CN205428990U - 发光器件 - Google Patents

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蔡钟炫
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Abstract

本实用新型提供一种发光器件，包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、设置在第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层，和设置在第一和第二导电型半导体层之间的有源层；第一接触电极，其电连接到第一导电型半导体层；第二接触电极，设置在第二导电型半导体层上且电连接到第二导电型半导体层；支撑结构，包括第一和第二体电极，第一和第二体电极分别设置在第一和第二接触电极上以彼此分离并电连接到第一和第二接触电极；和基底，邻近支撑结构设置，其中基底包括分别电连接到第一和第二体电极的第一和第二互连部分，且第一和第二互连部分之间的距离不同于第一和第二体电极之间距离的距离。本实用新型的发光器件可确保电学稳定性。

Description

发光器件
技术领域
本实用新型涉及发光器件，更具体地说，涉及配置用于改善散热效率、电学特性和机械稳定性的发光器件。
背景技术
近来，随着对小型高输出发光器件需求的日益增加，对于具有良好散热效率的大型倒装芯片式发光器件的需求也在增加。倒装芯片式发光器件包括直接与第二基底结合的电极，而且不需要用于从外部电源向倒装芯片式发光器件提供电力的导线，因此，其具有高于横向型发光器件的散热效率。因此，在高密度电流的应用下，倒装芯片式发光器件可以有效地将热向所述第二基底传导，并因此可适合用作高输出发光源。
此外，为了发光器件的尺寸减小和高输出，对芯片级封装的需求日益增加，在芯片级封装中，通过省略将所述发光器件封装在独立的壳体或类似物中的过程，所述发光器件自身被用作封装。特别地，由于倒装芯片式发光器件的电极可以提供与封装的引线类似的功能，因此倒装芯片式发光器件可以合适地应用于此类芯片级封装。
当此类芯片级封装类型的器件被用作高输出发光器件时，高密度电流被应用于所述芯片级封装。当高密度电流应用于所述封装时，从发光芯片中产生的热量也随所述电流成正比地增加，使得高输出发光器件的散热效率成为决定所述发光器件的可靠性的主要因素。因此，对具有高散热效率和良好机械稳定性以确保高可靠性的高输出芯片级封装存在需求。此外，当芯片级封装通过诸如焊料、粘浆等粘合材料安装在包括导体电路的板上时，粘合材料沿着芯片的电极和所述板的电路流动，由此造成电极间的短路。因此，需要具有良好的机械稳定性和电学稳定性的结构以防止在安装时发生短路。
实用新型内容
[技术问题]
通过防止电极间发生短路，示例性实施方案提供一种具有高散热效率以及优异的机械稳定性和电学稳定性的发光器件。
[技术方案]
根据本实用新型的一个方面，发光器件包括：
发光结构，其包括第一导电型半导体层、被设置在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、以及设置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的有源层；
第一接触电极，其电连接到所述第一导电型半导体层；
第二接触电极，其设置在所述第二导电型半导体层上并且电连接到所述第二导电型半导体层；
支撑结构，其包括第一体电极和第二体电极，所述第一体电极和所述第二体电极分别设置在所述第一接触电极和所述第二接触电极上以彼此分离并且电连接所述第一接触电极和所述第二接触电极；和
设置在所述支撑结构附近的基底，
其中所述基底包括分别电连接所述第一体电极和所述第二体电极的第一互连部分和第二互连部分，并且
所述第一互连部分与所述第二互连部分之间的距离不同于所述第一体电极与所述第二体电极之间的距离。
第一体电极可以包括朝向第二体电极的第一平面和与第一平面相对设置的第二平面；第二体电极可以包括朝向第一体电极的第三平面和与第三平面相对设置的第四平面；并且第一体电极和第二体电极可以分别包括从第一平面和第三平面的下边缘凹陷的第一凹陷部。在这种结构中，可以用绝缘部分来填充第一凹陷部，由此抑制诸如焊料的粘合材料流入第一体电极和第二体电极之间的空间。因此，可以防止第一体电极和第二体电极因粘合材料而断开。此外，可以增大第一体电极和第二体电极与所述绝缘部分之间的接触区域，从而改善第一体电极和第二体电极与绝缘部分之间的粘合。通过这种结构，发光器件可以确保机械稳定性。
第一凹陷部可以由单个平面构成。通过这种结构，第一体电极和第二体电极之间的距离可以逐渐减小，由此增加能够消散从发光器件产生的热量的散热区。此外，由于第一体电极和第二体电极的下表面之间的距离可以比上部区域之间的距离更大，因此可以防止第一体电极和第二体电极因诸如焊料的粘合材料而断开。
