CN110572217B - 一种用于高速光接收器件的封装装置 - Google Patents
一种用于高速光接收器件的封装装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110572217B CN110572217B CN201910764304.8A CN201910764304A CN110572217B CN 110572217 B CN110572217 B CN 110572217B CN 201910764304 A CN201910764304 A CN 201910764304A CN 110572217 B CN110572217 B CN 110572217B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transimpedance amplifier
- light receiving
- receiving device
- speed light
- placing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种用于高速光接收器件的封装装置，包括：壳体、C型瓷件、跨阻放大器和钨铜复合材料层，所述钨铜复合材料层设置于所述C型瓷件的下方，所述C型瓷件的一端设置有C型凹槽，所述C型凹槽的底部为用于放置所述跨阻放大器的跨阻放大器放置部，所述跨阻放大器放置部的旁边设置有信号线，所述信号线与所述跨阻放大器电连接，所述跨阻放大器放置部设置有散热过孔，所述C型瓷件设置于所述壳体的一端中。本发明预留了所述跨阻放大器的放置位置，且所述跨阻放大器放置部周边设置有信号线，进而能够直接与所述跨阻放大器连接，简化了整个器件结构，所述跨阻放大器能够直接贴装到壳体内部，节省了物料和贴片成本，结构稳定且可靠，生产效率高。
Description
技术领域
本发明涉及一种光接收器件壳体，尤其涉及一种用于高速光接收器件的封装装置。
背景技术
现有的高速光接收器件在电信号端的设计，是将跨阻放大器（TIA）放置在内部的ALN散热基板（ALN Submount）上，同时跨阻放大器（TIA）两侧设计直流散热基板（DCSubmount）作为过渡，然后再通过邦线与管壳连接，这种现有技术需要将ALN散热基板（ALNSubmount）贴在下面的热沉上，再分别贴装跨阻放大器（TIA）和两个直流散热基板（DCSubmount），因此，其结构较复杂，贴片效率较低，物料和贴片成本均较高。其中ALN散热基板为氮化铝散热基板。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是需要提供一种能够节省物料和贴片成本的用于高速光接收器件的封装装置。
对此，本发明提供一种用于高速光接收器件的封装装置，包括：壳体、C型瓷件、跨阻放大器和钨铜复合材料层，所述钨铜复合材料层设置于所述C型瓷件的下方，所述C型瓷件的一端设置有C型凹槽，所述C型凹槽的底部为用于放置所述跨阻放大器的跨阻放大器放置部，所述跨阻放大器放置部的旁边设置有信号线，所述信号线与所述跨阻放大器电连接，所述跨阻放大器放置部设置有散热过孔，所述C型瓷件设置于所述壳体的一端中。
本发明的进一步改进在于，所述壳体的一端设置有C型瓷件放置槽，所述C型瓷件嵌入式设置于所述C型瓷件放置槽中。
本发明的进一步改进在于，所述散热过孔中灌入银浆，所述跨阻放大器通过所述银浆与所述钨铜复合材料层相连接。
本发明的进一步改进在于，还包括热沉，所述壳体设置有向下凹陷的空腔，所述热沉设置于所述空腔中。
本发明的进一步改进在于，所述热沉通过银浆贴装于所述空腔中。
本发明的进一步改进在于，还包括波分解复用组件和三棱柱，所述波分解复用组件和三棱柱分别设置于所述热沉上。
本发明的进一步改进在于，所述波分解复用组件和三棱柱分别通过银浆贴装于所述热沉上。
本发明的进一步改进在于，还包括光电二极管，所述光电二极管贴装于所述三棱柱上。
本发明的进一步改进在于，还包括透镜，所述透镜设置于所述热沉上，并设置于所述波分解复用组件和三棱柱之间。
本发明的进一步改进在于，还包括上盖，所述上盖设置于所述空腔的开口处，所述上盖与所述壳体通过电阻焊密封连接。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：在C型凹槽的底部预留所述跨阻放大器的放置位置，即用于放置所述跨阻放大器的跨阻放大器放置部，且所述跨阻放大器的跨阻放大器放置部周边设置有信号线，进而能够直接与所述跨阻放大器连接，简化了整个器件结构，使得所述跨阻放大器能够直接贴装到壳体内部，省去了现有技术中还需要一个ALN散热基板（ALN Submount）和两个直流散热基板（DC Submount）的物料和贴片成本，使得所述用于高速光接收器件结构更为简单且稳定可靠，成本低，生产效率高。
附图说明
图1是本发明一种实施例的结构示意图；
图2是本发明一种实施例的C型瓷件的结构示意图；
图3是本发明一种实施例没有贴装跨阻放大器的俯视结构示意图；
图4是本发明一种实施例的贴装了跨阻放大器的俯视结构示意图；
图5是本发明一种实施例的爆炸结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的较优的实施例作进一步的详细说明。
如图1至图5所示，本例提供一种用于高速光接收器件的封装装置，包括：壳体101、C型瓷件109、跨阻放大器106和钨铜复合材料层110，所述钨铜复合材料层110设置于所述C型瓷件109的下方，所述C型瓷件109的一端设置有C型凹槽，所述C型凹槽的底部为用于放置所述跨阻放大器106的跨阻放大器放置部1091，所述跨阻放大器放置部1091的旁边设置有信号线1092，所述信号线1092与所述跨阻放大器106电连接，所述跨阻放大器放置部1091设置有散热过孔1093，所述C型瓷件109设置于所述壳体101的一端中。
