的高温感应耦合等离子体刻蚀工艺、远程等离子体修饰工艺及沉积工艺之间的转移通过集簇式封闭传送系统进行传送，从而能够在无氧传送环境中在各种工艺系统之间转移，有效避免材料表面的氧化、碳化、酸碱沾污等问题，同时无氧传输环境中的刻蚀工艺采用高温感应耦合等离子体刻蚀，有利于形成低界面态的器件。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的氮化镓GaN器件介质生长系统结构示意图；
图2为本发明一实施例氮化镓GaN器件介质生长系统的集簇式封闭传送系统的结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的集簇式封闭传送系统与高温感应耦合等离子体刻蚀系统的连接结构示意图；
图4为本发明另一实施例提供的氮化镓GaN器件介质生长方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供一种氮化镓GaN器件介质生长系统，如图1所示，所述系统包括：
高温感应耦合等离子体刻蚀系统11，用于对晶片上的GaN材料表面进行低界面态和低体材料损伤刻蚀，在对晶片上的GaN材料表面进行低界面态和低体材料损伤刻蚀时，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统的腔壁温度大于200℃，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统内装载所述晶片的片拖的温度大于200℃；
远程等离子体修饰系统12，用于对经低界面态和低体材料损伤刻蚀的GaN材料表面进行改性处理；
沉积系统13，用于在经改性处理的GaN材料表面上淀积一种或多种介质层；
集簇式封闭传送系统14，与所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统、所述远程等离子体修饰系统及所述沉积系统气密连通，用于将晶片从所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统传送至所述远程等离子体修饰系统，再传送至所述沉积系统。
本发明实施例提供的氮化镓GaN器件介质生长系统、以及利用该系统进行氮化镓GaN器件介质生长的方法，氮化镓器件介质生长过程中的高温感应耦合等离子体刻蚀工艺、远程等离子体修饰工艺及沉积工艺之间的转移通过集簇式封闭传送系统进行传送，从而能够在无氧传送环境中在各种工艺系统之间转移，有效避免材料表面的氧化、碳化、酸碱沾污等问题，同时无氧传输环境中的刻蚀工艺采用高温感应耦合等离子体刻蚀，有利于形成低界面态及低体材料损伤的器件。
可选地，所述集簇式封闭传送系统14包括：
气密腔体；
设于所述气密腔体内的可活动机械臂；
设于所述可活动机械臂前端的片托，由所述可活动机械臂支撑；
设于所述气密腔体内的装载台，配置为将晶片加载到所述片托上；以及
与所述气密腔体连通的多个传送通道，分别与所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统11、远程等离子体修饰系统12、沉积系统13气密连通，其中，所述可活动机械臂被配置为能够活动从而伸入或退出各传送通道。
可选地，在所述传送通道与所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统11、远程等离子体修饰系统12、沉积系统13之间设有开闭可控的气密阀。
可选地，所述沉积系统13为脉冲热化学气相沉积系统或原子层沉积系统。
可选地，在所述脉冲热化学气相沉积系统中，所述介质层的沉积温度在600℃-850℃之间，压强在100mTorr-500Torr之间。
可选地，所述远程等离子体修饰系统12的载片台具有温度超过300℃的加热功能。
可选地，还包括与所述气密腔体内部连通的真空泵或氮气源。
图2示出了本发明实施例提供的集簇式封闭传送系统的俯视图。如图2所示，该集簇式封闭传送系统14可以包括由腔壁141限定的气密腔体142。腔壁141可以包括各种合适的材料，如钢。为了从外部访问腔体内或者从腔体内访问外部，在腔壁141上可以开有多个开口(例如，143-1、143-2、143-3、144和145)。为了保证腔体142的气密性，在这些开口上可以设有气密阀。备选地，当开口连接到其他设备时，可以在其他设备与该开口相接处设置气密阀。优选地，在开口与其他设备相连接处均设有气密阀，这些气密阀的开闭可通过控制信号来控制。例如，阀门可以带有驱动机构，驱动机构可以驱动阀门开启或闭合。可以向驱动机构提供适当的电控制信号，以根据设备操作需要来驱动阀门。在腔体142内，可以设有可活动的机械臂146。例如，机械臂146可以在腔体142内绕轴147旋转。当然，机械臂146的活动不限于旋转，机械臂146也可以进行平移等运动(例如，连同轴147一起平移)。此外，机械臂146还可以伸缩，即改变其从轴147延伸出的长度。图2中以虚线形式示出了相对于实线所示的机械臂146转动且伸长后的机械臂。在机械臂146的前端，可以设有片托148。片托148可以用于放置待处理的晶片149(例如，GaN晶片)。