CN110606807B - 一种利用乙醇调控二维钙钛矿结晶过程的后处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种利用乙醇调控二维钙钛矿结晶过程的后处理方法,其包括如下步骤:(1)将已形成的二维钙钛矿晶体薄膜置于样品仓中;(2)将惰性气体通入样品仓中;(3)将惰性气体和乙醇蒸汽鼓吹到样品仓中;(4)停止鼓吹乙醇蒸汽,继续将惰性气体通入样品仓中;(5)重复步骤(3)~(4),循环2~5次。本发明具有条件温和,室温下可执行,且方法过程简单、易操作,无需进一步高温退火;在此条件下实现二维钙钛矿(OA)2(MA)Pb2I7的相转变,其荧光强度和荧光寿命均提高2倍。
Description
技术领域
本发明属于材料领域,涉及一种利用乙醇调控二维钙钛矿结晶过程的后处理方法。
背景技术
近年来,有机金属卤化物钙钛矿因其吸光系数高、电荷载流子扩散长度长、溶液法制备简单等优点,成为了光伏材料领域的研究热点之一。目前,有机金属卤化物钙钛矿广泛应用于太阳能电池、光电二极管、光电探测器等方面。然而,对湿度和光照的不稳定性阻碍了其进一步发展(S.H.Im,J.H.Heo,J.H.Noh,S.Il Seok,T.N.Mandal,ChemicalManagement for Colorful,Efficient,and Stable Inorganic–Organic HybridNanostructured Solar Cells,Nano Lett.13(2013)1764–1769.)。具有发射波长可调性质的混合卤素钙钛矿,作为光电二极管的热门材料之一,也因为易发生相分离而发展受限(S.D.Stranks,H.J. Snaith,Metal-halide perovskites for photovoltaic and light-emitting devices,Nat. Nanotechnol.10(2015)391–402.)。
二维钙钛矿凭借其稳定性好、发射波长可调节范围宽等突出优势,越来越得到关注,尤其是在光电二极管领域。铅基二维钙钛矿的组成通式为A2Bn-1PbnX3n+1,其中A代表长链烷基胺,如辛胺OA、丁胺BA等,B代表短链烷基胺,如甲胺MA等,Pb代表铅, X代表卤素,如氯Cl、溴Br、碘I。二维钙钛矿最大的结构特点在于长有机链插入在相邻的[PbI6]4-铅碘八面体层之间。而长有机链具有疏水性和非极性,这势必给二维钙钛矿带来不同于三维钙钛矿的独特性质。
然而,目前二维钙钛矿存在的主要问题之一在于它的制备。由于结晶的随机性,得到二维钙钛矿纯相极其困难(J.Yan,W.Qiu,G.Wu,P.Heremans,H.Chen,Recent progressin 2D/quasi-2D layered metal halide perovskites for solar cells,J.Mater.Chem.A.6 (2018)11063–11077.)。因此,寻找能有效控制或调节二维钙钛矿结晶过程的方法显得尤为必要。
发明内容
发明目的:本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足,即二维钙钛矿晶体生长随机的问题,提供一种利用乙醇调控2D钙钛矿结晶过程的后处理方法,用于控制或调节二维钙钛矿的结晶过程。
为了解决上述技术问题,本发明公开了一种利用乙醇调控2D钙钛矿结晶过程的后处理方法,其包括如下步骤:
(1)室温下,将已形成的二维钙钛矿(OA)2(MA)Pb2I7晶体薄膜置于样品仓中;
(2)将惰性气体通入样品仓中,以排除装置中的空气;
(3)将惰性气体和乙醇蒸汽鼓吹到样品仓中;
(4)停止鼓吹乙醇蒸汽,继续将惰性气体通入样品仓中;
(5)重复步骤(3)~(4),循环2~5次。
其中,整个过程为常压条件下。
步骤(1)中,所述二维钙钛矿(OA)2(MA)Pb2I7是通过旋涂法制备得到,其长链有机胺为辛胺OA,短链烷基胺为甲胺MA,卤素为I。
步骤(1)中,所述二维钙钛矿(OA)2(MA)Pb2I7按如下方法制备得到:取一定量(OA)2(MA)Pb2I7/DMF溶液,体积30~50μL,优选40μL,浓度0.4~0.5M,优选0.5M,滴于22mm×22mm的盖玻片上;一步旋涂法,转速为1800~2500rpm,优选2000rpm,旋涂时间为30~60s,优选60s;置于加热板上退火,退火温度80~100℃,优选100℃,退火时间8~12min,优选10min。
步骤(2)~步骤(5)中所述的惰性气体为氮气;其中,所述氮气的含水率小于20%。
步骤(2)中,所述惰性气体的通入流量为2~5L/min,优选3L/min,持续时间为 3~10min,优选3min。
步骤(3)中,所述乙醇蒸汽是通过惰性气体将乙醇液体转化为蒸汽。(装置示意图见图1);
其中,所述惰性气体的通入流量为2~5L/min,优选3L/min,通入的乙醇液体的体积为40~60mL,持续时间为3~10min,优选乙醇液体的通入量为50mL,持续时间为3 min。
步骤(4)中,对惰性气体的通入量和时间没有具体的要求,仅需将乙醇挥发即可;此过程是为了将乙醇挥发,经历溶解-重结晶的过程,实现晶体结构的调节和优化。
其中,优选经惰性气体通入样品仓中。
步骤(5)中,所述重复次数优选3次。
通过上述后处理,二维钙钛矿实现了由(OA)2(MA)Pb2I7向(OA)2PbI4的相转变,其荧光强度和荧光寿命均约提高2倍。
上述相转变过程涉及溶解-重结晶机理,具体为:当向(OA)2(MA)Pb2I7晶体薄膜引入乙醇后,乙醇分子插入晶体结构,由于辛胺OA的有机长链具有疏水性和非极性,乙醇对OA的溶解度较低,因此,乙醇以攻击甲胺离子MA为主,优先溶解MA。当积累了足够多的乙醇分子,由于乙醇分子与MA离子之间的氢键作用,MA离子可能被乙醇分子迁移脱离原来的晶格位置,从而使(OA)2(MA)Pb2I7晶体的双层结构遭到破坏。当通入 N2,乙醇挥发,重结晶发生。在MA离子减少的位置,重结晶形成单层结构的(OA)2PbI4晶体。在MA离子聚集的位置,继续重结晶形成双层结构的(OA)2(MA)Pb2I7晶体,具体相转变的机理图见图2。
上述荧光增强过程涉及表面缺陷钝化机理(图3),具体为:钙钛矿表面Pb原子周围常见的缺电子缺陷包括I空位和Pb间隙缺陷,当乙醇被引入后,乙醇分子作为Lewis 碱,其结构中的富电子基团羟基-OH为缺陷提供电子,起到钝化表面缺陷的作用,从而改善晶体质量,荧光强度和荧光寿命均增加。
上述方法处理得到的2D钙钛矿也在本发明的保护范围之内。
有益效果:与现有技术相比,本发明具有如下的优势:
(1)相比现有技术中用极性溶剂在退火过程中后处理的方法,本发明的优势在于条件温和,室温下可执行,无需进一步高温退火;
(2)本发明中的方法过程简单、易操作,只需在室温下向材料通入3~5分钟乙醇蒸汽,再以干燥N2鼓吹,使乙醇挥发即可,无需通过高温使极性溶剂挥发,节能、安全;
(3)相比于现有技术中常用的有机极性溶剂,本发明以乙醇为处理剂,绿色,经济,无毒,安全性高;
(4)本发明的方法能实现二维钙钛矿(OA)2(MA)Pb2I7向(OA)2PbI4的相转变;
(5)本发明的方法能将二维钙钛矿(OA)2(MA)Pb2I7的荧光强度和荧光寿命均提高2倍。
附图说明
图1为装置示意图。
图2为溶解-重结晶过程并实现相转变的机理图。
图3为表面缺陷钝化的机理图。
图4为实施例1中(OA)2(MA)Pb2I7晶体薄膜的荧光强度(a)及荧光光谱(b)变化情况。
图5为实施例1中(OA)2(MA)Pb2I7晶体薄膜的荧光寿命表征。
图6为实施例1中(OA)2(MA)Pb2I7晶体薄膜的X射线衍射谱表征(a)及各晶体相的XRD峰强度所占比例的统计结果(b)。
具体实施方式
根据下述实施例,可以更好地理解本发明。然而,本领域的技术人员容易理解,实施例所描述的内容仅用于说明本发明,而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本发明。
实施例1
一种本发明所述的乙醇后处理调节二维钙钛矿(OA)2(MA)Pb2I7结晶过程的方法,包括如下步骤:
步骤1、将利用旋涂法制备出的(OA)2(MA)Pb2I7晶体薄膜置于样品室中;
步骤2、以3L/min的流速将干燥N2(含水率小于20%)通入到样品室中,持续时间3min;
步骤3、以3L/min的流速将干燥N2(含水率小于20%)通入50mL乙醇液体的方法将乙醇蒸汽鼓吹到样品室中,持续时间3min;
步骤4、切断乙醇供应,以3L/min的流速将干燥N2(含水率小于20%)通入到样品室中,持续时间3min;
步骤5、重复步骤(3)~(4),交替通入3min干燥N2和乙醇蒸汽,共3次。
实施例2
对实施例1的(OA)2(MA)Pb2I7晶体薄膜进行表征分析,具体步骤包括:
(1)荧光强度变化
(OA)2(MA)Pb2I7晶体薄膜的荧光强度由自建宽场荧光显微镜实时记录。以450nm半导体激光器为激发源,以40倍物镜(Olympus LUCPlanFI,NA=0.6),以电子倍增电荷耦合器(Andor,iXon Ultra 888)为检测器。曝光时间为100ms,实时采集荧光强度变化的视频,结果如图4中的 a所示。从图4中的 a中可以看出,在3min时刻引入乙醇后,(OA)2PbI4 (n=1)晶体出现;且只有在乙醇蒸汽通入的情况下,(OA)2PbI4晶体的荧光强度才会增加。值得说明的是,在由乙醇/N2氛围切换至N2氛围(即切断乙醇供应)的前一小段时间内,如图4中的 a中的6-7min,(OA)2PbI4(n=1)的强度仍在增加,这是因为在切换时,管道和样品仓中仍残留一定量的乙醇,相转变过程仍在进行。在图4中的 a中的15-18min,虽然是通入了乙醇,但由于作为(OA)2PbI4(n=1)转换源的(OA)2(MA)Pb2I7(n=2)几乎转换和光降解完了,故(OA)2PbI4(n=1)的强度也不再增加。因此,乙醇是发生从 (OA)2(MA)Pb2I7(n=2)晶体向(OA)2PbI4(n=1)晶体相转变的必要条件。
(2)荧光光谱变化
(OA)2(MA)Pb2I7晶体薄膜的荧光光谱由自建宽场荧光显微镜实时记录。以450nm半导体激光器为激发源,以40倍物镜(Olympus LUCPlanFI,NA=0.6),以电子倍增电荷耦合器(Andor,iXon Ultra 888)为检测器,透射光栅(Newport,150lines/mm)置于检测器前以呈现光谱,曝光时间为100ms,结果如图4中的 b-d所示。从图4中的 b和图 4中的 d中可以看出,在干燥N2中,(OA)2(MA)Pb2I7晶体和(OA)2PbI4晶体均只发生光降解。从图4中的 c 中可以看出,通入乙醇后,(OA)2PbI4晶体出现且发生从(OA)2(MA)Pb2I7(n=2)晶体向 (OA)2PbI4(n=1)晶体的相转变。
(3)荧光寿命变化
(OA)2(MA)Pb2I7晶体薄膜的荧光寿命由自建宽场荧光显微镜记录。以450nm半导体激光器为激发源,以40倍物镜(Olympus LUCPlanFI,NA=0.6),以电子倍增电荷耦合器(Andor,iXon Ultra 888)为检测器,利用单光子技术器(TCSPC,picoharp 300) 测试荧光寿命,采集时间20s,采集周期3min。结果如图5所示。从图5中可以看出,引入乙醇使得(OA)2(MA)Pb2I7晶体的荧光强度和荧光寿命提高,均约2倍。
