CN112725729A - 一种彩色硅基oled微显示器的制作方法及掩膜板 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 63
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 63
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
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Abstract
本发明公开了一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法及掩膜板，包括：将掩膜板的凹槽与硅晶圆的像素电极对位贴合；根据该所述掩膜板，对所述硅晶圆的像素电极依次进行蒸镀。如此，本发明通过在相邻的像素电极(包括红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素电极)上制备独立发光的红、绿、蓝OLED器件，提高OLED微显示器的显示亮度，避免了现有技术中因滤色膜的光透过率较低而导致损失大量的光强的问题，本发明还降低了OLED微显示器的功耗。
Description
技术领域
本发明涉及OLED显示器技术领域，尤其是一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法及掩膜板。
背景技术
OLED显示器件具有全固态、自发光、广视角、广色域、反应速度快、高发光效率、高亮度、高对比度、超薄超轻等优点，成为国内外热门的新兴平面显示器产品。
目前，传统的彩色硅基OLED微显示器是采用白光加滤色膜的方式，实现彩色化。然而，由于滤色膜的光透过率只有20％-30％，因此，使用这种彩色化方式，会损失大量的光强，也就是说，光的利用率较低，还会造成OLED微显示器功耗的增加。
基于此，如何实现OLED微显示器的彩色化，提高光的利用率，降低OLED 微显示器的功耗，是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明提供了一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法及掩膜板，实现 OLED微显示器的彩色化，提高光的利用率，降低OLED微显示器的功耗。
本发明解决其技术问题是采取以下技术方案实现的：
第一方面，本发明实施例提供了一种掩膜板，包括：基板和遮挡板；
所述基板和若干个所述遮挡板一体化设置；
所述遮挡板上开设有若干个凹槽，所述凹槽的厚度尺寸和所述遮挡板的厚度尺寸相同；
所述遮挡板的厚度为小于10纳米。
可选地，在本发明实施例中，所述基板的厚度为10-100纳米。
可选地，在本发明实施例中，所述凹槽的宽度尺寸和与所述基板相抵设置的硅晶圆的各个像素的宽度尺寸相同。
第二方面，本发明实施例提供了一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法，包括：
将掩膜板的凹槽与硅晶圆的像素电极对位贴合；
根据该所述掩膜板，对所述硅晶圆的像素电极依次进行蒸镀。
可选地，在本发明实施例中，所述硅晶圆的像素电极包括红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素电极。
可选地，在本发明实施例中，所述掩膜板经多次蒸镀后需要进行清洗。
可选地，在本发明实施例中，蒸镀结束后，还包括：
分离将掩膜板和所述硅晶圆；
封装所述OLED微显示器。
可选地，在本发明实施例中，分离将掩膜板和所述硅晶圆，具体包括：
对贴合在一起的所述掩膜板和所述硅晶圆进行加热，所述掩膜板和所述硅晶圆之间的共价键断裂并形成氢气，从而分离所述掩膜板和所述硅晶圆。
本发明的优点和积极效果是：
本发明通过在相邻的像素电极(包括红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素电极)上制备独立发光的红、绿、蓝OLED器件，提高OLED微显示器的显示亮度，避免了现有技术中因滤色膜的光透过率较低而导致损失大量的光强的问题，本发明还降低了OLED微显示器的功耗。
附图说明
图1是本发明提供的一种掩膜板的结构示意图；
图2是本发明提供的一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法的流程图；
图3是本发明提供的一种掩膜板和硅晶圆的红色像素电极的结构示意图；
图4是本发明提供的一种掩膜板和硅晶圆的绿色像素电极的结构示意图；
图5是本发明提供的一种掩膜板和硅晶圆的蓝色像素电极的结构示意图。
具体实施方式
在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本发明，其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的组件或操作而已，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下结合附图对本发明实施例做进一步详述：
本发明提出的一种掩膜板，包括：基板和遮挡板；
所述基板和若干个所述遮挡板一体化设置；
所述遮挡板上开设有若干个凹槽，所述凹槽的厚度尺寸和所述遮挡板的厚度尺寸相同；
所述遮挡板的厚度为小于10纳米。
如图1所示，本发明中的遮挡板的厚度设置为小于10纳米，因此，本发明能够制作出面积较小的OLED微显示器，避免现有技术中因金属掩膜板只能制作面积较大的OLED器件的问题，扩展了制作OLED显示产品的范围。
可选地，在本发明实施例中，所述基板的厚度为10-100纳米。
其中，遮挡板的厚度设置为小于10纳米，基板的厚度为10-100纳米，也就是说，基板的厚度大于遮挡板的厚度，因此，基板可以起到支撑的作用，增强本发明的机械强度。
可选地，在本发明实施例中，所述凹槽的宽度尺寸和与所述基板相抵设置的硅晶圆的各个像素的宽度尺寸相同。
如此，通过设置凹槽，凹槽的宽度尺寸和遮挡板的厚度尺寸相同，因此，在后续对硅晶圆的各个像素进行蒸镀时，有利于将凹槽和硅晶圆的各个像素进行对齐，以便对硅晶圆的各个像素进行蒸镀，从而使得后续实现制成OLED 显示产品。
本发明提出的一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法，如图2所示，包括：
将掩膜板的凹槽与硅晶圆的像素电极对位贴合；
根据该所述掩膜板，对所述硅晶圆的像素电极依次进行蒸镀。
如此，本发明通过在相邻的像素电极(包括红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素电极)上制备独立发光的红、绿、蓝OLED器件，提高OLED微显示器的显示亮度，避免了现有技术中因滤色膜的光透过率较低而导致损失大量的光强的问题，本发明还降低了OLED微显示器的功耗。并且，制作OLED 微显示器中，无需更换其他的掩膜板，也就是说，通过该掩膜板即可制作OLED 微显示器，操作简单且方便，具有较强的实用性。
可选地，在本发明实施例中，所述硅晶圆的像素电极包括红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素电极。
其中，掩膜板的凹槽与硅晶圆的红色像素电极进行对位贴合、掩膜板的凹槽与硅晶圆的绿色像素电极进行对位贴合以及掩膜板的凹槽与硅晶圆的蓝色像素电极进行对位贴合的结构示意图，具体可参见图3、图4和图5所示。
可选地，在本发明实施例中，所述掩膜板经多次蒸镀后需要进行清洗。
如此，去除了利用掩膜板进行蒸镀时残留的OLED材料，以免存在杂质的干扰，并且，多次清洗掩膜板，可以使得掩膜板多次使用，因此，降低了制备OLED微显示器的成本，具有较强的发明。
可选地，在本发明实施例中，蒸镀结束后，还包括：
分离将掩膜板和所述硅晶圆；
封装所述OLED微显示器。
可选地，在本发明实施例中，分离将掩膜板和所述硅晶圆，具体包括：
对贴合在一起的所述掩膜板和所述硅晶圆进行加热，所述掩膜板和所述硅晶圆之间的共价键断裂并形成氢气，从而分离所述掩膜板和所述硅晶圆。
说明一点，分离掩膜板和硅晶圆的方法，并不限于上述提及的分离技术，还可以采用其他的方法，只要是能够将掩膜板和硅晶圆进行即可，具体采用何种方法，在此并不做具体限定，提高设计的灵活性，以满足不同场景的需求。
本发明的工作原理和工作过程如下：将掩膜板的凹槽与硅晶圆的像素电极对位贴合，使得掩膜板和硅晶圆在共价键的作用下实现贴合，其中，凹槽的宽度和像素电极宽度相同，具体地，将掩膜板的凹槽与硅晶圆的红色像素电极进行对位贴合，对硅晶圆的红色像素电极进行蒸镀，蒸镀结束后(此时可以清洗掩膜板)，移动该掩膜板，以使掩膜板的凹槽与硅晶圆的绿色像素电极进行对位贴合，对硅晶圆的绿色像素电极进行蒸镀，蒸镀结束后(此时可以清洗掩膜板)，移动该掩膜板，以使掩膜板的凹槽与硅晶圆的蓝色像素电极进行对位贴合，对硅晶圆的蓝色像素电极进行蒸镀，直至完成对硅晶圆的所有像素电极进行蒸镀，从而制成OLED微显示器，对贴合在一起的掩膜板和硅晶圆进行加热，掩膜板和硅晶圆之间的共价键断裂并形成氢气，从而分离掩膜板和硅晶圆，分离之后，可以对OLED微显示器进行封装。
如此，本发明通过在相邻的像素电极(包括红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素电极)上制备独立发光的红、绿、蓝OLED器件，提高OLED微显示器的显示亮度，避免了现有技术中因滤色膜的光透过率较低而导致损失大量的光强的问题，本发明还降低了OLED微显示器的功耗。
需要强调的是，本发明所述的实施例是说明性的，而不是限定性的，因此本发明并不限于具体实施方式中所述的实施例，凡是由本领域技术人员根据本发明的技术方案得出的其他实施方式，同样属于本发明保护的范围。
Claims (8)
1.一种掩膜板，其特征在于，包括：基板和遮挡板；
所述基板和若干个所述遮挡板一体化设置；
所述遮挡板上开设有若干个凹槽，所述凹槽的厚度尺寸和所述遮挡板的厚度尺寸相同；
所述遮挡板的厚度为小于10纳米。
2.根据权利要求1所述的一种掩膜板，其特征在于，所述基板的厚度为10-100纳米。
3.根据权利要求1所述的一种掩膜板，其特征在于，所述凹槽的宽度尺寸和与所述基板相抵设置的硅晶圆的各个像素的宽度尺寸相同。
4.一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法，采用如权利要求1至3任一项所述的一种掩膜板，其特征在于，包括：
将掩膜板的凹槽与硅晶圆的像素电极对位贴合；
根据该所述掩膜板，对所述硅晶圆的像素电极依次进行蒸镀。
5.根据权利要求4所述的一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法，其特征在于，所述硅晶圆的像素电极包括红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素电极。
6.根据权利要求4所述的一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法，其特征在于，所述掩膜板经多次蒸镀后需要进行清洗。
7.根据权利要求4所述的一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法，其特征在于，蒸镀结束后，还包括：
分离将掩膜板和所述硅晶圆；
封装所述OLED微显示器。
8.根据权利要求7所述的一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法，其特征在于，分离将掩膜板和所述硅晶圆，具体包括：
对贴合在一起的所述掩膜板和所述硅晶圆进行加热，所述掩膜板和所述硅晶圆之间的共价键断裂并形成氢气，从而分离所述掩膜板和所述硅晶圆。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011593252.1A CN112725729A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种彩色硅基oled微显示器的制作方法及掩膜板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011593252.1A CN112725729A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种彩色硅基oled微显示器的制作方法及掩膜板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112725729A true CN112725729A (zh) | 2021-04-30 |
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ID=75607763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011593252.1A Pending CN112725729A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种彩色硅基oled微显示器的制作方法及掩膜板 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN112725729A (zh) |
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