CN111863832A - 显示面板及其制造方法、电子设备 - Google Patents

显示面板及其制造方法、电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN111863832A
CN111863832A CN201910360515.5A CN201910360515A CN111863832A CN 111863832 A CN111863832 A CN 111863832A CN 201910360515 A CN201910360515 A CN 201910360515A CN 111863832 A CN111863832 A CN 111863832A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
layer
common electrode
emitting chip
array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910360515.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111863832B (zh
Inventor
姚志博
樊腾
郭恩卿
李之升
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Yungu Guan Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yungu Guan Technology Co Ltd filed Critical Yungu Guan Technology Co Ltd
Priority to CN201910360515.5A priority Critical patent/CN111863832B/zh
Publication of CN111863832A publication Critical patent/CN111863832A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111863832B publication Critical patent/CN111863832B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示面板及其制造方法、电子设备，制造方法包括：提供驱动背板，驱动背板上具有多个分立的阵列电极；在驱动背板上形成间隔部，间隔部内具有若干个贯穿所述间隔部的开口，且开口暴露出阵列电极；提供多个发光芯片，发光芯片包括下电极以及位于下电极上的功能层；将发光芯片固定置于阵列电极上，且阵列电极与下电极电连接；形成公共电极层，公共电极层覆盖多个发光芯片顶部表面以及间隔部顶部表面，且公共电极层与功能层电连接。本发明能够形成具有整面连续完整膜层的公共电极层，从而改善显示面板的质量。

Description

显示面板及其制造方法、电子设备
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法、电子设备。
背景技术
随着发光二极管(LED，Light Emitting Diode)芯片工艺技术的日益进步，以LED作为发光像素的LED显示技术成为可能，其中，微发光二极管(Micro-LED)为LED显示技术中常用的器件之一。
目前，微发光二极管显示面板的开发多基于倒装LED芯片技术，倒装LED芯片技术中，P型电极和N型电极(以下简称P/N电极)处于LED芯片同侧，在将P/N电极焊接至驱动背板上时，对焊接精度以及避免短路等方面有着较高的要求相应的焊接难度大；并且倒装LED芯片的芯片尺寸较大，限制了其在高分辨率Micro-LED显示屏体中的应用。与倒装LED芯片技术不同的是，垂直LED芯片中P/N电极分别处于LED芯片相对的两侧，使得垂直LED芯片具备更小的芯片尺寸，且在将垂直LED芯片焊接至驱动背板上时，对焊接精度的要求较低，因此，垂直LED芯片在高分辨率Micro-LED显示屏体的开发中有着更大的优势和应用前景。
然而，目前基于垂直LED芯片制造的显示面板仍存在需要改进的地方。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制造方法、电子设备，改善显示面板的性能，提高显示面板的可靠性。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种显示面板，包括：驱动背板，所述驱动背板上具有多个分立的阵列电极；间隔部，所述间隔部位于所述驱动背板上，所述间隔部暴露出每一所述阵列电极，且部分所述间隔部还位于相邻阵列电极之间；多个发光芯片，所述发光芯片固定置于所述阵列电极上，所述发光芯片包括下电极以及位于所述下电极上的功能层，且所述阵列电极与所述下电极电连接；公共电极层，所述公共电极层覆盖所述多个发光芯片顶部表面以及所述间隔部顶部表面，且所述公共电极层与所述功能层电连接。间隔部为公共电极层提供支撑作用，保证公共电极层为连续完整膜层，能够有效实现与所有发光芯片的功能层之间的电连接，且防止由于公共电极层塌陷而导致的公共电极层与下电极之间短路的问题。因此，本发明实施例提供了一种结构性能优越的显示面板。
另外，多个所述阵列电极在所述驱动背板上呈阵列式分布；所述间隔部呈网格结构，所述阵列电极对应位于所述网格结构的网口中。
另外，所述间隔部覆盖所述阵列电极的侧壁表面；或者，所述间隔部覆盖所述阵列电极的侧壁表面以及部分顶部表面；或者，所述间隔部暴露出所述阵列电极的顶部表面以及侧壁表面，且还暴露出部分驱动背板表面。
另外，在垂直于所述发光芯片侧壁方向上，所述间隙的宽度范围为0.1μm～3μm。如此，在避免发光芯片受到损伤的同时，能够有效的防止公共电极层在间隙处发生塌陷，从而进一步的保证公共电极层的连续完整性。
另外，所述间隔部顶部表面低于或者齐平于所述发光芯片顶部表面；在垂直于所述驱动背板表面方向上，所述间隔部顶部表面与所述发光芯片顶部表面之间的高度差的绝对值小于或等于2μm。如此，间隔部顶部表面与发光芯片顶部表面之间构成的台阶高度小，有利于进一步的保证公共电极层的连续完整性，进一步的保证公共电极层为整面完整覆盖所有发光芯片的膜层。
另外，所述发光芯片朝向所述间隔部的侧壁与所述间隔部朝向所述发光芯片的侧壁之间具有间隙；所述显示面板还包括：填充所述间隙的间隙填充层；优选的，所述公共电极层还覆盖所述间隙填充层顶部表面。
本发明实施例还提供一种显示面板的制造方法，包括：提供驱动背板，所述驱动背板上具有多个分立的阵列电极；在所述驱动背板上形成间隔部，所述间隔部内具有若干个贯穿所述间隔部的开口，且所述开口暴露出所述阵列电极；提供多个发光芯片，所述发光芯片包括下电极以及位于下电极上的功能层；将所述发光芯片固定置于所述阵列电极上，且所述阵列电极与所述下电极电连接；形成公共电极层，所述公共电极层覆盖所述多个发光芯片顶部表面以及所述间隔部顶部表面，公共电极层与功能层电连接。发光芯片固定置于间隔部内的开口暴露出的阵列电极上，使得相邻发光芯片之间的区域由部分间隔部占据；形成覆盖多个发光芯片顶部表面的公共电极层的工艺步骤中，间隔部为公共电极层提供支撑作用，保证公共电极层为完整连续的膜层，从而保证公共电极层与所有发光芯片的功能层之间实现有效的电连接；并且，由于间隔部的支撑作用，能够减小公共电极层塌陷的概率，从而防止公共电极层与下电极侧壁相接触，避免公共电极层与下电极之间发生短路。因此，采用本发明实施例提供的制造方法有利于降低制造工艺难度，且制造的显示面板具有高可靠性，显示面板的性能优良。
另外，在形成所述间隔部之后，将所述发光芯片固定置于所述阵列电极上；优选的，采用光刻工艺、刻蚀工艺或者纳米压印工艺，形成所述间隔部。在固定发光芯片之前先形成间隔部，能够避免将发光芯片置于形成间隔部的工艺环境中，从而避免发光芯片受到工艺损伤。
另外，在将所述发光芯片固定置于所述阵列电极上后，所述发光芯片朝向所述间隔部的侧壁与所述间隔部朝向所述发光芯片的侧壁之间具有间隙。如此，能够防止间隔部触碰到发光芯片侧壁，从而避免发光芯片受到损伤。
另外，在垂直于所述发光芯片侧壁方向上，所述间隙的宽度范围为0.1μm～3μm。如此，在避免发光芯片受到损伤的同时，能够有效的防止后续形成的公共电极层在间隙处发生塌陷，从而进一步的保证公共电极层的连续完整性。
另外，所述间隔部顶部表面高于、低于或者齐平于所述发光芯片顶部表面；在垂直于所述驱动背板表面方向上，所述间隔部顶部表面与所述发光芯片顶部表面之间的高度差的绝对值小于或等于2μm。如此，间隔部顶部表面与发光芯片顶部表面之间构成的台阶高度小，有利于进一步的保证公共电极层的连续完整性，进一步的保证公共电极层为整面完整覆盖所有发光芯片的膜层。
另外，在形成所述公共电极层之前，还形成填充所述间隙的间隙填充层，所述间隙填充层覆盖所述下电极侧壁表面；优选的，在形成所述公共电极层的工艺步骤中，所述公共电极层还覆盖所述间隙填充层顶部表面。该间隙填充层不仅能够进一步的避免公共电极层与下电极之间发生短路，且间隙填充层也能够为公共电极层提供支撑作用，有利于进一步的保证公共电极层的连续完整性。
另外，采用光刻工艺、刻蚀工艺或者喷墨打印工艺，形成所述间隙填充层。
另外，在垂直于所述驱动背板表面方向上，所述开口的剖面形状为倒梯形。如此，有利于增加后续将发光芯片固定置于阵列电极上的工艺窗口，减小工艺难度。
另外，所述间隔部的材料为绝缘材料；所述间隙填充层的材料为绝缘材料。
相应的，本发明实施例还提供一种包括上述显示面板的电子设备。
与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：
上述技术方案中，由于相邻发光芯片之间形成有间隔部，发光芯片与邻近的间隔部之间的距离明显小于发光芯片与邻近的发光芯片之间的距离，因此本发明实施例中通过在相邻发光芯片之间形成间隔部，能够保证发光芯片与间隔部之间具有的间隙宽度小甚至没有间隙。当具有间隙时，该宽度小的间隙能够为公共电极层提供有效的支撑作用，保证在形成公共电极层的工艺步骤能够形成整面连续且完全覆盖发光芯片顶部表面的膜层，该膜层作为公共电极层满足工艺要求；此外，由于发光芯片与间隔部之间的间隙宽度小，从而能够避免形成公共电极层的工艺步骤中在该间隙处发生塌陷的问题，进而避免公共电极层与下电极接触造成的短路问题，保证公共电极层与下电极之间的信号互不干扰。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为一种Micro-LED显示面板的剖面结构示意图；
图2至图10为本发明一实施例提供的显示面板制造方法各步骤对应的结构示意图；
图11至图14为本发明另一实施例提供的显示面板的制造过程的各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
目前基于垂直LED芯片的Micro-LED显示面板的开发仍存在较大工艺难度。图1为一种Micro-LED显示面板的剖面结构示意图，参考图1，显示面板包括：驱动背板10；位于驱动背板10上的多个分立的阵列电极11；LED芯片，LED芯片包括下电极14、上电极以及位于下电极14与上电极之间的功能层15，下电极14通过焊柱12与阵列电极11电连接；位于其中一个阵列电极11顶部表面的公共电极柱13；公共电极层16的一部分作为上电极，且公共电极层16还覆盖公共电极柱13顶部表面。
其中，公共电极层16需要完全覆盖在驱动背板10上的所有LED芯片以形成整面连续的上公共电极；并且，为防止短路问题公共电极层16不能与下电极14相接触。然而，在实际制造过程中发现，难以形成整面连续的上公共电极，且还存在公共电极层16与底电极14之间短路的问题。
分析，造成上述问题的原因包括：由于相邻LED芯片之间具有较大的间隙区域17，该间隙区域17难以为公共电极层16提供足够的支撑，因而难以形成整面连续且覆盖所有LED芯片的上公共电极；并且，上公共电极还可能会在该间隙区域17形成塌陷，与下电极接触而引发短路问题。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种显示面板的制造方法，提供驱动背板，所述驱动背板上具有多个分立的阵列电极；在所述驱动背板上形成间隔部，所述间隔部内具有若干个贯穿所述间隔部的开口，且所述开口暴露出所述阵列电极；提供多个发光芯片，所述发光芯片包括下电极以及位于下电极上的功能层；将所述发光芯片固定置于所述阵列电极上，且所述阵列电极与所述下电极电连接；形成公共电极层，所述公共电极层覆盖所述多个发光芯片顶部表面以及所述间隔部顶部表面，且公共电极层与功能层电连接。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图2至图10为本发明一实施例提供的显示面板制造方法各步骤对应的结构示意图。
参考图2及图3，图2为俯视结构示意图，图3为图2中沿AA1方向切割的剖面结构示意图，提供驱动背板100，所述驱动背板100上具有多个分立的阵列电极101。
本实施例中，以制造的显示面板为Micro-LED显示面板为例。在其他实施例中，制造的显示面板还可以为Mini-LED显示面板。
驱动背板100用于为后续提供的发光芯片提供驱动信号。按照制作类型区分，驱动背板100的类型包括PCB(Printed Circuit Board)驱动背板、柔性电路(FPC，FlexiblePrinted Circuit)驱动背板、玻璃(glass)驱动背板或者CMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor)驱动背板。按照是否适用柔性显示区分，驱动背板100可以为可折叠可卷曲的柔性驱动背板，也可以为硬性驱动背板。
需要说明的是，可以根据显示面板的具体使用场景以及性能要求，合理选择驱动背板的类型。
每一阵列电极101用于与后续提供的发光芯片的下电极电连接，便于驱动背板100向发光芯片下电极提供驱动信号。相应的，本实施例中，阵列电极101的数量与后续需固定设置的发光芯片的数量相同。
本实施例中，多个分立的阵列电极101在驱动背板100上呈阵列式分布。具体地，多个分立的阵列电极101包括：沿X方向排列的多列阵列电极101，沿Y方向排列的多行阵列电极101，且X方向与Y方向相垂直。其中，每一行阵列电极101中的所有阵列电极101沿X方向排列，每一列阵列电极101中的所有阵列电极101沿Y方向排列。
多个阵列电极101在驱动背板100上呈阵列式分布，有利于降低后续将发光芯片固定置于阵列电极上的难度，且有利于提高显示面板中发光芯片的密度。需要说明的是，在其他实施例中，还可以按照实际需求，合理设置阵列电极的位置。
本实施例中，驱动背板100还上具有至少一个底电极111，该底电极111用于与后续提供的发光芯片的上电极电连接，便于驱动背板100向发光芯片上电极提供驱动信号。需要说明的是，在其他实施例中，驱动背板上也可以不设置底电极，可以利用外部驱动电路向发光芯片上电极提供驱动信号。
本实施例中，底电极111与阵列电极101在驱动背板100上呈阵列式分布构成阵列结构，相应的，底电极111的数量为多个。图2示出的多个底电极111为一列底电极111，且该列底电极111中的多个底电极111沿Y方向排列。需要说明的是，在其他实施例中，底电极还可以为阵列结构中的一行底电极，且该行底电极中的多个底电极沿X方向排列，或者，在阵列结构的同一行或者同一列中，可以既有阵列电极又有底电极。
需要说明的是，为了尽量减小底电极111以及后续在底电极111上形成的公共电极柱对发光芯片布局的影响，通常的，底电极111处于底电极111与阵列电极101构成的阵列结构的最外侧。在其他实施例中，也可以将底电极设置于阵列结构中的任一行或任一列中。
参考图4及图5，图5为图4中沿AA1方向切割的剖面结构示意图，在所述驱动背板100上形成间隔部102，所述间隔部102内具有若干个贯穿所述间隔部102的开口112，且所述开口112暴露出所述阵列电极101。
与不形成间隔部的方案相比，由于间隔部102占据相邻阵列电极101之间的区域位置，因此后续在阵列电极101上固定设置发光芯片后，相邻发光芯片之间的间隙区域明显减小。
本实施例中，由于阵列电极101在驱动背板100上呈阵列式分布，且间隔部102中的开口112的数量和位置与底电极101的数量和位置相对应，因此，间隔部102中的开口112也在驱动背板100上呈阵列式分布，所述间隔部102呈网格结构，且网格结构中的网口对应露出阵列电极101，该网口即为开口112。网格结构可以为井字网格结构，也可以为菱形网格结构，根据阵列电极101的不同位置分布，网格结构的形状不同。
所述间隔部102的材料为绝缘材料；可以采用光刻工艺、刻蚀工艺或者纳米压印工艺形成该间隔部102。
本实施例中，间隔部102的材料为光刻胶材料，可以为无机光刻材料也可以为有机光刻胶材料。相应的，采用光刻工艺形成间隔部102的工艺步骤包括：在驱动背板100上形成光刻胶膜，该光刻胶膜覆盖阵列电极101以及底电极111；对该光刻胶膜进行曝光处理以及显影处理，形成具有开口112的间隔部102。
在其他实施例中，间隔部的材料还可以为氧化硅、氮化硅、碳氮化硅或者碳氮氧化硅等无机绝缘材料。采用刻蚀工艺形成间隔部的工艺步骤包括：在驱动背板上形成间隔层，该间隔层覆盖阵列电极以及底电极；在该间隔层表面形成图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀该间隔层，形成具有开口的间隔部。
需要说的是，在其他实施例中，间隔部的材料也可以为光刻胶材料以外的其他有机材料。
在沿驱动背板100指向阵列电极111方向上，开口112在垂直于驱动背板100表面方向上的剖面宽度尺寸逐渐增加。也就是说，在垂直于驱动背板100表面方向上，开口112的剖面形状为倒梯形，开口112的顶部宽度尺寸大于底部宽度尺寸。
这样设置的好处包括：一方面，开口112的剖面形状呈倒梯形，有利于增加后续在阵列电极101上固定设置发光芯片的工艺窗口，从而降低将发光芯片固定至阵列电极101上的工艺难度；另一方面，减小发光芯片触碰到间隔部102的概率，进而避免发光芯片受到损伤，保证发光芯片功能完好，提高显示面板制造良率。
需要说明的是，在其他实施例中，在垂直于驱动背板表面方向上，开口的剖面形状也可以为方形或者其他不规则形状。
本实施例中，开口112除暴露出阵列电极101顶部表面和侧壁表面外，还暴露出部分驱动背板100表面。如此设置，有利于进一步的增加后续将发光芯片固定置于阵列电极101上的工艺窗口，进一步的降低工艺难度且避免发光芯片触碰到间隔部102造成损伤。
在其他实施例中，如图6所示，开口112还可以仅暴露出阵列电极101顶部表面，也就是说，间隔部102还覆盖阵列电极101侧壁表面，此外，间隔部102还可以覆盖阵列电极101部分顶部表面。
本实施例中，由于所有阵列电极101构成阵列式分布，即包括多行和多列阵列电极101，相应的间隔部102为整块结构；可以理解的是，在其他实施例中的，当阵列电极只有一行阵列电极或者一列阵列电极时，或者，间隔部为多个分立的间隔单元构成，且每个间隔单元位于相邻阵列电极之间。
参考图7及图8，图7为俯视结构示意图，图8为图7中沿AA1方向切割的剖面结构示意图，提供多个发光芯片110，所述发光芯片110包括下电极105以及位于下电极105上的功能层106。
本实施例中，发光芯片110为LED芯片。其中，LED芯片为可以发出红光、黄光、蓝光或者绿光中的一种或多种颜色光的芯片，需要说明的是，本发明实施例对于发光芯片110发出的光的颜色不做限制，发光芯片110可以为能够发出任何满足要求的颜色光的芯片。
发光芯片110还可以包括：位于功能层106的上电极107，且功能层106位于下电极105与上电极107之间。后续形成的公共电极层与上电极107相接触，从而实现公共电极层与功能层105电连接的目的。需要说明的是，在其他实施例中，发光芯片也可以不设置上电极，后续形成的公共电极层与功能层直接相接触，从而实现公共电极层与功能层电连接的目的。
功能层106具有相对的底面和顶面，下电极105位于功能层106底面，上电极107位于功能层106顶面。下电极105可以位于功能层106部分底面或者整个底面，上电极107可以为功能层106部分顶面或者整个顶面。
在沿下电极105指向上电极107的方向上，功能层106包括第一类型半导体层(未图示)、量子阱发光层、第二类型半导体层，其中，第一类型半导体层的类型为N型或者P型，第二类型半导体层的类型为N型或者P型，且第一类型半导体层与第二类型半导体层的类型不同。
下电极105为P型电极或者N型电极，上电极107为P型电极或者N型电极，且下电极105与上电极107的电极类型不同。需要说明的是，下电极105的类型与第一类型半导体层的类型相同，上电极107的类型与第二类型半导体层的类型相同。
本实施例中，以第一类型半导体层为P型半导体层，第二类型半导体层为N型半导体层为例，相应的，下电极105为P型电极，上电极107为N型电极。
P型半导体层的材料包括P型的GaN、Mg、ZnO或AlGaN中的一种或多种。N型半导体层的材料包括N型的InGaN或者AlInGaN中的一种或多种。量子阱发光层的材料包括GaAs、GaP、InGaN或者AlGaN中的一种或多种，需要说明的是，在实际工艺中，根据发光芯片所需发出的光颜色的不同，合理选择不同的材料作为量子阱发光层的材料。
下电极105的材料包括Ni、Cr、Au、Mg、Cu、Al、Pt、Ag或者Ti中的一种或多种；上电极107的材料包括Ni、Cr、Au、Mg、Cu、Al、Pt、Ag或者Ti中的一种或多种。
本实施例中，提供的发光芯片110的数量与阵列电极101的数量相同。
继续参考图7及图8，将所述发光芯片110固定置于所述阵列电极101上，且所述阵列电极101与所述下电极105电连接。
本实施例中，在形成所述间隔部102之后，将发光芯片110固定置于阵列电极101上，能够避免间隔部102形成工艺对发光芯片110造成损伤。
采用巨量转移(masstransfer)工艺以及焊接工艺，将发光芯片110固定置于阵列电极101上。由于发光芯片110中下电极105以及上电极107分别位于发光芯片110相对两侧，也就是说发光芯片110为垂直发光芯片，采用巨量转移工艺将垂直发光芯片固定置于阵列电极101上时，巨量转移工艺对于邦定对位精度要求低，从而有利于大幅度提高显示面板的分辨率。
此外，本实施例中，由前述分析可知，开口112顶部尺寸大于底部尺寸，有利于增加巨量转移工艺的工艺窗口，从而降低了巨量转移工艺的工艺难度，且提高了阵列电极101与下电极105之间的对准精度。
本实施例中，为了尽量避免焊接工艺对发光芯片110造成损伤，阵列电极101与下电极105的电连接方法为：在阵列电极101与下电极105之间设置有焊柱104，利用焊柱104使阵列电极101与下电极105电连接。具体地，可以在将发光芯片110固定置于阵列电极101上之前，在阵列电极101朝向发光芯片110的表面形成焊柱104，或者，在发光芯片110朝向阵列电极101的表面形成焊柱104，或者，同时在阵列电极101表面以及发光芯片110表面均形成焊柱104。
需要说明的是，在其他实施例中，也可以不设置位于阵列电极与下电极之间的焊柱，阵列电极与下电极之间直接相接触从而实现电连接。
本实施例中，由于驱动背板100上还具有至少一个底电极111，显示面板的制造方法还包括：在底电极111背向驱动背板100一侧的表面形成公共电极柱103，该公共电极柱103与底电极111电连接。由于底电极111的数量为多个，相应的该公共电极柱103同时与多个底电极111电连接。
本实施例中，公共电极柱103的顶部表面与发光芯片110顶部表面齐平。在其他实施中，公共电极柱顶部表面还可以低于或高于发光芯片顶部表面。需要说明的是，本实施例描述的顶部表面指的是背向驱动背板100一侧的表面。
为了减少工艺步骤、降低工艺成本，可以在形成焊柱104的工艺步骤中，同时形成公共电极柱103。
本实施例中，在形成间隔部102之后，形成公共电极柱103，有利于避免间隔部102的形成工艺对公共电极柱103造成工艺损伤。需要说明的是，在其他实施例中，也可以在形成间隔部之前形成公共电极柱。
需要说明的是，所述公共电极柱103的尺寸与底电极111的数量有关，底电极111的数量越多相应公共电极柱103的顶部表面面积越大，相应的，后续形成的上公共电极层与公共电极柱103之间的接触面积越大，因而二者之间的传输电阻越小；然而，公共电极柱103的顶部表面面积越大则相应的制造成本越高。因此，在实际工艺中可以均衡考虑制造成本以及传输电阻，合理设置底电极111的数量从而使得形成的公共电极柱103的顶部表面面积适中。
在将发光芯片110固定置于阵列电极101上之后，间隔部102顶部表面与发光芯片110顶部表面之间的高度差的绝对值不宜过大，高度差指的是，在垂直于驱动背板100表面方向上，间隔部102顶部表面与发光芯片110顶部表面之间的距离。若间隔部102顶部表面与发光芯片110顶部表面之间的高度差过大，则相应后续形成公共电极层时为形成公共电极层提供基础的工艺平台具有较大的台阶，易造成形成公共电极层的膜层在该较大的台阶处难以连续，不利于形成具有完整连续膜层的公共电极层。
本实施例中，间隔部102顶部表面与发光芯片110顶部表面之间的高度差的绝对值小于或等于2μm，例如该高度差的绝对值为1.5μm、1μm或0.5μm，在该范围内，有利于进一步的保证后续形成的公共电极层为完整连续膜层。需要说明的是，间隔部102顶部表面可以高于发光芯片110顶部表面，优选地，间隔部102顶部表面可以低于或齐平于发光芯片110顶部表面。
影响间隔部102顶部表面与发光芯片110顶部表面之间的高度差的绝对值的因素包括：阵列电极101的厚度、发光芯片110的厚度、焊柱104的厚度以及间隔部102的厚度，因此，通过合理设置阵列电极101的厚度、发光芯片110的厚度、焊柱104的厚度以及间隔部102的厚度之间的对应关系，可以保证间隔部102顶部表面与发光芯片110顶部表面之间的高度差的绝对值小于或等于2μm。
可以理解的是，为了防止后续形成的公共电极层在间隔部102与公共电极柱103交界处发生断裂，间隔部102顶部表面与公共电极柱103顶部表面之间的高度差的绝对值也小于或等于2μm，例如该高度差的绝对值为1.5μm、1μm或0.5μm。
本实施例中，为了降低将发光芯片110固定至阵列电极101上的工艺难度，避免发光芯片110侧壁触碰到间隔部102，在将发光芯片110固定置于阵列电极101上后，发光芯片110朝向间隔部102的侧壁与间隔部102朝向发光芯片110的侧壁之间具有间隙122。
在垂直于发光芯片110侧壁方向上，间隙122的宽度L不宜过小，也不宜过大。为了尽可能降低将发光芯片110固定置于阵列电极101上的工艺难度，间隙122的宽度L不宜过小；若间隙122的宽度L过大，则后续形成具有完整连续膜层的公共电极层的工艺难度增加。为此，在垂直于发光芯片110侧壁方向上，间隙122的宽度L范围为0.1μm～3μm，例如为0.5μm、1μm、2μm、2.6μm。
需要说明的是，本实施例中，由于开口112剖面形状为倒梯形，相应的，在沿驱动背板100指向间隔部102的方向上，间隙122的宽度L逐渐变大，在沿驱动背板100指向间隔部102的方向上，间隙122的宽度L均在0.1μm～3μm内。
还需要说明的是，在其他实施例中，开口的尺寸还可以与发光芯片的尺寸一致，也就是说，在将发光芯片固定置于阵列电极上后，发光芯片侧壁与间隔部侧壁相接触，发光芯片与间隔部之间不存在间隙。
参考图10，形成公共电极层108，所述公共电极层108覆盖所述多个发光芯片110顶部表面以及所述间隔部102顶部表面，且公共电极层108与功能层106电连接。
具体地，由于本实施例中发光芯片110的顶部表面为上电极107顶部表面，因此公共电极层108覆盖上电极107顶部表面。需要说明的是，在其他实施例中，发光芯片中未形成上电极时，公共电极层覆盖功能层顶部表面。
本实施例中，公共电极层108用于实现驱动背板100上的所有发光芯片110的上电极107之间的相互电连接，通过公共电极层108向所有发光芯片110的上电极107提供相应的驱动信号，从而达到公共电极层108与功能层106电连接的目的。
本实施例中，由于驱动背板100上形成有底电极111以及位于底电极111上的公共电极柱103，相应的，在形成公共电极层108的工艺步骤中，所述公共电极层108还覆盖公共电极柱103顶部表面。驱动背板108发出的驱动信号经由底电极111、公共电极柱103传输至公共电极层108。
公共电极层108的材料为透明导电材料。本实施例中，公共电极层108的材料为金属纳米线，例如为银纳米线、铜纳米线、金纳米线或者铂纳米线等。采用金属纳米线作为公共电极层108的材料，金属纳米线可跨越发光芯片110与间隔部102之间的间隙122(参考图11)，从而保证公共电极层108实现整面连续的电连接，为间隔部102与发光芯片110之间的间隙122的宽度L(参考图9)的调节提供较大的工艺余量，换句话说，即使间隙122的宽度L较大，公共电极层108仍能实现整面连续的电连接。有关间隙122的宽度L可参考前述相应说明，在此不再赘述。
需要说明的是，为了最大程度的保证公共电极层108实现整面连续的电连接，保证单个金属纳米线能够跨越间隙122实现相邻发光芯片110的上电极层107之间的电连接，单根金属纳米线的长度大于间隙122的宽度L，也就是说，单根金属纳米线的长度大于间隙122各处的宽度L的最大值。
本实施例中，以公共电极层108的材料为银纳米线为例，单根银纳米线的长度为4μm～10μm，例如为5μm、6μm、8μm或者9μm。单根银纳米线的直径为0.01μm～2μm，例如为0.5μm、0.8μm、1μm或1.6μm；优选的，单根银纳米线的长度为7.5μm～9.5μm，直径为0.05μm～0.25μm，在这一范围内，单根银纳米线具有适中的长径比，因此利用银纳米线构建导电网络的效率较高，只需要用少量的银纳米线就能够构建出导电线好的公共电极层108，且公共电极层108的光透过率高，并且，由于单根银纳米线的长径比适中，能够避免由于长径比过大带来的银纳米线易发生团聚打结的问题。
在其他实施例中，公共电极层的材料还可以为氧化铟锡(ITO)、镁、掺铝氧化锌(AZO)、金属网孔(Metal Mesh)或者其他透明导电材料。可以采用磁控溅射、真空反应蒸发、化学气相沉积、溶液法、印刷法、滚涂法、刮涂法、溶胶凝胶法或者脉冲激光沉积等，形成公共电极层108。
由于相邻发光芯片110之间形成有间隔部102，发光芯片110与邻近的间隔部102之间的距离明显小于发光芯片110与邻近的发光芯片110之间的距离，因此本实施例中通过在相邻发光芯片110之间形成间隔部102，能够保证发光芯片110与间隔部102之间具有的间隙122宽度小。该宽度小的间隙122能够为公共电极层提供有效的支撑作用，保证在形成公共电极层108的工艺步骤能够形成整面连续且完全覆盖上电极107的膜层，该膜层作为公共电极层108满足工艺要求；此外，由于发光芯片110与间隔部102之间的间隙122宽度小，从而能够避免形成公共电极层108的工艺步骤中在该间隙122处发生塌陷的问题，进而避免公共电极层108与下电极105接触造成的短路问题，保证公共电极层108与下电极105之间的信号互不干扰。
此外，本实施例提供的制造方法有利于降低制造工艺难度，能够为开发出适用于高分辨Micro-LED电子设备提供条件。
相应的，本实施例还提供一种采用上述制造方法制造的显示面板，图10为本实施例提供的显示面板的剖面结构示意图。
参考图10，本实施例提供的显示面板包括：驱动背板100，所述驱动背板100上具有多个分立的阵列电极101；间隔部102，所述间隔部102位于所述驱动背板100上，部分所述间隔部102暴露出每一所述阵列电极101，且间隔部102还位于相邻阵列电极101之间；多个发光芯片110，所述发光芯片110固定置于所述阵列电极101上，所述发光芯片110包括下电极105以及位于下电极105上的功能层106，且所述阵列电极101与所述下电极105电连接；公共电极层108，所述公共电极层108覆盖所述多个发光芯片110顶部表面以及所述间隔部102顶部表面，公共电极层108与功能层106电连接。
本实施例提供的显示面板，由于间隔部102的设置使得相邻发光芯片110之间的间隙宽度减小，且间隔部102能够为公共电极层108提供有效的支撑作用，从而防止公共电极层108在相邻发光芯片110之间的空隙处发生断裂，保证公共电极层108为完整连续的膜层，从而保证公共电极层108能够为所有功能层106之间实现有效电连接，进而提高显示面板的可靠性。
以下将结合附图对本实施例提供的显示面板进行详细说明。
本实施例中，多个阵列电极101在驱动背板100上呈阵列式分布；相应的，间隔部102呈网格结构，且阵列电极101对应位于网格结构的网口中。网格结构可以为井字网格结构。
在其他实施例中，可以根据阵列电极在驱动背板上所处的位置，合理设置井字网格结构的网口。
本实施例中，间隔部102暴露出阵列电极101的顶部表面以及侧壁表面，且暴露出驱动背板100表面。在其他实施例中，间隔部还可以覆盖阵列电极的侧壁表面以及部分顶部表面；或者，间隔部仅覆盖阵列电极的侧壁表面。
本实施例中，间隔部102为整块结构。在其他实施例中，间隔部还可以为由多个分立的间隔单元构成，且每一间隔单元位于相邻阵列电极之间，例如，当阵列电极为一行阵列电极或者一列阵列电极时，间隔部为多个分立的间隔单元。
本实施例中，显示面板还包括：设置于所述阵列电极101与下电极105之间的焊柱104，通过所述焊柱104实现阵列电极101与下电极105之间的电连接。
该焊柱104的材料包括焊锡，且还可以包括铟、铋、铜或者铅等金属或至少两种上述金属组成的合金。需要说明的是，焊球104的材料也可以其他合适材料。
还需要说明的是，在其他实施例中，也可以不设置焊柱，阵列电极可以与下电极之间直接相接触从而实现电连接。
本实施例中，所述驱动背板100上还具有至少一个底电极111。显示面板还包括：位于底电极111背向驱动背板100一侧的表面的公共电极柱103，相应的，公共电极层108还覆盖公共电极柱103顶部表面。本实施例中，公共电极柱103的材料与焊柱104的材料相同。
本实施例中，在垂直于所述驱动背板100表面方向上，所述间隔部102顶部表面与所述发光芯片110顶部表面之间的高度差的绝对值小于或等于2μm，例如该高度差的绝对值为1.5μm、1μm或0.5μm。如此设置，能够进一步的避免公共电极层108在发光芯片110与间隔部102交界处发生断裂。
发光芯片110朝向间隔部102的侧壁与间隔部102朝向发光芯片110的侧壁之间具有间隙(未图示)，有利于避免间隔部102触碰到发光芯片110侧壁，防止发光芯片110受到损伤。本实施例中，在垂直于发光芯片110侧壁方向上，间隙的宽度范围为0.1μm～3μm，例如为0.5μm、1μm、2μm、2.6μm。
本实施例中，发光芯片110还包括：位于功能层106顶部表面的上电极107，相应的，发光芯片110顶部表面为上电极107顶部表面，公共电极层108位于上电极107顶部表面，通过上电极107使公共电极层108与功能层106电连接。需要说明的是，在其他实施例中，当发光芯片中未设置上电极时，公共电极层覆盖功能层顶部表面。
公共电极层108的材料为透明导电材料。本实施例中，公共电极层108的材料为金属纳米线，例如为银纳米线、铜纳米线、金纳米线或者铂纳米线等。金属纳米线可跨越发光芯片110与间隔部102之间的间隙122，从而有利于进一步的保证公共电极层108实现整面连续的电连接，进一步的提高显示面板的可靠性。
为了最大程度的保证公共电极层108实现整面连续的电连接，保证单个金属纳米线能够跨越间隙实现相邻发光芯片110的上电极层107之间的电连接，单根金属纳米线的长度大于间隙的宽度，也就是说，单根金属纳米线的长度大于间隙各处的宽度的最大值。
在其他实施例中，公共电极层的材料还可以为氧化铟锡、镁、掺铝氧化锌、金属网孔或者其他透明导电材料。
本实施例中，显示面板为Micro-LED显示面板。在其他实施例中，显示面板还可以为Mini-LED显示面板。
本实施例提供的显示面板，能够保证公共电极层108为完整连续膜层，使得公共电极层108能够与所有发光芯片110的上电极107之间有效电连接，且能够避免公共电极层108与下电极105或者阵列电极101相接触，从而提高显示面板的可靠性。
相应的，本实施例还提供一种电子设备，包括上述的显示面板。电子设备可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、数码相框或者导航仪等具有电视功能的产品或者部件。
本发明另一实施例还提供一种显示面板的制造方法，与前一实施例不同的是，为了进一步的保证公共电极层为整面连续的膜层，在形成公共电极层之前，还形成填充间隙的间隙填充层。以下将结合附图进行详细说明，需要说明的是，与前一实施例相同或者相应的部分，可参考前一实施例的相应说明，以下将不做详细赘述。
图11至图14为本发明另一实施例提供的显示面板的制造过程的各步骤对应的结构示意图。
参考图11，提供驱动背板200，所述驱动背板200上具有多个分立的阵列电极201；在所述驱动背板200上形成间隔部202，所述间隔部202内具有若干个贯穿所述间隔部202的开口(未标示)，且所述开口暴露出所述阵列电极111；提供多个发光芯片210，所述发光芯片210包括下电极205以及位于下电极205上的功能层206；将所述发光芯片210固定置于所述阵列电极201上，且所述阵列电极201与所述下电极205电连接。
本实施例中，驱动背板200上还具有底电极211以及位于底电极211顶部表面的公共电极柱203；且下电极205与阵列电极201之间具有焊柱204。
发光芯片210还包括：位于功能层206顶部表面的上电极207。
在将发光芯片210固定置于阵列电极201上后，发光芯片210朝向间隔部202的侧壁与间隔部202朝向发光芯片210的侧壁之间具有间隙222。
参考图12及图13，图12为俯视结构示意图，图13为图12中沿BB1方向切割的剖面结构示意图，形成填充所述间隙222(参考图11)的间隙填充层209。
间隙填充层209的材料为绝缘材料。该间隙填充层209覆盖下电极205侧壁表面，如此，下电极205侧壁表面被间隙填充层209保护，从而进一步的避免由于后续形成的公共电极层可能发生的塌陷问题而导致的公共电极层与下电极205相接触，进一步的保证公共电极层与下电极205之间电绝缘。
此外，在后续形成公共电极层的工艺步骤中，间隙填充层209还能够为公共电极层提供支撑作用，进一步的保证形成公共电极层为完整连续的膜层，从而进一步的提高显示面板的制造良率。
本实施例中，该间隙填充层209自沿驱动背板200指向间隔部202的方向上填充间隙222，间隙填充层209位于间隙222露出的驱动背板200表面。
本实施例中，间隙填充层209顶部表面低于发光芯片210顶部表面。在其他实施例中，间隙填充层顶部表面还可以与发光芯片顶部表面齐平，或者，间隙填充层顶部表面高于发光芯片顶部表面。需要说明的是，当间隙填充层顶部表面高于发光芯片顶部表面时，为降低后续形成具有连续膜层的公共电极层的工艺难度，间隙填充层顶部表面与发光芯片顶部表面之间的高度差小于或等于2μm。
可以采用光刻工艺、刻蚀工艺或者喷墨打印工艺形成该间隙填充层209。以喷墨打印工艺形成间隙填充层209为例，形成间隙填充层209的方法包括：通过喷嘴向间隙222喷出具有流动性的填充材料；静置一段时间，使位于间隙222内的填充材料流平；然后进行固化处理形成间隙填充层209，固化处理可以为加热处理也可以为紫外光照射处理。采用喷墨打印工艺形成该间隙填充层209，能够有选择性的仅在间隙222处喷出填充材料，有效的避免发光芯片210受到工艺损伤。
本实施例中，间隙填充层209的材料为光刻胶材料，可以为无机光刻材料也可以为有机光刻胶材料。相应的，采用光刻工艺形成间隙填充层209，形成间隙填充层209的工艺步骤包括：形成填充间隙222的间隙填充膜，且间隙填充膜还位于发光芯片210顶部表面、间隔部202顶部表面以及公共电极柱203顶部表面；对所述间隙填充膜进行曝光处理以及显影处理，去除位于发光芯片201顶部表面、间隔部202顶部表面以及公共电极柱203顶部表面的间隙填充膜，形成该间隙填充层。
在其他实施例中，间隔部的材料还可以为氧化硅、氮化硅、碳氮化硅或者碳氮氧化硅等无机绝缘材料。需要说的是，在其他实施例中，间隙填充层的材料也可以为光刻胶材料以外的其他有机材料。
需要说明的是，本实施例中，由于发光芯片210与间隔部202之间的间隙222宽度尺寸小，因而当在间隙222内填充满足要求的间隙填充膜时，相应在发光芯片210顶部表面、间隔部202顶部表面以及公共电极柱203顶部表面形成的间隙填充膜的厚度较薄，如此，有利于减少去除位于发光芯片210顶部表面、间隔部202顶部表面以及公共电极柱203顶部表面的间隙填充膜所需的工艺时间，提高制造效率。此外，发光芯片210经历的去除间隙填充膜的工艺时长短，从而避免发光芯片210长时间的处于去除间隙填充膜的工艺环境中而受到损伤。
还需要说明的是，由于间隙222的宽度较小，因此在形成间隙填充膜的工艺步骤中，受到工艺本身的限制还可能会出现间隙222顶部区域先闭合的情形，使得位于间隙222内的间隙填充膜内具有孔隙，相应的，形成的间隙填充层209内具有孔隙。
参考图14，形成公共电极层208，所述公共电极层208覆盖所述多个发光芯片210顶部表面以及所述间隔部202顶部表面，且公共电极层208与功能层206电连接。
公共电极层208覆盖多个发光芯片210的上电极207顶部表面。
本实施例中，由于间隙填充层209覆盖下电极205侧壁表面，因此即使在形成公共电极层208的工艺步骤中用于形成公共电极层208的膜层发生一定程度的塌陷，所述膜层也不会与下电极205侧壁相接触，从而进一步的避免公共电极层208与下电极205之间发生断路，进一步的提高显示面板的可靠性。
并且，在形成公共电极层208的工艺步骤中，间隙填充层209还能够为用于形成公共电极层208的膜层提供一定的支撑作用，进一步的保证公共电极层208为完整连续的膜层。
本实施例中，在形成公共电极层208的工艺步骤中，形成的公共电极层208还覆盖间隙填充层209顶部表面。需要说明的是，在其他实施例中，当间隙填充层顶部表面低于发光芯片顶部表面时，若发光芯片与间隔部为公共电极层能够提供高质量的支撑作用，则相应的公共电极层也可以不覆盖间隙填充层顶部表面，也就是说，公共电极层与间隙填充层之间具有一定的空洞区域。
在形成公共电极层208之前先形成填充间隙的间隙填充层209，有利于进一步的保证公共电极层208的连续完整性，且进一步的防止公共电极层208与下电极205之间发生短路，从而有利于进一步的提高显示面板的可靠性。
相应的，本实施例还提供一种采用上述制造方法制造的显示面板，参考图14，显示面板包括：驱动背板200，所述驱动背板200上具有多个分立的阵列电极201；间隔部202，所述间隔部202位于所述驱动背板200上，所述间隔部202暴露出每一所述阵列电极201且部分间隔部202位于相邻阵列电极201之间；多个发光芯片210，所述发光芯片210固定置于所述阵列电极201上，所述发光芯片210包括下电极205以及位于下电极205上的功能层206，且所述阵列电极201与所述下电极205电连接；公共电极层208，所述公共电极层208覆盖所述多个发光芯片210顶部表面以及所述间隔部202顶部表面，且公共电极层208与功能层206电连接。
该显示面板可以为Micro-LED显示面板，也可以为Mini-LED显示面板。本实施例提供的显示面板与前一实施例的显示面板大致相同，不同之处在于：发光芯片210朝向间隔部202的侧壁与间隔部202朝向发光芯片210的侧壁之间具有间隙，且显示面板还包括：填充该间隙的间隙填充层209。
间隙填充层209的材料为绝缘材料。本实施例中，间隙填充层209覆盖下电极205侧壁表面，能够进一步的公共电极层208与下电极205侧壁相接触，避免公共电极层208与下电极205之间发生短路问题。
本实施例中，间隙填充层209自驱动背板202指向间隔部202的方向上填充间隙，间隙填充层209顶部表面低于发光芯片210顶部表面。在其他实施例中，间隙填充层顶部表面还可以与发光芯片顶部表面齐平，或者，间隙填充层顶部表面高于发光芯片顶部表面。需要说明的是，当间隙填充层顶部表面高于发光芯片顶部表面时，间隙填充层顶部表面与发光芯片顶部表面之间的高度差小于或等于2μm。
需要说明的是，在其他实施例中，间隙填充层内还可以具有孔隙。
本实施例中，发光芯片210还包括位于功能层206上的上电极207，相应的公共电极层208覆盖上电极207顶部表面。
本实施例中，公共电极层208还覆盖间隙填充层208顶部表面。在其他实施例中，当间隙填充层顶部表面低于发光芯片顶部表面时，公共电极层也可以不覆盖间隙填充层顶部表面，也就是说，公共电极层与间隙填充层之间具有一定的空洞区域。
本实施例提供的显示面板具有间隙填充层209，有利于进一步的保证公共电极层208的连续完整性，且进一步的防止公共电极层208与下电极205之间发生短路，从而有利于进一步的提高显示面板的可靠性
相应的，本实施例还提供一种电子设备，包括上述的显示面板。电子设备可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、数码相框或者导航仪等具有电视功能的产品或者部件。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
驱动背板，所述驱动背板上具有多个分立的阵列电极；
间隔部，所述间隔部位于所述驱动背板上，所述间隔部暴露出每一所述阵列电极，且部分所述间隔部还位于相邻阵列电极之间；
多个发光芯片，所述发光芯片固定置于所述阵列电极上，所述发光芯片包括下电极以及位于所述下电极上的功能层，且所述阵列电极与所述下电极电连接；
公共电极层，所述公共电极层覆盖所述多个发光芯片顶部表面以及所述间隔部顶部表面，且所述公共电极层与所述功能层电连接。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，多个所述阵列电极在所述驱动背板上呈阵列式分布；所述间隔部呈网格结构，所述阵列电极对应位于所述网格结构的网口中。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光芯片朝向所述间隔部的侧壁与所述间隔部朝向所述发光芯片的侧壁之间具有间隙；优选的，在垂直于所述发光芯片侧壁方向上，所述间隙的宽度范围为0.1μm～3μm；所述显示面板还包括：填充所述间隙的间隙填充层；优选的，所述公共电极层还覆盖所述间隙填充层顶部表面。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述间隔部顶部表面低于或者齐平于所述发光芯片顶部表面；优选的，在垂直于所述驱动背板表面方向上，所述间隔部顶部表面与所述发光芯片顶部表面之间的高度差的绝对值小于或等于2μm。
5.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的显示面板。
6.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供驱动背板，所述驱动背板上具有多个分立的阵列电极；
在所述驱动背板上形成间隔部，所述间隔部内具有若干个贯穿所述间隔部的开口，且所述开口暴露出所述阵列电极；
提供多个发光芯片，所述发光芯片包括下电极以及位于所述下电极上的功能层；
将所述发光芯片固定置于所述阵列电极上，且所述阵列电极与所述下电极电连接；
形成公共电极层，所述公共电极层覆盖所述多个发光芯片顶部表面以及所述间隔部顶部表面，且所述公共电极层与所述功能层电连接。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成所述间隔部之后，将所述发光芯片固定置于所述阵列电极上；优选的，在垂直于所述驱动背板表面方向上，所述开口的剖面形状为倒梯形；优选的，采用光刻工艺、刻蚀工艺或者纳米压印工艺，形成所述间隔部。
8.如权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，在将所述发光芯片固定置于所述阵列电极上后，所述发光芯片朝向所述间隔部的侧壁与所述间隔部朝向所述发光芯片的侧壁之间具有间隙；在形成所述公共电极层之前，还形成填充所述间隙的间隙填充层，所述间隙填充层覆盖所述下电极侧壁表面；优选的，在形成所述公共电极层的工艺步骤中，所述公共电极层还覆盖所述间隙填充层顶部表面。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，采用光刻工艺、刻蚀工艺或者喷墨打印工艺，形成所述间隙填充层。
10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述间隔部的材料为绝缘材料；所述间隙填充层的材料为绝缘材料。
CN201910360515.5A 2019-04-30 2019-04-30 显示面板及其制造方法、电子设备 Active CN111863832B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910360515.5A CN111863832B (zh) 2019-04-30 2019-04-30 显示面板及其制造方法、电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910360515.5A CN111863832B (zh) 2019-04-30 2019-04-30 显示面板及其制造方法、电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111863832A true CN111863832A (zh) 2020-10-30
CN111863832B CN111863832B (zh) 2024-04-09

Family

ID=72965639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910360515.5A Active CN111863832B (zh) 2019-04-30 2019-04-30 显示面板及其制造方法、电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111863832B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113178513A (zh) * 2021-04-29 2021-07-27 上海天马微电子有限公司 一种发光器件、显示面板和显示装置
CN114220888A (zh) * 2021-12-13 2022-03-22 苏州华星光电技术有限公司 一种显示面板
CN114975392A (zh) * 2022-04-26 2022-08-30 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板的制作方法及显示面板
WO2023207661A1 (zh) * 2022-04-29 2023-11-02 成都辰显光电有限公司 一种显示面板及显示面板的制备方法

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6181007B1 (en) * 1998-06-02 2001-01-30 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
CN1477912A (zh) * 2002-07-18 2004-02-25 Lg.������Lcd��ʽ���� 双面板型有机电致发光显示装置
US20120205614A1 (en) * 2009-10-23 2012-08-16 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method for manufacturing a very-high-resolution screen using a nanowire-based emitting anisotropic conductive film
CN205428990U (zh) * 2015-02-12 2016-08-03 首尔伟傲世有限公司 发光器件
US20170133357A1 (en) * 2015-11-05 2017-05-11 Innolux Corporation Display device
CN106688028A (zh) * 2014-09-12 2017-05-17 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN107293572A (zh) * 2017-06-21 2017-10-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN107331680A (zh) * 2017-07-05 2017-11-07 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN107331685A (zh) * 2017-06-28 2017-11-07 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
KR20170129342A (ko) * 2016-05-17 2017-11-27 박진성 웨이퍼 레벨 칩 스케일 발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법
US20180182740A1 (en) * 2016-12-23 2018-06-28 Lumens Co., Ltd. Micro-led module and method for fabricating the same
US20180190868A1 (en) * 2015-07-03 2018-07-05 Lg Innotek Co., Ltd. LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING MODULE (As Amended)
CN108493154A (zh) * 2018-04-28 2018-09-04 深圳市华星光电技术有限公司 Micro LED显示面板的制作方法及Micro LED显示面板
CN108878485A (zh) * 2015-06-16 2018-11-23 友达光电股份有限公司 发光二极管显示器
US20180357948A1 (en) * 2017-06-13 2018-12-13 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd Micro led color display device
US20180358343A1 (en) * 2017-06-09 2018-12-13 Syndiant Inc. Manufacturing method of micro led display module
CN109411515A (zh) * 2018-09-29 2019-03-01 云谷（固安）科技有限公司 柔性显示面板、柔性显示装置及柔性显示面板的制备方法
WO2019045277A1 (ko) * 2017-08-28 2019-03-07 주식회사 루멘스 픽셀용 발광소자 및 엘이디 디스플레이 장치

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6181007B1 (en) * 1998-06-02 2001-01-30 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
CN1477912A (zh) * 2002-07-18 2004-02-25 Lg.������Lcd��ʽ���� 双面板型有机电致发光显示装置
US20120205614A1 (en) * 2009-10-23 2012-08-16 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method for manufacturing a very-high-resolution screen using a nanowire-based emitting anisotropic conductive film
CN106688028A (zh) * 2014-09-12 2017-05-17 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN205428990U (zh) * 2015-02-12 2016-08-03 首尔伟傲世有限公司 发光器件
CN108878485A (zh) * 2015-06-16 2018-11-23 友达光电股份有限公司 发光二极管显示器
US20180190868A1 (en) * 2015-07-03 2018-07-05 Lg Innotek Co., Ltd. LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING MODULE (As Amended)
US20170133357A1 (en) * 2015-11-05 2017-05-11 Innolux Corporation Display device
KR20170129342A (ko) * 2016-05-17 2017-11-27 박진성 웨이퍼 레벨 칩 스케일 발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법
US20180182740A1 (en) * 2016-12-23 2018-06-28 Lumens Co., Ltd. Micro-led module and method for fabricating the same
US20180358343A1 (en) * 2017-06-09 2018-12-13 Syndiant Inc. Manufacturing method of micro led display module
US20180357948A1 (en) * 2017-06-13 2018-12-13 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd Micro led color display device
CN107293572A (zh) * 2017-06-21 2017-10-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN107331685A (zh) * 2017-06-28 2017-11-07 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN107331680A (zh) * 2017-07-05 2017-11-07 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
WO2019045277A1 (ko) * 2017-08-28 2019-03-07 주식회사 루멘스 픽셀용 발광소자 및 엘이디 디스플레이 장치
CN108493154A (zh) * 2018-04-28 2018-09-04 深圳市华星光电技术有限公司 Micro LED显示面板的制作方法及Micro LED显示面板
CN109411515A (zh) * 2018-09-29 2019-03-01 云谷（固安）科技有限公司 柔性显示面板、柔性显示装置及柔性显示面板的制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113178513A (zh) * 2021-04-29 2021-07-27 上海天马微电子有限公司 一种发光器件、显示面板和显示装置
CN113178513B (zh) * 2021-04-29 2023-01-03 上海天马微电子有限公司 一种发光器件、显示面板和显示装置
CN114220888A (zh) * 2021-12-13 2022-03-22 苏州华星光电技术有限公司 一种显示面板
CN114975392A (zh) * 2022-04-26 2022-08-30 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板的制作方法及显示面板
WO2023207661A1 (zh) * 2022-04-29 2023-11-02 成都辰显光电有限公司 一种显示面板及显示面板的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111863832B (zh) 2024-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111863832B (zh) 显示面板及其制造方法、电子设备
CN108987425B (zh) 微led显示器及其制造方法
CN110120463B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN109728035B (zh) Oled显示装置、掩膜及oled显示装置的制造方法
EP3242325B1 (en) Display substrate, manufacturing method thereof and display panel
US11925079B2 (en) Display panel and display device
US11963382B2 (en) Display substrate and preparation method thereof, and display device
CN109888085B (zh) 显示面板及其制备方法
CN111710694B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
US10937998B1 (en) Display panel and method for preparing the same, and display device
JP5597362B2 (ja) 発光素子、発光素子を含む発光装置、発光素子の製造方法および発光素子を含む発光装置の製造方法
CN111312742B (zh) 背光模组及其制备方法、显示装置
JP5706510B2 (ja) 液晶表示装置用のアレイ基板及びその製造方法
CN110010627A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
TW201340309A (zh) 有機電致發光顯示單元、製造有機電致發光顯示單元之方法及彩色濾光器基板
EP3989288A1 (en) Array substrate, display panel and display apparatus
WO2021237725A9 (zh) 显示基板和显示装置
US20220310740A1 (en) Oled display panel and manufacturing method thereof
US20210397302A1 (en) Touch display device and fabrication method thereof
WO2024198080A1 (zh) 显示面板及其制备方法
CN114512504A (zh) 防光串扰Micro-LED芯片结构、制备方法以及Micro-LED显示装置
CN113964109A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110867526B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN112711354B (zh) 触控面板及其制备方法、显示触控装置
CN114730545B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20201210

Address after: No.146 Tianying Road, high tech Zone, Chengdu, Sichuan Province

Applicant after: Chengdu CHENXIAN photoelectric Co.,Ltd.

Address before: 065500 new industrial demonstration area of Guan County, Langfang, Hebei

Applicant before: Yungu (Gu'an) Technology Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant