CN110554537B - 光取向膜用清漆及液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及光取向膜用清漆及液晶显示装置。根据实施方式，光取向膜用清漆在有机溶剂中含有第1聚酰胺酸系化合物和具有比第1聚酰胺酸系化合物更高的极性的第2聚酰胺酸系化合物。第2聚酰胺酸系化合物以大于第1聚酰胺酸系化合物的量存在。第1聚酰胺酸系化合物包含50摩尔％以上的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架、10摩尔％以下的来自包含伯氨基、仲氨基或硝基的二胺化合物的骨架。第2聚酰胺酸系化合物包含20摩尔％以下的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架、10摩尔％以下的来自均苯四甲酸二酐的骨架、10摩尔％以下的来自包含伯氨基、仲氨基或硝基的二胺化合物的骨架。

Description

光取向膜用清漆及液晶显示装置

相关申请

本申请主张以于2018年6月1日提出申请的日本申请特愿2018-106287为基础的优先权权益，将基础申请的全部内容并入本文。

技术领域

本发明的实施方式涉及光取向膜用清漆及液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置具备以矩阵状形成有像素电极、薄膜晶体管(TFT)等的第1基板、和与第1基板隔开间隔而相对配置的形成有滤色器等的第2基板。在第1基板与第2基板之间封入有液晶。液晶通过在第1基板及第2基板上分别设置的取向膜而得以取向。

对于取向膜，常常使用聚酰亚胺膜。作为对该聚酰亚胺膜进行取向处理的方法，最近，除了摩擦处理之外，还采用了以非接触的方式对聚酰亚胺膜赋予取向控制能力的光取向处理(例如，参见专利文献1)。与摩擦处理相比，光取向处理不存在产生静电、由基板表面的凹凸导致的不均匀性等问题。

对于光取向处理而言，例如，通过对聚酰亚胺膜照射254nm～365nm范围的偏振紫外线，沿与偏振方向平行的方向将聚酰亚胺膜分子切断，从而对聚酰亚胺膜赋予单轴各向异性。利用被赋予了单轴各向异性的聚酰亚胺膜(取向膜)而使液晶分子初始取向。

发明内容

在长时间驱动具备经光取向处理的聚酰亚胺膜(光取向膜)的液晶显示装置的情况下，随着驱动时间的经过，有时在液晶显示装置中发生余像(日文：焼付き)。作为液晶显示装置的余像之一，有由于DC电荷在光取向膜上蓄积而产生的残像(DC残像)。已知液晶显示装置的DC残像的发生能够通过降低光取向膜的电阻率、抑制光取向膜的DC电荷的蓄积来抑制或防止。

然而，以低频来驱动(例如，以30Hz以下的频率驱动)具备这种使电阻率降低了的光取向膜的液晶显示装置时，由于光取向膜的保持电荷减少而导致亮度下降，从而可能发生闪动、即闪烁。

本发明的课题在于提供一种用于形成下述光取向膜的清漆，所述光取向膜能使液晶显示装置中不产生DC残像及低频驱动时的闪烁、或能抑制在液晶显示装置中产生DC残像及低频驱动时的闪烁。

本发明的另一课题在于提供具备上述光取向膜的液晶显示装置。

根据本发明的实施方式，提供一种光取向膜用清漆，其在有机溶剂中含有：第1聚酰胺酸系化合物，其是聚酰胺酸或聚酰胺酸酯；和第2聚酰胺酸系化合物，其是具有比前述第1聚酰胺酸系化合物更高的极性的、聚酰胺酸或聚酰胺酸酯，前述第2聚酰胺酸系化合物以大于前述第1聚酰胺酸系化合物的量存在。

前述第1聚酰胺酸系化合物中，将前述第1聚酰胺酸系化合物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第1聚酰胺酸系化合物中的下述式(1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率为50摩尔％以上，

(式(1)中，R¹及R²各自独立地为-COOH或COOR(此处，R为烷基)，R^a分别为氢或烷基)

以及，

将前述第1聚酰胺酸系化合物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第1聚酰胺酸系化合物中的下述式(2)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下，

(式(2)中，J为Ar¹或Ar²-K-Ar³，Ar¹、Ar²及Ar³各自独立地为含有伯氨基、仲氨基或硝基的芳香族基团，K为含有伯氨基或仲氨基的有机基团)。

前述第2聚酰胺酸系化合物中，将前述第2聚酰胺酸系化合物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第2聚酰胺酸系化合物中的下述式(3-1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率为20摩尔％以下，以及，该第2聚酰胺酸系化合物中的下述式(3-2)表示的来自均苯四甲酸二酐的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下，

(式(3-1)中，R¹及R²各自独立地为-COOH或COOR(此处，R为烷基)，R^a分别为氢或烷基)

(式(3-2)中，R¹及R²各自独立地为-COOH或COOR(此处，R为烷基))

以及，将前述第2聚酰胺酸系化合物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第2聚酰胺酸系化合物中的下述式(4)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下，

(式(4)中，J为Ar¹或Ar²-K-Ar³，Ar¹、Ar²及Ar³各自独立地为含有伯氨基、仲氨基或硝基的芳香族基团，K为含有伯氨基或仲氨基的有机基团)。

根据本发明的另一实施方式，可提供一种液晶显示装置，其具备：具有取向膜的第1基板、与前述第1基板的前述取向膜侧相对配置的第2基板、和配置于前述第1基板与前述第2基板之间的液晶层，前述取向膜包含上述光取向膜用清漆的酰亚胺化物。

附图说明

图1为实施方式涉及的液晶显示装置的概略俯视图。

图2为将沿图1的ii-ii线的部分断裂概略截面放大示出的图。

图3为示出实施方式涉及的两层结构的光取向膜的构成的示意图。

具体实施方式

针对具备低电阻率的光取向膜的单纯液晶盒，本申请的发明人确认到，当设定闪烁为最小的公共电压(Vcom)(初始值)、并于该Vcom下将背光源连续点亮时，闪烁增大。当在该时间点测定闪烁为最小的Vcom时，其值与初始值不同(Vcom的偏移)。这表明DC电荷在液晶盒中蓄积。

此外，由于上述液晶盒为单纯液晶盒，因而本申请的发明人推测DC电荷并非来源于驱动，而是由在电极附近的光取向膜中产生的光电荷导致的，已查明该光电荷的产生量主要取决于特定的胺成分的量。推测取决于该特定的胺成分的量，在向聚酰亚胺膜照射偏振紫外线时，产生自由基等，从而对其他取向膜结构或取向膜特性造成影响。而且，还发现由于光取向膜整体显示较高的电阻率，因而能防止低频驱动时的闪烁。

以下，参照附图对一些实施方式进行说明。需要说明的是，对于附图而言，为了更明确地说明，与实际的方式相比，有时示意性地表示各部的宽度、厚度、形状等，但只不过是例子，不限定本发明的解释。另外，本说明书和各图中，对于与针对之前的图而说明的构成要素发挥相同或类似的功能的构成要素而言，标记相同的附图标记，并适当省略重复的详细说明。

＜液晶显示装置＞

首先，参见图1及图2来说明实施方式涉及的液晶显示装置DSP。图1为液晶显示装置DSP的概略俯视图，图2为将沿图1的ii-ii线的部分断裂概略截面放大示出的图。

本实施方式中，将与液晶显示装置DSP的短边平行的方向记为第1方向X，将与液晶显示装置DSP的长边平行的方向记为第2方向Y，将与第1方向X及第2方向Y垂直的方向记为第3方向Z。第1方向X及第2方向Y在本实施方式中相互正交，但也可以以90度以外的角度交叉。

另外，本实施方式中，将第3方向Z的正的方向定义为上或上方，将第3方向Z的负的方向定义为下或下方。此外，将从上方观察液晶显示装置DSP定义为俯视。俯视时的液晶显示装置DSP见于俯视图(图1)。

如图1所示，液晶显示装置DSP具备显示面板PNL、柔性印刷电路基板1、IC芯片2、和电路基板3。显示面板PNL为液晶显示面板，具备第1基板SUB1、第2基板SUB2、后述的液晶层LC、密封剂SE、遮光层LS、和间隔物SP1～SP4。

第1基板SUB1和第2基板SUB2相互隔开间隔而相对配置。第1基板SUB1具有与第2基板SUB2相对的区域、和与第2基板SUB2相比沿第2方向Y延伸出的安装部MA。换言之，第1基板SUB1的安装部MA与第2基板SUB2的端缘相比向外侧延伸出。

柔性印刷电路基板1安装于第1基板SUB1的安装部MA。IC芯片2与柔性印刷电路基板1电连接。需要说明的是，IC芯片2也可安装于安装部MA。IC芯片2内置有在显示图像的显示模式中输出图像显示所需要的信号的显示驱动器(display driver)DD。另外，在图示的例子中，IC芯片2内置有对检测物体向显示装置DSP的接近或接触的触摸传感模式进行控制的触摸控制器TC。图中，IC芯片2由单点划线表示，显示驱动器DD及触摸控制器TC由虚线表示。电路基板3与柔性印刷电路基板1的第2方向Y的后半部电连接，通过柔性印刷电路基板1向第1基板SUB1传送驱动信号。

第1基板SUB1与第2基板SUB2在除安装部MA之外的第1基板SUB1的周缘部与第2基板SUB2的周缘部利用形成为框状的密封剂SE粘接。框状的密封剂SE在第1基板SUB1与第2基板SUB2之间规定了一定的盒间隙(cell gap)。在密封剂SE的内侧封入液晶从而形成后述的液晶层LC。

另外，框状的密封剂SE规定了非显示部NDA。遮光层LS设置于俯视时与密封剂SE重叠的位置。图1中，设置了密封剂SE的区域、与配置了遮光层LS的区域用相互不同的斜线表示，密封剂SE与遮光层LS重叠的区域用交叉影线(cross hatching)表示。遮光层LS设置于第2基板SUB2。

间隔物SP1～SP4分别以框状设置于第1基板SUB1、第2基板SUB2和非显示部NDA上。间隔物SP1位于第2基板SUB2的最外周。间隔物SP2位于比间隔物SP1更靠近显示部DA侧的位置。间隔物SP1及SP2与密封剂SE重叠。间隔物SP3及SP4位于比密封剂SE更靠近显示部DA侧的位置。间隔物SP1～SP4与框状的密封剂SE一同在第1基板SUB1与第2基板SUB2之间规定了一定的盒间隙。间隔物SP1～SP4例如可设置于第2基板SUB2，也可设置于第1基板SUB1。

非显示部NDA在其内侧规定了显示图像的显示部DA。显示部DA具备沿第1方向X及第2方向Y配置成矩阵状的多个像素PX。

本实施方式的显示面板PNL可以是下述中的任何类型：通过使来自第1基板SUB1的背面侧的光选择性地透过从而显示图像的具备透射显示功能的透射型；通过选择性地反射来自第2基板SUB2的前面侧的光从而显示图像的具备反射显示功能的反射型；或具备透射显示功能及反射显示功能的半透射型。

另外，关于显示面板PNL的详细构成，此处省略说明，显示面板PNL可具备与下述显示模式对应的任意构成：利用沿基板主面的横电场的显示模式、利用沿基板主面的法线的纵电场的显示模式、利用沿相对于基板主面倾斜的方向倾斜的倾斜电场的显示模式、以及将上述横电场、纵电场、及倾斜电场适当组合而加以利用的显示模式。此处所谓的基板主面，是与由第1方向X及第2方向Y规定的X-Y平面平行的面。

如图2所示，第1基板SUB1具备第1绝缘基板10、绝缘膜11～16、信号线S1及S2、金属布线ML1及ML2、公共电极CE、和像素电极PE。需要说明的是，图2所示的例子相当于应用了FFS(Fringe Field Switching，边缘场切换，其为利用横电场的显示模式之一)模式的例子。

第1绝缘基板10为玻璃基板、挠性的树脂基板这样的透光性的基板。在第1绝缘基板10的下表面，粘接有包含偏光板PL1的光学元件OD1。需要说明的是，光学元件OD1根据需要也可具备相位差板、散射层、防反射层等。在光学元件OD1之下设置有照明装置IL。

绝缘膜11配置于第1绝缘基板10之上，绝缘膜12配置于绝缘膜11之上，绝缘膜13配置于绝缘膜12之上。绝缘膜11～13为由硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物等绝缘性的无机材料形成的无机绝缘膜，可以为单层结构，也可以为多层结构。

信号线S1及S2配置于同一绝缘膜13之上。上述信号线分别由铝(Al)、钛(Ti)、银(Ag)、钼(Mo)、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)等金属材料、组合上述金属材料而得的合金等形成，可以为单层结构，也可以为多层结构。在一个例子中，信号线S1、S2分别为包含钛(Ti)的层、包含铝(Al)的层、及包含钛(Ti)的层依次层叠而成的层叠体。

在绝缘膜13、信号线S1及S2上，以覆盖它们的方式配置有绝缘膜14。绝缘膜14例如为由丙烯酸树脂等绝缘性的有机材料形成的有机绝缘膜。

金属布线ML1及ML2配置于同一绝缘膜14之上。金属布线ML1及ML2由上述金属材料、组合上述金属材料而得的合金等形成，可以为单层结构，也可以为多层结构。在一个例子中，金属布线ML1及ML2分别为包含钛(Ti)的层、包含铝(Al)的层、及包含钛(Ti)的层依次层叠而成的层叠体、或包含钼(Mo)的层、包含铝(Al)的层、及包含钼(Mo)的层依次层叠而成的层叠体。

在绝缘膜14、金属布线ML1及ML2之上，以覆盖它们的方式配置有绝缘膜15。绝缘膜15例如与绝缘膜14同样，为由丙烯酸树脂等绝缘性的有机材料形成的有机绝缘膜。需要说明的是，绝缘膜15也可以为无机绝缘膜。

公共电极CE配置于绝缘膜15之上。公共电极CE是由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明的导电材料形成的透明电极。

绝缘膜16配置于公共电极CE之上。绝缘膜16与绝缘膜11～13同样，是由硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物等绝缘性的无机材料形成的无机绝缘膜，可以为单层结构，也可以为多层结构。

像素电极PE配置于绝缘膜16之上。像素电极PE是由ITO、IZO等透明的导电材料形成的透明电极。

在像素电极PE及绝缘膜16之上，以覆盖它们的方式设置有第1取向膜AL1。第1取向膜AL1优选具有9.0×10¹⁴Ω·cm以上的电阻率。关于第1取向膜AL1的详细的构成，在后文中说明。

第2基板SUB2具备第2绝缘基板20、滤色器CF、遮光膜BM、和保护层(overcoatlayer)OC。

第2绝缘基板20与第1绝缘基板10同样，为玻璃基板、挠性的树脂基板这样的透光性的基板。在第2绝缘基板20上，粘接有包含偏光板PL2的光学元件OD2。需要说明的是，光学元件OD2根据需要也可具备相位差板、散射层、防反射层等。

滤色器CF位于第2绝缘基板20的与第1基板SUB1相对的一侧。滤色器CF具备绿色的滤色区段(color filter segment)CFG，红色及蓝色的滤色区段CFR、CFB与其相邻。滤色器CF配置于与像素电极PE相对的位置，在各滤色区段间配置有防止它们混色的遮光膜BM。保护层OC覆盖滤色器CF。保护层OC由透明的树脂形成。

在保护层OC的与第1基板SUB1相对的一侧，设置有第2取向膜AL2。第2取向膜AL2优选具有9.0×10¹⁴Ω·cm以上的电阻率。关于第2取向膜AL2的详细的构成，在后文中说明。

液晶层LC位于第1基板SUB1和第2基板SUB2之间，并被保持在第1取向膜AL1与第2取向膜AL2之间。液晶层LC具备液晶分子LM。液晶层LC由正型(介电常数各向异性为正)的液晶材料或负型(介电常数各向异性为负)的液晶材料构成。

这样的显示面板PNL中，在像素电极PE与公共电极CE之间未形成电场的OFF状态下，液晶分子LM在第1取向膜AL1和第2取向膜AL2之间沿规定的方向初始取向。这样的OFF状态下，从照明装置IL向显示面板PNL照射的光被光学元件OD1及光学元件OD2吸收，成为暗显示。另一方面，在像素电极PE与公共电极CE之间形成了电场的ON状态下，液晶分子LM在电场作用下沿与初始取向方向不同的方向取向，其取向方向受电场控制。在这样的ON状态下，来自照明装置IL的光的一部分透过光学元件OD1及光学元件OD2，成为明显示。

对于实施方式涉及的取向膜(第1取向膜AL1、第2取向膜AL2)而言，将光取向膜用清漆涂布于基板(第1基板SUB1、第2基板SUB2)上并进行加热，从而将光取向膜用清漆转化成聚酰亚胺膜，对该聚酰亚胺膜照射偏振紫外线，从而对该聚酰亚胺膜赋予取向控制能力。在一些实施方式中，第1取向膜AL1及第2取向膜AL2为光取向膜用清漆的酰亚胺化物(光取向膜)。

＜光取向膜用清漆＞

对于实施方式涉及的光取向膜用清漆而言，其在有机溶剂中含有：第1聚酰胺酸系化合物，其是聚酰胺酸或聚酰胺酸酯；和第2聚酰胺酸系化合物，其是具有比前述第1聚酰胺酸系化合物更高的极性的、聚酰胺酸或聚酰胺酸酯，第2聚酰胺酸系化合物以大于第1聚酰胺酸系化合物的量存在。

在一些实施方式中，对于光取向膜用清漆而言，第1聚酰胺酸系化合物与第2聚酰胺酸系化合物的重量比为4:6～2:8，优选为4:6～3:7。

如后文所述，聚酰胺酸可通过使四羧酸化合物(四羧酸二酐)与二胺化合物反应而合成。聚酰胺酸酯可通过将该聚酰胺酸酯化而合成。

因此，第1及第2聚酰胺酸系化合物分别具有来自四羧酸化合物的骨架和来自二胺化合物的骨架。

＜第1聚酰胺酸系化合物＞

实施方式涉及的第1聚酰胺酸系化合物中，将第1聚酰胺酸系化合物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第1聚酰胺酸系化合物中的下述式(1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率为50摩尔％以上，

(式(1)中，R¹及R²各自独立地为-COOH或COOR(此处，R为烷基)，R^a分别为氢或烷基)

以及，将第1聚酰胺酸系化合物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第1聚酰胺酸系化合物中的下述式(2)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下，

(式(2)中，J为Ar¹或Ar²-K-Ar³，Ar¹、Ar²及Ar³各自独立地为含有伯氨基、仲氨基或硝基的芳香族基团，K为含有伯氨基或仲氨基的有机基团)。

实施方式涉及的第1聚酰胺酸系化合物中，将第1聚酰胺酸系化合物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第1聚酰胺酸系化合物中的上述式(1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率优选为80摩尔％以上。

上述式(1)中的R^a为烷基时，R^a例如为具有1个～6个碳原子的烷基。作为烷基，特别优选甲基。

在一些实施方式中，对于第1聚酰胺酸系化合物中的来自四羧酸化合物的骨架而言，除了上述式(1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架之外，还可包含下述式(1-1)表示的来自四羧酸化合物的骨架(小于50摩尔％、优选小于20摩尔％)

(式(1-1)中，R¹及R²与有关式(1)而定义的相同，X¹为环丁烷骨架以外的脂环式骨架、链式骨架、或芳香族基团)。

上述式(1-1)中，环丁烷骨架以外的脂环式骨架例如为环戊烷骨架、环己烷骨架、双环[2,2,1]庚烷骨架、2-甲基双环[2,2,1]庚烷骨架，链式骨架例如为丁基骨架，芳香族基团例如为苯环。

实施方式涉及的第1聚酰胺酸系化合物中，将第1聚酰胺酸系化合物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第1聚酰胺酸系化合物中的上述式(2)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率优选为5摩尔％以下。需要说明的是，上述“10摩尔％以下”及“5摩尔％以下”也包括0摩尔％，该第1聚酰胺酸系化合物中的上述式(2)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率进一步优选为0摩尔％。

在一些实施方式中，第1聚酰胺酸系化合物中的来自二胺化合物的骨架可包含90摩尔％以上(优选100摩尔％)的下述式(5)表示的来自二胺化合物的骨架，

(式(5)中，L为Ar⁴或Ar⁵-M-Ar⁶，Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶各自独立地为不含伯氨基、仲氨基及硝基的芳香族基团，M为不含伯氨基及仲氨基的有机基团)。

在一些实施方式中，式(5)中的Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶为具有卤素原子、羟基、硫醇基、磷酸基、或碳原子数为1～20的1价的有机基团的芳香族基团。由Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶表示的芳香族基团的例子为苯环或包含苯环的基团。

在一些实施方式中，式(5)中的M为氧、氮、硫、碳及氢、或由它们中两种以上的组合而形成的有机基团。

如上所述，第1聚酰胺酸系化合物可包含上述式(1)、或上述式(1)及(1-1)表示的来自四羧酸化合物的骨架、和上述式(5)表示的来自二胺化合物的骨架，因此，具有下述式(6-1)所表示的结构单元(重复单元)。

式(6-1)中，R^a与有关式(1)所定义的相同，R¹及R²与有关式(1)所定义的相同，L与有关式(5)所定义的相同。

其他实施方式中，第1聚酰胺酸系化合物除了具有上述式(6-1)表示的结构单元之外，还具有下述式(6-2)所表示的结构单元(重复单元)。

式(6-2)中，X¹与有关式(1-1)所定义的相同，R¹及R²与有关式(1)所定义的相同，L与有关式(5)所定义的相同。

＜第1聚酰胺酸系化合物的制造＞

第1聚酰胺酸系化合物能够通过利用常规方法使二胺化合物与四羧酸化合物(四羧酸二酐)反应而作为聚酰胺酸来制造。

聚酰胺酸酯例如可通过使聚酰胺酸与N,N-二甲基甲酰胺二烷基缩醛反应来制造。或者，聚酰胺酸酯也可通过日本特开2000-273172号公报中记载的方法制造。

在一些实施方式中，第1聚酰胺酸系化合物的合成中使用的四羧酸化合物为下述式(7-1)表示的具有环丁烷骨架的四羧酸化合物。

(式(7-1)中，R^a与有关式(1)所定义的相同)

在第1聚酰胺酸系化合物的合成中使用的四羧酸化合物的总摩尔％(100摩尔％)中，上述式(7-1)表示的具有环丁烷骨架的四羧酸化合物为50摩尔％以上，优选为80摩尔％以上。

上述式(7-1)表示的具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的例子包括1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐、1,2-二甲基-1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐、1,3-二甲基-1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐、及1,2,3,4-四甲基-1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐。具有环丁烷骨架的四羧酸化合物优选为1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐、或1,3-二甲基-1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐。

其他实施方式中，第1聚酰胺酸系化合物的合成中使用的四羧酸化合物可以是下述式(7-2)表示的四羧酸化合物。

(式(7-2)中，X¹与有关式(1-1)所定义的相同)

在第1聚酰胺酸系化合物的合成中使用的四羧酸化合物的总摩尔％(100摩尔％)中，上述式(7-2)表示的四羧酸化合物小于50摩尔％，优选小于20摩尔％。

X¹具有环丁烷骨架以外的脂环式骨架的上述式(7-2)表示的四羧酸化合物的例子包括1,2,3,4-环戊烷四甲酸二酐、1,2,3,5-环己烷四甲酸二酐、双环[2,2,1]庚烷-2,3,5,6-四甲酸2；3,5；6-二酐、及3,5,6-三羧基降冰片烷-2-乙酸2,3；5,6-二酐、3-(羧甲基)-1,2,4-环戊烷三甲酸1,4：2,3二酐。

X¹具有链式骨架的上述式(7-2)表示的四羧酸化合物例如为内消旋-丁烷-1,2,3,4-四甲酸二酐。

X¹具有芳香族基团的上述式(7-2)表示的四羧酸化合物例如为均苯四甲酸二酐。

第1聚酰胺酸系化合物的合成中使用的二胺化合物可以为下述式(8)表示的二胺化合物。

H₂N-J-NH₂ (8)

(式(8)中，J与有关式(2)中的定义相同)

然而，在第1聚酰胺酸系化合物的合成中使用的二胺化合物的总摩尔％(100摩尔％)中，上述式(8)表示的二胺化合物为10摩尔％以下，优选为5摩尔％以下。需要说明的是，上述“10摩尔％以下”及“5摩尔％以下”也包括0摩尔％，上述式(8)表示的二胺化合物进一步优选为0摩尔％。

在一些实施方式中，第1聚酰胺酸系化合物的合成中使用的二胺化合物可以为下述式(9)表示的二胺化合物。

H₂N-L-NH₂ (9)

(式(9)中，L与有关式(5)所定义的相同)

在第1聚酰胺酸系化合物的合成中使用的二胺化合物的总摩尔％(100摩尔％)中，上述式(9)表示的二胺化合物为90摩尔％以上，优选为100摩尔％。

上述式(9)表示的二胺化合物的例子包括邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺、2,4-二氨基甲苯、2,5-二氨基甲苯、3,5-二氨基甲苯、1,4-二氨基-2-甲氧基苯、2,5-二氨基对二甲苯、1,3-二氨基-4-氯苯、3,5-二氨基苯甲酸、1,4-二氨基-2,5-二氯苯、4,4’-二氨基-1,2-二苯基乙烷、4,4’-二氨基-2,2’-二甲基联苄、4,4’-二氨基二苯基甲烷、3,3’-二氨基二苯基甲烷、3,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基-3,3’-二甲基二苯基甲烷、2,2’-二氨基芪、4,4’-二氨基芪、4,4’-二氨基二苯基醚、3,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯基硫醚、4,4’-二氨基二苯基砜、3,3’-二氨基二苯基砜、4,4’-二氨基二苯甲酮、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯、1,3-双(4-氨基苯氧基)苯、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、3,5-双(4-氨基苯氧基)苯甲酸、4,4’-双(4-氨基苯氧基)联苄、2,2-双[(4-氨基苯氧基)甲基]丙烷、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、1,1-双(4-氨基苯基)环己烷、α,α’-双(4-氨基苯基)-1,4-二异丙基苯、9,9-双(4-氨基苯基)芴、2,2-双(3-氨基苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷、4,4’-二氨基二苯基胺、2,4-二氨基二苯基胺、1,8-二氨基萘、1,5-二氨基萘、1,5-二氨基蒽醌、1,3-二氨基芘、1,6-二氨基芘、1,8-二氨基芘、2,7-二氨基芴、1,3-双(4-氨基苯基)四甲基二硅氧烷、联苯胺、2,2’-二甲基联苯胺、1,2-双(4-氨基苯基)乙烷、1,3-双(4-氨基苯基)丙烷、1,4-双(4-氨基苯基)丁烷、1,5-双(4-氨基苯基)戊烷、1,6-双(4-氨基苯基)己烷、1,7-双(4-氨基苯基)庚烷、1,8-双(4-氨基苯基)辛烷、1,9-双(4-氨基苯基)壬烷、1,10-双(4-氨基苯基)癸烷、1,3-双(4-氨基苯氧基)丙烷、1,4-双(4-氨基苯氧基)丁烷、1,5-双(4-氨基苯氧基)戊烷、1,6-双(4-氨基苯氧基)己烷、1,7-双(4-氨基苯氧基)庚烷、1,8-双(4-氨基苯氧基)辛烷、1,9-双(4-氨基苯氧基)壬烷、1,10-双(4-氨基苯氧基)癸烷、二(4-氨基苯基)1,3-丙二酸酯、二(4-氨基苯基)1,4-丁二酸酯、二(4-氨基苯基)1,5-戊二酸酯、二(4-氨基苯基)1,6-己二酸酯、二(4-氨基苯基)1,7-庚二酸酯、二(4-氨基苯基)1,8-辛二酸酯、二(4-氨基苯基)1,9-壬二酸酯、二(4-氨基苯基)1,10-癸二酸酯、1,3-双〔4-(4-氨基苯氧基)苯氧基〕丙烷、1,4-双〔4-(4-氨基苯氧基)苯氧基〕丁烷、1,5-双〔4-(4-氨基苯氧基)苯氧基〕戊烷、1,6-双〔4-(4-氨基苯氧基)苯氧基〕己烷、1,7-双〔4-(4-氨基苯氧基)苯氧基〕庚烷、1,8-双[4-(4-氨基苯氧基)苯氧基]辛烷、1,9-双〔4-(4-氨基苯氧基)苯氧基〕壬烷、及1,10-双[4-(4-氨基苯氧基)苯氧基]癸烷。此外，式(9)表示的二胺的例子如下所示(在以下的例子中，n为1～10的整数)。

＜第2聚酰胺酸系化合物＞

实施方式涉及的第2聚酰胺酸系化合物中，将第2聚酰胺酸系化合物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第2聚酰胺酸系化合物中的下述式(3-1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率为20摩尔％以下，

(式(3-1)中，R¹及R²各自独立地为-COOH或COOR(此处，R为烷基)，R^a分别为氢或烷基)以及，该第2聚酰胺酸系化合物中的下述式(3-2)表示的来自均苯四甲酸二酐的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下，

(式(3-2)中，R¹及R²各自独立地为-COOH或COOR(此处，R为烷基))

以及，将第2聚酰胺酸系化合物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第2聚酰胺酸系化合物中的下述式(4)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下。

(式(4)中，J为Ar¹或Ar²-K-Ar³，Ar¹、Ar²及Ar³各自独立地为含有伯氨基、仲氨基或硝基的芳香族基团，K为含有伯氨基或仲氨基的有机基团)

实施方式涉及的第2聚酰胺酸系化合物中，将第2聚酰胺酸系化合物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第2聚酰胺酸系化合物中的上述式(3-1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率优选为10摩尔％下。需要说明的是，上述“20摩尔％以下”及“10摩尔％以下”也包括0摩尔％，该第2聚酰胺酸系化合物中的上述式(3-1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率进一步优选为0摩尔％。

上述式(3-1)中的R^a为烷基时，R^a例如为具有1个～6个碳原子的烷基。作为烷基，特别优选甲基。

另外，实施方式涉及的第2聚酰胺酸系化合物中，将第2聚酰胺酸系化合物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第2聚酰胺酸系化合物中的上述式(3-2)表示的来自均苯四甲酸二酐的骨架的摩尔百分率优选为5摩尔％以下。需要说明的是，上述“10摩尔％以下”及“5摩尔％以下”也包括0摩尔％，该第2聚酰胺酸系化合物中的上述式(3-2)表示的来自均苯四甲酸二酐的骨架的摩尔百分率进一步优选为0摩尔％。

在一些实施方式中，对于第2聚酰胺酸系化合物中的来自四羧酸化合物的骨架而言，除了上述式(3-1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架及上述式(3-2)表示的来自均苯四甲酸二酐的骨架之外，还可包含下述式(10)表示的来自四羧酸化合物的骨架(70摩尔％以上、优选85摩尔％以上，进一步优选100摩尔％)。

(式(10)中，R¹及R²各自独立地为-COOH或COOR(此处，R为烷基)，X²为环丁烷骨架以外的脂环式骨架或链式骨架)

上述式(10)中，环丁烷骨架以外的脂环式骨架例如为环戊烷骨架、环己烷骨架、双环[2,2,1]庚烷骨架、2-甲基双环[2,2,1]庚烷骨架，链式骨架例如为丁基骨架。

实施方式涉及的第2聚酰胺酸系化合物中，将第2聚酰胺酸系化合物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第2聚酰胺酸系化合物中的上述式(4)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率优选为5摩尔％以下。需要说明的是，上述“10摩尔％以下”及“5摩尔％以下”也包括0摩尔％，该第2聚酰胺酸系化合物中的上述式(4)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率进一步优选为0摩尔％。

在一些实施方式中，第2聚酰胺酸系化合物中的来自二胺化合物的骨架可包含90摩尔％以上(优选100摩尔％)的下述式(11-1)表示的来自二胺化合物的骨架。

(式(11-1)中，L为Ar⁴或Ar⁵-M-Ar⁶，Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶各自独立地为不含伯氨基、仲氨基及硝基的芳香族基团，M为不含伯氨基及仲氨基的有机基团)

在一些实施方式中，式(11-1)中的Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶具有卤素原子、羟基、硫醇基、磷酸基、或碳原子数为1～20的1价的有机基团的芳香族基团。由Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶表示的芳香族基团的例子为苯环或包含苯环的基团。

在一些实施方式中，式(11-1)中的M为氧、氮、硫、碳及氢、或由它们中两种以上的组合而形成的有机基团。

其他实施方式中，第2聚酰胺酸系化合物中的来自二胺化合物的骨架可包含下述式(11-2)表示的来自二胺化合物的骨架。

(式(11-2)中，L¹为含有氧及/或氟的有机基团)

实施方式涉及的第2聚酰胺酸系化合物中，将第2聚酰胺酸系化合物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该第2聚酰胺酸系化合物中的上述式(11-1)及/或(11-2)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率的总计优选为90摩尔％以上，进一步优选为100摩尔％。

如上所述，第2聚酰胺酸系化合物可包含上述式(10)表示的来自四羧酸化合物的骨架和上述式(11-1)及/或(11-2)表示的来自二胺化合物的骨架，因而具有下述式(12-1)所表示的结构单元(重复单元)。

式(12-1)中，X²与有关式(10)所定义的相同，R¹及R²与有关式(10)所定义的相同，L与有关式(11-1)所定义的相同。

其他实施方式中，对于第2聚酰胺酸系化合物而言，除了上述式(12-1)表示的结构单元之外，还具有下述式(12-2)所表示的结构单元(重复单元)。

式(12-2)中，X²与有关式(10)所定义的相同，R¹及R²与有关式(10)所定义的相同，L¹与有关式(11-2)所定义的相同。

第2聚酰胺酸系化合物具有比第1聚酰胺酸系化合物更高的极性。在一些实施方式中，第2聚酰胺酸系化合物除了具有上述式(11-1)表示的结构单元之外，还具有上述式(11-2)所表示的结构单元(重复单元)，因此，第2聚酰胺酸系化合物将会具有比第1聚酰胺酸系化合物更高的极性、即更大的表面能。

在聚酰胺酸酯和聚酰胺酸共存的情况下，聚酰胺酸具有比聚酰胺酸酯更大的表面能。即，第1聚酰胺酸系化合物为聚酰胺酸酯、第2聚酰胺酸系化合物为聚酰胺酸的情况下，第2聚酰胺酸系化合物具有比第1聚酰胺酸系化合物更大的表面能。

＜第2聚酰胺酸系化合物的制造＞

第2聚酰胺酸系化合物可通过利用常规方法使二胺化合物与四羧酸化合物(四羧酸二酐)反应而作为聚酰胺酸来制造。

聚酰胺酸酯可按照关于第1聚酰胺酸系化合物而记载的制造方法制造。

第2聚酰胺酸系化合物的合成中使用的四羧酸化合物可以是上述式(7-1)表示的具有环丁烷骨架的四羧酸化合物、及均苯四甲酸二酐。

然而，在第2聚酰胺酸系化合物的合成中使用的四羧酸化合物的总摩尔％(100摩尔％)中，上述式(7-1)表示的具有环丁烷骨架的四羧酸化合物为20摩尔％以下，优选为10摩尔％以下，进一步优选为0摩尔％。

另外，在第2聚酰胺酸系化合物的合成中使用的四羧酸化合物的总摩尔％(100摩尔％)中，均苯四甲酸二酐为10摩尔％以下，优选为5摩尔％以下，进一步优选为0摩尔％。

在一些实施方式中，第2聚酰胺酸系化合物的合成中使用的四羧酸化合物可以为下述式(13)表示的四羧酸化合物。

(式(13)中，X²与有关式(10)所定义的相同)

在第2聚酰胺酸系化合物的合成中使用的四羧酸化合物的总摩尔％(100摩尔％)中，上述式(13)表示的四羧酸化合物为90摩尔％以上，优选为100摩尔％。

作为上述式(13)表示的四羧酸二酐，可使用具有环丁烷骨架以外的脂环式骨架或链式骨架的四羧酸二酐。

作为第2聚酰胺酸系化合物的合成中使用的具有环丁烷骨架以外的脂环式骨架或链式骨架的四羧酸化合物，可使用第1聚酰胺酸系化合物的合成中使用的具有环丁烷骨架以外的脂环式骨架或链式骨架的四羧酸化合物。

第2聚酰胺酸系化合物的合成中使用的二胺化合物可以是上述式(8)表示的二胺化合物。然而，在第2聚酰胺酸系化合物的合成中使用的二胺化合物的总摩尔％(100摩尔％)中，上述式(8)表示的二胺化合物为10摩尔％以下，优选为5摩尔％以下。需要说明的是，上述“10摩尔％以下”及“5摩尔％以下”也包括0摩尔％，上述式(8)表示的二胺化合物进一步优选为0摩尔％。

在一些实施方式中，第2聚酰胺酸系化合物的合成中使用的二胺化合物可以是上述式(9)表示的二胺化合物及下述式(14)表示的二胺化合物。

H₂N-L¹-NH₂ (14)

(式(14)中，L¹与有关式(11-2)所定义的相同)

在第1聚酰胺酸系化合物的合成中使用的二胺化合物的总摩尔％(100摩尔％)中，上述式(9)及上述式(14)表示的二胺化合物总计为90摩尔％以上，优选总计为100摩尔％。

作为第2聚酰胺酸系化合物的合成中使用的上述式(9)表示的二胺化合物，可使用第1聚酰胺酸系化合物的合成中使用的上述式(9)表示的二胺化合物。

作为第2聚酰胺酸系化合物的合成中使用的上述式(14)表示的二胺化合物，可使用上述式(9)表示的二胺化合物中的具有含有氧的有机基团的二胺化合物、或在上述式(9)表示的二胺化合物中的芳香族基团中导入含有氟的有机基团(氟基等)而成的二胺化合物。

＜有机溶剂＞

作为使第1及第2聚酰胺酸系化合物溶解或分散的有机溶剂，可使用N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基己内酰胺、2-吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-乙烯基吡咯烷酮、二甲基亚砜、四甲基脲、吡啶、二甲基砜、六甲基亚砜、γ-丁内酯、1,3-二甲基-咪唑烷酮(imidazolidinone)、乙基戊基酮、甲基壬基酮、甲基乙基酮、甲基异戊基酮、甲基异丙基酮、环己酮、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、二甘醇二甲醚、及4-羟基-4-甲基-2-戊酮、及丁基溶纤剂。

＜取向膜＞

对于实施方式涉及的光取向膜用清漆而言，由于第2聚酰胺酸系化合物具有比第1聚酰胺酸系化合物更高的极性、即更大的表面能，因而第1聚酰胺酸系化合物与第2聚酰胺酸系化合物发生相分离。

参照图2，将含有这样的第1及第2聚酰胺酸系化合物的光取向膜用清漆涂布于第1基板SUB1的像素电极PE及绝缘膜16上时，由于第2聚酰胺酸系化合物与形成像素电极PE的ITO、IZO、形成绝缘膜16的硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物等无机绝缘材料的亲和性更高，因而第2聚酰胺酸系化合物成为下层，第1聚酰胺酸系化合物构成上层从而将与液晶层LC接触。

另外，将光取向膜用清漆涂布于第2基板SUB2的保护层OC上时，由于第2聚酰胺酸系化合物与使用了有机树脂的保护层OC的亲和性高更，因而第2聚酰胺酸系化合物构成下层从而将与保护层OC接触，第1聚酰胺酸系化合物形成上层从而将与液晶层LC接触。

于200℃左右的温度对已涂布于涂布对象并分离成两相的光取向膜用清漆进行加热，从而进行酰亚胺化，对酰亚胺化后的两层膜进行光取向处理，从而提供取向膜、即光取向膜。光取向处理可通过对酰亚胺化膜照射波长254nm～365nm范围的偏振紫外线来进行。对于具备经光取向处理的酰亚胺化膜的第1基板SUB1及第2基板SUB2，也可以进一步于200℃左右的温度进行加热。

图3为示出实施方式涉及的两层结构的光取向膜(第1取向膜AL1)的示意图。第1取向膜AL1形成于绝缘膜16上，由上层AL1-1和下层AL1-2形成。此处，由于第1取向膜AL1的上层AL1-1与下层AL1-2的边界不明确，因而在图3中，用虚线来表示它们的边界。

如上所述，对于实施方式涉及的光取向膜用清漆而言，第2聚酰胺酸系化合物以大于第1聚酰胺酸系化合物的量存在，因此，两层结构的取向膜之中，下层所占的比例变多，下层变得比上层更厚。

对于如上所述地形成的两层结构的光取向膜而言，极性低的第1聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物形成上层(液晶侧)，极性高的第2聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物形成于下层(绝缘基板侧)。

在一些实施方式中，形成上层的第1聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物(聚酰亚胺)具有下述式(15-1)所表示的结构单元(重复单元)。

式(15-1)中，R^a与有关式(1)所定义的相同，L与有关式(5)中所定义的相同。

其他实施方式中，对于第1聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物而言，除了上述式(15-1)表示的结构单元之外，还具有下述式(15-2)所表示的结构单元(重复单元)。

式(15-2)中，X¹与有关式(1-1)所定义的相同，L与有关式(5)所定义的相同。

这样的第1聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物可通过对第1聚酰胺酸系化合物进行加热(缩合反应)而得到，因此，具有来自四羧酸化合物的骨架和来自二胺化合物的骨架。

因此，第1聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物中，将酰亚胺化物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该酰亚胺化物中的来自上述式(7-1)表示的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率为50摩尔％以上，以及，将酰亚胺化物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该酰亚胺化物中的来自上述式(8)表示的二胺化合物的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下。

在一些实施方式中，形成下层的第2聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物(聚酰亚胺)具有下述式(16-1)所表示的结构单元(重复单元)。

式(16-1)中，X²与有关式(10)所定义的相同，L与有关式(11-1)所定义的相同。

其他实施方式中，对于第2聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物而言，除了上述式(16-1)表示的结构单元之外，具有下述式(16-2)所表示的结构单元(重复单元)。

式(16-2)中，X²与有关式(10)所定义的相同，L¹与有关式(11-2)所定义的相同。

这样的第2聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物可通过对第2聚酰胺酸系化合物进行加热(缩合反应)而得到，因此，具有来自四羧酸化合物的骨架和来自二胺化合物的骨架。

因此，第2聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物中，将酰亚胺化物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该酰亚胺化物中的来自上述式(7-1)表示的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率为20摩尔％以下，以及酰亚胺化物中的来自均苯四甲酸二酐的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下，以及，将酰亚胺化物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该酰亚胺化物中的来自上述式(8)表示的二胺化合物的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下。

对于形成上层的第1聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物而言，将酰亚胺化物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该酰亚胺化物中的来自上述式(8)表示的二胺化合物的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下。因此，作为该酰亚胺化物的聚酰亚胺膜能抑制会在照射偏振紫外线时产生的自由基等的产生。

同样地，对于形成下层的第1聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物而言，将酰亚胺化物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该酰亚胺化物中的来自上述式(8)表示的二胺化合物的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下。因此，作为该酰亚胺化物的聚酰亚胺膜能抑制会在照射偏振紫外线时产生的自由基等的产生。

因此，包含这样的第1及第2聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物的光取向膜能抑制DC电荷的蓄积，能抑制或防止DC残像。

另外，对于形成上层的第1聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物而言，将酰亚胺化物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该酰亚胺化物中的来自上述式(7-1)表示的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率为50摩尔％以上。因此，对于作为该酰亚胺化物的聚酰亚胺膜而言，通过光取向处理，环丁烷骨架分解，容易被赋予取向控制能力。

因此，包含这样的第1聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物的光取向膜容易通过光取向处理而被赋予取向控制能力。

此外，对于形成下层的第2聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物而言，将酰亚胺化物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该酰亚胺化物中的来自均苯四甲酸二酐的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下。因此，作为该酰亚胺化物的聚酰亚胺膜显示较高的电阻率。

因此，包含这样的第2聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物的光取向膜显示较高的电阻率，能抑制或防止低频驱动(例如，以30Hz以下的频率驱动)时的闪烁。

此外，对于形成下层的第2聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物而言，将酰亚胺化物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，该酰亚胺化物中的来自上述式(7-1)表示的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率为20摩尔％以下。因此，作为该酰亚胺化物的聚酰亚胺膜能抑制会在照射偏振紫外线时产生的自由基等的产生。

因此，对于包含这样的第2聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物的光取向膜而言，能抑制DC电荷的蓄积，能抑制或防止DC残像。

此外，对于这样的光取向膜而言，由于形成下层的第2聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物以大于形成上层的第1聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物的量存在，因此，在两层结构的光取向膜中，易于因光取向处理而发生分解的第1聚酰胺酸系化合物所占的比例变少，因此，能抑制会在照射偏振紫外线产生的自由基等的产生，能抑制或防止DC残像。

需要说明的是，上述实施方式中，第1取向膜AL1及第2取向膜AL2由本发明的光取向膜用清漆形成，但第1取向膜AL1及第2取向膜AL2中的至少一方由本发明的光取向膜用清漆形成即可。

实施例

以下，通过实施例来说明本发明，首先，记载聚酰胺酸系化合物的合成例。

聚酰胺酸系化合物的合成例

合成例1

将作为二胺化合物的100摩尔份对苯二胺(PDA)的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)溶液、作为四羧酸化合物的100摩尔份1,3-二甲基-1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐(CBDA)的NMP溶液、和作为有机溶剂的丁基溶纤剂混合，在室温下经8小时使全部单体反应，生成聚酰胺酸，得到固态成分浓度15质量％的所期望的聚酰胺酸溶液。

合成例2

将作为二胺化合物的100摩尔份4,4’-二氨基二苯基醚(DPE)的NMP溶液、作为四羧酸化合物的100摩尔份内消旋-丁烷-1,2,3,4-四甲酸二酐(BDA)的NMP溶液、和作为有机溶剂的丁基溶纤剂混合，在室温下经8小时使全部单体反应，生成聚酰胺酸，得到固态成分浓度15质量％的所期望的聚酰胺酸溶液。

合成例3

作为四羧酸化合物，使用了80摩尔份BDA及20摩尔份CBDA来代替合成例2中的100摩尔份BDA，除此之外，按照关于合成例2而记载的制造方法，得到固态成分浓度15质量％的所期望的聚酰胺酸溶液。

合成例4

作为四羧酸化合物，使用了70摩尔份BDA及30摩尔份CBDA来代替合成例2中的100摩尔份BDA，除此之外，按照关于合成例2而记载的制造方法，得到固态成分浓度15质量％的所期望的聚酰胺酸溶液。

合成例5

作为四羧酸化合物，使用了50摩尔份BDA及50摩尔份CBDA来代替合成例2中的100摩尔份BDA，除此之外，按照关于合成例2而记载的制造方法，得到固态成分浓度15质量％的所期望的聚酰胺酸溶液。

合成例6

将作为二胺化合物的90摩尔份DPE及10摩尔份4,4’-二氨基二苯基胺(APA)的NMP溶液、作为四羧酸化合物的80摩尔份BDA及20摩尔份CBDA的NMP溶液、和作为有机溶剂的丁基溶纤剂混合，在室温下经8小时使全部单体反应，生成聚酰胺酸，得到固态成分浓度15质量％的所期望的聚酰胺酸溶液。

合成例7

作为二胺化合物，使用了80摩尔份DPE及20摩尔份APA来代替合成例6中的90摩尔份DPE及10摩尔份APA，除此之外，按照关于合成例6而记载的制造方法，得到固态成分浓度15质量％的所期望的聚酰胺酸溶液。

合成例8

作为二胺化合物，使用了50摩尔份DPE及50摩尔份APA来代替合成例6中的90摩尔份DPE及10摩尔份APA，除此之外，按照关于合成例6而记载的制造方法，得到固态成分浓度15质量％的所期望的聚酰胺酸溶液。

合成例9

作为二胺化合物，使用了100摩尔份4,4’-二氨基二苯基甲烷(DPM)来代替合成例6中的90摩尔份DPE及10摩尔份APA，除此之外，按照关于合成例6而记载的制造方法，得到固态成分浓度15质量％的所期望的聚酰胺酸溶液。

合成例10

作为四羧酸化合物，使用了90摩尔份BDA及10摩尔份均苯四甲酸二酐(PMDA)来代替合成例2中的100摩尔份BDA，除此之外，按照关于合成例2而记载的制造方法，得到固态成分浓度15质量％的所期望的聚酰胺酸溶液。

合成例11

作为四羧酸化合物，使用了80摩尔份BDA及20摩尔份PMDA来代替合成例2中的100摩尔份BDA，除此之外，按照关于合成例2而记载的制造方法，得到固态成分浓度15质量％的所期望的聚酰胺酸溶液。

将以上说明的合成例1～合成例11中合成的聚酰胺酸系化合物的合成中使用的四羧酸化合物及二胺化合物记载于下述表1。

表1

例1～例11

以重量比4：6或6：4的比率将下述表2所示的上层成分及下层成分混合，制备例1～例11的涂布液(光取向膜用清漆)。针对图2所示结构的液晶显示装置的第1基板SUB1的第1取向膜AL1及第2基板SUB2的第2取向膜AL2，以膜厚成为100nm的方式将例1的涂布液涂布于应涂布区域，于230℃进行10分钟加热，进行酰亚胺化。酰亚胺化率均为80％。

沿相对于电极角而言为80°的方向对各酰亚胺化膜照射254nm～365nm范围的偏振紫外线，从而进行光取向处理。在光取向处理中，使用了短弧光源(USHIO INC.制，UXM-5000BY)。光取向处理中的偏振紫外线的照射量为约1.5J/cm²。照射量是通过积分照度计(USHIO INC.制，UVD-S254传感器)得到的值。

于230℃对光取向处理后的酰亚胺化膜进行30分钟加热，形成光取向膜。将如上所述地形成的光取向膜用于第1基板SUB1及第2基板SUB2，在一方基板上形成的光取向膜的周缘设置密封剂，滴加液晶材料并将其封入，以与另一方基板的光取向膜相对的方式进行贴合，制作液晶盒。使第1基板SUB1及第2基板SUB2的间隙为3μm。作为液晶，使用了负型的液晶材料(Δn＝0.11)。

在制作的液晶盒的两面上以成为正交尼科尔棱镜的方式贴合偏光板，利用常规方法，制造例1的液晶显示装置。关于照明装置，使用了10000cm/cm²的YAG(钇·铝·石榴石系荧光体)-LED光源。对于驱动电压而言，获取电压-亮度特性，将驱动电压设定为成为最大亮度的22％的电压(2.2V)。按照例1的液晶显示装置的制造方法制造例2～例11的液晶显示装置。

＜评价1：2小时后的Vcom偏移量测定＞

在距例1的液晶显示装置50cm的位置，设置亮度测定器(TOPCON TECHNOHOUSECORPORATION制，BM-5AS)。在点亮照明装置的状态下，使用示波器(TEKTRONIX,INC.制)，确认亮度的连续输出(模拟输出)，设定为闪烁成为最少的电压(初始值的Vcom)。将该设定值作为偏置DC电压。

使用外部函数发生器，将30Hz矩形波的驱动频率输入至例1的液晶显示装置。10分钟后，使用示波器测定闪烁成为最少的电压(Vcom)，然后恢复至偏置DC电压，再次开始向例1的液晶显示装置输入30Hz矩形波的驱动频率。实施2小时这样的Vcom测定，算出2小时后的Vcom与初始值的Vcom之差作为Vcom偏移量。对于例2～例11的液晶显示装置，也按照上述方式算出Vcom偏移量。将结果记载于下述表2。

＜评价2：通过目视对低频驱动时的闪烁进行确认＞

除了设定为1Hz的驱动频率之外，在与评价1相同的测定条件下，使用示波器通过目视来判断闪烁的状态。

＜评价3：光取向膜的电阻率测定＞

在表层形成有ITO膜的无碱玻璃基板(表面电阻≤30Ω/sq，ITO膜厚为90nm，Geomatec Co.,Ltd.制)的ITO层上，分别涂布例1～例11的涂布液，以膜厚成为200nm的方式涂布各涂布液，于230℃进行10分钟加热，进行酰亚胺化。

对于各酰亚胺化膜，照射254nm～365nm范围的偏振紫外线，进行光取向处理。在光取向处理中，使用短弧光源(USHIO INC.制，UXM-5000BY)。光取向处理中的照射偏振紫外线时的照射量为约7J/cm²。照射量为通过积分照度计(USHIO INC.制，UVD-S254传感器)得到的值。

于230℃对光取向处理后的酰亚胺化膜进行30分钟加热，形成光取向膜。

在无碱玻璃基板上形成的光取向膜上，以使得膜厚成为0.3μm的方式通过掩模真空蒸镀形成直径0.8mm的圆形的铝电极、及在该圆形的电极周围形成隔开间隔的C字状的铝电极(带有保护环的圆形铝电极)。

将位于C字状的铝电极的外周侧的光取向膜的一部分除去，使ITO层的一部分露出。在露出了ITO层的一部分的部分，涂布用于使得与探针的接触稳定的银糊。将该基板作为光取向膜的电阻率测定用的基板。

以无碱玻璃基板处于背光源侧的方式，将这样的电阻率测定用的基板配置于照度10000cd/m²的LED背光源上，使高阻计(high resistance meter)(Agilent制4339B)的阳极侧的探针接触圆形的铝电极，使高阻计的阴极侧的探针接触银糊部分，将0.2V～2V的电压以0.2V间隔每隔10秒进行施加，利用2端子法测定电流值。在温度为25℃、相对湿度为60％的条件下进行该测定。

将横轴设为V，将纵轴设为I，将标绘图(plot)的斜率的倒数设为R，利用下式算出电阻率ρ[Ωcm]。

ρ＝R·S/d

式中，d为光取向膜的膜厚(200nm)，S为电极的面积(2cm²)。将结果一并记载于下述表2。

以上，基于评价1～3的结果，用以下的4阶段对例1～例11进行评价。

A：在液晶显示装置中完全未观察到DC残像及低频驱动时的闪烁这样的显示异常。

B：在液晶显示装置中观察到没有问题的程度的DC残像及低频驱动时的闪烁这样的显示异常。

C：在液晶显示装置中观察到DC残像、或低频驱动时的闪烁这样的显示异常。

D：在液晶显示装置中观察到低频驱动时的闪烁。

将结果一并记载于表2。

表2

例2、例5～例7的用于形成液晶显示装置的光取向膜的光取向膜用清漆中，将形成下层的合成例3、6～8各自的聚酰胺酸系化合物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，各聚酰胺酸系化合物中的上述式(4)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率分别为0摩尔％、10摩尔％、20摩尔％、50摩尔％。

具备由例2、例5的光取向膜用清漆(其包含各聚酰胺酸系化合物中的上述式(4)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率分别为0摩尔％、10摩尔％的聚酰胺酸系化合物作为下层成分)形成的光取向膜的液晶显示装置与具备由例6、例7的光取向膜用清漆(其包含各聚酰胺酸系化合物中的上述式(4)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率分别为20摩尔％、50摩尔％的聚酰胺酸系化合物作为下层成分)形成的光取向膜的液晶显示装置相比，2小时后的Vcom偏移量被抑制为低水平，DC残像这样的显示异常被抑制或消除。

例1～例4的用于形成液晶显示装置的光取向膜的光取向膜用清漆中，将形成下层的合成例2～5各自的聚酰胺酸系化合物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，各聚酰胺酸系化合物中的上述式(3-1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率分别为0摩尔％、20摩尔％、30摩尔％、50摩尔％。

具备由例2、例3的光取向膜用清漆(其包含各聚酰胺酸系化合物中的上述式(3-1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率分别为0摩尔％、20摩尔％的聚酰胺酸系化合物作为下层成分)形成的光取向膜的液晶显示装置与具备由例4、例5的光取向膜用清漆(其包含各聚酰胺酸系化合物中的上述式(3-1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率分别为30摩尔％、50摩尔％的聚酰胺酸系化合物作为下层成分)形成的光取向膜的液晶显示装置相比，2小时后的Vcom偏移量被抑制为低水平，DC残像这样的显示异常被抑制或消除。

例1、例10、例11的用于形成液晶显示装置的光取向膜的光取向膜用清漆中，将形成下层的合成例2、10、11各自的聚酰胺酸系化合物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，各聚酰胺酸系化合物中的上述式(3-2)表示的来自均苯四甲酸二酐的骨架的摩尔百分率分别为0摩尔％、10摩尔％、20摩尔％。

具备由例1、例10的光取向膜用清漆(其包含各聚酰胺酸系化合物中的上述式(3-2)表示的来自均苯四甲酸二酐的骨架的摩尔百分率分别为0摩尔％、10摩尔％的聚酰胺酸系化合物作为下层成分)形成的光取向膜的液晶显示装置与具备由例11的光取向膜用清漆(其包含聚酰胺酸系化合物中的上述式(3-2)表示的来自均苯四甲酸二酐的骨架的摩尔百分率为20摩尔％的聚酰胺酸系化合物作为下层成分)形成的光取向膜的液晶显示装置相比，光取向膜的电阻率高，因此，低频驱动时的闪烁之类的显示异常被抑制或消除。

例2、例9的用于形成液晶显示装置的光取向膜的光取向膜用清漆分别包含60重量％、40重量％的形成下层的聚酰胺酸系化合物。

具备由例2的光取向膜用清漆(其包含60重量％的所述形成下层的聚酰胺酸系化合物)形成的光取向膜的液晶显示装置与具备由例9的光取向膜用清漆(其包含40重量％的所述形成下层的聚酰胺酸系化合物)形成的光取向膜的液晶显示装置相比，易于因光取向处理而发生分解的聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物(上层)所占的比例变少，因此，DC残像之类的显示异常被抑制。

以上，对本发明的一些实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而公开的，并不旨在限定发明的范围。这些新型实施方式可以以其他各种方式实施，可以在不超出发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式、其变形包含在发明的范围、主旨中，并且包含在权利要求书记载的发明及其均等范围中。

Claims (9)

1.光取向膜用清漆，其在有机溶剂中含有：第1聚酰胺酸系化合物，其是聚酰胺酸或聚酰胺酸酯；和第2聚酰胺酸系化合物，其是具有比所述第1聚酰胺酸系化合物更高的极性的、聚酰胺酸或聚酰胺酸酯，

所述第2聚酰胺酸系化合物以比所述第1聚酰胺酸系化合物大的量存在，

所述第1聚酰胺酸系化合物中，

将所述第1聚酰胺酸系化合物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，所述第1聚酰胺酸系化合物中的下述式(1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率为50摩尔％以上，

式(1)中，R¹及R²各自独立地为-COOH或COOR，此处，R为烷基，R^a分别为氢或烷基，

以及，

将所述第1聚酰胺酸系化合物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，所述第1聚酰胺酸系化合物中的下述式(2)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下，

式(2)中，J为Ar¹或Ar²-K-Ar³，Ar¹、Ar²及Ar³各自独立地为含有伯氨基、仲氨基或硝基的芳香族基团，K为含有伯氨基或仲氨基的有机基团，

所述第2聚酰胺酸系化合物中，

将所述第2聚酰胺酸系化合物中的来自四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，所述第2聚酰胺酸系化合物中的下述式(3-1)表示的来自具有环丁烷骨架的四羧酸化合物的骨架的摩尔百分率为20摩尔％以下，以及，所述第2聚酰胺酸系化合物中的下述式(3-2)表示的来自均苯四甲酸二酐的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下，

式(3-1)中，R¹及R²各自独立地为-COOH或COOR，此处，R为烷基，R^a分别为氢或烷基，

式(3-2)中，R¹及R²各自独立地为-COOH或COOR，此处，R为烷基，

以及，

将所述第2聚酰胺酸系化合物中的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率作为100摩尔％时，所述第2聚酰胺酸系化合物中的下述式(4)表示的来自二胺化合物的骨架的摩尔百分率为10摩尔％以下，

式(4)中，J为Ar¹或Ar²-K-Ar³，Ar¹、Ar²及Ar³各自独立地为含有伯氨基、仲氨基或硝基的芳香族基团，K为含有伯氨基或仲氨基的有机基团。

2.如权利要求1所述的光取向膜用清漆，其中，所述第2聚酰胺酸系化合物包含下述式(10)表示的来自四羧酸化合物的骨架，

式(10)中，X²为环丁烷骨架以外的脂环式骨架或链式骨架，R¹及R²各自独立地为-COOH或COOR，此处，R为烷基。

3.如权利要求1或2所述的光取向膜用清漆，其中，所述第1聚酰胺酸系化合物包含下述式(5)表示的来自二胺化合物的骨架，

式(5)中，L为Ar⁴或Ar⁵-M-Ar⁶，Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶各自独立地为不含伯氨基、仲氨基及硝基的芳香族基团，M为不含伯氨基及仲氨基的有机基团，

所述第2聚酰胺酸系化合物包含下述式(11-1)表示的来自二胺化合物的骨架，

式(11-1)中，L为Ar⁴或Ar⁵-M-Ar⁶，Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶各自独立地为不含伯氨基、仲氨基及硝基的芳香族基团，M为不含伯氨基及仲氨基的有机基团。

4.如权利要求3所述的光取向膜用清漆，其中，所述式(5)中的M及所述式(11-1)中的M各自独立地为氧、氮、硫、碳、氢或由它们中两种以上的组合而形成的有机基团。

5.如权利要求1所述的光取向膜用清漆，其中，所述第2聚酰胺酸系化合物包含下述式(11-2)表示的来自二胺化合物的骨架，

式(11-2)中，L¹为含有氧及/或氟的有机基团。

6.液晶显示装置，其具备：

具有取向膜的第1基板，

与所述第1基板的所述取向膜侧相对配置的第2基板，和

配置于所述第1基板与所述第2基板之间的液晶层，

所述取向膜包含权利要求1～5中任一项所述的光取向膜用清漆的酰亚胺化物。

7.如权利要求6所述的液晶显示装置，其中，所述取向膜包含上层和下层，所述上层形成于所述液晶层侧，所述下层形成于所述第1基板侧，所述上层包含所述第1聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物，所述下层包含所述第2聚酰胺酸系化合物的酰亚胺化物。

8.如权利要求7所述的液晶显示装置，其中，所述下层比所述上层厚。

9.如权利要求6～8中任一项所述的液晶显示装置，其中，所述取向膜具有9.0×10¹⁴Ω·cm以上的电阻率。

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