CN110301122B - 具有电压升压功能的高摆幅发射机驱动器及发射机 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发射机驱动器。所述发射机驱动器包括第一和第二电压模式驱动器以及次级数据路径。所述次级数据路径与所述第一和第二电压模式驱动器并联。高频升压器为来自电流源的升压电流提供高频路径，以在输出端口处启用高频电压升压。

Description

具有电压升压功能的高摆幅发射机驱动器及发射机

相关申请案交叉申请

本申请要求于2017年2月6日递交的第15/425,262号美国专利申请案的在先申请优先权。

技术领域

本发明涉及发射机驱动器，特别是用于高速传输的发射机驱动器。

背景技术

脉冲幅度调制(pulse amplitude modulation，简称PAM)是一种信号调制形式，其中位值在信号脉冲幅度中进行编码。PAM4是PAM的一种形式，其中使用了四个不同的幅度电平，每个幅度电平编码两个比特的不同组合。与非归零(non-return to zero，简称NRZ)信令相比，PAM4信令已显示高速信令(例如，大于56Gbps)的前景。

与NRZ信令相比，PAM4信令的一个挑战是，在PAM4信令中，信号摆幅与NRZ信令相比减少了1/3(或9.5dB)。当考虑需要低功率电源和低击穿电压的技术时，该问题甚至更加难以解决。此外，已发现在高数据速率(例如，大于56Gbps)下的带宽限制会降低眼图中的垂直眼图开启度。

已经尝试使用与电流模式逻辑(current mode logic，简称CML)电流升压电路组合的高效电压模式驱动器来增加输出摆幅。然而，在这些尝试中实现的电压摆幅的增加可能不够充分，特别是在高频(例如，大于56Gbps)条件下。有限长单位冲击响应(finiteimpulse response，简称FIR)滤波器可用于提供某些电压升压功能，然而这需要较大功率和物理区域来实现。FIR滤波器的使用也可能受限于必须实现的抽头的数量。

发明内容

本发明描述了一种用于增加发射机驱动器带宽的电路，而无需直接加载发射机输出。

使用交流耦合前馈路径向所述发射机输出添加连续时间高通滤波器响应。电容耦合路径导致电流源处的电压发生改变，使得在数据传输时向所述输出注入更多电流。该附加电流有助于提高高频信号的电压，并且对低频信号几乎没有影响。

在某些示例中，所述发射机驱动器包括控制开关以使得所述带宽能够适应不同的数据速率。

根据本发明的第一方面，描述了一种发射机驱动器，所述发射机驱动器包括第一电压模式驱动器，所述第一电压模式驱动器经耦合以从所述发射机驱动器的第一输入端口接收第一差分输入信号，并在所述发射机驱动器的第一输出端口提供第一差分输出信号。所述驱动器还包括第二电压模式驱动器，所述第二电压模式驱动器经耦合以从所述发射机驱动器的第二输入端口接收第二差分输入信号，并在所述发射机驱动器的第二输出端口提供第二差分输出信号。所述驱动器还包括次级数据路径，所述次级数据路径具有：与所述第一电压模式驱动器并联的第一输入端口和第一输出端口，以及与所述第二电压模式驱动器并联的第二输入端口和第二输出端口，用于从电流源接收升压电流。此外，所述驱动器还包括高频升压器，所述高频升压器连接到所述发射机驱动器的第一输入端口和第二输入端口，并且连接在所述电流源与所述次级数据路径之间，用于为来自所述电流源的所述升压电流提供高频路径。

根据本发明的第二方面，描述了一种用于发送差分信号的发射机，包括发射机驱动器，所述发射机驱动器包括第一电压模式驱动器，所述第一电压模式驱动器经耦合以从所述发射机驱动器的第一输入端口接收第一差分输入信号，并在所述发射机驱动器的第一输出端口提供第一差分输出信号。所述发射机还包括第二电压模式驱动器，所述第二电压模式驱动器经耦合以从所述发射机驱动器的第二输入端口接收第二差分输入信号，并在所述发射机驱动器的第二输出端口提供第二差分输出信号。所述发射机还包括次级数据路径，所述次级数据路径具有：与所述第一电压模式驱动器并联的第一输入端口和第一输出端口，以及与所述第二电压模式驱动器并联的第二输入端口和第二输出端口，用于从电流源接收升压电流。此外，所述发射机还包括高频升压器，所述高频升压器连接到所述发射机驱动器的第一输入端口和第二输入端口，并且连接在所述电流源与所述次级数据路径之间，用于为来自所述电流源的所述升压电流提供高频路径；所述发射机还包括处理器，所述处理器耦合至所述发射机驱动器，用于控制所述发射机驱动器的操作。

根据前述方面的一种实现形式，所述高频升压器包括各自RC网络，所述各自RC网络连接到所述发射机驱动器的第一输入端口和第二输入端口中的每一个输入端口以提供所述高频路径，每个所述RC网络都包括前馈电容器和电阻器。

根据前述实现形式的一种实现形式，每个RC网络的电阻器都是可变电阻器。

根据前述实现形式的一种实现形式，每个可变电阻器的电阻在约0欧姆到约1000欧姆的范围内以可控方式可变。

根据前述实现形式中任一项实现形式所述的一种实现形式，每个前馈电容器的电容在约10fF到约100fF的范围内。

根据前述实现形式中任一项实现形式所述的一种实现形式，每个前馈电容器都是可变电容器。

根据前述实现形式中任一项实现形式所述的一种实现形式，该实现形式还包括第一组控制开关，所述第一组控制开关连接到所述高频升压器以启用或禁用所述高频路径。

根据前述实现形式的一种实现形式，该实现形式还包括第二组控制开关，所述第二组控制开关连接到所述次级数据路径以启用或禁用所述升压电流的接收。

根据第二方面的一种实现形式或其任何实现形式，所述发射机经由差分通信线路耦合至接收机。

附图说明

现在将通过示例参考示出本申请的示例实施例的附图，其中：

图1是用于高速通信的示例性发射机和接收机系统的示意图；

图2A和图2B是示出用于发射机驱动器的升压电流的效果的简化图；

图3是用于发射机驱动器的示例性电路的示意图，其中提供了高频升压；

图4是用于发射机驱动器的另一示例性电路的示意图，其中提供了高频升压；

图5A和5B是示出图4的示例性电路中高频升压的效果的曲线图；

图6是示出在图3的示例性电路中不同电阻值对输出脉冲的影响的曲线图；

图7是示出在图3的示例性电路中不同电阻值对输出脉冲上升时间的影响的曲线图；

图8是示出在图3的示例性电路中不同电阻值对输出脉冲峰值电压的影响的曲线图。

在不同的附图中可以使用类似的参考标号来表示类似的组件。

具体实施方式

本文中所描述的示例可以在高速(例如，56Gbps或更高)通信系统中实现。其它应用可以包括其它通信系统和发射机，所述通信系统和发射机将从高频条件下的传输升压中受益。

图1是示例性高速通信系统100(包括发射机102和接收机104)的示意图。所述发射机通过差分通信线路106向所述接收机发送差分信号。使用差分信号可以帮助降低所述接收机104接收的信号中的噪声电平，特别是在所述发射机102与所述接收机104之间的距离较远的情况下。

在所示的示例中，所述发射机102包括发射机驱动器108。尽管所述发射机驱动器108在图1中作为单一符号示出，但其可以包括多个电路元件，如下文进一步的论述。此外，除所述发射机驱动器108之外，所述发射机102还可以包括其它组件。所述发射机102在发射机输入端口D0和D0b接收输入数据信号，并在发射机输出端口Tx_m和Tx_p输出差分信号。所述差分信号在所述差分通信线路106上传输，并由所述接收机104在接收机输入端口Rx_m和Rx_p处接收。

为了帮助理解本发明，现在论述图2A和图2B。图2A是示出源串联端接(source-series-terminated，简称SST)发射机驱动器200的简化图，图2B示出了具有直流电压升压功能的SST发射机驱动器200。在图2A中，第一和第二电压模式发射机202、204连接到相应的电阻器Rout_TX(假设固定输出电阻)。每个所述电压模式发射机202、204接收相应的差分输入信号，如图所示。来自每个电压模式发射机202、204的电流是I_sst。远端端接电阻器示出为Rtermination，并且所述发射机驱动器200的输出信号是Voutp和Voutm处的差分信号。所述输出信号的峰间电压(也称为电压摆幅)受电压源(Vsupply)的限制，如下所示：

为了增加电压摆幅，可以增加直流电流升压，如图2B所示，其中电流源I_boost连接到每个电压模式发射机202、204的输出端。因此，所述发射机驱动器200向端接电阻器Rtermination提供的总电流是I_sst+I_boost。输出Voutp和Voutm处的直流升压取决于Rout_TX、Rtermination和I_boost的值。在Rout_TX和Rtermination具有相同的电阻R的情况下，所实现的电压摆幅升压为2*I_boost*R。下表示出了示例性仿真结果，表明了在Rout_TX和Rtermination都是50欧姆且所述发射机驱动器消耗大约5mA的电流的情况下，I_boost对输出电压摆幅的影响。

其中，Vswing是电压输出的峰间电压，V_boost是由I_boost引起的附加电压升压(即，与I_boost为0mA的情况相比，由I_boost提供的Vswing的附加峰间电压)。如上所述，所提供的电压升压是直流电压升压，这意味着它不特定于高频输出。由于电流升压引起输出电压升压，因此在本发明中，术语“电流升压”和“电压升压”可以互换使用，而术语“升压”通常可以指电流升压和电压升压。高频升压通常可以指高频输入信号(例如，频率高达14GHz的信号)的电流升压和电压升压。高频升压可以被当作在脉冲信号上升的顶端的信号幅度的瞬时升压，而在上升的顶端的这种升压可以称为“峰值升压”。

图3示出了一种用于所述发射机驱动器的示例性电路300的示意图，其中启用了高频电压升压。所述电路300包括第一和第二电压模式发射机302、304(也可以统称为差分电压模式发射机302、304)和并联的次级数据路径306。

所述第一电压模式发射机302耦合至所述发射机驱动器的输入端口D0，以接收第一差分输入信号，还耦合至所述发射机驱动器的输出端口Tx_m，以输出第一差分输出信号。所述第二电压模式发射机304耦合至所述发射机驱动器的输入端口D0b，以接收第二差分输入信号，还耦合至所述发射机驱动器的输出端口Tx_p，以输出第二差分输出信号。在所示的示例中，每个所述第一和第二电压模式发射机302、304都包括逆变器308和电阻器310。每个逆变器308都分别接收来自输入端口D0、D0b的输入，并经由相应的电阻器310分别耦合至输出端口Tx_m、Tx_p。可以选择每个所述电阻器310的电阻值，以匹配耦合至输出端口Tx_m、Tx_p的传输线的期望阻抗。例如，每个所述电阻器310都具有50欧姆的电阻。

所述次级数据路径306具有与所述第一电压模式发射机302并联的第一输入端口和第一输出端口，以及与第二电压模式发射机304并联的第二输入端口和第二输出端口。所述次级数据路径306包括由第一对PMOS晶体管312形成的第一晶体管差分对。每个所述PMOS晶体管312的栅极分别连接到输入端口D0、D0b，并且每个所述PMOS晶体管312的漏极分别连接到输出端口Tx_m、Tx_p。所述次级数据路径306驱动与所述电压模式发射机302、304相同的输出。所述次级数据路径306还包括由第二对PMOS晶体管314形成的第二晶体管差分对。所述第二对PMOS晶体管314连接到晶体管电流源。

所述次级数据路径306从直流电流源326接收升压电流。由直流电流源326提供的升压电流致使在输出端口Tx_m、Tx_p处产生升压。所述示例性电路300还包括高频升压器320。所述高频升压器连接到输入端口D0、D0b，并且连接在所述电流源326与所述次级数据路径306之间。因此，所述次级数据路径306的电流或驱动强度由所述高频升压器320确定。所述高频升压器320为所述升压电流提供高频路径，使得能够在输出端口Tx_m、Tx_p处产生高频升压。所述高频升压器320还能够经由可变电阻器调整高频升压，如下所述。

在所述高频升压器320中，来自所述电流源326的升压电流分裂成到所述次级数据路径306的所述第一对PMOS晶体管312的两股电流。所述高频路径由两个差分信号中的每个差分信号的RC网络提供。每个RC网络包括前馈电容器322和可变电阻器324。所述前馈电容器322连接在每个发射机输入端口D0、D0b与所述第一对PMOS晶体管312的源极端子之间。例如，所述前馈电容器322的电容可以在约10fF到约100fF的范围内，所述可变电阻器324的电阻可以在约0欧姆与约1000欧姆之间变化。添加所述前馈电容器322为高频条件下的附加升压电流提供了路径。所述可变电阻器324连接在所述前馈电容器322与所述PMOS晶体管312的偏置电压之间。所述可变电阻器324是可控制的(例如，经由来自处理器(未示出)的控制信号)，以调节所述可变电阻器324的电阻值，这可以调节升压电流的稳定时间。可以通过调整至少一个所述前馈电容器322和所述可变电阻器324的值来调谐峰值频率。所述可变电阻器324的电阻可以动态调节。下文进一步论述的仿真结果说明所述可变电阻器324的变化对输出响应的影响。添加所述高频升压器320针对所述发射机驱动器108的电路300引入的开销相对较小。

在某些示例中，所述前馈电容器322可以是可变电容器，是可控制的(例如，经由来自处理器(未示出)的控制信号)以调整电容值。控制和调整所述前馈电容器322的电容值的能力可以实现对所述高频响应的额外控制。

在某些示例中，控制是否应该提供电压升压可能是有用的。图4是用于所述发射机驱动器108的另一示例性电路400的示意图。所述示例性电路400与图3中的电路300类似，通过添加控制开关402、404来控制是否启用直流和高频中的至少一个条件下的电压升压。例如，所述控制开关402、404的操作可以经由来自处理器(未示出)的控制信号来控制。所述控制开关402、404可以动态地开启或关闭。所述第一组控制开关402设置在所述高频升压器320中，以控制是否提供高频升压。当所述第一组控制开关402全部关闭时，输入端口D0、D0b从电流源326断开，因此输入数据转换不用于控制电流源326以增加高频电流，并且不启用高频升压。所述第二组控制开关404设置在所述第一和第二对晶体管312、314的栅极处，以控制是否提供任何电压升压。当所述第二组控制开关404全部关闭时，用于升压电流的电流路径保持打开状态，并且不启用升压电流(因此也不启用电压升压)。

当两组控制开关402、404关闭时，升压电流不提供路径，并且所述发射机驱动器108在没有任何电压升压的情况下工作。当所述第一组控制开关402关闭且所述第二组控制开关404开启时，仅为升压电流提供直流路径，并且为所述发射机驱动器108的输出提供直流电压升压，但不提供高频电压升压。当所述第一和第二组控制开关402、404全部开启时，所述电路400与图3中的电路300等效，其中直流和高频电压升压都已启用。当所述第一组控制开关402开启且所述第二组控制开关404也开启时，所述晶体管312、314断开且不提供升压。在某些示例中，可以仅提供所述第一组控制开关402，使得直流电压升压始终处于启用状态，而高频电压升压可以启用或禁用。

通过独立于是否启用任何直流电压升压来选择是否提供高频升压，所述示例性电路400可以帮助在低数据速率条件下降低功耗，其中高频升压的好处可能不需要。

为了帮助理解本发明，现在讨论一些示例性仿真结果。应当理解的是，提供这些仿真结果仅用于说明的目的，而不是作为限制性或约定仿真结果。

图5A和图5B示出了图4的示例性电路400的仿真结果，仅包含直流升压(灰色实线)，还包含附加高频升压(黑色虚线)。图5A示出了图4中所示的位置ID处的电流，图5B示出了输出端口Tx_m和Tx_p处的输出电压。如这些曲线图所示，启用高频升压时，在输入信号具有上升跃迁功能时注入附加电流，致使在每次上升的顶端的输出电压产生瞬时升压。

图6是示出图3的所述示例性电路300的差分输出电压的单个脉冲的曲线图，示出了当所述可变电阻器设置在不同电阻值时的瞬态响应。从所述曲线图中可以看出，电阻值越高，高频升压越大(尽管这可能致使稳定时间更长，继而导致码间串扰)。对于较高的电阻值，上升时间也较短。

图7是示出图3的所述示例性电路300中的差分输出电压的单个脉冲上升时间的曲线图，届时所述可变电阻器324设置在不同的电阻值。如图7所示，启用高频升压时，与不提供高频升压时相比，所述上升时间可缩短约2.2ps。因此，添加所述高频升压器可以实现更快的输出响应，这对于高速信令是有用的。

图8是示出图3的所述示例性电路300中的1V差分输出电压的单个脉冲峰值电压的曲线图，届时所述可变电阻器324设置在不同的电阻值。如图8所示，通过将所述可变电阻器324的电阻值从约200欧姆改变到约1000欧姆，可以控制峰值电压在约10mV与约75mV之间变化。

在本文中描述的各种示例中，描述了在其中提高输出电压摆幅的发射机驱动器电路。向传统的发射机驱动器电路中添加高频升压器，以帮助改善上升/下降时间并帮助提供高频升压。使用可变电阻器使得能够控制提供高频升压的频率范围。所述可变电阻器还能够控制上升时间和稳定时间。在某些示例中，可以使用固定电阻器代替可变电阻器(例如，在不需要动态调谐峰值频率的能力的情况下)。在某些示例中，可以添加控制开关以确保直流电压升压和高频电压升压能够独立启用或禁用。

与已经尝试过的其它解决方案相比(如Bassi等人描述的“采用28nm CMOS FDSOI的3.5A 45Gb/s PAM-4发射机，借助1V电源提供1.3Vppd输出摆幅(3.5A 45Gb/s PAM-4transmitter delivering 1.3Vppd output swing with 1V supply in 28nm CMOSFDSOI)”，2016年国际固态电路会议；以及Joy等人描述的“采用40nm CMOS的基于模拟-DFE的16Gb/s SerDes，可在奈奎斯特的34dB有损信道上工作，具有波特率CDR和1.2Vpp电压模式驱动器(Analog-DFE-based 16Gb/s SerDes in 40nm CMOS that operates across34dB loss channels at Nyquist with a baud rate CDR and 1.2Vpp voltage-modedriver)”，2011年国际固态电路会议)，本文中描述的示例可以在高频(例如，大于56Gbps)条件下提供更大的电压升压。此外，本文中描述的示例性电路可以以引入较小开销和较小整体尺寸要求的方式启用电压升压。

尽管本发明描述了在差分发射机中实现的示例，但本发明也可以适用于单端发射机(例如，仅使用具有一个前馈电容器和一个可变电阻器的高频升压器)。

本文中描述的各种示例可以用于在各种高速通信系统中实现PAM4信令，包括网络、存储、计算和移动系统。本文中描述的示例可以适用于有关电气和光学产品的高速通信标准。

尽管在高速PAM4信令的背景下进行了描述，但本文中所公开的示例在其它应用中可能是有用的，在所述应用中输出电压升压(特别是高频电压升压)将是理想的。

在不脱离权利要求书的主题的情况下，本发明可以以其它特定形式来体现。所描述的示例性实施例在各方面都仅仅是示意性的，而不是限制性的。来自一个或多个上述实施例的选定特征可以进行结合以创建未明确描述的可替代实施例，适合此类组合的特征在本发明范围内得到理解。

本文中还公开了在所公开范围内的所有值和子范围。此外，尽管本文中所公开和示出的系统、设备和过程可以包括特定数量的元件/组件，但是系统、设备和组件可以进行修改以包括更多或更少的此类元件/组件。例如，尽管所公开的任何元件/组件可以引用为单数，但本文中所公开的实施例可以进行修改以包括多个此类元件/组件。本文中描述的主题意在涵盖和包含技术上的所有适当更改。

Claims (17)

1.一种发射机驱动器，其特征在于，包括：

第一电压模式驱动器，经耦合以从所述发射机驱动器的第一输入端口接收第一差分输入信号，并在所述发射机驱动器的第一输出端口提供第一差分输出信号；

第二电压模式驱动器，经耦合以从所述发射机驱动器的第二输入端口接收第二差分输入信号，并在所述发射机驱动器的第二输出端口提供第二差分输出信号；

次级数据路径，具有：与所述第一电压模式驱动器并联的所述第一输入端口和所述第一输出端口，以及与所述第二电压模式驱动器并联的所述第二输入端口和所述第二输出端口，所述次级数据路径从电流源接收升压电流；

所述次级数据路径包括由第一对晶体管形成的第一晶体管差分对，所述第一晶体管差分对中的每个所述晶体管的第一极分别连接到所述第一输入端口和所述第二输入端口，所述第一晶体管差分对中的每个所述晶体管的第二极分别连接到所述第一输出端口和所述第二输出端口；

高频升压器，连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口，并且连接在所述电流源与所述次级数据路径之间，所述高频升压器为来自所述电流源的所述升压电流提供高频路径。

2.根据权利要求1所述的发射机驱动器，其特征在于，所述高频升压器包括：

各自RC网络，连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口中的每一个输入端口以提供所述高频路径，每个所述各自RC网络都连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口中的每一个输入端口，包括前馈电容器和电阻器。

3.根据权利要求2所述的发射机驱动器，其特征在于，连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口中的每一个输入端口的每个所述各自RC网络的所述电阻器都是可变电阻器。

4.根据权利要求3所述的发射机驱动器，其特征在于，连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口中的每一个输入端口的所述各自RC网络的每个所述可变电阻器的电阻在0欧姆到1000欧姆的范围内以可控方式可变。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的发射机驱动器，其特征在于，连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口中的每一个输入端口的所述各自RC网络的每个所述前馈电容器的电容在10毫微微法拉级（femtofarad，简称fF）到100毫微微法拉级的范围内。

6.根据权利要求2至4中任一项所述的发射机驱动器，其特征在于，连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口中的每一个输入端口的所述各自RC网络的每个所述前馈电容器都是可变电容器。

7.根据权利要求2至4中任一项所述的发射机驱动器，其特征在于，还包括：

第一组控制开关，所述第一组控制开关连接到所述高频升压器以启用或禁用所述高频路径。

8.根据权利要求7所述的发射机驱动器，其特征在于，还包括：

第二组控制开关，所述第二组控制开关连接到所述次级数据路径以启用或禁用所述升压电流的接收。

9.一种用于发送差分信号的发射机，其特征在于，包括：

发射机驱动器，包括：

第一电压模式驱动器，经耦合以从所述发射机驱动器的第一输入端口接收第一差分输入信号，并在所述发射机驱动器的第一输出端口提供第一差分输出信号；

第二电压模式驱动器，经耦合以从所述发射机驱动器的第二输入端口接收第二差分输入信号，并在所述发射机驱动器的第二输出端口提供第二差分输出信号；

次级数据路径，具有：与所述第一电压模式驱动器并联的第一输入端口和第一输出端口，以及与所述第二电压模式驱动器并联的第二输入端口和第二输出端口，用于从电流源接收升压电流；

所述次级数据路径包括由第一对晶体管形成的第一晶体管差分对，所述第一晶体管差分对中的每个所述晶体管的第一极分别连接到所述第一输入端口和所述第二输入端口，所述第一晶体管差分对中的每个所述晶体管的第二极分别连接到所述第一输出端口和所述第二输出端口；

高频升压器，连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口，并且连接在所述电流源与所述次级数据路径之间，用于为来自所述电流源的所述升压电流提供高频路径；

处理器，耦合至所述发射机驱动器，用于控制所述发射机驱动器的操作。

10.根据权利要求9所述的发射机，其特征在于，所述高频升压器包括：

各自RC网络，连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口中的每一个输入端口以提供所述高频路径，每个所述各自RC网络都连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口中的每一个输入端口，包括前馈电容器和电阻器。

11.根据权利要求10所述的发射机，其特征在于，连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口中的每一个输入端口的每个各自RC网络的所述电阻器都是可变电阻器，其中所述处理器经耦合以控制每个可变电阻器的电阻。

12.根据权利要求11所述的发射机，其特征在于，连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口中的每一个输入端口的所述各自RC网络的每个所述可变电阻器的电阻在0欧姆到1000欧姆的范围内以可控方式可变。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的发射机，其特征在于，连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口中的每一个输入端口的所述各自RC网络的每个所述前馈电容器的电容在10毫微微法拉级（femtofarad，简称fF）到100毫微微法拉级的范围内。

14.根据权利要求10至12中任一项所述的发射机，其特征在于，连接到所述发射机驱动器的所述第一输入端口和所述第二输入端口中的每一个输入端口的所述各自RC网络的每个所述前馈电容器都是可变电容器，其中所述处理器经耦合以控制每个可变电容器的电容。

15.根据权利要求10至12中任一项所述的发射机，其特征在于，还包括：

第一组控制开关，所述第一组控制开关连接到所述高频升压器以启用或禁用所述高频路径；

其中，所述处理器经耦合以开启或关闭所述第一组控制开关。

16.根据权利要求15所述的发射机，其特征在于，还包括：

第二组控制开关，所述第二组控制开关连接到所述次级数据路径以启用或禁用所述升压电流的接收；

其中，所述处理器经耦合以开启或关闭所述第二组控制开关。

17.根据权利要求10至12中任一项所述的发射机，其特征在于，所述发射机经由差分通信线路耦合至接收机。

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