(4)X射线衍射谱变化
(OA)2(MA)Pb2I7晶体薄膜的晶体结构通过X射线衍射谱(XRD,Shimadzu XRD-6000)进行表征,检测电压为40kV,电流为40mA,检测角度范围为3°-15°,步长0.02°,扫描速率为0.1秒/步。对(OA)2(MA)Pb2I7晶体薄膜在乙醇处理前、乙醇处理后、乙醇挥发后均进行XRD表征,结果如图6所示。由图可知,通入乙醇后(图6中的 a中的实线),一方面,XRD峰位置向小角度方向偏移;另一方面,XRD峰强度降低,该现象证实了溶解-重结晶过程。当乙醇挥发后(图6中的 a中的点线),(OA)2PbI4晶体与(OA)2(MA)Pb2I7晶体的XRD峰的强度比由最初的~0.38极大提高到~1.12,证实了(OA)2(MA)Pb2I7晶体向(OA)2PbI4晶体的相转变。此外,重结晶后,XRD峰宽减小,说明晶体结晶度提高,晶体质量得到改善。
本发明提供了一种利用乙醇调控2D钙钛矿结晶过程的后处理方法的思路及方法,具体实现该技术方案的方法和途径很多,以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。
Claims (6)
1.一种利用乙醇调控二维钙钛矿结晶过程的后处理方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将已形成的二维钙钛矿(OA)2(MA)Pb2I7晶体薄膜置于样品仓中;
(2)将惰性气体通入样品仓中;
(3)将惰性气体和乙醇蒸汽鼓吹到样品仓中;
(4)停止鼓吹乙醇蒸汽,继续将惰性气体通入样品仓中;
(5)重复步骤(3)~(4),循环2~5次。
2.根据权利要求1所述的利用乙醇调控二维钙钛矿结晶过程的后处理方法,其特征在于,步骤(2)~步骤(5)中所述的惰性气体为氮气。
3.根据权利要求2所述的利用乙醇调控二维钙钛矿结晶过程的后处理方法,其特征在于,所述氮气的含水率小于20%。
4.根据权利要求1所述的利用乙醇调控二维钙钛矿结晶过程的后处理方法,其特征在于,步骤(2)中,所述惰性气体的通入流量为2~5 L/min,持续时间为3~10 min。
5.根据权利要求1所述的利用乙醇调控二维钙钛矿结晶过程的后处理方法,其特征在于,步骤(3)中,所述乙醇蒸汽是通过惰性气体将乙醇液体转化为蒸汽。
6.根据权利要求5所述的利用乙醇调控二维钙钛矿结晶过程的后处理方法,其特征在于,所述惰性气体的通入流量为2~5 L/min,通入的乙醇液体的体积为40~60 mL,持续时间为3~10 min。
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Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 210008 No. 22, Hankou Road, Gulou District, Jiangsu, Nanjing Applicant after: NANJING University Address before: 210046 Xianlin Avenue 163, Qixia District, Nanjing City, Jiangsu Province Applicant before: NANJING University |
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CB02 | Change of applicant information | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |