CN110581089B - 用于处理基板的装置和方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 200
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 113
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 57
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 56
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 40
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 210000001124 body fluid Anatomy 0.000 description 1
- 239000010839 body fluid Substances 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
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- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
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Abstract
一种使用基板处理装置处理基板的方法,所述基板处理装置包括处理模块和索引模块,所述索引模块在容器和所述处理模块之间传送基板,其中所述处理模块中设置有多个处理腔室和主传送机械手,所述索引模块中设置有容器安装台和在所述容器和所处理模块之间传送基板的索引机械手,所述方法包括在所述基板处理装置中发生电源故障时执行电源故障后处理操作,以及其后停止所述基板处理装置的操作。当所述主传送机械手或所述索引机械手在电源故障的情况下传送所述基板时,所述电源故障后处理操作包括继续维持所述主传送机械手或所述索引机械手的传送直到完成所述传送的操作。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年6月7日提交韩国工业产权局、申请号为10-2018-0065590的韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文中描述的本发明构思的实施方式涉及一种用于处理基板的装置和方法。
背景技术
为了制造半导体设备,执行例如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积、清洁等不同工艺以在基板上形成所需的图案。然而,在处理期间由于意想不到的原因发生电源故障或火灾的情况下,制造设备(fabrication facility,FAB)中的所有装置停止操作,使得室温下的空间中的基板被损坏。此外,工艺进程中的机械手也停止操作,并因此在随后电源故障解除时难以执行后处理。
发明内容
本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置以及当发生紧急情况时通过执行后处理来保护基板和设备的方法。
本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置以及当发生紧急情况时通过执行后处理,以在恢复紧急情况时,容易地执行后处理的方法。
根据一示例性的实施方式,一种使用基板处理装置处理基板的方法,所述基板处理装置包括处理基板的处理模块,以及索引模块,其设置在所述处理模块附近并在其中容纳所述基板的容器和所述处理模块之间传送所述基板,所述方法包括在所述基板处理装置中发生电源故障时,执行电源故障后处理操作,以及其后停止所述基板处理装置的操作。
所述处理模块中设置有处理所述基板的多个处理腔室,以及在所述多个处理腔室之间传送所述基板的主传送机械手;所述索引模块中设置有所述容器放置在其上的容器安装台,以及在所述容器和处理模块之间传送所述基板的索引机械手。
当所述主传送机械手或所述索引机械手在所述电源故障的情况下传送所述基板时,所述电源故障后处理操作可包括继续维持所述主传送机械手或所述索引机械手的传送直到完成所述传送的操作。
可允许所述主传送机械手或所述索引机械手的传送以完成预定的传送循环。
完成所述传送之后,可将所述主传送机械手或所述索引机械手移动至安全位置。
在本发明构思中,所述电源故障后处理操作可包括在所述电源故障的情况下门打开时,关闭放置在所述容器安装台上的所述容器的门的操作。
所述电源故障后处理操作可包括在电源故障的情况下在待机时间维持控制器的电力,以及在维持电源故障直到待机时间过去时中断所述控制器的电力的操作。
在所述基板处理方法中,通过使用电源故障检测传感器来确定电源故障是否发生。
根据示例性实施方式,用于处理基板的装置包括处理模块,其具有多个处理腔室;盒式容器,待经受处理的所述基板存储在盒式容器中;索引模块,其在所述盒式容器和所述处理模块之间传送所述基板;主控制器,其执行所述处理的总控制;机械手控制器,其控制在所述盒式容器和所述处理模块之间传送所述基板的索引机械手,以及在所述处理模块的所述多个处理腔室之间传送所述基板的主传送机械手;腔室控制器,其控制所述处理模块中的所述处理腔室;以及应急单元,当发生紧急情况时,其控制待执行的后处理操作。
所述应急单元可包括电源故障检测传感器。
当所述电源故障检测传感器感应到电源故障时,所述应急单元控制所述机械手控制器在完成所述索引机械手或所述主传送机械手的传送循环之后,停止所述索引机械手或所述主传送机械手。
在通过所述电源故障检测传感器感应到电源故障的时候,在所述盒式容器的门打开时,所述应急单元可执行控制以关闭所述盒式容器的门。
当所述电源故障检测传感器检测到电源故障时,所述应急单元可控制所述腔室控制器以关闭所述处理模块的液体处理腔室中的阀门。
当所述电源故障检测传感器检测到电源故障时,所述应急单元可控制所述腔室控制器以将所述处理模块的热处理腔室中的加热单元上的所述基板移动至冷却单元。
所述应急单元可执行控制以在电源故障的情况下在待机时间维持所述主控制器的电力,以及在维持电源故障直到待机时间过去时中断所述主控制器的电力的操作。
附图说明
参照以下附图,从以下描述中,上述和其他目的及特征将变得显而易见,除非另有说明,否则相同的附图标记在各个附图中表示相同部件,并且其中:
图1为示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示意性立体图;
图2为示出了图1的涂覆块或显影块的基板处理装置的剖视图;
图3为示出了图1的基板处理装置的平面图;
图4为示出了图3的热处理腔室的实施例的示意性平面图;
图5为示出了图4的热处理腔室的前视图;
图6为示出了图3的液体处理腔室的实施例的示意图;
图7为示出了本发明构思的基板处理装置的配置的示意图;
图8至图12为顺序地示出了根据本发明构思的在电源故障的情况下的机械手控制方法的视图;和
图13和图14为示出了根据本发明构思的在电源故障的情况下的基板处理方法的流程图。
具体实施方式
下文中,将参考附图详细描述本发明构思的实施方式,使得本发明构思所属领域的技术人员可以容易地实现本发明构思。然而,本发明构思可以以各种不同的形式执行,并不限于本文中描述的实施方式。此外,在描述本发明构思的实施方式时,当与已知的功能和配置可能使本发明构思的主体难以理解时,与他们相关的详细描述将被省略。另外,在整个附图中,执行相似的功能和操作的部件具有相同的附图标记。
说明书中的术语“包括(include)”和“包含(comprise)”为“开放式”表述,仅为了说明存在相应的组件,并且除非另有特别的说明,否则不排除但可能包括额外的组件。特别地,应当理解的是,术语“包括”、“包含”和“具有”,在本文中使用时,特指存在所述特征、整数、步骤、操作、组件和/或部件,但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、部件和/或其组。
诸如第一、第二等的术语可以用于描述不同的组件,但该组件不应受术语的限制。术语可以仅用于区别一个组件与其他组件。例如,在不脱离本发明构思的范围的情况下,第一组件可以被称为第二组件,相类似地,第二组件也可以被称为第一组件。
除非另有说明,否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外,在附图中,组件的形状和尺寸可被夸大以为了清楚的说明。
在整个说明书中,术语,组件“~单元”指的是软件组件或硬件部件,例如FPGA或ASIC,并执行至少一种功能和操作。然而,应当理解的是,组件“~单元”不限于软件组件或硬件组件。组件“~单元”可以在能够通过地址指定的存储介质中执行。组件“~单元”还可以配置为再生一个或多个处理器。
例如,组件“~单元”可以包括各种类型的组件(例如,软件组件、面向对象的软件组件、类组件和任务组件)、工艺、功能、属性、程序、子程序、程序代码的片段、驱动器、固件、微代码、电路、数据、数据库、数据结构、表、阵列和变量。由组件和组件“~单元”提供的功能可以通过多个组件和组件“~单元”来分别执行,并且还可以与其他额外的组件集成。
图1为示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示意性立体图。图2为示出了图1的涂覆块或显影块的基板处理装置的剖视图。图3为示出了图1的基板处理装置的平面图。
参照图1至3,基板处理装置1包括索引模块20、处理模块30和接口模块40。根据一实施方式,索引模块20、处理模块30和接口模块40顺序地排列成一排。在下文中,排列有索引模块20、处理模块30和接口模块40的方向被称为第一方向12,当从上方观察时垂直于第一方向12的方向称为第二方向14,以及与第一方向12和第二方向14都垂直的方向称为第三方向16。
索引模块20将容纳在容器10中的基板W传送至处理模块30并将处理过的基板W放置在容器10中。索引模块20的长边朝向第二方向14。索引模块20具有装载端口22和索引框架24。装载端口22相对于索引框架24位于处理模块30的相对侧。在其中容纳有基板W的容器10放置在装载端口22上。多个装载端口22可沿第二方向14排列。
例如前开式晶圆盒(front opening unified pod,FOUP)的气密容器10可以用作为容器10。容器10可以通过传送设备(未示出)、例如高架传送器、高架输送机或自动引导车、或通过工人放置在装载端口22上。
索引框架24内部具有索引机械手2200。索引框架24中设置有导轨2300,导轨2300的长边朝向第二方向14。索引机械手2200在导轨2300上为可移动的。索引机械手2200包括手(hand)2220,基板W放置在手2220上,并且手2220为向前和向后可移动的、围绕朝向第三方向16的轴线可旋转的以及沿第三方向16可移动的。
处理模块30在基板W上执行涂覆工艺和显影工艺。处理模块30具有涂覆块30a和显影块30b。每个涂覆块30a在基板W上执行涂覆工艺,且每个显影块30b在基板上执行显影工艺。多个涂覆块30a彼此堆叠。多个显影块30b彼此堆叠。根据图1的实施方式,设置有两个涂覆块30a和两个显影块30b。涂覆块30a可设置在显影块30b的下方。根据一实施方式,两个涂覆块30a可执行相同的工艺,且可具有相同的结构。此外,两个显影块30b可执行相同的工艺,且可具有相同的结构。
参照图2和3,每个涂覆块30a具有热处理腔室3200、传送腔室3400、液体处理腔室3600和缓冲腔室3800。热处理腔室3200在基板W上执行热处理工艺。热处理工艺可包括冷却工艺和加热工艺。液体处理腔室3600通过将液体分配到基板W上在基板W上形成液态膜。液态膜可以是光刻胶膜或增透膜(anti-reflecting film)。传送腔室3400在涂覆块30a中的热处理腔室3200和液体处理腔室3600之间传送基板W。
传送腔室3400的长边平行于第一方向12。传送腔室3400内部具有主传送机械手3422。主传送机械手3422在热处理腔室3200、液体处理腔室3600和缓冲腔室3800之间传送基板W。根据一实施方式,主传送机械手3422具有手3420,基板W放置在手3420上,并且手3420为向前和向后可移动的、围绕朝向第三方向16的轴线可旋转的以及沿第三方向16可移动的。传送腔室3400中设置有导轨3300,导轨3300的长度方向平行于第一方向12,主传送机械手3422为在导轨3300上可移动的。
多个热处理腔室3200沿第一方向12排列。热处理腔室3200可位于传送腔室3400的一侧。
图4为示出了图3的热处理腔室的实施例的示意性平面图,图5为图4的热处理腔室的前视图。热处理腔室3200具有壳体3210、冷却单元3220、加热单元3230和传送板3240。
壳体3210具有大致的矩形平行六面体的形状。壳体3210具有在其侧壁上形成的入口(未示出),通过该入口,基板W装载到壳体3210中或从壳体3210中卸载。入口可保持打开。可选地,可设置用于打开或关闭该入口的门(未示出)。冷却单元3220、加热单元3230和传送单元3240设置在壳体3210中。冷却单元3220和加热单元3230沿第二方向14并排设置。根据一实施方式,冷却单元3220可位于比加热单元3230更靠近传送腔室3400的位置。
冷却单元3220具有冷却板3222。当从上方观察时,冷却板3222可具有大致圆形形状。冷却板3222在其中具有冷却构件3224。根据一实施方式,冷却构件3224可形成在冷却板3222中,并可以用作冷却流体流通的通道。
加热单元3230被提供为装置1000,该装置1000将基板W加热至高于室温的温度。加热单元3230在大气气氛中或在低于大气压的减压气氛中,在基板W上执行热处理。
设置有多个液体处理腔室3600。一些液体处理腔室3600可以彼此堆叠。液体处理腔室3600位于传送腔室3400的一侧。液体处理腔室3600沿第一方向12并排排列。一些液体处理腔室3600位于邻近索引模块20的位置。下文中,这些液体处理腔室被称为前部液处理腔室3602。其他液体处理腔室3600位于邻近接口模块40的位置。下文中,这些液体处理腔室被称为后部液处理腔室3604。
前部液处理腔室3602将第一液体施加到基板W,后部液处理腔室3604将第二液体施加到基板W。第一液体和第二体液可以为不同类型的液体。根据一实施方式,第一液体为增透膜,第二液体为光刻胶。光刻胶可施加到涂覆有增透膜的基板W上。可选地,第一液体可以为光刻胶,第二液体可以为增透膜。在这种情况下,增透膜可施加到涂覆有光刻胶的基板W上。在另一种情况下,第一液体和第二液体可以为相同类型。第一液体和第二体液都可以为光刻胶。
图6为示出了图3的液体处理腔室的实施例的示意图。参照图6,液体处理腔室3602和3604具有壳体3610、杯3620、支承单元3640和液体分配单元3660。壳体3610具有大致的矩形平行六面体的形状。壳体3610具有在其侧壁形成的入口,通过该入口,基板W放置在壳体3610中或从壳体3210中取出。可以通过门(未示出)打开或关闭入口。杯3620、支承单元3640和液体分配单元3660设置在壳体3610中。用于在壳体3610中形成向下流动的气体的风机过滤单元3670可设置在壳体3610的上壁中。杯3620具有在顶部开口的处理空间。支承单元3640设置在处理空间中并支承基板W。支承单元3640设置成使得基板W在液体处理期间为可旋转的。液体分配单元3660将液体分配至支承在基板支承单元3640上的基板W。
参照图2,设置有多个缓冲腔室3800。一些缓冲腔室3800设置在索引模块20和传送腔室3400之间。下文中,这些缓冲腔室被称为前部缓冲区3802。多个前部缓冲区3802沿垂直方向彼此相互堆叠。其他缓冲腔室3800设置在传送腔室3400和接口模块40之间。下文中,这些缓冲腔室被称为后部缓冲区3804。多个后部缓冲区3804沿垂直方向彼此相互堆叠。前部缓冲区3802和后部缓冲区3804中的每个都临时储存多个基板W。储存在前部缓冲区3802中的基板W由索引机械手2200和主传送机械手3422放置或取出。储存在后部缓冲区3804中的基板W通过传送机械手3422和第一机械手4602放置或取出。
