CN110473835B - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

一种显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110473835B
CN110473835B CN201910817767.6A CN201910817767A CN110473835B CN 110473835 B CN110473835 B CN 110473835B CN 201910817767 A CN201910817767 A CN 201910817767A CN 110473835 B CN110473835 B CN 110473835B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
hole
base plate
substrate base
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910817767.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110473835A (zh
Inventor
戴文君
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd filed Critical Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201910817767.6A priority Critical patent/CN110473835B/zh
Publication of CN110473835A publication Critical patent/CN110473835A/zh
Priority to US16/742,420 priority patent/US11127935B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN110473835B publication Critical patent/CN110473835B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/821—Patterning of a layer by embossing, e.g. stamping to form trenches in an insulating layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括显示区和非显示区，显示面板的制备方法包括：提供衬底基板；在衬底基板一侧制备第一金属层；在第一金属层一侧制备第一绝缘层；采用掩膜板对第一绝缘层进行图案化制程，第一绝缘层上形成有多个第一过孔；在第一绝缘层一侧制备钝化层；采用同一掩膜板对钝化层进行图案化制程，钝化层上形成有多个第二过孔，其中，第一过孔在衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖第二过孔在衬底基板所在平面上的垂直投影。采用上述技术方案，第一绝缘层与钝化层采用同一掩膜板进行图案化制程，降低掩膜板购置成本，降低显示面板在工艺研发阶段以及量产阶段的整体成本，可大大节省生产成本。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
现有显示产品一般多为液晶显示器或者有机发光显示器，无论液晶显示器还是有机发光显示器，均包括多个不同的膜层，在制备过程中均需要使用多个不同的掩膜板对各个膜层进行图案化制程。
但是，随着显示器功能多样化，无论是液晶显示器还是有机发光显示器，其膜层数量越来越多，因此在显示器制备过程中需要用到的掩膜板也越来越多，由于掩膜板价格较高，因此掩膜板的购置成本较高，显示器在工艺研发阶段以及量产阶段的成本也越来越高，制约着显示面板的研发设计以及量产。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，用于解决现有显示器制备成本较高的技术问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法，用于制备显示面板，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；所述制备方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板一侧制备第一金属层，所述第一金属层包括位于显示区的栅极层以及位于非显示区的栅极金属层；
在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧制备第一绝缘层；
采用掩膜板对所述第一绝缘层进行图案化制程，所述第一绝缘层上形成有多个第一过孔；
在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备钝化层；
采用所述掩膜板对所述钝化层进行图案化制程，所述钝化层上形成有多个第二过孔，其中，所述第一过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，采用第一方面所述的显示面板的制备方法制备得到，所述显示面板包括显示区和非显示区，还包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板一侧的第一金属层，所述第一金属层包括位于所述显示区的栅极层以及位于所述非显示区的栅极金属层；
位于所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有多个第一过孔；
位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的钝化层，所述钝化层上形成有多个第二过孔，其中，所述第一过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置，第一金属层上方的第一绝缘层与第一绝缘层上方的钝化层采用同一掩膜板进行图案化制程，减少一层掩膜板的购置成本，可以降低整个显示面板在工艺研发以及量产阶段的制备成本。进一步的，采用该掩膜板制备得到的第一绝缘层上形成有多个第一过孔，钝化层上形成有多个第二过孔，第一过孔在衬底基板上的垂直投影覆盖第二过孔在衬底基板上的垂直投影，通过第一过孔和第二过孔实现显示面板中各个膜层的电连接关系，保证显示面板可以工作。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图2是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图3-图10是对应图1提供的显示面板的制备方法各个步骤的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图12是本发明实施例提供的制备平坦化层的结构示意图；
图13是图2中A区域的放大结构示意图；
图14是图13提供的显示面板沿剖面线B-B’的一种剖面结构示意图；
图15是图13提供的显示面板沿剖面线B-B’的另一种剖面结构示意图；
图16是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图17是图13中第一信号传输区的一种部分电路元件图示意图；
图18是图17所示的电路元件在沿剖面线C-C’的剖面结构示意图
图19是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图20是图19提供的显示面板沿剖面线D-D’的剖面结构示意图；
图21是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图22是图13提供的显示面板沿剖面线E-E’的一种剖面结构示意图；
图23是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图24是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图25是图24中F区域的放大示意图；
图26是图25提供的显示面板沿剖面线G-G’的剖面结构示意图；
图27是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图28是图25提供的显示面板沿剖面线H-H’的剖面结构示意图；
图29是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图30是图12中沿剖面线I-I’的剖面结构示意图；
图31是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图32是本发明实施例提供的制备遮光金属层的结构示意图；
图33是图32中沿剖面线J-J’的剖面结构示意图；
图34是本发明实施例提供的在平坦化层上制备对位标记的结构示意图；
图35是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法流程图；
图36是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图，图2是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，结合图1和图2所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法用于制备图2所示的显示面板，显示面板包括显示区11和围绕显示区11的非显示区12。本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括：
S110、提供衬底基板。
图3是本发明实施例提供的一种衬底基板20的示意图，如图3所示，衬底基板20上形成有显示区11和围绕显示区11的非显示区12。衬底基板20对显示面板中的其他膜层具有支撑和保护作用，后续在衬底基板20上形成显示面板的各个膜层。示例性的，衬底基板20可为刚性基板或柔性基板；其中，刚性基板可为玻璃，柔性基板可为聚酰亚胺；或者衬底基板20还可为本领域技术人员可知的其他类型的衬底基板，本发明实施例对此不作限定。
S120、在所述衬底基板一侧制备第一金属层，所述第一金属层包括位于显示区的栅极层以及位于非显示区的栅极金属层。
图4是本发明实施例提供的制备第一金属层的结构示意图，如图4所示，第一金属层21可以包括位于显示区11的栅极层211以及位于非显示区12的栅极金属层212，其中栅极层211可以包括薄膜晶体管中的栅极以及扫描线，栅极金属层212可以形成其他金属走线，用于传导信号，第一金属层通过刻蚀等工艺可形成栅极以及扫描线或其他金属图案。
S130、在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧制备第一绝缘层。
图5是本发明实施例提供的制备第一绝缘层的结构示意图，如图5所示，第一绝缘层22覆盖第一金属层21。当薄膜晶体管为底栅结构时，第一绝缘层22可以为栅极层211与有源层(图中未示出)之间的栅绝缘层；当薄膜晶体管为顶栅结构时，第一绝缘层22可以为栅极层211与有源金属层(图中未示出)之间的层间绝缘层。本发明实施例对薄膜晶体管的类型不限定，只需保证第一绝缘层22位于第一金属层21远离衬底基板20的一侧即可。
S140、采用掩膜板对所述第一绝缘层进行图案化制程，所述第一绝缘层上形成有多个第一过孔。
图6是本发明实施例提供的通过掩膜板对第一绝缘层进行图案化制程的结构示意图，图7是第一绝缘层完成图案化制程的结构示意图，如图6和图7所示，通过掩膜板23对第一绝缘层22进行图案化制程，在第一绝缘层22上形成多个第一过孔24，通过多个第一过孔24暴露出第一金属层21，便于后续膜层与第一金属层21形成电连接关系。
S150、在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备钝化层。
图8是本发明实施例提供的制备钝化层的结构示意图，如图8所示，钝化层25覆盖第一绝缘层22。钝化层25可以为液晶显示面板中像素电极和公共电极之间的绝缘钝化层，也可以为其他起到绝缘保护的钝化层，例如有机发光二极管显示面板中的钝化层，本发明实施例对钝化层具体为哪一种显示面板中哪一层膜层不进行限定，需要保证钝化层25位于第一绝缘层22远离衬底基板20的一侧即可。
S160、采用所述掩膜板对所述钝化层进行图案化制程，所述钝化层上形成有多个第二过孔，其中，所述第一过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影。
图9是本发明实施例提供的通过掩膜板对钝化层进行图案化制程的结构示意图，图10是钝化层完成图案化制程的结构示意图，如图9和图10所示，通过掩膜板23对钝化层25进行图案化制程，在钝化层25上形成多个第二过孔26，通过多个第二过孔26暴露出位于钝化层25靠近衬底基板20一侧的膜层，便于后续膜层与位于钝化层25靠近衬底基板20一侧的膜层形成电连接关系。
进一步的，第一过孔24在衬底基板20上的垂直投影覆盖第二过孔26在衬底基板20上的垂直投影，保证通过同一掩膜板23分别在第一绝缘层22和钝化层25上形成的第一过孔24和第二过孔26对应设置。
综上，本发明实施例提供的显示面板的制备方法，通过设置第一金属层上方的第一绝缘层与第一绝缘层上方的钝化层采用同一掩膜板进行图案化制程，如此可以减少一层掩膜板的购置成本，可以降低整个显示面板在工艺研发以及量产阶段的制备成本。进一步的，采用该掩膜板制备得到的第一绝缘层上形成有多个第一过孔，钝化层上形成有多个第二过孔，第一过孔在衬底基板上的垂直投影覆盖第二过孔在衬底基板上的垂直投影，通过第一过孔和第二过孔实现显示面板中各个膜层的电连接关系，保证显示面板可以工作。
可选的，本发明实施例提供的显示面板的制备方法还可以包括在第一绝缘层与钝化层之间制备平坦化层。具体的，图11是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图，如图11所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法可以包括：
S210、提供衬底基板。
继续参考图3所示，衬底基板20对显示面板中的其他膜层具有支撑和保护作用。
S220、在所述衬底基板一侧制备第一金属层，所述第一金属层包括位于显示区的栅极层以及位于非显示区的栅极金属层。
继续参考图4所示，第一金属层21可以包括位于显示区11的栅极层211以及位于非显示区12的栅极金属层212。
S230、在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧制备第一绝缘层。
继续参考图5所示，第一绝缘层22覆盖第一金属层21。
S240、采用掩膜板对所述第一绝缘层进行图案化制程，所述第一绝缘层上形成有多个第一过孔。
继续参考图6和图7所示，第一绝缘层22上形成多个第一过孔24。
S250、在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备平坦化层。
S260、在所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧制备钝化层。
图12是本发明实施例提供的制备平坦化层的结构示意图，结合图8和图12所示，平坦化层27位于第一绝缘层22与钝化层25之间，平坦化层27覆盖第一绝缘层22。平坦化层27可以对位于其下的第一绝缘层22进行刻蚀保护，避免刻蚀气体在对钝化层25进行刻蚀时损伤第一绝缘层22；同时，平坦化层27还可以对位于其上的钝化层25进行平坦化，提升其钝化层25的平整度。
可选的，平坦化层27可以为有机膜层，例如聚酰亚胺、OC胶或者其他有机材料，也可以为其他可以进行平坦化的无机膜层，本发明对此不进行限定，但是需要注意的是，当平坦化层27为无机膜层时，需保证平坦化层27刻蚀气体不敏感，保证在对钝化层25进行气体刻蚀时不会损伤平坦化层27，保证平坦化层27可以对位于其下的第一绝缘层22进行刻蚀保护。
S270、采用所述掩膜板对所述钝化层进行图案化制程，所述钝化层上形成有多个第二过孔，其中，所述第一过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影。
继续参考图9和图10所示，通过掩膜板23对钝化层25进行图案化制程，在钝化层25上形成多个第二过孔26。
综上，本发明实施例提供的显示面板的制备方法，不仅可以减少一层掩膜板的购置成本，从而降低整个显示面板在工艺研发以及量产阶段的制备成本，而且两层共用一道掩膜板，可以提高对位的精准度，尤其是在有过孔处的制作；同时通过制备平坦化层可以对位于其下的第一绝缘层进行刻蚀保护，保证第一绝缘层和钝化层刻蚀过程互不干扰。
可选的，图2是应用本发明实施例提供的显示面的制备方法制备得到的一种显示面板的结构示意图，如图2所示，对应显示面板不同区域，第一绝缘层中形成的第一过孔以及钝化层中形成的第二过孔的位置不尽相同，下面针对不同的第一过孔和第二过孔位置详细说明显示面板的不同制备方法。
首先以信号端子设置区为例进行说明。
图13是图2中A区域的放大结构示意图，图14是图13提供的显示面板沿剖面线B-B’的一种剖面结构示意图，图15是图13提供的显示面板沿剖面线B-B’的另一种剖面结构示意图，图16是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图，图16所述的显示面板的制备方法是基于显示面板中信号端子设置区的制备方法。如图16所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法可以包括：
S310、提供衬底基板。
S320、在所述衬底基板一侧制备第一金属层，所述第一金属层包括位于显示区的栅极层以及位于非显示区的栅极金属层。
S330、在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧制备第一绝缘层。
S340、采用掩膜板对位于所述信号端子设置区的所述第一绝缘层进行图案化制程，在所述信号端子设置区对应的所述第一绝缘层上形成第一甲过孔。
示例性的，如图14和图15所示，信号端子设置区121可以理解为设置信号端子的区域，信号端子可以为驱动IC中的信号端子，也可以为柔性电路板中的信号端子，本发明实施例对此不进行限定。
继续参考图14和图15所示，采用掩膜板在信号端子设置区121对应的第一绝缘层22进行图案化制程，在信号端子设置区121对应的第一绝缘层上22形成第一甲过孔241。
S350、在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备第二金属层，所述第二金属层包括位于所述非显示区的源漏金属层；所述源漏金属层通过所述第一甲过孔与所述栅极金属层电连接。
示例性的，第二金属层28可以包括位于显示区11的源漏层(图中未示出)以及位于非显示区12的源漏金属层282，其中源漏层可以包括薄膜晶体管中的源极、漏极以及数据线，源漏金属层282可以形成其他金属走线，用于传导信号。对于信号端子设置区121的源漏金属层278可以用于传递端子信号。
如图14所示，源漏金属层282通过第一甲过孔241与栅极金属层212电连接。
S360、在所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧制备钝化层。
S370、采用所述掩膜板对位于所述信号端子设置区的所述钝化层进行图案化制程，在所述信号端子设置区对应的所述钝化层上形成第二甲过孔。
继续参考图14和图15所示，采用掩膜板在信号端子设置区121对应的钝化层25进行图案化制程，在信号端子设置区121对应的钝化层25形成第二甲过孔261，其中，第一甲过孔241在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二甲过孔261在衬底基板20所在平面上的垂直投影。
S380、在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧制备第二透明电极层；所述第二透明电极层通过所述第二甲过孔与所述源漏金属层电连接。
继续参考图13、图14和图15所示，在钝化层25远离衬底基板20的一侧制备第二透明电极层29；第二透明电极层29通过第二甲过孔261与源漏金属层282电连接。
示例性的，第二透明电极层29可为液晶显示面板中的像素电极或者公共电极，本发明实施例对此不进行限定。当第二透镜电极层29为像素电极时，在钝化层朝向衬底基板20的一侧设置有第一透明电极30，第一透明电极30作为液晶显示面板的公共电极；当第二透镜电极层29为公共电极时，在钝化层朝向衬底基板20的一侧设置有第一透明电极30，第一透明电极30作为液晶显示面板的像素电极；像素电极和公共电极共同组成横向电场模式液晶显示面板。
进一步的，由于信号端子一般包括金属层，同时为了避免金属层被水氧腐蚀，在金属层远离衬底基板的一侧还需要设置保护层，本发明实施例中将第二透明电极层29复用为保护层。如此第二透明电极层29需要通过钝化层25中的第二甲过孔261与源漏电极层282连接，对复用为信号端子的源漏电极层282进行水氧保护。由于第一绝缘层22与钝化层25采用同一掩膜板进行图案化制程，因此对应第二甲过孔261工艺，在第一绝缘层22中会形成第一甲过孔241，源漏电极层282会通过第一甲过孔241落入通过第一甲过孔241暴露出的膜层上，例如可以为栅极金属层212，如图14所示；也可以为衬底基板20，如图15所示。
还需要说明的是，图14和图15仅以信号端子复用源漏电极层282为例进行说明，可以理解的是，信号端子还可以复用栅极金属层(图中未示出)或者单独设置金属膜层作为信号端子。当信号端子复用栅极金属层时，复用为保护层的第二透明电极分别通过第二甲过孔和第一甲过孔与栅极金属层连接。本发明实施例对信号端子单独设置金属膜层还是复用现有金属膜层不进行限定，图14和图15仅以信号端子复用源漏电极层为例进行示例性说明。
接下来以第一信号传输区为例进行说明。
图17是图13中第一信号传输区的一种部分电路元件示意图，图18是图17所示的电路元件在沿剖面线C-C’的剖面结构示意图，图19是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图20是图19提供的显示面板沿剖面线D-D’的剖面结构示意图，图21是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图，图21所述的显示面板的制备方法是基于第一信号传输区的制备方法。如图21所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法可以包括：
S410、提供衬底基板。
S420、在所述衬底基板一侧制备第一金属层，所述第一金属层包括位于显示区的栅极层以及位于非显示区的栅极金属层。
S430、在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧制备第一绝缘层。
S440、采用掩膜板对位于所述第一信号传输区的所述第一绝缘层进行图案化制程，在所述第一信号传输区对应的所述第一绝缘层上形成第一乙过孔。
S450、在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备第二金属层，所述第二金属层包括位于所述显示区的源漏层以及位于所述非显示区的源漏金属层；所述源漏层通过所述第一乙过孔与所述栅极层电连接，和/或，所述源漏金属层通过所述第一乙过孔与所述栅极金属层电连接。
示例性的，如图13和图19所示，第一信号传输区122可以位于显示区11，也可以位于非显示区12，本发明实施例对此不进行限定。第一信号传输区122可以理解为第一金属层21与第二金属层28通过第一乙过孔242进行连接传输信号的区域，设置第一金属层21与第二金属层28通过第一乙过孔242连接，保证信号可以正常传输。
具体的，如图13、图17和图18所示，当第一信号传输区122位于非显示区12时，第一信号传输区12可以位于ASG(非晶硅集成栅驱动)电路中，或者位于VSR(垂直移位寄存器)电路中。图17以一种可行的部分ASG电路为例进行说明，如图17所示，T2薄膜晶体管的栅极与T3薄膜晶体管的源极(漏极)电连接，因此在实际的显示面板中，对应T2薄膜晶体管和T3薄膜晶体管电连接的区域，需要形成过孔，实现T2薄膜晶体管的栅极与T3薄膜晶体管的源极(漏极)电连接关系，如图18所示，位于第一信号传输区122中的源漏金属层282与位于第一信号传输区122中的栅极金属层212通过第一乙过孔242电连接，如此保证显示面板正常工作。
具体的，如图19和图20所示，当第一信号传输区122位于显示区11时，显示面板可以为VGIP(垂直栅结构)显示面板，如图19所示，扫描线30包括第一扫描分部301和第二扫描分部302，第一扫描分部301水平设置，第二扫描分部302竖直设置，且第二扫描分部302与驱动IC31电连接，将驱动IC31提供的扫描信号传输至第一扫描分部301，实现与第一扫描分部301连接的整行像素单元(图中未示出)打开，这种如图19所示的VGIP设计，可以将沿着行方向延伸的扫描线传输改变成沿着列方向延伸的扫描线传输，此时，与数据线的延伸方向相同，可以在数据线延伸方向上设置驱动IC，避免在扫描线延伸方向上设置与扫描线电连接的驱动IC，如此可以减少扫描线延伸方向上的边框设计，有利于实现显示面板的窄边框设计。如图19所示，第二扫描分部302与数据线32平行设置，在显示面板实际设计中，可以设计第二扫描分部302与数据线32同层设置，有利于实现显示面板的薄型化设计。如此为了实现第一扫描分部301与第二扫描分部302的电连接，需要在第一金属层21和第二金属层28交叠的区域设置过孔，如图20所示，位于第一信号传输区122中的源漏层281与位于第一信号传输区122中的栅极层211通过第一乙过孔242电连接，保证扫描信号正常传输，显示面板正常显示。
S460、在所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧制备钝化层。
S470、采用所述掩膜板对位于所述第一信号传输区的所述钝化层进行图案化制程，在所述第一信号传输区对应的所述钝化层上形成第二乙过孔。
如图18和图20所示，由于第一绝缘层22与钝化层25采用同一掩膜板进行图案化制程，因此对应第一乙过孔242工艺，在钝化层25中会形成第二乙过孔262，且第一乙过孔242在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二乙过孔262在衬底基板20所在平面上的垂直投影。
进一步的，由于实现第一金属层21与第二金属层28的电连接只需用到第一乙过孔242，因此，对应第二乙过孔262区域，平坦化层27无需图案化，平坦化层27上的的第二乙过孔262不会对显示面板中不同膜层之间的电连接关系以及显示面板的信赖性造成影响。
接下来以第二信号传输区为例进行说明。
首先以公共电极位于像素电极远离衬底基板的一侧为例进行说明。
图22是图13提供的显示面板沿剖面线E-E’的一种剖面结构示意图，图23是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图，图23所述的显示面板的制备方法是基于显示面板中第二信号传输区的制备方法。如图23所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法可以包括：
S510、提供衬底基板。
S520、在所述衬底基板一侧制备第一金属层，所述第一金属层包括位于显示区的栅极层以及位于非显示区的栅极金属层。
S530、在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧制备第一绝缘层。
S540、采用掩膜板对位于所述第二信号传输区的所述第一绝缘层进行图案化制程，在所述第二信号传输区对应的所述第一绝缘层上形成第一丙过孔。
S550、在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备钝化层。
S560、采用所述掩膜板对位于所述第二信号传输区的所述钝化层进行图案化制程，在所述第二信号传输区对应的所述钝化层上形成第二丙过孔。
其中，第一丙过孔243在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二丙过孔263在衬底基板20所在平面上的垂直投影。
S570、在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧制备第二透明电极层；所述第二透明电极层通过所述第二丙过孔和所述第一丙过孔与所述栅极金属层电连接。
示例性的，图2、图13和图22以第二透明电极29为公共电极为例进行说明，如图13和图22所示，第二信号传输区123可以理解为向第二透明电极29(即公共电极)传导公共信号的区域，图13和图22以通过栅极金属层212向第二透明电极29传导公共信号为例进行说明。具体的，位于非显示区12的栅极金属层212可以与驱动IC(图中未示出)中输出公共信号的端子电连接，然后将公共信号通过第一丙过孔243和第二丙过孔263传导至第二透明电极29，保证第二透明电极29可以正常接收公共信号，保证显示面板可以正常进行显示。
接下来以公共电极位于像素电极靠近衬底基板的一侧为例进行说明，这里需要介绍到第二信号传输区和第三信号传输区。
图24是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图25是图24中F区域的放大示意图，图26是图25提供的显示面板沿剖面线G-G’的剖面结构示意图，图27是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图，图27所述的显示面板的制备方法是基于显示面板中第二信号传输区和第三信号传输区的制备方法。如图27所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法可以包括：
S610、提供衬底基板。
S620、在所述衬底基板一侧制备第一金属层，所述第一金属层包括位于显示区的栅极层以及位于非显示区的栅极金属层。
S630、在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧制备第一绝缘层。
S640、采用掩膜板对分别位于所述第二信号传输区和所述第三信号传输区的所述第一绝缘层进行图案化制程，在所述第二信号传输区对应的所述第一绝缘层上形成第一丙过孔，在所述三信号传输区对应的所述第一绝缘层上形成第一丁过孔。
S650、在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备平坦化层。
S660、在所述平坦化层与所述钝化层之间制备第一透明电极层。
S670、在所述第一透明电极远离所述衬底基板的一侧制备钝化层。
S680、采用所述掩膜板分别对位于所述第二信号传输区和所述第三信号传输区的所述钝化层进行图案化制程，在所述第二信号传输区对应的所述钝化层上形成第二丙过孔，在所述第三信号传输区对应的所述钝化层上形成第二丁过孔。
其中，第一丙过孔243在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二丙过孔263在衬底基板所在平面上的垂直投影，第一丁过孔244在衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖第二丁过孔264在衬底基板20所在平面上的垂直投影。
S690、在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧制备第二透明电极层，所述第二透明电极层通过所述第二丙过孔和所述第一丙过孔与所述栅极金属层电连接；所所述第二透明电极层通过所述第二丁过孔与所述第一透明电极层电连接。
示例性的，图24、图25和图26以第二透明电极29为像素电极，第一透明电极30为公共电极为例进行说明，如图24、图25和图26所示，第二信号传输区123可以理解为向第二透明电极29(即像素电极)传导公共信号的区域，第三信号传输区124可以理解为第二透明电极29(即像素电极)向第一透明电极(即公共电极)传导公共信号的区域，图24、图25和图26以通过栅极金属层212向第二透明电极29传导公共信号为例进行说明。具体的，位于非显示区12的栅极金属层212可以与驱动IC(图中未示出)中输出公共信号的端子电连接，然后将公共信号通过第一丙过孔243和第二丙过孔263传导至第二透明电极29，之后第二透明电极29通过第二丁过孔264将公共信号传导至第一透明电极30，保证第一透明电极30可以正常接收公共信号，保证显示面板可以正常进行显示。
如图26所示，由于第一绝缘层22与钝化层25采用同一掩膜板进行图案化制程，因此对应第二丁过孔264工艺，在第一绝缘层22中会形成第一丁过孔244，且第一丁过孔244在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二丁过孔264在衬底基板20所在平面上的垂直投影。
接下来以第四信号传输区为例进行说明。
图28是图25提供的显示面板沿剖面线H-H’的剖面结构示意图，图29是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图，图29所述的显示面板的制备方法是基于显示面板中第四信号传输区的制备方法。如图29所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法可以包括：
S710、提供衬底基板。
S720、在所述衬底基板一侧制备第一金属层，所述第一金属层包括位于显示区的栅极层以及位于非显示区的栅极金属层。
S730、在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧制备第一绝缘层。
S740、采用掩膜板对位于所述第四信号传输区的所述第一绝缘层进行图案化制程，在所述第四信号传输区对应的所述第一绝缘层上形成第一戊过孔。
S750、在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备第二金属层，所述第二金属层包括位于所述显示区的源漏层。
S760、在所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧制备钝化层。
S770、采用所述掩膜板对位于所述第四信号传输区的所述钝化层进行图案化制程，在所述第四信号传输区对应的所述钝化层上形成第二戊过孔。
其中，第一戊过孔245在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二戊过孔265在衬底基板10所在平面上的垂直投影。
S780、在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧制备第二透明电极层，所述第二透明电极层通过所述第二戊过孔与所述源漏层电连接。
示例性的，如图25和图28所示，第四信号传输区125可以理解为薄膜晶体管与像素电极电连接，传输显示信号的区域，如图28所示，第二透明电极29(即像素电极)通过第二戊过孔265与源漏层281电连接，接收显示信号，保证显示面板可以正常进行显示。
如图28所示，由于第一绝缘层22与钝化层25采用同一掩膜板进行图案化制程，因此对应第二戊过孔265工艺，在第一绝缘层22中会形成第一戊过孔245，且第一戊过孔245在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二戊过孔265在衬底基板20所在平面上的垂直投影。
进一步的，本发明实施例提供的显示面板的制备方法可以制备得到横向电场模式的液晶显示面板，如图28所示，为了保证靠近液晶一侧的透明电极可以正常驱动液晶偏转，可以设靠近液晶一侧的透明电极，即第二透明电极29中形成多个独立设置的子透明电极，如图中虚线所示，保证第二透明电极29产生的电场信号可以穿过液晶，驱动液晶进行偏转，保证显示面板可以正常显示。
需要说明的是，本发明实施例对液晶显示面板的具体形式不进行限定，如中仅以FFS形式为例进行说明。
综上，通过对上述显示面板不同区域的制备方法进行说明可以充分认识到本发明实施例提供的显示面板的制备方法中，设置第一绝缘层与钝化层使用同一掩膜板进行图案化制程的可行性，通过设置第一绝缘层与钝化层使用同一掩膜板进行图案化制程，不仅不会影响显示面板正常工作，保证实现不同膜层之间正常的电连接关系，更重要的在于如此可以减少一层掩膜板的购置成本，可以降低整个显示面板在工艺研发以及量产阶段的制备成本，具有良好的实用性。
可以理解的，由于第一绝缘层中形成有第一过孔，在第一绝缘层上方制备其他膜层时，由于第一过孔的存在会影响其他膜层的对位准确性，接下来说明如何消除因第一过孔影响其他膜层对位精度的问题。
首先说明一种可行的实施方式。
可选的，本发明实施例提供的显示面板的制备方法中，在第一绝缘层远离衬底基板的一侧制备平坦化层的步骤可以包括：在第一绝缘层远离衬底基板的一侧制备平坦化层，平坦化层填充第一过孔。
示例性的，图30是图12中沿剖面线I-I’的剖面结构示意图，如图30所示，衬底基板20上形成有对位标记33，可选的，对位标记33和第一金属层21同层同材料制作，且第一绝缘层22和平坦化层27均为透明膜层，因此位于平坦化层27上方的膜层直接根据衬底基板20上的对位标记33进行对位。进一步的，平坦化层27填充第一过孔24，如此可以减小光线在第一过孔24位置处光路改变的程度，降低第一绝缘层22中的第一过孔24对后续膜层对位的影响，提高后续膜层对位精度。具体的，第一绝缘层22和可以通过调整对位设备(例如CCD)，减小显示面板中下方膜层对上方膜层对位精度的影响，提高显示面板制备良率。
接下来说明另一种可行的实施方式。
图31是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图，如图31所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法可以包括：
S810、提供衬底基板。
S820、在所述衬底基板一侧制备第一金属层，所述第一金属层包括位于显示区的栅极层以及位于非显示区的栅极金属层。
S830、在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧制备第一绝缘层。
S840、采用掩膜板对所述第一绝缘层进行图案化制程，所述第一绝缘层上形成有多个第一过孔。
S850、在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备遮光金属层，所述遮光金属层填充所述第一过孔。
图32是本发明实施例提供的制备遮光金属层的结构示意图，图33是图32中沿剖面线J-J’的剖面结构示意图，如图32和图33所示，通过遮光金属层34完全覆盖第一绝缘层22并填充第一绝缘层22中的第一过孔24，由于遮光金属层34具备良好的光线反射能力，因此入射至遮光金属层34上的光线绝大部分被发射至远离衬底基板20的一侧，很少有光线会在第一过孔24的位置改变光路，因此，因第一过孔24的存在影响其上方膜层对位精度的问题可以忽略不计，如此可以保证其上方膜层对位精度高。
可选的，遮光金属层34可以复用第二金属层28，保证显示面板膜层简单，制备工艺简单。
S860、在所述遮光金属层远离所述衬底基板的一侧制备所述平坦化层。
S870、在所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧表面制备对位标记。
图34是本发明实施例提供的在平坦化层上制备对位标记的结构示意图，如图34所示，由于遮光金属层34的不透光属性，因此衬底基板20上的对位标记33会被遮光金属层34覆盖，为了不影响其上方膜层实现正常对位，本发明实施例中在平坦化层27上重新形成对位标记33，新形成的对位标记33即在平坦化层上形成过孔结构，位于平坦化层27上方的膜层可以通过平坦化层27上的对位标记33进行精准对位，保证显示面板各个膜层对位精度高，避免出现有些膜层在有过孔的位置出现爬坡断线的风险，提升显示面板制备良率，需要说明的是，这里的对位标记的作用之一也是保证钝化层和平坦化层二者过孔的对位精准，如果钝化层25和平坦化层27对位不准确，容易在过孔处刻蚀钝化层25出现误差，导致在做钝化层25远离衬底基板20一侧的电极层时出现爬坡的现象，造成断线的风险。
S880、在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备钝化层。
S890、采用所述掩膜板对所述钝化层进行图案化制程，所述钝化层上形成有多个第二过孔。
综上，上述实施例以两种可行的实施方法说明了如何减小或者消除第一过孔的存在对其他膜层对位精度的影响，保证显示面板各个膜层对位精度高，显示面板制备良率高。
图35是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法流程图，如图35所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括：
S910、提供衬底基板。
S920、在所述衬底基板一侧制备第一金属层，所述第一金属层包括位于显示区的栅极层以及位于非显示区的栅极金属层。
S930、在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧制备第一绝缘层。
S940、在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧涂布正性光刻胶。
S950、采用掩膜板对所述正性光刻胶进行曝光处理，控制所述正性光刻胶的曝光量为第一曝光量，得到第一光刻图案。
S960、通过所述第一光刻图案刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成多个第一过孔。
S970、在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备钝化层。
S980、在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧涂布正性光刻胶。
S990、采用所述掩膜板对所述正性光刻胶进行曝光处理，控制所述正性光刻胶的曝光量为第二曝光量，得到第二光刻图案。
S1000、通过所述第二光刻图案刻蚀所述钝化层，在所述钝化层上形成多个第二过孔。
示例性的，由于第一过孔位于第二过孔靠近衬底基板的一侧，为了避免其他膜层在第一过孔和第二过孔的位置爬坡断线，本发明实施例中设置第一过孔在衬底基板上的垂直投影不仅覆盖第二过孔在衬底基板上的垂直投影，同时设置第一过孔在衬底基板所在平面上的垂直投影面积大于第二过孔在衬底基板所在平面上的垂直投影面积，保证其他膜层在第一过孔和第二过孔对应的区域平缓爬坡，保证其他膜层在第一过孔和第二过孔对应的区域不会发生断线，保证显示面板可以正常工作正常显示，不会因为第一过孔和第二过孔的存在影响正常显示。
进一步的，由于在制备第一过孔和第二过孔中使用的均为正性光刻胶，因此为了保证第一过孔在衬底基板所在平面上的垂直投影面积大于第二过孔在衬底基板所在平面上的垂直投影面积，可以设置在制备第一过孔时的第一曝光量大于制备第二过孔时的第二曝光量，保证第一过孔在衬底基板所在平面上的垂直投影面积大于第二过孔在衬底基板所在平面上的垂直投影面积，保证其他膜层在第一过孔和第二过孔对应的区域不会发生断线。
需要说明的是，本发明实施例仅以正性光刻胶为例继续说明，当光刻胶为正性光刻胶时，第一曝光量大于第二曝光量；可以理解的是，当制备第一过孔和第二过孔时使用的是负性光刻胶时，可以控制第一曝光量小于第二曝光量，同样可以保证第一过孔在衬底基板所在平面上的垂直投影面积大于第二过孔在衬底基板所在平面上的垂直投影面积，保证其他膜层在第一过孔和第二过孔对应的区域不会发生断线。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，采用本发明实施例提供的显示面板的制备方法制备得到，如图2、图13-图15，图18、图20、图22、图24-图26和图28所示，本发明实施例提供的显示面板包括显示区11和非显示区12，还包括：衬底基板20；位于衬底基板20一侧的第一金属层21，第一金属层21包括位于显示区11的栅极层211以及位于非显示区12的栅极金属层212；位于第一金属层21远离衬底基板20一侧的第一绝缘层22，第一绝缘层22上形成有多个第一过孔24；位于第一绝缘层22远离衬底基板20一侧的钝化层25，钝化层25上形成有多个第二过孔26，其中，第一过孔24在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二过孔26在衬底基板20所在平面上的垂直投影。
综上，本发明实施例提供的显示面板，第一绝缘层与钝化层采用同一掩膜板进行图案化制程，在第一绝缘层上形成第一过孔，在钝化层上形成第二过孔，如此可以减少一层掩膜板的购置成本，可以降低整个显示面板在工艺研发以及量产阶段的制备成本。进一步的，第一过孔在衬底基板上的垂直投影覆盖第二过孔在衬底基板上的垂直投影，通过第一过孔和第二过孔实现显示面板中各个膜层的电连接关系，保证显示面板可以工作。
可选的，如图8-图10、图12、图14、图15、图18、图20、图22、图26、图28、图30和图34所示，显示面板还包括位于第一绝缘层22与钝化层之25间的平坦化层27。平坦化层27覆盖第一绝缘层22。平坦化层27可以对位于其下的第一绝缘层22进行刻蚀保护，避免刻蚀气体在对钝化层25进行刻蚀时损伤第一绝缘层22；同时，平坦化层27还可以对位于其上的钝化层25进行平坦化，提升其钝化层25的平整度。
可选的，如图13-图15所示，非显示区12包括信号端子设置区121；第一过孔24包括位于信号端子设置区121的第一甲过孔241；第二过孔26包括位于信号端子设置区121的第二甲过孔261；其中，第一甲过孔241在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二甲过孔261在衬底基板20所在平面上的垂直投影；显示面板还包括位于第一绝缘层22远离衬底基板20一侧的第二金属层28以及位于钝化层25远离衬底基板20一侧的第二透明电极层30，第二金属层28包括位于非显示区12的源漏金属层282；源漏金属层282通过第一甲过孔241与栅极金属层282电连接；第二透明电极层30通过第二甲过孔261与源漏金属层282电连接。
示例性的，信号端子设置区121可以理解为设置信号端子的区域，信号端子可以为驱动IC中的信号端子，也可以为柔性电路板中的信号端子，本发明实施例对此不进行限定。通过设置第一绝缘层22与钝化层25采用同一掩膜板进行图案化制程，在第一绝缘层22中会形成第一甲过孔241，在钝化层25中形成第二甲过孔261，第二透明电极层29通过钝化层25中的第二甲过孔261与源漏电极层282连接，对复用为信号端子的源漏电极层282进行水氧保护。
可选的，如图17-图20所示，显示区11和/或非显示区12包括第一信号传输区122；第一过孔24包括位于第一信号传输区122的第一乙过孔242；第二过孔26包括位于第一信号传输区122的第二乙过孔262；其中，第一乙过孔242在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二乙过孔262在衬底基板20所在平面上的垂直投影；显示面板还包括位于第一绝缘层22远离衬底基板20一侧的第二金属层28，第二金属层28包括位于显示区11的源漏层281以及位于非显示区1211的源漏金属层282；源漏层281通过第一乙过孔242与栅极层211电连接，和/或，源漏金属层282通过第一乙过孔242与栅极金属层212电连接。
示例性的，第一信号传输区122可以位于显示区11，也可以位于非显示区12，本发明实施例对此不进行限定。第一信号传输区122可以理解为第一金属层21与第二金属层28通过第一乙过孔242进行连接的区域，设置第一金属层21与第二金属层28通过第一乙过孔242连接，保证信号可以正常传输。通过设置第一绝缘层22与钝化层25采用同一掩膜板进行图案化制程，在第一绝缘层22中会形成第一乙过孔242，在钝化层25中形成第二乙过孔262，第一金属层21与第二金属层28通过第一乙过孔242进行连接，保证信号可以正常传输，显示面板正常显示。
可选的，如图22所示，非显示区12包括第二信号传输区123；第一过孔24包括位于第二信号传输区123的第一丙过孔243；第二过孔26包括位于第二信号传输区123的第二丙过孔263；其中，第一丙过孔243在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二丙过孔263在衬底基板20所在平面上的垂直投影；显示面板还包括位于钝化层25远离衬底基板20一侧的第二透明电极层29；第二透明电极层29通过第二丙过孔263和第一丙过孔243与栅极金属层212电连接。
示例性的，图22以第二透明电极29为公共电极为例进行说明，如图22所示，第二信号传输区123可以理解为向第二透明电极29(即公共电极)传导公共信号的区域，图22以通过栅极金属层212向第二透明电极29传导公共信号为例进行说明。具体的，位于非显示区12的栅极金属层212可以与驱动IC(图中未示出)中输出公共信号的端子电连接，然后将公共信号通过第一丙过孔243和第二丙过孔263传导至第二透明电极29，保证第二透明电极29可以正常接收公共信号，保证显示面板可以正常进行显示。
可选的，如图24-图26所示，非显示区12包括第二信号传输区123和第三信号传输区124；第一过孔24包括位于第二信号传输区123的第一丙过孔243和位于第三信号传输区124的第一丁过孔244；第二过孔26包括位于第二信号传输区123的第二丙过孔263和位于第三信号传输区124的第二丁过孔264；其中，第一丙过孔243在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二丙过孔263在衬底基板20所在平面上的垂直投影，第一丁过孔244在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二丁过孔264在衬底基板20所在平面上的垂直投影；
显示面板还包括位于平坦化层27与钝化层25之间的第一透明电极层30以及位于钝化层25远离衬底基板20一侧的第二透明电极层29，第二透明电极层29通过第二丙过孔263和第一丙过孔243与栅极金属层212电连接；第二透明电极层29通过第二丁过孔264与第一透明电极层30电连接。
示例性的，图24、图25和图26以第二透明电极29为像素电极，第一透明电极30为公共电极为例进行说明，如图24、图25和图26所示，第二信号传输区123可以理解为向第二透明电极29(即像素电极)传导公共信号的区域，第三信号传输区124可以理解为第二透明电极29(即像素电极)向第一透明电极(即公共电极)传导公共信号的区域，图24、图25和图26以通过栅极金属层212向第二透明电极29传导公共信号为例进行说明。具体的，位于非显示区12的栅极金属层212可以与驱动IC(图中未示出)中输出公共信号的端子电连接，然后将公共信号通过第一丙过孔243和第二丙过孔263传导至第二透明电极29，之后第二透明电极29通过第二丁过孔264将公共信号传导至第一透明电极30，保证第一透明电极30可以正常接收公共信号，保证显示面板可以正常进行显示。
可选的，如图28所示，显示区11包括第四信号传输区125；第一过孔24包括位于第四信号传输区125的第一戊过孔245；第二过孔26包括位于第四信号传输区125的第二戊过孔265；其中，第一戊过孔245在衬底基板20所在平面上的垂直投影覆盖第二戊过孔265在衬底基板20所在平面上的垂直投影；显示面板还包括位于第一金属层21远离衬底基板20一侧的第二金属层28以及位于钝化层25远离衬底基板20一侧的第二透明电极层29，第二金属层28包括位于显示区11的源漏层281；第二透明电极层29通过第二戊过孔265与源漏层281电连接。
示例性的，如图28所示，第四信号传输区125可以理解为薄膜晶体管与像素电极电连接，传输显示信号的区域，如图28所示，第二透明电极29(即像素电极)通过第二戊过孔265与源漏层281电连接，接收显示信号，保证显示面板可以正常进行显示。
可选的，平坦化层27填充第一过孔24；或者，显示面板还包括位于第一金属层21与平坦化层27之间的第二金属层28，第二金属层28填充第一过孔24，平坦化层27远离衬底基板20的一侧表面形成有对位标记33。
示例性的，如图30平坦化层27填充第一过孔24，如此可以减小光线在第一过孔24位置处光路改变的程度，降低第一绝缘层22中的第一过孔24对后续膜层对位的影响，提高后续膜层对位精度。具体的，第一绝缘层22和可以通过调整对位设备(例如CCD)，减小显示面板中下方膜层对上方膜层对位精度的影响，提高显示面板制备良率。
或者，如图33和图34所示，通过遮光金属层34完全覆盖第一绝缘层22并填充第一绝缘层22中的第一过孔24，由于遮光金属层34具备良好的光线反射能力，因此入射至遮光金属层34上的光线绝大部分被发射至远离衬底基板20的一侧，很小有光线会在第一过孔24的位置改变光路，因此，因第一过孔24的存在影响其上方膜层对位精度的问题可以忽略不计，如此可以保证其上方膜层对位精度高。由于遮光金属层34的不透光属性，因此衬底基板20上的对位标记33会被遮光金属层34覆盖，为了不影响其上方膜层实现正常对位，本发明实施例中在平坦化层27上重新形成对位标记33，位于平坦化层27上方的膜层可以通过平坦化层27上的对位标记33进行精准对位，保证显示面板各个膜层对位精度高，避免出现有些膜层在有过孔的位置出现爬坡断线的风险，提升显示面板制备良率。
可选的，如图14、图15、图18、图20、图22、图26和图28所示，第一过孔24在衬底基板20所在平面内的垂直投影面积大于第二过孔26在衬底基板20所在平面内的垂直投影面积，保证其他膜层在第一过孔24和第二过孔26对应的区域平缓爬坡，保证其他膜层在第一过孔24和第二过孔26对应的区域不会发生断线，保证显示面板可以正常工作正常显示，不会因为第一过孔24和第二过孔26的存在影响正常显示。
可选的，本发明实施例提供的显示面板可以包括液晶显示面板或者有机发光二极管显示面板，本发明实施例对此不进行限定。本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图36所示，
在上述实施例的基础上，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示面板，因此该显示装置也具有上述实施方式提供的显示面板所具有的有益效果，相同之处在下文中不再赘述，可参照上文理解。
图36是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参照图36，该显示装置100包括上述实施方式提供的显示面板101。
示例性的，显示装置100可为手机、电脑、智能可穿戴设备(例如，智能手表)以及车载显示设备等电子设备，本发明实施例对此不作限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，本发明的各个实施方式的特征可以部分地或者全部地彼此耦合或组合，并且可以以各种方式彼此协作并在技术上被驱动。对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (19)

1.一种显示面板的制备方法，用于制备显示面板，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，其特征在于，所述制备方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板一侧制备第一金属层，所述第一金属层包括位于显示区的栅极层以及位于非显示区的栅极金属层；
在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧制备第一绝缘层；
采用掩膜板对所述第一绝缘层进行图案化制程，所述第一绝缘层上形成有多个第一过孔；
在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备第二金属层，所述第二金属层包括位于所述非显示区的源漏金属层；所述源漏金属层通过所述第一过孔与所述栅极金属层电连接；
在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备平坦化层；所述平坦化层在所述衬底基板所在平面上的垂直投影与所述第二金属层在所述衬底基板所在平面上的垂直投影部分交叠，所述平坦化层为有机材料或对刻蚀气体不敏感的无机材料；
在所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧制备钝化层；
采用所述掩膜板对所述钝化层进行图案化制程，所述钝化层上形成有多个第二过孔，其中，所述第一过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述非显示区包括信号端子设置区；
采用掩膜板对所述第一绝缘层进行图案化制程，所述第一绝缘层上形成有多个第一过孔，包括：
采用掩膜板对位于所述信号端子设置区的所述第一绝缘层进行图案化制程，在所述信号端子设置区对应的所述第一绝缘层上形成第一甲过孔；
采用所述掩膜板对所述钝化层进行图案化制程，所述钝化层上形成有多个第二过孔，包括：
采用所述掩膜板对位于所述信号端子设置区的所述钝化层进行图案化制程，在所述信号端子设置区对应的所述钝化层上形成第二甲过孔；其中，所述第一甲过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二甲过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影；
所述源漏金属层通过所述第一过孔与所述栅极金属层电连接，包括：
所述源漏金属层通过所述第一甲过孔与所述栅极金属层电连接；
所述制备方法还包括：
在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧制备第二透明电极层；所述第二透明电极层通过所述第二甲过孔与所述源漏金属层电连接。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述显示区和/或所述非显示区包括第一信号传输区；
采用掩膜板对所述第一绝缘层进行图案化制程，所述第一绝缘层上形成有多个第一过孔，包括：
采用掩膜板对位于所述第一信号传输区的所述第一绝缘层进行图案化制程，在所述第一信号传输区对应的所述第一绝缘层上形成第一乙过孔；
采用所述掩膜板对所述钝化层进行图案化制程，所述钝化层上形成有多个第二过孔，包括：
采用所述掩膜板对位于所述第一信号传输区的所述钝化层进行图案化制程，在所述第一信号传输区对应的所述钝化层上形成第二乙过孔；其中，所述第一乙过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二乙过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影；
所述源漏金属层通过所述第一过孔与所述栅极金属层电连接，包括：
所述源漏金属层通过所述第一乙过孔与所述栅极金属层电连接；
所述第二金属层还包括位于所述显示区的源漏层，所述源漏层通过所述第一乙过孔与所述栅极层电连接。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述非显示区包括第二信号传输区；
采用掩膜板对所述第一绝缘层进行图案化制程，所述第一绝缘层上形成有多个第一过孔，包括：
采用掩膜板对位于所述第二信号传输区的所述第一绝缘层进行图案化制程，在所述第二信号传输区对应的所述第一绝缘层上形成第一丙过孔；
采用所述掩膜板对所述钝化层进行图案化制程，所述钝化层上形成有多个第二过孔，包括：
采用所述掩膜板对位于所述第二信号传输区的所述钝化层进行图案化制程，在所述第二信号传输区对应的所述钝化层上形成第二丙过孔；其中，所述第一丙过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二丙过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影；
所述制备方法还包括：
在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧制备第二透明电极层；所述第二透明电极层通过所述第二丙过孔和所述第一丙过孔与所述栅极金属层电连接。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述非显示区包括第二信号传输区和第三信号传输区；
采用掩膜板对所述第一绝缘层进行图案化制程，所述第一绝缘层上形成有多个第一过孔，包括：
采用掩膜板对分别位于所述第二信号传输区和所述第三信号传输区的所述第一绝缘层进行图案化制程，在所述第二信号传输区对应的所述第一绝缘层上形成第一丙过孔，在所述三信号传输区对应的所述第一绝缘层上形成第一丁过孔；
采用所述掩膜板对所述钝化层进行图案化制程，所述钝化层上形成有多个第二过孔，包括：
采用所述掩膜板分别对位于所述第二信号传输区和所述第三信号传输区的所述钝化层进行图案化制程，在所述第二信号传输区对应的所述钝化层上形成第二丙过孔，在所述第三信号传输区对应的所述钝化层上形成第二丁过孔；其中，所述第一丙过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二丙过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影，所述第一丁过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二丁过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影；
所述制备方法还包括：
在所述平坦化层与所述钝化层之间制备第一透明电极层；
在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧制备第二透明电极层，所述第二透明电极层通过所述第二丙过孔和所述第一丙过孔与所述栅极金属层电连接；所述第二透明电极层通过所述第二丁过孔与所述第一透明电极层电连接。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述显示区包括第四信号传输区；
采用掩膜板对所述第一绝缘层进行图案化制程，所述第一绝缘层上形成有多个第一过孔，包括：
采用掩膜板对位于所述第四信号传输区的所述第一绝缘层进行图案化制程，在所述第四信号传输区对应的所述第一绝缘层上形成第一戊过孔；
采用所述掩膜板对所述钝化层进行图案化制程，所述钝化层上形成有多个第二过孔，包括：
采用所述掩膜板对位于所述第四信号传输区的所述钝化层进行图案化制程，在所述第四信号传输区对应的所述钝化层上形成第二戊过孔；其中，所述第一戊过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二戊过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影；
所述在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧制备第一绝缘层的步骤之后，还包括：
在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备第二金属层，所述第二金属层包括位于所述显示区的源漏层；
所述制备方法还包括：
在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧制备第二透明电极层，所述第二透明电极层通过所述第二戊过孔与所述源漏层电连接。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备平坦化层的步骤，包括；
在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备平坦化层，所述平坦化层填充所述第一过孔。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备平坦化层的步骤之前，包括；
在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备遮光金属层，所述遮光金属层填充所述第一过孔；
所述在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备平坦化层的步骤，包括；
在所述遮光金属层远离所述衬底基板的一侧制备所述平坦化层；
在所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧表面制备对位标记。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用所述掩膜板对所述第一绝缘层进行图案化制程，所述第一绝缘层上形成有多个第一过孔的步骤，包括：
在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧涂布正性光刻胶；
采用所述掩膜板对所述正性光刻胶进行曝光处理，控制所述正性光刻胶的曝光量为第一曝光量，得到第一光刻图案；
通过所述第一光刻图案刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成多个第一过孔；
所述采用所述掩膜板对所述钝化层进行图案化制程，所述钝化层上形成有多个第二过孔的步骤，包括：
在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧涂布正性光刻胶；
采用所述掩膜板对所述正性光刻胶进行曝光处理，控制所述正性光刻胶的曝光量为第二曝光量，得到第二光刻图案；
通过所述第二光刻图案刻蚀所述钝化层，在所述钝化层上形成多个第二过孔；
其中，所述第一曝光量大于所述第二曝光量。
10.一种显示面板，采用权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，还包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板一侧的第一金属层，所述第一金属层包括位于所述显示区的栅极层以及位于所述非显示区的栅极金属层；
位于所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有多个第一过孔；
位于在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧的第二金属层，所述第二金属层包括位于所述非显示区的源漏金属层；所述源漏金属层通过所述第一过孔与所述栅极金属层电连接；
位于所述第一绝缘层与所述钝化层之间的平坦化层；
位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的钝化层，所述钝化层上形成有多个第二过孔，其中，所述第一过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述非显示区包括信号端子设置区；所述第一过孔包括位于所述信号端子设置区的第一甲过孔；所述第二过孔包括位于所述信号端子设置区的第二甲过孔；其中，所述第一甲过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二甲过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影；
所述显示面板还包括位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的第二金属层以及位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的第二透明电极层，所述第二金属层包括位于所述非显示区的源漏金属层；
所述源漏金属层通过所述第一甲过孔与所述栅极金属层电连接；所述第二透明电极层通过所述第二甲过孔与所述源漏金属层电连接。
12.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述显示区和/或所述非显示区包括第一信号传输区；所述第一过孔包括位于所述第一信号传输区的第一乙过孔；所述第二过孔包括位于所述第一信号传输区的第二乙过孔；其中，所述第一乙过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二乙过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影；
所述显示面板还包括位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的第二金属层，所述第二金属层包括位于所述显示区的源漏层以及位于所述非显示区的源漏金属层；所述源漏层通过所述第一乙过孔与所述栅极层电连接，和，所述源漏金属层通过所述第一乙过孔与所述栅极金属层电连接。
13.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述非显示区包括第二信号传输区；所述第一过孔包括位于所述第二信号传输区的第一丙过孔；所述第二过孔包括位于所述第二信号传输区的第二丙过孔；其中，所述第一丙过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二丙过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影；
所述显示面板还包括位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的第二透明电极层；所述第二透明电极层通过所述第二丙过孔和所述第一丙过孔与所述栅极金属层电连接。
14.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述非显示区包括第二信号传输区和第三信号传输区；所述第一过孔包括位于所述第二信号传输区的第一丙过孔和位于所述第三信号传输区的第一丁过孔；所述第二过孔包括位于所述第二信号传输区的第二丙过孔和位于所述第三信号传输区的第二丁过孔；其中，所述第一丙过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二丙过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影，所述第一丁过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二丁过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影；
所述显示面板还包括位于所述平坦化层与所述钝化层之间的第一透明电极层以及位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的第二透明电极层，所述第二透明电极层通过所述第二丙过孔和所述第一丙过孔与所述栅极金属层电连接；所述第二透明电极层通过所述第二丁过孔与所述第一透明电极层电连接。
15.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述显示区包括第四信号传输区；所述第一过孔包括位于所述第四信号传输区的第一戊过孔；所述第二过孔包括位于所述第四信号传输区的第二戊过孔；其中，所述第一戊过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第二戊过孔在所述衬底基板所在平面上的垂直投影；
所述显示面板还包括位于所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的第二金属层以及位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的第二透明电极层，所述第二金属层包括位于所述显示区的源漏层；所述第二透明电极层通过所述第二戊过孔与所述源漏层电连接。
16.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述平坦化层填充所述第一过孔；
或者，所述显示面板还包括位于所述第一金属层与所述平坦化层之间的第二金属层，所述第二金属层填充所述第一过孔，所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧表面形成有对位标记。
17.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔在所述衬底基板所在平面内的垂直投影面积大于所述第二过孔在所述衬底基板所在平面内的垂直投影面积。
18.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括液晶显示面板或者有机发光二极管显示面板。
19.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11-18任一项所述的显示面板。
CN201910817767.6A 2019-08-30 2019-08-30 一种显示面板及其制备方法、显示装置 Active CN110473835B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910817767.6A CN110473835B (zh) 2019-08-30 2019-08-30 一种显示面板及其制备方法、显示装置
US16/742,420 US11127935B2 (en) 2019-08-30 2020-01-14 Display panel, preparation method thereof and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910817767.6A CN110473835B (zh) 2019-08-30 2019-08-30 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110473835A CN110473835A (zh) 2019-11-19
CN110473835B true CN110473835B (zh) 2022-08-23

Family

ID=68514292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910817767.6A Active CN110473835B (zh) 2019-08-30 2019-08-30 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11127935B2 (zh)
CN (1) CN110473835B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113284921B (zh) * 2020-02-19 2023-05-09 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及显示装置
CN111583812B (zh) * 2020-05-26 2023-09-22 京东方科技集团股份有限公司 连接基板及制备方法、拼接屏、显示装置
CN114762118A (zh) * 2020-10-29 2022-07-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN113053923A (zh) * 2021-03-15 2021-06-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100682362B1 (ko) * 2006-06-23 2007-02-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 패널 및 제조 방법
CN103280429A (zh) * 2012-12-21 2013-09-04 上海中航光电子有限公司 一种tft阵列基板的制造方法及tft阵列基板
CN105914212A (zh) * 2016-05-09 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、以及显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102059785B1 (ko) 2013-04-30 2019-12-27 엘지디스플레이 주식회사 네로우 베젤 타입 액정표시장치용 어레이 기판
CN103474434B (zh) * 2013-09-16 2015-12-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、制备方法以及显示装置
CN104635416B (zh) * 2015-02-06 2018-12-25 合肥京东方光电科技有限公司 一种掩膜板及阵列基板的制造方法
CN104701315B (zh) * 2015-03-25 2017-07-04 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100682362B1 (ko) * 2006-06-23 2007-02-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 패널 및 제조 방법
CN103280429A (zh) * 2012-12-21 2013-09-04 上海中航光电子有限公司 一种tft阵列基板的制造方法及tft阵列基板
CN105914212A (zh) * 2016-05-09 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、以及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110473835A (zh) 2019-11-19
US11127935B2 (en) 2021-09-21
US20210066672A1 (en) 2021-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110473835B (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
US8772780B2 (en) Array substrate structure of display panel and method of making the same
US9111810B2 (en) Circuit board and display device including first and second channel layers made of different semiconductor materials
US11215893B2 (en) Array substrate, method for manufacturing the same, and display apparatus
KR100724226B1 (ko) 전기 광학 장치, 전기 광학 장치용 기판, 회로 기판, 실장구조체 및 전자 기기
KR100899052B1 (ko) 전기 광학 장치, 전기 광학 장치의 제조 방법 및 전자기기
TWI441198B (zh) 面板及其製法
CN110927997B (zh) 显示面板测试线路及测试方法
KR20100048002A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN111489647B (zh) 显示模组及其制造方法、显示装置
KR20160013433A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9111809B2 (en) Circuit substrate, method for manufacturing the same, and electrooptical device
US20080116459A1 (en) Thin film transistor array substrate and method for fabricating same
KR20140095797A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN101676781A (zh) 影像显示系统及其制造方法
CN105321958A (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
JPWO2020137342A1 (ja) 配線基板、それを用いた発光装置及び表示装置
CN108845465B (zh) 显示面板扇出走线结构及其制作方法
US11538892B2 (en) Display panel having circuits on opposing sides of insulating substrate connected by tapered through hole and pad, manufacturing method thereof, and display device
JP2005234514A (ja) ディスプレイ装置
WO2023225840A1 (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
WO2018045613A1 (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN216288456U (zh) 显示面板
US20230354653A1 (en) Display panel, display device, and method for manufacturing a display panel
WO2022052695A1 (zh) 显示基板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant