CN110572947A - 一种控深蚀刻代替背钻的方法 - Google Patents

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Abstract

一种控深蚀刻代替背钻的方法，包括以下步骤：S1：开料、钻孔和电镀，在板上形成至少一PTH孔，确定需要控深蚀刻的蚀刻孔；S2：控深蚀刻图形，将孔环覆盖蚀刻孔，蚀刻孔孔口的干膜宽度根据LDI的对位能力进行补偿，然后进行曝光和显影，除PTH孔表面的焊盘，板面其余区域的铜层被除去；S3：镀锡，对蚀刻孔内进行镀锡；S4：蚀刻，对蚀刻孔进行蚀刻，去除蚀刻孔内多余的铜PAD，切片确定蚀刻效果；S5：树脂塞孔和研磨。本发明采用控深蚀刻来避免背钻工艺存在容易钻偏、断针的问题，制作的PCB板质量好，而且流程简单，降低了成本，去除蚀刻孔内多余的导体，避免信号干扰，提高信号传输的完整性和准确性。

Description

一种控深蚀刻代替背钻的方法
技术领域
本发明涉及PCB板加工领域，具体的说，尤其涉及一种控深蚀刻代替背钻的方法。
背景技术
随着通信行业向5G时代的发展，通信信号增强，通信速度加快，相应的服务器PCB也必须符合高频高速的要求。当通信信号传输时，信号传达到非功能PAD会产生寄存电容，影响信号完整性，为了减少寄存电容的干扰，需要将阻抗线背面多余的焊盘去除，传统的方法是采用背钻工艺制作，但针对孔径较小，介电层较薄的情况，背钻工艺则无法制作。
背钻采用机械钻机控深钻的方式将孔壁钻掉，从而除掉孔壁铜的深度，但是容易因钻偏，断针及深度过深或过浅易导致开路或短路的问题，背钻对钻孔机的精度及深度控制要求很高，对于高精度产品的背钻，普通钻孔机设备的能力则无法实现。
发明内容
为了克服现有背钻工艺的不足，本发明提供一种控深蚀刻代替背钻的方法。
一种控深蚀刻代替背钻的方法，包括以下步骤：
S1：开料、钻孔和电镀，在板上形成至少一PTH孔，确定需要控深蚀刻的蚀刻孔；
S2：控深蚀刻图形，将孔环覆盖蚀刻孔，蚀刻孔孔口的干膜宽度根据LDI的对位能力进行补偿，然后进行曝光和显影，除PTH孔表面的焊盘，板面其余区域的铜层被除去；
S3：镀锡，对蚀刻孔内进行镀锡；
S4：蚀刻，对蚀刻孔进行蚀刻，去除蚀刻孔内多余的铜PAD，切片确定蚀刻效果；
S5：对蚀刻后的蚀刻孔进行树脂塞孔，对蚀刻孔的表面进行研磨，树脂塞孔可以避免孔内有气泡或者凹陷的问题。
优选的，步骤S5后对板依次进行GAP电镀、外层线路、外检、防焊和后工序。
优选的，所述的步骤S1中孔环沿蚀刻孔的孔壁内补偿至少2mil的孔铜厚度，孔环外环距铜至少2mil以上。
优选的，所述的步骤S1中曝光在贴膜后的30min内进行，LDI曝光机的PE设定为±50um，显影在曝光后的30min内进行，避免蚀刻深度的不一致。
优选的，镀锡前需过微蚀槽，镀锡的参数设定为12asf*10min。
优选的，所述的蚀刻速度为2±0.2m/min，上喷蚀刻压力为2.8±0.2Kg/cm2，下喷蚀刻压力为2.8±0.2Kg/cm2。
优选的，所述的研磨采用磨板电流为2.5~3.5A，线速为1.5±0.5m/min。
优选的，研磨后的蚀刻孔孔口铜厚度≥20um。
本发明提供一种控深蚀刻代替背钻的方法，采用控深蚀刻来避免背钻工艺存在容易钻偏、断针的问题，制作的PCB板质量好，而且流程简单，降低了成本；本发明控深蚀刻图形，然后对蚀刻孔进行镀锡和控深蚀刻，去除蚀刻孔内多余的导体，避免信号干扰，提高信号传输的完整性和准确性。
具体实施方式
下面对本发明保护的技术方案作进一步的详细说明。
一种控深蚀刻代替背钻的方法，包括以下步骤：
S1：开料、钻孔和电镀，在板上形成至少一PTH孔，确定需要控深蚀刻的蚀刻孔；
S2：控深蚀刻图形，将孔环覆盖蚀刻孔，蚀刻孔孔口的干膜宽度根据LDI的对位能力进行补偿，孔环沿蚀刻孔的孔壁内补偿至少2mil的孔铜厚度，孔环外环距铜至少2mil以上，孔环有利于后续镀锡时对蚀刻孔的灌孔；然后进行曝光和显影，除PTH孔表面的焊盘，板面其余区域的铜层被除去，曝光在贴膜后的30min内进行，显影在曝光后的30min内进行，避免曝偏导致后续蚀刻深度的不一致，本实施例中LDI曝光机的PE设定为±50um；
S3：镀锡，对蚀刻孔内进行镀锡，镀锡前需过微蚀槽，避免因铜面异物导致镀锡不良，镀锡的厚度相对于常规的图形电镀要厚20%~40%，常规镀锡参数为9asf*10min，本发明镀锡的参数设定为12asf*10min，镀锡可以保护蚀刻孔内的铜层；
S4：蚀刻，对蚀刻孔进行蚀刻，去除蚀刻孔内多余的铜PAD，切片确定蚀刻效果；蚀刻速度为2±0.2m/min，上喷蚀刻压力为2.8±0.2Kg/cm2，下喷蚀刻压力为2.8±0.2Kg/cm2；蚀刻时正反蚀刻两次，正反蚀刻能避免药水残留导致蚀刻深度或均匀性不一致，确保同一批次，同位置孔位蚀刻深度的一致性，蚀刻两次确保达到要求的蚀刻深度，可以根据蚀刻深度的需求来调整蚀刻速度、药水喷嘴的压力。
S5：对蚀刻后的蚀刻孔进行树脂塞孔，确保孔内无气泡、无凹陷，对蚀刻孔的表面进行研磨；研磨采用磨板电流为2.5~3.5A，线速为1.5±0.5m/min，研磨后的蚀刻孔孔口铜厚度≥20um，可以磨板多次确保研磨干净。
步骤S5后对板依次进行GAP电镀、外层线路、外检、防焊和后工序。
本发明提供一种控深蚀刻代替背钻的方法，采用控深蚀刻来避免背钻工艺存在容易钻偏、断针的问题，制作的PCB板质量好，而且流程简单，降低了成本；本发明先控深蚀刻图形，然后对蚀刻孔进行镀锡和控深蚀刻，去除蚀刻孔内多余的导体，避免信号干扰，提高信号传输的完整性和准确性。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实施的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。

