CN110350929A - 射频集成电路、接收器和控制接收器的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了射频(RF)集成电路、接收器和控制接收器的方法。所述接收器包括支持载波聚合(CA)的放大电路。放大电路包括第一放大器电路,第一放大电路被配置为在块节点处接收来自外部源的射频(RF)输入信号,放大RF输入信号,并将放大后的RF输入信号作为第一RF输出信号输出。所述块节点是所述放大电路的输入节点。第一放大器电路包括:第一放大器,被配置为通过第一输入节点接收RF输入信号以放大RF输入信号;以及第一反馈电路,其耦合在第一输入节点和第一放大器的第一内部放大节点之间以向第一放大器提供反馈。

Description

射频集成电路、接收器和控制接收器的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年4月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0039334的优先权的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明构思涉及一种支持载波聚合的接收器,更具体地,涉及一种用于放大接收的RF输入信号并将放大后的RF输入信号作为RF输出信号输出的射频(RF)集成电路,以及包括该RF集成电路的接收器。
背景技术
无线通信设备通过在特定载波上发送数据来调制RF信号,放大经调制的RF信号,并将放大后的经调制的RF信号发送到无线通信网络。另外,无线通信设备可以从无线通信网络接收RF信号,放大接收的RF信号,并解调放大后的RF信号。为了发送和接收更多数据,无线通信设备可以支持载波聚合,其涉及用多个载波调制的RF信号的发送和接收。通常,用于支持载波聚合的无线通信设备的接收器(或收发器)包括天线接口电路(或RF前端模块)和RF集成电路,天线接口电路(或RF前端模块)用于通过频带对通过天线接收的RF信号进行滤波来生成RF输入信号,RF集成电路用于放大RF输入信号并将放大后的RF输入信号作为RF输出信号输出。
当无线通信设备支持载波聚合时,可能需要用于防止由于噪声引起的劣化的RF集成电路或者提供与RF输入信号的放大相关的放大增益特性。此外,需要一种与不同制造商的天线接口电路兼容的RF集成电路。
发明内容
本发明构思的至少一个实施例提供了一种支持载波聚合的射频(RF)集成电路以及包括该RF集成电路的接收器,该射频(RF)集成电路具有改进的噪声特性或放大增益特性,并且与各种天线接口电路兼容。
根据本发明构思的示例性实施例,提供了一种接收器,其包括支持载波聚合(CA)的放大电路。所述放大电路包括第一放大器电路,所述第一放大器电路被配置为在块节点处接收来自外部源的射频(RF)输入信号,放大所述RF输入信号,并将放大后的RF输入信号作为第一RF输出信号输出。所述块节点是所述放大电路的输入节点。所述第一放大器电路包括:第一放大器,所述第一放大器被配置为通过第一输入节点接收所述RF输入信号,以放大所述RF输入信号;以及第一反馈电路,所述第一反馈电路耦合在所述第一输入节点和所述第一放大器的第一内部放大节点之间,以向所述第一放大器提供反馈。
根据本发明构思的示例性实施例,提供了一种射频(RF)集成电路,其包括被配置为支持载波聚合的放大电路。所述放大电路包括:第一放大器电路,所述第一放大器电路被配置为在块节点处接收来自外部源的RF输入信号。所述块节点是所述放大电路的输入节点。所述第一放大器电路包括第一放大器,所述第一放大器被配置为放大所述RF输入信号,并将放大后的RF输入信号作为第一RF输出信号输出。所述第一放大器电路包括耦合在接收所述RF输入信号的所述第一放大器的第一输入节点和所述第一放大器的第一内部放大节点之间的反馈电路。所述反馈电路被配置为根据所述RF集成电路的模式是被设置为宽带模式还是窄带模式,来选择性地向所述第一放大器提供反馈。
根据本发明构思的示例性实施例,提供了一种控制接收器的方法。所述方法包括:基于天线接口电路的配置,将所述接收器的操作模式确定为窄带模式和宽带模式之一;根据所确定的模式设置第一控制信号;将所述第一控制信号输出到所述接收器,以启用或禁用所述接收器的反馈电路;以及将所述接收器连接到所述天线接口电路。所述接收器包括放大器,所述放大器被配置为通过输入节点接收射频(RF)输入信号并放大所接收的RF输入信号。所述反馈电路连接在所述输入节点和所述放大器的内部放大节点之间,以向所述放大器提供反馈。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述,将更清楚地理解本发明构思的实施例,其中:
图1是示出用于执行无线通信操作的无线通信设备和包括该无线通信设备的无线通信系统的图;
图2A至图2D及图3A和图3B是用于说明载波聚合(CA)的描述的图;
图4是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1的无线通信设备的框图;
图5A和图5B是用于说明接收器中包括的天线接口电路的实施例的图;
图6A是具体示出图5A的CA低噪声放大器(LNA)和输出电路的框图,图6B是具体示出图5B的多输入多输出(MIMO)LNA和输出电路的框图;
图7A是用于说明带间CA中的接收器的操作的图,图7B是用于说明带内CA中的接收器的操作的图;
图8A至8C是示出图6A的放大块的实施例的框图;
图9A和9B是示出图6A的放大块中包括的多个放大器电路的实施例的框图;
图10是示出包括在图6A的放大块中的与各种接口电路兼容的多个放大器电路的实施例的框图;
图11A和图11B是示出图6A的放大块中包括的多个放大器电路的实施例的框图;
图12A和12B是示出图6A的放大块中包括的与各种接口电路兼容的多个放大器电路的实施例的框图;
图13是用于说明根据本发明构思的实施例的放大块的图,图14A是用于说明放大块在宽带模式下的操作的视图,图14B是用于说明放大块在窄带模式下的操作的图;
图15是根据本发明构思的示例性实施例的无线通信设备的图;以及
图16是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造接收器的方法的流程图。
具体实施方式
下面,将参照附图详细描述本发明构思的实施例。
图1是示出用于执行无线通信操作的无线通信设备100和包括无线通信设备100的无线通信系统10的图。
参照图1,无线通信系统10可以是长期演进(LTE)系统、码分多址(CDMA)系统、全球移动通信(GSM)系统和无线局域网(WLAN)系统中的任何一种。另外,CDMA系统可以以诸如宽带CDMA(WCDMA)、时分同步CDMA(TD-SCDMA)、CDMA 2000的各种CDMA版本实现。
无线通信系统10可以包括至少两个基站110和112以及系统控制器120。然而,本发明构思的实施例不限于此。例如,无线通信系统10可以包括多个基站和多个网络实体。无线通信设备100可以被称为用户设备(UE)、移动站(MS)、移动终端(MT)、用户终端(UT)、用户站(SS)等。基站110和112可以包括与无线通信设备100和/或其他基站通信的固定站,从而发送和接收包括数据信号和/或控制信息的射频(RF)信号。基站110和112可以被称为节点B、演进节点B(eNB)、基站收发器系统(BTS)、接入点(AP)等。
无线通信设备100可以与无线通信系统10通信,并且可以从广播站114接收信号。此外,无线通信设备100可以从全球导航卫星系统(GNSS)的卫星130接收信号。无线通信设备100可以包括用于执行无线通信(例如,LTE、CDMA 2000、WCDMA、TD-SCDMA、GSM、802.11等)的无线电设备。
在示例性实施例中,无线通信设备100支持用于使用多个载波执行发送和接收操作的载波聚合。无线通信设备100可以在低频带、中频带和高频带中与无线通信系统10进行无线通信。低频带、中频带和高频带中的每一个可以被称为频带组,并且每个频带组可以包括多个频带。例如,在LTE中,一个频带可以覆盖高达20MHz。载波聚合(以下称为CA)可以分为带内CA和带间CA。带内CA指的是使用相同频带内的多个载波执行无线通信操作,带间CA指的是使用多个频带内的多个载波执行无线通信操作。
根据本发明构思的实施例的无线通信设备100的接收器可以包括RF集成电路,该RF集成电路配置为当执行放大操作以处理从外部设备(例如,基站110和112、广播站114和卫星130)接收的RF信号时具有改善的噪声特性或放大增益特性。此外,根据本发明构思的实施例的RF集成电路可以与包括在无线通信设备100中的各种类型的天线接口电路兼容。
图2A至图2D及图3A和图3B是用于说明CA的描述的图。
