CN106033737A - 真空锁系统及基片传送方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种传送基片的真空锁系统，包含腔室主体、第一和第二传片机构。腔室主体包括第一室和与第一室水平设置的第二室。第一室用于对置于基座上的基片进行等离子体处理。第二室具有侧壁上可密封地形成分别与第一室、大气气氛环境和真空处理环境相连通的第一、第二和第三开口。当在所述第一室和第二室之间进行基片传送时，第一传片机构用于在基座和第一室内高于基座顶面的一传送位置之间传送基片，第二传片机构用于通过第一开口在第二室与传送位置之间传送基片，第一传片机构和第二传片机构在所述传送位置处进行基片交接。本发明能够提高系统传片效率，减轻真空处理环境中传送机器人的运动负担。

Description

真空锁系统及基片传送方法

技术领域

本发明涉及半导体加工设备及方法，特别涉及一种真空锁系统及基片传送方法。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，通常使用各种真空处理腔室在真空环境中对作为被处理基片的半导体基片实施如薄膜沉积、蚀刻、氧化或氮化、热处理等特定处理。而从外部向这样的真空处理腔室进行半导体基片的传送，通常是通过具备将其内部压力在大气气压状态和真空状态之间切换的负载锁定装置来进行。一般来说，负载锁定装置设置于真空搬送室和大气压环境的外部如基片盒或工厂介面之间。真空搬送室与各个真空处理腔室连结而形成集成的真空处理装置，利用该真空搬送室中的机械手可将基片向各个真空处理腔室传送。负载锁定装置切换至大气气压状态时来自大气压环境的基片搬入负载锁定装置中，之后负载锁定装置切换为真空状态，其中的基片搬送至真空搬送室。

为了进一步提高负载锁定装置的效率，现有技术中还提出了兼具基片处理以及基片传输功能的真空锁系统。例如，在负载锁定装置上方设置真空处理腔室完成对基片的真空工艺(如去光刻胶等工艺)。通过真空侧机器人将已刻蚀的基片从真空刻蚀处理腔室传送到负载锁定装置上方的真空处理腔室进行热处理工艺，以移除表面沉积的卤素残留物或光刻胶。之后再通过真空侧机器人将卤素残留物或光刻胶去除后的基片传送到负载锁定装置，对负载锁定装置通气成大气压使其中的压力与工厂介面的压力相称，再通过大气侧机器人将卤素残留物或光刻胶残余移除后的基片传送至工厂介面的晶圆盒FOUP。

这种真空锁系统虽然进一步提高了其利用率，然而，真空侧机器人要对不同高度的负载锁定装置和等离子体处理腔室分别进行基片的搬送，无疑对机器人的运动造成负担，也降低了系统的传片效率。因此需要对此类真空锁系统加以改进以简化机器人的操作方式，提高系统传片效率。

发明内容

本发明的主要目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种能够提高传片效率且兼具基片处理和基片传送功能的真空锁系统。

为达成上述目的，本发明提供一种传送基片的真空锁系统，包含腔室主体、第一传片机构和第二传片机构。其中，所述腔室主体包括第一室和与所述第一室水平设置的第二室。第一室中设有基座，所述第一室用于对置于该基座上的基片进行真空处理。第二室具有以可密封的方式形成于其侧壁上的第一、第二和第三开口，所述第一、第二和第三开口分别用于与所述第一室、大气气氛环境和真空处理环境相连通以进行基片传送。所述第一传片机构用于当在所述第一室和第二室之间进行基片传送时，在所述基座和一传送位置之间传送基片，所述传送位置为位于所述第一室内且高于所述基座顶面的位置；所述第二传片机构用于当在所述第一室和第二室之间进行基片传送时，通过所述第一开口在所述第二室与所述传送位置之间传送基片；所述第一传片机构和第二传片机构在所述传送位置处进行基片交接。

优选地，所述第一传片机构仅在垂直方向上传送基片。

优选地，所述第一传片机构包括可移动地穿设于所述基座中的支撑元件，以及驱动该支撑元件垂直移动的第一驱动元件；当所述第一室进行真空处理时，所述第一驱动元件驱动所述支撑元件定位于所述基座顶面下方的一退避位置，以由所述基座支撑基片。

优选地，所述支撑元件包括在底端与所述第一驱动元件连结的支撑杆以及固定于所述支撑杆顶端的支撑部。

优选地，所述第二传片机构仅在水平方向上传送基片。

优选地，所述第二传片机构包括位于所述第二室内的机械手及驱动该机械手在所述第二室与所述传送位置之间移动的第二驱动元件。

优选地，所述机械手为单臂机械手或双臂机械手。

优选地，所述第一室和第二室各自具有排气装置以独立控制其中的压力，使得所述第一室在真空环境下对其中的基片进行真空处理，所述第二室在与所述大气气氛环境连通时切换为大气气压环境、在与所述真空处理环境连通时切换为真空环境。

优选地，所述第二室具有以开闭的方式对所述第一、第二和第三开口进行密封的门阀机构。

优选地，所述第一室为祛光刻胶等离子体处理室。

优选地，所述第二室一侧通过所述第二开口与大气气氛环境中的机械手工作腔水平相连，另一侧通过所述第三开口与真空环境的机械手工作腔水平相连；所述真空环境的机械手工作腔内包括用于在所述第二室和所述真空处理环境之间传输基片的真空侧机械手；所述大气气氛环境中的机械手工作腔包括用于在所述第二室和所述大气气氛环境之间传送基片的大气侧机械手。

优选地，所述真空锁系统为两个，所述两个真空锁系统的第二室相邻排列且相互连通，所述两个真空锁系统的第一室共用排气装置。

根据本发明的另一方面，还提供了一种基片传送方法，为利用上述真空锁系统所进行的基片传送方法，其包括传入阶段、处理阶段和传出阶段。其中，

所述传入阶段包括：步骤S11：向所述第二室传入经所述真空处理环境处理的基片；步骤S12：通过所述第二传片机构将该经所述真空处理环境处理的基片传送至所述第一室中的所述传片位置；步骤S13：通过所述第一传片机构在所述传片位置处从所述第二传片机构接收该经所述真空处理环境处理的基片；步骤S14：通过所述第一传片机构将该经所述真空处理环境处理的基片传送至所述基座。

所述处理阶段包括：通过所述第一室对该经真空处理环境处理的基片进行真空处理。

所述传出阶段包括：步骤S31：通过所述第一传片机构从所述基座上接收经所述第一室处理的基片并将该基片传送至所述传片位置；步骤S32：通过所述第二传片机构在所述传片位置处从所述第一传片机构接收该经所述第一室处理的基片；步骤S33：通过所述第二传片机构将该经所述第一室处理的基片传送至所述第二室内；步骤S34：从所述第二室向所述大气气氛环境传出该经所述第一室处理的基片。

优选地，步骤S12～S14和步骤31～33中所述第二室内为真空环境；步骤S11和步骤S33中所述第二室为大气气压环境。

优选地，所述第一传片机构包括可移动地穿设于所述基座中的支撑元件，以及驱动该支撑元件垂直移动的第一驱动元件；所述第二传片机构包括机械手及驱动该机械手在所述第二室与所述传送位置之间移动的第二驱动元件。步骤S12中通过所述第二驱动元件将所述机械手移动至所述第一室中的所述传片位置。步骤S13中通过所述第一驱动元件将所述支撑元件从位于所述基座顶面下方的一退避位置上升至所述传片位置，并从所述机械手接收该经所述真空处理环境处理的基片。步骤S14包括：通过所述第一驱动元件将所述支撑元件继续上升至高于所述传片位置；通过所述第二驱动元件将所述机械手退回所述第二室中；通过所述第一驱动元件将所述支撑元件下降至所述退避位置，以将该经所述真空处理环境处理的基片传递至所述基座由该基座支撑。步骤S31包括：通过所述第一驱动元件将所述支撑元件上升以使该支撑元件从所述基座上接收并支撑经所述第一室处理的所述基片；继续上升所述支撑元件至高于所述传片位置；通过所述第二驱动元件将所述机械手移动至所述传片位置；驱动所述支撑元件下降至所述传片位置；步骤S33中通过所述第二驱动元件使所述机械手从所述传片位置退回所述第二室中。