每个显影块30b具有热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600。显影块30b的热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600以与涂覆块30a的热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600的结构和布置类似的结构和布置来设置。以便它们彼此对应。然而,显影块30b中的液体处理腔室3600设置为显影腔室3600,所有显影腔室3600均匀地分配显影溶液以显影基板。
接口模块40将处理模块30连接至外部光刻机50。接口模块40具有接口框架4100、附加的处理腔室4200、接口缓冲区4400和传送构件4600。
接口框架4100在其顶部具有风机过滤单元,风机过滤单元在接口框架4100中形成向下流动的气体。附加处理腔室4200、接口缓冲区4400和传送构件4600设置在接口框架4100中。在基板W被传送至光刻机50之前,附加处理腔室4200可在涂覆块30a中处理过的基板W上执行预定的附加工艺。可选地,在基板W被传送至显影块30b之前,附加处理腔室4200可在光刻机50中处理过的基板W上执行预定的附加工艺。根据一实施方式,附加工艺可以为将基板W的边缘区域暴露至光中的边缘曝光工艺、清洁基板W的顶侧的顶侧清洁工艺、或清洁基板W的后侧的后侧清洁工艺。多个附加处理腔室4200可以彼此堆叠。附加处理腔室4200可以全部执行相同的工艺。可选地,一些附加处理腔室4200可以执行不同的工艺。
接口缓冲区4400提供空间,在该空间中在涂覆块30a、附加处理腔室4200、光刻机50和显影块30b之间传送的基板W临时停留。多个接口缓冲区4400可以彼此相互堆叠。
根据一实施方式,附加处理腔室4200可以设置在朝向传送腔室3400的长度方向的延长线的一侧,并且接口缓冲区4400可设置在延长线的另一侧。
传送构件4600在涂覆块30a、附加处理腔室4200、光刻机50和显影块30b之间传送基板W。传送腔室4600可以用一个或多个机械手而实施。根据一实施方式,传送构件4600具有第一机械手4602和第二机械手4606。第一机械手4602可以在涂覆块30a、附加处理腔室4200和接口缓冲区4400之间传送基板W。第二机械手4606可以在接口缓冲区4400和光刻机50之间传送基板W。第二机械手4606可以在接口缓冲区4400和显影块30b之间传送基板W。
根据一实施方式,索引机械手2200可直接与设置在涂覆块30a中的前部热处理腔室3200的加热单元3230交换基板W。
此外,设置在涂覆块30a和显影块30b中的主传送机械手3422可直接与位于热处理腔室3200中的传送板3240交换基板W。
以下,将描述基板W从容器10到光刻机50的传送路径的实施方式。
索引机械手2200从容器10中取出基板W、并将基板W传送至前部缓冲区3802。主传送机械手3422将储存在前部缓冲区3802中的基板W传送至前部热处理腔室3200。基板W通过传送板3240传送至加热单元3230。当在加热单元3230中在基板W上完全地执行了加热工艺时,传送板3240将基板W传送至冷却单元3220。传送板3240与冷却单元3220接触,并在传送板3240支承的基板W上执行冷却工艺。当完成冷却工艺时,传送板3240移动到冷却单元3220的上方,且主传送机械手3422从热处理腔室3200中取出基板W,并将基板W传送至前部液处理腔室3602。
前部液处理腔室3602用增透膜涂覆基板W。
主传送机械手3422从前部液处理腔室3602中取出基板W,并将基板W放置在热处理腔室3200中。热处理腔室3200顺序地执行上述的加热工艺和冷却工艺。当完成每个热处理工艺时,主传送机械手3422从热处理腔室3200中取出基板W,并将基板W放置在后部液处理腔室3604中。
随后,后部液处理腔室3604用光刻胶膜涂覆基板W。
主传送机械手3422从后部液处理腔室3604中取出基板W,并将基板W放置在热处理腔室3200中。热处理腔室3200顺序地执行上述的加热工艺和冷却工艺。当完成热处理工艺时,主传送机械手3422将基板W传送至后部缓冲区3804。接口模块40的第一机械手4602从后部缓冲区3804中取出基板W,并将基板W传送至附加处理腔室4200。
附加处理腔室4200在基板W上执行边缘曝光工艺。
第一机械手4602从附加处理腔室4200中取出基板W,并将基板W传送至接口缓冲区4400。
第二机械手4606从接口缓冲区4400中取出基板W,并将基板W传送至光刻机50。
下文中,将描述基板W从光刻机50到容器10的传送路径的实施例。
第二机械手4606从光刻机50中取出基板W,并将基板W传送至接口缓冲区4400。
第一机械手4602从接口缓冲区4400中取出基板W,并将基板W传送至后部缓冲区3804。主传送机械手3422从后部缓冲区3804中取出基板W,并将基板W传送至热处理腔室3200中。热处理腔室3200在基板W上顺序地执行加热工艺和冷却工艺。当完成冷却工艺时,基板W通过主传送机械手3422传送至显影腔室3600。
显影腔室3600通过将显影溶液分配至基板W来执行显影工艺。
基板W通过主传送机械手3422从显影腔室3600中取出,并放置在热处理腔室3200中。热处理腔室3200在基板W上顺序地执行加热工艺和冷却工艺。当完成冷却工艺时,基板W通过主传送机械手3422从热处理腔室3200中取出,并传送至前部缓冲区3802。
索引机械手2200从前部缓冲区3802中取出基板W,并将基板W传送至容器10。
已经将基板处理装置1的处理模块30描述为执行涂覆工艺和显影工艺。然而,基板处理装置1可仅包括索引模块20和处理模块30,而不包括接口模块40。在此情况下,处理模块30可仅执行涂覆工艺,且涂覆基板W的膜可以是旋涂硬掩模(spin-on hardmask,SOH)膜。