第一凹陷部可以由凸平面或凹平面构成。
第一凹陷部可由多个平面组成。在此结构中，第一和第二体电极与绝缘部分之间的接触区域进一步增大，从而进一步改善第一体电极和第二体电极与绝缘部分之间的粘合。因此，发光器件可确保机械稳定性。
第一和第二体电极可分别包括从第二和第四平面的下边缘凹陷的第二凹陷部。在此结构中，可利用绝缘部分填充第二凹陷部，从而抑制诸如焊料的粘合材料流向发光器件的外表面。此外，第一和第二体电极与绝缘部分之间的接触区域进一步增大，从而改善第一体电极和第二体电极与绝缘部分之间的粘合。利用此结构，发光器件可确保机械稳定性。
第一和第二体电极中的每一个均可包括上部区域和下部区域。
第一互连部分与第二互连部分之间的距离可大于上部区域之间的距离。
下部区域之间的距离可大于上部区域之间的距离。利用此结构，可更有效地防止当将第一和第二体电极安装在基底上时因诸如焊料的粘合材料导致的第一和第二体电极的断开。利用此结构，发光器件可确保电学稳定性。
上部区域之间的距离可为100μm或更小。在此范围内，第一和第二体电极可实现散热的进一步改善。
下部区域之间的距离可为250μm或更小。在此范围内，可防止第一和第二体电极因诸如焊料的粘合材料而断开。
第一互连部分与第二互连部分之间的距离可大于下部区域之间的距离。利用此结构，可更有效地防止第一和第二互连部分因诸如焊料的粘合材料而断开。此外，因为可防止粘合材料沿着第一和第二互连部分流入第一和第二体电极的下表面之间的区域，因此可更有效地防止第一和第二体电极断开。利用此结构，发光器件可确保电学稳定性。
第一体电极和第二体电极的厚度可分别为第一接触电极和第二接触电极的厚度的5至20倍。利用此结构，发光器件允许通过第一和第二体电极的侧表面有效地消散发光结构产生的热量，因此可防止由热量引起的破裂或损坏。
发光器件还可包括第一绝缘层，其覆盖发光结构的下表面以及第二接触电极的下表面及侧表面，并且设置在发光结构与第一接触电极之间以使第一接触电极与第二接触电极绝缘。
发光器件还可包括覆盖第一接触电极的一部分的第二绝缘层。第二绝缘层可更有效地防止第一接触电极和第二接触电极的断开，并可保护发光结构免受外部污染或撞击。
基底还可包括支撑第一互连部分和第二互连部分的基部，并可包括穿过基部形成的通孔。
通孔可被设置在第一体电极和第二体电极上。利用此结构，传递给第一体电极和第二体电极的热量可通过通孔的内部空间及设置在通孔内的第一互连部分和第二互连部分而有效地消散。
通孔不可在垂直方向上与第一体电极和第二体电极重叠。利用此结构，可以防止当将第一体电极和第二体电极安装在基底上时诸如焊料的粘合材料沿通孔向外流。此外，可防止第一体电极和第二体电极通过通孔因外部碰撞或污染物损坏。
第一和第二体电极中的每一个均可为单体层。利用此结构，可防止第一和第二体电极断开，同时通过调整下部区域的形状改善第一和第二体电极与基底的粘合，而不会在第一体电极和第二体电极的下侧形成单独层。
支撑结构还可包括设置在第一与第二体电极之间的绝缘部分。
发光器件还可包括位于第一体电极与第一互连部分之间以及位于第二体电极与第二互连部分之间的焊料。
[有利效果]
根据示例性实施例，由于第一和第二体电极的上部区域之间的距离相对短，因此发光器件允许由发光结构产生的热量有效地通过第一体电极和第二体电极的侧表面消散。因此，可防止发光器件因热而破裂或损坏。此外，由于第一和第二体电极的下部区域之间的距离相对较长，因此可以防止在将第一和第二体电极安装在基底上时第一和第二体电极因诸如焊料的粘合材料而断开。此外，由于第一互连部分和第二互连部分之间的距离相对较长，因此可以防止在将第一和第二体电极安装在基底上时第一和第二互连部分因诸如焊料的粘合材料而断开。利用此结构，发光器件可确保电学稳定性。
附图说明
图1和图2分别是根据另一示例性实施例的发光器件的平面图和横截面视图。
图3是根据又一示例性实施例的发光器件的剖面图。
图4是根据又一示例性实施例的发光器件的剖面图。
图5是根据又一示例性实施例的发光器件的剖面图。
图6是根据又一示例性实施例的发光器件的剖面图。
图7是根据又一示例性实施例的发光器件的剖面图。
图8是根据又一示例性实施例的发光器件的剖面图。
图9是其中应用有根据本实用新型的一些实施例的发光器件的示例性照明装置的分解透视图。
图10是其中应用有根据本实用新型的一些实施例的发光器件的示例性显示器件的剖视图。
图11是其中应用有根据本实用新型的一些实施例的发光器件的示例性显示器件的剖视图。
图12是其中应用有根据本实用新型的一些实施例的发光器件的示例性前灯的剖视图。
具体实施方式
下面将参照附图详细描述示例性实施例。下列实施例是以举例的方式来提供，以便向本实用新型所属领域的技术人员完全传达本实用新型的精神。因此，本实用新型不限于在此公开的实施例，而是还可以实现为不同的形式。在附图中，出于清楚及描述性目的，元件的宽度、长度、厚度等会被夸大。当元件或层被称作“置于另一元件或层的上方”或“置于另一元件或层之上”时，它可以被直接“置于另一元件或层的上方”或“置于另一元件或层之上”，或者可以存在中间元件或中间层。在整个说明书中，相似的附图标记指示具有相同或相似功能的类似元件。
图1和图2分别是根据另一示例性实施例的发光器件200a的平面图和横截面视图。图2是沿图1的线G-G′截取的横截面视图。将省略与上述示例性实施例的部件大体相同的部件的详细描述。
参照图1和图2，所述发光器件200a包括发光结构120、第一接触电极130、第二接触电极140、支撑结构310以及基底410。发光器件可进一步包括生长基底(未示出)和连接电极145。
发光结构120包括第一导电型半导体层121、置于第一导电型半导体层121上的有源层123以及置于有源层123上的第二导电型半导体层125。
发光结构120可包括通过部分去除第二导电型半导体层125和有源层123而形成的第一导电型半导体层121的部分暴露区域。例如，如图1所示，发光结构120可包括至少一个孔洞120a，其穿过第二导电型半导体层125和有源层123而形成以通过其暴露第一导电型半导体层121。发光结构120可包括多个孔洞120a，且孔洞120a的形状和排列并不限于附图中所示的。
发光结构120还可包括凹凸不平部120R。凹凸不平部120R可通过干法蚀刻、湿法蚀刻和电化学蚀刻中的至少一种来形成。例如，凹凸不平部120R可通过PEC蚀刻或通过在包含KOH和NaOH的蚀刻溶液中进行湿法蚀刻来形成。
发光结构120还可包括置于第一导电型半导体层121的上表面上的生长基底(未示出)。这种生长基底可在制造发光器件之后通过本领域已知的常规方法从发光结构120上去除。
第二接触电极140可设置在第二导电型半导体层125上并与之电连接。此外，该第二接触电极140可至少部分地覆盖第二导电型半导体层125的下表面。替代地，该第二接触电极140可设置成覆盖第二导电型半导体层125的整个下表面。此外，除了其中形成有发光结构120的第一导电型半导体层121的露出区域(例如孔洞120a)的区域之外，该第二接触电极140可在覆盖第二导电型半导体层125的下表面的区域中形成为单体层。采用该结构，该发光器件允许将电流均匀地供给发光结构120的整个区域，由此改进电流扩散效率。然而，应理解的是，本实用新型并不局限于此。替代地，第二接触电极140可由多个彼此隔开的单元电极构成。
第一接触电极130可电连接于第一导电型半导体层121。该第一接触电极130可通过第一导电型半导体层121的露出区域(例如孔洞120a)电连接于第一导电型半导体层121。第一接触电极130可设置在发光结构的整个上表面上。采用该结构，第一接触电极130可通过绝缘层(诸如下文描述的第一绝缘层150)与第二接触电极140绝缘。
参见图2，根据该示例性实施例的发光器件200a可进一步包括第一绝缘层150。第一绝缘层150覆盖发光结构120的下表面和第二接触电极140的下表面和侧表面，并且设置在发光结构120和第一接触电极130之间以使得第一接触电极130与第二接触电极140绝缘。第一绝缘层150可包括形成在某些位置处的开口150a、150b，以实现与第一导电型半导体层121和第二导电型半导体层125的电连接。例如，第一绝缘层150包括露出第一导电型半导体层121的开口150a和露出第二接触电极140的开口150b。第一绝缘层150可通过化学气相沉积(CVD)等方法由诸如SiO2的氧化物、诸如SiNx的氮化物、或者诸如MgF2的绝缘材料形成。第一绝缘层150可由单个层或多个层构成。此外，第一绝缘层150可包括其中低折射率材料层和高折射率材料层交替堆叠的分布式布拉格反射器(DBR)。
参见图2，根据该示例性实施例的发光器件200a可进一步包括第二绝缘层160。第二绝缘层160能更有效地防止第一接触电极130和第二接触电极140断开，同时起到保护发光结构免受外部污染物或碰撞的作用。第二绝缘层160可覆盖第一接触电极130的一部分。第二绝缘层160可包括露出第一接触电极130的开口160a和露出第二接触电极140的开口160b。第一接触电极130的侧壁可由第二绝缘层160覆盖。可通过将氧化物绝缘层、氮化物绝缘层或者诸如聚酰亚胺、聚四氟乙烯或聚对二甲苯的聚合物沉积在第一接触电极130上且随后进行图案化处理来制备第二绝缘层160。
支撑结构310可包括第一体电极311、第二体电极312以及绝缘支撑层313。根据该示例性实施例的第一体电极311、第二体电极312以及绝缘支撑层313可对应于根据上述示例性实施例的第一体电极171、第二体电极173以及绝缘支撑层180。
第一体电极311和第二体电极312可设置在发光结构120上并且彼此分开以分别设置在第一接触电极130和第二接触电极140上。第一体电极311和第二体电极312由金属材料形成并且通常具有比发光结构120更大的厚度。第一体电极311和第二体电极312可分别电连接于第一接触电极130和第二接触电极140，并且由此可分别电连接于第一导电型半导体层121和第二导电型半导体层125。第一体电极311和第二体电极312使得能够有效地消散由发光结构120产生的热量，并且可包括具有与发光结构120的热膨胀系数类似的热膨胀系数的材料。
第一体电极311和第二体电极312可比第一接触电极130和第二接触电极140更厚，以便于散热。确切地说，第一体电极311和第二体电极312的厚度可以分别是第一接触电极130和第二接触电极140的厚度的5倍至20倍。采用该结构，发光器件允许从发光结构120产生的热量通过第一体电极311和第二体电极312的侧表面有效地消散至外部，由此防止由于热量而开裂或故障。
第一体电极311可包括下部区域311a和上部区域311b，而第二体电极312可包含下部区域312a和上部区域312b。第一体电极311和第二体电极312中的每一个均可形成为单体层。参照图2，第一体电极311的下部区域311a和第二体电极312的下部区域312a可以设置在下述基底410附近，第一体电极311的上部区域311b和第二体电极312的上部区域312b可以设置在发光结构120附近。下部区域311a、312a可分别包含第一体电极311和第二体电极312的下表面。确切地说，下部区域311a、312a的下表面可以与所述第一体电极311和第二体电极312的下表面重合。采用这种结构，发光器件能防止第一体电极311和第二体电极312断开，且可以通过调整下部区域311a、312a的构造改善与基底410的粘合，而无需在第一体电极311和第二体电极312的下表面上形成单独的层。
在各个示例性实施例中，第一体电极311的下部区域311a和上部区域311b可以分别对应于上述示例性实施例中的第一体电极171和第一垫电极191。类似地，第二体电极312的下部区域312a和上部区域312b可以分别对应于上述示例性实施例中的第二体电极173和第二垫电极193。下部区域311a或312a可以由与上部区域311b或312b不同的材料形成。
第一体电极的下部区域311a与第二体电极的下部区域312a之间的距离L2可以大于第一体电极的上部区域311b和第二体电极的上部区域312b之间的距离L1。由于上部区域311b与312b之间的距离L1相对较短，发光结构120产生的热量能通过第一体电极311和第二体电极312的侧表面有效地消散。采用这种结构，发光器件能免受由热量引起的破裂或损坏。由于下部区域311a和312a之间的距离L2相对较长，因此可以防止当通过焊料结合或共晶结合将第一体电极311和第二体电极312安装在基底410上时因诸如焊料的粘合材料引起的第一体电极311和第二体电极312的断开。采用这种结构，发光器件能够确保电学稳定性。
第一体电极311包括朝向第二体电极312的第一平面以及设置成与第一平面相对的第二平面；第二体电极312包括朝向第一体电极311的第三平面以及设置成与第三平面相对的第四平面。第一体电极311和第二体电极312可分别包括从第一平面和第三平面的下边缘凹陷的第一凹陷部h1。参照图2，第一凹陷部h1可以由多个平面构成。确切地说，第一凹陷部h1可包括与第一体电极311和第二体电极312的第一平面和第三平面平行的平面，以及与第一体电极311和第二体电极312的下表面平行的平面。采用上述凹陷结构，第一凹陷部h1可用下述绝缘支撑层313填充，从而抑制诸如焊料的粘合材料流入第一体电极311和第二体电极312之间的空间。相应地，可以防止第一体电极311和第二体电极312因粘合材料而断开。此外，第一体电极311和第二体电极312与绝缘支撑层313之间的接触区域可以被增大，从而改善第一体电极311和第二体电极312与绝缘部分之间的粘合。采用这种结构，发光器件能够确保机械稳定性。第一凹陷部h1可以使用光刻胶通过蚀刻工艺来形成，但不限定于此。
上部区域311b和312b之间的距离L1可以是100μm或更小。在该范围内，来自第一体电极311和第二体电极312的散热可进一步改善。下部区域311a和312a之间的距离L2可以是250μm或更小。在该范围内，可以有效防止第一体电极311和第二体电极312因诸如焊料的粘合材料而断开。
