CN110491986B - 光电设备及其制备方法、光电设备的组件 - Google Patents

Abstract

本发明公开了光电设备及其制备方法、光电设备的组件。其中，光电设备包括：基板；相互间隔地设于基板表面上的多个发光二极管，多个发光二极管中至少包括第一发光二极管、可选地包括第二发光二极管，第一发光二极管为中空结构，从而在第一发光二极管内形成容纳腔，容纳腔具有开口，第一发光二极管发出的第一光线至少部分射向容纳腔内，第二发光二极管的顶部适于向远离基板的方向发出光线；以及设于第一发光二极管的容纳腔内的光致发光材料层，光致发光材料层被第一光线激发后发出的光适于通过容纳腔的开口向远离基板的方向射出。

Description

光电设备及其制备方法、光电设备的组件

技术领域

本发明涉及光电设备技术领域，尤其涉及光电设备及其制备方法、光电设备的组件。

背景技术

传统的LED器件通常由多个功能层层叠形成，基于传统LED的显示装置，如LCD、Mini-LED以及micro-LED等显示技术，均是在传统的LED上设置滤光层或者光转化层制备。以下列出了目前几种LED获得所需光的方式：

传统的白光LED：蓝色芯片激发封装的黄色荧光粉，蓝光与激发的黄光混合形成白光；

量子点红光LED：蓝色芯片激发封装的红色量子点，蓝光被红量子点“全吸收”，激发出红光；

量子点绿光LED：蓝色芯片激发封装的绿色量子点，蓝光被绿量子点“全吸收”，激发出绿光；

量子点白光LED：蓝色芯片激发封装的红色量子点和绿色量子点，蓝光、红光和绿光混合发出白光。

目前，基于量子点的LED显示装置，均为蓝色芯片之上层堆量子点形成，其优势即为量子点的显示优势以及单一蓝色芯片的高良率，但是劣势也很明显，要达成单一的红光或绿光发射，必须达到芯片发出的蓝光被量子点“全吸收”转化的效果。但是，因为是顶发光结构，要蓝光“全吸收”必须有足够厚的量子点层，这就导致量子点用量升高、封装不良以及发光效率降低等问题，而且厚的量子点层不符合现实设备轻薄化的趋势。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的一个目的在于提供一种光电设备及其制备方法，能够减少或避免激发光通过发光材料层射出，从而有利于提高发射光的色纯度。

本发明的另一个目的在于提供一种光电设备及其制备方法，用于解决现有光电设备无法进一步轻薄化的问题。

根据本发明的一个方面，提供一种光电设备，包括：

基板；

设于上述基板表面上的多个发光二极管，各上述发光二极管相互间隔地设置，上述多个发光二极管中至少包括第一发光二极管、可选地包括第二发光二极管，上述第一发光二极管为中空结构，从而在上述第一发光二极管内形成容纳腔，上述容纳腔具有开口，上述第一发光二极管发出的第一光线至少部分射向上述容纳腔内，上述第二发光二极管的顶部适于向远离上述基板的方向发出光线；以及

设于上述第一发光二极管的上述容纳腔内的光致发光材料层，上述光致发光材料层被上述第一光线激发后发出的光适于通过上述容纳腔的上述开口向远离上述基板的方向射出。

在其中一个实施例中，上述光致发光材料层的光致发光材料为量子点材料，优选地，上述量子点材料分散于树脂中，分散有上述量子点材料的上述树脂填充于上述容纳腔内。

在其中一个实施例中，上述第二发光二极管顶部到上述基板的距离大于上述第一发光二极管顶部到上述基板的距离。

在其中一个实施例中，上述光致发光材料层还覆盖上述容纳腔的上述开口以及上述第一发光二极管的顶部，使得上述光致发光材料层相对于上述基板的高度大于上述容纳腔的高度。

在其中一个实施例中，上述光电设备还包括阻光层，上述阻光层将各上述发光二极管之间的空隙填充并覆盖于上述第一发光二极管的顶部之上，上述阻光层相对于上述基板的高度大于各上述发光二极管的高度，上述阻光层在与上述容纳腔的上述开口相对的位置具有第一光窗，上述光致发光材料层发出的光线适于通过上述第一光窗向远离上述基板的方向射出，上述阻光层在与上述第二发光二极管顶部相对的位置具有第二光窗，上述第二发光二极管发出的光线适于通过上述第二光窗向远离上述基板的方向射出，优选地，上述第一发光二极管的数量为多个。

在其中一个实施例中，上述阻光层在上述基板上的正投影覆盖上述第一发光二极管的顶面以及外侧面在上述基板上的正投影。

在其中一个实施例中，上述第一光窗在上述基板上的正投影面积小于等于上述开口在上述基板上的正投影面积。

在其中一个实施例中，上述阻光层外侧设有透明阻隔层，且上述透明阻隔层覆盖上述第一光窗以及上述第二光窗。

在其中一个实施例中，多个上述发光二极管中还包括第二发光二极管，多个上述发光二极管组成呈阵列设置的多个发光单元，每一上述发光单元包括至少两个上述第一发光二极管以及至少一个上述第二发光二极管，在每一上述发光单元中：

各上述发光二极管适于发射蓝光，其中部分上述第一发光二极管的上述容纳腔内的上述光致发光材料层适于在蓝光激发下发射红光，另一部分上述第一发光二极管的上述容纳腔内的上述光致发光材料层适于在蓝光激发下发射绿光。

根据本发明的另一个方面，提供一种光电设备的组件，包括：

基板；以及

设于上述基板表面的多个发光二极管，各上述发光二极管相互间隔地设置，上述多个发光二极管中至少包括第一发光二极管、可选地包括第二发光二极管，上述第一发光二极管为中空结构，从而在上述第一发光二极管内形成容纳腔，上述容纳腔具有开口，上述第一发光二极管发出的第一光线至少部分射向上述容纳腔内，上述第二发光二极管的顶部适于向远离上述基板的方向发出光线。

在其中一个实施例中，上述第二发光二极管的顶部到上述基板的距离大于上述第一发光二极管的顶部到上述基板的距离。

根据本发明的另一个方面，提供一种光电设备的制备方法，包括：

S1，提供本发明前述的光电设备的组件；

S2，向上述第一发光二极管的上述容纳腔内设置光致发光材料，形成光致发光材料层；

S3，在各上述发光二极管外以及上述光致发光材料层外设置阻光材料，并在与上述容纳腔的上述开口对应的位置形成不被上述阻光材料覆盖的第一光窗，在与上述第二发光二极管的顶部对应的位置形成不被上述阻光材料覆盖的第二光窗，从而制备得到阻光层。

在其中一个实施例中，上述步骤S2中，将分散于树脂胶水中的上述光致发光材料通过打印或丝网印刷的方式填充入上述容纳腔内并固化形成光致发光材料层。

在其中一个实施例中，上述步骤S3包括以下步骤：

S31，在上述光电设备的组件上整面设置阻光材料，以使得上述阻光材料覆盖于上述发光二极管外以及上述光致发光材料层上；

S32，利用光刻技术去除与各上述容纳腔的上述开口对应的上述阻光材料形成上述第一光窗，利用光刻技术去除与上述第二发光二极管的顶部对应的上述阻光材料形成上述第二光窗。

在其中一个实施例中，上述步骤S3之后，还包括以下步骤：

S4，在上述阻光层上整面设置透明阻隔材料，形成透明阻隔层。

相比现有技术，本发明的一个有益效果在于设计了中空结构的第一发光二极管：一方面，第一发光二极管的内侧壁向容纳腔内发出激发光，从而设置在容纳腔内的光致发光材料被激发产生光，另一方面，光致发光材料的出光方向受到容纳腔的限制，只能从容纳腔的开口出光，且容纳腔的体积较大因此无需像现有技术一样在发光二极管上方设置很厚的光致发光材料即可保证从开口射出光的纯度，从而有利于制备高色彩表现力的光电设备；此外，具有较大开口的容纳腔对于光致发光材料的填充工艺具有良好的兼容性，工艺的可行性高，制备器件的良率高。

本发明的以上以及其他技术特征、有益效果将在接下来的描述中进一步说明。

附图说明

图1为本发明的光电设备的第一个实施例的剖面示意图，其中实心箭头表示发光二极管发出的光线，空心箭头表示光致发光材料发出的光线；

图2为本发明的光电设备的第二个实施例的剖面示意图(第二发光二极管未示出)；

图3A为本发明的光电设备的第三个实施例的剖面示意图；

图3B为本发明的光电设备的第三个实施例的俯视图，其中透明阻隔层未示出，图中的虚线为第一发光二极管外侧轮廓的示意；

图4A为本发明的光电设备的组件的一个实施例的剖面示意图；

图4B为本发明的光电设备的组件的一个实施例的俯视图；

图5A为本发明的光电设备制备方法中，步骤S2设置光致发光材料后的一个实施例的示意图；

图5B为图5A所示的实施例的俯视图；

图6A为本发明的光电设备制备方法中，步骤S2设置光致发光材料后的另一个实施例的示意图；

图6B为图6A所示的实施例的俯视图；

图7为本发明的光电设备制备方法中，步骤S3设置阻光材料后的一个实施例的示意图；

图8为本发明的光电设备制备方法中，步骤S3在阻光材料上形成第一光窗和第二光窗的一个实施例的示意图；

图9为本发明的光电设备制备方法中，步骤S4在产品上整面设置透明阻隔材料的一个实施例的示意图；

以上各附图中，仅示出了部分发光二极管。

图中：

100、基板；

200、发光二极管；210、第一发光二极管；211、容纳腔；212、开口；220、第二发光二极管；2a、发光单元

300、光致发光材料层；

400、阻光层；401、第一光窗；401、第二光窗；

500、透明阻隔层。

具体实施方式

下面，结合具体实施方式，对本发明做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。

在本发明的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语“中心”，“横向”、“纵向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本发明的具体保护范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

本申请的说明书和权利要求书中，可选地包括某元件是指：包括该元件或者不包括该元件。

本发明提供一种光电设备，如图1所示，包括基板100、发光二极管200以及光致发光材料层300。

基板100表面上相互间隔地设置多个发光二极管200，多个发光二极管200中至少包括第一发光二极管210，可选地包括第二发光二极管220。

第一发光二极管210为中空结构，从而第一发光二极管210内形成容纳腔211，容纳腔211具有开口212，第一发光二极管210发出的第一光线至少部分射向容纳腔211内，如图1中实心箭头所示。

至少部分光致发光材料层300设于各第一发光二极管210的容纳腔211内，如图1、2或3A所示。容纳腔211内的光致发光材料层300被第一光线激发后发出的光通过容纳腔211的开口212向远离基板100的方向射出，如图1中空心箭头所示。

值得一提的是，第一发光二极管210在容纳腔211的底部不发光。基板100上具有导电结构、薄膜晶体管等，薄膜晶体管能够控制单个发光二极管200发光与否。基板100的结构属于现有技术，本发明不再详述。

在本发明的光电设备中，第一发光二极管210的第一光线用于激发光致发光材料层300发光，利用具有开口212的容纳腔211，将光致发光材料层300的出光方向限制为朝向出口212的方向。此外，由于第一发光二极管210并不是从容纳腔211的底部发光，而是从容纳腔211的侧壁发光，因此第一发光二极管210发出的大部分第一光线不会直接射向出口212，这有利于提高从出口212射出的光的纯度。

本发明通过使激发光的出光方向与光致发光材料层300的出光方向不同向，达到提高出光纯度的目的，而不是通过增加发光层厚度使激发光被全吸收，因此本发明的光致发光材料层300的厚度与现有技术的发光层相比，可以适当降低，这有利于光电设备的轻薄化。

本发明的第一发光二极管210与传统的逐层堆积的2D LED结构不同，其相当于形成了3D LED结构，第一发光二极管210的出光方向不再是传统的从一个平面发光，而是从曲面或多个平面发光，容纳腔211内的光致发光材料层300面对从四周射入的激发光，其出光效率更高。

第一发光二极管210的横截面形状可以是多边形，如三边形、四边形等，还可以是圆形、椭圆形或其他不规则形状等。

在一个具体的实施例中，各发光二极管200适于发射蓝光，也即第一光线为蓝光，光致发光材料层300适于在蓝光的激发下发射红光或绿光。值得一提的是，当光电设备中需要产生多种颜色的光时，可以在不同的第一发光二极管210的容纳腔211内设置不同的光致发光材料层300，从而产生不同颜色的光，例如一部分第一发光二极管210内的光致发光材料层300在受到激发时发射红光，另一部分第一发光二极管210内的光致发光材料层300在受到激发时发射绿光。

在一些实施例中，光致发光材料层300的光致发光材料为量子点材料。进一步地，量子点材料分散在树脂中，然后将分散有量子点材料的树脂填充在容纳腔211内。

在一些实施例中，如图1、图3A和图3B所示，本发明的多个发光二极管200中还包括第二发光二极管220，第二发光二极管220的顶部适于向远离基板100的方向发出光线，第二发光二极管220的出光方向与光致发光材料层300的出光方向基本一致。

在一些实施例中，第二发光二极管220的横截面积不超过容纳腔211的横截面积。优选地，第二发光二极管220为柱状。

值得一提的是，第二发光二极管220发射的光与光致发光材料层300发射的光的颜色不同，可以将第二发光二极管220发射的光与光致发光材料层300发射的光混合，从而得到其他颜色的光。在一些情况下，光电设备需要能够分别发射红光、绿光和蓝光，从而利用三原色混合形成各种颜色的光，蓝光可以由第二发光二极管220发出，红光和绿光则由第一发光二极管210发出的蓝光激发两种光致发光材料层300分别发出红光和绿光。

在一些实施例中，如图3A所示，光致发光材料层300还覆盖容纳腔211的开口212以及第一发光二极管210的顶部，从而光致发光材料层300相对于基板100的高度大于容纳腔211的高度，如此设置可以进一步避免第一发光二极管210发出的光从光致发光材料层300的出光方向漏出，有利于提高出光纯度。可以是向容纳腔211内填充用于制备光致发光材料层300的材料时，填充材料的体积大于容纳腔211的体积，从而部分材料从开口212溢出并覆盖第一发光二极管210的顶面，使得制得的光致发光材料层300覆盖容纳腔211的开口212以及第一发光二极管210的顶部。

在一些实施例中，第二发光二极管220顶部到基板100的距离大于第一发光二极管210顶部到基板100的距离，从而可保证光致发光材料层300的高度超过第一发光二极管210的顶部时，第二发光二极管220的出光面与光致发光材料层300出光面的高度基本一致。

第一发光二极管210除了朝向容纳腔211的内侧面出光，其顶部和/或外侧面也可以是出光面，同理，第二发光二极管220除了顶部出光，其外侧面也可以是出光面。为了避免各发光二极管200发出的光互相影响并降低第一发光二极管210的发光强度(降低第一发光二极管210的发光强度有利于降低光致发光材料层300的厚度)，光电设备还包括阻光层400，如图2、3A所示。

阻光层400将各发光二极管200之间的空隙填充并覆盖于第一发光二极管210的顶部之上，阻光层400相对于基板100的高度大于各发光二极管200的高度，从而通过阻光层400将各个发光二极管200隔离。阻光层400在与容纳腔211的开口212相对的位置具有第一光窗401，光致发光材料层300发出的光适于通过第一光窗401向远离基板100的方向射出。当发光二极管200中还包括第二发光二极管220时，阻光层400在与第二发光二极管220的顶部相对的位置具有第二光窗402，第二发光二极管220顶部发出的光线适于通过第二光窗402向远离基板100的方向射出。阻光层400使得光线无法从第一光窗401和第二光窗402以外的区域发出。阻光层400由黑色的阻光材料形成，能够阻止光线通过。

阻光层400覆盖于第一发光二极管210的顶部之上并不仅限于阻光层400直接设置在第一发光二极管210的顶部，也可以是阻光层400覆盖设置在第一发光二极管210顶部的光致发光材料层300上。

在一些实施例中，阻光层400与第一发光二极管210之间不设置其他层，如图2所示，从而阻光层400直接将第一发光二极管210的顶部覆盖，此实施例可以保证光电设备具有较薄的厚度。

在另一些实施例中，光致发光材料层300覆盖第一发光二极管210的顶部，阻光层400覆盖设置在第一发光二极管210顶部的光致发光材料层300，如图3A所示。第一发光二极管210顶部发出的光线可以激发覆盖在其上的光致发光材料层300发光，但是由于此处光致发光材料层300较薄，可能会有发光二极管部分向上发出光线未被光致发光材料层300吸收，导致光致发光材料层300边缘存在出光色纯度不高的问题，因此在这部分较薄的光致发光材料层300上覆盖阻光层400以将纯度较低的光线阻挡。此外，位于开口212之上的光致发光材料层300可以吸收第一发光二极管210倾斜射向开口212的光以及第一发光二极管210顶部倾斜射向第一光窗401的光，进一步提高了从第一光窗401射出的光的纯度。

优选地，第一发光二极管210的数量为多个，从而基板100上具有多个容纳腔211。

优选地，阻光层400在基板100上的正投影覆盖第一发光二极管210的顶面以及外侧面在基板100上的正投影。

优选地，第一光窗401在基板100处的正投影面积小于等于开口212在基板上的正投影面积，也即第一光窗401的横截面积小于等于开口212的横截面积，如图2或3A所示。利用阻光层400可以将第一发光二极管210倾斜射向开口212且未被光致发光材料层300吸收的光阻挡，从而进一步提高从第一光窗401射出的光的纯度。

优选地，第二光窗402的横截面积与第二发光二极管220的横截面积一致，从而第二发光二极管220的利用率更高。

在一些实施例中，阻光层400的外侧设有透明阻隔层500，如图2或3A所示，透明阻隔层500覆盖第一光窗401；当发光二极管200中还包括第二发光二极管220时，透明阻隔层500还覆盖与第二发光二极管220对应的第二光窗402。透明阻隔层500主要用于阻隔水氧，提高光致发光材料层300以及发光二极管200的稳定性。优选地，透明阻隔层的透光率应大于等于85％。

透明阻隔层500的材料可以是但不限于聚氨酯、聚丙烯酸树脂、环氧树脂等。

在一些实施例中，多个发光二极管200组成呈阵列设置的多个发光单元2a，每一发光单元2a包括两个第一发光二极管210以及一个第二发光二极管220，如图3B所示。在每一发光单元2a中：各发光二极管适于发射蓝光，其中一个第一发光二极管210的容纳腔211内的光致发光材料层300适于在蓝光激发下发射红光，另一个第一发光二极管210的容纳腔211内的光致发光材料层300适于在蓝光激发下发射绿光。

本发明还提供一种光电设备的组件，如图4A、4B所示，包括基板100以及设于基板100表面的多个发光二极管200，各发光二极管200相互间隔地设置，多个发光二极管200中至少包括第一发光二极管210，可选地包括第二发光二极管220。第一发光二极管210为中空结构，从而第一发光二极管210内形成容纳腔211，容纳腔211具有开口212，第一发光二极管210发出的第一光线至少部分射向容纳腔211内。第二发光二极管220的顶部适于发光。

在一些实施例中，第二发光二极管220的横截面积不超过容纳腔210的横截面积。

在一些实施例中，第二发光二极管220的顶部到基板100的距离大于第一发光二极管210的顶部到基板100的距离。

本发明还提供一种光电设备的制备方法，包括以下步骤：

S1，提供本发明前述的光电设备的组件，如图4A、4B所示；

S2，向第一发光二极管210的容纳腔211内设置光致发光材料，形成光致发光材料层300，如图5A、5B或6A、6B所示；

S3，在各发光二极管200外以及光致发光材料层300外设置阻光材料，如图7所示，并在与容纳腔211的开口212对应的位置形成不被阻光材料覆盖第一光窗401，在与第二发光二极管220的顶部对应的位置形成不被阻光材料覆盖的第二光窗402，从而制备得到阻光层，如图8所示。

值得一提是，步骤S2中，光致发光材料可以是刚好充满容纳腔211，如图5A、5B所示；光致发光材料也可以从容纳腔211内溢出，以使得容纳腔211的开口212之外以及第一发光二极管210的顶部覆盖光致发光材料层300，如图6A、6B所示。

由于第一发光二极管210的容纳腔211具有较大的开口212，因此光致发光材料的填充较为容易，对工艺的精度要求不高；即使部分光致发光材料溢出到第一发光二极管210的顶部甚至侧面，后续可以通过阻光材料将溢出的光致发光材料覆盖，只要光致发光材料不落到第二发光二极管220顶部的区域即可，因此制备得到的器件的良率高。

优选地，步骤S2中，将分散于树脂胶水中的光致发光材料通过打印或丝网印刷的方式填充入容纳腔211并固化形成光致发光材料层300。由于容纳腔211具有较大的开口212，其对于填充的胶水无特殊要求，且对打印设备或丝网印刷设备的精度无严苛的要求，对于胶水外溅等工艺不良兼容性很高，外溅的胶水均可通过后续阻光材料覆盖解决，因此大规模生产时良率高。

在一些实施例中，步骤S3包括：

S31，在光电设备的组件上整面设置阻光材料，以使得阻光材料覆盖于各发光二极管200外以及光致发光材料层300上，也即阻光材料将相邻的发光二极管200之间的间隙填充，并覆盖在各发光二极管200顶部上方，同时也将光致发光材料层300的上表面覆盖，如图7所示；

S32，利用光刻技术去除与各容纳腔211的开口212对应的阻光材料形成第一光窗401，利用光刻技术去除与第二发光二极管220的顶部对应的阻光材料形成第二光窗402，如图8所示。

在一些实施例中，步骤S3之后还包括以下步骤：

S4，在阻光层上整面设置透明阻隔材料，从而形成透明阻隔层500，如图9所示。

透明阻隔材料可以是但不限于聚氨酯、丙烯酸树脂、环氧树脂等。

本发明的方法制备得到的光电设备可用于显示器件。

上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。

Claims (16)

1.一种光电设备，其特征在于，包括：

基板；

设于所述基板表面上的多个发光二极管，各所述发光二极管相互间隔地设置，所述多个发光二极管中至少包括第一发光二极管，或者所述多个发光二极管中至少包括第一发光二极管和第二发光二极管，所述第一发光二极管为中空结构，从而在所述第一发光二极管内形成容纳腔，所述容纳腔具有开口，所述第一发光二极管发出的第一光线至少部分射向所述容纳腔内，所述第二发光二极管的顶部适于向远离所述基板的方向发出光线；以及

设于所述第一发光二极管的所述容纳腔内的光致发光材料层，所述光致发光材料层被所述第一光线激发后发出的光适于通过所述容纳腔的所述开口向远离所述基板的方向射出；

所述光电设备还包括阻光层，所述阻光层将各所述发光二极管之间的空隙填充并覆盖于所述第一发光二极管的顶部之上，所述阻光层相对于所述基板的高度大于各所述发光二极管的高度，所述阻光层在与所述容纳腔的所述开口相对的位置具有第一光窗，所述光致发光材料层发出的光线适于通过所述第一光窗向远离所述基板的方向射出，所述阻光层在与所述第二发光二极管顶部相对的位置具有第二光窗，所述第二发光二极管发出的光线适于通过所述第二光窗向远离所述基板的方向射出。

2.根据权利要求1所述的光电设备，其特征在于，所述光致发光材料层的光致发光材料为量子点材料。

3.根据权利要求2所述的光电设备，其特征在于，所述量子点材料分散于树脂中，分散有所述量子点材料的所述树脂填充于所述容纳腔内。

4.根据权利要求1所述的光电设备，其特征在于，所述光致发光材料层还覆盖所述容纳腔的所述开口以及所述第一发光二极管的顶部，从而所述光致发光材料层相对于所述基板的高度大于所述容纳腔的高度。

5.根据权利要求4所述的光电设备，其特征在于，所述第二发光二极管顶部到所述基板的距离大于所述第一发光二极管顶部到所述基板的距离。

6.根据权利要求1-5任一所述的光电设备，其特征在于，所述第一发光二极管的数量为多个。

7.根据权利要求6所述的光电设备，其特征在于，所述阻光层在所述基板上的正投影覆盖所述第一发光二极管的顶面以及外侧面在所述基板上的正投影。

8.根据权利要求6所述的光电设备，其特征在于，所述第一光窗在所述基板上的正投影面积小于等于所述开口在所述基板上的正投影面积。

9.根据权利要求6所述的光电设备，其特征在于，所述阻光层外侧设有透明阻隔层，且所述透明阻隔层覆盖所述第一光窗以及所述第二光窗。

10.根据权利要求1-5或7-9任一所述的光电设备，其特征在于，多个所述发光二极管组成呈阵列设置的多个发光单元，每一所述发光单元包括至少两个所述第一发光二极管以及至少一个所述第二发光二极管，在每一所述发光单元中：

各所述发光二极管适于发射蓝光，其中部分所述第一发光二极管的所述容纳腔内的所述光致发光材料层适于在蓝光激发下发射红光，另一部分所述第一发光二极管的所述容纳腔内的所述光致发光材料层适于在蓝光激发下发射绿光。

11.一种光电设备的组件，其特征在于，包括：

基板；

设于所述基板表面上的多个发光二极管，各所述发光二极管相互间隔地设置，所述多个发光二极管中至少包括第一发光二极管，或者所述多个发光二极管中至少包括第一发光二极管和第二发光二极管，所述第一发光二极管为中空结构，从而在所述第一发光二极管内形成容纳腔，所述容纳腔具有开口，所述第一发光二极管发出的第一光线至少部分射向所述容纳腔内，所述第二发光二极管的顶部适于向远离所述基板的方向发出光线；

所述第一发光二极管的所述容纳腔适于容纳光致发光材料；

所述光电设备的组件还包括阻光层，所述阻光层将各所述发光二极管之间的空隙填充并覆盖于所述第一发光二极管的顶部之上，所述阻光层相对于所述基板的高度大于各所述发光二极管的高度，所述阻光层在与所述容纳腔的所述开口相对的位置具有第一光窗，第一光线激发光致发光材料发出的光线适于通过所述第一光窗向远离所述基板的方向射出，所述阻光层在与所述第二发光二极管顶部相对的位置具有第二光窗，所述第二发光二极管发出的光线适于通过所述第二光窗向远离所述基板的方向射出。

12.根据权利要求11所述的光电设备的组件，其特征在于，所述第二发光二极管的顶部到所述基板的距离大于所述第一发光二极管的顶部到所述基板的距离。

13.一种光电设备的制备方法， 其特征在于，包括以下步骤：

S1，提供如权利要求11或12所述的光电设备的组件；

S2，向所述第一发光二极管的所述容纳腔内设置光致发光材料，形成光致发光材料层；

S3，在各所述发光二极管外以及所述光致发光材料层外设置阻光材料，并在与所述容纳腔的所述开口对应的位置形成不被所述阻光材料覆盖的第一光窗，在与所述第二发光二极管的顶部对应的位置形成不被所述阻光材料覆盖的第二光窗，从而制备得到阻光层。

14.根据权利要求13所述的光电设备的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，将分散于树脂胶水中的所述光致发光材料通过打印或丝网印刷的方式填充入所述容纳腔内并固化形成光致发光材料层。

15.根据权利要求13所述的光电设备的制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括以下步骤：

S31，在所述光电设备的组件上整面设置阻光材料，以使得所述阻光材料覆盖于所述发光二极管外以及所述光致发光材料层上；

S32，利用光刻技术去除与各所述容纳腔的所述开口对应的所述阻光材料形成所述第一光窗，利用光刻技术去除与所述第二发光二极管的顶部对应的所述阻光材料形成所述第二光窗。

16.根据权利要求13-15任一所述的光电设备的制备方法，其特征在于，所述步骤S3之后，还包括以下步骤：

S4，在所述阻光层上整面设置透明阻隔材料，形成透明阻隔层。

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