CN110518134B

CN110518134B - 显示器及其制备方法

Info

Publication number: CN110518134B
Application number: CN201910790857.0A
Authority: CN
Inventors: 穆欣炬; 周文斌; 史凯兴
Original assignee: Suzhou Qingyue Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: Suzhou Qingyue Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2019-08-26
Filing date: 2019-08-26
Publication date: 2022-10-21
Anticipated expiration: 2039-08-26
Also published as: CN110518134A

Abstract

本发明涉及一种显示器及其制备方法。该显示器的制备方法中，所使用的掩膜版采用硅晶片作为主体，且硅晶片上具有多个采用硅通孔技术形成的开口。该掩膜版的开口采用硅通孔技术形成，不受限于金属掩膜版的制备技术，从而可以减小掩膜版上的开口大小，进而增加显示器的像素密度。

Description

显示器及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及显示器及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器是通过有机发光材料在电场驱动下发光的显示器件，与液晶显示器相比，有机发光显示器更轻薄，具有更好的视角和对比度等，因此受到了人们的广泛关注。

在OLED显示器的制备过程中，有机发光材料是被加热后真空蒸镀沉积在显示基板上的，在有机发光材料的蒸镀过程中，需要使用金属掩膜版(Fine Metal Mask，FMM)来界定蒸镀区域。

申请人在实现传统技术的过程中发现：受限于金属掩膜版的制备技术，现有显示器的像素密度(PPI，Pixels Per Inch)较低。

发明内容

基于此，有必要针对传统技术中存在通过金属掩膜版蒸镀有机发光材料的显示器，其像素密度较低的问题，提供一种显示器及其制备方法。

一种显示器的制备方法，包括：

提供掩膜版，所述掩膜版包括硅晶片，所述硅晶片具有多个采用硅通孔技术形成的贯通所述硅晶片的开口；

提供显示基板，所述显示基板包括硅衬底及位于所述硅衬底上的驱动电路，所述驱动电路具有用于输出电流的阳极；

通过所述掩膜版向所述显示基板上蒸镀有机发光材料，所述有机发光材料覆盖所述阳极。

在其中一个实施例中，所述的显示器的制备方法，所述提供掩膜版，包括：

提供硅晶片；

按照预设图案，采用硅通孔技术在所述硅晶片上形成多个贯通所述硅晶片的开口。

在其中一个实施例中，所述的显示器的制备方法，所述按照预设图案，采用硅通孔技术在所述硅晶片上形成多个贯通所述硅晶片的开口，包括：

按照预设图案，采用硅通孔技术在所述硅晶片上形成多个凹坑，所述硅晶片包括相对的第一表面和第二表面，所述凹坑形成于所述第一表面上；

从所述第二表面对所述硅晶片进行第一减薄，以使所凹坑贯通第一减薄后的所述硅晶片。

在其中一个实施例中，所述的显示器的制备方法，所述按照预设图案，采用硅通孔技术在所述硅晶片上形成多个贯通所述硅晶片的开口之后，还包括：

对所述硅晶片进行第二减薄。

在其中一个实施例中，所述的显示器的制备方法，沿所述掩膜版的延伸方向，所述开口的尺寸小于等于10微米；

所述掩膜版的厚度范围为1至100微米。

在其中一个实施例中，所述的显示器的制备方法，所述硅衬底具有第三表面，所述第三表面具有第一区域和包围所述第一区域的第二区域，所述驱动电路形成于所述第一区域；

所述通过所述掩膜版向所述显示基板上蒸镀有机发光材料，所述有机发光材料覆盖所述阳极之前，还包括：

将所述硅衬底与所述掩膜版键合，且所述第三表面靠近所述掩膜版。

在其中一个实施例中，所述的显示器的制备方法，所述将所述衬底与所述掩膜版键合，且所述第三表面靠近所述掩膜版，包括：

对所述硅衬底的第三表面的第二区域进行表面清洁和亲水活化处理；

对所述掩膜版的第一表面进行表面清洁和亲水活化处理；

将所述硅衬底的第三表面与所述掩膜版的第一表面贴合，并对所述硅衬底的第二区域进行光束轰击，以使所述硅衬底与所述掩膜版键合。

在其中一个实施例中，所述的显示器的制备方法，所述通过所述掩膜版向所述显示基板上蒸镀有机发光材料，所述有机发光材料覆盖所述阳极之后，还包括：

解离所述硅衬底与所述掩膜版的键合。

在其中一个实施例中，所述的显示器的制备方法，所述解离所述硅衬底与所述掩膜版的键合，包括：

对所述硅衬底与所述掩膜版的键合处进行加热，以生成氢气，从而解离所述硅衬底与所述掩膜版的键合。

一种显示器，基于上述任意一个实施例中所述的显示器的制备方法。

上述显示器的制备方法中，所使用的掩膜版采用硅晶片作为主体，且硅晶片上具有多个采用硅通孔技术形成的开口。该掩膜版的开口采用硅通孔技术形成，不受限于金属掩膜版的制备技术，从而可以减小掩膜版上的开口大小，进而增加显示器的像素密度。

附图说明

图1为对应一个子像素的显示基板的剖面结构示意图。

图2为本申请一个实施例中显示器的制备方法的流程示意图。

图3为本申请一个实施例中掩膜版的制备方法的流程示意图。

图4为本申请又一个实施例中掩膜版的制备方法的流程示意图。

图5为本申请另一个实施例中掩膜版的制备方法的流程示意图。

图6为本申请一个实施例中掩膜版的结构示意图。

图7为本申请一个实施例中硅衬底的结构示意图。

图8为本申请一个实施例中显示器的制备方法的流程示意图。

其中，各附图标号所代表的含义分别为：

10、掩膜版；

100、硅晶片；

102、开口；

110、第一表面；

112、凹坑；

120、第二表面；

20、显示基板；

22、硅衬底；

24、驱动电路；

242、阳极；

230、第三表面；

232、第一区域；

234、第二区域；

30、有机发光材料。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

像素密度是指每英寸所拥有的像素数量。像素密度越高，即代表显示器能够以越高的密度显示图像。或者说，像素密度越高，显示器的显示画面的拟真度就越高，画面的细节也越丰富。

OLED显示器的制备过程中，通常需要先在硅衬底22或柔性衬底上制备用于驱动有机发光材料的驱动电路24，形成显示基板20，如图1所示。在显示基板20上对应驱动电路24的阳极242的位置形成有机发光材料(图中未示出)，所述有机发光材料覆盖所述阳极242。当驱动电路24内有电流流通时，有机发光材料即在电流驱动下发光。这是本领域的公知技术，不再赘述。一般来说，有机发光材料至少包括红、绿和蓝三种颜色，以蒸镀完成后形成R(Red，红色)子像素、G(Green，绿色)子像素和B(Blue，蓝色)子像素。红、绿和蓝三种颜色的有机发光材料需要分别进行蒸镀。以蒸镀R子像素为例，蒸镀R子像素时，所使用的金属掩膜版通具有用于蒸镀R子像素的开口，而不具有用于蒸镀G子像素和B子像素的开口。从而通过使用金属掩膜版遮挡显示基板上用于蒸镀G子像素和B子像素的部分，以仅在显示基板20用于驱动R子像素的驱动电路24的阳极242上形成R子像素。

发明人在实现上述技术的过程中发现，金属掩膜版的开口大小受限于金属开口工艺，从而使显示器的像素密度较低。换句话说，由于金属开口工艺不够成熟，金属掩膜版上的开口大小较大，不利于提升显示器的像素密度。

本申请的显示器的制备方法不涉及阳极242位置的改动。因此，在本申请的以下各实施例中，阳极242相对驱动电路24的位置皆如图1所示，在图2及其它附图中，仅示出了驱动电路24在硅衬底22上的位置，省略了阳极242。

基于以上问题，本申请提供一种显示器的制备方法，如图2所示，包括如下步骤：

S100，提供掩膜版10，所述掩膜版10包括硅晶片100，所述硅晶片100具有多个采用硅通孔技术形成的贯通所述硅晶片100的开口102。

具体的，由于显示器的制备需要通过掩膜版10向显示基板20上蒸镀有机发光材料30，因此，首先需提供蒸镀所需的掩膜版10。本实施例中，所述掩膜版10包括作为主体的硅晶片100。所述硅晶片100上具有多个采用硅通孔(TSV，Through Silicon Vias)技术形成的贯通所述硅晶片100的开口102。所述开口102用于蒸镀发光像素。