下文中,基于基板处理工艺的内容,将具体描述在电源故障的情况下的后处理方法。
图7为示出了以块的形式的根据本发明构思的基板处理装置的示意图。根据本发明构思的基板处理装置1包括盒式容器10、索引模块20和处理模块30,并且可以包括主控制器60,其执行处理的总控制,机械手控制器61,其控制包括在索引模块20中的索引机械手2200和包括在处理模块30中的主传送机械手3422的移动,腔室控制器62,其控制处理模块30中的腔室的操作,以及应急单元70,其在紧急的情况下执行控制以执行后处理操作。当根据本发明构思的基板处理装置1中发生电源故障时,基板处理装置1的应急单元70执行电源故障后处理操作。应急单元70可包括电源故障检测传感器(未示出)。应急单元70可通过使用电源故障检测传感器来确认电源故障是否发生。可选地,应急单元70可通过经I/O模块识别外部情况来确认电源故障是否发生。当检测到电源故障时,应急单元70控制机械手控制器61在完成索引机械手2200和主传送机械手3422的传送循环之后,停止包括在索引模块20中的索引机械手2200和包括在处理模块30中的主传送机械手3422。首先,应急单元70确认索引机械手2200和主传送机械手3422是否在运行。在机械手2200和3422在运行的状况下,应急单元70确认在传送循环期间机械手2200和3422位于什么位置。在机械手2200和3422存在与传送循环的中间过程而不是在其起始点的情况下,应急单元70控制机械手控制器61在完成相应的传送循环之后停止机械手2200和3422。
将参照图8至图12描述通过机械手控制器61控制机械手的方法。参照图8,假设在基板处理装置1的主传送机械手3422将基板W传输至热处理腔室3200之中的腔室A时,发生电源故障。在相关技术中,因为主传送机械手3422在发生电源故障时停止在其位置,所以即使必须在相应的基板W上执行下一个处理,相应的基板W也继续在主传送机械手3422上待机。因此,基板W可能受到不同情况的影响,或即使稍后电源故障情况恢复时,也可能在重新启动处理时存在风险。在本发明构思中,首先确认主传送机械手3422是否在运行。参照图9,因为主传送机械手3422处于传送基板W的过程中,因此其上具有基板W的主传送机械手3422移动至腔室A,腔室A是基板W待被传送到的终点。参照图10,主传送机械手3422在到达作为传送终点的腔室A之后将基板W传送至腔室A中。随后,参照图11,主传送机械手3422移动至安全位置。以下将描述安全位置。
假设图8至图12中的设置对应于在基板W传送至腔室A中之后主传送机械手3422从缓冲腔室3800取出新的基板并将该新的基板传送至液体处理腔室3600的过程。在这种情况下,如果未发生电源故障,那么在基板W传送至腔室A中之后,朝向前部缓冲区3802移动以传送新的基板对应下一个步骤,在该下一个步骤中主传送机械手3422移动。因此,在完全将基板W传送至腔室A中之后,主传送机械手3422移动至前部缓冲区3802的位置并待机,该前部缓冲区3802为下一个基板待传送至的待机位置。参照图12,可以看出主传送机械手3422在安全位置待机,在该安全位置主传送机械手3422能够从前部缓冲区3802传送基板。
虽然以上已经参照图8至图12描述了实施方式,但是机械手可以以各种方式控制。也就是说,在机械手在电源故障的情况下传送基板的情况下,控制机械手以完成传送循环,并在完成传送之后,将相应的机械手移动至安全位置。该安全位置并不意味着预定的位置,但意味着在执行下一个步骤处理的情况下最近的待机位置。例如,在主传送机械手3422的情况下,安全位置可以对应于当执行下一个处理时的基板的传送待机位置,在索引机械手2200的情况下,安全位置可以对应于待传送下一个基板的位置。也就是说,基于将在下文描述的应急单元70的存储设备存储的信息,可以不同地设置安全位置,且安全位置可以根据各工艺进程不同地设置。
当检测到电源故障时,应急单元70可以确认盒式容器10的门是否打开,并且当门打开时可以执行控制以关闭容器10的门。在基板处理装置中,处理模块30被设置为在其中执行处理的位置和环境,因此即使发生电源故障,也可以容易地进行管理。然而,包括在索引模块20的容器中的基板暴露于室温和常压状态,并因此在门打开的状态下发生电源故障时,暴露于无防御状态(defenseless state)。因此,从周围散射的颗粒可粘附至盒式容器10中待机的基板,从而导致基板W的污染。然而,在门处于关闭状态的情况下,可以防止散射的颗粒粘附至位于门的内部的基板,且可保护基板免受其他污染因素的影响。因此,在盒式容器10的门打开的情况下,当发生电源故障时,应急单元70执行控制以关闭门。
此外,将描述控制热处理腔室3200和液体处理腔室3600的腔室控制器62的控制方法。
在液体处理腔室3600的情况下,当发生电源故障时,停止全部处理。因此,在阀打开的情况下,没有办法调节相应的阀门,因此基板W被损坏。也就是说,在液体处理工艺期间在电源故障的情况下为了防止继续分配化学溶液,应急单元70操作腔室控制器62以停止液体处理腔室3600的阀门,以使得能够在恢复电源故障之后执行工艺,因此防止基板W的污染。
在热处理腔室3200的情况下,如上所述设置冷却单元3220和加热单元3230。在电源故障的情况下,当基板W位于加热单元3230时,即使发生电源故障,基板W接收来自相应的加热单元3230的热量,因此在处理相应的基板W时可能存在问题。因此,在基板W位于热处理腔室3200中的加热单元3230的情况下,应急单元70可以执行控制以通过使用热处理腔室3200中的传送板3240将基板W移动至冷却单元3220。其后,在恢复电源故障之后,基板W再次移动至加热单元3230并经受处理,因此即使在电源故障的情况下,可保护基板W。
虽然已经在本发明构思的实施方式和附图中描述了腔室控制器62仅控制热处理腔室3200和液体处理腔室3600,但腔室控制器62的控制并不限制于此。在本领域的技术人员的范围内,腔室控制器62可以采用在电源故障的情况下能够停止腔室中执行的工艺或使损失最小化的任何控制方法,以防止基板的损失。
应急单元70还可以包括存储设备,存储设备存储关于在电源故障的情况下基板处理装置中的基板位置的信息。存储设备存储的信息可以为关于在电源故障的情况下存在于各模块的基板W的位置和数量的信息。另外,存储设备存储的信息可以为关于在电源故障的情况下索引机械手2200或主传送机械手3422的位置的信息。此外,存储设备存储的信息可以为关于在电源故障的情况下在各基板上的工艺进程的信息。存储设备可以存储在电源故障情况下的设备内信息,因此当恢复电源故障时可以更容易地执行后处理。具体地,存储设备在恢复电源故障时可以对在电源故障的情况下存储的信息与恢复情况中的基板进行对比,从而更有效地执行后处理。
下文中,将描述用于中断主控制器60的组件。由于瞬时电流跳闸(current trip),或电源可能断开从而可能切断总电流,因此可发生电源故障。在瞬时电源故障的情况下,必须迅速执行恢复,因为当克服瞬时电源故障时尽可能快地进行操作是有效的。相反地,在全部的电源都断开的情况下,设备不能使用。因此,在继续等待电源故障恢复的情况下,在电源故障延迟恢复的情况下可能会浪费电力。因此,应急单元70可以设定预定的待机时间,维持主控制器60的电力,且即使在预定的待机时间过去之后电源故障继续时,中断主控制器60的电力,从而防止额外的电力损失。在待机时间过去之前解除电源故障状态的情况下,主控制器60不会被中断,并且主控制器60可以在完成警报状态之后待机。或者工艺进程可以重新启动,且全部工艺可以被控制。预定的待机时间可以设置为五分钟。然而,相应的待机时间并非为固定值,可以为适合于确认电源故障是否继续的时间。
下文中,将参照图13和14,描述本发明构思的基板处理方法。
在本发明构思的基板处理方法中,当发生电源故障时,应急单元70检测电源故障是否发生(S10)。当检测到电源故障时,应急单元70控制机械手控制器61(S20)。具体地,在步骤S20中,应急单元70确认索引机械手2200或主传送机械手3422是否在运行,并且当确认索引机械手2200和主传送机械手3422在运行时,应急单元70执行控制以便完成预定的相应的机械手的传送循环。当完成相应的传送循环时,应急单元70执行控制以将索引机械手2200或主传送机械手3422移动至安全位置。该安全位置与上述的安全位置相同。即使当索引机械手2200和主传送机械手3422并未在运行时,应急单元70可以确认下一个工艺信息和安全位置,并可执行控制以将机械手2200和3422移动至安全位置。其后,在容器10的门打开的情况下,应急单元70关闭门(S30)。另外,应急单元70可控制腔室控制器62以最大限度地保护处理腔室中正在处理的基板(S40)。应急单元70可以设定从检测到电源故障时起的预定的待机时间(S50),并可以在即使待机时间过去之后维持电源故障状态时关闭全部的主控制器60,从而防止额外的损坏(S70)。在待机时间过去之前解除电源故障状态的情况下,应急单元70可以重新执行工艺或可以处于待机状态直到接收到附加的警报信号。
根据一实施方式,基板处理装置和方法可以在发生紧急情况时执行后处理,从而安全地保护基板和设备。
此外,基板处理装置和方法在发生紧急情况时执行后处理,从而在恢复紧急情况时,容易地执行后处理。
本发明构思的效果不限于上述的效果。本发明构思所属领域的技术人员从说明书和附图中可清楚地理解本文中没有提及的任何其他效果。
虽然已经在上文中已经描述了本发明构思的实施方式,但是应当理解的是,所提供的实施方式是为了帮助理解本发明构思,而不是旨在限制本发明构思的范围,并且在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下可以进行各种修改和等同实施方式。在本发明构思中提供的附图仅是本发明构思的最佳实施方式的附图。本发明构思的范围应当由权利要求的技术理念确定,并且,应当理解的是,本发明构思的范围不限于权利要求的文字描述,而是实际上延伸到技术价值的等同范围。
虽然已经参照示例性的实施方式描述了本发明构思,但对于本领域的技术人员来说显而易见的是,在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下,可以进行各种改变和修改。因此,应当理解的是,上述实施方式并非限定性的,而是说明性的。
Claims (5)
1.一种使用基板处理装置处理基板的方法,所述基板处理装置包括处理模块,其配置为处理所述基板,以及索引模块,其设置在所述处理模块附近并配置为在其中容纳所述基板的容器和所述处理模块之间传送所述基板,其中,所述处理模块中设置有多个处理腔室,其配置为处理所述基板,以及主传送机械手,其配置为在所述多个处理腔室之间传送所述基板,所述索引模块中设置有容器安装台,所述容器放置在其上,以及索引机械手,其配置为在所述容器和处理模块之间传送所述基板,其中,所述方法包括:
通过使用电源故障检测传感器来确定电源故障是否发生;以及
在所述基板处理装置中发生所述电源故障时,执行电源故障后处理操作,以及其后停止所述基板处理装置的操作;
其中,所述电源故障后处理操作包括:
在所述电源故障的情况下所述容器的门打开时,关闭放置在所述容器安装台上的所述容器的所述门的操作;
设定预定的待机时间的操作;以及
在所述电源故障的情况下在待机时间维持控制器的电力,以及在维持所述电源故障直到所述待机时间过去时中断所述控制器的电力的操作;
其中,当所述主传送机械手或所述索引机械手在所述电源故障的情况下传送所述基板时,所述电源故障后处理操作包括继续维持所述主传送机械手或所述索引机械手的传送直到完成所述传送的操作;
其中,允许所述主传送机械手或所述索引机械手的传送以完成预定的传送循环;
其中,完成所述传送之后,将所述主传送机械手或所述索引机械手移动至安全位置;
所述安全位置意味着在执行下一个步骤处理的情况下最近的待机位置。
2.一种用于处理基板的装置,其中,所述装置包括:
处理模块,其具有多个处理腔室;
盒式容器,待经受处理的所述基板存储在所述盒式容器中;
索引模块,其配置为在所述盒式容器和所述处理模块之间传送所述基板;
主控制器,其配置为执行所述处理的总控制;
机械手控制器,其配置为控制索引机械手,其配置为在所述盒式容器和所述处理模块之间传送所述基板,和主传送机械手,其配置为在所述处理模块的所述多个处理腔室之间传送所述基板;
腔室控制器,其配置为控制所述处理模块中的所述处理腔室;以及
应急单元,其配置为当发生电源故障时控制待执行的后处理操作;
其中,所述后处理操作包括:
在通过所述电源故障检测传感器感应到所述电源故障的时候,在所述盒式容器的门打开时,所述应急单元执行控制以关闭所述盒式容器的门;
设定预定的待机时间的操作;以及
在所述电源故障的情况下在待机时间维持控制器的电力,以及在维持所述电源故障直到所述待机时间过去时中断所述控制器的电力的操作;
其中,所述应急单元包括电源故障检测传感器;
其中,当所述电源故障检测传感器感应到所述电源故障时,所述应急单元控制所述机械手控制器以完成所述索引机械手或所述主传送机械手的传送循环;
其中,完成所述传送循环之后,所述应急单元控制所述机械手控制器以将所述索引机械手或所述主传送机械手移动至安全位置;
所述安全位置意味着在执行下一个步骤处理的情况下最近的待机位置。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,当所述电源故障检测传感器感应到所述电源故障时,所述应急单元控制所述腔室控制器以关闭所述处理模块的液体处理腔室中的阀门。
4.根据权利要求2所述的装置,其中,当所述电源故障检测传感器感应到所述电源故障时,所述应急单元控制所述腔室控制器以将所述处理模块的热处理腔室中的加热单元上的所述基板移动至冷却单元。
5.根据权利要求2所述的装置,其中,所述应急单元还包括存储设备,其配置为存储关于发生所述电源故障时所述装置中的所述基板的位置信息。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2018-0065590 | 2018-06-07 | ||
KR1020180065590A KR102168381B1 (ko) | 2018-06-07 | 2018-06-07 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110581089A CN110581089A (zh) | 2019-12-17 |
CN110581089B true CN110581089B (zh) | 2024-02-27 |
Family
ID=68763583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910497540.8A Active CN110581089B (zh) | 2018-06-07 | 2019-06-10 | 用于处理基板的装置和方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11244848B2 (zh) |
KR (1) | KR102168381B1 (zh) |
CN (1) | CN110581089B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113316501B (zh) * | 2019-05-31 | 2022-02-18 | 乐恩吉室株式会社 | 以危险度判断为基础的机器人移动控制方法及利用其的移动机器人装置 |
US20210242057A1 (en) * | 2020-01-30 | 2021-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Automated material handling systems |
JP7363591B2 (ja) * | 2020-03-05 | 2023-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR102503287B1 (ko) * | 2020-10-29 | 2023-02-23 | 세메스 주식회사 | 이송 장치 및 그 제어 방법 |
KR20220085452A (ko) * | 2020-12-15 | 2022-06-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7465855B2 (ja) * | 2021-09-27 | 2024-04-11 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 加熱処理装置、搬入搬出治具、および有機膜の形成方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5710295B2 (zh) | 1972-12-29 | 1982-02-25 | ||
JP3130570B2 (ja) | 1991-07-23 | 2001-01-31 | 株式会社東芝 | 液晶表示素子 |
US5997588A (en) * | 1995-10-13 | 1999-12-07 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Semiconductor processing system with gas curtain |
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US6732006B2 (en) * | 2002-02-06 | 2004-05-04 | Asm International Nv | Method and system to process semiconductor wafers |
US7930061B2 (en) * | 2002-08-31 | 2011-04-19 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for loading and unloading substrate carriers on moving conveyors using feedback |
US7506746B2 (en) * | 2002-08-31 | 2009-03-24 | Applied Materials, Inc. | System for transporting substrate carriers |
KR20070037901A (ko) | 2005-10-04 | 2007-04-09 | 세메스 주식회사 | 반도체 제조 설비 및 그의 스케쥴링 방법 |
US20090028669A1 (en) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Dynamic Micro Systems | Removable compartments for workpiece stocker |
JP5128918B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
TW201111257A (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-01 | Inotera Memories Inc | Method for temporarily supplying power |
JP5736687B2 (ja) * | 2009-10-06 | 2015-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
CN105185697B (zh) | 2009-12-18 | 2019-02-15 | 株式会社尼康 | 基板处理装置及其控制方法、控制电路与维护方法 |
JP4815538B2 (ja) * | 2010-01-15 | 2011-11-16 | シーケーディ株式会社 | 真空制御システムおよび真空制御方法 |
KR20130054330A (ko) | 2010-07-30 | 2013-05-24 | 제너럴 일렉트릭 캄파니 | 엔진 제어 시스템용 안전 모듈 |
KR101477705B1 (ko) | 2014-04-03 | 2014-12-31 | (주)삼익테크 | 센서 유닛 및 이를 구비한 무인 반송차 |
EP3023846A1 (en) | 2014-11-18 | 2016-05-25 | Moog Unna GmbH | Electromechanical drive system |
KR101737344B1 (ko) | 2015-12-30 | 2017-05-19 | 주식회사 에스에프에이 | 비상안전장치 및 그를 구비하는 진공챔버, 그리고 그 진공챔버에 의해 형성되는 인라인 증착시스템 |
-
2018
- 2018-06-07 KR KR1020180065590A patent/KR102168381B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-06-04 US US16/430,692 patent/US11244848B2/en active Active
- 2019-06-10 CN CN201910497540.8A patent/CN110581089B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110581089A (zh) | 2019-12-17 |
US11244848B2 (en) | 2022-02-08 |
KR102168381B1 (ko) | 2020-10-21 |
US20190378750A1 (en) | 2019-12-12 |
KR20190139059A (ko) | 2019-12-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |