CN110462570A - 含银纳米金属网的电极、带有含银纳米金属网的电极的触控面板和/或其制造方法 - Google Patents

含银纳米金属网的电极、带有含银纳米金属网的电极的触控面板和/或其制造方法 Download PDF

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Abstract

某些示例性实施方案涉及含银纳米金属网的电极和/或该电极的制造方法。本文所述的技术可用于例如投射电容式触控面板、显示设备等中。物理气相沉积(PVD)银(例如，溅射沉积的银)的有目的的去湿用于产生网。可通过热处理、改变基层组成(例如，使用具有不同表面能的材料、或调节表面能)、产生非Ag PVD或以其他方式形成岛(充当在去湿过程期间膜附接自身的节点)等来控制网的特性。

Description

含银纳米金属网的电极、带有含银纳米金属网的电极的触控 面板和/或其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年2月7日提交的美国申请序列号15/890,633的优先权，该申请要求于2017年2月8日提交的美国申请序列号62/456,409的权益，两者的全部内容均据此以引用方式并入本文。
技术领域
本发明的某些示例性实施方案涉及用于触控面板的电极和/或其制造方法。更具体地讲，本发明的某些示例性实施方案涉及含银纳米金属网的电极和/或其制造方法。本文所述的技术可用于例如投射电容式触控面板等中。
背景技术和发明内容
ITO(铟锡氧化物)通常被视为用于形成导电层的实际上的材料。ITO已在各种显示技术中用于多种不同目的，包括例如作为公共电极和在液晶显示(LCD)设备中用于形成薄膜晶体管(TFT)。ITO还已用于各种类型的触控面板，并且当前被认为是用于投射电容式触控技术中的导电层的最可能候选。
尽管ITO被广泛应用，但显示器和电子工业一直在寻找以期替代ITO。实际上，人们一直期望提高性能(例如，增加的透射率和降低的电阻率)，同时降低材料和工艺相关的成本(例如，至少部分地与世界上的铟供应有限相关)。由于这些考虑，ITO尚未在投射电容式触控技术中得到广泛应用，尤其是涉及大尺寸应用时。多个不同的ITO替代品正在开发中，并且有些ITO替代品甚至可商购获得。潜在的ITO替代品包括金属网、银纳米线、碳纳米管、导电聚合物、石墨烯等。
尽管这些候选替代品提供了希望，但仍在寻找性能良好、低成本电极材料和/或制造技术。某些示例性实施方案解决了这些问题和/或其他问题。例如，某些示例性实施方案涉及高透射率、低电阻率和低成本电极和/或其制造方法。这些电极可用于触控面板中，包括例如大尺寸的投射电容式触控面板，以及电阻和电容型触控面板、显示设备等。
在某些示例性实施方案中，提供了制造电子设备的方法，其中该方法包括：在衬底上直接或间接形成薄膜底层；在底层上直接溅射沉积银并与底层接触；将溅射沉积的银加热至足以引起所述银至少部分地去湿并形成包括银线和孔隙的纳米网的温度并保持足以引起所述银至少部分地去湿并形成包括银线和孔隙的纳米网的时间，其中底层具有有利于银的至少部分去湿和纳米网形成的表面能；以及将其上形成有纳米网的衬底构建到电子设备中。
在某些示例性实施方案中，可使用类似的方法来形成电极。
在某些示例性实施方案中，提供了使用这些技术制造的电子设备(例如，触控面板、显示器等)。
可组合本文所述的特征、方面、优点和示例来实现其他实施方案。
附图说明
通过参考以下结合附图的示例性说明性实施方案的具体实施方式，可更好且更完全地理解这些和其他特征及优点，在附图中：
图1包括银作为不透明液体沉积并被干燥以形成金属网膜的顺序的图像；
图2A-图2F示出了产生液滴或凝聚物的典型阶段；
图3A-图3C示出了在超薄聚氧化乙烯(PEO)聚合物膜中相关的去湿期间的连续形态改变；
图4是示出在热处理后金纳米颗粒所发生的改变的一组SEM图像；
图5是示出用于形成能够与某些示例性实施方案结合使用的银纳米网的示例性过程的流程图；并且
图6是根据某些示例性实施方案制造的涂覆的制品的剖视图。
具体实施方式
某些示例性实施方案涉及含银纳米金属网的电极和/或其制造方法，这可用于例如投射电容式触控面板、显示设备等。
如上所述，金属网已被认为是提供透明电极的一种可能方式。金属网概念的一种变化涉及在膜上施加液体涂层。当膜干燥时，会产生随机图案银网。例如，Cima NanoTech公司已开发了一种“自组装”银网，通过使用标准设备向膜提供不透明液体涂层并干燥约30秒以产生随机图案化的银网而制成。图1示出了该示例性干燥顺序中的阶段。一旦形成，可经由若干方法图案化网。
某些示例性实施方案通过在衬底上溅射银膜来产生类似的随机银网图案。该技术利用了溅射沉积的银去湿或凝聚的趋势。因此，某些示例性实施方案通过有目的的膜去湿来产生银金属网，例如与银的溅射沉积的薄膜结合或者包含银等。如下文更详细描述的那样，可通过热处理、改变基层组成(例如，使用具有不同表面能的材料、调节表面能等)、产生非Ag物理气相沉积(PVD)或以其他方式形成岛(充当在去湿过程期间膜附接自身的节点)等来控制网的特性。尽管经常将去湿示为不期望的效果，但某些示例性实施方案使用技术来控制去湿并产生具有期望的电光特性的图案化或连续的膜。也就是说，某些示例性实施方案利用PVD沉积的薄膜的能力来去湿(这经常被视为不利的并且需要避免)，以协助产生具有期望的电光特性的图案化或连续的薄膜。
图2A-图4帮助说明了某些示例性实施方案的操作方式。更具体地讲，图2A-图2F示出了产生液滴或凝聚物的典型阶段，如Y.J.Huang等人，“不混溶聚合物共混物中核-壳液滴的形成和动力学”，《英国皇家化学学会进展》，2014年第4卷，第43150-43154页(Y.J.Huanget al.，“Formation and dynamics of core-shell droplets in immiscible polymerblends，”RSC Advances，2014，4，43150-43154)所述。类似的阶段示于图3A-图3C(如Hans-Georg Braun和Evelyn Meyer，“在固体界面处形成超薄PEO膜结构——通过去湿和结晶化的复杂图案形成”，《国际分子科学杂志》，2013年，第14卷第2期，第3254-3264页(Hans-Georg Braun and Evelyn Meyer，“Structure Formation of Ultrathin PEO Films atSolid Interfaces-Complex Pattern Formation by Dewetting and Crystallization，”Int.J.Mol.Sci.2013，14(2)，3254-3264)所述)以及图4中，该图包括通过溅射沉积不同的时间长度(左：30s；中：1min；右：2min。)在650℃下Au膜退火1小时后在Si[1 11]的自然氧化物表面上形成的金纳米颗粒的SEM图像，如Britta等人，“使用新戊硅烷作为前体并使用金作为催化剂定向沉积硅纳米线”，《贝尔斯坦纳米技术杂志》，2012年，第3卷，第535-545页(Brittaet al.，“Directed deposition of silicon nanowiresusing neopentasilane as precursor and gold as catalyst，”Beilstein JNanotechnol.，2012，3，535-545)所述。这些文章中每一篇文章的全部内容据此以引用方式并入本文。
从上述内容可以理解，在液滴的形成中存在三个基本阶段。这些阶段包括孔引发、孔生长和破裂或液滴形成。在孔生长阶段期间，有一时间段存在连续的材料网络。某些示例性实施方案包括在基层上溅射银薄膜，该银薄膜促进孔的生长，并随后最终形成液滴，以产生随机银网。可控制孔网络以影响孔尺寸、总孔隙率等。就这一点而言，可使用以下和/或其他技术中的一者或多者：(1)加热；(2)基层组成选择和/或调节；以及(3)通过沉积等形成小岛。下面将依次讨论这三种控制技术。
在渗透水平以上加热PVD沉积的Ag将有助于形成Ag纳米线的连续网络，如从图2A-图4示例中涉及的稍微类似的技术可理解的那样。可结合某些示例性实施方案使用较宽范围的温度，并且温度可介于200℃和800℃之间。在某些示例性实施方案中，可使用200℃-350℃的温度，而其他实施方案可使用580℃-780℃(例如，600℃-650℃)的温度。加热时间可非常短，诸如，小于或等于约10分钟、小于或等于约5分钟、小于或等于约3分钟、小于或等于约1分钟，并且有时小于或等于约30秒。应当理解，与例如更高温度和更长时间的工艺条件相比，更高温度和更短加热时间以及更低温度和更长加热时间可更有利，因为前者可使得能够使用更宽范围的衬底材料、可降低银被过氧化或以其他方式损坏的可能性等。在某些示例性实施方案中，200℃-350℃的温度可与室温溅射和/或热强化技术相容，该室温溅射和/或热强化技术可与Ag纳米网形成协调使用。在某些示例性实施方案中，580℃-780℃的温度可与热温度技术相容，该热温度技术可与Ag纳米网形成协调使用。尽管提供加热(例如，使用烘箱)作为一个示例，但是应当理解，可以这种方式和/或其他方式来激励Ag材料。例如，可使用闪光加热、红外(IR)加热(例如，使用材料通过的阵列中的IR灯、使用二维IR灯等)、微波曝光等来激励Ag材料。在表面上方光栅化的激光器也可用于这些方面和/或其他方面。
关于基层组成和/或调节，应当理解，不同的基础材料可具有不同的表面能，该不同的表面能改变其上沉积的银的一种或多种润湿行为和/或一种或多种去湿行为。因此，某些示例性实施方案可包括具有与Ag生长和期望的去湿相容的表面能的一个或多个底层。底层材料可包括含硅层(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅)、氧化钛(例如，TiO2或其他合适的化学计量)、氧化锌(例如，任选地掺杂有铝)、氧化锡(例如，SnO2或其他合适的化学计量)、Ni和/或Cr(例如，NiCr)或其氧化物、Ni和/或Ti(例如，NiTi)或其氧化物等。在某些示例性实施方案中，包含氧化锌的层可在Ag下方直接提供并接触该Ag，以提供光滑的层，从而获得良好晶体生长。在某些示例性实施方案中，可在Ag下方依次提供含硅层、包含氧化钛的层和包含氧化锌的层，以提供期望的光学特性。含硅层可帮助用作阻挡层，例如，降低在后续薄膜层形成、纳米网形成和/或任选的热处理期间钠从衬底迁移到其上沉积的一个或多个薄膜层的可能性。包含氧化钛的层可用作高折射率层，改善涂层的光学性质，例如通过降低反射率/增加透射率。包含氧化锌的层可形成光滑的层，Ag可至少在该光滑的层上初始沉积，并因此促进包含Ag的良好层的生长。在某些示例性实施方案中，包含NbOx、ZrOx等的层还可直接形成在Ag下方并接触Ag，以有利于Ag去湿。在一些情况下，可形成(上述材料和/或其他材料的)小岛，例如关于待在其上形成Ag的至少最上层和/或关于Ag本身。在一些情况下，(例如，包含Zn或ZnOx的)这些小岛可充当在孔生长阶段期间连续银膜粘附的节点。例如，形成纳米网的Ag可优先粘附到这些小岛，并且在岛不存在的区域中更可能形成孔。
可使用多个不同的技术来调节待在其上形成Ag网的表面，并且因此提供基层组成调节、有利于岛形成等。在某些示例性实施方案中，可使用激光器或其他能量源将热量引入衬底上、对待在其上形成网的表面光栅化等。激光器或能量源可产生或补偿局部的热量不均匀性、调节表面粗糙度(并且由此改变接触角和/或表面能)等。用于升高温度的激光器的类型可基于例如其与选择的衬底(或衬底上的层)相互作用的方式，例如以便提供更好温度控制。在某些示例性实施方案中，可在此基础上选择激光焦点尺寸和/或形状以及波长。还应考虑一个或多个被加热表面的热导率。例如，一个或多个被加热表面的导热性越高，激光器的尺寸越细微(越小)，以提供微调。在某些示例性实施方案中，可对整个衬底进行预热(例如，使用炉或烘箱)，并且然后可使用激光器来产生或补偿局部热点和/或冷点、粗糙区域等。就这一点而言，取决于实施方式，可能期望产生待涂覆的均匀表面或待涂覆的不均匀表面(例如，在温度、粗糙度等方面)。在此类情况下，可使用第一加热阶段来预处理表面，并且可使用激光器或其他能量源来升高检测到的冷点中的温度、产生更平坦和/或更水平的表面(例如，通过去除峰值和/或谷值)等。当期望不均匀表面时，不均匀性可以是随机的或者伪随机的，以帮助通过去湿来产生随机化网。在此类情况下，可使用第一加热阶段来预处理表面，并且可使用激光器或其他能量源来升高温度以产生期望的配置的热点和/或粗糙度曲线(在不同情况下，该热点和/或粗糙度曲线可以是随机的或者可以不是随机的)。此外，在某些示例性实施方案中，期望的配置的热点和/或粗糙度曲线可与待形成的岛配准，例如以使得优先形成其中产生热点和/或更粗糙表面的岛。可通过这些方式和/或其他方式来影响纳米网的结构。如上所述，期望的配置可以是均匀的、随机的或者伪随机的，例如，取决于纳米网的期望的特性以及是否将实施进一步处理。在某些示例性实施方案中，可使用分形图案。在某些示例性实施方案中，可使用调节衬底以具有期望的不均匀热点图案和/或粗糙度曲线来消除任何后纳米网形成图案化的需要。在其他示例性实施方案中，可使用调节衬底以具有期望的均匀温度和粗糙度曲线来提供更均匀和预期的纳米网形成，一旦该纳米网已形成，该纳米网更容易图案化。类似于上面的描述，应当理解，可使用激光加热和/或其他方式来激励表面。例如，可使用闪光加热、IR加热、微波曝光等来激励表面。预热等也可用于调节表面。
金属岛形成可使用于2016年2月24日提交的申请序列号15/051,900和/或于2016年2月24日提交的申请序列号15/051,927的技术来完成，其中每者的全部内容据此以引用方式并入本文。
在热处理之后，可添加一个或多个外涂层。这些外涂层可用于增加膜的坚固性、提供期望的光学特性等。合适的外涂层材料可包括例如包含Ni和/或Cr(例如，NiCr)或其氧化物的层、包含Ni和/或Ti(例如，NiTi)或其氧化物的层、含锆层(例如，氧化锆)、含硅层(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅)等。在某些示例性实施方案中，可形成一个或多个外涂层以提供更平坦和/或更水平的表面，这在某些应用中可能是有利的。
使用某些示例性实施方案的技术是有利的，因为可获得高导电率和高透射率的涂层。也就是说，Ag的使用赋予了优异的导电性，因为已知Ag提供良好薄层电阻特性。然而，由于存在许多孔隙，透射率依然很高，即使预期大量Ag涂层将具有较低的透射率。相较于金和一些其他材料，使用银还提供成本优势。
在某些示例性实施方案中，银的厚度将为约5nm-150nm厚。在一些示例中，合适的涂层可为7nm-11nm厚，这接近银的最小可行厚度，其中形成太多连续岛并且导电率将下降得非常低。在其他示例中，可使用40nm-120nm的厚度。即使在存在孔隙的情况下，过多地增加厚度也可导致透射率下降至期望水平以下。在某些示例性实施方案中，薄层电阻可介于10欧姆/□-200欧姆/□之间。在一些设备中，可能期望10欧姆/□-30欧姆/□的薄层电阻。可见光透射率优选地大于70％、更优选地大于75％并且有时大于85％-90％，例如当在3mm厚的透明玻璃上测量时。
在可与投射电容式触控面板一起使用的一个商业有效示例中，Ag网涂层为40nm-120nm厚，其中薄层电阻为50欧姆/□-130欧姆/□。可见光透射率为77％-87％，并且Ag网络的表面积为5％-15％，而开放孔的表面积为85％-95％。
图5是示出用于形成能够与某些示例性实施方案结合使用的银纳米网的示例性过程的流程图。在步骤S501中，可在衬底(例如，玻璃衬底等)上形成一个或多个底层和/或下层材料(例如，一系列岛)。在步骤S503中对一个或多个底层和/或一个或多个下层材料进行调节，例如，经由整体加热涂覆的衬底(例如，在炉或对流源中)和/或施加局部加热(例如，来自激光器或其他能量源)以在待涂覆的表面上产生温度和/或表面条件(例如，表面能)的均匀性和/或不均匀性。在步骤S505中溅射沉积银。一旦沉积，在步骤S507中将银加热到渗透水平以上以形成线的随机网络等。可在步骤S509中对网络进行图案化，例如以形成TFT、电容器等。激光蚀刻、光刻技术等可用于该目的。在步骤S511中，可在Ag网络上方施加一层或多层外涂层，例如以保护银和/或提供期望的光学特性。由此形成的中间制品可在步骤S513中构建到电子设备中(例如，触控面板、显示设备等)。
尽管某些示例性实施方案已提到了Ag的去湿，但是应当理解，本文设想了更广泛的Ag的去湿或扩散参数S。因此，在不同的示例性实施方案中，去湿可以是部分的或完全的。在一些情况下，银可在某些地方完全地去湿，而在其他地方仅部分地去湿。关于扩散参数S，如果Ag的扩散参数大于0，则发生总润湿。当S＜0时，将发生部分润湿或凝聚。如本领域技术人员所知，S＝γSG-(γSL+γLG)，其中SG是固体-气体界面处的表面张力，γSL是固体-液体界面处的表面张力，并且γLG是液体-气体界面处的表面张力。
本文所述的电极可用于于2016年7月21日提交的申请序列号15/215,908；于2016年5月4日提交的申请序列号15/146,270；于2016年7月21日提交的申请序列号62/364,918；和/或美国专利号9,354,755中描述的电子设备中。例如，电极可用于电容式触控面板(例如，投射电容式触控面板)等中。此外，在一些情况下，本文所述的Ag纳米网可代替这些专利文件中描述的导电层中的任何导电层(例如，Ag层)或者整个导电涂层。这些文件中的每个文件的全部内容据此以引用方式并入本文。
图6是根据某些示例性实施方案制造的涂覆的制品的剖视图。衬底602支撑多个薄膜层，该多个薄膜层包括含硅层604和出于光学目的而在其上形成的一个或多个层(例如，包含TiOx的层606)。包含ZnOx的层608可为待沉积在其上的Ag提供良好的粘附性。Ag纳米网610形成在包含ZnOx的层608上。在某些示例性实施方案中，Ag纳米网610直接形成在包含ZnOx的层608上方并接触该层。在某些示例性实施方案中，金属岛层可插置在包含ZnOx的层608和Ag纳米网610之间，例如在去湿和相关联工艺期间提供优先形成Ag的位点。在某些示例性实施方案中，可调节包含ZnOx的层608，以在去湿和相关联工艺期间优先形成Ag。可使用激光、光刻或其他方式来图案化Ag纳米网610，例如，以形成期望的电极或其他结构。可在Ag纳米网610上方提供包含Ni、Cr、Ti等的层。例如，在图6的示例中，包含NiCrOx的层612在Ag纳米网610上方提供并接触该Ag纳米网。该层可帮助保护纳米网中的Ag在其他处理步骤期间不被氧化和/或以其他方式损坏。可提供一层或多层附加的外涂层614作为层叠堆中的一个或多个最上层，例如，用于保护Ag纳米网610、形成绝缘区域等。在某些示例性实施方案中，一个或多个附加的外涂层614可相对于下层表面(并且例如相对于由Ag纳米网610和/或其下的粗糙度调节层引起的或与之相关的高度偏差)是平坦的或水平的。
如本文所用，术语“热处理(heat treatment)”和“热处理(heat treating)”用于意指将制品加热到足以实现含玻璃制品的热回火和/或热强化的温度。例如，该定义包括在烘箱或炉中在至少约550℃、更优选地至少约580℃、更优选地至少约600℃、更优选地至少约620℃并且最优选地至少约650℃的温度下加热涂覆的制品保持足够时段，以允许进行回火和/或热强化。在某些示例性实施方案中，这可持续至少约两分钟，或最多至约10分钟。
如本文所用，除非明确说明，否则术语“在...上”、“由...支撑”等不应解释为表示两个元件彼此直接相邻。换句话说，即使在该第一层和该第二层之间存在一个或多个层，也可以说第一层“在第二层上”或“由第二层支撑”。
在某些示例性实施方案中，提供了制造电子设备的方法。在衬底上直接或间接形成薄膜底层。在底层上直接溅射沉积银并与底层接触。将溅射沉积的银加热至足以引起所述银至少部分地去湿并形成包括银线和孔隙的纳米网的温度并保持足以引起所述银至少部分地去湿并形成包括银线和孔隙的纳米网的时间。底层具有表面能，有利于银的至少部分去湿和纳米网的形成。将其上形成有纳米网的衬底构建到电子设备中。
除了前一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，可蚀刻纳米网以形成电子设备的电极。
除了前两段中的任一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，在溅射沉积银之前，可改变底层的至少一部分的表面能。
除了前一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，表面能的改变可促进在底层上的表面能均匀性。
除了前两段中的任一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，表面能的改变可促进在底层上的表面能不均匀性。
除了前一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，不均匀性可至少为伪随机的。
除了前四段中的任一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，表面能的改变可在第一阶段和第二阶段进行，例如其中第一阶段在第二阶段之前，第一阶段促进在底层上的表面能均匀性，并且第二阶段促进在底层上的表面能不均匀性。
除了前五段中的任一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，可(至少部分地)使用激光器来进行改变。
除了前六段中的任一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，可(至少部分地)使用闪光热源、红外热源和/或微波热源来进行改变。
除了前七段中任一项的任一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，在溅射沉积银之前，可调节底层的至少一部分的表面粗糙度。
除了前一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，表面粗糙度的调节可促进在底层上的表面粗糙度的均匀性或不均匀性，或者首先均匀性然后不均匀性。
除了前11段中的任一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，在溅射沉积银之前，可在衬底上直接或间接形成多个金属岛。
除了前一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，银可至少部分地去湿并且优先与金属岛配准地(in registration with)重新形成。
除了前两段中的任一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，可在底层上方形成金属岛，例如以使得银至少初始直接溅射沉积在(a)存在金属岛的区域中的金属岛和(b)不存在金属岛的其他区域中的底层上并与之接触。
除了前14段中的任一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，外涂层可在纳米网的上方提供并接触该纳米网。
除了前15段中的任一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，底层可包含Zn、Nb、Zr和/或其氧化物。
除了前16段中的任一段的特征之外，在某些示例性实施方案中，纳米网可具有50欧姆/□-130欧姆/□的薄层电阻，和/或85％-95％的孔隙率，以及和/或77％-87％的可见光透射率。
前17段中的任一段的电子设备可由不同示例性实施方案中的触控面板形成和/或可以是不同示例性实施方案中的触控面板或者包括不同示例性实施方案中的触控面板。
虽然已结合目前被认为是最实用和优选的实施方案描述了本发明，但应当理解，本发明不限于所公开的实施方案，而是相反，旨在涵盖包括在所附权利要求书的实质和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (22)

1.一种制造电子设备的方法，所述方法包括：
在衬底上直接或间接形成薄膜底层；
在所述底层上直接溅射沉积银并与所述底层接触；
将所溅射沉积的银加热至足以引起所述银至少部分地去湿并形成包括银线和孔隙的纳米网的温度并保持足以引起所述银至少部分地去湿并形成包括银线和孔隙的纳米网的时间，所述底层具有有利于所述银的所述至少部分去湿和所述纳米网的所述形成的表面能；以及
将其上形成有所述纳米网的所述衬底构建到所述电子设备中。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括蚀刻所述纳米网以形成所述电子设备的电极。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，还包括在所述银的所述溅射沉积之前，改变所述底层的至少一部分的所述表面能。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述表面能的所述改变促进在所述底层上的表面能均匀性。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述表面能的所述改变促进在所述底层上的表面能不均匀性。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述不均匀性至少为伪随机的。
7.根据权利要求3至权利要求6中任一项所述的方法，其中所述表面能的所述改变在第一阶段和第二阶段进行，所述第一阶段在所述第二阶段之前，所述第一阶段促进在所述底层上的表面能均匀性，并且所述第二阶段促进在所述底层上的表面能不均匀性。
8.根据权利要求3至权利要求7中任一项所述的方法，其中使用激光器来进行所述改变。
9.根据权利要求3至权利要求8中任一项所述的方法，其中使用闪光热源、红外热源和/或微波热源来进行所述改变。
10.根据权利要求3至权利要求9中任一项所述的方法，还包括在所述银的所述溅射沉积之前，调节所述底层的至少一部分的表面粗糙度。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述表面粗糙度的所述调节促进在所述底层上的表面粗糙度的均匀性。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述表面粗糙度的所述调节促进在所述底层上的表面粗糙度的不均匀性。
13.根据权利要求1至权利要求12中任一项所述的方法，还包括在所述银的所述溅射沉积之前，在所述衬底上直接或间接形成多个金属岛。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述银至少部分地去湿并且优先与所述金属岛配准地重新形成。
15.根据权利要求13或权利要求14所述的方法，其中所述金属岛形成在所述底层上方。
16.根据权利要求13至权利要求15中任一项所述的方法，其中在所述底层上方形成所述金属岛，以使得所述银至少初始直接溅射沉积在(a)和(b)上并与之接触：(a)存在所述金属岛的区域中的所述金属岛和(b)不存在所述金属岛的其他区域中的所述底层。
17.根据权利要求1至权利要求16中任一项所述的方法，其中所述底层包含ZnOx。
18.根据权利要求1至权利要求16中任一项所述的方法，其中所述底层包含Nb、Zr和/或其氧化物。
19.根据权利要求1至权利要求18中任一项所述的方法，其中所述纳米网具有50欧姆/□-130欧姆/□的薄层电阻、85％-95％的孔隙率，以及77％-87％的可见光透射率。
20.根据权利要求1至权利要求19中任一项所述的方法，其中所述电子设备包括触控面板。
21.一种电子设备，所述电子设备通过根据权利要求1至权利要求20中任一项所述的方法制成。
22.一种触控面板，所述触控面板通过根据权利要求20所述的方法制成。
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