S200，提供显示基板20，所述显示基板20包括硅衬底22及位于所述硅衬底22上的驱动电路24，所述驱动电路24具有用于输出电流的阳极242。

具体的，由于所述显示器的制备需要向所述显示基板20上蒸镀所述有机发光材料30，因此，还需要提供用于蒸镀所述有机发光材料30的显示基板20。所述显示基板20包括硅衬底22及位于所述硅衬底22上的驱动电路24。所述驱动电路24一般是形成于所述硅衬底22上的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)电路。所述驱动电路24具有用于输出电流的阳极242，所述阳极242直接与所述有机发光材料30电连接，从而向所述有机发光材料30输出电流。

需要理解的是，上述步骤S100和步骤S200均为提供制备显示器所需的器件，其先后顺序的置换并不影响本申请中的显示器的制备。因此，对上述步骤S100和步骤S200的顺序进行置换后所得的技术方案也应理解为在本申请的保护范围之内。

S300，通过所述掩膜版10向所述显示基板20上蒸镀有机发光材料30，所述有机发光材料30覆盖所述驱动电路24。

具体的，通过所述掩膜版10向所述显示基板20上蒸镀所述有机发光材料30。需要注意的是，所述显示基板20中，用于驱动同一颜色的驱动电路24的位置应与所述掩膜版10的开口102的位置对应，以使完成所述有机发光材料30的蒸镀后，所述有机发光材料30覆盖所述驱动电路24。

更具体的，本申请的显示器的制备方法，需要先提供一使用硅通孔技术在硅晶片100上形成开口102的掩膜版10，并通过该掩膜版10向显示基板20上蒸镀有机发光材料30，从而形成像素。其中，显示基板20上用于驱动同一颜色的发光像素的驱动电路24，其位置应当与掩膜版10的开口102相对应。该显示器的制备方法，由于所使用的掩膜版10为采用硅通孔技术形成开口102的硅晶片100，使该掩膜版10的开口102大小不受限于金属掩膜版10的制备技术，从而可以减小掩膜版10上的开口102大小，继而增加显示器的像素密度。

在其中一个实施例中，所述显示器的制备方法中，如图3所示，所述步骤S100包括：

S110，提供硅晶片100。

S120，按照预设图案，采用硅通孔技术在所述硅晶片100上形成多个贯通所述硅晶片100的开口102。

具体的，所述掩膜版10的制备为按照预设图案采用硅通孔技术在所述硅晶片100上形成贯通所述硅晶片100的开口102。所述预设图案的位置应当与所述显示基板20上待蒸镀有机发光材料30的阳极242的位置相对应，从而使所述掩膜版10上的开口102位置与所述显示基板20上待蒸镀有机发光材料30的阳极242的位置相对应。

进一步的，如图4所示，所述步骤S120具体可以包括：

S121，按照预设图案，采用硅通孔技术在所述硅晶片100上形成多个凹坑112，所述硅晶片100包括相对的第一表面110和第二表面120，所述凹坑112形成于所述第一表面110上。

具体的，提供硅晶片100后，在该实施例中，在所述硅晶片100上形成贯通所述硅晶片100的开口102，并非是直接在所述硅晶片100上形成贯通所述硅晶片100的开口102，而是先所述硅晶片100上形成凹坑112，并通过第一减薄所述硅晶片100使所述凹坑112成为通孔。一般来说，硅晶片100具有相对的两个表面。我们将硅晶片100的相对的两个表面分别命名为第一表面110和第二表面120。这里的第一表面110和第二表面仅用于区分所述硅晶片100的表面，不具有其它含义。这里的第一减薄意为第一次减薄，其仅用于与其它实施例中的减薄工艺进行区分，不具有其它含义。

在本实施例中，可以按照所述预设图案，采用硅通孔技术在所述硅晶片100的第一表面110上形成多个凹坑112。

S122，从所述第二表面120对所述硅晶片100进行第一减薄，以使所述凹坑112贯通第一减薄后的所述硅晶片100。

具体的，所述硅晶片100具有相对的第一表面110和第二表面120。所述凹坑112形成于所述第一表面110上时，此时，从所述第二表面120对所述硅晶片100进行第一减薄，当第一减薄后的所述硅晶片100的厚度小于所述凹坑112的深度时，即可使所述凹坑112贯通第一减薄后的所述硅晶片100。此时，所述凹坑112成为贯通所述硅晶片100的开口102。

在一个实施例中，如图5所示，所述显示器的制备方法，所述步骤S120之后还包括：

S130，对所述硅晶片100进行第二减薄。

具体的，若所述掩膜版10的厚度较厚，在使用该掩膜版10进行像素蒸镀时，像素材料通过所述掩膜版10的开口102沉积至所述阳极242的难度会提高。因此，可以在工艺允许范围内对所述掩膜版10进行第二减薄，即对所述硅晶片100进行第二减薄。这里的第二减薄意为第二次减薄，其仅用于与上一实施例中的第一减薄进行区分，不具有其它含义。在本实施例中，可以通过打磨的方式对所述硅晶片100进行第二减薄。第二减薄后所得的所述掩膜版10如图6所示。

具体的，本申请的所述显示器的制备方法，所述掩膜版10的厚度范围为1μm至100μm。换句话说，所述掩膜版10的厚度可以是1μm，也可以是100μm，还可以是30μm、50μm或80μm。

沿所述掩膜版10的延伸方向，所述开口102的尺寸小于等于10μm。所述掩膜版10的延伸方向，指垂直于所述掩膜版10的厚度的平面。所述开口102的尺寸小于等于10μm，是指在垂直于所述掩膜版10的厚度的平面上，所述开口102的最大尺寸为10μm。此时，当所述开口102在垂直于所述掩膜版10的厚度的平面上为圆形时，圆形的所述开口102的直径小于等于10μm；当所述开口102在垂直于所述掩膜版10的厚度的平面上为正方形时，正方形的所述开口102的边长小于等于10μm；当所述开口102在垂直于所述掩膜版10的厚度的平面上为长方形时，长方形的所述开口102的长边的长度小于等于10μm。

在一个实施例中，如图7所示，上述显示器的制备方法所采用的所述硅衬底22具有第三表面230，所述第三表面230具有第一区域232和包围所述第一区域232的第二区域234。所述驱动电路24形成于所述第一区域232。

具体来说，所述硅衬底22也具有相对的两个表面，所述驱动电路24形成于所述硅衬底22的一个表面上。为方便描述，将所述硅衬底22的一个表面命名为第三表面230，并使所述驱动电路24形成于所述第三表面230上。这里的第三仅用于区分上述第一表面110和第二表面120，不具有其它含义。

所述第三表面230可以具有第一区域232和包围所述第一区域232的第二区域234。所述驱动电路24形成于所述第三表面230的所述第一区域232。

此时，如图8所示，所述步骤S300之前还包括：

S400，将所述硅衬底22与所述掩膜版10键合，且所述第三表面230靠近所述掩膜版10。

即将所述硅衬底22设有所述驱动电路24的所述第三表面230朝向所述掩膜版10，并将所述掩膜版10与所述硅衬底22键合。

进一步的，所述步骤S400包括：

S410，对所述硅衬底22的第三表面230的第二区域234进行表面清洁和亲水活化处理。

本申请的显示器的制备方法，需要将所述硅衬底22的第三表面230的第二区域234与所述掩膜版10进行键合，以通过所述掩膜版10向所述显示基板20上蒸镀有机发光材料30。

为将所述硅衬底22的第三表面230的第二区域234与所述掩膜版10进行键合，需首先对所述硅衬底22的第三表面230的第二区域234进行表面清洁和亲水活化处理。其中，表面清洁的目的包括但不限于使所述第二区域234不存在微粒、不存在碳氢化合物、不存在金属杂质以及降低表面粗糙度的至少一种。亲水活化处理的目的是使所述第二区域234的表面具有氢氧键。

具体来说，所述表面清洁和亲水活化处理可以是：对所述硅衬底22的第三表面230的第二区域234采用去离子水超声处理一定时间后，在无水乙醇中煮沸一端时间，并用去离子水冲洗多次，再放入乙醇中超声处理一定时间。

所述表面清洁和亲水活化处理还可以是：对所述硅衬底22的第三表面230的第二区域234采用乙醇进行清洁处理后，再使用亲水溶液对其进行擦拭处理。

需要注意的是，在对所述硅衬底22的第三表面230的第二区域234进行表面清洁和亲水活化处理时，为防止硅衬底的第一区域232上蒸镀的驱动电路24被处理过程影响，可以将第一区域232进行包覆封装，再进行上述表面清洁和亲水活化处理。这些都是本领域技术人员可以自主选择的，不再赘述。

S420，对所述掩膜版10的第一表面110进行表面清洁和亲水活化处理。

为将所述硅衬底22与所述掩膜版10的第一表面110进行键合，还需对所述掩膜版10的所述第一表面110进行表面清洁和亲水活化处理。其中，表面清洁的目的包括但不限于使所述掩膜版10的所述第一表面110不存在微粒、不存在碳氢化合物、不存在金属杂质以及降低表面粗糙度的至少一种。亲水活化处理的目的是使所述掩膜版10的所述第一表面110具有氢氧键。

同样的，所述表面清洁和亲水活化处理可以是：对所述掩膜版10的第一表面110采用去离子水超声处理一定时间后，在无水乙醇中煮沸一端时间，并用去离子水冲洗多次，再放入乙醇中超声处理一定时间。

S430，将所述硅衬底22的第三表面230与所述掩膜版10的第一表面110贴合，并对所述硅衬底22的第二区域234进行光束轰击，以使所述硅衬底22与所述掩膜版10键合。

完成对所述硅衬底22的第三表面230的第二区域234和所述掩膜版10的第一表面110的表面清洁和亲水活化处理后，将所述硅衬底22的第三表面230与所述掩膜版10的第一表面110贴合。贴合时应注意，所述掩膜版10的所述开口102应正对待蒸镀子像素的阳极242。将所述硅衬底22的第三表面230与所述掩膜版10的第一表面110贴合后，对所述硅衬底22的第二区域234进行光束轰击，以使所述硅衬底22的第二区域234表面的氢氧键与所述掩膜版10的第一表面110的氢氧键键合。即对所述贴合区域进行光束轰击，以使所述硅衬底22的第二区域234表面的氢氧键与所述掩膜版10的第一表面110的氢氧键键合，从而完成所述硅衬底22与所述掩膜版10的键合。

需要注意的是，键合过程中，光束轰击的温度应低于1000℃，以避免相邻的氢氧键相互反应产生共价键，影响键合效果。

在一个实施例中，如图8所示，所述步骤S300之后，还包括：

S500，解离所述硅衬底22与所述掩膜版10的键合。

即完成像素蒸镀后，解除所述硅衬底22与所述掩膜版10之间的键合。所述步骤S500具体可以是：

对所述硅衬底22与所述掩膜版10的键合处进行加热，以生成氢气，从而解离所述硅衬底22与所述掩膜版10的键合。

更具体来说，所述掩膜版10与所述硅衬底22之间是通过氢氧键键合的，当对所述键合处进行加热且加热至1000℃以上时，键合处的氢氧键会相互反应，产生共价键。此时键合处的氢氧键遭到破坏，产生氢气，从而解除所述掩膜版10与所述硅衬底22的键合。此时，即可得到蒸镀有所述有机发光材料30的显示基板20。

在一个实施例中，本申请还提供一种显示器，该显示器由上述任意一个实施例中的显示器的制备方法制备所得。

具体来说，所述显示器包括显示基板20及设于所述显示基板20上的有机发光材料30。所述显示基板20包括显示衬底及位于所述衬底上的驱动电路24。所述驱动电路24具有用于输出电流的阳极242。所述有机发光材料30位于所述阳极242上。

在一个实施例中，沿所述显示基板20的延伸方向，所述有机发光材料30的尺寸小于等于10μm。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种显示器的制备方法，其特征在于，包括：

