CN110274165A - 发光装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种发光装置，该发光装置包括多个半导体激光元件和多个反射器，所述多个半导体激光元件包括第一半导体激光元件，所述多个反射器包括用于对从第一半导体激光元件发射的光进行反射的第一反射器，反射器中的每个反射器对从所述多个半导体激光元件中的相应的一个半导体激光元件发射的光进行反射。从第一半导体激光元件发射的光穿过所述多个反射器中的除第一反射器之外的两个反射器之间的间隙并到达第一反射器。从所述多个半导体激光元件发射的光在与其朝向所述多个反射器的入射方向不同的方向上被提取。

Description

发光装置

技术领域

本发明涉及发光装置。

背景技术

已知一种发光装置，在该发光装置中，多个半导体激光元件(激光二极管)在水平面中从不同的方向将光发射到单个磷光体上，并且光被竖向向上提取(参见例如JP 2012/54272 A)。JP 2012/54272 A指出该发光装置可以构造成获得高输出同时还减小尺寸。

已知另一种发光装置，该发光装置设置有半导体激光元件、半透明膜、发光膜和反射膜，半透明膜设置成面向半导体激光元件并对从发光元件发出的激发光进行传递，发光膜包含吸收通过半透明膜传递的激发光并发射具有与激发光的波长不同的波长的可见输出光的磷光体，反射膜设置在半透明膜的相对于发光膜的相反侧，并且至少将激发光朝向发光膜反射(参见例如JP 4264109 B)。JP 4264109 B指出该发光装置可以构造成防止从半导体激光元件发出的激发光泄漏。

发明内容

JP 2012/54272 A的发光装置可能具有从半导体激光元件发射的且输入至磷光体的光朝向与半导体激光元件相反的一侧泄漏的问题。从磷光体向与半导体激光元件相反的一侧泄漏的光可能会被发光装置的构件——比如其他的半导体激光元件——吸收并且不能被提取到外面，从而导致光提取效率降低。

JP 4264109 B的发光装置可以防止从半导体激光元件发射的激发光的泄漏以抑制光提取效率的降低。然而，当安装多个半导体激光元件以获得高输出时，由于半透明膜、发光膜和反射膜相对于半导体激光元件的位置是被限制的，因此可能难以将光集中在非常小的区域中。

本发明的目的是提供一种光提取效率较高的发光装置，并且该发光装置构造成使得在发光装置中设置多个半导体激光元件以获得高输出的情况下从半导体激光元件发射的光可以被集中在非常小的区域中。

根据本发明的实施方式，可以提供由以下[1]至[8]限定的发光装置。

[1]一种发光装置，包括：

多个半导体激光元件，所述多个半导体激光元件包括第一半导体激光元件；和

多个反射器，所述多个反射器包括用于对从第一半导体激光元件发射的光进行反射的第一反射器，反射器中的每个反射器对从所述多个半导体激光元件中的相应的一个半导体激光元件发射的光进行反射，

其中，从第一半导体激光元件发射的光穿过所述多个反射器中的除第一反射器之外的两个反射器之间的间隙并到达第一反射器，以及

其中，从所述多个半导体激光元件发射的光在与其朝向所述多个反射器的入射方向不同的方向上被提取。

[2]根据[1]所述的发光装置，还包括多个散射材料，所述多个散射材料各自设置在位于所述多个半导体激光元件中的一个半导体激光元件与所述多个反射器中的相应的一个反射器之间的区域中。

[3]根据[2]所述的发光装置，其中，所述多个散射材料被结合成单个散射材料。

[4]根据[2]或[3]所述的发光装置，其中，所述多个散射材料中的每个散射材料均包括波长转换构件。

[5]根据[4]所述的发光装置，其中，所述多个半导体激光元件中的任意一个半导体激光元件被限定为预定的半导体激光元件，所述多个反射器中的对从预定的半导体激光元件发射的光进行反射的一个反射器被限定为预定的反射器，并且所述多个散射材料中的设置在预定的半导体激光元件与预定的反射器之间的一个散射材料被限定为预定的散射材料，以及

其中，在预定的半导体激光元件与预定的散射材料之间以及预定的反射器与预定的散射材料之间设置有波长选择反射器，波长选择反射器对从预定的半导体激光元件发射的光进行传递并对通过预定的散射材料被进行波长转换的光进行反射。

[6]根据[1]至[5]中的任一项所述的发光装置，其中，从所述多个半导体激光元件发射的光朝向所述多个反射器的入射方向彼此平行。

[7]根据[1]至[4]中任一项所述的发光装置，其中，所述多个半导体激光元件中的任意一个半导体激光元件被限定为预定的半导体激光元件，并且所述多个反射器中的对从预定的半导体激光元件发射的光进行反射的一个反射器被限定为预定的反射器，以及

其中，从预定的半导体激光元件发射的光穿过位于所述多个反射器中的除预定反射器之外的两个反射器之间的间隙并到达预定的反射器。

[8]根据[1]至[4]以及[7]中任一项所述的发光装置，其中，所述多个反射器中的不少于两个的反射器被结合成单个反射器。

根据本发明的实施方式，可以提供一种光提取效率较高的发光装置，并且该发光装置构造成使得在发光装置中设置多个半导体激光元件以获得高输出的情况下从半导体激光元件发射的光可以集中在非常小的区域中。

附图说明

接下来，将结合附图对本发明进行更详细的说明，其中：

图1A和图1B为示出了第一实施方式中的发光装置的立体图和俯视图；

图2A和图2B为示出了第一实施方式中的发光装置的改型的立体图和俯视图；

图3A和图3B为示出了第二实施方式中的发光装置的立体图和俯视图；

图4A和图4B为示出了第三实施方式中的发光装置的内部构造的俯视图；

图5A和图5B为示出了第四实施方式中的发光装置的内部构造的俯视图；以及

图6为示出了第五实施方式中的发光装置的内部构造的俯视图。

具体实施方式

第一实施方式

发光装置的构造

图1A和图1B为示出了第一实施方式中的发光装置1的立体图和俯视图。该发光装置1设置有多个半导体激光元件11(11a至11d)和多个反射器12(12a至12d)，所述多个反射器中的每个反射器对从所述多个半导体激光元件11中的相应的一个半导体激光元件发射的光进行反射。

所述多个半导体激光元件11和所述多个反射器12容置在壳体10中。壳体10的形状和材料没有具体限制。在图1A和图1B中，示出了壳体10内部的构造并且壳体10的一部分被省略。

在发光装置1中，从所述多个半导体激光元件11发射到所述多个反射器12上的光的入射方向是水平的(与壳体10的底部表面平行的方向)，并且光提取的方向是竖向向上的(竖向离开壳体10的底部表面的方向)。也就是说，发光装置1构造成在与从所述多个半导体激光元件11发射到所述多个反射器12上的光的入射方向不同的方向上提取光。

在发光装置1中，从所述多个半导体激光元件11发射的基本上所有的光都被所述多个反射器12反射并被提取。因此，光的泄漏非常少，从而允许发光装置1具有高的光提取效率。

在发光装置1中，从半导体激光元件11b发射的光穿过反射器12c和12d之间并到达反射器12b。同样地，从半导体激光元件11c发射的光穿过反射器12a和12b之间并到达反射器12c。

以此，可以通过将所述多个半导体激光元件11和所述多个反射器12设置成使得从至少一个半导体激光元件11发射的光穿过对从其他半导体激光元件11发射的光进行反射的两个反射器12之间的空间到达相应的反射器12而将从所述多个半导体激光元件11发射的光集中在非常小的区域中。

在发光装置1中，从半导体激光元件11a发射到反射器12a上的光的入射方向、从半导体激光元件11b发射到反射器12b上的光的入射方向、从半导体激光元件11c发射到反射器12c上的光的入射方向和从半导体激光元件11d发射到反射器12d上的光的入射方向大致平行。换言之，从所述多个半导体激光元件11发射到所述多个反射器12上的光的入射方向彼此大致平行。

半导体激光元件11是发光装置1的光源，并且当在发光装置1中设置波长转换构件时，半导体激光元件11还用作用于波长转换构件的激发光源。半导体激光元件11以设置在基部13上的状态容置于壳体10中。

半导体激光元件11的发射波长没有具体限制，并且根据发光装置1的发射颜色等适当地选择。当发光装置1具有例如发射黄色荧光的波长转换构件时，发射蓝色光的半导体激光元件11的使用允许发光装置1产生作为蓝色光中的在没有通过波长转换构件进行波长转换的情况下提取的部分与黄色荧光的混合物的白色光。

反射器12是具有相对于水平面倾斜的反射表面的镜。反射器12的反射表面的倾斜角根据从半导体激光元件11发射的光的入射角和光提取方向适当地确定，并且可以例如通过在反射器12的从水平面倾斜45度的反射表面处对从半导体激光元件11水平发射的光进行反射而使光竖向向上地发射。

发光装置1可以构造成在反射器12上设置包含磷光体的波长转换构件。在这种情况下，由反射器12反射并向上行进的光被波长转换构件吸收，从而发射出荧光。

图2A和图2B为示出了作为第一实施方式中的发光装置1的改型的发光装置2的立体图和俯视图。

发光装置2设置有多个散射材料20(20a至20d)，所述多个散射材料20中的每个散射材料设置在半导体激光元件11中的一个半导体激光元件与反射器12中的相应的一个反射器之间。散射材料20a设置在半导体激光元件11a与反射器12a之间，散射材料20b设置在半导体激光材料11b与反射器12b之间，散射材料20c设置在半导体激光材料11c与反射器12c之间，并且散射材料20d设置在半导体激光材料11d与反射器12d之间。

所述多个散射材料20是将例如比方说二氧化钛(TiO₂)的散射剂散布在由半透明氧化铝、玻璃或树脂等形成的基材中的构件。

所述多个散射材料20可以是包含磷光体的波长转换构件。在这种情况下，散射材料20例如是在由半透明氧化铝、玻璃或树脂等形成的基材中包含磷光体颗粒的构件或者是烧结的磷光体。

包含在所述多个散射材料20中的磷光体没有具体限制，并且可以例如是比方说YAG(钇铝石榴石)磷光体、α-SiAlON磷光体或BOS(原硅酸钡)磷光体的黄色磷光体，或者可以是比方说β-SiAlON磷光体的绿色磷光体与比方说(Ca,Sr)2Si5N8:Eu或CaAlSiN3:Eu的红色磷光体的混合物。

散射材料20a、20b、20c和20d可以设置成单独的构件，但是优选地散射材料20a、20b、20c和20d构成单个连续的散射材料21，如图2A和图2B中所示。

所述多个散射材料20的形状没有具体限制。在图2A和图2B所示的示例中，散射材料21包括散射材料20a、20b、20c和20d并具有水平放置的梯形基底的棱柱形状，其中该形状的侧表面的倾斜度与所述多个反射器12的反射表面的倾斜度相匹配。

从所述多个半导体激光元件11发射的光进入所述多个散射材料20并在所述多个散射材料20内被散射。然后，穿过位于入射表面的相反侧的表面离开的光被所述多个反射器12向上反射。因此，光的泄漏是非常少的，从而允许发光装置2具有高的光提取效率。

在所述多个散射材料20为波长转换构件的情况下，进入所述多个散射材料20的光部分地或大致完全地被所述多个散射材料20吸收，从而发射出荧光。当例如半导体激光元件11发射蓝色光且所述多个散射材料20显示为黄色荧光时，可以从发光装置2提取的光是作为蓝色光中的在没有通过所述多个散射材料20进行波长转换的情况下被提取的部分与黄色荧光的混合物的白色光。

在所述多个散射材料20是波长转换构件的情况下，可以在所述多个散射材料20的其中从半导体激光元件11发射的光所入射的入射表面上附加地设置波长选择反射器、比如DBR(分布布拉格反射器)膜，波长选择反射器对从所述多个半导体激光元件11发射的光进行传递并对被所述多个散射材料20进行波长转换的光进行反射。

第二实施方式

第二实施方式与第一实施方式的不同之处在于提取从半导体激光元件发射的光的机构。与第一实施方式中的构件相同的构件用相同的附图标记表示，并且将省略或简化其说明。此外，将省略或简化对与第一实施方式中的相同类型的构件的特征相同的特征——比如功能和效果等——的说明。

发光装置的构造

图3A和图3B为示出了第二实施方式中的发光装置3的立体图和俯视图。该发光装置3设置有多个半导体激光元件11(11a至11d)、多个反射器32(32a至32d)、多个波长转换构件30(30a至30d)和多个波长选择反射器33(33a至33d)，其中，所述多个反射器32中每个反射器对从所述多个半导体激光元件11中的相应的一个半导体激光元件发射的光进行反射，所述多个波长转换构件30中每个波长转换构件设置在半导体激光元件11中的一个半导体激光元件与反射器32中的相应的一个反射器之间，所述多个波长选择反射器33设置在所述多个半导体激光元件11与所述多个波长转换构件30之间以及所述多个反射器32与所述多个波长转换构件30之间，并且所述多个波长选择反射器33对从所述多个半导体激光元件11发射的光进行传递并对被所述多个波长转换元件30进行波长转换的光进行反射。

在发光装置3中，从所述多个半导体激光元件11发射的且通过所述多个波长转换构件30被进行波长转换的光通过设置成夹置所述多个波长转换构件30的波长选择反射器33被反射并且因此主要向上发射。同时，从所述多个半导体激光元件11发射的且从所述多个波长转换构件30离开但没有被波长转换的光通过所述多个反射器32被反射并向上发射。因此，光的泄漏非常少，从而允许发光装置3具有高的光提取效率。

在发光装置3中，从半导体激光元件11b发射的光穿过反射器32c和32d之间并到达反射器32b。同样地，从半导体激光元件11c发射的光穿过反射器32a和32b之间并到达反射器32c。

以此，可以通过将所述多个半导体激光元件11和所述多个反射器32设置成使得从至少一个半导体激光元件11发射的光穿过对从其他半导体激光元件11发射的光进行反射的两个反射器32之间的空间到达相应的反射器32而将从所述多个半导体激光元件11发射的光集中在非常小的区域中。

在发光装置3中，从半导体激光元件11a发射到反射器32a上的光的入射方向、从半导体激光元件11b发射到反射器32b上的光的入射方向、从半导体激光元件11c发射到反射器32c上的光的入射方向和从半导体激光元件11d发射到反射器32d上的光的入射方向大致平行。换言之，从所述多个半导体激光元件11发射到所述多个反射器32上的光的入射方向彼此大致平行。

反射器32是例如由包含反射填料的树脂形成的膜，并且形成在波长选择反射器33的侧表面上。可以使用硅基树脂或环氧基树脂等作为构成反射器32的树脂。可以使用高度反射材料——比如TiO₂、BaSO₄、ZnO、BaCO₃或SiO₂——的颗粒作为反射膜。

波长转换构件30a设置在半导体激光元件11a与反射器32a之间，波长转换构件30b设置在半导体激光元件11b与反射器32b之间，波长转换构件30c设置在半导体激光元件11c与反射器32c之间，并且波长转换构件30d设置在半导体激光元件11d与反射器32d之间。

所述多个波长转换构件30由与第一实施方式中的用作散射材料20的波长转换构件相同的材料形成。

波长转换构件30a、30b、30c和30d可以设置为单独的构件，但是优选地波长转换构件30a、30b、30c和30d构成单个连续的波长转换构件31，如图3A和图3B中所示。

所述多个波长转换构件30的形状没有具体限制。在图3A和图3B所示的示例中，波长转换构件31包括波长转换构件30a、30b、30c和30d并具有矩形的平行六面体形状，其侧表面面向所述多个半导体激光元件11。

进入所述多个波长转换构件30的光部分地或大致完全地被所述多个波长转换构件30吸收，从而发射出荧光。当例如半导体激光元件11发射蓝色光且所述多个波长转换构件30显示为黄色荧光时，可以从发光装置3提取的光是作为蓝色光中的在没有通过所述多个波长转换构件30进行波长转换的情况下提取的部分与黄色荧光的混合物的白色光。

波长选择反射器33a设置在半导体激光元件11a与波长转换构件30a之间以及反射器32a与波长转换构件30a之间。波长选择反射器33b设置在半导体激光元件11b与波长转换构件30b之间以及反射器32b与波长转换构件30b之间。波长选择反射器33c设置在半导体激光元件11c与波长转换构件30c之间以及反射器32c与波长转换构件30c之间。波长选择反射器33d设置在半导体激光元件11d与波长转换构件30d之间以及反射器32d与波长转换构件30d之间。

所述多个波长选择反射器33是例如DBR膜。

波长选择反射器33a、波长选择反射器33b、波长选择反射器33c和波长选择反射器33d可以设置为单独的构件，但是波长选择反射器33a、波长选择反射器33b、波长选择反射器33c和波长选择反射器33d优选地构成单个连续的波长选择反射器34，如图3A和图3B中所示。

所述多个波长选择反射器33的形状没有具体限制。在图3A和图3B所示的示例中，每个波长选择反射器34包括波长选择反射器33a、波长选择反射器33b、波长选择反射器33c和波长选择反射器33d并且具有矩形的平行六面体形状，其覆盖矩形的平行六面体形状的波长转换构件31的侧表面。

第三实施方式

第三实施方式与第一实施方式的不同之处在于半导体激光元件的设置等。与其他实施方式中的构件相同的构件用相同的附图标记表示，并且将省略或简化其说明。此外，将省略或简化对与其他实施方式中的相同类型的构件的特征相同的特征——比如功能和效果等——的说明。

发光装置的构造

图4A和图4B为示出了第三实施方式中的发光装置4和发光装置5的内部构造的俯视图。

发光装置4设置有所述多个半导体激光元件11(11a至11c)、所述多个反射器12(12a至12c)和多个散射材料40(40a至40c)，其中，所述多个反射器12中的每个反射器对从所述多个半导体激光元件11中的相应的一个半导体激光元件发射的光进行反射，所述多个散射材料40中的每个散射材料设置在半导体激光元件11中的一个半导体激光元件与反射器12中的相应的一个反射器之间。

发光装置5设置有所述多个半导体激光元件11(11a至11d)、所述多个反射器12(12a至12d)和多个散射材料50(50a至50d)，其中，所述多个反射器中的每个反射器对从所述多个半导体激光元件11中的相应的一个半导体激光元件发射的光进行反射，所述多个散射材料50中的每个散射材料设置在半导体激光元件11中的一个半导体激光元件与反射器12中的相应的一个反射器之间。

在发光装置4和5中，从所述多个半导体激光元件11发射的光进入所述多个散射材料40和50，并在所述多个散射材料40和50内被散射。然后，穿过入射表面的相反侧上的表面离开的光通过所述多个反射器12被向上反射。因此，光的泄漏非常少，从而允许发光装置4和5具有高的光提取效率。

在发光装置4中，从半导体激光元件11a发射的光穿过反射器12b和12c之间并到达反射器12a。同样地，从半导体激光元件11b发射的光穿过反射器12a和12c之间并到达反射器12b。然后，从半导体激光元件11c发射的光穿过反射器12a和12b之间并到达反射器12c。

同时，在发光装置5中，从半导体激光元件11a发射的光穿过反射器12b与反射器12c、12d之间并到达反射器12a。同样地，从半导体激光元件11b发射的光穿过反射器12c与反射器12a、12d之间并到达反射器12b。此外，从半导体激光元件11c发射的光穿过反射器12d与反射器12a、12b之间并到达反射器12c。此外，从半导体激光元件11d发射的光穿过反射器12a与反射器12b、12c之间并到达反射器12d。

以此，可以通过将所述多个半导体激光元件11和所述多个反射器12设置成使得从所述多个半导体激光元件11中的任意一个半导体激光元件发射的光穿过对从其他半导体激光元件11发射的光进行反射的两个反射器12之间的空间到达相应的反射器12而将从所述多个半导体激光元件11发射的光集中在非常小的区域中。

在发光装置4中，从半导体激光元件11a发射到反射器12a上的光的入射方向、从半导体激光元件11b发射到反射器12b上的光的入射方向和从半导体激光元件11c发射到反射器12c上的光的入射方向之间的相对角度大致等于在等边三角形中各自从顶点延伸至中心点的三条直线的方向之间的相对角度。

在发光装置5中，从半导体激光元件11a发射到反射器12a上的光的入射方向、从半导体激光元件11b发射到反射器12b上的光的入射方向、从半导体激光元件11c发射到反射器12c上的光的入射方向和从半导体激光元件11d发射到反射器12d上的光的入射方向之间的相对角度大致等于在正方形中各自从拐角部延伸至中心点的四条直线的方向之间的相对角度。

在发光装置4中，散射材料40a设置在半导体激光元件11a与反射器12a之间，散射材料40b设置在半导体激光元件11b与反射器12b之间，并且散射材料40c设置在半导体激光元件11c与反射器12c之间。

在发光装置5中，散射材料50a设置在半导体激光元件11a与反射器12a之间，散射材料50b设置在半导体激光元件11b与反射器12b之间，散射材料50c设置在半导体激光元件11c与反射器12c之间，散射材料50d设置在半导体激光元件11d与反射器12d之间。

所述多个散射材料40、50由与第一实施方式中的所述多个散射材料20相同的材料形成。替代性地，所述多个散射材料40、50可以是包含磷光体的波长转换构件。在这种情况下，所述多个散射材料40、50由与第一实施方式中的用作散射材料20的波长转换构件相同的材料形成。

在所述多个散射材料40、50是波长转换构件的情况下，可以在所述多个散射材料40、50的其中从半导体激光元件11发射的光所入射的入射表面上附加地设置波长选择反射器、比如DBR膜，波长选择反射器对从所述多个半导体激光元件11发射的光进行传递并对通过所述多个散射材料40、50被进行波长转换的光进行反射。

散射材料40a、40b和40c可以设置为单独的构件，但是优选地散射材料40a、40b和40c构成单个连续的散射材料41，如图4A中所示。同样地，散射材料50a、50b、50c和50d可以设置为单独的构件，但是优选地散射材料50a、50b、50c和50d构成单个连续的散射材料51，如图4B中所示。

所述多个散射材料40、50的形状没有具体限制。在图4A所示的示例中，散射材料41包括散射材料40a、40b和40c并具有六角形棱柱形状，其可以配装到由反射器12a至12c所环绕的区域中。同样地，在图4B所示的示例中，散射材料51包括散射材料50a、50b、50c和50d并具有四角形棱柱形状，其可以配装到由反射器12a至12d所环绕的区域中。

如果不需要散射材料40a、40b和40c，则在发光装置4中可以不设置散射材料40a、40b和40c。同样地，如果不需要散射材料50a、50b、50c和50d，则在发光装置5中可以不设置散射材料50a、50b、50c和50d。

当散射材料40a、40b和40c或者散射材料50a、50b、50c和50d是波长转换构件时，可以使用包括第二实施方式中的所述多个反射器32和所述多个波长选择反射器33的反射结构来代替所述多个反射器12。在这种情况下，所述多个反射器32的位置与所述多个反射器12的位置相同，并且所述多个波长选择反射器33以与第二实施方式相同的方式定位。

第四实施方式

第四实施方式与其他实施方式的不同之处在于一个反射器对从多个半导体激光元件发射的光进行反射。与其他实施方式中的构件相同的构件用相同的附图标记表示，并且将省略或简化其说明。此外，将省略或简化对与其他实施方式中的相同类型的构件的特征相同的特征——比如功能和效果等——的说明。

发光装置的构造

图5A和图5B为示出了第四实施方式中的发光装置6和7的内部构造的俯视图。

发光装置6设置有所述多个半导体激光元件11(11a至11d)、多个反射器62(62a至62d)和多个散射材料60(60a至60d)，所述多个反射器62中的每个反射器对从所述多个半导体激光元件11中的相应的一个半导体激光元件发射的光进行反射，所述多个散射材料60中的每个散射材料设置在半导体激光元件11中的一个半导体激光元件与反射器62中的相应的一个反射器之间。

发光装置7设置有所述多个半导体激光元件11(11a至11d)、多个反射器72(72a至72d)和多个散射材料70(70a至70d)，所述多个反射器72中的每个反射器对从所述多个半导体激光元件11中的相应的一个半导体激光元件发射的光进行反射，所述多个散射材料70中的每个散射材料设置在半导体激光元件11中的一个半导体激光元件与反射器72中的相应的一个反射器之间。

在发光装置6和发光装置7中，从所述多个半导体激光元件11发射的光进入所述多个散射材料60、70，并在所述多个散射材料60和70内被散射。然后，穿过入射表面的相反侧上的表面离开的光通过所述多个反射器62、72被反射。因此，光的泄漏非常少，从而允许发光装置6和7具有高的光提取效率。

在发光装置6中，从半导体激光元件11a发射的光穿过反射器62c与反射器62b、62d之间并到达反射器62a。同样地，从半导体激光元件11b发射的光穿过反射器62d与反射器62a、62c之间并到达反射器62b。此外，从半导体激光元件11c发射的光穿过反射器62a与反射器62b、62d之间并到达反射器62c。此外，从半导体激光元件11d发射的光穿过反射器62b与反射器62a、62c之间并到达反射器62d。

同时，在发光装置7中，从半导体激光元件11a发射的光穿过反射器72b与反射器72c、72d之间并到达反射器72a。同样地，从半导体激光元件11b发射的光穿过反射器72a与反射器72c、72d之间并到达反射器72b。此外，从半导体激光元件11c发射的光穿过反射器72d与反射器72a、72b之间并到达反射器72c。此外，从半导体激光元件11d发射的光穿过反射器72c与反射器72a、72b之间并到达反射器72d。

以此，可以通过将所述多个半导体激光元件11和所述多个反射器62、72设置成使得从所述多个半导体激光元件11中的任意一个半导体激光元件发射的光穿过对从其他半导体激光元件11发射的光进行反射的两个反射器62、72之间的空间到达相应的反射器62、72而将从所述多个半导体激光元件11发射的光集中在非常小的区域中。

在发光装置6中，反射器62a和62c构成单个连续的反射器63，并且反射器62b和62d构成单个连续的反射器64。反射器63和64由与第二实施方式中的反射器32相同的材料形成。

为了对从半导体激光元件11a和11c发射的且从不同方向入射的光有效地进行反射，反射器63构造成：用作反射器62a的部分的反射表面的法线定位得相比靠近半导体激光元件11c更靠近半导体激光元件11a，并且用作反射器62c的部分的反射表面的法线定向得相比靠近半导体激光元件11a更靠近半导体激光元件11c。此外，反射器63优选地构造成用作反射器62a和62c的部分的反射表面为弯曲的，如图5A中所示。

同样地，为了对从半导体激光元件11b和11d发射的且从不同方向入射的光有效地进行反射，反射器64构造成：用作反射器62b的部分的反射表面的法线定位得相比靠近半导体激光元件11d更靠近半导体激光元件11b，并且用作反射器62d的部分的反射表面的法线定位得相比靠近半导体激光元件11b更靠近半导体激光元件11d。此外，反射器64优选地构造成用作反射器62b和62d的部分的反射表面为弯曲的，如图5A中所示。

在发光装置7中，反射器72a和72b构成单个连续的反射器73，并且反射器72c和72d构成单个连续的反射器74。反射器73和74由与第二实施方式中的反射器32相同的材料形成。

为了对从半导体激光元件11a和11b发射的且从不同方向入射的光有效地进行反射，反射器73构造成：用作反射器72a的部分的反射表面的法线定位得相比靠近半导体激光元件11b更靠近半导体激光元件11a，并且用作反射器72b的部分的反射表面的法线定向得相比靠近半导体激光元件11a更靠近半导体激光元件11b。此外，反射器73优选地构造成用作反射器72a和72b的部分的反射表面为弯曲的，如图5B中所示。

同样地，为了对从半导体激光元件11c和11d发射的且从不同方向入射的光有效地进行反射，反射器74构造成：用作反射器72c的部分的反射表面的法线定位得相比靠近半导体激光元件11d更靠近半导体激光元件11c，并且用作反射器72d的部分的反射表面的法线定位得相比靠近半导体激光元件11c更靠近半导体激光元件11d。此外，反射器74优选地构造成用作反射器72c和72d的部分的反射表面为弯曲的，如图5B中所示。

在发光装置6中，散射材料60a设置在半导体激光元件11a与反射器62a之间，散射材料60b设置在半导体激光元件11b与反射器62b之间，散射材料60c设置在半导体激光元件11c与反射器62c之间，并且散射材料60d设置在半导体激光元件11d与反射器62d之间。

在发光装置7中，散射材料70a设置在半导体激光元件11a与反射器72a之间，散射材料70b设置在半导体激光元件11b与反射器72b之间，散射材料70c设置在半导体激光元件11c与反射器72c之间，并且散射材料70d设置在半导体激光元件11d与反射器72d之间。

所述多个散射材料60、70由与第一实施方式中的所述多个散射材料20相同的材料形成。替代性地，所述多个散射材料60、70可以是包含磷光体的波长转换构件。在这种情况下，所述多个散射材料60、70由与第一实施方式中的用作散射材料20的波长转换构件相同的材料形成。

在所述多个散射材料60、70是波长转换构件的情况下，可以在所述多个散射材料60、70的其中从半导体激光元件11发射的光所入射的入射表面上附加地设置波长选择反射器、比如DBR膜，波长选择反射器对从所述多个半导体激光元件11发射的光进行传递并对通过所述多个散射材料60、70被进行波长转换的光进行反射。

散射材料60a、60b、60c和60d可以设置为单独的构件，但是优选地散射材料60a、60b、60c和60d构成单个连续的散射材料61，如图5A中所示。同样地，散射材料70a、70b、70c和70d可以设置为单独的构件，但是优选地散射材料70a、70b、70c和70d构成单个连续的散射材料71，如图5B中所示。

所述多个散射材料60、70的形状没有具体限制。在图5A中所示的示例中，散射材料61包括散射材料60a、60b、60c和60d并具有带与反射器63和64的形状相匹配的圆角的矩形棱柱形状。同样地，在图5B中所示的示例中，散射材料71包括散射材料70a、70b、70c和70d，并具有带与反射器73和74的形状相匹配的圆角的矩形棱柱形状。

第五实施方式

第五实施方式与其他实施方式的不同之处在于使用下述发光单元：所述发光单元中各自包括一组半导体激光元件、反射器和散射材料等。与其他实施方式中的构件相同的构件用相同的附图标记表示，并且将省略或简化其说明。此外，将省略或简化对与其他实施方式中的相同类型的构件的特征相同的特征——比如功能和效果等——的说明。

发光装置的构造

图6为示出了第五实施方式中的发光装置8的内部构造的俯视图。

发光装置8设置有多个发光单元80(80a至80d)。发光单元80a通过将半导体激光元件11a、散射材料81a和反射器82a安装在基部83a上而形成。同样地，发光单元80b至80d分别通过将半导体激光元件11b至11d、散射材料81b至81d和反射器82b至82d安装在基部83b至83d上而形成。

所述多个反射器82(82a至82d)中的每个反射器对从所述多个半导体激光元件11中相应的一个半导体激光元件(11a、11b、11c或11d)发射的光进行反射。所述多个散射材料81(81a至81d)中的每个散射材料设置在所述多个半导体激光元件11中的一个半导体激光元件与所述多个反射器82中的相应的一个反射器之间。

在发光装置8中，从所述多个半导体激光元件11发射的光进入所述多个散射材料81并在所述多个散射材料81内被散射。然后，穿过入射表面的相反侧上的表面离开的光通过所述多个反射器82被向上反射。因此，光的泄漏非常少，从而允许发光装置8具有高的光提取效率。

在发光装置8中，从半导体激光元件11b发射的光穿过反射器82c和82d之间并到达反射器82b。同样地，从半导体激光元件11c发射的光穿过反射器82a和82b之间并到达反射器82c。

以此，可以通过将所述多个发光单元80设置成使得从至少一个半导体激光元件11发射的光穿过对从其他半导体激光元件11发射的光进行反射的两个反射器82之间的空间到达相应的反射器82而将从所述多个半导体激光元件11发射的光集中在非常小的区域中。

所述多个反射器82是形成在所述多个散射材料81的位于所述多个半导体激光元件11的相反侧的表面上的反射膜，并且由与第二实施方式中的反射器32相同的材料形成。为了进一步减少光的泄漏，所述多个散射材料81的两个侧表面(与所述多个半导体激光元件11的光轴不交叉的表面)也可以被所述多个反射器82覆盖，如图6中所示。

散射材料81a设置在半导体激光元件11a与反射器82a之间，散射材料81b设置在半导体激光元件11b与反射器82b之间,散射材料81c设置在半导体激光元件11c与反射器82c之间，并且散射材料81d设置在半导体激光元件11d与反射器82d之间。

所述多个散射材料81由与第一实施方式中的所述多个散射材料20相同的材料形成。替代性地，所述多个散射材料81可以是包含磷光体的波长转换构件。在这种情况下，所述多个散射材料81由与第一实施方式中的用作散射材料20的波长转换构件相同的材料形成。

在所述多个散射材料81是波长转换构件的情况下，可以在所述多个散射材料81的其中从半导体激光元件11发射的光所入射的入射表面上附加地设置波长选择反射器、比如DBR膜，波长选择反射器对从所述多个半导体激光元件11发射的光进行传递并对通过所述多个散射材料81被进行波长转换的光进行反射。

实施方式的效果

根据第一实施方式至第五实施方式，可以提供一种具有高的光提取效率的发光装置，并且该发光装置构造成设置有多个半导体激光元件以获得高输出且从半导体激光元件发射的光可以集中在非常小的区域中。

尽管已经描述了本发明的实施方式，但本发明并不意在被限于这些实施方式，并且在不背离本发明的主旨的情况下可以实现各种改型。此外，在不背离本发明的主旨的情况下，可以任意组合实施方式中的构成元件。

此外，根据权利要求书的本发明并不限于这些实施方式。此外，应当指出的是，实施方式中描述的特征的所有组合对于解决本发明的问题并非是必要的。

Claims (8)

1.一种发光装置，包括：

多个半导体激光元件，所述多个半导体激光元件包括第一半导体激光元件；和

多个反射器，所述多个反射器包括用于对从所述第一半导体激光元件发射的光进行反射的第一反射器，所述反射器中的每个反射器对从所述多个半导体激光元件中的相应的一个半导体激光元件发射的光进行反射，

其中，从所述第一半导体激光元件发射的光穿过所述多个反射器中的除所述第一反射器之外的两个反射器之间的间隙并到达所述第一反射器，以及

其中，从所述多个半导体激光元件发射的光在与所述光的朝向所述多个反射器的入射方向不同的方向上被提取。

2.根据权利要求1所述的发光装置，还包括多个散射材料，所述多个散射材料各自设置在位于所述多个半导体激光元件中的一个半导体激光元件与所述多个反射器中的相应的一个反射器之间的区域中。

3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述多个散射材料被结合成单个散射材料。

4.根据权利要求2或3所述的发光装置，其中，所述多个散射材料中的每个散射材料均包括波长转换构件。

5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，所述多个半导体激光元件中的任意一个半导体激光元件被限定为预定的半导体激光元件，所述多个反射器中的对从所述预定的半导体激光元件发射的光进行反射的一个反射器被限定为预定的反射器，并且所述多个散射材料中的设置在所述预定的半导体激光元件与所述预定的反射器之间的一个散射材料被限定为预定的散射材料，以及

其中，在所述预定的半导体激光元件与所述预定的散射材料之间以及所述预定的反射器与所述预定的散射材料之间设置有波长选择反射器，所述波长选择反射器对从所述预定的半导体激光元件发射的光进行传递并对通过所述预定的散射材料被进行波长转换的光进行反射。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的发光装置，其中，从所述多个半导体激光元件发射的光朝向所述多个反射器的入射方向彼此平行。

7.根据权利要求1至4中的任一项所述的发光装置，其中，所述多个半导体激光元件中的任意一个半导体激光元件被限定为预定的半导体激光元件，并且所述多个反射器中的对从所述预定的半导体激光元件发射的光进行反射的一个反射器被限定为预定的反射器，以及

其中，从所述预定的半导体激光元件发射的光穿过位于所述多个反射器中的除所述预定的反射器之外的两个反射器之间的间隙并到达所述预定的反射器。

8.根据权利要求1至4以及7中的任一项所述的发光装置，其中，所述多个反射器中的不少于两个的反射器被结合成单个反射器。