CN111490071A - 显示基板及其制备方法和显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种显示基板及其制备方法和显示面板，显示基板包括衬底、像素电极及像素限定层，像素电极设于衬底上，像素限定层包括第一子限定层、防堆积层和第二子限定层，第一子限定层设于衬底上，防堆积层设于第一子限定层上，第二子限定层设于防堆积层上；像素限定层开设有像素坑，像素坑贯穿第一子限定层、防堆积层和第二子限定层以暴露像素电极的至少部分区域；像素坑的侧壁对应防堆积层的位置设有防堆积凹槽。该显示基板可利用液体的渗析作用，避免墨水在沉积干燥过程中出现边缘堆积，从而提高了像素的膜厚均匀性，同时不会影响开口率，提高了发光均匀性以及最终的显示效果。

Description

显示基板及其制备方法和显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板及其制备方法和显示面板。

背景技术

在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性进一步加强。为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。例如有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，量子点发光二极管(QLED)由于其具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，成为了目前显示领域发展的两个主要方向。而采用溶液加工制备OLED、QLED等显示器，由于具有低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向，特别是印刷工艺。

在印刷工艺中，通常打印完功能层后需要经过一步真空干燥即VCD工艺，使墨水中的溶剂快速挥发干燥，初步形成较为平整的薄膜形貌，后续再通过一步高温退火来形成致密的薄膜。然而，传统的显示基板结构在墨水沉积及VCD干燥过程中通常会导致墨水在像素坑边缘堆积，导致整个像素膜厚不均，边缘过厚，中间过薄，进而导致点亮后发光均匀性不佳，影响了最终的显示效果。

发明内容

基于此，有必要提供一种可提升发光均匀性的显示基板。

一种显示基板，包括衬底、像素电极及像素限定层，所述像素电极设于所述衬底上，所述像素限定层包括第一子限定层、防堆积层和第二子限定层，所述第一子限定层设于所述衬底上，所述防堆积层设于所述第一子限定层上，所述第二子限定层设于所述防堆积层上；所述像素限定层开设有像素坑，所述像素坑贯穿所述第一子限定层、所述防堆积层和所述第二子限定层以暴露所述像素电极的至少部分区域；所述像素坑的侧壁对应所述防堆积层的位置设有防堆积凹槽。

在其中一个实施例中，所述防堆积凹槽以所述第一子限定层和所述第二子限定层中的至少之一为侧壁，以所述防堆积层为底壁。

在其中一个实施例中，所述防堆积层呈亲液性；或者，所述防堆积层的材质为金属。

在其中一个实施例中，所述防堆积层的材质为铝和银中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述防堆积凹槽的深度为1μm～5μm，所述防堆积层的厚度为100nm～300nm。

在其中一个实施例中，所述第一子限定层呈亲液性，所述第二子限定层呈疏液性。

本发明还提供了一种显示基板的制备方法，包括以下步骤：

在具有像素电极的衬底上形成第一子限定层；

在所述第一子限定层和所述像素电极上形成防堆积膜；

在防堆积膜上形成图案化的第二子限定层，所述第二子限定层暴露所述像素电极上的所述防堆积膜；

去除所述像素电极上的所述防堆积膜以及所述第二子限定层下的部分所述防堆积膜，形成图案化的防堆积层，并在对应所述防堆积层的位置形成防堆积凹槽。

在其中一个实施例中，所述去除所述像素电极上的所述防堆积膜以及所述第二子限定层下的部分所述防堆积膜，形成图案化的防堆积层的步骤采用湿法蚀刻工艺。

在其中一个实施例中，所述防堆积膜的材质为金属，采用磁控溅射法在所述第一子限定层和所述像素电极上形成所述防堆积膜。

本发明还提供了一种显示面板，包括上述显示基板。

本发明的显示基板通过第一子限定层、防堆积层和第二子限定层共同构成像素限定层并围绕像素电极形成像素坑，其中防堆积层设于第一子限定层和第二子限定层之间，且像素坑的侧壁对应防堆积层的位置设有防堆积凹槽。如此，在墨水沉积及干燥过程中，由于溶液的渗析特性，墨水会向防堆积凹槽中渗入，从而提高墨水在像素坑中的铺展性，可避免墨水在像素坑边缘堆积导致的边缘过厚、中间过薄等问题，提高了整个像素的膜厚均匀性，同时不会影响开口率，因此可提高发光均匀性以及最终的显示效果。

附图说明

图1为本发明一实施例的显示基板的结构示意图；

图2为图1所示的显示基板在墨水沉积干燥过程中的示意图；

图3为本发明另一实施例的显示基板的结构示意图；

图4为本发明另一实施例的显示基板的结构示意图；

图5为本发明一实施例的显示基板的制备方法中将第一子限定层图案化后的示意图；

图6为本发明一实施例的显示基板的制备方法中形成防堆积层步骤的示意图；

图7为本发明一实施例的显示基板的制备方法中形成第二子限定层步骤的示意图；

图8为本发明一实施例的显示基板的制备方法中将第二子限定层图案化后的示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述，并给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1所示，本发明一实施例的显示基板100，包括衬底10、像素电极20及像素限定层30。像素电极20设于衬底10上，像素限定层30包括第一子限定层31、防堆积层32和第二子限定层33，第一子限定层31设于衬底10上，防堆积层32设于第一子限定层31上，第二子限定层33设于防堆积层32上。像素限定层30开设有像素坑34，像素坑34贯穿第一子限定层31、防堆积层32和第二子限定层33以暴露像素电极20的至少部分区域，像素坑34的侧壁对应防堆积层32的位置设有防堆积凹槽35。具体地，即像素坑34的侧壁对应防堆积层32的位置相对于对应第一子限定层31和第二子限定层33的位置凹陷，以形成防堆积凹槽35。

本发明的显示基板100通过第一子限定层31、防堆积层32和第二子限定层33共同构成像素限定层30并围绕像素电极20形成像素坑34，其中防堆积层32设于第一子限定层31和第二子限定层33之间，且像素坑34的侧壁对应防堆积层32的位置设有防堆积凹槽35。如此，在墨水沉积及干燥过程中，如图2所示，由于溶液的渗析特性，墨水会向防堆积凹槽35中渗入，从而提高墨水在像素坑34中的铺展性，可避免墨水在像素坑34边缘堆积导致的边缘过厚、中间过薄等问题，提高了整个像素的膜厚均匀性，同时不会影响开口率，因此可提高发光均匀性以及最终的显示效果。

在一个具体示例中，防堆积凹槽35以第一子限定层31和第二子限定层33为侧壁，以防堆积层32为底壁，即防堆积凹槽35由至少三个面构成。可以理解，防堆积凹槽35也可以仅由两个面构成，例如图3和图4所示，防堆积凹槽的形貌不限于此，可根据需要设置。

在一个具体示例中，防堆积层32呈亲液性，从而有利于墨水的渗入，提高墨水在像素坑34中的铺展性。优选地，防堆积层32的材质为金属，更优选为铝和银中的至少一种，易于进行刻蚀形成防堆积凹槽35。

在一个具体示例中，防堆积凹槽35的深度为1μm～5μm，对于像素坑34内膜厚均匀性的提高效果较好。可以理解，防堆积凹槽35的深度指该凹槽最深处至凹槽边沿处的距离。

在一个具体示例中，防堆积层32的厚度为100nm～300nm，厚度过小不利于墨水的渗入，过厚则增加了制程时间。

可选地，衬底10为玻璃衬底或柔性衬底，衬底10上具有TFT驱动阵列，用于驱动发光元器件，实现图像显示。

可选地，像素电极20为导电膜层，用于与下层驱动电路相连。当显示面板为底发射型面板时，该导电膜层为透明导电膜层，如ITO、IZO等导电金属氧化物；当显示面板为顶发射型面板时，该导电膜层为反射型导电膜层，如ITO/Al/ITO、ITO/Ag/ITO等叠层高导电金属薄膜。可选地，像素电极20的厚度为40nm～250nm。

可选地，第一子限定层31呈亲液性，用于定义各子像素的发光区，第二子限定层33呈疏液性，用于定义墨水沉积区，防止墨水溢出造成混色。也就是说，第一子限定层31由亲水性材料制成，第二子限定层33由疏水性材料制成，亲水性材料可以为氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅，疏水性材料可以为负性光刻胶材料等。可选地，第一子限定层31的厚度为100nm～500nm，第二子限定层33的厚度为800nm～1500nm。

本发明一实施例的显示基板100的制备方法，包括以下步骤：在具有像素电极20的衬底10上形成第一子限定层31，在第一子限定层31上形成防堆积层32，在防堆积层32上形成第二子限定层33，第一子限定层31、防堆积层32和第二子限定层33组成像素限定层30，像素限定层30围绕像素电极20形成像素坑34以暴露像素电极20的至少部分区域，且在像素坑34的侧壁对应防堆积层32的位置形成防堆积凹槽35。

在一个具体示例中，显示基板100的制备方法包括以下步骤S1～S4：

S1、在具有像素电极20的衬底10上形成第一子限定层31。

具体地，在具有像素电极20的衬底10上形成第一子限定膜，并将第一子限定膜图案化以暴露像素电极20的至少部分区域，形成第一子限定层31，如图5所示。

S2、在第一子限定层31和像素电极20上形成防堆积膜，如图6所示。

S3、在防堆积膜上形成图案化的第二子限定层33，第二子限定层33暴露像素电极20上的防堆积膜。

具体地，在防堆积膜上形成第二子限定膜，如图7所示，然后将第二子限定膜图案化，以暴露像素电极20上的防堆积膜，形成第二子限定层33，如图8所示。

S4、去除像素电极20上的防堆积膜以及第二子限定层33下的部分防堆积膜，形成图案化的防堆积层32，并在对应防堆积层的位置形成防堆积凹槽35。

具体地，第一子限定层31、防堆积层32和第二子限定层33组成像素限定层30，像素限定层30围绕像素电极20形成像素坑34以暴露像素电极20的至少部分区域，像素坑34的侧壁对应防堆积层32的位置形成防堆积凹槽35，得到如图1所示的显示基板100。

可以理解，显示基板100的制备方法不限于上述步骤S1～S4，可根据需要进行选择。

在一个具体示例中，上述去除像素电极20上的防堆积膜以及第二子限定层33下的部分防堆积膜，形成图案化的防堆积层32的步骤采用湿法蚀刻工艺。可以理解，蚀刻液根据防堆积层32的材质进行相应选择，例如材质为铝时采用铝刻蚀液，材质为银时采用银刻蚀液，这些刻蚀液不会刻蚀像素电极20、第一子限定层31和第二子限定层33。可选地，刻蚀时间约为2min～15min，通过对刻蚀时间进行调整即可改变防堆积凹槽35的深度。

在一个具体示例中，防堆积膜的材质为金属，采用磁控溅射法在第一子限定层31和像素电极20上形成防堆积膜。

本发明一实施例的显示面板，包括如图1所示的上述显示基板100。由于该显示基板100可利用液体的渗析作用，避免墨水在沉积及干燥过程中在像素坑34的边缘堆积，从而提高整个像素的膜厚均匀性，同时不会影响开口率，进而可提高发光均匀性以及最终的显示效果。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底、像素电极及像素限定层，所述像素电极设于所述衬底上，所述像素限定层包括第一子限定层、防堆积层和第二子限定层，所述第一子限定层设于所述衬底上，所述防堆积层设于所述第一子限定层上，所述第二子限定层设于所述防堆积层上；所述像素限定层开设有像素坑，所述像素坑贯穿所述第一子限定层、所述防堆积层和所述第二子限定层以暴露所述像素电极的至少部分区域；所述像素坑的侧壁对应所述防堆积层的位置设有防堆积凹槽。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述防堆积凹槽以所述第一子限定层和所述第二子限定层中的至少之一为侧壁，以所述防堆积层为底壁。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述防堆积层呈亲液性；或者，所述防堆积层的材质为金属。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述防堆积层的材质为铝和银中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述防堆积凹槽的深度为1μm～5μm，所述防堆积层的厚度为100nm～300nm。

6.根据权利要求1～5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一子限定层呈亲液性，所述第二子限定层呈疏液性。

7.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在具有像素电极的衬底上形成第一子限定层；

在所述第一子限定层和所述像素电极上形成防堆积膜；

在防堆积膜上形成图案化的第二子限定层，所述第二子限定层暴露所述像素电极上的所述防堆积膜；

去除所述像素电极上的所述防堆积膜以及所述第二子限定层下的部分所述防堆积膜，形成图案化的防堆积层，并在对应所述防堆积层的位置形成防堆积凹槽。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述去除所述像素电极上的所述防堆积膜以及所述第二子限定层下的部分所述防堆积膜，形成图案化的防堆积层的步骤采用湿法蚀刻工艺。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述防堆积膜的材质为金属，采用磁控溅射法在所述第一子限定层和所述像素电极上形成所述防堆积膜。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的显示基板或权利要求7～9任一项所述的制备方法制备得到的显示基板。

Images