Claims (8)

1.一种控深蚀刻代替背钻的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：开料、钻孔和电镀，在板上形成至少一PTH孔，确定需要控深蚀刻的蚀刻孔；
S2：控深蚀刻图形，将孔环覆盖蚀刻孔，蚀刻孔孔口的干膜宽度根据LDI的对位能力进行补偿，然后进行曝光和显影，除PTH孔表面的焊盘，板面其余区域的铜层被除去；
S3：镀锡，对蚀刻孔内进行镀锡；
S4：蚀刻，对蚀刻孔进行蚀刻，去除蚀刻孔内多余的铜PAD，切片确定蚀刻效果；
S5：对蚀刻后的蚀刻孔进行树脂塞孔，对蚀刻孔的表面进行研磨。
2.根据权利要求1所述的一种控深蚀刻代替背钻的方法，其特征在于：步骤S5后对板依次进行GAP电镀、外层线路、外检、防焊和后工序。
3.根据权利要求1所述的一种控深蚀刻代替背钻的方法，其特征在于：所述的步骤S1中孔环沿蚀刻孔的孔壁内补偿至少2mil的孔铜厚度，孔环外环距铜至少2mil以上。
4.根据权利要求1所述的一种控深蚀刻代替背钻的方法，其特征在于：所述的步骤S1中曝光在贴膜后的30min内进行，LDI曝光机的PE设定为±50um，显影在曝光后的30min内进行。
5.根据权利要求1所述的一种控深蚀刻代替背钻的方法，其特征在于：镀锡前需过微蚀槽，镀锡的参数设定为12asf*10min。
6.根据权利要求1所述的一种控深蚀刻代替背钻的方法，其特征在于：所述的蚀刻速度为2±0.2m/min，上喷蚀刻压力为2.8±0.2Kg/cm2，下喷蚀刻压力为2.8±0.2Kg/cm2。
7.根据权利要求1所述的一种控深蚀刻代替背钻的方法，其特征在于：所述的研磨采用磨板电流为2.5~3.5A，线速为1.5±0.5m/min。
8.根据权利要求1所述的一种控深蚀刻代替背钻的方法，其特征在于：研磨后的蚀刻孔孔口铜厚度≥20um。
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