片托148可以与机械臂146一体形成。在腔体142内，还可以设有装载台1410。装载台1410上可以放置有多个待处理的晶片149，并可以将晶片149逐一加载到片托148上(当机械臂146转动到使得片托148与装载台1410的晶片加载机构对准时)。此外，片托148上的晶片处理完毕后，可以通过晶片卸载机构而将晶片从片托148上卸载到晶片架上。晶片卸载机构可以与晶片加载机构一起实施在例如装载台1410中，或者晶片卸载机构可以与装载台1410分离实现。可以通过控制信号来控制晶片的加载、卸载。为了向装载台中放入待处理的晶片以及从装载台中(或从分离实现的晶片架)取出处理完毕的晶片，可以在腔壁141与之相对应的位置处设置晶片通道145。如上所述，可以在晶片通道145处设置开闭可控的气密阀。当需要向装载台放入晶片或从装载台取出晶片时，可以控制气密阀打开，而在对晶片进行处理期间，可以控制气密阀关闭。
该集簇式封闭传送系统14还可以包括与腔体142连通的多个传送通道143-1、143-2和143-3。这些传送通道可以连接到不同的工艺处理系统，如连接到上述所述的高温感应耦合等离子体刻蚀系统11、远程等离子体修饰系统12及所述沉积系统气13。在图2中，将这些传送通道示出为腔壁141上的开口。但是，本公开不限于此。例如，传送通道还可以从腔壁141向外延伸(例如，呈管道状)，以便连接到较远位置处的工艺设备。传送通道本身也是气密性的，以避免破坏腔体142内的气密环境。
图2中还示出了腔壁141上的气氛通道144。该气氛通道144可用于确保腔体142中的所需气氛(例如，真空或非反应性气体)。例如，气氛通道144可以连接至真空泵，以便通过真空泵将腔体142内抽真空；或者，气氛通道144可以连接至氮气源，以便将腔体142内充入氮气。这种真空泵或氮气源可以与集簇式封闭传送系统14一体设置，例如附于腔壁141上。气氛通道144处甚至可以不设置气密阀，或者设置的气密阀即使在对晶片处理期间也可以保持打开，以便真空泵可以持续对腔体142内抽真空或者持续向腔体142内充入氮气。
此外，该集簇式封闭传送系统14还可以包括控制装置(未示出)，用以控制各组成部件。例如，控制装置可以包括微处理器、存储器和输入/输出设备等。备选地，该集簇式封闭传送系统14可以包括控制接口(未示出)，用于与外部控制设备(例如，通用计算机)相连。控制接口可以与集簇式封闭传送系统14中各动作部件(例如，机械臂、气密阀、装载台、真空泵或氮气源等)的驱动装置相连，以便驱动这些部件进行相应的动作(例如，机械臂的转动/伸缩、气密阀的开启/关闭、装载台的晶片加载、卸载、真空泵或氮气源的启动、停止等)。
图3示意出了集簇式封闭传送系统14与高温感应耦合等离子体刻蚀系统11相连接的结构示意图，集簇式封闭传送系统14可以通过传送通道143-1与高温感应耦合等离子体刻蚀系统11相连，机械臂146可以将在装载台1410处加载的晶片输送到高温感应耦合等离子体刻蚀系统。具体地，机械臂146可以从对准于装载台1410处加载待处理的晶片，旋转到对准于传送通道143-1，在传送通道143-1处，可以设有气密阀111，此时气密阀开启，从而机械臂146可以伸展通过传送通道143-1，将置于片托上的待处理晶片149送入高温感应耦合等离子体刻蚀系统的腔体112中，具体地把该待处理晶片加载到高温感应耦合等离子体刻蚀系统的腔体内的晶片片拖上。在该高温感应耦合等离子体刻蚀系统的腔体中对晶片进行高温感应耦合等离子体刻蚀，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统的腔壁温度大于200℃，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统内装载所述晶片的片拖的温度大于200℃，通过高温感应耦合等离子体刻蚀，避免等离子体刻蚀在氮化镓材料表面和体材料带来的损伤，实现GaN表面低界面态和低体材料损伤刻蚀制备。在进行处理时，机械臂146可以缩回腔体142中，且气密阀111可以关闭。待处理完毕后，气密阀111开启，机械臂146可以再次伸入腔体112中，以接收高温感应耦合等离子体刻蚀系统11的片托上经处理的晶片149，并收缩至腔体142内。然后，可以关闭气密阀111。
之后，机械臂146转动，经过另一传送通道143-2将经过高温感应耦合等离子体刻蚀过的晶片传送给远程等离子体修饰系统12，远程等离子体修饰系统12实现氮化镓材料表面高均匀和低损伤的表面改性，远程等离子体修饰系统12采用的等离子体是远程等离子体，即等离子产生后经过空间输运到目标器件的反应面，且采用的反应面(即载片台)具有高温加热功能，且加热温度可超过300℃。
之后，机械臂146转动，经过另一传送通道143-3将经过远程等离子体修饰过的晶片传送给沉积系统13，沉积系统13为脉冲热化学气相沉积系统或原子层沉积系统。当沉积系统为脉冲热化学气相沉积系统时，所述介质层的沉积温度在600℃-850℃之间，压强在100mTorr-500Torr之间。从而实现在经改性处理的GaN材料表面上淀积一种或多种电介质层，实现实现低界面态、低固定电荷介质的淀积。之后，机械臂146转动，将经处理的晶片送入装载台以便取出。在整个过程中，腔体142内可以一直保持无氧状态，例如通过一直对腔体142抽真空或者一直向腔体142内充入氮气。
本发明实施例还提供一种利用上述所述的氮化镓GaN器件介质生长系统进行氮化镓GaN器件介质生长的方法，所述方法包括：
将设有GaN材料的晶片放入集簇式封闭传送系统的所述气密腔体内；
将高温感应耦合等离子体刻蚀系统、远程等离子体修饰系统、沉积系统及所述集簇式封闭传送系统内抽成真空环境或充入氮气，使各系统腔体内达到相同的腔压；
通过所述集簇式封闭传送系统将所述晶片送入所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统，对晶片上的GaN材料表面进行低界面态和低体材料损伤刻蚀，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统的腔壁温度大于200℃，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统内装载所述晶片的片拖的温度大于200℃；
通过所述集簇式封闭传送系统，将所述晶片从所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统取出，并送入所述远程等离子体修饰系统，对经低界面态和低体材料损伤刻蚀的GaN材料表面进行改性处理，实现高均匀低损伤表面的预处理。
通过所述集簇式封闭传送系统，将所述晶片从所述远程等离子体修饰系统取出，并送入所述沉积系统，在经改性处理的GaN材料表面上淀积一种或多种介质层。
本发明实施例提供的氮化镓GaN器件介质生长的方法，氮化镓器件介质生长过程中的高温感应耦合等离子体刻蚀工艺、远程等离子体修饰工艺及沉积工艺之间的转移通过集簇式封闭传送系统进行传送，从而能够在无氧传送环境中在各种工艺系统之间转移，有效避免材料表面的氧化、碳化、酸碱沾污等问题，同时无氧传输环境中的刻蚀工艺采用高温感应耦合等离子体刻蚀，有利于形成低界面态及低体材料损伤的器件。
可选地，所述沉积系统为脉冲热化学气相沉积系统或原子层沉积系统。
可选地，在经改性处理的GaN材料表面上淀积一种或多种介质层时采用脉冲热化学气相沉积系统，将所述介质层的沉积温度控制在600℃-850℃之间，压强控制在100mTorr-500Torr之间。
可选地，在对经低界面态和低体材料损伤刻蚀的GaN材料表面进行改性处理时，将所述远程等离子体修饰系统的载片台加热到300℃以上。
具体地，图4示意出了本发明实施例提供的氮化镓GaN器件介质生长的方法，所述方法包括：
步骤S401：将晶片送入集簇式封闭传送系统14。具体地，可以将晶片放入集簇式封闭传送系统14中的装载台上。例如，参考图2，可以打开晶片通道145，将待处理的(多个)晶片放置到装载台1410上。
步骤S402：集簇式封闭传送系统抽真空或充氮气。封闭集簇式封闭传送系统14的腔体，并使腔体内成为所需气氛，例如实质上的无氧状态。例如，可以关闭晶片通道145以及传送通道143-1、143-2和143-3(例如，通过关闭这些通道上设置的气密阀)，然后经气氛通道144，将腔体142内抽成一定压力的真空状态(通过真空泵)或在抽成真空环境之后充入一定压力的氮气(通过氮气源)。此外，高温感应耦合等离子体刻蚀系统11、远程等离子体修饰系统12及沉积系统13也可以抽真空或充氮气，使得高温感应耦合等离子体刻蚀系统11、远程等离子体修饰系统12及沉积系统13到达相同的腔压。这样，随后在将部件连通(特别是将集簇式封闭传送系统与各系统连通)时，可以实现平稳的操作。
步骤S403：通过集簇式封闭传送系统，将晶片送入高温感应耦合等离子体刻蚀系统11。用于对晶片上的GaN材料表面进行低界面态和低体材料损伤刻蚀，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统的腔壁温度大于200℃，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统内装载所述晶片的片拖的温度大于200℃；
步骤S404：通过所述集簇式封闭传送系统，将所述晶片从所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统11取出，并送入所述远程等离子体修饰系统12，用于对经低界面态和低体材料损伤刻蚀的GaN材料表面进行改性处理，实现高均匀低损伤表面预处理。
步骤S405：通过所述集簇式封闭传送系统，将所述晶片从所述远程等离子体修饰系统取出，并送入所述沉积系统。用于在经改性处理的GaN材料表面上淀积一种或多种介质层。
步骤S406：通过所述集簇式封闭传送系统，将所述晶片从所述沉积系统取出，并送入装载台1410，以便取出。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (11)
1.一种氮化镓GaN器件介质生长系统，其特征在于，包括：
高温感应耦合等离子体刻蚀系统，用于对晶片上的GaN材料表面进行低界面态和低体材料损伤的刻蚀，在对晶片上的GaN材料表面进行低界面态和低体材料损伤的刻蚀时，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统的腔壁温度大于200℃，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统内装载所述晶片的片拖的温度大于200℃；
远程等离子体修饰系统，用于对经低界面态和低体材料损伤刻蚀的GaN材料表面进行改性处理；
沉积系统，用于在经改性处理的GaN材料表面上淀积一种或多种介质层；
集簇式封闭传送系统，与所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统、所述远程等离子体修饰系统及所述沉积系统气密连通，用于将晶片从所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统传送至所述远程等离子体修饰系统，再传送至所述沉积系统。
2.根据权利要求1所述的氮化镓GaN器件介质生长系统，其特征在于，所述集簇式封闭传送系统包括：
气密腔体；
设于所述气密腔体内的可活动机械臂；
设于所述可活动机械臂前端的片托，由所述可活动机械臂支撑；
设于所述气密腔体内的装载台，配置为将晶片加载到所述片托上；以及
与所述气密腔体连通的多个传送通道，分别与所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统、远程等离子体修饰系统、沉积系统气密连通，
其中，所述可活动机械臂被配置为能够活动从而伸入或退出各传送通道。
3.根据权利要求2所述的氮化镓GaN器件介质生长系统，其特征在于，在所述传送通道与所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统、远程等离子体修饰系统、沉积系统之间设有开闭可控的气密阀。
4.根据权利要求3所述的氮化镓GaN器件介质生长系统，其特征在于，所述沉积系统为脉冲热化学气相沉积系统或原子层沉积系统。
5.根据权利要求4所述的氮化镓GaN器件介质生长系统，其特征在于，在所述脉冲热化学气相沉积系统中，所述介质层的沉积温度在600℃-850℃之间，压强在100mTorr-500Torr之间。
6.根据权利要求5所述的氮化镓GaN器件介质生长系统，其特征在于，所述远程等离子体修饰系统的载片台具有温度超过300℃的加热功能。
7.根据权利要求6所述的氮化镓GaN器件介质生长系统，其特征在于，还包括与所述气密腔体内部连通的真空泵或氮气源。
8.一种利用权利要求1-7中任一项所述的氮化镓GaN器件介质生长系统进行氮化镓GaN器件介质生长的方法，其特征在于，包括：
将设有GaN材料的晶片放入集簇式封闭传送系统的所述气密腔体内；
将高温感应耦合等离子体刻蚀系统、远程等离子体修饰系统、沉积系统及所述集簇式封闭传送系统内抽成真空环境或充入氮气，使各系统腔体内达到相同的腔压；
通过所述集簇式封闭传送系统将所述晶片送入所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统，对晶片上的GaN材料表面进行低界面态和低体材料损伤的刻蚀，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统的腔壁温度大于200℃，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统内装载所述晶片的片拖的温度大于200℃；
通过所述集簇式封闭传送系统，将所述晶片从所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统取出，并送入所述远程等离子体修饰系统，对经低界面态和低体材料损伤刻蚀的GaN材料表面进行改性处理；
通过所述集簇式封闭传送系统，将所述晶片从所述远程等离子体修饰系统取出，并送入所述沉积系统，在经改性处理的GaN材料表面上淀积一种或多种介质层。
9.根据权利要求8所述的氮化镓GaN器件介质生长的方法，其特征在于，所述沉积系统为脉冲热化学气相沉积系统或原子层沉积系统。
10.根据权利要求9所述的氮化镓GaN器件介质生长的方法，其特征在于，
在经改性处理的GaN材料表面上淀积一种或多种介质层时采用脉冲热化学气相沉积系统，将所述介质层的沉积温度控制在600℃-850℃之间，压强控制在100mTorr-500Torr之间。
11.根据权利要求10所述的氮化镓GaN器件介质生长的方法，其特征在于，在对经低界面态和低体材料损伤刻蚀的GaN材料表面进行改性处理时，将所述远程等离子体修饰系统的载片台加热到300℃以上。
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| CN105470169A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-04-06 | 中国科学院微电子研究所 | 面向GaN器件的介质生长系统及其操作方法 |
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