绝缘支撑层313可设置在第一体电极311和第二体电极312之间。绝缘支撑层313可包括上部绝缘支撑层313a和下部绝缘支撑层313b。根据本示例性实施例的上部绝缘支撑层313a和下部绝缘支撑层313b可分别对应于下部绝缘支撑层181和上部绝缘支撑层183。绝缘支撑层313使第一体电极311和第二体电极312彼此绝缘，从而使第一接触电极130和第二接触电极140彼此绝缘，并且填充第一体电极311和第二体电极312之间的空间以提高耐用性，同时缓解由第一体电极311和第二体电极312的热膨胀引起的应力。另外，如图2所示，绝缘支撑层313可被配置成不仅围绕第一体电极311和第二体电极312之间的空间，同时也围绕第一体电极311和第二体电极312的整个侧表面。借助这种结构，发光器件可以得以免受外部污染物或撞击影响。绝缘支撑层313可包括环氧模塑化合物(EMC)。可以涂覆绝缘支撑层313以覆盖第一体电极311和第二体电极312的下表面。在本示例性实施例中，可以通过研磨或化学机械抛光使绝缘支撑层313的下表面平坦化，并且可暴露第一体电极311和第二体电极312。
基底410可邻近支撑结构310而设置。基底410可以包括与第一体电极311电连接的第一互连部分411和与第二体电极312电连接的第二互连部分412。第一互连部分411和第二互连部分412可以设置在基底410的基部413上，但不局限于此。第一互连部分411和第二互连部分412可以包括具有高导电性的材料，例如铜、金、银、铂、铝等。基底410的基部413可以包括陶瓷材料，并且可以包括金属材料，以改善发光器件的散热。第一体电极311和第二体电极312可以通过焊接结合或共晶结合安装在基底410上，但不限于此。例如，对于焊接结合而言，焊料S可以被设置在第一体电极311和第一互连部分411之间以及设置在第二体电极312和第二互连部分412之间。
第一互连部分411和第二互连部分412之间的距离L3可以大于上部区域311b和312b之间的距离L1。由于第一互连部分411和第二互连部分412之间的距离L3相对较长，因此可以防止当通过焊接结合或共晶结合将第一体电极311和第二体电极312安装在基底410上时第一体电极311和第二体电极312由于粘合材料(诸如焊料)引起的断开。采用这种结构，发光器件能够确保电学稳定性。
图3是根据又一示例性实施例的发光器件的剖视图。图3所示的发光器件基本类似于在图1和图2中示出的发光器件，并且还包括从第一体电极311的第二平面的下边缘以及从第二体电极312的第四平面的下边缘凹陷的第二凹陷部h2。参照图3，第二凹陷部h2可以由多个平面构成。确切地说，第二凹陷部h2可以包括平行于第一体电极311和第二体电极312的第二平面和第四平面的平面，以及平行于第一体电极311和第二体电极312的下表面的平面。借助上述凹陷结构，第二凹陷部h2可以被填充以下述绝缘支撑层313，从而抑制粘合材料(诸如焊料)流向发光器件的外表面。相应地，可以防止第一体电极311和第二体电极312因粘合材料而断开。进一步地，第一体电极311和第二体电极312与绝缘支撑层313之间的接触区域可进一步增大，从而改善第一体电极311和第二体电极312与绝缘部分之间的粘合。采用这种结构，发光器件能够确保机械稳定性。
图4和图5是根据其他示例性实施例的发光器件的剖视图。除了第一凹陷部h1是由单个平面或凹平面构成之外，图4和图5中示出的发光器件基本类似于在图1和图2中示出的发光器件。确切的说，图4中示出的发光器件的第一凹陷部h1可以具有单刨床倒角面。图5中示出的发光器件的第一凹陷部h1可以形成为凹状，其倾斜度朝向第一体电极311和第二体电极312的下表面逐渐增加。可替代地，虽然在附图中未示出，第一凹陷部h1可以由凸平面构成。确切的说，第一凹陷部h1可以形成为凸形，其倾斜度朝向第一体电极311和第二体电极312的下表面逐渐减小。采用这种结构，由于第一体电极311和第二体电极312之间的距离可逐渐减少，因此能够消散从发光器件发出的热量的部分可以得到增加。同时，由于第一体电极311和第二体电极312的下表面之间的距离可以大于上部区域311b、312b之间的距离，因此仍然可以防止第一体电极311和第二体电极312由于诸如焊料的粘合材料引起的断开。
图6是根据又一示例性实施例的发光器件的剖视图。除了第一互连部分411与第二互连部分412之间的距离L3可大于下部区域311a与312a之间的距离L2外，图6所示的发光器件大体与图1及图2所示的发光器件相似。在该结构中，由于第一互连部分411与第二互连部分412之间的距离L3相对较长，因此可以更有效地防止当通过焊接结合或共晶结合将第一体电极311和第二体电极312安装在基底410上时由诸如焊料的粘合材料引起的第一互连部分411和第二互连部分412之间的断开。另外，由于可防止粘合材料沿着第一互连部分411和第二互连部分412流入第一体电极311和第二体电极312的下表面之间的区域，因此可更加有效地防止第一体电极311和第二体电极312的断开。通过本结构，发光器件可确保电学稳定性。
图7是根据又一示例性实施例的发光器件的剖视图。参照图7，根据本示例性实施例的基底410还包括支撑第一互连部分411和第二互连部分412的基部413。基底410可包括穿过基部413形成的通孔V，其中通孔V可设置在第一体电极311和第二体电极312上。确切的说，基部413可包括陶瓷材料，但不限于此。参照图7，基部413可包括诸如铜等金属材料，以提高发光器件的散热性能。在本示例性实施例中，为了防止第一互连部分411和第二互连部分412通过基部413而断开，可将绝缘材料放置在第一互连部分411和第二互连部分412与基部413之间。如图7所示，通孔V的内表面可被第一互连部分411或第二互连部分412覆盖。另外，虽然通孔V被示出为中空的孔洞，但是应该理解本实用新型并不局限于此。可替换地，通孔V的内部可用导电材料进行填充。通孔V可设置为在垂直方向上与第一体电极311和第二体电极312重叠。通过本结构，发光器件允许传导至第一体电极311和第二体电极312的热量通过通孔V的内部空间及设置在通孔V内部的第一互连部分411和第二互连部分412有效地消散。通过本结构，发光器件可免受由热量引起的破裂或损坏。
图8是根据又一示例性实施例的发光器件的剖视图。虽然图8所示的发光器件类似于图6所示的发光器件，但是两者的差异在于通孔V并不在垂直方向上与第一体电极311和第二体电极312重叠。根据本示例性实施例，可以防止在将第一体电极311和第二体电极312安装在基底410上的过程中诸如焊料的粘合材料沿着通孔V流向外部。另外，可以防止第一体电极311和第二体电极312通过通孔V因外部撞击或污染物造成损坏。
图9是其中应用了根据本实用新型的一些实施例的发光器件的示例性照明装置的分解透视图。
参照图9，根据本实施例的照明装置包括漫射盖板1010、发光二极管模块1020和主体1030。主体1030可容纳发光二极管模块1020，漫射盖板1010可设置在主体1030上，以覆盖发光二极管模块1020的上侧。
主体1030可具有任何形状，只要主体能够为发光二极管模块1020提供电力，同时容纳和支撑发光二极管模块1020。例如，如附图所示，主体1030可包括主体外壳1031、电源1033、电源外壳1035和电源连接部分1037。
电源1033容纳于电源外壳1035中以电连接至发光二极管模块1020，并可包括至少一个IC芯片。该IC芯片可调节、更改或控制提供给发光二极管模块1020的电力。电源外壳1035可容纳并支撑电源1033。将电源1033固定在其中的电源外壳1035可设置在主体外壳1031内。电源连接部分1037设置在电源外壳1035的下端上，并与其耦联。因此，电源连接部分1037电连接位于电源外壳1035内的电源1033，且可以充当将电力从外部电源供给电源1033的通路。
发光二极管模块1020包括基底1023和设置在基底1023上的发光二极管1021。发光二极管模块1020可设置在主体外壳1031的上部上，并电连接至电源1033。
任何能够支撑发光二极管1021的基底均可用作基底1023，而不受任何限制。例如，基底1023可包括具有形成于其上的互连件的印刷电路板。基底1023可具有对应于在主体外壳1031的上部形成的固定部分的形状，以稳定地紧固至主体外壳1031上。发光二极管1021可包括根据上述实施例的发光器件和发光二极管中的至少一种。
漫射盖板1010设置在发光二极管1021上，并可固定至主体外壳1031上以覆盖发光二极管1021。漫射盖板1010可由透光材料形成或包括透光材料，而且照明装置的光方向可通过调节漫射盖板1010的形状和光透射率来进行调整。这样，可以根据照明装置的用途和应用场合将漫射盖板1010修改成各种形状。
图10是其中应用了根据本实用新型的一些实施例的发光器件的示例性显示器件的剖视图。
根据本实施例的显示器件包括显示面板2110、为显示面板2110提供光的背光单元、以及支撑显示面板2110的下边缘的面板引导件。
显示面板2110没有特殊限制，且例如可以是包含液晶层的液晶面板。可以进一步在显示面板2110的边缘上设置栅极驱动印刷电路板，以向栅极线提供驱动信号。在此，栅极驱动印刷电路板2112和2113可在薄膜晶体管基底上形成，而无需形成在单独的印刷电路板上。
背光单元包括光源模块，该光源模块包括至少一个基底和多个发光二极管2160。背光单元还可包括底部盖板2180、反射片2170、漫射板2131和光学片2130。
底部盖板2180可在其上侧开放以容纳基底、发光二极管2160、反射片2170、漫射板2131和光学片2130。此外，底部盖板2180可耦联面板引导件。基底可设置在反射片2170下方以由反射片2170所包围。然而，应当理解也可以存在其他实施方式。当反射材料涂覆在其表面上时，基底可设置在反射片2170上。此外，在本实施例中，可以以相互平行的方式设置多个基底。然而，应当理解也可以存在其他实施方式，且光源模块可包括单个基底。
发光二极管2160可包括根据上述实施例的发光器件及发光二极管中的至少一种。发光二极管2160可以按照预定图案以规则图案设置在基底上。另外，在各个发光二极管2160上设置透镜2210以提高从多个发光二极管2160发出的光的均匀性。
漫射板2131和光学片2130设置在发光二极管2160上。发光二极管2160所发射出的光可以片光的形式通过漫射板2131和光学片2130提供给显示面板2110。
通过这种方式，根据本实用新型实施例的发光二极管可应用于直下型显示器，正如根据本实施例的显示器。
图11是其中应用了根据本实用新型的一些实施例的发光器件的示例性显示器件的剖视图。
根据本实施例的显示器件包括显示面板3210以及背光单元，其中图像在显示面板3210上进行显示，背光单元设置在显示面板3210的后侧且将光发射至显示面板3210。此外，显示器件包括支撑显示面板3210和容纳背光单元的框架240，以及包围显示面板3210的盖板3240和3280。
显示面板3210没有特殊限制，且例如可以是或者包括包含液晶层的液晶面板。栅极驱动印刷电路板可进一步设置在显示面板3210的边缘上，以向栅极线提供驱动信号。在此，栅极驱动印刷电路板可在薄膜晶体管基底上形成，而无需形成在单独的印刷电路板上。显示面板3210由设置在其上侧和下侧上的盖板3240和3280固定住，且设置在显示面板3210的下侧的盖板3280可耦联至背光单元上。
为显示面板3210提供光的背光单元包括在其上侧部分开放的下盖板3270、设置在下盖板3270内部一侧的光源模块、以及设置为平行于光源模块且将点光转变成片光的导光板3250。另外，根据本实施例的背光单元还可包括设置在导光板3250上以分散和收集光的光学片3230，以及设置在导光板3250的下侧且将沿导光板3250的向下方向行进的光朝向显示面板3210反射的反射片3260。
光源模块包括基底3220以及按照固定间隔设置在基底3220的一个表面上的多个发光二极管3110。任何能够支撑发光二极管3110并与之电连接的基底均可用作基底3220，而不受任何限制。例如，基底3220可包括印刷电路板。
发光二极管3110可包括根据本实用新型的上述实施例的发光器件及发光二极管中的至少一种。光源模块所发射出的光进入导光板3250，并通过光学片3230被提供给显示面板3210。导光板3250及光学片3230将发光二极管3110所发射出的点光转变成片光。
通过这种方式，根据实施例的发光二极管可被应用于侧光型显示器，正如根据本实施例的显示器。
图12是其中应用了根据本实用新型的一些实施例的发光器件的示例性前灯的剖视图。
参考图12，前灯包括灯体4070、基底4020、发光二极管4010和封盖透镜4050。前灯还可包括散热单元4030、支架4060和连接构件4040。
基底4020由支架4060固定并且设置在灯体4070之上。任何能够支撑发光二极管4010的构件均可用作基底4020，而不受任何限制。例如，基底4020可以是或包括具有导电图案的基底，诸如印刷电路板。发光二极管4010设置在基底4020上并且可由基底4020支撑和固定。另外，发光二极管4010可通过基底4020的导电图案电连接外部电源。另外，发光二极管4010可包括根据本实用新型的上述实施例的发光器件和发光二极管中的至少一种。
封盖透镜4050被设置在从发光二极管4010发出的光的路径上。例如，如图中所示，封盖透镜4050可通过连接构件4040与发光二极管4010分隔开，并且可沿由发光二极管4010发出的光的供应方向设置。通过封盖透镜4050，可调整由前灯发出的光的方位角和/或颜色。另一方面，连接构件4040被设置成将封盖透镜4050固定到基底4020上，同时包围发光二极管4010，且因此可充当提供发光路径4045的光引导件。连接构件4040可由反光材料形成或包括反光材料，或者涂覆有反光材料。另一方面，散热单元4030可包括散热鳍4031和/或散热风扇4033，并且消散发光二极管4010工作时产生的热量。
通过这种方式，根据本实用新型实施例的发光二极管可应用于前灯上，具体地应用于车辆前灯上，正如根据本实施例的显示器件。
虽然在此公开了一些示例性实施例，但是应当了解这些实施例并不希望具有排他性。例如，特定实施例的单个结构、元件或特征不限于该特定实施例，并且在不背离本实用新型的精神和范围的前提下可应用于其他实施例。

Claims (20)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：
发光结构，其包括第一导电型半导体层、被设置在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、以及设置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的有源层；
