CN110553676A - 传感器 - Google Patents

传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN110553676A
CN110553676A CN201810535989.4A CN201810535989A CN110553676A CN 110553676 A CN110553676 A CN 110553676A CN 201810535989 A CN201810535989 A CN 201810535989A CN 110553676 A CN110553676 A CN 110553676A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensor
ground connector
protective layer
ground
hollow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810535989.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110553676B (zh
Inventor
胡冬生
李春田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangxi Zhanyao Microelectronics Co ltd
Jiangxi Zhuoxin Microelectronics Co ltd
Original Assignee
Nanchang OFilm Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanchang OFilm Display Technology Co Ltd filed Critical Nanchang OFilm Display Technology Co Ltd
Priority to CN201810535989.4A priority Critical patent/CN110553676B/zh
Publication of CN110553676A publication Critical patent/CN110553676A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110553676B publication Critical patent/CN110553676B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D11/00Component parts of measuring arrangements not specially adapted for a specific variable
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/58Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation characterised by the form or material of the contacting members

Abstract

本申请涉及一种带对地接头的传感器,包括线路和包裹于线路外部的保护层。所述保护层为绝缘材料,所述线路设有裸露于所述保护层外部的对地接头。所述对地接头为导电材料制成。所述对地接头与外界导电接口外形匹配并电连接,以实现所述传感器的电位平衡。所述对地接头中设有镂空区。本申请所述传感器,在所述保护层的制备过程中可以有效避免所述对地接头位置的预固化情况,避免所述保护层在所述对地接头上的残留,提升所述传感器的外观和电位平衡性能。

Description

传感器
技术领域
本申请涉及传感器领域,尤其涉及一种带对地接头的传感器。
背景技术
当前的传感器类产品,大多采用无源有线传输的方式与外界实现电连接,从而获得能量输入和数据交换。而在传感器的走线设计中会采取一些措施来化解强电弱电之间的电磁干扰现象。对地接头就是一种常见的保持传感器电位平衡的结构。通常,传感器的走线会由绝缘材料制成的保护层进行包裹,在包裹完成后将对地接头等位置的保护层去除。
另一方面,在传感器的制造过程中,由于不同功能或者测试的需要,会在传感器上设计大小不一的功能块或者测试块。这些功能块或测试块也与对地接头的结构和功能类似,可以近似的视为对地接头中的一种。面积较大的对地接头或测试块容易在制备过程中因为温度和压力的综合作用而出现预固化。在后期显影的时候预固化的保护层无法被显影掉,从而残留在对地接头或测试块的表面,造成外观不良,甚至影响传感器的电位平衡性能。
发明内容
本申请提出一种结构优化的传感器,能够有效避免预固化现象的发生,包括如下技术方案:
一种传感器,包括线路和包裹于线路外部的保护层,所述保护层为绝缘材料,所述线路设有裸露于所述保护层外部的对地接头,所述对地接头为导电材料,所述对地接头与外界导电接口外形匹配并电连接,所述对地接头中设有镂空区。所述镂空区用于减少所述对地接头在制备过程中与所述保护层的接触面积,避免预固化现象。
其中,所述传感器的线路呈板状,所述对地接头也呈板状,所述镂空区贯通板状的所述对地接头两相对平面。以实现对板状的所述对地接头更好的镂空效果。
其中,所述镂空区完全收容于所述对地接头平面内。从而加强所述对地接头的自身刚强度。
其中,所述镂空区位于所述对地接头的几何中心位置。以避免所述保护层在制备过程中与所述对地接头在所述镂空区的一侧出现大面积接触的情况。
其中,所述镂空区上的倒角均采用圆弧过渡。以避免所述对地接头上出现应力集中现象,破坏自身刚强度。
其中,所述对地接头设有与外界导电接口配合的定位缺口,所述镂空区形状与所述定位缺口相匹配,以使得所述镂空区与所述定位缺口之间由导电材料隔开。
其中,所述保护层为树脂或橡胶薄膜。用以实现较好的绝缘保护效果,节约成本。
其中,所述保护层通过压膜方式与所述线路连接固定。可以实现较好的制备效果,且工艺成熟简便。
其中,所述镂空区为多个,多个所述镂空区均收容于所述对地接头平面内。可以有效加强所述对地接头的刚强度。
其中,所述对地接头设有与外界导电接口配合的定位缺口,所述对地接头设有与外界导电接口配合的定位缺口,多个所述镂空区的排列方式与所述定位缺口相匹配,以使得多个所述镂空区与所述定位缺口之间均由导电材料隔开。以提高板状所述对地接头的自身刚强度。
本申请所述传感器,通过所述线路实现电源输入和数据交换功能。通过绝缘材料的保护层对所述线路外部包裹实现所述线路的绝缘和保护。通过裸露于所述保护层外部的与外界导电接口外形匹配并电连接的所述对地接头,实现所述对地接头与外界导电接口的良好接触。并通过采用导电材料来制备所述对地接头为,实现所述传感器的电位平衡。最终通过所述对地接头中的所述镂空区来减小所述对地接头与所述保护层在制备过程中的接触面积。
附图说明
图1是本申请所述传感器的示意图;
图2是本申请所述传感器第二实施例的示意图;
图3是本申请所述传感器第三实施例的示意图;
图4是本申请所述传感器第四实施例的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
请参阅图1所示的传感器100。所述传感器100设有线路10,可以理解的,所述线路10用于与外接电源和处理器分别进行电能输送和数据交互。所述线路10的外部包裹有保护层20。所述保护层20为绝缘材料制成,所述保护层20在实现所述线路10绝缘的同时还用于包覆所述线路10,以减缓所述线路10在受外部冲击时遭受的损害。所述线路10中设有对地接头30,所述对地接头30为导电材料制成。所述对地接头30与所述线路10导通,所述对地接头30裸露于所述保护层20之外。所述对地接头30与外界的导电接口200外形相匹配,且所述对地接头30与所述导电接口200电连接。所述对地接头30通过与所述导电接头200的电连接以实现所述传感器100的电位平衡。
从图1中可以看出,所述对地接头30相对于所述传感器100或所述线路10的体积来说相对较小。在所述传感器100的制备过程中,特别是在所述保护层20与所述线路10结合的工艺过程中,通常采取的措施是将所述线路10连同所述对地接头30一起用所述保护层20进行包裹,待所述保护层20与所述线路10和所述对地接头30结合完成后,再使用显影液对所述对地接头30部位的所述保护层20进行显影剥离,使得所述对地接头30露出所述保护层20,形成最终的产品状态。但由于所述保护层20在于所述对地接头30的结合过程中,常由于所述保护层20与所述对地接头30的接触面积较大,而造成所述保护层20在温度和/或压力的作用下与所述对地接头30形成预固化,造成后续的显影过程无法完全去除残留在所述对地接头30上的所述保护层20。为此,在所述对地接头30中还设有镂空区31。所述镂空区31可以减少所述对地接头30在制备过程中与所述保护层20的接触面积,使得所述保护层20在热和/或压力的作用下,因为接触面积的不足而无法在所述对地接头30上形成预固化。这样,在后续的显影过程中,可以保证所述对地接头30上的所述保护层20能够被完全去除,保证所述传感器100的成品外观质量,也保证了所述对地接头30的电位平衡功能正常。
在大多数实施例中,所述传感器100的所述线路10呈板状,其内部的电线并排延伸。此种电路又称片状线路。相应的,所述对地接头30也为板状设置。在这种实施例中,所述镂空区31被设置为贯通板状的所述对地接头30的两相对平面,即在板状的所述对地接头30上,所述镂空区31以内没有金属材料,为完全镂空的结构。因为所述对地接头30的厚度较薄,要在板状的所述对地接头30上形成阶梯状的导电材料形状,工艺上存在一定的难度。且在厚度较低的板状材料上形成的阶梯,其厚度差也近似于为零。由于所述保护层20具备一定的变形能力,在所述保护层20的包裹过程中,所述保护层20与所述对地接头30的接触面积几乎为所述对地接头30的接触面积。因此,对于板状的所述对地接头30而言,采用完全镂空的所述镂空区31可以实现更好的镂空效果。
进一步的,所述镂空区31不与所述对地接头30的外沿产生任何交集,所述镂空区31完全收容于所述对地接头30的平面轮廓以内。也即所述对地接头30不因所述镂空区31而产生任何边缘上的缺口或断开。因为所述对地接头30已经呈板状结构,如果再因为所述镂空区31而形成边缘上的缺口,所述对地接头30的自身结构刚强度会遭到较大的破坏,增加所述对地接头30在装配或运输过程中意外损坏的风险。
对于所述镂空区31在所述对地接头30上的位置,在图1的实施例中,将所述镂空区31设置于所述对地接头30的几何中心。当所述镂空区31偏离所述对地接头30的几何中心时,可能因为所述镂空区31的偏心而造成一部分所述对地接头30的面积较另一部分所述对地接头30的面积更大的后果。由此,在所述保护层20的制备工艺中,面积较大的部分所述对地接头30与所述保护层20的接触面也相应增大,仍有可能因此而造成大面积导电材料与所述保护层20的结合过程中出现的预固化现象,不能达到设置所述镂空区31的预期效果。而将所述镂空区31设置于所述对地接头30的几何中心位置,可以在所述对地接头30上避免较大面积差异的情况出现,进一步优化所述镂空区31在所述对地接头30中的镂空作用。
可以理解的,所述镂空区31的形状,除图1所示的圆形以外,还可以是三角形、长方形、多边形或者其余任意形状以及组合。只要在所述对地接头30的平面上能形成足够大的镂空面积,使得所述保护层20在制备的过程中不会在所述对地接头30处出现预固化就能达到本申请所要求保护的目的。一种实施例,对于一些存在倒角的所述镂空区31的形状,需要对其内部的各个倒角均采用圆弧加以过渡,以避免在所述对地接头30上出现应力集中的现象,降低所述对地接头30的自身刚强度。
图2的实施例属于所述对地接头30与外界所述导电接口200配合为异形,或具有定位缺口32的情况。此时所述对地接头30因为需要与所述导电接口200连接,而设置了贯通一侧外沿的定位缺口32。由于所述定位缺口32连通了所述对地接头30的外沿,若所述镂空区31不作相应调整,则所述定位缺口32可能与所述镂空区31连通。连通的所述定位缺口32和所述镂空区31在所述对地接头30远离所述保护层20的延伸方向上形成一个只有单边连接的断面,这个断面很不利于所述对地接头30的结构稳定性,容易在断面上造成应力集中而使得所述对地接头30断裂。为此,当所述对地接头30存在定位用的所述定位缺口32时,需要调整所述镂空区31的形状,使其与所述定位缺口32之间不连通,始终有导电材料将所述镂空区31和所述定位缺口32隔开,以此提高板状的所述对地接头30的自身刚强度。
对于所述保护层20,通常选用为树脂或橡胶薄膜制备,例如聚芳砜薄膜(PAS)等。由于此类材料为常用的绝缘保护材料,性能稳定且易于加工。进一步的,此类材料的加工工艺也较为成熟,多为压膜的方式来实现与所述线路10的连接固定,在兼顾成本的情况下能获得较好的成品效果。
一种实施例见图3,在所述对地接头30上的所述镂空区31为多个。多个所述镂空区31均收容于所述对地接头30的平面内。任意两个相邻的所述镂空区31之间均有导电材料将二者分隔开。这些分隔两个相邻所述镂空区31的导电材料可以视为所述镂空区31中的加强筋33,在多个所述镂空区31的总面积一定的情况下,更多的所述加强筋33可以有效加强所述对地接头30的刚强度。
图4的实施例存在与所述对地接头30设有所述定位缺口32,同时设有多个所述镂空区31的情况下。此时为了保证多个所述镂空区31均与所述定位缺口32不连通,需要将多个所述镂空区31的排列方式沿所述定位缺口32的外形相匹配。即得多个所述镂空区31绕所述定位缺口32的外形依次排列,同时保证每一个所述镂空区31与所述定位缺口32之间均有导电材料隔开。同图3实施例的效果相当,在所述对地接头30上设有所述定位缺口32的情况下,多个所述镂空区31的设计使得多个所述加强筋33得以加强所述对地接头30的刚强度。
以上所述的实施方式,并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在该技术方案的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种传感器,其特征在于,包括线路和包裹于线路外部的保护层,所述保护层为绝缘材料,所述线路设有裸露于所述保护层外部的对地接头,所述对地接头为导电材料,所述对地接头与外界导电接口外形匹配并电连接,所述对地接头中设有镂空区。
2.如权利要求1所述传感器,其特征在于,所述传感器的线路呈板状,所述对地接头也呈板状,所述镂空区贯通板状的所述对地接头两相对平面。
3.如权利要求2所述传感器,其特征在于,所述镂空区完全收容于所述对地接头平面内。
4.如权利要求3所述传感器,其特征在于,所述镂空区位于所述对地接头的几何中心位置。
5.如权利要求4所述传感器,其特征在于,所述镂空区上的倒角均采用圆弧过渡。
6.如权利要求5所述传感器,其特征在于,所述对地接头设有与外界导电接口配合的定位缺口,所述镂空区形状与所述定位缺口相匹配,以使得所述镂空区与所述定位缺口之间由导电材料隔开。
7.如权利要求2所述传感器,其特征在于,所述保护层为树脂或橡胶薄膜。
8.如权利要求7所述传感器,其特征在于,所述保护层通过压膜方式与所述线路连接固定。
9.如权利要求2所述传感器,其特征在于,所述镂空区为多个,多个所述镂空区均收容于所述对地接头平面内。
10.如权利要求9所述传感器,其特征在于,所述对地接头设有与外界导电接口配合的定位缺口,多个所述镂空区的排列方式与所述定位缺口相匹配,以使得多个所述镂空区与所述定位缺口之间均由导电材料隔开。
CN201810535989.4A 2018-05-30 2018-05-30 传感器 Active CN110553676B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810535989.4A CN110553676B (zh) 2018-05-30 2018-05-30 传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810535989.4A CN110553676B (zh) 2018-05-30 2018-05-30 传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110553676A true CN110553676A (zh) 2019-12-10
CN110553676B CN110553676B (zh) 2022-02-01

Family

ID=68734042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810535989.4A Active CN110553676B (zh) 2018-05-30 2018-05-30 传感器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110553676B (zh)

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0233999A (ja) * 1988-07-23 1990-02-05 Sakai Denshi Kogyo Kk 電磁波遮蔽付フレキシブルプリント回路形成体
JPH09282624A (ja) * 1996-04-09 1997-10-31 Tdk Corp ヘッドジンバルアセンブリ及び該アセンブリを具備するハードディスクドライブ装置
US5857974A (en) * 1997-01-08 1999-01-12 Endosonics Corporation High resolution intravascular ultrasound transducer assembly having a flexible substrate
US20020042216A1 (en) * 2000-10-11 2002-04-11 Sumitomo Wiring Systems, Ltd. Ground connector
US20030236016A1 (en) * 2002-06-20 2003-12-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Tubular bus bar, insulating coating method therefor, and insulating coating structure therefor
US20070254535A1 (en) * 2004-08-19 2007-11-01 Pearce Richard H Electrical Earthing Nut
CN201130723Y (zh) * 2007-12-11 2008-10-08 上海梅山钢铁股份有限公司 一种接地装置
CN101345354A (zh) * 2007-07-10 2009-01-14 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 导电接地件、线缆组件及线缆组件的制造方法
US20100003865A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 Leviton Manufacturing Co., Inc. Wiring device terminal and related method of termination
CN201444722U (zh) * 2009-03-18 2010-04-28 群光电子股份有限公司 电路板结构
CN202034225U (zh) * 2011-03-08 2011-11-09 江苏科兴电器有限公司 全绝缘带金属外壳的插接式电压互感器
US20160276783A1 (en) * 2011-10-13 2016-09-22 Apple Inc. Power adapter with a single-piece insulator assembly
CN206323636U (zh) * 2016-10-31 2017-07-11 浙江近点电子股份有限公司 一种fpc的emi接地结构和一种fpc
CN206628612U (zh) * 2017-03-27 2017-11-10 国网山东省电力公司泰安供电公司 一种安全牢固的接地装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0233999A (ja) * 1988-07-23 1990-02-05 Sakai Denshi Kogyo Kk 電磁波遮蔽付フレキシブルプリント回路形成体
JPH09282624A (ja) * 1996-04-09 1997-10-31 Tdk Corp ヘッドジンバルアセンブリ及び該アセンブリを具備するハードディスクドライブ装置
US5857974A (en) * 1997-01-08 1999-01-12 Endosonics Corporation High resolution intravascular ultrasound transducer assembly having a flexible substrate
US20020042216A1 (en) * 2000-10-11 2002-04-11 Sumitomo Wiring Systems, Ltd. Ground connector
US20030236016A1 (en) * 2002-06-20 2003-12-25 The Furukawa Electric Co., Ltd. Tubular bus bar, insulating coating method therefor, and insulating coating structure therefor
US20070254535A1 (en) * 2004-08-19 2007-11-01 Pearce Richard H Electrical Earthing Nut
CN101345354A (zh) * 2007-07-10 2009-01-14 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 导电接地件、线缆组件及线缆组件的制造方法
CN201130723Y (zh) * 2007-12-11 2008-10-08 上海梅山钢铁股份有限公司 一种接地装置
US20100003865A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 Leviton Manufacturing Co., Inc. Wiring device terminal and related method of termination
CN201444722U (zh) * 2009-03-18 2010-04-28 群光电子股份有限公司 电路板结构
CN202034225U (zh) * 2011-03-08 2011-11-09 江苏科兴电器有限公司 全绝缘带金属外壳的插接式电压互感器
US20160276783A1 (en) * 2011-10-13 2016-09-22 Apple Inc. Power adapter with a single-piece insulator assembly
CN206323636U (zh) * 2016-10-31 2017-07-11 浙江近点电子股份有限公司 一种fpc的emi接地结构和一种fpc
CN206628612U (zh) * 2017-03-27 2017-11-10 国网山东省电力公司泰安供电公司 一种安全牢固的接地装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110553676B (zh) 2022-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7762819B2 (en) Substrate connecting member and connecting structure
US20160294121A1 (en) Three Dimensional Lead-Frames For Reduced Crosstalk
US20120129396A1 (en) Plug connector having multiple circuit boards and method of making the same
JP2007293800A (ja) 半導体装置とそれを用いたメモリカード
TWI510143B (zh) High frequency circuit module
CN108617089B (zh) 内埋元件柔性电路板及其制造方法
US5151771A (en) High lead count circuit board for connecting electronic components to an external circuit
WO2017113472A1 (zh) 电子终端
TW201601602A (zh) 軟性電路板的溢膠導流結構
TWI469158B (zh) 過電流保護元件
US9337590B2 (en) Cable electrical connector assembly having an insulative body with a slot
WO2013186927A1 (ja) プリント基板
CN110553676B (zh) 传感器
US10154597B2 (en) Component mount board
US7794287B1 (en) Electrical connector configured by wafer having coupling foil and method for making the same
US9953206B2 (en) Fingerprint sensor package and fabricating method thereof
US20210175023A1 (en) Capacitor assembly structure and method of manufacturing the same
JP6680404B2 (ja) 回路モジュール
JP2007053031A (ja) 端子接続構造
CN103489849B (zh) 接合结构
JP6424385B2 (ja) フレキシブルプリント基板
JP2006059855A (ja) チップ型電解コンデンサ及びその製造方法
CN211047397U (zh) 石英谐振器和线路板集成一体结构
CN110572937B (zh) 传感器
CN112533351B (zh) 电路板及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220513

Address after: 330029 room 1010, second floor, building 26, No. 8, zhouxindongyang Road, Xinqi, chuangcheng, traditional Chinese medicine, directly administered District, Ganjiang new area, Nanchang City, Jiangxi Province

Patentee after: Jiangxi Zhuoxin Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: Room 422, 4th floor, building 1, Linrui youth apartment, 955 rulehu street, Airport Economic Zone, Nanchang City, Jiangxi Province 330000

Patentee before: Jiangxi zhanyao Microelectronics Co.,Ltd.

Effective date of registration: 20220513

Address after: Room 422, 4th floor, building 1, Linrui youth apartment, 955 rulehu street, Airport Economic Zone, Nanchang City, Jiangxi Province 330000

Patentee after: Jiangxi zhanyao Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: 330013, Nanchang, Jiangxi, north of the Economic Development Zone Huang Jia Hu West Road, the ophelion Technology Park.

Patentee before: NANCHAGN OFILM DISPLAY TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right