本例所述壳体101的一端设置有C型瓷件放置槽1011，所述C型瓷件109嵌入式设置于所述C型瓷件放置槽1011中。所述散热过孔1093中优选灌入银浆，所述跨阻放大器106通过所述银浆与所述钨铜复合材料层110相连接。
本例所述壳体101为主壳体，所述壳体101的一端设置有C型瓷件放置槽1011，所述C型瓷件放置槽1011为如图1所示的开口槽，用于嵌入式设置所述C型瓷件109，所述C型瓷件109与壳体101可以直接烧结成整体的管壳。
本例所述C型瓷件109为所述跨阻放大器106的放置瓷件，该C型瓷件109靠近所述壳体101的一端设置有C型凹槽，便于放置所述跨阻放大器106，本例所述C型瓷件109优选通过银浆贴装于所述跨阻放大器放置部1091上，本例这样设置的优点在于，在所述C型瓷件109上预留跨所述阻放大器106（TIA）的放置位置（跨阻放大器放置部1091），且周边设计信号线1092进而直接与所述阻放大器106（TIA）连接，简化了整个器件结构。
如图2所示，所述跨阻放大器放置部1091的旁边是一个C型台阶1095，该C型台阶1095上设置有信号线1092，而所述跨阻放大器放置部1091是相对于所述C型台阶1095向下凹陷的跨阻放大器106的放置底座，向下凹陷的高度与所述跨阻放大器106的厚度匹配，便于实现所述跨阻放大器106与信号线1092之间的电连接。进一步的，如图1和图2所示，所述C型瓷件109上还设置有台阶1094，该台阶1094用于实现支撑上盖108，便于实现所述上盖108与所述壳体101之间的电阻焊密封连接，降低施工难度。
如图1和图2所示，本例提供的这种用于高速光接收器件的C型瓷件109的设计，所述阻放大器106（TIA）能够直接放置在C型瓷件109的跨阻放大器放置部1091上，周围设计信号线1092，同时考虑到所述阻放大器106的散热需求，在所述阻放大器106的位置底部设计了阵列式的散热过孔1093，灌入银浆与最底层的钨铜复合材料层110（CuW）连接，就能够，满足高速光接收器件的电连接、散热以及结构简单等要求，稳定且可靠。
如图5所示，本例还包括热沉102、波分解复用组件103、透镜104、三棱柱105和光电二极管107，所述壳体101设置有向下凹陷的空腔1012，所述热沉102设置于所述空腔1012中，所述热沉102优选通过银浆贴装于所述空腔1012中；所述波分解复用组件103和三棱柱105分别设置于所述热沉102上，所述波分解复用组件103和三棱柱105优选分别通过银浆贴装于所述热沉102上；所述光电二极管107贴装于所述三棱柱105上；所述透镜104设置于所述热沉102上，并设置于所述波分解复用组件103和三棱柱105之间。
优选的，本例还包括上盖108，所述上盖108设置于所述空腔1012的开口处，所述上盖108与所述壳体101通过电阻焊密封连接，进而实现所述用于高速光接收器件的气密封装，并且由于所述C型瓷件109的特殊设计，其散热性能也足够满足应用需求。
综上所述，本例在所述C型瓷件109的C型凹槽底部预留所述跨阻放大器106的放置位置，即用于放置所述跨阻放大器106的跨阻放大器放置部1091，且所述跨阻放大器106的跨阻放大器放置部1091周边设置有信号线1092，进而能够直接与所述跨阻放大器106连接，简化了整个器件结构，使得所述跨阻放大器106能够直接贴装到壳体101内部，省去了现有技术中还需要一个ALN散热基板（ALN Submount）和两个直流散热基板（DC Submount）的物料和贴片成本，使得所述用于高速光接收器件结构更为简单且可靠，成本低，生产效率高。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种用于高速光接收器件的封装装置，其特征在于，包括：壳体、C型瓷件、跨阻放大器和钨铜复合材料层，所述钨铜复合材料层设置于所述C型瓷件的下方，所述C型瓷件的一端设置有C型凹槽，所述C型凹槽的底部为用于放置所述跨阻放大器的跨阻放大器放置部，所述跨阻放大器放置部的旁边设置有信号线，所述信号线与所述跨阻放大器电连接，所述跨阻放大器放置部设置有散热过孔，所述C型瓷件设置于所述壳体的一端中。
2.根据权利要求1所述的用于高速光接收器件的封装装置，其特征在于，所述壳体的一端设置有C型瓷件放置槽，所述C型瓷件嵌入式设置于所述C型瓷件放置槽中。
3.根据权利要求1或2所述的用于高速光接收器件的封装装置，其特征在于，所述散热过孔中灌入银浆，所述跨阻放大器通过所述银浆与所述钨铜复合材料层相连接。
4.根据权利要求1或2所述的用于高速光接收器件的封装装置，其特征在于，还包括热沉，所述壳体设置有向下凹陷的空腔，所述热沉设置于所述空腔中。
5.根据权利要求4所述的用于高速光接收器件的封装装置，其特征在于，所述热沉通过银浆贴装于所述空腔中。
6.根据权利要求4所述的用于高速光接收器件的封装装置，其特征在于，还包括波分解复用组件和三棱柱，所述波分解复用组件和三棱柱分别设置于所述热沉上。
7.根据权利要求6所述的用于高速光接收器件的封装装置，其特征在于，所述波分解复用组件和三棱柱分别通过银浆贴装于所述热沉上。
8.根据权利要求6所述的用于高速光接收器件的封装装置，其特征在于，还包括光电二极管，所述光电二极管贴装于所述三棱柱上。
9.根据权利要求6所述的用于高速光接收器件的封装装置，其特征在于，还包括透镜，所述透镜设置于所述热沉上，并设置于所述波分解复用组件和三棱柱之间。
10.根据权利要求4所述的用于高速光接收器件的封装装置，其特征在于，还包括上盖，所述上盖设置于所述空腔的开口处，所述上盖与所述壳体通过电阻焊密封连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910764304.8A CN110572217B (zh) | 2019-08-19 | 2019-08-19 | 一种用于高速光接收器件的封装装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910764304.8A CN110572217B (zh) | 2019-08-19 | 2019-08-19 | 一种用于高速光接收器件的封装装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110572217A CN110572217A (zh) | 2019-12-13 |
| CN110572217B true CN110572217B (zh) | 2022-08-19 |
Family
ID=68774038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910764304.8A Active CN110572217B (zh) | 2019-08-19 | 2019-08-19 | 一种用于高速光接收器件的封装装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110572217B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN203747834U (zh) * | 2014-01-24 | 2014-07-30 | 武汉电信器件有限公司 | 高速apd-tia同轴光接收组件 |
| CN204696627U (zh) * | 2015-06-01 | 2015-10-07 | 武汉博创锐通科技有限公司 | 一种塑料化to46底座 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4675377B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2011-04-20 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光送受信装置 |
-
2019
- 2019-08-19 CN CN201910764304.8A patent/CN110572217B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN203747834U (zh) * | 2014-01-24 | 2014-07-30 | 武汉电信器件有限公司 | 高速apd-tia同轴光接收组件 |
| CN204696627U (zh) * | 2015-06-01 | 2015-10-07 | 武汉博创锐通科技有限公司 | 一种塑料化to46底座 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110572217A (zh) | 2019-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7586190B2 (en) | Optoelectronic component and a module based thereon | |
| JP4122784B2 (ja) | 発光装置 | |
| CN103311402B (zh) | 发光二极管封装以及承载板 | |
| JP4166611B2 (ja) | 発光装置用パッケージ、発光装置 | |
| US20100090239A1 (en) | Ceramic package structure of high power light emitting diode and manufacturing method thereof | |
| US20080061314A1 (en) | Light emitting device with high heat-dissipating capability | |
| JP2009135440A (ja) | 散熱機能を有する発光デバイスとそのようなデバイスを製造するプロセス | |
| CN102388473A (zh) | 发光二极管封装 | |
| JP2006080165A (ja) | 発光装置 | |
| CN102117876A (zh) | 半导体封装结构 | |
| JP5458910B2 (ja) | 発光装置 | |
| US20110181182A1 (en) | Top view light emitting device package and fabrication method thereof | |
| KR20150041969A (ko) | 칩 실장 방법 및 칩 패키지 | |
| TW201203636A (en) | Light emitting diode device and lighting device using the same | |
| CN111446235A (zh) | 一种发光体及发光模组 | |
| CN100552992C (zh) | 高功率发光元件封装的工艺 | |
| JP4913099B2 (ja) | 発光装置 | |
| CN110572217B (zh) | 一种用于高速光接收器件的封装装置 | |
| JP2006073699A (ja) | 発光素子収納用パッケージ | |
| CN103956420A (zh) | 一种涂覆有荧光粉的led覆晶结构及其制造方法 | |
| KR20050090918A (ko) | 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법 | |
| US7595453B2 (en) | Surface mount package | |
| CN102194975A (zh) | 光半导体封装体及光半导体装置 | |
| KR20060126115A (ko) | 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP5405602B2 (ja) | Ｌｅｄパッケージ及びｌｅｄパッケージ用フレーム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |