CN110534489B - 倒装式致冷晶片及包含其的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种倒装式致冷晶片及包含其的封装结构，该倒装式致冷晶片包括一第一侧导热基板、一第二侧导热基板、以及一设置于该第一侧导热基板及该第二侧导热基板之间的珀尔帖效应层。该第二侧导热基板面积大于该第一侧导热基板，并朝一或二侧方向延伸以相对该第一侧导热基板形成突出侧。该珀尔帖效应层的正极端子及负极端子设置于一或二侧方向的该突出侧上。该珀尔帖效应层的正极端子及负极端子馈入反向电源，以令该第一侧导热基板及该第二侧导热基板的冷热逆反，面积较大的该第二侧导热基板作为冷面乘载高温元件，面积较小的该第一侧导热基板作为热面与散热体接触排热。
Description
技术领域
本发明系有关于一种倒装式致冷晶片及包含其的封装结构，尤指一种透过馈入反向电源利用面积较大的第二侧导热基板作为冷面，以乘载更多高温零件的倒装式致冷晶片及包含其的封装结构。
背景技术
热电致冷器(Thermoelectric Cooler,TEC)又叫热电致冷模组(ThermoelectricCooling Module)、致冷晶片、珀尔帖致冷器(Peltier Cooler)、珀尔帖单体(PeltierCell)、或热泵(Heat Pump)，是一种透过珀尔帖效应(Peltier Effect)进行热电转移，使致冷晶片两侧的基板分别生成冷面及热面的电子零件。所谓珀尔帖效应，是指当直流电流通过两种半导体材料组成的电偶时，其一端吸热，一端放热的现象。
致冷晶片的主要材料是N型及P型的热电半导体(例如碲化铋(Bi2Te3、BiTe)，将N型及P型半导体透过串联连接，并夹在两个陶瓷基板(氮化铝(AlN),氧化铝(Al2O3),碳化硅(SiC),氧化铍(BeO)等)之间。陶瓷基板的绝缘效果用以防止N型及P型半导体的短路现象。当外加电流源，电流回路流过N型及P型半导体时，N型及P型半导体电子(electron)与电洞(hole)会分别流向外加电流源的正负极，导致热量会从致冷晶片一侧的基板(电子与电洞远离的一侧)传到另一侧的基板(电子与电洞接近的一侧)，藉此分别产生冷面及热面。致冷或是加热，以及致冷、加热的速率，由通过的电流方向和大小来决定。
发明内容
本发明的目的在于提供一种倒装式致冷晶片及包含其的封装结构，利用倒装致冷晶片的方式利用大面积的导热板承载电子零件，增加可设置的零件数量，让零件操作再相同的温度，并省去打线所占去的空间，可缩小封装体的体积，以及应用在空间狭小的封装体。另一方面，透过倒装致冷晶片可以分离电源及交流讯号的金线，藉此保持高频信号完整性。
为达到上述目的，本发明公开了一种倒装式致冷晶片，其特征在于包括；
一第一侧导热基板；
一第二侧导热基板，该第二侧导热基板面积大于该第一侧导热基板，并朝一或二侧方向延伸以相对该第一侧导热基板形成突出侧；以及
一珀尔帖效应层，设置于该第一侧导热基板及该第二侧导热基板之间，该珀尔帖效应层的正极端子及负极端子设置于一或二侧方向的该突出侧上；
其中，该珀尔帖效应层的正极端子及负极端子馈入反向电源，以令该第一侧导热基板及该第二侧导热基板的冷热逆反，利用面积较大的该第二侧导热基板作为冷面乘载高温元件，让该冷面上的所有该高温元件维持在相同的操作温度，面积较小的该第一侧导热基板作为热面与散热体接触排热。
其中，该突出侧上的正极端子及负极端子朝向下方的方向，并与电路板上侧的电源连接埠直接透过导电胶粘着或焊接电性结合。
其中，该珀尔帖效应层具有多个P型半导体晶粒及N型半导体晶粒，并于该第一侧导热基板及该第二侧导热基板朝向该珀尔帖效应层的一侧上具有导通该多个P型半导体晶粒及该N型半导体晶粒的电路层以令该第一侧导热基板及该第二侧导热基板分别形成热面与冷面并于该第一侧导热基板及该第二侧导热基板之间产生温度差。
其中，该第一侧导热基板及该第二侧导热基板为陶瓷基板、铝板、镁板、铝合金板或镁合金板。
一种包含如上所述的倒装式致冷晶片的封装结构，其特征在于包括：一用以设置该倒装式致冷晶片的基座，该基座由下而上依序具有一第一平面以及一与该第一平面间具有段差的第二平面，该第一平面用以设置该倒装式致冷晶片以令该第二平面的上缘与该第二侧导热基板突出侧的下缘平行或低于该第二侧导热基板的突出侧，于该第二平面上设置一电路板，透过导电胶或透过焊接结合该电路板上侧的电源连接埠及该突出侧下缘的该正极端子及该负极端子以构成电性连接。
其中，该电源连接埠经由该电路板中间的方向延伸至该突出侧的下缘位置，与该突出侧上的正极端子及负极端子电性连接；该电路板上的交流讯号线路经由单侧或是两侧的方向延伸并耦接至该高温元件。
其中，该电源连接埠经由该电路板一侧或两侧的方向延伸至该突出侧的下缘位置，与该突出侧上的正极端子及负极端子电性连接；该电路板上的交流讯号线路经由该电路板中间的方向延伸并耦接至该高温元件。
其中，该电源连接埠经由该电路板一侧的方向延伸至该突出侧的下缘位置，与该突出侧上的正极端子及负极端子电性连接；该电路板上的交流讯号线路经由该电路板相对该电源连接埠另一侧的方向延伸并耦接至该高温元件。
其中，该第一平面上系具有一供该倒装式致冷晶片设置的平台，用以提高或降低该倒装式致冷晶片的高度，以令该第二平面其上缘与该第二侧导热基板突出侧的下缘平行或低于该第二侧导热基板的突出侧。
其中，该平台系为设置于该基座上的凹槽或凸座。
一种包含如上所述的倒装式致冷晶片的封装结构，其特征在于包括：一用以设置该倒装式致冷晶片的基座，于该基座上系穿过多个导通接脚，该导通接脚的上缘与该第二侧导热基板突出侧的下缘平行或低于该第二侧导热基板的突出侧。
其中，于该导通接脚的上侧分别设置一金属导通垫片延伸并接触至该正极端子或该负极端子的下侧以构成电性连接。
其中，该基座上系具有一供该倒装式致冷晶片设置的平台，用以提高或降低该倒装式致冷晶片的高度，以令该导通接脚的上缘与该第二侧导热基板突出侧的下缘平行或低于该第二侧导热基板的突出侧。
其中，该平台系为设置于该基座上的凹槽或凸座。
是以，本发明系比起习知技术具有以下优势功效：
1.本发明利用倒置致冷晶片的方式增加可用以承载电子零件的面积，可用以增加固晶的空间，同时，可应用在空间狭小的封装体。
2.本发明中致冷晶片利用反向操作的方式让致冷晶片上冷面的相对面积较大，可以快速稳定冷面温度以便承载于上的高温电子零件于恒温环境下操作。
3.本发明不须打线即可以与电路板结合，省去打线所占去的空间，可缩小封装体的体积，同时透过分离直流及交流讯号避免致冷晶片高电流或高电压操作与高频信号间互相干扰。
附图说明
图1，本发明倒装式致冷晶片第一实施例的外观示意图。
图2，本发明第一实施例应用于其中一封装结构上的外观示意图。
图3，本发明第一实施例应用于其中一封装结构上的侧面示意图。
图4，本发明第一实施例应用于另一封装结构上的外观示意图。
图5，本发明第一实施例应用于另一封装结构上的侧面示意图。
图6，本发明第一实施例应用于又一封装结构上的外观示意图。
图7，本发明第一实施例应用于又一封装结构上的侧面示意图。
图8，本发明倒装式致冷晶片第二实施例的外观示意图。
图9，本发明第二实施例应用于其中一封装结构上的外观示意图。
图10，本发明第二实施例应用于其中一封装结构上的侧面示意图。
图11，本发明第二实施例应用于另一封装结构上的外观示意图。
图12，本发明第二实施例应用于另一封装结构上的侧面示意图。
具体实施方式
有关本发明之详细说明及技术内容，现就配合图式说明如下。本发明中的图式只是实施例范例及其比例未必按照实际比例绘制，该等图式例及比例并非用以限制本案的请求范围，在此先行叙明。
请参阅图1，为本发明第一实施例的外观示意图，如图所示：
本实施例提供一种倒装式致冷晶片100，该倒装式致冷晶片100包括一第一侧导热基板10A、一第二侧导热基板20A、以及一珀尔帖效应层30A。其中该珀尔帖效应层30A系设置于该第一侧导热基板10A及该第二侧导热基板20A之间。
于本实施例中，该第二侧导热基板20A面积系大于该第一侧导热基板10A，并朝一侧方向延伸以相对该第一侧导热基板10A形成突出侧22A。该珀尔帖效应层30A的正极端子31A及负极端子32A系设置于该突出侧22A上。其中，该珀尔帖效应层30A的正极端子及负极端子馈入反向电源，以令该第一侧导热基板10A及该第二侧导热基板20A的冷热逆反，利用面积较大的该第二侧导热基板20A作为冷面乘载高温元件N。
所述的珀尔帖效应层30A系具有多个P型半导体晶粒及N型半导体晶粒，并于该第一侧导热基板10A及该第二侧导热基板20A朝向该珀尔帖效应层30A的一侧上具有导通该多个P型半导体晶粒及该N型半导体晶粒的电路层11A、21A以令该第一侧导热基板10A及该第二侧导热基板20A之间，因电洞与电子从第二侧流向第一侧分别形成冷面与热面，而令该第一侧导热基板10A及该第二侧导热基板20A之间产生温度差。其中，P型半导体晶粒及N型半导体晶粒之间系以串联的方式连接，形成电流串联而热流并联以达到热电冷却效果。
所述的第一侧导热基板10A及第二侧导热基板20A于较佳实施例中系为非导体但高导热的材料(例如：散热陶瓷基板(Al2O3、AlN、SiC、BeO等)，或经阳极处理的金属基板(铝板、镁板、铝合金板，及/或镁合金板等))。为了避免半导体晶粒之间发生短路的情况同时兼顾导热的效果，该第一侧导热基板10A及第二侧导热基板20A应选用绝缘、高导热的材料，基此，铝板、镁板、铝合金板、及/或镁合金板的表面较佳应进行阳极氧化处理，使其表面上形成绝缘薄膜。除上述的实施例外，第一侧导热基板10A及第二侧导热基板20A亦可以使用陶瓷材料、或是选用可导电的导热基板但于导热基板及电路层11A、21A之间设置导热效果较佳的绝缘层，于本发明中不予以限制。该电路层11A、21A可以为独立的基板，其上设置有电路金线、或是直接形成于该第一侧导热基板10A及第二侧导热基板20A的内侧表面，于本发明中不予以限制。于图式中所示的电路层11A、21A仅为示意图，其上的电路布局并未于图式中所揭示，在此先行叙明。
倒装式致冷晶片100于倒置时，该突出侧22A上的正极端子31A及负极端子32A朝向下方的方向，并与电路板40A(如图2所示)上侧的电源连接埠41A直接透过导电胶粘着或焊接电性结合。于本实施例中，该正极端子31A及该负极端子32A系为设置于该突出侧22A下方并由该突出侧22A朝下延伸的导电金柱；除了上述的实施例外，于部分实施例中，该正极端子31A及该负极端子32A亦可以为电极片、电路板上的金属垫区、或其他类此的电源埠，此部分端看产品设计时的需求而设定，于本发明中不予以限制。
请一并参阅图2及图3，为本发明第一实施例应用于其中一封装结构上的外观示意图及侧面示意图，如图所示：
以下系揭示本发明应用于其中一封装结构的实施方式，本实施例系包括：一基座50A，用以设置该倒装式致冷晶片100。该基座50A由下而上依序具有一第一平面51A、以及一与该第一平面51A间具有段差的第二平面52A。该第一平面51A用以设置该倒装式致冷晶片100以令该第二平面52A的上缘大致与该第二侧导热基板20A突出侧22A的下缘平行或低于该第二侧导热基板20A的突出侧22A，于该第二平面52A上设置电路板40A，透过导电胶或透过焊接结合该电路板40A上侧的电源连接埠41A及该突出侧22A下缘的该正极端子31A及该负极端子32A以构成电性连接。
其中，该基座50A上系具有一供该倒装式致冷晶片100设置的平台53A；于本实施例中，该平台53A系为平面。于另一较佳实施例中，该平台53A系可以为凹槽或凸座，用以降低或架高该倒装式致冷晶片100，于本发明中不予以限制。
于本实施例中，该倒装式致冷晶片100的突出侧22A系转向左侧的方向，电路板40A上的直流线路(电源连接埠41A)系由左侧的方向延伸至该突出侧22A的下缘位置，与突出侧22A上的正极端子31A及负极端子32A电性连接。在如上的架构之下，交流讯号线路42A可以经由中间或是右侧的方向延伸并电性连接至高温元件N或倒装式致冷晶片100上的电路板，藉此避免直流线路影响高频信号的完整性。同理，该倒装式致冷晶片100的突出侧22A亦可以转向右侧的方向，并令电路板40A上的直流线路由电路板40A右侧的方向延伸至该突出侧22A的下缘位置，于本发明中不予以限制。上述的交流讯号线路42A可以为单端模式(SingleEnded)或差分模式(Differential)，于本发明中不予以限制。
请一并参阅图4及图5，为本发明第一实施例应用于另一封装结构上的外观示意图及侧面示意图，如图所示：
以下系揭示本发明应用于其中一封装结构的实施方式，本实施例系包括：一基座80A，用以设置该倒装式致冷晶片100。该基座80A由下而上依序具有一第一平面81A、以及一与该第一平面81A间具有段差的第二平面82A，该第一平面81A系用以设置倒装式致冷晶片100以令该第二平面82A的上缘大致与该第二侧导热基板20A突出侧22A的下缘平行或低于该第二侧导热基板20A的突出侧22A，于该第二平面82A上设置一电路板70A，透过导电胶或透过焊接结合该电路板70A上侧的电源连接埠71A及该突出侧22A下缘的该正极端子31A及该负极端子32A以构成电性连接。
其中，该基座80A上系具有一供该倒装式致冷晶片100设置的平台83A；于本实施例中，该平台83A系为平面。于另一较佳实施例中，该平台83A系可以为凹槽或凸座，用以降低或架高该倒装式致冷晶片100，于本发明中不予以限制。惟，若基座及机构的设计得宜，该平台83A亦可省略设置而为平面。
于本实施例中，该倒装式致冷晶片100的突出侧22A系转向后侧的方向，电路板70A上的直流线路(电源连接埠71A)系由电路板70A中间的方向延伸至该突出侧22A的下缘位置，与突出侧22A上的正极端子31A及负极端子32A电性连接。在如上的架构之下，交流讯号线路72A可以经由左侧或是右侧的方向延伸并电性连接至高温元件N或倒装式致冷晶片100上的电路板，藉此避免直流线路影响高频信号的完整性。上述的交流讯号线路72A可以为单端模式(Single Ended)或差分模式(Differential)，于本发明中不予以限制。
请一并参阅图6及图7，为本发明第一实施例应用于又一封装结构上的外观示意图及侧面示意图，如图所示：
以下系揭示本发明应用于其中一封装结构的实施方式，本实施例系包括：一基座60A，用以设置该倒装式致冷晶片100，于该基座60A上系穿过多个导通接脚61A。在实务操作上，基座60A可以于开模时设计导通接脚61A的位置，配合该倒装式致冷晶片100的尺寸规格、金柱高度、或摆设位置改良基座60A结构，达到最佳的配置。
该导通接脚61A的上缘大致与该第二侧导热基板20A突出侧22A的下缘平行或低于该第二侧导热基板20A的突出侧22A。于一较佳实施例中，可以于该导通接脚61A的上侧分别设置一金属导通垫片62A延伸并接触至该正极端子31A或该负极端子32A的下侧以构成电性连接；其中包括正极端子31A固定并仅于负极端子32A上设置金属导通垫片62A、以及负极端子32A固定并仅于正极端子31A上设置金属导通垫片62A、以及正极端子31A及负极端子32A均设置金属导通垫片62A的情况。该金属导通垫片62A系用以填补该导通接脚61A及该正极端子31A(或该负极端子32A)之间的余隙。
另一方面当其中一导通接脚61A对应于其中一端子时(例如：正极端子31A)，另一侧的端子(例如：该负极端子32A)考量阻抗匹配或是频率响应的问题，不一定能够对应于另一导通接脚的位置，此时，可以透过金属导通垫片62A延伸并接触至另一端子的下侧。
上述的方式，考量到阻抗匹配或是结构对称性的需求，亦可以于多个导通接脚61A上均设置金属导通垫片62A连接至正极端子31A及该负极端子32A；同样地，当导通接脚61A的高度与正极端子31A及该负极端子32A的高度对应时，亦可以省略金属导通垫片62A，于本发明中不予以限制。
于导通接脚61A无法调整高度的情况下，该基座60A上系可以增加一供该倒装式致冷晶片100设置的平台63A，用以提高或降低该倒装式致冷晶片100的高度，以令该导通接脚61A的上缘大致与该第二侧导热基板20A突出侧22A的下缘平行或低于该第二侧导热基板20A的突出侧22A。该平台63A系可以为设置于该基座60A上的凸座或凹槽，于本发明中不予以限制。
除了本实施例外，导通接脚亦可以为水平设置，经由穿过基座向上突起的侧壁延伸至内侧的空间与该正极端子31A或该负极端子32A电性连接，该等实施例的变化均属本发明所欲保护的范围。
请一并参阅图8、图9、图10，为本发明第二实施例的外观示意图以及侧面示意图，如图所示：
本实施例系提供一种倒装式致冷晶片200，该倒装式致冷晶片200包括一第一侧导热基板10B、一第二侧导热基板20B、以及一珀尔帖效应层30B。其中该珀尔帖效应层30B系设置于该第一侧导热基板10B及该第二侧导热基板20B之间。
所述的珀尔帖效应层30B系具有多个P型半导体晶粒及N型半导体晶粒，并于该第一侧导热基板10B及该第二侧导热基板20B朝向该珀尔帖效应层30B的一侧上具有导通该多个P型半导体晶粒及该N型半导体晶粒的电路层11B、21B以令该第一侧导热基板10B及该第二侧导热基板20B之间，因电洞与电子从第二侧流向第一侧分别形成冷面与热面，而令该第一侧导热基板10B及该第二侧导热基板20B之间产生温度差。其中，P型半导体晶粒及N型半导体晶粒之间系以串联的方式连接，形成电流串联而热流并联以达到热电冷却效果。
于本实施例中，该第二侧导热基板20B面积系大于该第一侧导热基板10B，并朝二侧方向延伸以相对该第一侧导热基板10B的两侧形成突出侧22B、23B。该珀尔帖效应层30B的正极端子31B及负极端子32B系分别设置于该第二侧导热基板20B两侧的突出侧22B、23B上。其中，该珀尔帖效应层30B的正极端子31B及负极端子32B馈入反向电源，以令该第一侧导热基板10B及该第二侧导热基板20B的冷热逆反，利用面积较大的该第二侧导热基板20B作为冷面乘载高温元件N。
倒装式致冷晶片200于倒置时，两侧突出侧22B、23B上的正极端子31B及负极端子32B朝向下方的方向，并与电路板40B上侧的电源连接埠41B直接透过导电胶粘着或焊接电性结合。于本实施例中，该正极端子31B及该负极端子32B系为分别设置于该突出侧22B、23B下方并由该突出侧22B、23B朝下延伸的导电金柱；除了上述的实施例外，于部分实施例中，该正极端子31B及该负极端子32B亦可以为电极片、电路板40B上的金属垫区、或其他类此的电源埠，此部分端看产品设计时的需求而设定，于本发明中不予以限制。
请继续参阅图9及图10，如图所示：
以下系揭示本发明应用于其中一封装结构的实施方式，本实施例系包括：一基座50B，用以设置该倒装式致冷晶片200。该基座50B包含有一第一平面51B、以及设置于该第一平面51B两侧并与该第一平面51B间具有段差的第二平面52B，该倒装式致冷晶片200系设置于该第一平面51B上以令两侧该第二平面52B的上缘大致与该第二侧导热基板20B两侧突出侧22B、23B的下缘平行或低于该第二侧导热基板20B的突出侧22B、23B，于该第二平面52B上设置一电路板40B，透过导电胶或透过焊接结合该电路板40B上侧的电源连接埠41B及该突出侧22B、23B下缘的该正极端子31B及该负极端子32B以构成电性连接。
于本实施例中，该倒装式致冷晶片200的突出侧22B、23B系由两侧方向突出，电路板40B上的直流线路(电源连接埠41B)系由电路板40B中两侧的方向延伸至该突出侧22B、23B的下缘位置，与突出侧22B、23B上的正极端子31B及负极端子32B电性连接。在如上的架构之下，交流讯号线路42B可以经由中间的方向延伸并电性连接至高温元件N或倒装式致冷晶片200上的电路板，藉此避免直流线路影响高频信号的完整性。上述的交流讯号线路42B可以为单端模式(Single Ended)或差分模式(Differential)，于本发明中不予以限制。
其中，该基座50B上系具有一供该倒装式致冷晶片200设置的平台53B；于本实施例中，该平台53B系为平面。于另一较佳实施例中，该平台53B亦可以为凹槽或凸座，用以降低或架高该倒装式致冷晶片200，于本发明中不予以限制。
请一并参阅图11及图12，为本发明第二实施例应用于另一封装结构上的外观示意图及侧面示意图，如图所示：
以下系揭示本发明应用于其中一封装结构的实施方式，本实施例系包括：一基座60B，用以设置该倒装式致冷晶片200，于该基座60B上系穿过多个导通接脚61B，该导通接脚61B的上缘大致与该第二侧导热基板20B两侧突出侧22B、23B的下缘平行或低于该第二侧导热基板20B的突出侧22B、23B。
于一较佳实施例中，可以于该导通接脚61B的上侧分别设置一金属导通垫片62B延伸并接触至该正极端子31B或该负极端子32B的下侧以构成电性连接。
于一较佳实施例中，可以个别针对两侧正极端子31B及负极端子32B的位置调整个别导通接脚61B的高度；于导通接脚61B无法调整高度的情况下，该基座60B上系可以增加一供该倒装式致冷晶片200设置的平台63B，用以提高或降低该倒装式致冷晶片200的高度，以令该导通接脚61B的上缘大致与该第二侧导热基板20B突出侧22B、23B的下缘平行或低于该第二侧导热基20B的突出侧22B、23B。该平台63B系可以为设置于该基座60B上的凸座或凹槽，于本发明中不予以限制。
除了本实施例外，导通接脚亦可以为水平设置，经由穿过基座向上突起的侧壁延伸至内侧的空间与该正极端子31B或该负极端子32B电性连接，该等实施例的变化均属本发明所欲保护的范围。
综上所述，本发明的封装结构利用倒置致冷晶片的方式增加可用以承载电子零件的面积，可用以增加固晶的空间，同时，可应用在空间狭小的封装体。此外，本发明中致冷晶片利用反向操作的方式让致冷晶片上冷面的相对面积较大，可以快速稳定冷面温度以便承载于上的高温电子零件于恒温环境下操作。此外，本发明不须打线即可以与电路板结合，省去打线所占去的空间，可缩小封装体的体积，同时透过分离直流及交流讯号避免致冷晶片高电流或高电压操作与高频信号间互相干扰。
以上已将本发明做一详细说明，惟以上所述，仅为本发明的一较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施之范围，即凡依本发明申请专利范围所作之均等变化与修饰，皆应仍属本发明之专利涵盖范围内。
Claims (14)
1.一种倒装式致冷晶片，其特征在于包括；
一第一侧导热基板；
一第二侧导热基板，该第二侧导热基板面积大于该第一侧导热基板，并朝一或二侧方向延伸以相对该第一侧导热基板形成突出侧；以及
一珀尔帖效应层，设置于该第一侧导热基板及该第二侧导热基板之间，该珀尔帖效应层的正极端子及负极端子设置于一或二侧方向的该突出侧上；
其中，该珀尔帖效应层的正极端子及负极端子馈入反向电源，以令该第一侧导热基板及该第二侧导热基板的冷热逆反，利用面积较大的该第二侧导热基板作为冷面乘载高温元件，让该冷面上的所有该高温元件维持在相同的操作温度，面积较小的该第一侧导热基板作为热面与散热体接触排热。
2.如权利要求1所述的倒装式致冷晶片，其特征在于，该突出侧上的正极端子及负极端子朝向下方的方向，并与电路板上侧的电源连接埠直接透过导电胶粘着或焊接电性结合。
3.如权利要求1所述的倒装式致冷晶片，其特征在于，该珀尔帖效应层具有多个P型半导体晶粒及N型半导体晶粒，并于该第一侧导热基板及该第二侧导热基板朝向该珀尔帖效应层的一侧上具有导通该多个P型半导体晶粒及该N型半导体晶粒的电路层以令该第一侧导热基板及该第二侧导热基板分别形成热面与冷面并于该第一侧导热基板及该第二侧导热基板之间产生温度差。
4.如权利要求1所述的倒装式致冷晶片，其特征在于，该第一侧导热基板及该第二侧导热基板为陶瓷基板、铝板、镁板、铝合金板或镁合金板。
5.一种包含如权利要求1至4中任一项所述的倒装式致冷晶片的封装结构，其特征在于包括：一用以设置该倒装式致冷晶片的基座，该基座由下而上依序具有一第一平面以及一与该第一平面间具有段差的第二平面，该第一平面用以设置该倒装式致冷晶片以令该第二平面的上缘与该第二侧导热基板突出侧的下缘平行或低于该第二侧导热基板的突出侧，于该第二平面上设置一电路板，透过导电胶或透过焊接结合该电路板上侧的电源连接埠及该突出侧下缘的该正极端子及该负极端子以构成电性连接。
6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，该电源连接埠经由该电路板中间的方向延伸至该突出侧的下缘位置，与该突出侧上的正极端子及负极端子电性连接；该电路板上的交流讯号线路经由单侧或是两侧的方向延伸并耦接至该高温元件。
7.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，该电源连接埠经由该电路板一侧或两侧的方向延伸至该突出侧的下缘位置，与该突出侧上的正极端子及负极端子电性连接；该电路板上的交流讯号线路经由该电路板中间的方向延伸并耦接至该高温元件。
8.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，该电源连接埠经由该电路板一侧的方向延伸至该突出侧的下缘位置，与该突出侧上的正极端子及负极端子电性连接；该电路板上的交流讯号线路经由该电路板相对该电源连接埠另一侧的方向延伸并耦接至该高温元件。
9.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，该第一平面上系具有一供该倒装式致冷晶片设置的平台，用以提高或降低该倒装式致冷晶片的高度，以令该第二平面其上缘与该第二侧导热基板突出侧的下缘平行或低于该第二侧导热基板的突出侧。
10.如权利要求9所述的封装结构，其特征在于，该平台系为设置于该基座上的凹槽或凸座。
11.一种包含如权利要求1至4中任一项所述的倒装式致冷晶片的封装结构，其特征在于包括：一用以设置该倒装式致冷晶片的基座，于该基座上系穿过多个导通接脚，该导通接脚的上缘与该第二侧导热基板突出侧的下缘平行或低于该第二侧导热基板的突出侧。
12.如权利要求11所述的封装结构，其特征在于，于该导通接脚的上侧分别设置一金属导通垫片延伸并接触至该正极端子或该负极端子的下侧以构成电性连接。
13.如权利要求11所述的封装结构，其特征在于，该基座上系具有一供该倒装式致冷晶片设置的平台，用以提高或降低该倒装式致冷晶片的高度，以令该导通接脚的上缘与该第二侧导热基板突出侧的下缘平行或低于该第二侧导热基板的突出侧。
14.如权利要求13所述的封装结构，其特征在于，该平台系为设置于该基座上的凹槽或凸座。
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