CN110462769A - 磁性膜的形成方法和磁存储元件的制造方法 - Google Patents

磁性膜的形成方法和磁存储元件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供磁性膜的形成方法，其包括：将靶材进行溅射而在成膜对象上形成非晶态的磁性膜(S12)，该靶材以选自由Mn3Sn、Mn3Ge和(Mn1‑xFex)Ge组成的组中的任意一种作为主成分；以及对非晶态的磁性膜进行加热，使非晶态的磁性膜结晶化(S13)。结晶化包括将非晶态的磁性膜在225℃以上400℃以下的温度进行加热。

Description

磁性膜的形成方法和磁存储元件的制造方法
技术领域
本发明涉及磁性膜的形成方法和具备磁性层的磁存储元件的制造方法。
背景技术
作为磁存储元件的一例，已知有具备由强磁性体形成的磁性层的磁性隧道结元件。磁性隧道结元件根据磁性层的磁化方向存储数据。在磁性隧道结元件中，由于磁性层由强磁性体形成，因而磁性隧道结元件中产生的漏磁场增大，因此磁性隧道结元件难以高集成化。于是提出了具备由三锰锡(Mn3Sn)等反强磁性体形成的磁性层的磁存储元件(例如，参见专利文献1)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]国际公开第2017/018391号
发明内容
发明所要解决的课题
另外，在上述的磁性层中，要求数十纳米至数百纳米左右的薄度。但是尚未确立用于形成这样的薄度的磁性层的方法。需要说明的是，该课题并不限于磁性层由Mn3Sn形成的情况，在形成由三锰锗(Mn3Ge)或锰铁锗((Mn1-xFex)Ge)等反强磁性体制造的薄膜的情况下也是同样的。
本发明的目的在于提供一种能够形成由反强磁性体制造的薄膜的磁性膜的形成方法和磁存储元件的制造方法。
用于解决课题的手段
根据一个实施方式的磁性膜的形成方法包括：将靶材进行溅射而在成膜对象上形成非晶态的磁性膜，该靶材以选自由Mn3Sn、Mn3Ge和(Mn1-xFex)Ge组成的组中的任意一种作为主成分；以及对上述非晶态的磁性膜进行加热，使上述非晶态的磁性膜结晶化。上述结晶化包括将上述非晶态的磁性膜在225℃以上400℃以下的温度进行加热。
根据一个实施方式的磁存储元件的制造方法包括：在成膜对象上形成基底层；将靶材进行溅射而形成与上述基底层相接的非晶态的磁性膜，该靶材以选自由Mn3Sn、Mn3Ge和(Mn1-xFex)Ge组成的组的任意一种作为主成分；以及将上述非晶态的磁性膜与上述基底层一起进行加热，使上述非晶态的磁性膜结晶化。上述结晶化包括将上述非晶态的磁性膜在225℃以上400℃以下的温度进行加热。
根据上述各构成，能够形成经结晶化的反强磁性体制造的薄膜。
上述磁性膜的形成方法中，上述磁性膜的形成可以包括将以Mn3Sn作为主成分的靶材进行溅射，在上述成膜对象上形成非晶态的Mn3Sn膜。根据上述构成，能够形成经结晶化的Mn3Sn的薄膜。
上述磁性膜的形成方法中，上述非晶态的Mn3Sn膜的形成可以包括使形成上述Mn3Sn膜的成膜空间的压力为0.9Pa以上1.7Pa以下。根据上述构成，可抑制在成膜对象上形成的Mn3Sn膜的组成偏离化学计量比。
在上述磁性膜的形成方法中，上述非晶态的Mn3Sn膜的形成可以包括使上述成膜对象的温度为150℃以下。根据上述构成，在非晶态的Mn3Sn膜的形成时，可抑制由于Sn受到成膜对象的热的作用产生蒸发而使Mn3Sn膜的组成偏离化学计量比的情况。
在上述磁性膜的形成方法中，上述成膜对象的被成膜面可以由基底层构成，该基底层由选自由Ti、Ru、Al、Pt、Ag和Au组成的组的任意一种形成。根据上述构成，由于形成被成膜面的材料是与Mn3Sn的晶格常数偏差小的金属，因此能够提高形成基底层的对象的自由度。
在上述磁存储元件的制造方法中，上述基底层的形成可以包括形成具有5nm以上的厚度的上述基底层。
根据上述构成，不论形成基板的材料如何，均能够更确实地提高磁性膜的结晶性。
附图说明
图1是示意性示出由磁存储元件的制造方法的一个实施方式形成的磁存储元件的一例中的结构的截面图。
图2是示出实施磁存储元件的制造方法中的一部分的溅射装置的构成的框图。
图3是用于说明磁存储元件的制造方法的流程图。
图4是对于试验例1的磁存储元件通过X射线衍射得到的光谱。
图5是对于试验例2的磁存储元件通过X射线衍射得到的光谱。
图6是对于试验例3的磁存储元件通过X射线衍射得到的光谱。
图7是对于试验例4的磁存储元件通过X射线衍射得到的光谱。
图8是对于试验例5的磁存储元件通过X射线衍射得到的光谱。
图9是对于试验例12的磁存储元件通过X射线衍射得到的光谱。
图10是对于试验例13的磁存储元件通过X射线衍射得到的光谱。
图11是对于试验例14的磁存储元件通过X射线衍射得到的光谱。
图12是对于试验例15的磁存储元件通过X射线衍射得到的光谱。
图13是示出试验例16中得到的磁场与霍尔电阻的关系的曲线图。
图14是示出试验例17中得到的磁场与霍尔电阻的关系的曲线图。
图15是示出试验例18中得到的磁场与霍尔电阻的关系的曲线图。
图16是示出试验例19中得到的磁场与霍尔电阻的关系的曲线图。
具体实施方式
参照图1至图16，对磁性膜的形成方法和磁存储元件的制造方法的一个实施方式进行说明。下面依次对磁存储元件的构成、形成磁性膜的工序所实施的溅射装置的构成、包含磁性膜的形成方法的磁存储元件的制造方法和实施例进行说明。
[磁存储元件的构成]
参照图1，对磁存储元件的构成进行说明。
如图1所示，磁存储元件10具备基板11、以及作为磁性膜的一例的磁性层12。基板11可以为单层结构、也可以为多层结构。单层结构的基板11例如可以举出由氧化镁(MgO)形成的基板。多层结构的基板11例如可以举出具备由硅(Si)形成的Si层、以及由氧化硅(SiO2)形成的SiO2层的基板。SiO2层包含形成磁性层12的被成膜面。
磁性层12由选自由三锰锡(Mn3Sn)、三锰锗(Mn3Ge)和锰铁锗(Mn1-xFex)Ge组成的组的任意一种形成。磁性层12为经结晶化的层。磁性层12优选由Mn3Sn形成。
磁存储元件10可以具备位于基板11与磁性层12之间的基底层13，但也可以不具备基底层13。基底层13由选自由钛(Ti)、钌(Ru)、铝(Al)、铂(Pt)、银(Ag)和金(Au)组成的组中的任意一种形成。磁存储元件10中，在基板11的被成膜面由SiO2形成的情况下，优选具备基底层13。
磁存储元件10可以进一步具备上部电极层14。上部电极层14与基底层13同样地由选自由Ti、Ru、Al、Pt、Ag和Au组成的组中的任意一种形成。
[溅射装置的构成]
参照图2对溅射装置的构成的一例进行说明。利用以下说明的溅射装置实施磁存储元件的制造方法中的一部分。
如图2所示，溅射装置20具备真空槽21，真空槽21划分出容纳基板11的空间。排气部22与真空槽21连接，排气部22将真空槽21内减压至规定的压力。排气部22例如包含真空泵和阀。
在真空槽21的内周面固定有第1阴极23和第2阴极24。第1阴极23是用于形成磁性层12的阴极，第2阴极24是用于形成基底层13和上部电极层14中的至少一者的阴极。
第1阴极23具备第1靶材23T和第1支承板23B。第1靶材23T是以选自由Mn3Sn、Mn3Ge和(Mn1-xFex)Ge组成的组中的任意一种作为主成分的靶材。各锰化合物在第1靶材23T中包含95质量％以上。第1支承板23B由金属制造，第1靶材23T被固定于第1支承板23B。
第2阴极24具备第2靶材24T和第2支承板24B。第2靶材24T是以选自由Ti、Ru、Al、Pt、Ag和Au组成的组中的任意一种作为主成分的靶材。各金属在第2靶材24T中包含95质量％以上。
第1靶材23T和第2靶材24T分别藉由固定有各靶材23T,24T的支承板23B,24B与直流电源25连接。
溅射装置20进一步具备支承基板11的支承部26。支承部26在第1靶材23T与第2靶材24T的排列方向上位于第1靶材23T与第2靶材24T之间。支承部26以能够使基板11与第1靶材23T和第2靶材24T分别对置的方式构成。支承部26在第1时间点使基板11与第1靶材23T对置，并且在与第1时间点不同的第2时间点使基板11与第2靶材24T对置。
使支承部26旋转的旋转部27被连接于支承部26。旋转部27以旋转轴为中心使支承部26旋转。需要说明的是，支承部26具有沿旋转轴延伸的形状，并且旋转轴相对于第1靶材23T和第2靶材24T排列的方向正交。旋转部27以旋转轴为中心使支承部26旋转，由此使支承部26所支承的基板11与第1靶材23T对置。或者，旋转部27以旋转轴为中心使支承部26旋转，由此使支承部26所支承的基板11与第2靶材24T对置。
处理气体供给部28与真空槽21连接，处理气体供给部28向真空槽21所划分的空间内供给处理气体。处理气体供给部28为与设置在真空槽21的外部的储瓶连接的质量流量控制器。处理气体可以举出例如氩等稀有气体。
在溅射装置20中，首先将基板11设置于支承部26。接着，通过使处理气体供给部28以规定的流量向利用排气部22进行了排气的真空槽21中供给处理气体，而将真空槽21的内部调整为规定的压力。之后，在基板11与第2靶材24T对置的状态下，直流电源25向第2支承板24B施加电压。由此通过对第2靶材24T的被溅射面进行溅射而在基板11上形成基底层13。另一方面，在基板11与第1靶材23T对置的状态下，直流电源25向第1支承板23B施加电压。由此通过对第1靶材23T的被溅射面进行溅射而在基底层13上形成磁性层12。
[磁存储元件的制造方法]
参照图3对磁存储元件10的制造方法进行说明。需要说明的是，磁存储元件10的制造方法包含磁性层12的形成方法。下面以磁存储元件10具备基底层13的情况的制造方法作为磁存储元件10的制造方法的一例进行说明。
磁存储元件10的制造方法包括：在作为成膜对象的一例的基板11上形成基底层13；形成非晶态的磁性层12；以及使非晶态的磁性层12结晶化。非晶态的磁性层12的形成包括将靶材进行溅射而形成与基底层13相接的非晶态的磁性层12，该靶材以选自由Mn3Sn、Mn3Ge和(Mn1-xFex)Ge组成的组中的任意一种作为主成分。非晶态的磁性层12的结晶化包括将非晶态的磁性层12与基底层13一起进行加热。这种情况下，将磁性层12在225℃以上400℃以下的温度进行加热。下面参照图3更详细地说明磁存储元件10的制造方法。
如图3所示，磁存储元件10的制造方法包括基底层形成工序(步骤S11)、磁性层形成工序(步骤S12)和退火工序(步骤S13)。
在基底层形成工序中，在基板11上形成基底层13。在基底层形成工序中，在基板11上形成由选自由Ti、Ru、Al、Pt、Ag和Au组成的组中的任意一种形成的基底层13。基底层13的厚度为数纳米至数十纳米，优选为5nm以上。
需要说明的是，在基底层形成工序之后的磁性层形成工序和退火工序构成磁性膜的形成方法。磁性膜的形成工序中的成膜对象的一例包含基板11和基底层13。因此，在基底层形成工序后的磁性膜的形成方法中，成膜对象的被成膜面由基底层13构成，该基底层13由选自由Ti、Ru、Al、Pt、Ag和Au组成的组中的任意一种形成。
由此，由于作为被成膜面的一例的基底层13由与Mn3Sn的晶格常数的偏差小的金属形成，因而能够提高Mn3Sn膜的结晶性。在基底层13由选自上述组中的任一金属形成的情况下，即使在基板11由Si层和SiO2层构成时，也能够提高Mn3Sn层的结晶性。
在磁性层形成工序中，在基底层13上形成磁性层12。磁性层12的厚度例如为数十纳米以上数百纳米以下。在磁性层形成工序中，优选将以Mn3Sn作为主成分的靶材进行溅射，在基底层13上形成非晶态的Mn3Sn层。非晶态的Mn3Sn层的形成优选包括使形成Mn3Sn层的成膜空间的压力为0.9Pa以上1.7Pa以下。换言之，在磁性层形成工序中，在形成Mn3Sn层的情况下，溅射装置20内的压力优选为0.9Pa以上1.7Pa以下。由此，可抑制在成膜对象上形成的Mn3Sn层的组成偏离化学计量比。
另外，在磁性层形成工序中形成非晶态的Mn3Sn层的情况下，成膜对象的温度优选为150℃以下。由此，在非晶态的Mn3Sn层的形成时，可抑制由于Sn受到成膜对象的热的作用产生蒸发而使Mn3Sn层的组成偏离化学计量比的情况。
在退火工序中，将磁性层12加热至230℃以上400℃以下的温度。如上所述，基底层13和磁性层12分别具有数纳米至数百纳米左右的厚度。因此，基底层13和磁性层12的温度可被视为与进行退火工序的空间的温度相同的温度。
在退火工序中，可以使用真空退火炉对磁性层12进行退火。在进行磁性层12的退火时，真空退火炉内的压力例如优选为5×10-3Pa以上5×10-2Pa以下。
[试验例]
参照图4至图16，对试验例进行说明。
[退火温度]
[试验例1]
(111)准备具有取向的氧化镁(MgO)的单晶基板。之后在下述条件下依次分别形成作为基底层的Ru层、作为磁性层的Mn3Sn膜、和作为上部电极层的Ru层。需要说明的是，基底层与上部电极层在相同条件下形成。需要说明的是，将基底层和上部电极层的厚度设定为10nm，将磁性膜的厚度设定为100nm。
[基底层/上部电极层]
[磁性层]
对于试验例1中得到的磁性层未进行退火。由此得到试验例1的磁存储元件。使用X射线衍射装置(BRUKER AXS D8 DISCOVER，BRUKER公司制造)对试验例1的磁存储元件进行分析，结果得到了图4所示的光谱。
如图4所示，在2θ为36°到38°之间观察到了源自MgO的峰，并且在2θ为40°到44°之间观察到了源自Ru的峰。与之相对，未观察到源自Mn3Sn的峰。换言之，经确认未进行退火的Mn3Sn层为非晶态的状态。
[试验例2]
利用与试验例1相同的方法得到由基板、基底层、磁性层和上部电极层构成的多层体后，在以下的条件下对磁性层进行退火，由此得到试验例2的磁存储元件。
[退火条件]
·压力 5×10-3Pa
·温度 300℃
·时间 30分钟
使用X射线衍射装置(同上)对试验例2的磁存储元件进行分析，结果得到了图5所示的光谱。
如图5所示，与试验例1同样地观察到了源自MgO的峰、以及源自Ru的峰。此外，在2θ为38°至42°之间观察到了源自Mn3Sn的峰。即，试验例2的Mn3Sn层经确认进行了结晶化。
[试验例3]
将基板变更为Si层和SiO2层的多层基板，并且将退火温度变更为200℃，除此以外利用与试验例2相同的方法得到了试验例3的磁存储元件。使用X射线衍射装置(同上)对试验例3的磁存储元件进行分析，结果得到了图6所示的光谱。
如图6所示，由试验例3的磁存储元件得到的光谱中未观察到任何峰。即、试验例3的Mn3Sn层经确认未进行结晶化。
[试验例4]
除了将退火的温度变更为225℃以外，利用与试验例3相同的方法得到了试验例4的磁存储元件。使用X射线衍射装置(同上)对试验例4的磁存储元件进行分析，结果得到了图7所示的光谱。
如图7所示，在2θ为38°至40°之间观察到了源自Mn3Sn的峰，并且在40°至44°之间观察到了源自Ru的峰。即，试验例4的Mn3Sn层经确认进行了结晶化。
[试验例5]
除了将退火的温度变更为450℃以外，利用与试验例3相同的方法得到了试验例5的磁存储元件。使用X射线衍射装置(同上)对试验例5的磁存储元件进行解析，结果得到了图8所示的光谱。
如图8所示，在由试验例5的磁存储元件得到的光谱中，几乎未观察到源自Mn3Sn的峰。另一方面，在2θ为40°至42°之间观察到了峰。该峰被认为是源自通过Mn3Sn与Ru的反应而形成的化合物的峰。
这样，根据试验例1至试验例5确认到，为了得到经结晶化的Mn3Sn层，退火的温度需要为225℃以上。另外确认到，为了抑制Mn3Sn层和与其相接的基底层、上部电极层的反应，退火温度需要低于450℃。
[成膜压力]
除了如下变更成膜压力以外，利用与试验例1相同的方法得到了试验例6至试验例11的磁性膜。试验例6中，将成膜压力设定为0.10Pa；试验例7中，将成膜压力设定为0.15Pa；试验例8中，将成膜压力设定为0.25Pa。另外，在试验例9中，将成膜压力设定为0.50Pa；在试验例10中，将成膜压力设定为0.90Pa。需要说明的是，在试验例11中，与试验例1同样地将成膜压力设定为1.70Pa。另外，使用搭载于扫描型电子显微镜的能量分散型X射线分析装置(EX-220X-Stream、(株式会社)堀场制作所制)对于磁性膜的形成中使用的Mn3Sn靶材的组成进行分析。由此确认到，在Mn3Sn靶材中，Mn的原子数与Sn的原子数之比(Mn:Sn)为3.1:1。
使用能量分散型X射线分析装置(同上)对于各试验例中得到的磁性膜的组成进行分析。分析结果如下述表1所示。需要说明的是，在下文中，作为原子数比，记载了将Sn原子的原子数设为1时的原子数比。
[表1]
如表1所示，确认到试验例6中的原子数比为6.67:1，试验例7中的原子数比为6.61:1，试验例8中的原子数比为6.36:1。另外确认到试验例9中的原子数比为5.09:1，试验例10中的原子数比为3.80:1，试验例11中的原子数比为3.58:1。需要说明的是，使用电子射线Macro Analyzer对于由各试验例得到的磁性膜进行分析也得到了与表1同样的结果。
这样确认到，在形成磁性膜时，在使成膜空间的压力为0.90Pa以上1.70Pa以下时，可抑制在基板上形成的磁性膜的组成偏离化学计量比。
[基板和基底层]
[试验例12]
除了不形成作为基底层的Ru层以外，利用与试验例2相同的方法得到了试验例12的磁存储元件。使用X射线衍射装置(同上)对试验例12的磁存储元件进行分析，结果得到了图9所示的光谱。
如图9所示，在2θ为36°至38°之间观察到了源自MgO的峰，并且在2θ为38°至42°之间观察到了源自Mn3Sn的峰。即确认到，在具有(111)取向的MgO的单晶基板上形成了Mn3Sn层的情况下，即使不存在基底层，也得到了经结晶化的Mn3Sn层。
[试验例13]
除了将基板变更为Si层与SiO2层的多层基板以外，利用与试验例12相同的方法得到了试验例13的磁存储元件。使用X射线衍射装置(同上)对试验例13的磁存储元件进行了分析，结果得到了图10所示的光谱。
如图10所示，在2θ为40°至44°之间观察到了源自Ru的峰。另外，在2θ为36°至38°之间观察到了(020)取向的源自Mn3Sn的峰，并且在2θ为40°的附近观察到了(002)取向的源自Mn3Sn的峰。其中确认到，与试验例12中观察到的Mn3Sn的峰的强度相比，这些峰的强度显著减小。这样确认到，在试验例13中形成了Mn3Sn的多晶膜。
[试验例14]
除了将基板变更为Si层与SiO2层的多层基板、将基底层与上部电极层的厚度变更为5nm以外，利用与试验例2相同的方法得到了试验例14的磁存储元件。使用X射线衍射装置(同上)对试验例14的磁存储元件进行分析，结果得到了图11所示的光谱。
如图11所示，在2θ为40°的附近观察到了源自(002)取向的Mn3Sn的峰。另外确认到，试验例14中观察到的峰的强度大于试验例13中观察到的峰的强度。
[试验例15]
除了将基底层与上部电极层的厚度变更为10nm以外，利用与试验例14相同的方法得到了试验例15的磁存储元件。使用X射线衍射装置(同上)对试验例15的磁存储元件进行分析，结果得到了图12所示的光谱。
如图12所示，在2θ为40°的附近观察到了源自(002)取向的Mn3Sn的峰。另外确认到，试验例15中观察到的峰的强度显著大于试验例14中观察到峰的强度。
由试验例13至试验例15的分析结果确认到，在使用Si层与SiO2层的多层基板的情况下，为了得到作为(002)取向的单晶的Mn3Sn层，优选使基底层的厚度为5nm以上，并且更优选为10nm以上。换言之确认到，若基底层的厚度为5nm以上，则可形成单晶的Mn3Sn层，据此可提高形成基板的材料的自由度。
[磁性膜的特性]
在试验例16至试验例19中，测定了试验例13的磁存储元件因异常霍尔效应所致的霍尔电阻。在各试验例中，在与磁性膜的表面平行的一个方向上流通电流，对磁性膜的表面沿垂直方向施加磁场。另外，在各试验例中，将配置磁存储元件的环境的温度设定为相互不同的温度。具体地说，在试验例16中，将环境温度设定为100K；在试验例17中，将环境温度设定为200K；在试验例18中，将环境温度设定为300K；在试验例19中，将环境温度设定为400K。
由图14和图15所示确认到，在环境温度为200K或300K的情况下，霍尔电阻显示出与施加至磁性膜的磁场变化相应的磁滞。与之相对，由图13和图16所示确认到，在环境温度为100K或400K的情况下，霍尔电阻未显示出磁滞。
如以上所说明，根据磁性膜的形成方法和磁存储元件的制造方法的一个实施方式，可以得到以下列举的效果。
(1)可以形成经结晶化的反强磁性体制造的薄膜。
(2)可以形成经结晶化的Mn3Sn的薄膜。
(3)在将成膜空间的压力设定为0.9Pa以上1.7Pa以下的情况下，可抑制Mn3Sn膜的组成偏离化学计量比。
(4)通过在形成非晶态的Mn3Sn层时将成膜对象的温度设定为150°以下，可抑制因受到基板11的热所致的Sn的蒸发使得在Mn3Sn层的组成与化学计量比之间产生偏差的情况。
(5)通过由选自由Ti、Ru、Al、Pt、Ag和Au组成的组中的任意一种形成的基底层13能够提高Mn3Sn层的结晶性。
(6)在基底层13的厚度为5nm以上的情况下，不论形成基板11的材料如何，均能够更确实地提高磁性层12的结晶性。
需要说明的是，上述实施方式可以如下进行适当变更来实施。
[基底层]
·基底层13的厚度可以小于5nm。即使基底层13的厚度小于5nm，也至少可得到提高形成基板11的材料的自由度的效果。
[符号的说明]
10…磁存储元件、11…基板、12…磁性层、13…基底层、14…上部电极层、20…溅射装置、21…真空槽、22…排气部、23…第1阴极、23B…第1支承板、23T…第1靶材、24…第2阴极、24B…第2支承板、24T…第2靶材、25…直流电源、26…支承部、27…旋转部、28…处理气体供给部。

Claims (7)

1.一种磁性膜的形成方法，其包括：
将靶材进行溅射而在成膜对象上形成非晶态的磁性膜，该靶材以选自由Mn3Sn、Mn3Ge和(Mn1-xFex)Ge组成的组中的任意一种作为主成分；以及
对所述非晶态的磁性膜进行加热，使所述非晶态的磁性膜结晶化，
所述结晶化包括将所述非晶态的磁性膜在225℃以上400℃以下的温度进行加热。
2.如权利要求1所述的磁性膜的形成方法，其中，所述磁性膜的形成包括：将以Mn3Sn作为主成分的靶材进行溅射，在所述成膜对象上形成非晶态的Mn3Sn膜。
3.如权利要求2所述的磁性膜的形成方法，其中，所述非晶态的Mn3Sn膜的形成包括：使形成所述Mn3Sn膜的成膜空间的压力为0.9Pa以上1.7Pa以下。
4.如权利要求2或3所述的磁性膜的形成方法，其中，所述非晶态的Mn3Sn膜的形成包括：使所述成膜对象的温度为150℃以下。
5.如权利要求2至4中任一项所述的磁性膜的形成方法，其中，所述成膜对象的被成膜面由基底层构成，该基底层由选自由Ti、Ru、Al、Pt、Ag和Au组成的组中的任意一种形成。
6.一种磁存储元件的制造方法，该制造方法包括：
在成膜对象上形成基底层；
将靶材进行溅射而形成与所述基底层相接的非晶态的磁性层，该靶材以选自由Mn3Sn、Mn3Ge和(Mn1-xFex)Ge组成的组的任意一种作为主成分；以及
将所述非晶态的磁性层与所述基底层一起进行加热，使所述非晶态的磁性层结晶化，
所述结晶化包括将所述非晶态的磁性层在225℃以上400℃以下的温度进行加热。
7.如权利要求6所述的磁存储元件的制造方法，其中，所述基底层的形成包括形成具有5nm以上的厚度的所述基底层。
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