CN107369624A - 一种引线框架改善封装的方法及引线框架 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种引线框架改善封装的方法及引线框架，在引线框架上分出成品区域和非成品区域，非成品区域位于成品区域的外围；成品区域与非成品区域之间的过渡区域的背面增加半蚀刻设计，过渡区域的宽度大于切割刀的厚度；在非成品区域确定非成品区域的注塑区域和非成品区域的非注塑区域，非成品区域的注塑区域位于非成品区域的非注塑区域与成品区域之间，分别在非成品区域的注塑区域和非成品区域的非注塑区域的正面增加全蚀刻和半蚀刻设计；成品区域包括多个成品，相邻成品之间有连接筋，在连接筋的背面增加半蚀刻设计。本发明设计合理，降低切割刀损耗、减小了切割时间，有效提高切割刀使用寿命和产品在行业间竞争优势，降低生产成本。

Description

一种引线框架改善封装的方法及引线框架
技术领域
本发明涉及引线框架技术领域，尤其涉及一种引线框架改善封装的方法及引线框架。
背景技术
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
图1为现有技术的引线框架单面结构示意图，引线框架1’上排列有多个单颗封装成品2’。在引线框架封装后道成品切割过程中，后道切割刀的使用寿命评估常常会影响到单颗封装产品的价格浮动，若切割刀的使用寿命较短，直接影响到产品的售价，也影响到产品在行业中的竞争力。
发明内容
发明目的：为了解决现有技术存在的问题，提高引线框架产品切割刀的使用寿命，本发明提供一种引线框架改善封装的方法。
本发明的另一目的是提供一种引线框架。
技术方案：一种引线框架改善封装的方法，包括以下步骤：
S1：确定待改善的引线框架，在引线框架上分出成品区域和非成品区域，所述非成品区域位于成品区域的外围，所述成品区域用于放置成品；
S2：所述成品区域与非成品区域之间有过渡区域，所述过渡区域的背面增加半蚀刻设计，过渡区域为切割刀轨迹，过渡区域的宽度大于切割刀的厚度；
S3：在非成品区域增加全蚀刻和半蚀刻设计：在非成品区域确定非成品区域的注塑区域和非成品区域的非注塑区域，所述非成品区域的注塑区域位于非成品区域的非注塑区域与成品区域之间，在非成品区域的非注塑区域的正面增加半蚀刻设计，在非成品区域的注塑区域的正面增加全蚀刻设计；
S4：所述成品区域包括多个成品，相邻成品之间有连接筋，所述连接筋的位置为切割刀轨迹，在所述连接筋的背面增加半蚀刻设计。
优选的，步骤S4中，所述成品为正方形，所述连接筋为十字交叉状。
优选的，步骤S3中，所述非成品区域的注塑区域布置有多个方形注塑块。
优选的，步骤S3中，所述非成品区域的注塑区域设有多个矩形全蚀刻区域，矩形全蚀刻区域包括大矩形全蚀刻区域和小矩形全蚀刻区域，部分大矩形全蚀刻区域沿连接筋的延长线分布，部分大矩形全蚀刻区域围绕在成品区域外围；所述小矩形全蚀刻区域位于过渡区域的一侧，过渡区域的另一侧排列有成品的引脚，小矩形全蚀刻区域与成品上相邻引脚的间隙对齐。
优选的，所述小矩形全蚀刻区域的长度为成品引脚的长度，小矩形全蚀刻区域的宽度为成品引脚的间距。
一种引线框架，包括成品区域和非成品区域，所述非成品区域位于成品区域的外围，所述成品区域用于放置成品，成品区域与非成品区域之间有过渡区域，所述过渡区域为半蚀刻，过渡区域的宽度大于切割刀的厚度；所述非成品区域包括非成品区域的注塑区域和非成品区域的非注塑区域，非成品区域的注塑区域位于非成品区域的非注塑区域与成品区域之间，非成品区域的非注塑区域的正面为半蚀刻，非成品区域的注塑区域的正面包括多个矩形全蚀刻区域；成品区域包括多个成品，成品用于放置并连接成品，相邻成品之间有连接筋，所述连接筋的位置为切割刀轨迹，所述连接筋的背面为半蚀刻。
优选的，所述非成品区域的注塑区域设有多个矩形全蚀刻区域，矩形全蚀刻区域包括大矩形全蚀刻区域和小矩形全蚀刻区域，部分大矩形全蚀刻区域沿连接筋的延长线分布，部分大矩形全蚀刻区域围绕在成品区域外围；所述小矩形全蚀刻区域排列于过渡区域的一侧，过渡区域的另一侧排列有成品的引脚，小矩形全蚀刻区域与成品上相邻引脚的间隙对齐。
优选的，所述小矩形全蚀刻区域的长度为成品引脚的长度，小矩形全蚀刻区域的宽度为成品引脚的间距。
优选的，所述非成品区域的非注塑区域的半蚀刻厚度为引线框架厚度的1/3。
优选的，所述过渡区域的半蚀刻设计深度为框架厚度的1/2；所述连接筋的半蚀刻设计深度为框架厚度的1/2。
有益效果：本发明提供的一种引线框架改善封装的方法及引线框架，在非成品区域设计半蚀刻面积，由于非成品区域的切割刀轨迹的位置增加了半蚀刻，切割刀所需切割的位置做了减薄，减少了损耗，改善了产品切割工序的技术参数，降低切割刀损耗、减少了切割时间。由于减薄位置均匀对称，且减薄高度适中，不会大大降低基板本身强度。
本发明在成品之间的连接筋进行改善，由于在成品之间增加了辅助半蚀刻，切割刀轨迹处金属减薄，减少了损耗，进一步改善产品切割工序的技术参数，降低切割刀损耗、减小了切割时间。产品间的减薄设计尺寸经过计算和评估，不会减小产品间的连接强度。
在成品区域与非成品区域之间的过渡区域增加半蚀刻，切割刀轨迹处金属减薄，减少了损耗，进一步改善产品切割工序的技术参数，降低切割刀损耗、减小了切割时间，在非成品区域靠近过渡区域的一边增加全蚀刻设计，使得切割刀轨迹左右两侧相对平衡，进一步增加切割刀的使用寿命。
本发明设计合理，降低切割刀损耗、减小了切割时间，有效提高切割刀使用寿命和产品在行业间竞争优势，降低生产成本。
附图说明
图1为现有技术的引线框架单面结构示意图；
图2为通过本发明的一种引线框架改善封装的方法改进后的引线框架单面结构示意图；
图3为图2的局部放大示意图。
图中：1为引线框架；2为成品区域；3为非成品区域；21为成品；22为成品区域与非成品区域之间的过渡区域；31为非成品区域的注塑区域；32为非成品区域的非注塑区域；311为大矩形全蚀刻区域；312为小矩形全蚀刻区域；4为成品之间的连接筋；5为芯片pin脚。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
S1：确定待改善的引线框架1，在引线框架1上分出成品区域2和非成品区域3，所述非成品区域3位于成品区域2的外围，所述成品区域2用于放置成品；
S2：所述成品区域2与非成品区域3之间有过渡区域22，所述过渡区域22的背面增加半蚀刻设计，过渡区域22为切割刀轨迹，过渡区域22的宽度需要大于切割刀的厚度；
S3：在非成品区域3增加全蚀刻和半蚀刻设计：在非成品区域3确定非成品区域的注塑区域31和非成品区域的非注塑区域32，所述非成品区域的注塑区域31位于非成品区域的非注塑区域32与成品区域2之间，在非成品区域的非注塑区域32的正面增加半蚀刻设计，在非成品区域的注塑区域31的正面增加全蚀刻设计。所述非成品区域的注塑区域31布置有多个方形注塑块。所述非成品区域的注塑区域31设有多个大矩形全蚀刻区域311，部分大矩形全蚀刻区域311沿连接筋的延长线分布，部分大矩形全蚀刻区域311围绕在成品区域2外围；所述非成品区域的注塑区域31靠近过渡区域22的边缘设有多个小矩形全蚀刻区域312，所述小矩形全蚀刻区域312排列于过渡区域22的一侧，过渡区域22的另一侧排列有成品的引脚5，小矩形全蚀刻区域312与成品上相邻引脚5的间隙对齐。所述小矩形全蚀刻区域312的长度为成品引脚5的长度，小矩形全蚀刻区域312的宽度为成品pin脚5(引脚)的间距。
S4：所述成品区域2包括多个成品21，相邻成品21之间有连接筋4，所述连接筋4的位置为切割刀轨迹(即切割道)，在所述连接筋4的背面增加半蚀刻设计。所述成品21为正方形，所述连接筋4为十字交叉状。
根据此方法得到一种引线框架，如图2和3所示，包括成品区域2和非成品区域3，所述非成品区域3位于成品区域2的外围，所述成品区域2用于放置成品，成品区域2与非成品区域3之间有过渡区域22，所述过渡区域22为半蚀刻，过渡区域22的半蚀刻宽度大于切割刀的厚度；所述非成品区域3包括非成品区域的注塑区域31和非成品区域的非注塑区域32，非成品区域的注塑区域31位于非成品区域的非注塑区域32与成品区域2之间，非成品区域的非注塑区域32的正面为半蚀刻，非成品区域的注塑区域31的正面包括多个矩形全蚀刻区域；成品区域2包括多个成品21，相邻成品21之间有连接筋4，所述连接筋4的位置为切割刀轨迹，所述连接筋4的背面为半蚀刻。
所述非成品区域的注塑区域31上的矩形全蚀刻区域包括大矩形全蚀刻区域311和小矩形全蚀刻区域312，部分大矩形全蚀刻区域311沿连接筋4的延长线分布，部分大矩形全蚀刻区域311围绕在成品区域2外围；所述小矩形全蚀刻区域312位于过渡区域22的边缘，所述小矩形全蚀刻区域311排列于过渡区域22的一侧，过渡区域22的另一侧排列有成品的引脚5，小矩形全蚀刻区域312与成品上相邻引脚5的间隙对齐。
所述小矩形全蚀刻区域312的长度为成品引脚5的长度，小矩形全蚀刻区域312的宽度为成品引脚5的间距。
本实施例将非成品区域的非注塑区域32设计为半蚀刻，由于切割非成品区域32轨道位置增加了半蚀刻，切割刀所需切割的位置做了减薄，减少了损耗，改善了产品切割工序的技术参数，降低切割刀损耗、减少了切割时间。由于减薄位置均匀对称，且减薄高度适中，不会大大降低基板本身强度；在成品区域2增加了过渡区22以及连接筋4处的半蚀刻设计，由于成品间连接增加了辅助半蚀刻，切割刀轨迹处金属减薄，减少了损耗，进一步改善产品切割工序的技术参数，降低切割刀损耗、减小了切割时间。产品间的减薄设计尺寸经过计算和评估，不会减小产品间的连接强度。
本引线框架设计主要针对引线框架切割刀耗损量大的问题，对引线框架做改进，在非成品区域3的非成品区域的非注塑区域32增加大量正面半蚀刻设计，控制半蚀刻厚度既不影响引线框架的强度，又减小了切割制程中的阻力，增加了切割刀的寿命，一般控制非成品区域的非注塑区域32的半蚀刻厚度为1/3的引线框架厚度最优；非成品区域的注塑区域31增加小矩形全蚀刻区域312，控制小矩形全蚀刻区域312间距和尺寸既不影响引线框架的强度，又减小了切割过程中的阻力，使过渡区左右两侧尽量平衡，增加了切割刀的寿命，一般小矩形全蚀刻区域312的长度为成品引脚5的长度，小矩形全蚀刻区域312的宽度为成品引脚5的间距；成品区域2与非成品区域3之间的过渡区域22增加半蚀刻设计，控制设计间距和尺寸且控制半蚀刻的深度，可以达到既不影响引线框架的强度，又减小了切割过程中的阻力，增加了切割刀的寿命，此处半蚀刻的间距要大于切割刀的尺寸，一般设置在0.3mm，半蚀刻深度控制在框架厚度的1/2最优，所述的切割刀为引线框架封装后道成品切割过程中切割的位置；相邻的成品21之间的连接筋4为切割刀轨迹且增加半蚀刻设计，控制半蚀刻宽度与深度，可以达到既不影响引线框架的强度，又减小了切割制程中的阻力，增加了切割刀的寿命，此处的半蚀刻尺寸不能超过产品引脚的位置，为了保证强度，预留0.02mm的宽度，此处的半蚀刻深度控制在框架厚度的1/2最优。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种引线框架改善封装的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：确定待改善的引线框架，在引线框架上分出成品区域和非成品区域，所述非成品区域位于成品区域的外围，所述成品区域用于放置成品；
S2：所述成品区域与非成品区域之间有过渡区域，所述过渡区域的背面增加半蚀刻设计，过渡区域为切割刀轨迹，过渡区域的宽度大于切割刀的厚度；
S3：在非成品区域增加全蚀刻和半蚀刻设计：在非成品区域确定非成品区域的注塑区域和非成品区域的非注塑区域，所述非成品区域的注塑区域位于非成品区域的非注塑区域与成品区域之间，在非成品区域的非注塑区域的正面增加半蚀刻设计，在非成品区域的注塑区域的正面增加全蚀刻设计；
S4：所述成品区域包括多个成品，相邻成品之间有连接筋，所述连接筋的位置为切割刀轨迹，在所述连接筋的背面增加半蚀刻设计。
2.根据权利要求1所述的引线框架改善封装的方法，其特征在于，步骤S4中，所述成品为正方形，所述连接筋为十字交叉状。
3.根据权利要求1或2所述的引线框架改善封装的方法，其特征在于，步骤S3中，所述非成品区域的注塑区域布置有多个方形注塑块。
4.根据权利要求1或2所述的引线框架改善封装的方法，其特征在于，步骤S3中，所述非成品区域的注塑区域设有多个矩形全蚀刻区域，矩形全蚀刻区域包括大矩形全蚀刻区域和小矩形全蚀刻区域，部分大矩形全蚀刻区域沿连接筋的延长线分布，部分大矩形全蚀刻区域围绕在成品区域外围；所述小矩形全蚀刻区域位于过渡区域的一侧，过渡区域的另一侧排列有成品的引脚，小矩形全蚀刻区域与成品上相邻引脚的间隙对齐。
5.根据权利要求4所述的引线框架，其特征在于，所述小矩形全蚀刻区域的长度为成品引脚的长度，小矩形全蚀刻区域的宽度为成品引脚的间距。
6.一种引线框架，其特征在于，包括成品区域和非成品区域，所述非成品区域位于成品区域的外围，所述成品区域用于放置成品，成品区域与非成品区域之间有过渡区域，所述过渡区域为半蚀刻，过渡区域的宽度大于切割刀的厚度；所述非成品区域包括非成品区域的注塑区域和非成品区域的非注塑区域，非成品区域的注塑区域位于非成品区域的非注塑区域与成品区域之间，非成品区域的非注塑区域的正面为半蚀刻，非成品区域的注塑区域的正面包括多个矩形全蚀刻区域；成品区域包括多个成品，相邻成品之间有连接筋，所述连接筋的位置为切割刀轨迹，所述连接筋的背面为半蚀刻。
7.根据权利要求6所述的引线框架，其特征在于，所述非成品区域的注塑区域设有多个矩形全蚀刻区域，矩形全蚀刻区域包括大矩形全蚀刻区域和小矩形全蚀刻区域，部分大矩形全蚀刻区域沿连接筋的延长线分布，部分大矩形全蚀刻区域围绕在成品区域外围；所述小矩形全蚀刻区域排列于过渡区域的一侧，过渡区域的另一侧排列有成品的引脚，小矩形全蚀刻区域与成品上相邻引脚的间隙对齐。
8.根据权利要求7所述的引线框架，其特征在于，所述小矩形全蚀刻区域的长度为成品引脚的长度，小矩形全蚀刻区域的宽度为成品引脚的间距。
9.根据权利要求6或7或8所述的引线框架，其特征在于，所述非成品区域的非注塑区域的半蚀刻厚度为引线框架厚度的1/3。
10.根据权利要求6或7或8所述的引线框架，其特征在于，所述过渡区域的半蚀刻设计深度为框架厚度的1/2；所述连接筋的半蚀刻设计深度为框架厚度的1/2。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110527949A (zh) * 2019-09-24 2019-12-03 昆山国显光电有限公司 一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103579162A (zh) * 2012-07-20 2014-02-12 台湾道康宁股份有限公司 引线框组合件及其引线框与切割方法
CN103928420A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 株式会社三井高科技 引线框
CN204516751U (zh) * 2015-02-11 2015-07-29 江苏长电科技股份有限公司 一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构与封装体结构
CN207052570U (zh) * 2017-06-20 2018-02-27 南京矽邦半导体有限公司 一种引线框架

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103579162A (zh) * 2012-07-20 2014-02-12 台湾道康宁股份有限公司 引线框组合件及其引线框与切割方法
CN103928420A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 株式会社三井高科技 引线框
CN204516751U (zh) * 2015-02-11 2015-07-29 江苏长电科技股份有限公司 一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构与封装体结构
CN207052570U (zh) * 2017-06-20 2018-02-27 南京矽邦半导体有限公司 一种引线框架

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110527949A (zh) * 2019-09-24 2019-12-03 昆山国显光电有限公司 一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法

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