图2A是带内CA(即,连续载波上的带内CA)的示例性的图。参照图2A,图1的无线通信设备100使用低频带的相同频带中的四个相邻载波发送和接收信号。
图2B是非连续载波上的带内CA的示例性的图。参照图2B,无线通信设备100使用低频带的相同频带内的四个非相邻的载波来执行信号的发送和接收。各个载波可以间隔开,并且可以分别分开例如5MHz、10MHz或其他量。因此,各个载波间隔开的范围可以具有各种频率幅度。
图2C是相同频带组中的频带间CA的示例性的图。参照图2C,无线通信设备100使用包括在相同频带组中的两个频带中的四个载波来执行信号的发送和接收。例如,低频带可以分为低频带1和低频带2,其中四个载波中的两个对应于低频带1,而其余两个载波对应于低频带2。
图2D是跨不同频带组的频带间CA的示例性的图。参照图2D,无线通信设备100使用跨多个不同频带组分布的四个载波来执行信号的发送和接收。具体地,两个载波是包括在低频带中的一个频带中的载波,并且剩余的两个载波是包括在中频带中的一个频带中的载波。
本发明构思不限于图2A至图2D中所示的特定CA。例如,无线通信设备100可以支持用于频带或频带组的CA的各种组合。
参照图3A,为了满足对增加的比特率的需求,存在用于在一个或多个基站处在多个频带上组合并操作的CA的技术。由于用于移动网络的长期演进(LTE)实现了100Mbps的数据传输速度,因此可以在无线环境中平稳地发送和接收大容量视频。图3A示出了通过使用载波集成技术根据LTE标准组合五个频带将数据传输速率增加到5倍的示例。在图3A中,载波1至5中的每一个是由LTE定义的载波,并且在LTE标准中将一个频率带宽定义为高达20MHz。因此,根据本发明构思的实施例的无线通信设备100可以以高达最大100MHz的带宽来改善数据速率。
图3A示出了仅组合在LTE中定义的载波的示例,但是本发明构思不限于此。如图3B中所示,不同无线通信网络的载波也可以彼此组合。参照图3B,通过使用载波聚合技术来组合频带,可以将不仅基于LTE而且基于3G和Wi-Fi标准的频带组合在一起。这样,LTE-A可以采用载波聚合技术来执行更快的数据传输。
图4是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1的无线通信设备100的图。
参照图4,无线通信设备200包括连接到主天线210的收发器220、连接到辅助天线212的收发器250、以及数据处理器(或控制器)280。收发器220包括多个接收器230a-230k和多个发送器240a-240k。收发器250包括多个接收器260a-260l和多个发送器270a-270l。收发器220和250可以被实现为支持多个频带、多个无线电技术、载波聚合(CA)、接收分集、多个发送天线和多个接收天线之间的多输入多输出(MIMO)方案等。
作为示例,接收器230a-230k中的每个接收器可以包括低噪声放大器(LNA)224a-224k和接收电路225a-225k。第一接收器230a的配置可以应用于其他接收器230b-230k和260a-260l。在下文中,将主要描述第一接收器230a的配置。为了接收数据,主天线210可以从基站和/或发射机站等接收RF信号。主天线210可以将接收到的RF信号作为通过诸如频率滤波的操作产生的RF输入信号路由到通过天线接口电路222选择的接收器。天线接口电路222可以包括开关元件、双工器、滤波器电路、输入匹配电路等。天线接口电路222可以实现为RF前端模块。尽管图4的天线接口电路222被示出为包括在收发器220中,但是天线接口电路222不限于此。例如,天线接口电路222可以位于收发器220外部的单独的RF前端模块中。在一个实施例中,LNA 224a放大接收的RF输入信号并将放大后的RF输出信号提供给接收电路225a。
根据本发明构思的实施例的LNA 224a包括能够在对RF输入信号的放大操作期间改善噪声特性或放大增益特性的反馈电路。另外,LNA 224a可以包括被配置为与天线接口电路222兼容的电路配置和各种不同类型的天线接口电路,以执行高效的放大操作。
在一个实施例中,接收电路225a将从LNA 224a接收的RF输出信号从RF频带下变频到基带以产生基带信号。接收电路225a可以被称为输出电路,其被配置为输出RF输出信号。接收电路225a可以对基带信号进行放大和滤波,以将经过放大和滤波的基带信号提供给数据处理器280。接收电路225a可以包括混频器、滤波器、放大器、振荡器、本地振荡发生器、锁相环(PLL)电路等等。
作为示例,发送器240a至240k中的每个可以包括功率放大器226a-226k和发送电路227a-227k。第一发送器240a的配置可以应用于其他发送器240b至240k和270a至270l。例如,发送器270a至270l中的每个可以包括功率放大器256a-256l和发送电路257a-2571。在下文中,将主要描述第一发送器240a的配置。对于数据传输,数据处理器280可以对要发送的数据进行处理(例如,数据编码、数据调制),以将处理后的模拟输出信号提供给所选择的发送器。
在一个实施例中,发送电路227a将模拟输出信号从基带上变频到RF频带,并对上变频的输出信号进行放大和滤波,以产生经调制的RF信号。发送电路227a可以包括放大器、滤波器、混频器、输入匹配电路、振荡器、本地(LO)振荡器、PLL电路等。在一个实施例中,功率放大器226a接收并放大经调制的RF信号,以通过天线接口电路222向主天线210提供具有适当的输出功率水平的发送RF信号。通过主天线210调制的RF信号可以发送到基站等。
收发器220和250的全部或一部分可以实现为模拟集成电路、RF集成电路或混合信号集成电路。例如,LNA 224a-224k和254a-2541以及接收电路225a-225k和255a-2551可以实现为一个模块(例如,RF集成电路)。另外,收发器220和250的电路配置可以以各种方式实现。
图5A和图5B是用于说明包括在接收器300a和300b中的天线接口电路320a和320b的实现示例的图。
参照图5A,接收器300a包括天线310a、天线接口电路320a、能够支持载波聚合(CA)的CA LNA 330a、以及多个输出电路340a_1至340a_m。CA LNA 330a可以应用于图4的LNA224和254中的至少一个。包括CA LNA330a和输出电路340a_1至340a_m的配置可以被定义为RF集成电路。CA LNA 330a可以包括单个输入单元和多个(M个)输出单元。接收器300a可以使用相同频带或不同频带中的至少一个载波来接收通过天线310a发送的RF信号(或下行链路信号)。天线310a将接收的RF信号提供给天线接口电路320a。
天线接口电路320a包括多个开关单元(或多路复用器)321a和324a、多个相移电路(PS)322a_1至322a_n、多个双工器323a_1至323a_n以及外部放大器325a(或外部LNA_E)。开关单元321a和324a分别包括开关元件SW11至SW1n和开关元件SW21至SW2n。第一开关单元321a可以将RF信号路由到相移电路322a_1至322a_n中的每一个。相移电路322a_1至322a_n中的每一个将路由的RF信号移位预定相位,以将移位的RF信号提供给相应的双工器323a_1至323a_n中的每一个。在示例性实施例中,相移电路322a_1至322a_n中的每一个将路由的RF信号移位不同的角度。在一个实施例中,双工器323a_1至323a_n中的每一个通过频带对提供的RF信号进行滤波。双工器323a_1至323a_n可以包括分别具有不同的滤波频带的滤波器。例如,根据给定的滤波频带而滤波的RF信号可以滤出滤波频带之外的分量。第二开关单元324a将滤波的RF信号路由到外部放大器325a。外部放大器325a放大滤波的RF信号,并将放大后的经滤波的RF信号作为RF输入信号RFIN输出到CA LNA 330a。尽管未在图5A中示出,但天线接口电路320a还可以包括用于天线310a和CA LNA 330a之间的阻抗匹配的阻抗匹配电路。
CA LNA 330a可以通过一个端口连接到天线接口电路320a,以接收RF输入信号RFIN。由于CA LNA 330a接收的RF输入信号RFIN的频谱宽,因此CA LNA 330a可以包括能够高效地放大宽带RF输入信号RFIN的电路配置。将参照图6A描述CA LNA 330a的详细电路配置。
CA LNA 330a可以放大来自连续载波上的带内CA或带内非CA(即,非连续载波上的带内CA)的RF输入信号RFIN,以通过一个LNA输出端子输出一个RF输出信号。或者,CA LNA330a可以放大来自M个载波上的带内CA的RF输入信号RFIN,以通过M个LNA输出单元输出放大后的M个RF输出信号RFOUT1到RFOUTm。CA LNA 330a可以从外部接收模式控制信号XMOD,并且可以基于模式控制信号XMOD在单输出模式或多输出模式下操作。也就是说,模式控制信号XMOD可以是用于控制CA LNA 330a执行与非CA(即,非连续载波上的带内CA)、带间CA和带内CA中的任何一个相对应的放大操作的信号。
在单输出模式中,CA LNA 330a以1-输入、1-输出配置操作,并接收包括由一个载波发送的至少一个信号的RF输入信号RFIN。单输出模式可用于接收在没有CA的情况下由一个载波发送的信号。在多输出模式中,CA LNA 330a可以以一个输入和M个输出的形式操作,因此接收包括由多个载波发送的信号的RF输入信号RFIN,从而将M个RF输出信号RFOUT1至RFOUTm分别输出到M个输出电路340a_1至340a_m。一个RF输出信号可以对应于一个载波。输出电路340a_1至340a_m中的至少一个可以接收RF输出信号,并且可以将接收的RF输出信号进行下变频,以将下变频的RF输出信号作为基带信号输出。输出电路340a_1至340a_m可以对应于图3的接收电路225和255。
参照图5B,接收器300b包括天线310b、天线接口电路320b、能够支持CA的多输入多输出(MIMO)LNA 330b以及多个输出电路340b_1至340b_m。MIMO LNA 330b可以应用于图1的LNA 224和254中的至少一个。包括MIMO LNA 330b和输出电路340b_1至340b_m的配置可以被称为RF集成电路。MIMO LNA 330b可以包括N个多输入单元和M个多输出单元。接收器300b可以使用相同频带或不同频带中的至少一个载波来接收经由天线310b发送的RF信号(或下行链路信号)。天线310b将接收的RF信号提供给天线接口电路320b。
天线接口电路320b包括多个双工器323b_1至323b_n。在一个实施例中,双工器320b_1至320b_n中的每一个通过频带对接收的RF信号进行滤波。双工器320b_1至320b可以分别包括具有不同的滤波频带的滤波器。例如,双工器323b_1可以对RF信号进行滤波以生成使用第一频带内的载波发送的第一RF输入信号RFIN1。另外,第N双工器323b_n可以对RF信号进行滤波,以生成使用第N频带内的至少一个载波发送的第N个RF输入信号RFINn。尽管在图5B中未示出,天线接口电路320b还可以包括用于天线310b和MIMO LNA 330b之间的阻抗匹配的阻抗匹配电路。
MIMO LNA 330b可以通过多个端口(例如,N个端口)耦合到天线接口电路320b,以接收RF输入信号RFIN1至RFINn。由于MIMO LNA 330b通过多个端口接收的RF输入信号RFIN1至RFInn中的每个RF输入信号的频谱窄,因此MIMO LNA 330b可以包括能够分别高效地放大窄带RF输入信号RFIN1至RFINn的电路配置。将参照图6B描述MIMO LNA 330b的详细电路配置。
MIMO LNA 330b可以接收1个到N个RF输入信号RFIN1至RFINn。例如,MIMO LNA 330b不仅可以放大在非CA或带内CA处接收的一个RF输入信号,而且还可以放大在带间CA处接收的N个RF输入信号。MIMO LNA 330b可以放大RF输入信号RFIN1至RFINn以产生1个至M个RF输出信号RFOUT1至RFOUTm,从而分别将放大后的RF输入信号RFIN1至RFINn输出至输出电路340b_1至340b_m。
MIMO LNA 330b可以从外部接收模式控制信号XMOD,并且可以基于模式控制信号XMOD在单输出模式、带内CA模式和带间CA模式中的任何一个模式下操作。在单输出模式下,MIMO LNA 330b以一输入和一输出配置操作。另外,MIMO LNA 330b可以接收包括由一个载波发送的至少一个信号的RF输入信号,并且可以放大所接收的RF输入信号以输出一个RF输出信号。在带内CA模式下,MIMO LNA 330b以一个输入和M个输出配置操作。另外,MIMO LNA330b可以接收通过相同频带中的多个载波发送的RF输入信号,并且可以放大所接收的RF输入信号以分别将1个到M个RF输出信号RFOUT1到RFOUTm输出到M个输出电路340b_1到340b_m。1个RF输出信号可以对应于具有预定频率的载波。在带间CA模式下,MIMO LNA 330b以N个输入和M个输出的形式操作。输出电路340b_1至340b_m中的至少一个可以接收RF输出信号,并且可以将接收的RF输出信号进行下变频以将其输出为基带信号。
然而,本发明构思不限于图5A和图5B中所示的天线接口电路320a和320b。例如,天线接口电路320a或320b可以替换为不同配置的天线接口电路。
图6A是具体示出图5A中的CA LNA 330a和输出电路340a_1至340a_m的框图,图6B是具体示出图5B中的MIMO LNA 330b和输出电路340b_1至340b_m的框图。包括图6A中的CALNA 330a和输出电路340a_1至340a_m、或者图6B中的MIMO LNA 330b和输出电路340b_1至340b_m的配置可以定义为RF集成电路。
参照图6A,CA LNA 330a包括多个放大块331a_1至331a_n。放大块331a_1至331a_n可以经由一个端口从外部接收RF输入信号RFIN并放大RF输入信号RFIN,以输出RF输出信号RFOUT1至RFOUTm。如图5A所示,RF输入信号RFIN可以具有宽频谱,因此RF集成电路可以以宽带模式操作。
放大块331a_1至331a_n可以分别包括多个放大器电路。包括在放大块331a_1至331a_n中的放大器电路可以分别连接到输出电路340a_1至340a_m。例如,第一放大块331a_1可以包括M个放大器电路,并且这些放大器电路可以与M个输出电路340a_1-340a_m一一对应地连接。第一放大块331a_1和输出电路340a_1至340a_m之间的连接配置可以应用于其余放大块331a_2至331a_n与输出电路340a_1至340a_m之间的连接配置。放大块331a_1至331a_n可以接收模式控制信号XMOD,模式控制信号XMOD能够根据CA操作模式启用或禁用放大块的放大器电路。每个放大器电路可以基于模式控制信号XMOD对RF输入信号RFIN执行放大操作。
根据本发明构思的实施例的放大器电路包括反馈电路FB_CKT,其被配置为提供特定阻抗以将放大器电路的输入阻抗维持在预定范围内并且改善噪声特性或放大增益。例如,在带内CA操作下,由于在一个端口处接收宽带RF输入信号RFIN,所以当RF输入信号RFIN按频率进行放大和分类时,对于RF输入信号RFIN中的信号的每个频率,可能发生信号劣化、功率不平衡等。由于放大器电路包括反馈电路FB_CKT,因此可以减少或消除上述负面影响。
在一个实施例中,放大器电路包括放大器,放大器被配置为经由输入节点接收RF输入信号RFIN并放大所接收的RF输入信号RFIN。在一个实施例中,反馈电路FB_CKT连接在放大器的输入节点和内部放大节点NINT之间,以向放大器提供反馈。放大块331a_1至331a_n可以包括设置有上述反馈电路FB_CKT的至少一个放大器电路。此外,放大块331a_1至331a_n可以包括至少一个放大器电路,该放大器电路设置有配置为被启用和/或禁用的反馈电路FB_CKT。
第一输出电路340a_1包括负载电路341a_11和下变频器电路342a_21。第一输出电路340a_1的配置可以应用于其他输出电路340a_2至340a_m。输出电路340a_1至340a_m中的每一个可以接收RF输出信号RFOUT1至RFOUTm中的任何一个并将其进行下变频,以输出基带信号XBASOUT1至XBASOUTm。在一个实施例中,下变频器电路342a_21接收输入信号并将接收的输入信号转换为与输入信号相比具有较低频率的输出信号。
参照图6B,MIMO LNA 330b包括多个放大块331b_1至331b_n。放大块331b_1至331b_n分别接收并放大RF输入信号RFIN1至RFINn以分别输出RF输出信号RFOUT1至RFOUTm。如图5B所示,由于RF输入信号RFIN1至RFINn中的每一者的频谱窄,所以RF集成电路可以以窄带模式操作。
放大块331b_1至331b_n可以分别包括多个放大器电路。包括在放大块331b_1至331b_n中的放大器电路可以分别连接到输出电路340b_1至340b_m。放大块331b_1至331b_n和输出电路340b_1至340b_m之间的连接配置与图6A中描述的放大块331a_1至331b_n和输出电路340b_1至340b_m之间的连接配置相同,将省略详细描述。
与图6A的放大器电路不同,根据本发明构思的示例性实施例的图6B的放大器电路不包括反馈电路FB_CKT,或者反馈电路FB_CKT被禁用。也就是说,当RF集成电路处于窄带模式时,不使用反馈电路FB_CKT,或者放大器电路被实现为不包括反馈电路FB_CKT。在替换实施例中,放大器电路包括反馈电路FB_CKT,但是被实现为禁用它。
在一个实施例中,放大器电路包括放大器,放大器被配置为经由输入节点接收RF输入信号RFIN并放大所接收的RF输入信号RFIN
第一输出电路340b_1可以包括负载电路341b_11和下变频器电路342b_21。第一输出电路340b_1的配置可以应用于其他输出电路340b_2至340b_m。输出电路340b_1至340b_m可以接收RF输出信号RFOUT1至RFOUTm中的任何一个并将其下变频,以输出基带信号XBASOUT1至XBASOUTm
图7A是用于说明带间CA中的接收器500的操作的图,图7B是用于说明在带内CA中的接收器500的操作的图。
参照图7A,接收器500包括MIMO LNA 540和第一输出电路550_1至第五输出电路550_5,MIMO LNA 540可以包括第一放大块AMPB_1至第八放大块AMPB_8。在下文中,将假设在基站处使用第一频带的第一载波ω1、第三频带的第二载波ω2和第五频带的第三载波ω3来发送RF信号。第一输出电路550_1包括第一负载电路551_1_和第一下变频器电路552_1。第二输出电路550_2包括第二负载电路551_2_和第二下变频器电路552_2。第三输出电路550_3包括第三负载电路551_3_和第三下变频器电路552_3。第四输出电路550_4包括第四负载电路551_4和第四下变频器电路552_4。第五输出电路550_5包括第五负载电路551_5和第五下变频器电路552_5。
首先,启用放大块AMPB_1至AMPB_8中的一些数量的放大块AMPB_1、AMPB_3和AMPB_5,并且启用的放大块AMPB_1、AMPB_3和AMPB_5分别接收与三个载波(即,第一到第三载波)ω1到ω3对应的RF输入信号RFIN1至RFIN3。放大块AMPB_1、AMPB_3和AMPB_5分别放大第一输入信号RFIN1至第三RF输入信号RFIN3,并将放大后的第一RF输出信号RFOUT1至第三RF输出信号RFOUT3分别输出至启用的第一输出电路550_1至第三输出电路550_3。启用的输出电路550_1至550_3可以分别输出与三个载波ω1至ω3对应的基带信号XBASOUT1至XBASOUT3
参照图7B,接收器500包括CA LNA 540和第一输出电路550_1至第五输出电路550_5,并且MIMO LNA 540可以包括第一放大块AMPB_1至第八放大块AMPB_8。在下文中,将假设基站使用第一载波ω1、第二载波ω2和第三载波ω3在相同频带中发送RF信号。如上所述,包括在第一放大块AMPB_1至第八放大块AMPB_8中的至少一个放大器电路可以包括反馈电路。
首先,启用放大块AMPB_1至AMPB_8中的第一放大块AMPB_1,并且启用的放大块AMPB_1放大与第一载波ω1至第三载波ω3对应的第一RF输入信号RFIN1。第一放大块AMPB_1放大第一RF输入信号RFIN1,以将与第一载波ω1对应的第一RF输出信号RFOUT1输出到启用的第一输出电路550_1。另外,第一放大块AMPB_1放大第一RF输入信号RFIN1,以将与第二载波ω2对应的第二RF输出信号RFOUT2输出到启用的第二输出电路550_2。最后,第一放大块AMPB_1放大第一RF输入信号RFIN1,以将与第三载波ω3对应的第三RF输出信号RFOUT3输出到启用的第三输出电路550_3。启用的输出电路550_1至550_3可以分别输出与三个载波ω1至ω3对应的基带信号XBASOUT1至XBASOUT3。在下文中,将描述根据本发明构思的实施例的放大块的详细配置。
图8A至8C是示出图6A中的放大块331a_1至331a_n的配置的实施例的框图。
参照图8A,放大器电路600包括放大器AMP和反馈电路613。放大器AMP包括第一晶体管611和第二晶体管612。在图8A中,第一晶体管611和第二晶体管612用NMOS晶体管实现,但是本发明构思不限于此,并且可以实现各种类型的晶体管。
第一晶体管611的栅极通过放大器AMP的输入节点X接收RF输入信号RFIN。在一个实施例中,第一晶体管611的源极接地,第一晶体管611的漏极耦合到第二晶体管612的源极和放大器AMP的内部放大节点Y。基于模式控制信号XMOD,第二晶体管612的栅极可以接地或接收预定电压VA。通过使用模式控制信号XMOD导通/关断第二晶体管612,可以控制放大器AMP(或放大器电路600)的启用/禁用。RF输出信号RFOUT可以通过第二晶体管612的漏极输出。第一晶体管611和第二晶体管612中的每一个可以实现为共源共栅晶体管(即,诸如电阻、电容、节点或端子的等效电路)。即,第一晶体管611和第二晶体管612串联连接,第一晶体管611可以作为用作输入端子的共源极放大器而操作,第二晶体管612可以作为用作输出端子的共栅极放大器而操作,因此放大器AMP可以作为共源共栅放大器而操作。
根据本发明构思的实施例的反馈电路613耦合在输入节点X和内部放大节点Y之间。反馈电路613可以通过向输入节点X应用内部放大节点Y的输出来向放大器AMP提供反馈。反馈电路613可以被实现为将放大器电路600的输入阻抗保持在特定范围内或者具有特定阻抗,以具有适当的目标阻抗。另外,可以将反馈电路613实现为改善放大器AMP的放大增益的线性度。参照图8B,反馈电路613可以包括至少一个电阻元件RF和至少一个电容器元件CF
参照图8C,放大器电路600还包括接地连接电路614和耦合电容器CC615。接地连接电路614包括开关元件SWb和电感器L。与图8B的反馈电路613相比,图8C的放大器电路600的反馈电路613'还包括开关元件SWa。电感器L可以是源极负反馈电感器,并且电感器L的一个端子可以接地。根据本发明构思的实施例的放大器电路600根据连接到放大器电路的天线接口电路的配置来确定模式,并且基于所确定的模式来控制开关元件SWa和SWb。耦合电容器(CC)615可以具有足够大的电容,以与反馈电路613'相比具有更小的阻抗。放大器电路600不限于图8C中所示的耦合电容器CC 615的布置。耦合电容器CC 615可以连接在输入节点X和第一晶体管611的栅极之间,并且可以与反馈电路613'并联布置。在这种情况下,放大块的输入节点Z和放大器AMP的输入节点X可以是相同的节点。
在一个实施例中,当放大器电路600连接到图5A的天线接口电路320a时,放大器电路600的模式被确定为宽带模式,开关元件Swa接通,并且开关元件SWb接地。当放大器电路600连接到图5B的天线接口电路320b时,放大器电路600的模式被确定为窄带模式,开关元件Swa断路,并且开关元件SWb连接到电感器L的一个端子,电感器L的另一端子连接到接地端子。
即,当放大器电路600的模式处于宽带模式时,可以通过反馈电路613执行阻抗匹配操作以改善放大器AMP的噪声特性,并且反馈电路613可以提供反馈到放大器AMP,从而改善放大器AMP的放大操作的线性度。当放大器电路600的模式处于窄带模式时,可以通过电感器L执行阻抗匹配,以改善放大器AMP的噪声特性。此外,可以通过电感器L改善放大器AMP的放大操作的线性特性。
这样,由于图8C的放大器电路600与各种天线接口电路兼容,所以当执行CA操作时,能够对RF输入信号RFIN执行高效的放大操作。
图9A和9B是示出图6A中的放大块331a_1至331a_n中包括的多个放大器电路的实施例的框图。
参照图9A,放大块700包括第一放大器电路710和第二放大器电路720。第一放大器电路710包括第一放大器AMP1、反馈电路713和第一耦合电容器715。第一放大器电路710放大RF输入信号RFIN并将放大后的信号RFIN作为第一输出信号RFOUT1输出。第二放大器电路720包括第二放大器AMP2和第二耦合电容器725。第二放大器电路720被实现为不包括第一放大器电路710的反馈电路713。因此,第二放大器电路720的配置与第一放大器电路710的配置不同。在8A至图8C中详细描述了第一放大器电路710的配置和第二放大器电路720的配置,在下文中,描述将集中于上面未描述的特征。
在一个实施例中,第二放大器AMP2包括第三晶体管721和第四晶体管722,并且可以对应于共源共栅放大器。第二放大器电路720与第一放大器AMP1的内部放大节点Y串联连接。第二放大器AMP2通过第二放大器AMP2的输入节点接收来自内部放大节点Y的信号,并放大该信号以将放大后的信号作为第二输出信号RFOUT2输出。
在一个实施例中,对应于内部放大节点Y的放大增益具有预定值。也就是说,从内部放大节点Y输出的信号是通过将RF输入信号RFIN放大预定的放大增益而获得的信号。在一个实施例中,第一晶体管711和第二晶体管712的跨导彼此不同,使得对应于内部放大节点Y的放大增益具有预定值。例如,第一晶体管711的跨导可以大于第二晶体管712的跨导,因此内部放大节点Y可以具有大于参照值的放大增益。内部放大节点Y处的放大增益可以表示为-gm1/gm2(其中,gm1是第一晶体管711的跨导,gm2是第二晶体管712的跨导)。通过分别调节晶体管711和712的宽度(或宽度函数),可以将第一晶体管711和第二晶体管712的跨导实现为具有不同的值。
由于第二放大器电路720所接收的信号的输入信号RFIN通过内部放大节点Y被放大了预定放大增益,因此第二放大器电路720输出具有与第一RF输出信号RFOUT1的幅度相同的幅度的第二RF输出信号RFOUT2所消耗的功率可以低于第一放大器电路710输出第一RF输出信号RFOUT1所消耗的功率。在一个实施例中,第二放大器电路720(或第二放大器AMP2)的放大增益不同于第一放大器电路710(或第一放大器AMP1)的放大增益,使得第二RF输出信号RFOUT2的幅度等于第一RF输出信号RFOUT1的幅度。
在一个实施例中,第二放大器电路720的第二放大器AMP2的内部放大节点(即,第三晶体管721的漏极与第四晶体管722的源极连接的节点)的放大增益不同于第一放大器电路710的第一放大器AMP1的内部放大节点Y的放大增益。因此,第一放大器AMP1的第一晶体管711和第二晶体管712之间的跨导比不同于第二放大器AMP2的第三晶体管721和第四晶体管722之间的跨导比。
在一个实施例中,反馈电路713具有足够的阻抗,使得从放大块700的输入端子观察的输入阻抗ZIN1保持在预定范围内,而不管第二放大器电路720是启用还是禁用。此外,由于到第一放大器电路710中的第二晶体管712的源极的输入阻抗ZS远大于到第二放大器电路720中的第三晶体管721的栅极的输入阻抗ZIN2,因此从内部放大节点Y到第三晶体管721的栅极不发生电流泄漏或电流泄漏减少。因此,具有到第一RF输出信号RFOUT1的信号路径的放大增益不受损失的效果。
然而,本发明构思不限于图9A中所示的放大块700。例如,除了第二放大器电路720之外的多个放大器电路可以通过内部放大节点Y并联连接。该多个放大器电路可以与第二放大器电路720的配置相同。
参照图9B,与图9A的放大块700相比,第一放大器电路710和第二放大器电路720还分别包括电流调节电路716和726。电流调节电路716包括晶体管MS1,电流调节电路726包括晶体管MS2。可以通过切换控制信号SWCSa来导通和关断晶体管MS1,并且可以通过切换控制信号SWCSb来导通和关断晶体管MS2。具体地,当需要减小RF输出信号RFOUT1和RFOUT2的幅度时,可以导通晶体管MS1和MS2。当导通晶体管MS1和MS2时,可以分别输出幅度小于晶体管MS1和MS2关断时的幅度的RF输出信号RFOUT1和RFOUT2。可以分别使用电流调节电路716和726来调节第一放大器电路710和第二放大器电路720的放大增益。
然而,本发明构思不限于图9B中所示的电流调节电路716和726。第一放大器电路710和第二放大器电路720的放大增益可以用各种电路实现。另外,放大器电路710和720中的每个均可以包括更多个电流调节电路。
图10是示出包括在图6A的放大块331a_1至331a_n中的与各种接口电路兼容的多个放大器电路的实施例的框图。
参照图10,与图9A的第一放大器电路710相比,第一放大器电路710还包括设置有开关元件SWb和电感器L的接地连接电路714。与图9B的反馈电路713相比,第一放大器电路710的反馈电路713'还包括开关元件SWa。图10的第二放大器电路720可以与图9A中所示的第二放大器电路720具有相同的配置。
在一个实施例中,当放大块700耦合到图5A的天线接口电路320a时,放大块700的模式被确定为宽带模式,开关元件Swa接通,并且开关元件SWb连接到接地节点(或地电位)。当放大块700连接到图5B的天线接口电路320b时,放大块800的模式被确定为窄带模式,开关元件Swa断路,并且开关元件SWb连接到电感器L的一个端子,而电感器L的另一个端子接地。在一个实施例中,放大块700使用开关元件连接/耦合到天线接口电路,其中,开关元件利用控制信号而导通/关断。
图11A和11B是示出图6A的放大块331a_1至331a_n中包括的多个放大器电路的实施例的框图。
参照图11A,放大块800包括第一放大器电路810和第二放大器电路820。第一放大器电路810包括第一放大器AMP1、反馈电路813和第一耦合电容器CC1 815。第一放大器电路810放大RF输入信号RFIN以输出第一RF输出信号RFOUT1。第二放大器电路820包括第二放大器AMP2和第二耦合电容器CC2 825。第二放大器电路820被实现为不包括第一放大器电路810的反馈电路813。因此,第二放大器电路820的配置与第一放大器电路810的配置不同。第一放大器AMP1包括第一晶体管811和第二晶体管812。第二放大器AMP2包括第三晶体管821和第四晶体管822。
放大块800包括块节点Z,并且第一放大器电路810和第二放大器电路820通过块节点Z并联连接。与图9A的放大块700不同,第一放大器电路810的放大增益与第二放大器电路820的放大增益相同。
在一个实施例中,反馈电路813具有足够的阻抗,使得从放大块800的输入端子观察的输入阻抗ZIN1保持在预定范围内,而不管第二放大器电路820是启用还是禁用。输入阻抗ZIN1可以取决于反馈电路813的阻抗,因为到第三晶体管821的栅极的输入阻抗远大于反馈电路813的阻抗。因此,放大块800可以使用反馈电路813执行与天线稳定的阻抗匹配。
本发明构思不限于图11A中所示的放大块800。例如,除了第二放大器电路820之外的多个放大器电路可以通过块节点Z并联连接。该多个放大器电路可以与第二放大器电路820的配置相同。
参照图11B,与图11A相比,第一放大器电路810的反馈电路813(即,第一反馈电路)包括至少一个可变电阻元件RFV,并且第二放大器电路820还包括第二反馈电路823。第二反馈电路823包括至少一个可变电阻元件RFV和至少一个电容器元件CF。在一个实施例中,第二反馈电路823连接在第二放大器AMP2的第二内部放大节点Y2和第二放大器AMP2的第二输入节点X2之间。第二反馈电路823提供第二内部放大节点Y2的输出作为对第二放大器AMP2的反馈。例如,可变电阻元件RFV可以是变阻器、电位计、数字电阻器等。
可以控制反馈电路813和823的可变电阻元件RFV,使得从放大块800的输入端子观察的输入阻抗ZIN1保持在预定范围内,而不管第二放大器电路820是启用还是禁用。在一个实施例中,当仅第一放大器电路810被启用时可变电阻元件RFV的第一电阻值小于当第一放大器电路810和第二放大器电路820两者被启用时可变电阻元件RFV的第二电阻值。例如,第二电阻值可以实现为第一电阻值的大约两倍。
本发明构思不限于图11B中所示的放大块800。例如,除了第二放大器电路820之外的多个放大器电路可以通过块节点Z并联连接。该多个放大器电路可以与第一放大器电路810的配置相同。
图12A和图12B是示出图6A的放大块331a_1至331a_n中包括的与各种接口电路兼容的多个放大器电路的实施例的框图。
参照图12A,与图11A的第一放大器电路810相比,第一放大器电路810还包括具有开关元件SWb1和电感器L的第一接地连接电路814。与图11A的第一放大器电路810相比,第一放大器电路810包括第一反馈电路813',第一反馈电路813'还包括开关元件Swa。与图11A的第二放大器电路820相比,第二放大器电路820还包括具有开关元件SWb2和电感器L的第二接地连接电路824。
在一个实施例中,当放大块800耦合到图5A的天线接口电路320a时,放大块800的模式被确定为处于宽带模式,开关元件SWa1接通,并且开关元件SWb1和SWb2接地(或电位)。当放大块800连接到图5B的天线接口电路320b时,放大块800的模式被确定为窄带模式,开关元件Swa断路,并且开关元件SWb1和SWb2分别连接到电感器L的端子,而电感器L的其他端子分别连接到接地端子。
参照图12B,与图11A的第一放大器电路810相比,第一放大器电路810还包括具有开关元件SWb1和电感器L的第一接地连接电路814。与图11A的第一放大器电路810相比,第一放大器电路810包括第一反馈电路813',第一反馈电路813'还包括开关元件SWa1。与图11A的第二放大器电路820相比,第二放大器电路820还包括具有开关元件SWb2和电感器L的第二接地连接电路824。与图11B的第二放大器电路820相比,第二放大器电路820包括第二反馈电路823',第二反馈电路823'还包括开关元件SWa2。
在一个实施例中,当放大块800耦合到图5A的天线接口电路320a时,放大块800的模式被确定为宽带模式,开关元件SWa1和SWa2接通,并且开关元件SWb1和SWb2连接到接地端子。当放大块800连接到图5B的天线接口电路320b时,放大块800的模式被确定为窄带模式,开关元件SWa1和SWa2断路,并且开关元件SWb1和SWb2分别连接到电感器L的端子,而电感器L的其他端子连接到接地端子。
图13是用于说明根据本发明构思的示例性实施例的放大块900的图,图14A是用于说明放大块900在宽带模式下的操作的图,图14B是用于说明放大块900在窄带模式下的操作的图。
参照图13,放大块900包括M个放大器电路910至930,并且M个输出电路901至903连接到放大块900。第一放大器电路910包括第一放大器AMP1、反馈电路913、接地连接电路914和耦合电容器915。反馈电路913包括电阻元件RF、电容器元件CF和开关元件SWa。反馈电路913连接在第一放大器AMP1的内部放大节点Y和第一放大器AMP1的输入节点X之间。接地连接电路914包括开关元件SWb和电感器L,电感器L的一个端子接地。第一放大器AMP1包括第一晶体管911和第二晶体管912。
第二放大器电路920至第m放大器电路930经由内部放大节点Y并联连接。放大器电路910至930的细节如上所述,并且在下文中将省略。第二放大器电路920包括第二放大器AMP2和耦合电容器925。第二放大器AMP2包括第一晶体管921和第二晶体管922。第三放大器电路930包括第三放大器AMP3和耦合电容器935。第三放大器AMP3包括第一晶体管931和第二晶体管932。
第一输出电路901包括第一转换器X1、第一电容器组CB1、第一混频器MIX1和第一基带滤波器F1。在一个实施例中,第一转换器X1是变压器。在一个实施例中,第一输出电路901阻挡来自第一RF输出信号RFOUT1的与具有预定频率的载波对应的信号之外的信号,并且将与所述载波对应的信号进行下变频,以输出下变频的信号作为第一基带信号XBASOUT1。第一输出电路901的配置可以应用于第二输出电路902至第m输出电路903。例如,第一输出电路901可以滤出频率在与所述载波相关联的频带之外的分量。
图14A和14B示出了带内CA中的放大块900的放大操作。参照图14A,放大块900接收通过预定频带内的第一载波ω1和第二载波ω2发送的RF输入信号RFIN。在一个实施例中,在放大块900中仅启用第一放大器电路910和第二放大器电路920。第一放大器电路910的开关元件Swa接通,并且开关元件SWb连接到地电位(或端)。这样,启用的反馈电路913连接在第一放大器电路910的第一放大器AMP1的内部放大节点Y和第一放大器AMP1的输入节点X之间。
第一放大器电路910放大RF输入信号RFIN以将放大后的RF输入信号作为第一RF输出信号RFOUT1输出,第二放大器电路920从内部放大节点Y接收其RF输入信号RFIN被放大了预定放大增益的信号并放大该信号以将放大后的信号作为第二RF输出信号RFOUT2输出。在一个实施例中,第一输出电路901仅将来自第一RF输出信号RFOUT1的与第一载波ω1对应的信号转换为第一基带信号XBASOUT1以输出转换后的信号,第二输出电路902仅将来自第二RF输出信号RFOUT2的与第二载波ω2对应的信号转换为第二基带信号XBASOUT2以输出转换后的信号。
参照图14B,放大块900接收通过预定频带内的第一载波ω1和第二载波ω2发送的RF输入信号RFIN。在一个实施例中,仅启用放大块900中的第一放大器电路910和第二放大器电路920。第一放大器电路910的开关元件Swa断路,并且开关元件SWb连接到电感器L的一个端子,而电感器L的另一个端子接地。反馈电路913不连接在第一放大器电路910中的第一放大器AMP1的内部放大节点Y与第一放大器AMP1的输入节点X之间。例如,断路的开关元件Swa防止反馈电路913连接到内部放大节点Y。
第一放大器电路910放大RF输入信号RFIN以将放大后的RF输入信号作为第一RF输出信号RFOUT1输出,第二放大器电路920从内部放大节点Y接收其中RF输入信号RFIN被放大了预定放大增益的信号并放大接收的信号,以将放大后的信号作为第二RF输出信号RFOUT2输出。在一个实施例中,第一输出电路901仅将来自第一RF输出信号RFOUT1的与第一载波ω1对应的信号转换为第一基带信号XBASOUT1以输出转换后的信号,第二输出电路902仅将来自第二RF输出信号RFOUT2的与第二载波ω2对应的信号转换为第二基带信号XBASOUT2以输出转换后的信号。
图15是示出根据本发明构思的示例性实施例的无线通信设备1000的图。
参照图15,无线通信设备1000包括天线1010、收发器(或通信RF)1020、基带处理器1030、应用处理器1050、存储器1040和1060、相机1070和显示器1080。应用程序可以由应用处理器1050执行。例如,当通过相机1070拍摄图像时,应用处理器1050可以将拍摄的图像存储在第二存储器1060中以将其显示在显示器1080上。拍摄的图像可以在基带处理器1030的控制下通过收发器1020发送到外部。基带处理器1030可以将拍摄的图像临时存储在第一存储器1040中以发送拍摄的图像。基带处理器1030还可以控制用于通信的数据发送/接收。
收发器1020包括天线接口电路1022和RF集成电路1024。RF集成电路1024可以包括如图8C、图10、图12A、图12B所示的开关元件以及反馈电路,并且RF集成电路1024可以与具有各种电路配置的天线接口电路1022兼容。收发器102可以在CA操作期间执行高效的放大操作。在制造收发器(或接收器)1020的步骤中,可以根据天线接口电路1022的电路配置来确定RF集成电路1024的模式。可以将根据所确定的模式的控制信号CSSET提供给RF集成电路1024。在一个实施例中,RF集成电路1024中包括的开关元件的接通/断开状态由控制信号CSSET控制,然后,RF集成电路1024连接到天线接口电路1022。
图16是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造接收器的方法的流程图。在下文中,假设RF集成电路以如图8C、10、12A和12B所示的包括开关元件的配置制造。
参照图16,在步骤S100中,基于天线接口电路的配置来确定RF集成电路的模式。例如,当RF集成电路连接到图5A的天线接口电路320a时,RF集成电路的模式被确定为宽带模式。另外,当RF集成电路连接到图5B的天线接口电路320b时,RF集成电路的模式被确定为窄带模式。然后,在步骤S120中,将根据所确定的模式的控制信号提供给RF集成电路,以设置RF集成电路的模式。也就是说,可以基于控制信号来控制包括在RF集成电路中的开关元件,使得RF集成电路以宽带模式或窄带模式操作。此后,在步骤S140中,天线接口电路连接到RF集成电路。
尽管已经参照本发明构思的示例性实施例描述了本发明构思,但是应该理解,本发明构思不限于所公开的示例性实施例,而是相反,旨在覆盖包括在本公开的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (24)

1.一种接收器,所述接收器包括支持载波聚合的放大电路,
所述放大电路包括:
第一放大器电路,所述第一放大器电路被配置为在块节点处接收来自外部源的射频输入信号,放大所述射频输入信号,并将放大后的射频输入信号作为第一射频输出信号输出,所述块节点是所述放大电路的输入节点,
其中,所述第一放大器电路包括:
第一放大器,所述第一放大器被配置为通过所述第一放大器的第一输入节点接收所述射频输入信号,以放大所述射频输入信号;以及
第一反馈电路,所述第一反馈电路耦合在所述第一输入节点和所述第一放大器的第一内部放大节点之间,以向所述第一放大器提供反馈。
2.如权利要求1所述的接收器,其中,所述第一反馈电路具有特定阻抗,使得当所述放大电路根据非载波聚合、带内载波聚合和带间载波聚合中的任何一个执行放大操作时,所述放大电路的输入阻抗保持在预定范围内。
3.如权利要求1所述的接收器,其中,所述第一反馈电路包括至少一个电阻元件和与所述电阻元件串联连接的至少一个电容器元件。
4.如权利要求1所述的接收器,其中,所述第一放大器包括:
第一晶体管,所述第一晶体管的栅极连接到所述第一输入节点;以及第二晶体管,所述第二晶体管的漏极连接到所述放大电路的第一射频输出节点,
其中,所述第二晶体管的源极在所述第一内部放大节点处耦合到所述第一晶体管的漏极。
5.如权利要求4所述的接收器,其中,所述放大电路还包括通过所述第一内部放大节点与所述第一放大器电路串联连接的第二放大器电路,
其中,所述第二放大器电路包括第二放大器,所述第二放大器被配置为放大通过所述第二放大器的第二输入节点从所述第一内部放大节点接收的信号以输出第二射频输出信号。
6.如权利要求5所述的接收器,其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的跨导,使得与所述第一内部放大节点对应的放大增益具有预定值。
7.如权利要求6所述的接收器,其中,所述第一放大器的放大增益不同于所述第二放大器的放大增益。
8.如权利要求5所述的接收器,其中,所述第二放大器包括:
第三晶体管,所述第三晶体管的栅极耦合到所述第二输入节点;以及第四晶体管,所述第四晶体管的漏极耦合到所述放大电路的第二射频输出节点,
其中,所述第四晶体管的源极耦合到所述第三晶体管的漏极。
9.如权利要求8所述的接收器,其中,所述第一放大器的所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的跨导比不同于所述第二放大器的所述第三晶体管和所述第四晶体管之间的跨导比。
10.如权利要求1所述的接收器,其中,所述放大电路还包括通过所述块节点与所述第一放大器电路并联连接的第二放大器电路,
其中,所述第二放大器电路包括第二放大器,所述第二放大器被配置为通过第二输入节点接收所述射频输入信号,放大所接收的射频输入信号,并将放大后的射频输入信号作为第二射频输出信号输出。
11.如权利要求10所述的接收器,其中,所述第二放大器电路的配置与所述第一放大器电路的配置的不同之处在于,所述第二放大器电路不包括被配置为向所述第二放大器提供反馈信号的反馈电路。
12.如权利要求10所述的接收器,其中,所述第二放大器电路还包括第二反馈电路,所述第二反馈电路耦合在所述第二输入节点和所述第二放大器的第二内部放大节点之间,以向所述第二放大器提供反馈。
13.如权利要求12所述的接收器,其中,
改变所述第一反馈电路和所述第二反馈电路中的至少一者的阻抗,使得当所述放大电路根据非载波聚合、带内载波聚合和带间载波聚合中的任何一个执行放大操作时,所述放大电路的输入阻抗保持在预定范围内。
14.如权利要求12所述的接收器,其中,所述第一反馈电路和所述第二反馈电路均包括至少一个可变电阻元件。
15.一种射频集成电路,所述射频集成电路包括被配置为支持载波聚合的放大电路,
所述放大电路包括:
第一放大器电路,所述第一放大器电路被配置为在块节点处接收来自外部源的射频输入信号,所述第一放大器电路包括第一放大器,所述第一放大器被配置为放大所述射频输入信号,并将放大后的射频输入信号作为第一射频输出信号输出,所述块节点是所述放大电路的输入节点,
其中,所述第一放大器电路包括耦合在所述第一放大器的第一输入节点和所述第一放大器的第一内部放大节点之间的反馈电路,所述第一放大器的所述第一输入节点被配置为接收所述射频输入信号,
其中,所述反馈电路根据所述射频集成电路的模式是被设置为宽带模式还是窄带模式,来选择性地向所述第一放大器提供反馈。
16.如权利要求15所述的射频集成电路,其中,所述反馈电路包括:
开关元件,所述开关元件被配置为在所述宽带模式下处于导通状态,并且在所述窄带模式下处于关断状态;
至少一个电阻元件,所述至少一个电阻元件与开关元件串联连接;以及
至少一个电容器元件。
17.如权利要求15所述的射频集成电路,其中,所述第一放大器电路还包括接地连接电路,所述接地连接电路被配置为根据所述射频集成电路的模式选择性地使所述第一放大器连接到源极负反馈电感器元件的一个端子,所述源极负反馈电感器元件的另一端子接地。
18.如权利要求17所述的射频集成电路,其中,所述接地连接电路包括:
开关元件,所述开关元件被控制为使得所述第一放大器在所述宽带模式下连接到接地端子,并且使得所述第一放大器在所述窄带模式下连接到所述源极负反馈电感器元件的一个端子;以及
所述源极负反馈电感元件。
19.如权利要求17所述的射频集成电路,其中,所述放大电路包括通过所述第一内部放大节点与所述第一放大器电路串联连接的第二放大器电路,
其中,所述第二放大器电路包括第二放大器,所述第二放大器被配置为放大通过第二输入节点从所述第一内部放大节点接收的信号以输出第二射频输出信号,
其中,所述第二放大器电路的配置与所述第一放大器电路的配置不同,使得所述第二放大器电路不包括连接在所述第二输入节点和所述第二放大器的第二内部放大节点之间的被配置为选择性地将反馈信号提供到所述第二放大器的反馈电路,并且不包括被配置为选择性地使所述第二放大器连接到源极负反馈电感器元件的一个端子的接地连接电路,所述源极负反馈电感器元件的另一端子接地。
20.如权利要求17所述的射频集成电路,其中,
所述放大电路还包括通过所述块节点与所述第一放大器电路并联连接的第二放大器电路,
其中,所述第二放大器电路包括:
第二放大器,所述第二放大器被配置为通过第二输入节点接收所述射频输入信号,放大所接收的射频输入信号,并将放大后的射频输入信号作为第二射频输出信号输出;以及
反馈电路和接地连接电路中的至少一个,所述反馈电路耦合在所述第二输入节点和所述第二放大器的第二内部放大节点之间,以选择性地向所述第二放大器提供反馈信号,所述接地连接电路被配置为选择性地使所述第二放大器连接到源极负反馈电感器元件的一个端子,所述源极负反馈电感器元件的另一端子接地。
21.如权利要求15所述的射频集成电路,其中,当包括多个双工器和至少一个外部放大器的天线接口电路连接到一个端口时,所述射频集成电路被设置为所述宽带模式。
22.如权利要求15所述的射频集成电路,其中,当包括多个双工器的天线接口电路通过多个端口连接时,所述射频集成电路被设置为所述窄带模式。
23.一种控制接收器的方法,所述方法包括:
基于天线接口电路的配置,将所述接收器的操作模式确定为窄带模式和宽带模式之一;
根据所确定的模式设置第一控制信号;
将所述第一控制信号输出到所述接收器以启用或禁用所述接收器的反馈电路;以及
将所述接收器连接到所述天线接口电路,
其中,所述接收器包括放大器,所述放大器被配置为通过输入节点接收射频输入信号并放大所接收的射频输入信号,
其中,所述反馈电路连接在所述输入节点和所述放大器的内部放大节点之间,以向所述放大器提供反馈。
24.如权利要求23所述的方法,其中,所述接收器还包括接地连接电路,所述接地连接电路被配置为使得所述放大器基于所确定的模式选择性地连接到源极负反馈电感器元件的一个端子,所述源极负反馈电感器元件的另一端子连接到接地端子,
所述方法还包括根据所确定的模式将第二控制信号集提供给所述接地连接电路以控制所述选择性连接。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111193476A (zh) * 2020-02-27 2020-05-22 广州慧智微电子有限公司 一种放大器及放大方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102468797B1 (ko) 2018-04-04 2022-11-18 삼성전자주식회사 반송파 집성을 지원하기 위한 증폭 동작을 수행하는 rf 집적회로 및 이를 포함하는 수신기
US11095329B1 (en) * 2020-04-21 2021-08-17 Globalfoundries U.S. Inc. Filter and amplification circuit for outputting ultra-wide band (UWB) radio frequency (RF) signals with a high spurious-free dynamic range, test system and methods
WO2021119673A1 (en) * 2021-01-27 2021-06-17 Futurewei Technologies, Inc. Radio frequency low noise amplifiers

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060072646A1 (en) * 2004-10-05 2006-04-06 Kamilo Feher Broadband, ultra wideband and ultra narrowband reconfigurable interoperable systems
US20070040613A1 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 Chow Yut H Isolated stable bias circuit
JP2009207031A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Hitachi Ltd 増幅回路
CN101873104A (zh) * 2009-04-23 2010-10-27 美国博通公司 可使用不同电池电源电压的射频功率放大器及其操作方法
US20110032854A1 (en) * 2009-08-05 2011-02-10 Radio Frequency Systems, Inc. System and method for tdd/tma with hybrid bypass switch of receiving amplifier
CN104321963A (zh) * 2012-05-25 2015-01-28 高通股份有限公司 用于载波聚集的低噪声放大器
US20150341075A1 (en) * 2014-05-20 2015-11-26 Broadcom Corporation Amplifier utilizing a configurable interface to a front end module
US20150349724A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Qualcomm Incorporated Distortion cancellation for dual stage carrier-aggregation (ca) low noise amplifier (lna) non-linear second order products
CN105790777A (zh) * 2015-01-13 2016-07-20 三星电子株式会社 用于信号处理的接收器和无线终端

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101266918B1 (ko) 2009-09-14 2013-05-24 한국전자통신연구원 가변이득 광대역 피드백 저 잡음 증폭기
JP5838058B2 (ja) 2011-08-24 2015-12-24 株式会社オーディオテクニカ 単一指向性マイクロホン
US8706071B2 (en) 2011-08-24 2014-04-22 Aviacomm Inc. Reconfigurable wideband receiver
US8774334B2 (en) 2011-11-09 2014-07-08 Qualcomm Incorporated Dynamic receiver switching
US9300420B2 (en) 2012-09-11 2016-03-29 Qualcomm Incorporated Carrier aggregation receiver architecture
US9059665B2 (en) * 2013-02-22 2015-06-16 Qualcomm Incorporated Amplifiers with multiple outputs and configurable degeneration inductor
US9106185B2 (en) 2013-03-11 2015-08-11 Qualcomm Incorporated Amplifiers with inductive degeneration and configurable gain and input matching
US9288776B2 (en) 2013-11-05 2016-03-15 Qualcomm Incorporated Apparatus and method of wideband automatic gain control algorithm supporting multiple carriers with possibly different air interface technologies
US10033343B2 (en) 2014-03-31 2018-07-24 Qualcomm Incorporated Spectrum sensing radio receiver
KR101719313B1 (ko) 2015-06-19 2017-04-05 (주)에프씨아이 멀티밴드를 위한 고선형 특성을 갖는 저잡음 증폭기
US20180123523A1 (en) * 2016-10-27 2018-05-03 Qualcomm Incorporated Low gain linearization for high signal-to-noise ratio
KR102468797B1 (ko) 2018-04-04 2022-11-18 삼성전자주식회사 반송파 집성을 지원하기 위한 증폭 동작을 수행하는 rf 집적회로 및 이를 포함하는 수신기

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060072646A1 (en) * 2004-10-05 2006-04-06 Kamilo Feher Broadband, ultra wideband and ultra narrowband reconfigurable interoperable systems
US20070040613A1 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 Chow Yut H Isolated stable bias circuit
JP2009207031A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Hitachi Ltd 増幅回路
CN101873104A (zh) * 2009-04-23 2010-10-27 美国博通公司 可使用不同电池电源电压的射频功率放大器及其操作方法
US20110032854A1 (en) * 2009-08-05 2011-02-10 Radio Frequency Systems, Inc. System and method for tdd/tma with hybrid bypass switch of receiving amplifier
CN104321963A (zh) * 2012-05-25 2015-01-28 高通股份有限公司 用于载波聚集的低噪声放大器
CN104335482A (zh) * 2012-05-25 2015-02-04 高通股份有限公司 用于载波聚集的具有共源共栅转向开关的低噪声放大器
CN104365017A (zh) * 2012-05-25 2015-02-18 高通股份有限公司 用于载波聚集的具有基于变压器的信号分路的低噪声放大器
US20150341075A1 (en) * 2014-05-20 2015-11-26 Broadcom Corporation Amplifier utilizing a configurable interface to a front end module
US20150349724A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Qualcomm Incorporated Distortion cancellation for dual stage carrier-aggregation (ca) low noise amplifier (lna) non-linear second order products
CN105790777A (zh) * 2015-01-13 2016-07-20 三星电子株式会社 用于信号处理的接收器和无线终端

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
D. CHOUDHURY 等: "DC to 50 GHz wideband amplifier with Bessel transfer function", 《2004 IEE RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUITS (RFIC) SYSTEMS. DIGEST OF PAPERS》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111193476A (zh) * 2020-02-27 2020-05-22 广州慧智微电子有限公司 一种放大器及放大方法

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