CN110444520B - 具有电绝缘散热体的功率器件模组及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种具有电绝缘散热体的功率器件模组及其制备方法,该功率器件模组包括:树脂封装体;设置在树脂封装体内的功率器件,该功率器件第一表面的引脚与设置在树脂封装体中的导电图形焊接连接,该功率器件第二表面的引脚与导电图形之间通过位于树脂封装体内的金属连接件电性连接;第一电绝缘散热体,其与导电图形热连接,并在器件模组的厚度方向上与功率器件至少部分重叠;第二电绝缘散热体,其相邻于金属连接件的表面具有金属连接层,该金属连接层与金属连接件焊接连接,且第二电绝缘散热体在器件模组的厚度方向上与功率器件至少部分重叠。本发明的功率器件模组采用双面散热,不仅散热性能佳,而且具有良好的耐电压性能。
Description
技术领域
本发明涉及功率器件封装领域;更具体地,是涉及一种采用电绝缘散热体对封装在注塑树脂封装体内的功率器件进行散热的功率器件模组及其制备方法。
背景技术
诸如IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)、GTO(门极可关断晶闸管)、晶闸管、GTR(电力晶体管)、BJT(双极结型晶体管)以及UJT(单结晶体管)等的功率器件广泛应用在各种电子/电力设备上。随着电子/电力产品向轻型化、小型化方向发展,对其中功率器件的各种性能提出了更高的要求,例如要求IGBT芯片承受更高的电流等,但是随着承载电流的增加,不仅要求封装结构具有更高的耐电压性能,而且功率器件工作时产生的热量也不断增加,如果不能及时将功率器件所产生的热量散发,将严重影响功率器件及产品中其他电子器件的工作。
因此,具有高散热能力和良好耐电压性能的功率器件模组已经成为业界共同追求的目标。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种具有良好散热能力和耐电压性能的功率器件模组及其制备方法。
为了达到上述的主要目的及其他目的,本发明的第一方面提供了一种具有电绝缘散热体的功率器件模组,其特征在于包括:
树脂封装体;
功率器件,设置在树脂封装体内;其中,功率器件具有相对设置的第一表面和第二表面,功率器件第一表面的引脚与设置在树脂封装体中的导电图形焊接连接,功率器件第二表面的引脚与导电图形之间通过位于树脂封装体内的金属连接件电性连接;
第一电绝缘散热体,其与导电图形热连接,并在器件模组的厚度方向上与功率器件至少部分重叠;
第二电绝缘散热体,其相邻于金属连接件的表面具有金属连接层,金属连接层与金属连接件焊接连接,且第二电绝缘散热体在器件模组的厚度方向上与功率器件至少部分重叠。
本发明中,树脂封装体可以为例如酚醛树脂、环氧树脂、聚苯醚、双顺丁烯二酸酰亚胺/三嗪树脂、聚酰亚胺、聚四氟乙烯、氰酸酯、聚烯烃、聚酯等树脂材质;树脂封装体中可以混合有改性材料或添加剂,例如陶瓷、石墨等导热颗粒。树脂封装体优选通过模具注塑工艺成型。
在本发明的一些具体实施例中,第一电绝缘散热体和/或第二电绝缘散热体具有直接露出于树脂封装体的散热表面。优选地,第一电绝缘散热体和第二电绝缘散热体的散热表面与位于其同侧的树脂封装体表面相平齐。
在本发明的另一些具体实施例中,第一电绝缘散热体和/或第二电绝缘散热体远离功率器件的表面具有金属散热层,该金属散热层露出于树脂封装体。这样的好处在于,金属散热层可以方便地与外部散热器热连接(例如焊接连接),以通过外部散热器进一步散热。优选地,该金属散热层的表面与位于其同侧的树脂封装体表面相平齐。
在本发明的又一些具体实施例中,第一电绝缘散热体和/或第二电绝缘散热体远离功率器件的表面具有第一金属散热层;功率器件模组还具有覆盖第一金属散热层并由第一金属散热层表面延伸至树脂封装体表面的第二金属散热层。
上述技术方案中,第二金属散热层的设置可以增大功率器件模组的散热面积,以便于通过第二金属散热层快速散热。另外,由于第二金属散热层具有相对较大的表面积,当第二金属散热层连接至外部散热器时,其可以降低功率器件模组和外部散热器之间的热阻。
根据本发明的一种具体实施方式,第一电绝缘散热体与导电图形直接连接或通过导热粘着材料粘结连接;优选地,第一电绝缘散热体相邻于导电图形一侧的表面具有第二金属连接层,第二金属连接层与导电图形焊接连接。
根据本发明的一种具体实施方式,导电图形的厚度为0.1毫米至5毫米;优选地,导电图形的厚度为0.5毫米至5毫米。由此,器件模组能够以更小的布线面积承载更大的电流,便于其小型化,这是现有技术中很多功率器件模组所不能达到的。
根据本发明的一种具体实施方式,所述功率器件为IGBT或MOSFET器件;第一和第二电绝缘散热体的材质可以为砷化硼、钻石或陶瓷,且第一和第二电绝缘散热体的材质可以相同或不同。
为达上述主要目的及其他目的,本发明的第二方面提供了一种制备上述功率器件模组的制备方法,其包括如下步骤:
S11:制作裸导电图形;
S13:将第一电绝缘散热体固定至裸导电图形的预定位置;
S15:将裸导电图形和第一电绝缘散热体放置到第一注塑模具型腔内,然后向第一模具型腔内注射树脂而成型第一树脂封装体,导电图形则露出于第一树脂封装体;
S17:将功率器件第一表面的引脚焊接至导电图形,将金属连接件分别焊接至导电图形和功率器件第二表面的引脚,并将形成在第二电绝缘散热体表面的金属连接层焊接至金属连接件;
S19:将步骤S17所得的功率器件模组放置到第二注塑模具型腔内,然后向第二模具型腔内注射树脂而得到第二树脂封装体,第一树脂封装体和第二树脂封装体构成所述的树脂封装体。其中,第一树脂封装体和第二树脂封装体的材质可以相同或不同。
根据本发明制备方法的一种具体实施方式,第一电绝缘散热体的材质为陶瓷;步骤S12中,利用陶瓷烧结工艺在裸导电图形的预定位置上烧结成型第一电绝缘散热体。
根据本发明制备方法的另一具体实施方式,第二电绝缘散热体远离功率器件的表面具有第一金属散热层;该制备方法还包括形成第二金属散热层的步骤,该第二金属散热层覆盖第一金属散热层并由第一金属散热层表面延伸至树脂封装体表面。
本发明中,功率器件模组包括设置在功率器件相对两侧的第一电绝缘散热体和第二电绝缘散热体,功率器件工作时所产生的热量可经第一电绝缘散热体和第二电绝缘散热体双向扩散,从而使得本发明的功率器件模组具有极佳的散热性能。另外,通过采用第一电绝缘散热体和第二电绝缘散热体进行散热,还使得本发明的功率器件模组具有极佳的耐电压性能。
本发明中,利用模具注塑工艺成型封装功率器件的树脂封装体,具有制作工艺简单、生产效率和良品率高、成本低的优点。特别地,树脂封装体通过两次模具注塑工艺成型,可以使得树脂封装体对封装在其内部的元件之间的间隙(尤其是裸导电图形之间的间隙)进行充分填充,从而保证模组的耐电压性能及良品率。
为了更清楚地说明本发明的目的、技术方案和优点,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
需说明的是,为了清楚地示意所要表达的结构,附图中的不同部分可能并非以相同比例描绘,因此,除非明确指出,否则附图所表达的内容并不构成对各部分尺寸、比例关系的限制。
附图说明
图1是本发明功率器件模组实施例1的结构示意图;
图2是图1所示功率器件模组的制备方法实施例中在裸导电图形上制作第一陶瓷散热体的结构示意图;
图3是图1所示功率器件模组的制备方法实施例中进行第一次树脂注塑成型工艺后的结构示意图;
图4是图1所示功率器件模组的制备方法实施例中在完成功率器件、金属连接件和第二陶瓷散热体焊接后的结构示意图;
图5是本发明功率器件模组实施例2的结构示意图;
图6是本发明功率器件模组实施例3的结构示意图;
图7是本发明功率器件模组实施例4的结构示意图;
图8是本发明功率器件模组实施例5的结构示意图;
图9是图8所示功率器件模组的制备方法实施例中在裸导电图形上固定第一陶瓷散热体的结构示意图;
图10是图8所示功率器件模组的制备方法实施例中进行第一次树脂注塑成型工艺后的结构示意图;
图11是图8所示功率器件模组的制备方法实施例中在完成功率器件、金属连接件和第二陶瓷散热体焊接后的结构示意图;
图12是本发明功率器件模组实施例6的结构示意图;
图13是本发明功率器件模组实施例7的结构示意图;
图14是本发明功率器件模组实施例8的结构示意图。
具体实施方式
功率器件模组及其制备方法实施例1
请参阅图1,实施例1的功率器件模组包括树脂封装体10和封装在树脂封装体10内的功率器件20;功率器件20为IGBT器件,功率器件20的第一表面具有S极引脚、D极引脚和G极引脚,功率器件20的第二表面具有TPAD引脚,功率器件20的引脚S、引脚G和引脚D焊接至位于树脂封装体10内的导电图形30;其中,导电图形30的材质为铜,其厚度可以为0.1毫米至5毫米,例如1毫米、1.5毫米、2.5毫米和4毫米。导电图形30的厚度大于0.1毫米,从而能够负载相对较大的电流,并减少所需的布线面积,便于模组的小型化。
具体地,导电图形30包括相互分离的第一导电线路31、第二导电线路32和第三导电线路33,引脚S焊接至第一导电线路31,引脚G焊接至第二导电线路32,引脚D焊接至第三导电线路33。树脂封装体10内还封装有大致呈L形的金属连接件40,其通过对铜板进行例如弯折加工而成型;金属连接件40分别与功率器件20的TPAD引脚和第一导电线路31焊接,从而在TPAD引脚和S引脚之间建立电性连接。
虽然图中未示出,但本发明中导电图形30可以具有延伸至树脂封装体10外部的电连接端子,或者器件模组具有与导电图形30焊接连接并延伸至树脂封装体10外部的电连接端子;另外,树脂封装体10内部还可以封装有例如电容、电阻等的其他电路元件。
请继续参阅图1,树脂封装体10中还嵌设有第一陶瓷散热体51和第二陶瓷散热体52。具体地,第一陶瓷散热体51的其中一个表面与导电图形30直接连接,相对的另一个表面露出于树脂封装体10,且第一陶瓷散热体51的外露表面和位于其同侧的树脂封装体10表面大致平齐。第一陶瓷散热体51在器件模组的厚度方向上与功率器件20至少部分重叠,由此功率器件20工作时所产生的热量可快速地通过导电图形30传输至第一陶瓷散热体51。第一陶瓷散热体51可以为烧结温度低于铜熔点的低温烧结陶瓷。
第二陶瓷散热体52相邻于金属连接件40的表面具有金属连接层521,金属连接层521与金属连接件40焊接连接;其中,金属连接层521可以包括铜层以及连接铜层和第二陶瓷散热体的中间金属层(例如铬层、钛层),金属连接层521的厚度可以为例如10微米至50微米。
第二陶瓷散热体52远离功率器件20的表面具有金属散热层522,金属散热层522可以包括铜层以及连接铜层和第二陶瓷散热体的中间金属层(例如铬层、钛层),金属散热层522的厚度可以为例如10微米至50微米。金属散热层522露出于树脂封装体10,且金属散热层522的外露表面和位于其同侧的树脂封装体10表面大致平齐。
第二陶瓷散热体52在器件模组的厚度方向上与功率器件20至少部分重叠,由此功率器件20工作时所产生的热量可快速地通过金属连接件30和金属连接层521传输至第二陶瓷散热体52,并进一步通过金属散热层522向器件模组外部扩散。第二陶瓷散热体52可以为例如氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷、碳化硅陶瓷等适于作为导热介质且电绝缘的陶瓷。
以下,对功率器件模组实施例1的制备方法实施例进行说明:
首先,制作裸导电图形30;其中,导电图形30可以采用分割铜板(例如机械切割、电火花线切割或激光切割、模具冲切)的方式制作,具有生产效率高的优点;
然后,如图2所示,在预先制备好且具有裸导体形式的导电图形30的预定位置放置待烧结的低温烧结陶瓷胚体,然后采用低温烧结工艺对其进行烧结而形成与导电图形30直接连接的第一陶瓷散热体51;或者,利用导热粘着材料将预先成型好的第一陶瓷散热体51固定到导电图形30的预定位置。
接着,将导电图形30和第一陶瓷散热体51放置到第一注塑模具(图未示)型腔内,然后向第一模具型腔内注射树脂而成型第一树脂封装体11;其中,导电图形30用于连接功率器件20的表面和第一陶瓷散热体51远离导电图形30的表面均露出于第一树脂封装体11,并与第一树脂封装体11的相应表面平齐设置,所得结构如图3所示。
接着,请参阅图4,将功率器件20第一表面的引脚焊接至导电图形30的相应导电线路上,将金属连接件40分别焊接至将功率器件20第二表面的TPAD引脚和第一导电线路31,并将两个相对表面分别具有金属连接层521和金属散热层522的第二陶瓷散热体52焊接至金属连接件40(陶瓷散热体52通过金属连接层521与金属连接件40焊接连接)。其中,可以依次进行功率器件20、金属连接件40和金属连接层521的焊接连接,或者先将陶瓷散热体52和功率器件20分别焊接到金属连接件40,然后再将金属连接件40和功率器件20焊接至导电图形30。
在完成上述焊接作业后,将功率器件模组放置到第二注塑模具(图中未示出)型腔内,然后向第二模具型腔内注射树脂而得到第二树脂封装体,第一树脂封装体11和第二树脂封装体构成图1所示的树脂封装体10(即第二树脂封装体为树脂封装体10中除第一树脂封装体11之外的部分)。其中,第一树脂封装体11和第二树脂封装体的材质可以相同或不同。
功率器件模组实施例2
参见图5所示,功率器件模组实施例2与实施例1的区别在于,功率器件模组实施例2还具有覆盖金属散热层522并由金属散热层522表面延伸至树脂封装体10表面的金属散热层523,金属散热层523与金属散热层522连接,从而增大模组的散热面积。
相应地,功率器件模组实施例2的制备方法还包括形成金属散热层523的步骤,金属散热层523可以通过同时在金属散热层522和树脂封装体10表面依次进行化学镀铜工艺和电镀铜工艺制备而成,其厚度可以为例如10微米至50微米,例如大约30微米。
功率器件模组实施例3
参见图6所示,功率器件模组实施例3与实施例1的区别在于,功率器件模组实施例3中第二陶瓷散热体52远离功率器件20的表面露出于树脂封装体10,且第二陶瓷散热体52的外露表面和位于其同侧的树脂封装体10表面大致平齐。
功率器件模组实施例4
参见图7所示,功率器件模组实施例4与实施例2的区别在于,功率器件模组实施例4中的功率器件20为另一种结构的IGBT器件,其具有位于其第一表面的G极引脚和S极引脚、以及位于其第二表面的D极引脚;金属连接件40在D极引脚和导电图形30的第一导电线路31之间建立电连接,G极引脚与第二导电线路32电连接,S极引脚与第三导电线路33电连接。
功率器件模组及其制备方法实施例5
请参阅图8,实施例5的功率器件模组包括树脂封装体10和封装在树脂封装体10内的功率器件20;功率器件20为IGBT器件,功率器件20的第一表面具有S极引脚、D极引脚和G极引脚,功率器件20的第二表面具有TPAD引脚,功率器件20的引脚S、引脚G和引脚D焊接至位于树脂封装体10内的导电图形30;具体地,导电图形30包括相互分离的第一导电线路31、第二导电线路32和第三导电线路33,引脚S焊接至第一导电线路31,引脚G焊接至第二导电线路32,引脚D焊接至第三导电线路33。其中,树脂封装体10内还封装有大致呈L形的金属连接件40,其通过对铜板进行例如弯折加工而成型;金属连接件40分别与功率器件20的TPAD引脚和第一导电线路31焊接,从而在TPAD引脚和S引脚之间建立电性连接。
树脂封装体10中还嵌设有第一陶瓷散热体51和第二陶瓷散热体52。具体地,第一陶瓷散热体51的相邻于导电图形30的表面具有金属连接层511,金属连接层511与导电图形30焊接连接;第一陶瓷散热体51远离功率器件20的表面具有金属散热层512,金属散热层512露出于树脂封装体10,且金属散热层512的外露表面和位于其同侧的树脂封装体10表面大致平齐。第一陶瓷散热体51在器件模组的厚度方向上与功率器件20至少部分重叠,由此功率器件20工作时所产生的热量可快速地通过导电图形30和金属连接层511传输至第一陶瓷散热体51,并通过金属散热层512向外扩散。
第二陶瓷散热体52相邻于金属连接件40的表面具有金属连接层521,金属连接层521与金属连接件40焊接连接;第二陶瓷散热体52远离功率器件20的表面具有金属散热层522,金属散热层522露出于树脂封装体10,且金属散热层522的外露表面和位于其同侧的树脂封装体10表面大致平齐。第二陶瓷散热体52在器件模组的厚度方向上与功率器件20至少部分重叠,由此功率器件20工作时所产生的热量可快速地通过金属连接件30和金属连接层521传输至第二陶瓷散热体52,并通过金属散热层522向器件模组外部扩散。
本实施例中,金属连接层511和521以及金属散热层512和522均包括铜层以及连接铜层和陶瓷散热体的中间金属层(例如铬层、钛层),金属连接层511和521以及金属散热层512和522的厚度可以为例如10微米至50微米。第一陶瓷散热体51和第二陶瓷散热体52可以为例如氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷、碳化硅陶瓷等适于作为导热介质的陶瓷。
以下,对功率器件模组实施例5的制备方法实施例进行说明:
首先,制作裸导电图形30;其中,导电图形30可以采用分割铜板(例如机械切割、电火花线切割或激光切割、模具冲切)的方式制作;
然后,如图9所示,将两个相对表面分别具有金属连接层511和金属散热层512的第一陶瓷散热体51固定至导电图形30的预定位置;具体地,将金属连接层511焊接至导电图形30,以实现第一陶瓷散热体51和导电图形30的固定连接;
接着,将导电图形30和第一陶瓷散热体51放置到第一注塑模具(图未示)型腔内,然后向第一模具型腔内注射树脂而成型第一树脂封装体11;其中,导电图形30用于连接功率器件20的表面和第一陶瓷散热体51远离导电图形30表面的金属散热层512均露出于第一树脂封装体11,并与第一树脂封装体11的相应表面平齐设置,所得结构如图10所示。
接着,请参阅图11,将功率器件20第一表面的引脚焊接至导电图形30的相应导电线路上,将金属连接件40分别焊接至将功率器件20第二表面的TPAD引脚和第一导电线路31,并将两个相对表面分别具有金属连接层521和金属散热层522的第二陶瓷散热体52焊接至金属连接件40(陶瓷散热体52通过金属连接层521与金属连接件40焊接连接)。其中,可以依次进行功率器件20、金属连接件40和金属连接层521的焊接连接,或者先将陶瓷散热体52和功率器件20分别焊接到金属连接件40,然后再将金属连接件40和功率器件20焊接至导电图形30。
在完成上述焊接作业后,将功率器件模组放置到第二注塑模具(图中未示出)型腔内,然后向第二模具型腔内注射树脂而得到第二树脂封装体,第一树脂封装体11和第二树脂封装体构成图8所示的树脂封装体10(即第二树脂封装体为树脂封装体10中除第一树脂封装体11之外的部分)。
容易理解,实施例8中第一陶瓷散热体51和第二陶瓷散热体52可以由其他的电绝缘散热体替代,该电绝缘散热体例如是钻石或单晶砷化硼。
功率器件模组实施例6
参见图12所示,功率器件模组实施例6与实施例5的区别在于,功率器件模组实施例6中的功率器件20为另一种结构的IGBT器件,其具有位于其第一表面的G极引脚和S极引脚、以及位于其第二表面的D极引脚;金属连接件40在D极引脚和导电图形30的第一导电线路31之间建立电连接,G极引脚与第二导电线路32电连接,S极引脚与第三导电线路33电连接。
功率器件模组实施例7
参见图13所示,功率器件模组实施例7与实施例5的区别在于,功率器件模组实施例7还具有覆盖金属散热层522并由金属散热层522表面延伸至树脂封装体10表面的金属散热层523,以及覆盖金属散热层512并由金属散热层512表面延伸至树脂封装体10表面的金属散热层513,金属散热层513和金属散热层523可有效增大模组的散热面积。
相应地,功率器件模组实施例7的制备方法还包括形成金属散热层513和523的步骤,金属散热层513可以通过同时在金属散热层512和树脂封装体10表面依次进行化学镀铜工艺和电镀铜工艺制备而成,金属散热层523则可以通过同时在金属散热层522和树脂封装体10表面依次进行化学镀铜工艺和电镀铜工艺制备而成;金属散热层513和金属散热层523的厚度可以为例如10微米至50微米,例如大约30微米。
功率器件模组实施例8
参见图14所示,功率器件模组实施例8与实施例5的区别在于,功率器件模组实施例8中第一陶瓷散热体51远离功率器件20的表面露出于树脂封装体10,且第一陶瓷散热体51的外露表面和位于其同侧的树脂封装体10表面大致平齐;第二陶瓷散热体52远离功率器件20的表面露出于树脂封装体10,且第二陶瓷散热体52的外露表面和位于其同侧的树脂封装体10表面大致平齐。
虽然本发明以具体实施例揭露如上,但该等实施例并非用以限定本发明的实施及保护范围。任何本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的发明范围内,当可作些许的改变或替换,即凡是依照本发明所做的同等改进,应为本发明权利要求的保护范围所涵盖。
Claims (10)
1.一种具有电绝缘散热体的功率器件模组,其特征在于包括:
树脂封装体,通过模具注塑工艺成型;
功率器件,设置在所述树脂封装体内;其中,所述功率器件具有相对设置的第一表面和第二表面,所述功率器件第一表面的引脚与设置在所述树脂封装体中的裸导电图形焊接连接,所述功率器件第二表面的引脚与所述裸导电图形之间通过位于所述树脂封装体内的金属连接件电性连接;所述裸导电图形采用分割铜板的方式制作而成;
第一电绝缘散热体,其与所述裸导电图形热连接,并在所述功率器件模组的厚度方向上与所述功率器件至少部分重叠;
第二电绝缘散热体,其相邻于所述金属连接件的表面具有金属连接层,所述金属连接层与所述金属连接件焊接连接,且所述第二电绝缘散热体在所述功率器件模组的厚度方向上与所述功率器件至少部分重叠。
2.如权利要求1所述的功率器件模组,其特征在于:所述第一电绝缘散热体和/或所述第二电绝缘散热体具有直接露出于所述树脂封装体的散热表面。
3.如权利要求1所述的功率器件模组,其特征在于:所述第一电绝缘散热体和/或所述第二电绝缘散热体远离所述功率器件的表面具有金属散热层,所述金属散热层露出于所述树脂封装体。
4.如权利要求1所述的功率器件模组,其特征在于:所述第一电绝缘散热体和/或所述第二电绝缘散热体远离所述功率器件的表面具有第一金属散热层;所述功率器件模组还具有覆盖所述第一金属散热层并由所述第一金属散热层表面延伸至所述树脂封装体表面的第二金属散热层。
5.如权利要求1所述的功率器件模组,其特征在于:所述第一电绝缘散热体与所述裸导电图形直接连接或通过导热粘着材料粘结连接;或者,所述第一电绝缘散热体相邻于所述裸导电图形一侧的表面具有第二金属连接层,所述第二金属连接层与所述裸导电图形焊接连接。
6.如权利要求1所述的功率器件模组,其特征在于:所述裸导电图形的厚度为0 .1毫米至5毫米。
7.如权利要求1所述的功率器件模组,其特征在于:所述功率器件为IGBT或MOSFET器件;所述第一电绝缘散热体和所述第二电绝缘散热体的材质为砷化硼、钻石或陶瓷。
8.一种制备如权利要求1所述功率器件模组的方法,其特征在于包括:
S11:制作裸导电图形;
S13:将第一电绝缘散热体固定至所述裸导电图形的预定位置;
S15:将所述裸导电图形和所述第一电绝缘散热体放置到第一注塑模具型腔内,然后向所述第一注塑模具型腔内注射树脂而成型第一树脂封装体,所述裸导电图形则露出于所述第一树脂封装体;
S17:将所述功率器件第一表面的引脚和所述裸导电图形焊接连接,将所述金属连接件分别焊接至所述裸导电图形和所述功率器件第二表面的引脚,并将形成在所述第二电绝缘散热体表面的金属连接层焊接至所述金属连接件;
S19:将步骤S17所得的功率器件模组放置到第二注塑模具型腔内,然后向所述第二注塑模具型腔内注射树脂而得到第二树脂封装体,所述第一树脂封装体和所述第二树脂封装体构成所述树脂封装体。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于:所述第一电绝缘散热体的材质为陶瓷;
步骤S13中,利用陶瓷烧结工艺在所述裸导电图形的预定位置上烧结成型所述第一电绝缘散热体。
10.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于:所述第二电绝缘散热体远离所述功率器件的表面具有第一金属散热层;所述制备方法还包括形成第二金属散热层的步骤,所述第二金属散热层覆盖所述第一金属散热层并由所述第一金属散热层表面延伸至所述树脂封装体表面。
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