提供掩膜版(10)，所述掩膜版(10)包括硅晶片(100)，所述硅晶片(100)具有多个采用硅通孔技术形成的贯通所述硅晶片(100)的开口(102)；

提供显示基板(20)，所述显示基板(20)包括硅衬底(22)及位于所述硅衬底(22)上的驱动电路(24)，所述驱动电路(24)具有用于输出电流的阳极(242)；

所述硅衬底(22)具有第三表面(230)，所述第三表面(230)具有第一区域(232)和包围所述第一区域(232)的第二区域(234)，所述驱动电路(24)形成于所述第一区域(232)；

将所述硅衬底(22)与所述掩膜版(10)键合，且所述第三表面(230)靠近所述掩膜版(10)，包括：

对所述硅衬底(22)的所述第三表面(230)的所述第二区域(234)进行表面清洁和亲水活化处理；

对所述硅衬底(22)的所述第二区域(234)进行光束轰击，以使所述硅衬底(22)与所述掩膜版(10)键合；

通过所述掩膜版(10)向所述显示基板(20)上蒸镀有机发光材料(30)，所述有机发光材料(30)覆盖所述阳极(242)；

所述掩膜版(10)上的所述开口(102)的位置与所述显示基板(20)上待蒸镀所述有机发光材料(30)的所述阳极(242)的位置相对应；

对所述硅衬底(22)的所述第三表面(230)的所述第二区域(234)进行表面清洁和亲水活化处理，包括：

对所述硅衬底(22)的所述第三表面(230)的所述第二区域(234)采用去离子水超声处理后，在无水乙醇中煮沸，并用去离子水冲洗，再放入乙醇中超声处理；或对硅衬底(22)的所述第三表面(230)的所述第二区域(234)采用乙醇进行清洁处理后，再使用亲水溶液进行擦拭处理。

2.根据权利要求1所述的显示器的制备方法，其特征在于，所述提供掩膜版(10)，包括：

提供硅晶片(100)；

按照预设图案，采用硅通孔技术在所述硅晶片(100)上形成多个贯通所述硅晶片(100)的开口(102)。

3.根据权利要求2所述的显示器的制备方法，其特征在于，所述按照预设图案，采用硅通孔技术在所述硅晶片(100)上形成多个贯通所述硅晶片(100)的开口(102)，包括：

按照预设图案，采用硅通孔技术在所述硅晶片(100)上形成多个凹坑(112)，所述硅晶片(100)包括相对的第一表面(110)和第二表面(120)，所述凹坑(112)形成于所述第一表面(110)上；

从所述第二表面(120)对所述硅晶片(100)进行第一减薄，以使所述凹坑(112)贯通第一减薄后的所述硅晶片(100)。

4.根据权利要求2所述的显示器的制备方法，其特征在于，所述按照预设图案，采用硅通孔技术在所述硅晶片(100)上形成多个贯通所述硅晶片(100)的开口(102)之后，还包括：

对所述硅晶片(100)进行第二减薄。

5.根据权利要求2至4任意一项所述的显示器的制备方法，其特征在于，沿所述掩膜版(10)的延伸方向，所述开口(102)的尺寸小于等于10微米；

所述掩膜版(10)的厚度范围为1至100微米。

6.根据权利要求5所述的显示器的制备方法，其特征在于，所述对所述硅衬底(22)的所述第二区域(234)进行光束轰击，以使所述硅衬底(22)与所述掩膜版(10)键合之前，还包括：

对所述掩膜版(10)的第一表面(110)进行表面清洁和亲水活化处理；

将所述硅衬底(22)的第三表面(230)与所述掩膜版(10)的第一表面(110)贴合。

7.根据权利要求1所述的显示器的制备方法，其特征在于，所述通过所述掩膜版(10)向所述显示基板(20)上蒸镀有机发光材料(30)，所述有机发光材料(30)覆盖所述阳极(242)之后，还包括：

解离所述硅衬底(22)与所述掩膜版(10)的键合。

8.根据权利要求7所述的显示器的制备方法，其特征在于，所述解离所述硅衬底(22)与所述掩膜版(10)的键合，包括：

对所述硅衬底(22)与所述掩膜版(10)的键合处进行加热，以生成氢气，从而解离所述硅衬底(22)与所述掩膜版(10)的键合。

9.根据权利要求1所述的显示器的制备方法，其特征在于，所述光束轰击的温度低于1000℃。

10.一种显示器，其特征在于，基于权利要求1至9任意一项所述的显示器的制备方法。