优选地，所述第一传片机构仅在垂直方向上传送基片，所述第二传片机构仅在水平方向上传送基片。

相较于现有技术中垂直堆叠的真空锁系统，本发明通过水平设置真空锁系统的等离子体处理腔室(第一室)和基片传送腔室(第二室)，并分别通过两个腔室内的第一和第二传片机构的相互配合动作，使得真空侧机械手无需上升至等离子体处理腔室拾取和传送基片，减小了机械手传送基片的负担，简化了机械手的操作复杂度，提高了真空锁系统的传片效率。

附图说明

图1a～图1f为本发明一实施例基片传送的传入阶段真空锁系统的结构示意图；

图2为本发明一实施例基片处理阶段真空锁系统的结构示意图；

图3a～3e为本发明一实施例基片传出阶段真空锁系统的结构示意图；

图4为本发明另一实施例的真空锁系统的结构示意图；

图5a为本发明一实施例双真空锁系统的结构示意图；

图5b为图5a所示的双真空锁系统的俯视图；

图6为本发明一实施例包含双真空锁系统的基片处理装置的俯视图；

图7为本发明一实施例基片传送方法的流程图；

图8为本发明一实施例基片传入阶段的流程图；

图9为本发明一实施例基片传出阶段的流程图。

具体实施方式

为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。

图1～图3显示了本发明一实施例的真空锁系统进行基片传输的过程示意图。首先，将以图1a为例对本发明的真空锁系统加以说明。如图1所示，真空锁系统具有腔室主体，腔室主体包括第一室1和第二室2，第一室1与第二室2水平设置在一起。其中，第一室1中设置有基座12，第一室1在本发明中用作等离子体处理腔室，用于对置于基座12上的基片进行等离子体处理，例如第一室1可以是从该基片表面移除光刻胶的祛光刻胶等离子体处理室。可以理解的是，第一室1也可以是诸如去除刻蚀残留物的其他等离子体处理室。第一室1可设置用于输入反应气体的供气装置(如气体喷淋头，未图示)及排气装置13。供气装置可与远程等离子体源连接以将其产生的反应气体的等离子体提供至第一室，或可与RF射频源连接而在第一室1内将反应气体电离为等离子体。第一室1的侧壁具有与第二室2连通的开口11。第二室2用于在相邻的环境之间进行基片交换，其侧壁上以可密封的方式形成三个开口，其中开口21适于与第一室1连通，另外两个开口(请参见图5b的标号23、24)则分别用于与大气气氛环境(如基片存储盒等工厂周遭环境)，和真空处理环境(如用于对基片进行各类真空处理的真空处理腔)连通，由此通过这三个开口第二室2可以与第一室1、大气气氛环境和真空处理环境进行基片传送。较佳地，第二室2具有门阀机构22，以开闭的方式分别对三个开口进行密封，由此可以根据需要选择性地切换第二室2与第一室1、大气气氛环境或真空处理环境连通。门阀机构例如包括密封块和驱动密封块运动以打开或封闭开口的驱动件。此外，第二室2还具有排气装置(图中未示)，用于根据第二室2与相邻环境的连通情况控制第二室2内的压力切换为大气环境压力或真空环境压力。由于第一室1和第二室2各自具有排气装置以独立控制其中的压力，可实现第一室1在真空环境下对基座12上的基片进行等离子体处理，第二室2在向大气气氛环境传送基片时切换为大气气压环境，在向真空处理环境传送基片时切换为真空环境。

真空锁系统还包括第一传片机构3和第二传片机构4。当在第一室1和第二室2之间进行基片传送时，第一传片机构3用于在基座12和第一室1内高于基座12顶面的一传送位置之间传送基片，第二传片机构4则用于通过开口21和11在第二室2与传送位置之间传送基片，第一传片机构3和第二传片机构4在传送位置处进行基片交接，由此通过两个传片机构的配合动作完成第一室1与第二室2之间的基片传送。由于真空锁系统的第一室和第二室是水平设置的，因此当真空处理环境对基片处理完毕后，可以直接将该基片传送至第二室内，再通过两个传片机构配合将该基片传送至相同高度的第一室中，这就不需要真空处理环境侧的机器人对基片进行上下搬送，提高了传片效率，减轻了机器人的操作负担。同样的，在第一室对基片处理完毕后，通过两个传片机构配合动作将基片从第一室传回第二室，也避免了此过程中机器人在真空锁系统不同高度的两个腔室间传片。

请继续参考图1a，较佳的，本实施例中第一传片机构3仅在垂直方向上传送基片，更佳的，第二传片机构4也仅在水平方向上传送基片，从而每个传片机构都只在一个方向上运动，大大减轻了传片机构的操作负担。具体而言，第一传片机构包括可移动地穿设于基座12中的支撑元件31和驱动该支撑元件31垂直移动的第一驱动元件32。当第一室1进行等离子体处理时，基片由基座12承载，此时第一驱动元件32使支撑元件31定位在位于基座12顶面下方的退避位置处，支撑元件不起到支撑基片的作用。当第一室1和第二室2之间进行基片传送时，第一驱动元件32则驱动支撑元件31相应垂直移动，此时支撑元件能够根据需要支撑基片。本实施例的支撑元件31包括支撑杆以及固定于支撑杆顶端的支撑部(如图中所示的环形板件)，支撑杆底端与第一驱动元件32连结，支撑部在基片传送时提供基片支承面。第一驱动元件32例如是气缸或电机等现有结构。

第二传片机构4包括位于第二室2内的机械手41，和驱动该机械手水平移动的第二驱动元件(图中未示)。其中，该机械手41与第一室中的传送位置处于相同高度，以在传送位置能够与支撑元件31进行基片交接。

接下来将结合图附图对本发明实施例的真空锁系统进行基片传送的过程加以详细说明，该过程中涉及W表示经真空处理环境处理的基片，W’表示经第一室处理的基片。

请参照图7，本发明的基片传送过程包括传入、处理和传出三个阶段，接下来将对这三个阶段分别加以详细描述。

图1a～图1f及图8所示为传入阶段真空锁系统的剖视图及传入阶段的流程图。传入包括以下步骤。

步骤S11，向第二室传入经真空处理环境处理的基片。

如前所述，真空锁系统的第二室2的三个侧壁分别连接大气气氛环境，真空处理环境和第一室。第二室2与真空处理环境和大气气氛环境的连通可参考图6所示，第二室2一侧通过开口24与真空环境的机械手工作腔50水平相连，另一侧通过开口23与大气气氛环境中的机械手工作腔60水平相连。真空环境的机械手工作腔50可与多个真空处理腔51连接，这些真空处理腔51用于对经机械手工作腔50传送的基片进行真空处理。大气气氛环境中的机械手工作腔60可与例如大气气氛的基片储存盒61连接。机械手工作腔50内包括用于在第二室2和真空处理环境(真空处理腔51)之间传输基片的真空侧机械手52，机械手工作腔60内包括用于在第二室2和大气气氛环境(基片储存盒61)之间传输基片的大气侧机械手62。因此，通过真空侧机械手52可将经真空处理环境处理的基片W传入第二室2中，如机械手41上，此步骤中通过门阀机构密封与第一室连通的开口21和与大气气氛环境连通的开口23，打开第二室侧壁上与真空处理环境连通的开口24，并且控制第二室2的排气装置以使第二室2内保持为真空环境。

步骤S12，通过第二传片机构将经真空处理环境处理的基片传送至第一室中的传片位置。

如图1b所示，该步骤中，通过门阀机构22打开与第一室连通的开口21，关闭第二室与真空处理环境连通的开口。通过控制第一和第二室的排气装置使两个腔室内保持为真空环境。第二驱动机构将机械手41及机械手上的基片W通过开口21移动至第一室内的传片位置。

步骤S13，通过第一传片机构在传片位置处从第二传片机构接收该经真空处理环境处理的基片。

如图1c所示，第一驱动元件32驱动支撑元件31从退避位置上升至传送位置，从机械手41接收了经真空处理环境处理的基片，并由支撑元件的支撑部承载该基片。

步骤S14，通过第一传片机构将该经真空处理环境处理的基片传送至基座。

首先如图1d所示，通过第一驱动元件32将支撑元件31继续上升至高于传片位置。然后，如图1e所示，通过第二驱动元件将机械手41退回到第二室2中。接下来，通过第一驱动元件32将支撑元件31下降至退避位置，由于退避位置要低于基座12的顶面，从而可将该经真空处理环境处理的基片从支撑元件传递至基座顶面由该基座12来支撑，如图1f所示。

传入阶段完成后，进行基片处理阶段。请参考图2，在本阶段中，通过门阀机构将开口21密封，基片被置于基座12上进行例如去光刻胶的等离子体处理P。第一室1的排气装置13将第一室1内的反应副产物排出并控制其内的真空度。

第一室1对基片处理完毕后，进入基片传出阶段。请结合参考图3a～3e及图9，传出阶段包括以下步骤。

步骤S31，通过第一传片机构从基座上接收经第一室处理的基片并将该基片传送至传片位置。

具体来说，门阀机构22将开口21打开，第一驱动元件32将支撑元件31从退避位置上升以使支撑元件31从基座12上接收并支撑经第一室处理的基片W’，并继续上升支撑元件31至高于传片位置，如图3a所示。之后，第二驱动元件将机械手41通过打开的开口21从第二室2移动至传片位置。此时，基片支撑元件31和基片W’位于机械手41上方，如图3b所示。

步骤S32，通过第一传片机构在传片位置处向第二传片机构传递该经第一室处理的基片。本步骤中，第一驱动元件32将支撑元件31下降至传片位置，从而将基片W’传递给机械手41，如图3c所示。

步骤S33，通过第二传片机构将该经第一室处理的基片传送至第二室内。本步骤中，第二驱动元件移动机械手41使其退回第二室内。

步骤S34，从第二室向大气气氛环境传出该经第一室处理的基片。本步骤中，通过门阀机构22密封与第一室连通的开口21和与真空处理环境连通的开口，打开第二室侧壁上与大气气氛环境连通的开口，并且可向第二室的排气装置通入大气以使第二室内保持为大气气压环境。通过大气侧机械手将经第一室处理的基片W’传出。

在图1a～图3e所示的实施例中，第二传片机构的机械手为单臂机械手，那么在进行基片传送时，必须要等经第一室处理完毕的基片W’传出第二室后，才能将经真空处理环境处理的另一基片W放置在机械手上，为提高传片效率，图4采用了具有双臂机械手41a和41b的第二传片机构。利用双臂机械手第二传片机构的基片传送方法与上述实施例基本相同，但由于多了一条机械臂，当其中一臂如41a和第一传片机构3配合动作进行基片传输时，另一臂41b可事先存放另一经真空处理环境处理的基片W2，一旦臂41a将经第一室处理的基片W1’传回第二室后，另一臂41b紧跟着将经真空处理环境处理的另一片基片W2传入第一室。

图5a和图5b显示为本发明另一实施例的双真空锁系统的剖视图及俯视图。在本实施例中，真空锁系统的数量为2个，这两个真空锁系统的第二室2相邻排列且相互连通。但需特别注意的是，这两个真空锁系统的第一室1共用排气装置13，可采用分离的反应气体分配组成、分离的RF射频源或其他工艺参数，从而两个第一室1相当于形成一个一体的等离子体处理腔。由于共用了一些设备和资源，如排气装置和反应气体等，双真空锁系统能够同时一次处理两片基片，能够有效改善低产能及高生产成本的缺陷。

图6所示为具有双真空锁系统的真空处理系统。真空处理腔51和两个真空锁系统1耦接至真空机械手工作腔50(或基片搬送室)。在本实施例中，真空机械手工作腔50具有4个侧边，其中一个水平侧边耦接2个真空锁系统的第二室2，剩下3个侧边每个连接一对真空处理腔51。两个真空锁系统的第二室的另一相对的水平侧边经大气环境机械手工作腔60连接至基片存储盒61，两个第二室的两个外侧边分别连接两个第一室。每一个真空锁系统的结构与图5相同，在此不另作赘述。

对于双真空锁系统，真空环境的机械手工作腔50的机械手52和大气气氛环境的机械手工作腔60的机械手62均可以是如图所示的双臂机械手，也可以是单臂机械手，机械手和机械臂的数量均可根据实际需求设定，本发明并不加以限制。

综上所述，本发明通过水平设置真空锁系统的等离子体处理腔室(第一室)和基片传送腔室(第二室)，并分别通过两个腔室内的第一传片机构和第二传片机构的配合动作，使得真空侧机械手无需上升至等离子体处理腔室拾取和传送基片，减小了机械手传送基片的负担，简化了机械手的操作复杂度，提高了真空锁系统的传片效率。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述诸多实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。

Claims (16)

1.一种传送基片的真空锁系统，其特征在于，包含：

腔室主体，其包括：

第一室，其中设有基座，所述第一室用于对置于该基座上的基片进行真空处理；

与所述第一室水平设置的第二室，具有以可密封的方式形成于其侧壁上的第一、第二和第三开口，所述第一、第二和第三开口分别用于与所述第一室、大气气氛环境和真空处理环境相连通以进行基片传送；

第一传片机构，用于当在所述第一室和第二室之间进行基片传送时，在所述基座和一传送位置之间传送基片，所述传送位置为位于所述第一室内且高于所述基座顶面的位置；以及

第二传片机构，用于当在所述第一室和第二室之间进行基片传送时，通过所述第一开口在所述第二室与所述传送位置之间传送基片；所述第一传片机构和第二传片机构在所述传送位置处进行基片交接。

2.根据权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，所述第一传片机构仅在垂直方向上传送基片。

3.根据权利要求2所述的真空锁系统，其特征在于，所述第一传片机构包括可移动地穿设于所述基座中的支撑元件，以及驱动该支撑元件垂直移动的第一驱动元件；当所述第一室进行真空处理时，所述第一驱动元件驱动所述支撑元件定位于所述基座顶面下方的一退避位置，以由所述基座支撑基片。

4.根据权利要求3所述的真空锁系统，其特征在于，所述支撑元件包括在底端与所述第一驱动元件连结的支撑杆以及固定于所述支撑杆顶端的支撑部。

5.根据权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，所述第二传片机构仅在水平方向上传送基片。

6.根据权利要求1或5所述的真空锁系统，其特征在于，所述第二传片机构包括位于所述第二室内的机械手及驱动该机械手在所述第二室与所述传送位置之间移动的第二驱动元件。

7.根据权利要求6所述的真空锁系统，其特征在于，所述机械手为单臂机械手或双臂机械手。

8.根据权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，所述第一室和第二室各自具有排气装置以独立控制其中的压力，使得所述第一室在真空环境下对其中的基片进行真空处理，所述第二室在与所述大气气氛环境连通时切换为大气气压环境、在与所述真空处理环境连通时切换为真空环境。

9.根据权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，所述第二室具有以开闭的方式对所述第一、第二和第三开口进行密封的门阀机构。

10.根据权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，所述第一室为祛光刻胶等离子体处理室。

11.根据权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，所述第二室一侧通过所述第二开口与大气气氛环境中的机械手工作腔水平相连，另一侧通过所述第三开口与真空环境的机械手工作腔水平相连；所述真空环境的机械手工作腔内包括用于在所述第二室和所述真空处理环境之间传输基片的真空侧机械手；所述大气气氛环境中的机械手工作腔包括用于在所述第二室和所述大气气氛环境之间传送基片的大气侧机械手。

12.根据权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，所述真空锁系统为两个，所述两个真空锁系统的第二室相邻排列且相互连通，所述两个真空锁系统的第一室共用排气装置。

13.一种基片传送方法，为利用如权利要求1所述的真空锁系统所进行的基片传送方法，其包括传入阶段、处理阶段和传出阶段，其中，

所述传入阶段包括：

步骤S11：向所述第二室传入经所述真空处理环境处理的基片；

步骤S12：通过所述第二传片机构将该经所述真空处理环境处理的基片传送至所述第一室中的所述传片位置；

步骤S13：通过所述第一传片机构在所述传片位置处从所述第二传片机构接收该经所述真空处理环境处理的基片；

步骤S14：通过所述第一传片机构将该经所述真空处理环境处理的基片传送至所述基座；

所述处理阶段包括：通过所述第一室对该经真空处理环境处理的基片进行真空处理；

所述传出阶段包括：

步骤S31：通过所述第一传片机构从所述基座上接收经所述第一室处理的基片并将该基片传送至所述传片位置；

步骤S32：通过所述第一传片机构在所述传片位置处向所述第二传片机构传递该经所述第一室处理的基片；

步骤S33：通过所述第二传片机构将该经所述第一室处理的基片传送至所述第二室内；

步骤S34：从所述第二室向所述大气气氛环境传出该经所述第一室处理的基片。

14.根据权利要求13所述的基片处理方法，其特征在于，

步骤S12～S14和步骤31～33中所述第二室内为真空环境；步骤S11和步骤S33中所述第二室为大气气压环境。

15.根据权利要求13所述的基片处理方法，其特征在于，所述第一传片机构包括可移动地穿设于所述基座中的支撑元件，以及驱动该支撑元件垂直移动的第一驱动元件；所述第二传片机构包括机械手及驱动该机械手在所述第二室与所述传送位置之间移动的第二驱动元件；

步骤S12中通过所述第二驱动元件将所述机械手移动至所述第一室中的所述传片位置；

步骤S13中通过所述第一驱动元件将所述支撑元件从位于所述基座顶面下方的一退避位置上升至所述传片位置，并从所述机械手接收该经所述真空处理环境处理的基片；

步骤S14包括：

通过所述第一驱动元件将所述支撑元件继续上升至高于所述传片位置；

通过所述第二驱动元件将所述机械手退回所述第二室中；

通过所述第一驱动元件将所述支撑元件下降至所述退避位置，以将该经所述真空处理环境处理的基片传递至所述基座由该基座支撑；

步骤S31包括：

通过所述第一驱动元件将所述支撑元件上升以使该支撑元件从所述基座上接收并支撑经所述第一室处理的所述基片；

继续上升所述支撑元件至高于所述传片位置；

通过所述第二驱动元件将所述机械手移动至所述传片位置；

驱动所述支撑元件下降至所述传片位置；

步骤S33中通过所述第二驱动元件使所述机械手从所述传片位置退回所述第二室中。

16.根据权利要求13～15任一项所述的基片处理方法，其特征在于，所述第一传片机构仅在垂直方向上传送基片，所述第二传片机构仅在水平方向上传送基片。