CN110527949A - 一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法 - Google Patents
一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110527949A CN110527949A CN201910905406.7A CN201910905406A CN110527949A CN 110527949 A CN110527949 A CN 110527949A CN 201910905406 A CN201910905406 A CN 201910905406A CN 110527949 A CN110527949 A CN 110527949A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- contraposition
- mask plate
- region
- occlusion part
- etched line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
本申请涉及一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法,其中,对位掩膜板包括:对位主体,包括对位部和遮挡部,对位部与遮挡部一体成型,对位部与遮挡部之间设置有第一刻蚀线,对位部包括对位标记,对位标记用于对位掩膜板与掩膜框架对位,遮挡部用于遮挡待蒸镀基板上的非蒸镀区域。其中,通过将对位部和遮挡部一体成型,降低了张网时长,提高了对位部和遮挡部在张网过程中的抗形变能力,有利于窄化对位部与遮挡部,适应于高排版率需求;张网后沿第一刻蚀线切割,避免了移动掩膜板过程中遮挡部对对位部的影响,提高了对位精度。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode)即为有机电致发光二极管。OLED显示技术兼具主动发光、高对比度、易于实现柔性显示和3D显示等诸多优点,受到越来越广泛的关注。
提高排版率是所有OLED产业实现高盈利额的直接有效途径,但高排版率要求下,精细金属掩模版需要蒸镀产品的区域往往会占用大部分治具空间,因此高排版率对掩膜板治具设计具有更高的要求。
发明内容
基于此,本申请提供了一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法,有利于满足高排版率需求。
本发明提出的技术方案如下:
本发明实施例第一方面提供一种对位掩膜板,所述对位掩膜板包括对位主体,所述对位主体包括对位部和遮挡部,所述对位部与所述遮挡部一体成型,所述对位部与所述遮挡部之间设置有第一刻蚀线,所述对位部包括对位标记,所述对位标记用于所述对位掩膜板与掩膜框架对位,所述遮挡部用于遮挡待蒸镀基板上的非蒸镀区域。
在一种可选的实施例中,所述对位部和所述遮挡部之间设置有第一刻蚀线。
在一种可选的实施例中,所述第一刻蚀线至少部分为半刻蚀状态,
优选地,所述第一刻蚀线部分为全刻蚀状态;
优选地,所述第一刻蚀线全部为半刻蚀状态。
在一种可选的实施例中,所述对位部包括对位区域,所述对位区域包括所述对位标记,其中,所述对位区域与所述遮挡部之间的所述第一刻蚀线为半刻蚀状态。
在一种可选的实施例中,所述对位区域包括第一对位区域与第二对位区域,所述第一对位区域设置有第一对位标记,所述第二对位区域设置有第二对位标记,所述对位部还包括所述第一对位区域与所述第二对位区域之间的连接部,所述连接部用于连接所述第一对位区域与所述第二对位区域。
在一种可选的实施例中,所述连接部与所述遮挡部之间的所述第一刻蚀线为全刻蚀状态;
优选地,所述第一对位区域与所述连接部之间以及所述第二对位区域与所述连接部之间均设置有第二刻蚀线。
在一种可选的实施例中,所述第一对位区域远离所述第二对位区域的一侧以及所述第二对位区域远离所述第一对位区域的一侧设置有拉伸部,所述拉伸部与所述对位本体连接;
优选地,所述拉伸部与所述对位本体之间设置有第三刻蚀线;
优选地,所述遮挡部包括测试孔,所述测试孔贯穿所述遮挡部设置,用于在所述蒸镀基板上形成材料检测单元。
本发明实施例第二方面提供一种掩膜板的制作方法,包括:
提供掩膜框架;
通过对位部的对位标记将如上述任一种的对位掩膜板与所述掩膜框架进行对位;
将对位后的所述对位掩膜板和所述掩膜框架进行固定。
在一种可选的实施例中,在所述将对位后的所述对位掩膜板和所述掩膜框架进行固定之后包括:
沿所述第一刻蚀线对所述对位掩膜板进行切割,以时所述对位部和所述遮挡部沿所述第一刻蚀线分离;
优选地,在所述将对位后的所述对位掩膜板和所述掩膜框架进行固定之后包括:沿所述第二刻蚀线对所述掩膜板进行切割,和/或
沿所述第三刻蚀线对所述掩膜板进行切割。
本发明实施例第三方面提供一种掩膜板,所述掩膜板根据如上述任一种方法得到,其中,所述掩膜框架包括中空区以及围绕所述中空区设置的框架本体,所述遮挡部包括与所述框架本体重叠的第一重叠区,且所述遮挡部包括与所述中空区重叠的第二重叠区,所述第二重叠区包括贯穿所述遮挡部设置的测试孔。
本发明的技术方案,具有以下有益效果:
将对位掩膜板通过将对位部和遮挡部一体成型,进行张网,在张网过程中,对位部和遮挡部互相连接,赋予了对位部和遮挡部较好的抗拉伸形变能力,有利于将对位部和遮挡部尽可能窄化,以适应高排版率产品对掩膜治具的需求,此外,同时对对位部和遮挡部进行张网,节省了张网时间。
附图说明
图1为本申请实施例公开的一种对位掩膜板的示意图;
图2为本申请实施例公开的一种张网后的对位掩膜板的示意图;
图3为本申请实施例公开的一种切割后的对位掩膜板的示意图;
图4为本申请实施例公开的一种对位掩膜板在切割之后剩余部分的示意图;
图5为本申请实施例公开的一种掩膜板的制作方法;
图6为本申请实施例公开的另一种掩膜板的制作方法。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
正如背景技术中提及,在OLED产业中,提高排版率是提高产品质量以及营业额的直接途径,但是,高排版率需求下,精细金属掩膜板上对应待蒸镀的区域占据了掩膜组件的大部分空间,因此需要对掩膜组件进行改进,以适应高排版率的需求。
目前OLED制程中,通常采用精细金属掩膜板(FMM)在待蒸镀基板上进行蒸镀成膜,而而精细金属掩膜板既薄又脆,通常会先借助对位掩膜板焊接在掩膜框架上,再通过对位掩膜板上的对位标记建立起坐标系,最后根据坐标系将精细金属掩膜板焊接在掩膜框架上进行蒸镀。
在对位掩膜板和精细金属掩膜板之间通常还会设置遮挡部,遮挡部的作用包括:遮挡住空白区域需要遮挡的空白区域,以避免在掩膜板使用时蒸镀材料经由未遮挡空白区域堆积在基底不期望区域上。
现有技术中通常先将对位掩膜板张网至掩膜框架上,再分别对精细金属掩膜板、遮挡部等进行张网,但发明人在工作过程中发现,高排版率产品需要蒸镀产品的区域更大,需要占用大部分的治具空间,此时遮挡部的宽度就会适应性变窄,将遮挡部张网至掩膜框架时需要对遮挡部施加拉伸力,窄化的遮挡部在承受一定的拉伸力时容易变形甚至断裂,这对生产高排版率的产品十分不利。
为满足高排版率要求,本申请提供了一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法,对位掩膜板包括一体成型的对位部和遮挡部,对位部包括用于将对位掩膜板与掩膜框架进行对位的对位标记,遮挡部用于遮挡待蒸镀基板上的非蒸镀区域。
为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本申请进一步详细说明。
本发明实施例提供了一种对位掩膜板,如图1所示,所述对位掩膜板包括对位主体,所述对位主体包括对位部111和遮挡部112,所述对位部111与所述遮挡部112一体成型,所述对位部111与所述遮挡部112之间设置有第一刻蚀线130,所述对位部111包括对位标记,所述对位标记用于所述对位掩膜板与掩膜框架对位,所述遮挡部112用于遮挡待蒸镀基板上的非蒸镀区域。
本发明实施例提供的对位掩膜板,对位部111和遮挡部112一体成型,相互连接,其中,通过在对位部111设置对位标记实现对位掩膜板和掩膜框架的对位,通过设置遮挡部112遮挡待蒸镀基板上的非蒸镀区域。对位部111和遮挡部112一体成型,相互连接,在将对位掩膜板张网至掩膜框架的过程中,需要对对位掩膜板施加拉伸作用力,相互连接的对位部111和遮挡部112具有较好的抗拉伸形变的能力,因此,能够根据实际情况尽可能将对位部111和遮挡部112窄化,以适应高排版率产品对掩膜治具的需求,此外,同时将对位部111和遮挡部112进行张网,节省了张网时间。
作为本发明实施例一种可选的实施方式,如图1所示,所述对位部111和所述遮挡部112之间设置有第一刻蚀线130。
本发明实施例提供的对位掩膜板,将对位掩膜板通过第一刻蚀线130划分为对位部111和遮挡部112。将对位掩膜板拉伸张网至掩膜框架,如图2所示,张网后,沿第一刻蚀线130进行切割,使对位部111和遮挡部112沿第一刻蚀线130分离,如此,避免了清洗运输掩膜板过程中,遮挡部112对对位部111的影响,提高了对位精度。
作为本发明实施例一种可选的实施方式,所述第一刻蚀线130至少部分为半刻蚀状态,
优选地,所述第一刻蚀线130部分为全刻蚀状态;
优选地,所述第一刻蚀线130全部为半刻蚀状态
具体地,第一刻蚀线130至少部分为半刻蚀状态,即在该半刻蚀状态的第一刻蚀线130的位置,对位掩膜板未被刻穿,如此,在张网过程中保证了对位部111和遮挡部112相互连接,在一定的拉伸力作用下能够将对位部111和遮挡部112尽可能窄化,以适应高排版率产品对掩膜板的布局需求;可选地,第一刻蚀线130全部为半刻蚀状态,能够保证在张网过程中拉伸力的作用下,对位部111和遮挡部112的抗形变能力更佳。
优选地,所述第一刻蚀线130部分为全刻蚀状态,即在该全刻蚀状态下的第一刻蚀线130的位置,对位掩膜板被刻穿,具体地,在第一刻蚀线130至少部分为半刻蚀状态的条件下,部分第一刻蚀线130为全刻蚀状态,以保证在张网前对位部111和遮挡部112通过呈半刻状态的部分第一刻蚀线130进行连接,在呈全刻状态的部分第一刻蚀线130的位置进行分离,如此,既能保证在张网过程中的拉伸力作用下,对位部111和遮挡部112的抗形变能力更佳,又能保证在后续沿第一刻蚀线130分割对位部111和遮挡部112时,减少切割时间。
作为本发明实施例一种可选的实施方式,所述对位部111包括对位区域,所述对位区域包括所述对位标记,其中,所述对位区域与所述遮挡部112之间的所述第一刻蚀线130为半刻蚀状态。
具体地,对位部111包括对位标记,对位标记所在的区域作为对位区域,对位区域与遮挡部112之间包括部分第一刻蚀线130,即对位区域与遮挡部112之间的第一刻蚀线130,该部分的第一刻蚀线130为半刻蚀状态。通过将对位区域与遮挡部112之间的第一刻蚀线130设置为半刻蚀状态,增加了对位区域和遮挡部112之间的连接稳定性,在张网过程中,提高了对位区域以及与对位区域连接的遮挡部112的抗形变能力,有利于在满足窄化需求的条件下提高对位精度。
作为本发明实施例一种可选的实施方式,如图1所示,所述对位区域包括第一对位区域与第二对位区域,所述第一对位区域设置有第一对位标记1111,所述第二对位区域设置有第二对位标记1112,所述对位部111还包括所述第一对位区域与所述第二对位区域之间的连接部1113,所述连接部1113用于连接所述第一对位区域与所述第二对位区域。
具体地,对位标记分为第一对位标记1111以及第二对位标记1112,第一对位标记1111位于对位部111的第一对位区域,第二对位标记1112位于对位部111的第二对位区域,第一对位区域与第二对位区域通过连接部1113进行连接。
作为本发明实施例一种可选的实施方式,所述连接部1113与所述遮挡部112之间的所述第一刻蚀线130为全刻蚀状态。
具体地,连接部1113与遮挡部112之间设置有一部分第一刻蚀线130,即连接部1113与遮挡部112之间的第一刻蚀线130,该刻蚀线为全刻蚀状态,也就是说连接部1113和遮挡部112之间是相互断开的,如此,在后续沿第一切割线进行切割时,只需对对位区域与遮挡部112之间的第一刻蚀线130进行切割,节省了切割步骤的耗时。
优选地,如图1、图2所示,所述第一对位区域与所述连接部1113之间以及所述第二对位区域与所述连接部1113之间均设置有第二刻蚀线140。
具体地,对位区域与连接部1113之间设置有第二刻蚀线140,本实施例中对应第一对位标记1111以及第二对位标记1112,第二刻蚀线140包括两条,分别设置在第一对位区域与连接部1113之间,以及第二对位区域与连接部1113之间。将对位掩膜板张网至掩膜框架之后,如图2所示,可沿第二刻蚀线140对对位掩膜板进行切割,以将连接部1113去除,进一步地,第二刻蚀线140至少部分为半刻蚀状态,以保证对位部111与第一对位区域与第二对位区域的连接。沿第二刻蚀线140进行切割,去除连接部1113,避免了移动掩膜板过程中,连接部1113对对位标记的影响,提高了对位精度。
作为本发明实施例一种可选的实施方式,如图1所示,所述第一对位区域远离所述第二对位区域的一侧以及所述第二对位区域远离所述第一对位区域的一侧设置有拉伸部120,所述拉伸部120与所述对位本体连接。
