CN203747834U - 高速apd-tia同轴光接收组件 - Google Patents
高速apd-tia同轴光接收组件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203747834U CN203747834U CN201420045257.4U CN201420045257U CN203747834U CN 203747834 U CN203747834 U CN 203747834U CN 201420045257 U CN201420045257 U CN 201420045257U CN 203747834 U CN203747834 U CN 203747834U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tia
- gold
- apd
- transition block
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract 1
- 102100032620 Cytotoxic granule associated RNA binding protein TIA1 Human genes 0.000 description 7
- 101000654853 Homo sapiens Cytotoxic granule associated RNA binding protein TIA1 Proteins 0.000 description 7
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 2
- 235000004348 Perilla frutescens Nutrition 0.000 description 1
- 244000124853 Perilla frutescens Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Abstract
本实用新型提供了一种高速APD-TIA同轴光接收组件，包括一TIA、一U型陶瓷镀金过渡块、一APD组装件、一滤波电容、一RC滤波组件以及一TO底座；TIA、U型陶瓷镀金过渡块、APD组装件、滤波电容以及RC滤波组件均安装于TO底座上；其中，TIA位于U型陶瓷镀金过渡块的U型槽内，TIA的上表面设有GND焊盘，GND焊盘与U型陶瓷镀金过渡块的上表面位于同一平面，因此可尽量缩短GND焊盘到U型陶瓷镀金过渡块上表面的金丝键合的金丝长度，从而有效的减小信号返回路径的寄生电感，提高了高速APD-TIA同轴光接收组件的输出信噪比，保证了高速APD-TIA同轴光接收组件具有较高的灵敏度。
Description
技术领域
本实用新型涉及光通信领域，尤其涉及一种高速APD-TIA同轴光接收组件。
背景技术
在光通信技术领域中，相比较于传统的光电二极管（PIN PD），雪崩光电二极管（APD）除具有光电转换功能，还具有光电倍增作用，故主要应用于灵敏度要求较高的场合。当前迅速发展的高速长距离密集型光波复用传输网和高速光接入网，对工作速率达到10Gb/s的APD和跨阻放大器（TIA）封装而成的10G APD-TIA同轴光接收组件的需求非常迫切。
如何在低成本、实用性、高可靠性的前提下，优化10G APD-TIA同轴光接收组件的灵敏度成为目前业界的研究热点。从封装电路设计上考虑，10G APD-TIA组件的优化设计，实际上主要是高速信号回路的优化设计，该信号回路包括信号路径和返回路径，因此，不仅要重视对信号路径上信号线的设计，更要重视返回路径的设计。TIA地线是10G APD-TIA同轴光接收组件中最主要的高速信号返回路径。减少TIA地线的线长，即减小返回路径的寄生电感对提高整个组件的灵敏度来说是极其重要的。
目前业界出现了在TIA背面设计接地过孔的方式，这种TIA不需再设计地线，可减小返回路径的寄生电感，但受到材料和制作工艺的限制，这种TIA价格昂贵，且可靠性较差，无法满足市场批量化的需求。
相比而言，金丝键合的TIA接地方式工艺更加成熟稳定，且TIA可靠性更高，现该方式在业界广为使用。但是由于同轴TO底座的内部空间较小，留给TIA地线金丝键合的空间非常有限，同时从TIA的GND焊盘到TO底座地平面有一段高度差。这就使TIA地线的金丝键合长度无法进行控制，从而导致返回路径的寄生电感增加，对组件性能有以下不良影响：（1）增加高频信号电流在返回路径上产生的地弹噪声电压；（2）高速信号回路的抗电磁干扰能力下降；（3）劣化组件频率响应。而这些不良影响最终都会导致无法提高组件的灵敏度。
因此有必要设计一种新型的高速APD-TIA同轴光接收组件，以克服上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种具有较高灵敏度的高速APD-TIA同轴光接收组件。
本实用新型是这样实现的：
本实用新型提供一种高速APD-TIA同轴光接收组件，包括一TIA、一U型陶瓷镀金过渡块、一APD组装件、一滤波电容、一RC滤波组件以及一TO底座；所述TIA、所述U型陶瓷镀金过渡块、所述APD组装件、所述滤波电容以及所述RC滤波组件均装设于所述TO底座上；其中，所述TIA位于所述U型陶瓷镀金过渡块的U型槽内，所述TIA的上表面设有GND焊盘，所述GND焊盘与所述U型陶瓷镀金过渡块的上表面位于同一平面。
进一步地，所述APD组装件具有一微透镜，所述微透镜的中心与所述TO底座同心设置。
进一步地，所述GND焊盘到所述U型陶瓷镀金过渡块上表面的金丝键合采用自动化楔焊工艺。
进一步地，所述TIA、所述U型陶瓷镀金过渡块、所述APD组装件、所述滤波电容以及所述RC滤波组件均通过导电胶安装于所述TO底座上。
进一步地，所述U型陶瓷镀金过渡块由氧化铝陶瓷制成，并采用薄膜工艺进行表面镀金处理。
更进一步地，所述TO底座为光通信行业广泛使用的高频同轴TO-46底座。
本实用新型具有以下有益效果：
所述TIA的GND焊盘与所述U型陶瓷镀金过渡块的上表面位于同一平面，因此可尽量缩短所述GND焊盘到所述U型陶瓷镀金过渡块上表面的金丝键合的金丝长度，从而有效的减小信号返回路径的寄生电感，提高了所述高速APD-TIA同轴光接收组件的输出信噪比，从而保证了所述高速APD-TIA同轴光接收组件具有较高的灵敏度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本实用新型实施例提供的同轴光接收组件的结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的U型陶瓷镀金过渡块的立体图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1-图2，本实用新型实施例提供一种高速APD-TIA同轴光接收组件，包括一TIA 1（指跨阻放大器）、一U型陶瓷镀金过渡块2、一APD组装件3（指雪崩光电二极管）、一滤波电容4、一RC滤波组件5以及一TO底座6。所述TIA1、所述U型陶瓷镀金过渡块2、所述APD组装件3、所述滤波电容4以及所述RC滤波组件5均装设于所述TO底座6上，在本较佳实施例中，所述TIA1、所述U型陶瓷镀金过渡块2、所述APD组装件3、所述滤波电容4以及所述RC滤波组件5均通过导电胶安装于所述TO底座6上。
如图1，所述APD组装件3的工作速率可达到10Gb/s，是由APD管芯倒装焊在过渡块上组装而成的。所述APD组装件3具有一微透镜31，所述微透镜31的中心与所述TO底座6同心设置。所述滤波电容4和RC滤波组件5分别对Vcc和Vapd电源进行滤波。所述TO底座6为光通信行业广泛使用的高频同轴TO-46底座。
如图1-图2，采用导电胶将所述U型陶瓷镀金过渡块2安装于所述TO底座6上，可以保证所述U型陶瓷镀金过渡块2的上表面与所述TO底座6的地平面之间形成低阻抗连接。所述U型陶瓷镀金过渡块2由氧化铝陶瓷制成，所述U型陶瓷镀金过渡块2呈U型结构，其具有一U型槽（未标号），所述U型槽内分别定义三个面：B面、C面、E面，所述所述U型陶瓷镀金过渡块2具有两个端面，分别是A面和D面，在本较佳实施例中，对所述U型陶瓷镀金过渡块2上的除了A面、D面、B面、C面以及E面之外的其它面均采用薄膜工艺进行镀金处理。
如图1-图2，所述TIA1位于所述U型陶瓷镀金过渡块2的U型槽内，所述TIA1的上表面设有GND焊盘，所述GND焊盘与所述U型陶瓷镀金过渡块2的上表面位于同一平面，因此可尽量缩短所述GND焊盘到所述U型陶瓷镀金过渡块2上表面的金丝键合的金丝长度，从而有效的减小信号返回路径的寄生电感，提高了所述高速APD-TIA同轴光接收组件的输出信噪比，从而保证了所述高速APD-TIA同轴光接收组件具有较高的灵敏度。在本较佳实施例中，所述GND焊盘到所述U型陶瓷镀金过渡块2上表面的金丝键合采用自动化楔焊工艺。由于所述TIA1和所述U型陶瓷镀金过渡块2的相对位置已固定，采用自动化楔焊工艺，可以保证所述TIA1的地线的焊线的一致性
如图1-图2，组装时，按照如下步骤进行：
1、使用导电胶将所述TIA 1安装于所述TO底座6的固定位置。使用导电胶将所述U型陶瓷镀金过渡块2安装于所述TO底座6上，并使所述TIA1进入所述U型陶瓷镀金过渡块2的U型槽内，同时所述U型陶瓷镀金过渡块2的U型槽各内壁与相邻所述TIA 1外壁之间的间距不超过30um，然后在130℃烘箱中烘烤0.5小时。
2、采用自动化楔焊工艺完成所述TIA 1的GND焊盘到所述U型陶瓷镀金过渡块2上表面的金丝键合，尽量缩短金丝长度。
3、使用导电胶将所述APD组装件3安装于所述TO底座6上，并使所述APD组装件3的所述微透镜31中心与所述TO底座6同心设置。使用导电胶将所述滤波电容4、所述RC滤波组件5分别安装于所述TO底座6的固定位置。然后在130℃烘箱中烘烤0.5小时。
4、采用自动化楔焊工艺完成所述高速APD-TIA同轴光接收组件中其它引线的键合，即可完成所有的组装过程。
所述高速APD-TIA同轴光接收组件通过上述结构，可以有效的减小信号返回路径的寄生电感，提高所述高速APD-TIA同轴光接收组件的输出信噪比，从而保证了所述高速APD-TIA同轴光接收组件具有较高的灵敏度。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种高速APD-TIA同轴光接收组件，其特征在于，包括一TIA（1）、一U型陶瓷镀金过渡块（2）、一APD组装件（3）、一滤波电容（4）、一RC滤波组件（5）以及一TO底座（6）；
所述TIA（1）、所述U型陶瓷镀金过渡块（2）、所述APD组装件（3）、所述滤波电容（4）以及所述RC滤波组件（5）均装设于所述TO底座（6）上；
其中，所述TIA（1）位于所述U型陶瓷镀金过渡块（2）的U型槽内，所述TIA（1）的上表面设有GND焊盘，所述GND焊盘与所述U型陶瓷镀金过渡块（2）的上表面位于同一平面。
2.如权利要求1所述的高速APD-TIA同轴光接收组件，其特征在于：所述APD组装件（3）具有一微透镜（31），所述微透镜（31）的中心与所述TO底座（6）同心设置。
3.如权利要求1所述的高速APD-TIA同轴光接收组件，其特征在于：所述GND焊盘到所述U型陶瓷镀金过渡块（2）上表面的金丝键合采用自动化楔焊工艺。
4.如权利要求1所述的高速APD-TIA同轴光接收组件，其特征在于：所述TIA（1）、所述U型陶瓷镀金过渡块（2）、所述APD组装件（3）、所述滤波电容（4）以及所述RC滤波组件（5）均通过导电胶安装于所述TO底座（6）上。
5.如权利要求1所述的高速APD-TIA同轴光接收组件，其特征在于：所述U型陶瓷镀金过渡块（2）由氧化铝陶瓷制成，并采用薄膜工艺进行表面镀金处理。
6.如权利要求1、2或4任意一项所述的高速APD-TIA同轴光接收组件，其特征在于：所述TO底座（6）为光通信行业广泛使用的高频同轴TO-46底座。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420045257.4U CN203747834U (zh) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 高速apd-tia同轴光接收组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420045257.4U CN203747834U (zh) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 高速apd-tia同轴光接收组件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203747834U true CN203747834U (zh) | 2014-07-30 |
Family
ID=51347583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420045257.4U Expired - Lifetime CN203747834U (zh) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 高速apd-tia同轴光接收组件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203747834U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105679746A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-06-15 | 东莞铭普光磁股份有限公司 | 一种apd-tia同轴型光电组件 |
| CN110572217A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-12-13 | 深圳市极致兴通科技有限公司 | 一种用于高速光接收器件的封装装置 |
-
2014
- 2014-01-24 CN CN201420045257.4U patent/CN203747834U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105679746A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-06-15 | 东莞铭普光磁股份有限公司 | 一种apd-tia同轴型光电组件 |
| CN110572217A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-12-13 | 深圳市极致兴通科技有限公司 | 一种用于高速光接收器件的封装装置 |
| CN110572217B (zh) * | 2019-08-19 | 2022-08-19 | 深圳市极致兴通科技有限公司 | 一种用于高速光接收器件的封装装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN207946568U (zh) | 一种支持csfp模块的光收发一体组件 | |
| CN202837617U (zh) | 用于宽带高速传输的并行光收发组件 | |
| CN102882600A (zh) | 基于usb接口的热插拔可见光无线接入系统 | |
| CN110531470A (zh) | 一种窄波长间隔的单纤双向收发器 | |
| CN203747834U (zh) | 高速apd-tia同轴光接收组件 | |
| CN101852903A (zh) | 用于sfp+的单纤双向光收发模块光组件 | |
| CN202798731U (zh) | 一种集成光电探测器的100g cfp光模块 | |
| CN102306648B (zh) | 一种光耦合器 | |
| CN203786341U (zh) | 光模块及光通信设备 | |
| TW201419774A (zh) | 具有遠離轉阻放大器之光偵測器的接收機光學總成（ｒｏａｓ）及其相關元件、電路與方法 | |
| CN105679746A (zh) | 一种apd-tia同轴型光电组件 | |
| CN106877936B (zh) | 一种sfp28光模块 | |
| CN202077033U (zh) | 用于10g pon的单纤双向光收发模块光组件 | |
| CN201757796U (zh) | 用于10g-epon的单纤双向对称光收发模块光组件 | |
| CN203039695U (zh) | 40g pin/tia探测器 | |
| CN205263365U (zh) | 一种光接收器的光路结构 | |
| CN102654608B (zh) | 基于平面光波导的单纤双向阵列组件和器件及其制作方法 | |
| CN212905591U (zh) | 一种光电收发一体模块 | |
| CN102709334A (zh) | 高性能半导体光接收器 | |
| CN202551034U (zh) | 高性能半导体光接收器 | |
| CN208706646U (zh) | 一种组合光电耦合器 | |
| CN202889352U (zh) | 一种光收发一体模块 | |
| CN203217125U (zh) | 一种高回波损耗结构的同轴光电组件 | |
| CN205609516U (zh) | 一种apd-tia同轴型光电组件 | |
| CN201757797U (zh) | 用于sfp+的单纤双向光收发模块光组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140730 |