第一接触电极，其电连接到所述第一导电型半导体层；
第二接触电极，其设置在所述第二导电型半导体层上并且电连接到所述第二导电型半导体层；
支撑结构，其包括第一体电极和第二体电极，所述第一体电极和所述第二体电极分别设置在所述第一接触电极和所述第二接触电极上以彼此分离并且电连接所述第一接触电极和所述第二接触电极；和
设置在所述支撑结构附近的基底，
其中所述基底包括分别电连接所述第一体电极和所述第二体电极的第一互连部分和第二互连部分，并且
所述第一互连部分与所述第二互连部分之间的距离不同于所述第一体电极与所述第二体电极之间的距离。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第一体电极包括面向所述第二体电极的第一平面和与所述第一平面相对设置的第二平面；
所述第二体电极包括面向所述第一体电极的第三平面和与所述第三平面相对设置的第四平面；并且
所述第一体电极和所述第二体电极包括分别从所述第一平面和所述第三平面的下边缘凹陷的第一凹陷部。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一凹陷部由单个平面组成。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一凹陷部由凸平面或凹平面组成。
5.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一凹陷部由多个平面组成。
6.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一体电极和所述第二体电极中的每一个分别包括从所述第二平面和所述第四平面的下边缘凹陷的第二凹陷部。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一体电极和所述第二体电极中的每一个均包括上部区域和下部区域。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述第一互连部分与所述第二互连部分之间的所述距离大于所述上部区域之间的距离。
9.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述下部区域之间的距离大于所述上部区域之间的所述距离。
10.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述上部区域之间的所述距离是100μm或更小。
11.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述下部区域之间的所述距离是250μm或更小。
12.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述第一互连部分与所述第二互连部分之间的所述距离大于所述下部区域之间的距离。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一体电极和所述第二体电极的厚度分别为所述第一接触电极和所述第二接触电极的厚度的5至20倍。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括：
第一绝缘层，其覆盖所述发光结构的下表面和所述第二接触电极的下表面及侧表面，并且设置在所述发光结构与所述第一接触电极之间以将所述第一接触电极与所述第二接触电极绝缘。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括：覆盖所述第一接触电极的一部分的第二绝缘层。
16.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述基底还包括支撑所述第一互连部分和所述第二互连部分的基部，所述基底包括穿过所述基部形成的通孔。
17.根据权利要求16所述的发光器件，其特征在于，所述通孔设置在所述第一体电极和所述第二体电极上。
18.根据权利要求16所述的发光器件，其特征在于，所述通孔在垂直方向上不与所述第一体电极和所述第二体电极重叠。
19.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述支撑结构还包括设置在所述第一体电极和所述第二体电极之间的绝缘部分。
20.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括：
位于所述第一体电极和所述第一互连部分之间且位于所述第二体电极和所述第二互连部分之间的焊料。
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