具体地,在第一对位区域远离第二对位区域的一侧,以及第二对位区域远离第一对位区域的一侧,均设置有拉伸部120,拉伸部120用于在张网过程中对对位掩膜板施加拉伸作用力,以使对位掩膜板尽可能平整地张网于掩膜框架上。
优选地,如图1所示,所述拉伸部120与所述对位本体之间设置有第三刻蚀线150。
本实施例中,将对位掩膜板张网至掩膜框架之后,可沿第三刻蚀线150进行切割,以去掉拉伸部120,如图3所示,以避免在移动掩膜板过程中拉伸部120对对位标记的影响,提高了对位精度。
优选地,所述遮挡部112包括测试孔1123,如图1所示,所述测试孔1123贯穿所述遮挡部112设置,用于在所述蒸镀基板上形成材料检测单元。
具体地,遮挡部112设置有贯穿对位掩膜板的测试孔1123,测试孔1123的作用包括:在使用掩膜版进行蒸镀或者沉积工艺时,蒸镀或者沉积的材料经由测试孔1123堆积在基底上,形成材料检测单元,材料检测单元可以反馈实际蒸镀或沉积的材料层质量;通过检测材料检测单元的各项参数,可以获知实际蒸镀或沉积的材料层是否符合要求。
如图5所示,本发明实施例还提供了一种掩膜板的制作方法,包括以下步骤:
S400:提供掩膜框架;
S500:通过对位部111的对位标记将上述实施例中的对位掩膜板与所述掩膜框架进行对位;
S600:将对位后的所述对位掩膜板和所述掩膜框架进行固定。
本发明实施例中提供的掩膜板的制作方法,将对位掩膜板与掩膜框架对位后进行固定,即将相互连接的对位部111及遮挡部112一同张网至掩膜框架上,相对于现有技术中将对位部111、遮挡部112别进行张网的方式,节省了张网时长,此外,由于张网过程中需要对对位掩膜板进行拉伸,对位部111和遮挡部112一体成型,相互连接,在承受拉力时具有较好的抗形变能力,因此,可以根据实际需要将对位部111与遮挡部112尽可能窄化,以满足高排版率产品对掩膜板的布局需求,另外,将对位部111和遮挡部112同时进行张网,节省了张网时间。
作为本发明实施例的一种可选实施方式,如图6所示,在所述S600:将对位后的所述对位掩膜板和所述掩膜框架进行固定之后包括:
S610:沿所述第一刻蚀线130对所述对位掩膜板进行切割,以使所述对位部111和所述遮挡部112沿所述第一刻蚀线130分离。
将对位掩膜板固定至掩膜框架之后,沿第一刻蚀线130进行切割,使对位部111和遮挡部112沿第一刻蚀线130分离,以避免移动掩膜板过程中遮挡部112对对位部111的影响,从而提高了对位精度。
优选地,在所述将对位后的所述对位掩膜板和所述掩膜框架进行固定之后包括:
S620:沿所述第二刻蚀线140对所述掩膜板进行切割,和/或
S630:沿所述第三刻蚀线150对所述掩膜板进行切割。
具体地,本发明实施例提供的掩膜板的制作方法,还包括沿第三刻蚀线150进行切割,以去掉拉伸部120,避免移动掩膜板过程中拉伸部120对对位部111的影响,提高了对位掩膜板的对位精度;和/或,沿第二切割线对对位掩膜板进行切割,以去掉连接部1113,可以理解,沿第一刻蚀线130进行切割、沿第二刻蚀线140进行切割、沿第三刻蚀线150进行切割都是在将对位后的对位掩膜板和掩膜框架固定之后进行的,但三个部位的切割顺序并不限定,进一步地,本发明实施例中的第二刻蚀线140、第三刻蚀线150分别有两条,可以按照沿一条第二刻蚀线140切割,沿一条第三刻蚀线150进行切割,沿另外一条第二刻蚀线140切割,沿另外一条第三刻蚀线150切割的顺序进行切割,具体顺序并不限定。
为了更能清楚体现本发明实施例的技术方案,将沿第一刻蚀线、第二刻蚀线、第三刻蚀线完成切割之后的对位掩膜板示出,如图4所示。需注意的是,切割步骤是在将对位掩膜板张网至掩膜框架上之后进行的,图4为切割完成之后的对位掩膜板,去除了拉伸部120以及连接部1113,且第一对位区域与遮挡部112之间、第二对位区域与遮挡部112之间均为断开状态,也就是说,切割完成之后对位部111与遮挡部112之间为断开状态。
作为本发明实施例的一种可选实施方式,对位掩膜板和掩膜框架之间包括第一固定区和第二固定区,第一固定区位于所述对位区域与所述掩膜框架之间,遮挡部112具有与第一对位区域对应的第一端,以及与第二对位区域对应的第二端,第二固定区位于第一端与掩膜框架之间以及第二端与掩膜框架之间。
所述第一固定区对应所述第一所述将对位后的所述对位掩膜板和所述掩膜框架进行固定包括:在所述第一固定区和所述第二固定区对所述对位掩膜板和所述掩膜框架进行固定。
本发明实施例中提供的方法,对应第一对位区域定义第一固定区,对应第二对位区域定义第二固定区,第一刻蚀线130可根据第一固定区和第二固定区的位置进行定义,由于第一对位标记1111和第二对位标记1112已通过第一固定区与第二固定区固定在掩膜框架上,切割掉第一对位区域和第二对位区域之间的连接部1113,也能够保证第一对位标记1111和第二对位标记1112牢固地固定在掩膜框架上,在保证第一与第二固定在掩膜框架上的同时对对位掩膜板进行切割,提高了对位精度。
本发明实施例还提供一种掩膜板,所述掩膜板根据前述实施例中任一种的方法得到,其中,所述掩膜框架包括中空区以及围绕所述中空区设置的框架本体,所述遮挡部112包括与所述框架本体重叠的第一重叠区1121,且所述遮挡部112包括与所述中空区重叠的第二重叠区1122,所述第二重叠区1122包括贯穿所述遮挡部112设置的测试孔1123。
具体地,遮挡部112具有与框架本体重叠的第一重叠区1121,以及与中空区重叠的第二重叠区1122,在第二重叠区1122设置有测试孔1123,测试孔1123贯穿遮挡部112设置,测试孔1123的作用包括:在使用掩膜版进行蒸镀或者沉积工艺时,蒸镀或者沉积的材料经由测试孔1123堆积在基底上,形成材料检测单元,材料检测单元可以反馈实际蒸镀或沉积的材料层质量;通过检测材料检测单元的各项参数,可以获知实际蒸镀或沉积的材料层是否符合要求。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种对位掩膜板,其特征在于,所述对位掩膜板包括对位主体,所述对位主体包括对位部和遮挡部,所述对位部与所述遮挡部一体成型,所述对位部与所述遮挡部之间设置有第一刻蚀线,所述对位部包括对位标记,所述对位标记用于所述对位掩膜板与掩膜框架对位,所述遮挡部用于遮挡待蒸镀基板上的非蒸镀区域。
2.根据权利要求1所述的对位掩膜板,其特征在于,所述对位部和所述遮挡部之间设置有第一刻蚀线。
3.根据权利要求2所述的对位掩膜板,其特征在于,所述第一刻蚀线至少部分为半刻蚀状态,
优选地,所述第一刻蚀线部分为全刻蚀状态;
优选地,所述第一刻蚀线全部为半刻蚀状态。
4.根据权利要求2所述的对位掩膜板,其特征在于,所述对位部包括对位区域,所述对位区域包括所述对位标记,其中,所述对位区域与所述遮挡部之间的所述第一刻蚀线为半刻蚀状态。
5.根据权利要求4所述的对位掩膜板,其特征在于,所述对位区域包括第一对位区域与第二对位区域,所述第一对位区域设置有第一对位标记,所述第二对位区域设置有第二对位标记,所述对位部还包括所述第一对位区域与所述第二对位区域之间的连接部,所述连接部用于连接所述第一对位区域与所述第二对位区域。
6.根据权利要求5所述的对位掩膜板,其特征在于,所述连接部与所述遮挡部之间的所述第一刻蚀线为全刻蚀状态;
优选地,所述第一对位区域与所述连接部之间以及所述第二对位区域与所述连接部之间均设置有第二刻蚀线。
7.根据权利要求5所述的对位掩膜板,其特征在于,所述第一对位区域远离所述第二对位区域的一侧以及所述第二对位区域远离所述第一对位区域的一侧设置有拉伸部,所述拉伸部与所述对位本体连接;
优选地,所述拉伸部与所述对位本体之间设置有第三刻蚀线;
优选地,所述遮挡部包括测试孔,所述测试孔贯穿所述遮挡部设置,用于在所述蒸镀基板上形成材料检测单元。
8.一种掩膜板的制作方法,其特征在于,包括:
提供掩膜框架;
通过对位部的对位标记将如权利要求1-5所述的对位掩膜板与所述掩膜框架进行对位;
将对位后的所述对位掩膜板和所述掩膜框架进行固定。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,在所述将对位后的所述对位掩膜板和所述掩膜框架进行固定之后包括:
沿所述第一刻蚀线对所述对位掩膜板进行切割,以时所述对位部和所述遮挡部沿所述第一刻蚀线分离;
优选地,在所述将对位后的所述对位掩膜板和所述掩膜框架进行固定之后包括:沿所述第二刻蚀线对所述掩膜板进行切割,和/或
沿所述第三刻蚀线对所述掩膜板进行切割。
10.一种掩膜板,其特征在于,所述掩膜板根据权利要求8-9中任一项所述的方法得到,其中,所述掩膜框架包括中空区以及围绕所述中空区设置的框架本体,所述遮挡部包括与所述框架本体重叠的第一重叠区,且所述遮挡部包括与所述中空区重叠的第二重叠区,所述第二重叠区包括贯穿所述遮挡部设置的测试孔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910905406.7A CN110527949A (zh) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910905406.7A CN110527949A (zh) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110527949A true CN110527949A (zh) | 2019-12-03 |
Family
ID=68669883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910905406.7A Pending CN110527949A (zh) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110527949A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111088474A (zh) * | 2020-01-03 | 2020-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制作方法 |
CN112725727A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-30 | 武汉天马微电子有限公司 | 掩膜板、显示面板及掩膜板的制作方法 |
CN113403576A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-17 | 昆山国显光电有限公司 | 掩模板结构及掩模板结构的制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100000129A (ko) * | 2008-06-24 | 2010-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치용 증착 마스크 유닛 |
CN105861985A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板组件及制作方法、蒸镀装置、显示基板的制作方法 |
CN106191769A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版、基板、显示面板和显示装置 |
CN107369624A (zh) * | 2017-06-20 | 2017-11-21 | 南京矽邦半导体有限公司 | 一种引线框架改善封装的方法及引线框架 |
CN109750256A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜组件的制备方法、掩膜组件 |
-
2019
- 2019-09-24 CN CN201910905406.7A patent/CN110527949A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100000129A (ko) * | 2008-06-24 | 2010-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치용 증착 마스크 유닛 |
CN105861985A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板组件及制作方法、蒸镀装置、显示基板的制作方法 |
CN106191769A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版、基板、显示面板和显示装置 |
CN107369624A (zh) * | 2017-06-20 | 2017-11-21 | 南京矽邦半导体有限公司 | 一种引线框架改善封装的方法及引线框架 |
CN109750256A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜组件的制备方法、掩膜组件 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111088474A (zh) * | 2020-01-03 | 2020-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制作方法 |
CN111088474B (zh) * | 2020-01-03 | 2022-07-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制作方法 |
CN112725727A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-30 | 武汉天马微电子有限公司 | 掩膜板、显示面板及掩膜板的制作方法 |
CN112725727B (zh) * | 2020-12-08 | 2022-05-10 | 武汉天马微电子有限公司 | 掩膜板、显示面板及掩膜板的制作方法 |
CN113403576A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-17 | 昆山国显光电有限公司 | 掩模板结构及掩模板结构的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110527949A (zh) | 一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法 | |
US6518079B2 (en) | Separation method for gallium nitride devices on lattice-mismatched substrates | |
US7651925B2 (en) | Vacuum expansion of integrated circuits at sort | |
US9908806B2 (en) | Sheet glass, method for manufacturing sheet glass, and device for manufacturing sheet glass | |
US20140196855A1 (en) | Separating apparatus | |
TW201515799A (zh) | 脆性材料基板之分斷方法及分斷裝置 | |
CN104272449A (zh) | 端部处理器 | |
CN106148889A (zh) | 沉积用掩模制造装置及利用该装置的沉积用掩模制造方法 | |
WO2019054718A3 (ko) | 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 | |
CN104249412A (zh) | 脆性材料基板的切断工具及脆性材料基板的支承夹具 | |
JP5141070B2 (ja) | ウェーハのダイシング方法 | |
US20060137828A1 (en) | Die pickup apparatus | |
US10636707B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
KR100668761B1 (ko) | 2단날 금형구조 및 그것을 이용하여 제품을 제조하는 방법 | |
KR102547356B1 (ko) | 메탈막 부착 기판의 분단 방법 | |
CN106239272A (zh) | 微小尺寸冲头的磨削方法及磨削装置 | |
JP2008081825A (ja) | 電着金属の剥取装置 | |
JP2012011756A (ja) | 分断装置 | |
CN202401078U (zh) | 皮革冲孔机的吸尘排屑装置 | |
US20050036884A1 (en) | Die pickup method and die pickup device | |
CN111326608B (zh) | 发光器件、发光器件的制作方法及显示装置 | |
JP2020155703A (ja) | ピックアップ装置 | |
CN102593270B (zh) | 发光二极管管芯及其制法 | |
KR20160006790A (ko) | 반도체 칩의 픽업 장치 | |
KR20200058485A (ko) | 메탈막 부착 기판의 분단 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20191203 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |