CN110282628A - 二次硅料回收再利用工艺 - Google Patents
二次硅料回收再利用工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110282628A CN110282628A CN201910637013.2A CN201910637013A CN110282628A CN 110282628 A CN110282628 A CN 110282628A CN 201910637013 A CN201910637013 A CN 201910637013A CN 110282628 A CN110282628 A CN 110282628A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon material
- melting
- secondary silicon
- cavity
- insulation shell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004064 recycling Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 65
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 65
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 17
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 11
- 239000002893 slag Substances 0.000 claims description 11
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 pH value are 8 to 9 Substances 0.000 claims 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 5
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 4
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009291 froth flotation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种能够保证二次硅料除杂彻底，工艺简单的二次硅料回收再利用工艺。该二次硅料回收再利用工艺，包括以下步骤：S1、将二次硅料，通过打碎装置打碎成小块，小块的最小直径5mm，最大直径50mm；S2、然后将二次硅料进行水洗；S3、将水洗后的二次硅料进行碱洗；S4、将酸洗后的二次硅料进行超声波清洗；S5、将超声波清洗后的二次硅料进行酸洗；S6、将酸洗后的二次硅料进行超声波清洗；S7、将超声波清洗后的硅料晒干，然后采用硅料熔融装置进行去杂。采用该二次硅料回收再利用工艺工艺简便、成熟，同时便于彻底去除硅料中的杂质，保证硅料的二次利用，降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及废弃硅料的回收利用，尤其是一种二次硅料回收再利用工艺。
背景技术
众所周知的：废弃的硅料在进行回收利用时，必须去除硅料上的杂质。因此废弃硅料在进行回收利用的过程中，需要经过多道工序。现有技术已有采用喷砂、泡沫浮选、离心分离、高温熔融过滤等方法来去除硅料中的碳化硅、氮化硅或石墨等杂质，但这些方法运行成本高，不易于进行批量生产，且由于处理得到的硅料除杂不够彻底，一般难以直接作为多晶硅铸锭的原材料再次利用，故造成了极大的浪费。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够保证二次硅料除杂彻底，工艺简单的二次硅料回收再利用工艺。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：二次硅料回收再利用工艺，包括以下步骤：
S1、将二次硅料，通过打碎装置打碎成小块，小块的最小直径5mm，最大直径50mm；
S2、然后将二次硅料进行水洗；
S3、将水洗后的二次硅料进行碱洗；
S4、将酸洗后的二次硅料进行超声波清洗；
S5、将超声波清洗后的二次硅料进行酸洗；
S6、将酸洗后的二次硅料进行超声波清洗；
S7、将超声波清洗后的硅料烘干，然后采用硅料熔融装置进行去杂；
所述硅料熔融包括底座以及安装在底座上的熔融炉体；所述熔融炉体具有内腔，所述内腔内设置有隔板；所述隔板将内腔分割为上部的熔融腔体和下部的过滤腔体；
所述熔融腔体内安装有熔融装置以及熔液沉淀槽；所述过滤腔体内设置有金属溶液过滤装置；
所述熔融装置包括保温壳体；所述保温壳体内设置有坩埚；所述保温壳体的内壁与坩埚之间依次设置有电阻加热装置以及锆石层；
所述保温壳体的外侧设置有电阻加热装置的供电装置；所述保温壳体的两侧设置有拉杆；所述拉杆的一端与熔融炉体内腔的顶部连接，另一端与保温壳体的中间位置铰接；所述拉杆上设置有驱动保温壳体转动的转动驱动装置；所述坩埚的一侧设置有出液嘴；所述出液嘴延伸到保温壳体外；
所述熔液沉淀槽位于熔融装置的出液嘴下方；所述熔液沉淀槽底部设置有出液管，所述出液管上设置有第一电磁阀门；所述出液管穿过隔板且位于金属溶液过滤装置的上方；
所述金属溶液过滤装置底部设置有第二出液管；所述第二出液管穿过熔融炉体底部；
所述熔融腔体的一侧设置有造渣剂添加装置；所述熔融腔体的顶部设置有硅料添加装置以及惰性气体供气装置；所述过滤腔体底部设置有出气管；所述隔板上设置有透气孔。
进一步的，所述金属溶液过滤装置包括过滤槽、过滤网；所述过滤槽一侧设置有插口，所述过滤槽内设置有与插口滑动支撑板；所述过滤网依次穿过熔融炉体、插口插入到内过滤槽内，且将过滤槽的内腔分割为上部的入液腔和下部的出液腔。
优选的，在步骤S3中碱洗液采用氢氧化钠，PH值为8至9，碱洗温度为60℃到80℃。
优选的，在步骤S5中酸洗液采用氢氟酸和硝酸的混合溶液，其中硝酸和氢氟酸的质量百分比为:1。
进一步的，所述熔融炉体的内壁上设置有保温层。
进一步的，所述熔液沉淀槽的外侧设置有第二电阻加热装置。
本发明的有益效果是：本发明所述的二次硅料回收再利用工艺，由于步骤S1至步骤S4每个单独的步骤均为现有的工艺步骤，因此工艺简单成熟，便于实现；
其次，由于在步骤S7中采用硅料熔融装置进行高温熔融除杂，硅料熔融装置设置有可以翻转的熔融装置，因此便于硅料的添加和熔融硅料的导出；其次，由于设置有熔融沉积槽，因此在熔融沉积槽处通过添加造渣剂，可以使得硅料中的咋子形成杂渣沉积；然后通过设置金属溶液过滤装置将杂渣过滤，从而实现对硅料的除杂。本发明所述的二次硅料回收利用工艺工艺简便、成熟，同时便于彻底去除硅料中的杂质，保证硅料的二次利用，降低成本。
附图说明
图1是本发明实施例中二次硅料回收再利用工艺的流程图；
图2是本发明实施例中硅料熔融装置的立体图；
图3是本发明实施例中硅料熔融装置的俯视图；
图4是图3中的A-A的剖视图；
图5是本发明实施例中硅料熔融装置抽出滤网的结构示意图；
图6是图3中B的局部放大图；
图7是发明实施例中熔融装置的立体图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
如图1至图6所示，本发明所述的二次硅料回收再利用工艺，包括以下步骤：
S1、将二次硅料，通过打碎装置打碎成小块，小块的最小直径5mm，最大直径50mm；
S2、然后将二次硅料进行水洗；
S3、将水洗后的二次硅料进行碱洗；
S4、将酸洗后的二次硅料进行超声波清洗；
S5、将超声波清洗后的二次硅料进行酸洗；
S6、将酸洗后的二次硅料进行超声波清洗；
S7、将超声波清洗后的硅料烘干，然后采用硅料熔融装置进行去杂；
所述硅料熔融包括底座1以及安装在底座1上的熔融炉体2；
所述熔融炉体2具有内腔，所述内腔内设置有隔板9；所述隔板9将内腔分割为上部的熔融腔体和下部的过滤腔体；
所述熔融腔体内安装有熔融装置7以及熔液沉淀槽8；所述过滤腔体内设置有金属溶液过滤装置10；
所述熔融装置7包括保温壳体71；所述保温壳体71内设置有坩埚72；所述保温壳体71的内壁与坩埚72之间依次设置有电阻加热装置78以及锆石层77；
所述保温壳体71的外侧设置有电阻加热装置78的供电装置74；所述保温壳体71的两侧设置有拉杆75；所述拉杆75的一端与熔融炉体2内腔的顶部连接，另一端与保温壳体71的中间位置铰接；所述拉杆75上设置有驱动保温壳体71转动的转动驱动装置76；所述坩埚72的一侧设置有出液嘴73；所述出液嘴73延伸到保温壳体71外；
所述熔液沉淀槽8位于熔融装置7的出液嘴73下方；所述熔液沉淀槽8底部设置有出液管，所述出液管上设置有第一电磁阀门81；所述出液管穿过隔板9且位于金属溶液过滤装置10的上方；
所述金属溶液过滤装置10底部设置有第二出液管12；所述第二出液管穿过熔融炉体2底部；
所述熔融腔体的一侧设置有造渣剂添加装置5；所述熔融腔体的顶部设置有硅料添加装置3以及惰性气体供气装置4；所述过滤腔体底部设置有出气管11；所述隔板9上设置有透气孔91。具体熔融炉体2上还设置有抽真空装置，在附图中未画出。
在对将超声波清洗后的硅料烘干，然后采用硅料熔融装置进行去杂的过程中：
首先通过硅料添加装置3向熔融装置7内添加硅料，然后通过抽真空装置，将熔融炉体2的内腔抽成真空；然后通过惰性气体供气装置4向炉内通入保护气体；
通过熔融装置7将硅料融化，硅料融化后启动转动驱动装置76使得保温壳体71转动，从而使得熔融硅料从坩埚72内倒出流入到熔液沉淀槽8内，然后通过造渣剂添加装置5向熔液沉淀槽8内添加造渣剂；将熔融硅料在熔液沉淀槽8内静置一段时间后，然后打开电磁阀门81使得熔融硅料流入到金属液过滤器中进行过滤，从而实现硅料的熔融过滤。
综上所述，本发明所述的二次硅料回收再利用工艺，由于步骤S1至步骤S4每个单独的步骤均为现有的工艺步骤，因此工艺简单成熟，便于实现；
其次，由于在步骤S7中采用硅料熔融装置进行高温熔融除杂，硅料熔融装置设置有可以翻转的熔融装置，因此便于硅料的添加和熔融硅料的导出；其次，由于设置有熔融沉积槽，因此在熔融沉积槽处通过添加造渣剂，可以使得硅料中的咋子形成杂渣沉积；然后通过设置金属溶液过滤装置将杂渣过滤，从而实现对硅料的除杂。本发明所述的二次硅料回收再利用工艺工艺简便、成熟，同时便于彻底去除硅料中的杂质，保证硅料的二次利用，降低成本。
为了便于保证清洗彻底，具体的，在步骤S3中碱洗液采用氢氧化钠，PH值为8至9，碱洗温度为60℃到80℃。在步骤S5中酸洗液采用氢氟酸和硝酸的混合溶液，其中硝酸和氢氟酸的质量百分比为(8～10):1。
为了便于对过滤杂质的清理，进一步的，所述金属溶液过滤装置10包括过滤槽10、过滤网6；所述过滤槽10一侧设置有插口，所述过滤槽10内设置有与插口滑动支撑板13；所述过滤网6依次穿过熔融炉体2、插口插入到内过滤槽10内，且将过滤槽10的内腔分割为上部的入液腔和下部的出液腔。
为了避免熔融硅料离开熔融装置后温度下降出现凝固，进一步的，所述熔融炉体2的内壁上设置有保温层。
为了避免熔融硅料在熔液沉淀槽8内凝固，进一步的，所述熔液沉淀槽8的外侧设置有第二电阻加热装置。
Claims (6)
1.二次硅料回收再利用工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将二次硅料，通过打碎装置打碎成小块，小块的最小直径5mm，最大直径50mm；
S2、然后将二次硅料进行水洗；
S3、将水洗后的二次硅料进行碱洗；
S4、将酸洗后的二次硅料进行超声波清洗；
S5、将超声波清洗后的二次硅料进行酸洗；
S6、将酸洗后的二次硅料进行超声波清洗；
S7、将超声波清洗后的硅料烘干，然后采用硅料熔融装置进行去杂；
所述硅料熔融包括底座(1)以及安装在底座(1)上的熔融炉体(2)；所述熔融炉体(2)具有内腔，所述内腔内设置有隔板(9)；所述隔板(9)将内腔分割为上部的熔融腔体和下部的过滤腔体；
所述熔融腔体内安装有熔融装置(7)以及熔液沉淀槽(8)；所述过滤腔体内设置有金属溶液过滤装置(10)；
所述熔融装置(7)包括保温壳体(71)；所述保温壳体(71)内设置有坩埚(72)；所述保温壳体(71)的内壁与坩埚(72)之间依次设置有电阻加热装置(78)以及锆石层(77)；
所述保温壳体(71)的外侧设置有电阻加热装置(78)的供电装置(74)；所述保温壳体(71)的两侧设置有拉杆(75)；所述拉杆(75)的一端与熔融炉体(2)内腔的顶部连接，另一端与保温壳体(71)的中间位置铰接；所述拉杆(75)上设置有驱动保温壳体(71)转动的转动驱动装置(76)；所述坩埚(72)的一侧设置有出液嘴(73)；所述出液嘴(73)延伸到保温壳体(71)外；
所述熔液沉淀槽(8)位于熔融装置(7)的出液嘴(73)下方；所述熔液沉淀槽(8)底部设置有出液管，所述出液管上设置有第一电磁阀门(81)；所述出液管穿过隔板(9)且位于金属溶液过滤装置(10)的上方；
所述金属溶液过滤装置(10)底部设置有第二出液管(12)；所述第二出液管穿过熔融炉体(2)底部；
所述熔融腔体的一侧设置有造渣剂添加装置(5)；所述熔融腔体的顶部设置有硅料添加装置(3)以及惰性气体供气装置(4)；所述过滤腔体底部设置有出气管(11)；所述隔板(9)上设置有透气孔(91)。
2.如权利要求1所述的二次硅料回收再利用工艺，其特征在于：所述金属溶液过滤装置(10)包括过滤槽(10)、过滤网(6)；所述过滤槽(10)一侧设置有插口，所述过滤槽(10)内设置有与插口滑动支撑板(13)；所述过滤网(6)依次穿过熔融炉体(2)、插口插入到内过滤槽(10)内，且将过滤槽10的内腔分割为上部的入液腔和下部的出液腔。
3.如权利要求2所述的二次硅料回收再利用工艺，其特征在于：在步骤S3中碱洗液采用氢氧化钠，PH值为8至9，碱洗温度为60℃到80℃。
4.如权利要求3所述的二次硅料回收再利用工艺，其特征在于：在步骤S5中酸洗液采用氢氟酸和硝酸的混合溶液，其中硝酸和氢氟酸的质量百分比为(8～10):1。
5.如权利要求4所述的二次硅料回收再利用工艺，其特征在于：所述熔融炉体(2)的内壁上设置有保温层。
6.如权利要求5所述的二次硅料回收再利用工艺，其特征在于：所述熔液沉淀槽(8)的外侧设置有第二电阻加热装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910637013.2A CN110282628A (zh) | 2019-07-15 | 2019-07-15 | 二次硅料回收再利用工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910637013.2A CN110282628A (zh) | 2019-07-15 | 2019-07-15 | 二次硅料回收再利用工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110282628A true CN110282628A (zh) | 2019-09-27 |
Family
ID=68022936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910637013.2A Pending CN110282628A (zh) | 2019-07-15 | 2019-07-15 | 二次硅料回收再利用工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110282628A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116874170A (zh) * | 2023-06-14 | 2023-10-13 | 新沂市中鑫光电科技有限公司 | 一种回收废石英坩埚制取高纯熔融石英的方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102121788A (zh) * | 2010-09-30 | 2011-07-13 | 陈久斌 | 冶炼熔炉 |
| CN102331169A (zh) * | 2011-01-13 | 2012-01-25 | 陈久斌 | 冶炼熔炉 |
| CN202226676U (zh) * | 2011-05-16 | 2012-05-23 | 大连隆田科技有限公司 | 一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的设备 |
| CN102491338A (zh) * | 2011-11-22 | 2012-06-13 | 虞海盈 | 生产多晶硅的方法 |
| CN102757051A (zh) * | 2012-04-19 | 2012-10-31 | 镇江环太硅科技有限公司 | 废弃层硅料的回收处理方法 |
| WO2017209034A1 (ja) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | 昭和電工株式会社 | 物質精製方法及び装置、溶湯加熱保持装置並びに高純度物質の連続精製システム |
-
2019
- 2019-07-15 CN CN201910637013.2A patent/CN110282628A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102121788A (zh) * | 2010-09-30 | 2011-07-13 | 陈久斌 | 冶炼熔炉 |
| CN102331169A (zh) * | 2011-01-13 | 2012-01-25 | 陈久斌 | 冶炼熔炉 |
| CN202226676U (zh) * | 2011-05-16 | 2012-05-23 | 大连隆田科技有限公司 | 一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的设备 |
| CN102491338A (zh) * | 2011-11-22 | 2012-06-13 | 虞海盈 | 生产多晶硅的方法 |
| CN102757051A (zh) * | 2012-04-19 | 2012-10-31 | 镇江环太硅科技有限公司 | 废弃层硅料的回收处理方法 |
| WO2017209034A1 (ja) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | 昭和電工株式会社 | 物質精製方法及び装置、溶湯加熱保持装置並びに高純度物質の連続精製システム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116874170A (zh) * | 2023-06-14 | 2023-10-13 | 新沂市中鑫光电科技有限公司 | 一种回收废石英坩埚制取高纯熔融石英的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4689373B2 (ja) | シリコンの再利用方法 | |
| CN209612365U (zh) | 一种去除熔盐中固体夹杂物的过滤净化装置 | |
| JPWO2002068732A1 (ja) | 固形状多結晶原料のリチャージ管及びそれを用いた単結晶の製造方法 | |
| CN212362825U (zh) | 一种自动去渣熔炼炉 | |
| CN108568514A (zh) | 一种控制真空感应炉熔炼夹杂物及夹渣的装置及其方法 | |
| CN114850450B (zh) | 难熔高活多元复杂合金悬浮感应熔炼负压吸铸装置及方法 | |
| CN110282628A (zh) | 二次硅料回收再利用工艺 | |
| CN104148586A (zh) | 一种浇口盆 | |
| CN106555224A (zh) | 一种单晶硅的生产方法和生产设备 | |
| CN210602767U (zh) | 二次硅料的高温熔融装置 | |
| CN111378841A (zh) | 一种压铸铝合金碎料回收工艺 | |
| CN206828617U (zh) | 真空熔炼镍锭生产惰性气体保护装置 | |
| CN216073980U (zh) | 一种铝液搅拌除气除渣装置 | |
| CN109622906A (zh) | 一种基于电磁搅拌与自主搅拌的铝青铜连铸炉 | |
| CN215560566U (zh) | 一种金属镁半连续精炼设备 | |
| CN215137392U (zh) | 一种用于金属熔体过滤除渣的可自排渣管式过滤器 | |
| CN204718375U (zh) | 镁合金熔炉 | |
| CN208853700U (zh) | 一种用于铝合金除渣的装置 | |
| CN214088244U (zh) | 一种环保型便于除尘的熔炼装置 | |
| CN111926199B (zh) | 一种电解铝液的预熔炼工艺 | |
| CN211611928U (zh) | 一种钢锭生产加工用废水处理装置 | |
| CN209052750U (zh) | 一种热离解反应器 | |
| CN104451176B (zh) | 集熔体净化与搅拌为一体的多功能搅拌器 | |
| CN209741236U (zh) | 一种铜棒生产用熔化炉设备 | |
| CN202148342U (zh) | 一种铝合金熔炼净化装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190927 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |