CN110262198A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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竹松佑介
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Abstract

本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(100)利用处理液(L)处理基板(W)。基板处理装置(100)具有喷出喷嘴(130)和供给部(140)。喷出喷嘴(130)具有喷出口(132)和喷出流路(134)。喷出口(132)向基板(W)喷出处理液(L)。喷出流路(134)与喷出口(132)相连。供给部(140)与喷出喷嘴(130)的喷出流路(134)相连。喷出流路(134)的至少一部分由石英形成。供给部(140)具有第一供给流路(141)和第二供给流路(142)。第一供给流路(141)使处理液(L)的第一成分液(L1)向喷出喷嘴(130)的喷出流路(134)流动。第二供给流路(142)使处理液(L)的第二成分液(L2)向喷出喷嘴(130)的喷出流路(134)流动。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
已知用于处理基板的基板处理装置。例如，基板处理装置用于制造半导体基板。在基板处理装置中，能够将硫酸与过氧化氢溶液的混合液供给至基板，来除去抗蚀剂(例如，参照专利文献1)。
在专利文献1的基板处理装置中，为了抑制喷出不良，将喷嘴形成为3层结构。在专利文献1的基板处理装置中，在设置于腔室内的配管的混合区域中混合硫酸以及过氧化氢溶液。另外，在专利文献1的基板处理装置中，喷嘴具有由内侧的PFA形成的第一层配管、由中间的不锈钢形成的第二层配管以及由外侧的PFA形成的第三层配管。硫酸与过氧化氢溶液的混合液经过第一层配管。在第一层配管与第二层配管之间设置有进入了空气的空间，从而对第一层配管与第二层配管之间进行隔热。第三层配管覆盖第二层配管，从而抑制因外部环境气体而使第二层配管腐蚀。
专利文献1：日本特开2017－50387号公报
通常已知：将硫酸与过氧化氢溶液混合时，产生发热反应。但是，在专利文献1所记载的基板处理装置中，混合硫酸与过氧化氢溶液的混合区域与喷嘴分离，因此在混合液经过配管到达喷嘴之前，混合液的温度降低，从而存在无法充分处理基板的担忧。另外，本申请发明人发现：单纯地在喷出喷嘴混合处理液的成分液时产生问题。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够抑制在喷出喷嘴混合处理液的成分液时的影响。
根据本发明的一方面，基板处理装置利用处理液处理基板。所述基板处理装置具有喷出喷嘴和供给部。所述喷出喷嘴具有用于向所述基板喷出所述处理液的喷出口以及与所述喷出口相连的喷出流路。所述供给部与所述喷出喷嘴的所述喷出流路相连。所述喷出流路的至少一部分由石英形成。所述供给部具有第一供给流路和第二供给流路。所述第一供给流路使所述处理液的第一成分液向所述喷出喷嘴的所述喷出流路流动。所述第二供给流路使所述处理液的第二成分液向所述喷出喷嘴的所述喷出流路流动。
在本发明的基板处理装置中，所述第一供给流路以及所述第二供给流路的至少一部分由石英形成。
在本发明的基板处理装置中，所述第一供给流路包括：第一配管，以及，第一连结部，将所述第一配管与所述喷出喷嘴连结；所述第二供给流路包括：第二配管，以及，第二连结部，将所述第二配管与所述喷出喷嘴连结；所述第一连结部以及所述第二连结部均由石英形成。
在本发明的基板处理装置中，所述第一连结部以及所述第二连结部与所述喷出喷嘴被焊接在一起。
在本发明的基板处理装置中，所述第一配管以及所述第二配管由导电性管形成。
在本发明的基板处理装置中，所述喷出流路具有混合室，所述混合室与所述第一供给流路以及所述第二供给流路相连。
在本发明的基板处理装置中，所述喷出流路还具有相连部，所述相连部将所述混合室与所述喷出口相连；所述混合室的所述处理液流动的流路直径大于所述相连部的所述处理液流动的流路直径。
在本发明的基板处理装置中，所述喷出喷嘴具有：上部，规定所述混合室，以及，下部，规定所述相连部；所述上部与所述下部被焊接在一起。
在本发明的基板处理装置中，所述第一成分液包含过氧化氢溶液，所述第二成分液包含硫酸，所述第一供给流路在铅垂方向上比所述第二供给流路更靠上侧。
在本发明的基板处理装置中，所述基板处理装置还具有喷嘴支撑构件，所述喷嘴支撑构件用于支撑所述喷出喷嘴。
在本发明的基板处理装置中，所述喷出喷嘴具有设置有所述喷出口的侧面以及与所述侧面相连的底面；所述喷出喷嘴的所述底面相对于设置有所述喷出口的所述侧面倾斜地配置。
根据本发明的其它方面，基板处理方法为利用处理液处理基板的方法。所述基板处理方法包括：用于供给所述处理液的第一成分液的工序；用于供给所述处理液的第二成分液的工序；用于生成所述处理液的工序；以及，用于喷出所述处理液的工序。在用于供给所述处理液的第一成分液的工序中，经由第一供给流路将所述处理液的第一成分液供给至喷出喷嘴的喷出流路。在用于供给所述处理液的第二成分液的工序中，经由第二供给流路将所述处理液的第二成分液供给至喷出喷嘴的喷出流路。在用于生成所述处理液的工序中，在所述喷出喷嘴的所述喷出流路混合所述第一成分液以及所述第二成分液，来生成所述处理液。在用于喷出所述处理液的工序中，从所述喷出喷嘴的喷出口向所述基板喷出所述处理液。所述喷出流路的至少一部分由石英形成。
根据本发明，能够抑制在喷出喷嘴混合处理液的成分液时的影响。
附图说明
图1是示出本发明的基板处理装置的实施方式的示意图。
图2是示出本实施方式的基板处理装置的喷出喷嘴以及供给部的示意图。
图3A至图3D是示出本实施方式的基板处理装置的制造方法的示意图。
图4A以及图4B是示出本实施方式的基板处理装置的喷出喷嘴以及供给部的示意图。
图5是示出本实施方式的基板处理装置的示意图。
图6A是示出比较例的基板处理装置的示意图，图6B是比较例的基板处理装置处理的基板上的粒子的检测结果。
图7A至图7D是用于说明比较例的基板处理装置的杂质流出的机制的示意图。
图8A是示出本实施方式的基板处理装置的示意图，图8B是在图8A示出的基板处理装置处理的基板上的粒子的检测结果。
图9A是示出本实施方式的基板处理装置的示意图，图9B是在图9A示出的基板处理装置处理的基板上的粒子的检测结果。
图10A是示出本实施方式的基板处理装置的喷出喷嘴以及供给部的局部的示意图，图10B是示出本实施方式的基板处理装置的喷出喷嘴以及喷嘴支撑构件的示意图。
图11是示出本发明的基板处理装置的实施方式的示意图。
图12是示出本实施方式的基板处理装置的示意图。
图13是示出本实施方式的基板处理装置的配管的示意图。
附图标记的说明
100：基板处理装置
130：喷出喷嘴
132：喷出口
134：喷出流路
140：供给部
141：第一供给流路
142：第二供给流路
W：基板
L：处理液
具体实施方式
下面，参照附图，说明本发明的实施方式。此外，在附图中，对于相同或者相当的部分标注相同的附图标记，并不重复说明。
参照图1，说明本发明的基板处理装置100的实施方式。图1是本实施方式的基板处理装置100的示意图。此外，在本申请说明书中，为了容易理解发明，有时标注彼此垂直的X轴、Y轴以及Z轴。X轴以及Y轴与水平方向平行，Z轴与铅垂方向平行。
基板处理装置100处理基板W。基板处理装置100以对基板W进行蚀刻、表面处理、特性赋予、处理膜形成、膜的至少一部分的除去以及清洗中的至少一个的方式，处理基板W。
基板W例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、场致发射显示器(Field EmissionDisplay：FED)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基、光掩模用基板、陶瓷基板以及太阳能电池用基板等。例如，基板W大致呈圆板状。
基板处理装置100向基板W供给处理液L，利用处理液L处理基板W。在此，基板处理装置100逐张地处理基板W。利用处理液L对基板W进行蚀刻、表面处理、特性赋予、处理膜形成、膜的至少一部分的除去以及清洗中的至少一个。
基板处理装置100具有腔室110、旋转夹具120、喷出喷嘴130以及供给部140。腔室110形成为具有内部空间的大致箱形状。在腔室110容纳基板W。在此，基板处理装置100为逐张地处理基板W的单张式装置，在腔室110逐张地容纳基板W。基板W容纳于腔室110内，在腔室110内处理该基板W。在腔室110容纳有旋转夹具120、喷出喷嘴130以及供给部140。
旋转夹具120保持基板W。另外，旋转夹具120在保持基板W的状态下，使基板W旋转。
旋转夹具120包括旋转基座121、多个夹具销122、旋转轴123以及旋转马达124。例如，旋转基座121形成为圆板状。旋转基座121保持为水平的姿势。多个夹具销122分别在旋转基座121的上方将基板W保持为水平的姿势。多个夹具销122与基板W的周端面发生接触。旋转轴123从旋转基座121的中央部向下方延伸。旋转马达124使旋转轴123向旋转方向旋转，从而使基板W以及旋转基座121以旋转轴线AX1为中心旋转。
此外，旋转夹具120并不限定于使多个夹具销122与基板W的周端面接触的夹持式的夹具。旋转夹具120也可以是使作为非器件形成面的基板W的背面(下表面)吸附于旋转基座121的上表面，来将基板W保持为水平的真空式的夹具。
处理液L从喷出喷嘴130供给至基板W。通过向基板W供给处理液L，利用处理液L处理基板W。喷出喷嘴130在铅垂方向(Z方向)上延伸。喷出喷嘴130的外形为圆柱形状或者长方体形状。
优选处理液L的温度高于室温。例如，优选处理液L的温度高于60℃以上且为250℃以下。在处理液L的温度高于室温的情况下，能够使处理时间比较短。其中，处理液L的温度可以是室温，或者，处理液L的温度也可以低于室温。
例如，处理液L包括硫酸过氧化氢溶液混合液(sulfuric acid/hydrogenperoxide mixture：SPM)。此外，优选供给至基板W的SPM的温度高于室温。例如，SPM的温度可以高于180℃以上且为250℃以下，也可以高于200℃以上且240℃以下。
或者，处理液L包括盐酸过氧化氢溶液混合液(hydrochloric acid/hydrogenperoxide mixture：SC2)。例如，SC2的温度可以是20℃以上且100℃以下，也可以是40℃以上且80℃以下。
供给部140与喷出喷嘴130相连，将处理液L的成分液供给至喷出喷嘴130。在此，供给部140将处理液L的第一成分液L1以及第二成分液L2供给至喷出喷嘴130。第一成分液L1以及第二成分液L2在喷出喷嘴130被混合，从而在喷出喷嘴130生成将第一成分液L1与第二成分液L2混合而成的处理液L。
喷出喷嘴130具有喷出口132和喷出流路134。喷出口132向基板W喷出处理液L。喷出流路134与喷出口132相连。
供给部140具有第一供给流路141和第二供给流路142。第一供给流路141以及第二供给流路142在水平方向上延伸。在此，第一供给流路141以及第二供给流路142在Y方向上延伸。第一供给流路141使处理液L的第一成分液L1向喷出喷嘴130的喷出流路134流动。第二供给流路142使处理液L的第二成分液L2向喷出喷嘴130的喷出流路134流动。
供给部140可以包括两个管状构件，并在两个管状构件分别形成第一供给流路141以及第二供给流路142。或者，供给部140也可以包括一个线状构件，并使设置于一个线状构件的两个贯通孔成为第一供给流路141以及第二供给流路142。
第一供给流路141与用于供给第一成分液L1第一成分液供给部(未图示)连接。典型的是，第一成分液供给部配置于腔室110的外部。另外，第二供给流路142与用于供给第二成分液L2的第二成分液供给部(未图示)连接。典型的是，第二成分液供给部配置于腔室110的外部。
例如，第一供给流路141配置于第二供给流路142的铅垂上方。此时，对于在第一供给流路141流动的第一成分液L1而言，从比在第二供给流路142流动的第二成分液L2更靠上侧的位置流入喷出喷嘴130。其中，第一供给流路141的高度(Z方向上的位置)与第二供给流路142的高度(Z方向上的位置)也可以大致相同。
在本实施方式的基板处理装置100中，第一成分液L1在第一供给流路141流动，到达喷出喷嘴130的喷出流路134。另外，第二成分液L2在第二供给流路142流动，到达喷出喷嘴130的喷出流路134。第一成分液L1以及第二成分液L2在喷出流路134被混合，从而在喷出流路134生成处理液L。
在本实施方式的基板处理装置100中，喷出流路134的至少一部分由石英形成。因此，能够抑制使第一成分液L1以及第二成分液L2在喷出喷嘴130混合来生成处理液L时的影响。例如，优选将喷出流路134中的、第一成分液L1与第二成分液L2混合的区域的下游侧的至少一部分由石英形成，其中，第一成分液L1在第一供给流路141流动，第二成分液L2在第二供给流路142流动。另外，作为一例，也可以将整个喷出喷嘴130由石英形成。
此外，如图1所示，优选基板处理装置100还具有喷嘴支撑构件150。喷嘴支撑构件150支撑喷出喷嘴130。喷出喷嘴130安装于喷嘴支撑构件150的前端部。喷嘴支撑构件150在水平方向上延伸。在此，喷嘴支撑构件150在Y方向上延伸。此外，优选喷嘴支撑构件150不仅支撑喷出喷嘴130，还支撑供给部140的至少一部分。
另外，如图1所示，基板处理装置100还具有喷嘴移动装置150a。喷嘴移动装置150a使喷出喷嘴130与喷嘴支撑构件150一起移动。例如，喷嘴移动装置150a使喷嘴支撑构件150以转动轴线AX2为中心转动，并且使喷嘴支撑构件150沿着转动轴线AX2向铅垂方向移动，其中，所述转动轴线AX2在旋转夹具120的周围向铅垂方向延伸。由此，喷嘴支撑构件150使喷出喷嘴130向水平方向以及/或者铅垂方向移动。例如，喷嘴支撑构件150使喷出喷嘴130在处理位置与退避位置之间向水平方向移动，其中，所述处理位置指，从喷出喷嘴130喷出的处理液L供给至基板W的上表面的位置，所述退避位置指，在俯视时，喷出喷嘴130退避至基板W的周围的位置。
另外，如图1所示，优选基板处理装置100还具有罩160。能够利用罩160回收供给至基板W的处理液L。罩160配置于比旋转夹具120所保持的基板W更靠外侧(与旋转轴线AX1分离的方向)的位置。罩160具有大致筒形状。罩160包围旋转基座121。罩160接收从基板W排出的处理液。
在旋转夹具120使基板W旋转的状态下，将处理液L供给至基板W时，供给至基板W的处理液L向基板W的周围甩出。在向基板W供给处理液L时，朝上打开的罩160的上端部160a配置于比旋转基座121更靠上方的位置。因此，向基板W的周围排出的处理液L由罩160接收。并且，罩160所接收的处理液送至未图示的回收装置或者废液装置。
在此，参照图2，说明本实施方式的基板处理装置100的喷出喷嘴130以及供给部140。图2示出了基板处理装置100的喷出喷嘴130以及供给部140的示意图。
供给部140具有第一供给流路141以及第二供给流路142。第一供给流路141使处理液L的第一成分液L1向喷出喷嘴130的喷出流路134流动。第二供给流路142使处理液L的第二成分液L2向喷出喷嘴130的喷出流路134流动。
在此，供给部140包括第一配管140a和第二配管140b。第一配管140a的外周面沿着长度方向延伸。另外，设置于第一配管140a的贯通孔也沿着长度方向延伸。第一配管140a为外周面以及贯通孔分别沿着长度方向延伸的管。在此，第一配管140a的外周面以及贯通孔向Y方向延伸。第一配管140a的贯通孔为用于使第一成分液L1流动的第一供给流路141。
同样地，第二配管140b的外周面沿着长度方向延伸。另外，设置于第二配管140b的贯通孔也沿着长度方向延伸。第二配管140b为外周面以及贯通孔分别沿着长度方向延伸的管。在此，第二配管140b的外周面以及贯通孔向Y方向延伸。第二配管140b的贯通孔为用于使第二成分液L2流动的第二供给流路142。
如上面参照图1说明那样，喷出喷嘴130具有喷出口132和喷出流路134。如图2所示，喷出流路134具有混合室134a、相连部134b、第一导入部134c以及第二导入部134d。
混合室134a向铅垂方向(Z方向)延伸。混合室134a配置于相连部134b的铅垂上方。
相连部134b用于相连喷出口132与混合室134a。相连部134b向铅垂方向(Z方向)延伸。
在混合室134a的侧壁，设置有贯通侧壁的两个贯通孔。两个贯通孔中的一个贯通孔为，用于使第一成分液L1流动的第一导入部134c，两个贯通孔中的另一个贯通孔为，用于使第二成分液L2流动的第二导入部134d。第一导入部134c以及第二导入部134d与第一配管140a以及第二配管140b同样地向水平方向延伸。在此，第一导入部134c以及第二导入部134d向Y方向延伸。
喷出喷嘴130具有上部130a和下部130b。上部130a位于下部130b的铅垂上方。上部130a为在底面设置有孔的圆柱形状。混合室134a由上部130a的孔规定。例如，在上部130a设置有圆柱形状的孔。另外，第一导入部134c以及第二导入部134d设置于上部130a的侧壁。下部130b为设置有贯通孔的圆筒形状。相连部134b由设置于下部130b的贯通孔规定。
在喷出喷嘴130的上部130a的外周，安装有第一配管140a以及第二配管140b。第一配管140a的第一供给流路141经由喷出喷嘴130的第一导入部134c与混合室134a相连。另外，第二配管140b的第二供给流路142经由喷出喷嘴130的第二导入部134d与混合室134a相连。
第一成分液L1在第一配管140a的第一供给流路141流动，且经由喷出喷嘴130的第一导入部134c导入混合室134a。另外，第二成分液L2在第二配管140b的第二供给流路142流动，且经由喷出喷嘴130的第二导入部134d导入混合室134a。第一成分液L1以及第二成分液L2在混合室134a被混合，从而在混合室134a生成将第一成分液L1与第二成分液L2混合而成的处理液L。处理液L从混合室134a经由相连部134b向喷出口132流动，并从喷出口132向基板W喷出。
此外，混合室134a的处理液L流动的流路直径(Y方向的长度)大于相连部134b的处理液L流动的流路直径(Y方向的长度)。例如，混合室134a的处理液L流动的流路直径为3mm以上且50mm以下，相连部134b的处理液L流动的流路直径为2mm以上且45mm以下。在一例中，混合室134a的处理液L流动的流路直径大约为5mm以上且20mm以下，相连部134b的处理液L流动的流路直径大约为3mm以上且18mm以下。
此外，喷出口132的口径(Y方向的长度)与相连部134b的处理液L流动的流路直径(Y方向的长度)大致相同。例如，喷出口132的口径为2mm以上且45mm以下，相连部134b的处理液L流动的流路直径为2mm以上且45mm以下。在一例中，喷出口132的口径大约为3mm以上且18mm以下，相连部134b的处理液L流动的流路直径大约为3mm以上且18mm以下。
优选上部130a的形状以及外径与下部130b的形状以及外径大致相同。例如，上部130a为设置有孔部的圆柱形状，下部130b为设置有贯通孔的圆筒形状。例如，上部130a的外径为5mm以上且55mm以下，下部130b的外径为5mm以上且55mm以下。作为一例，上部130a的外径大约为10mm以上且25mm以下，下部130b的外径大约为10mm以上且25mm以下。
另外，第一导入部134c的第一成分液L1流动的流路直径(Z方向的长度)小于混合室134a的处理液L流动的流路直径(Y方向的长度)。例如，第一导入部134c的第一成分液L1流动的流路直径大约为1mm以上且10mm以下，混合室134a的处理液L流动的流路直径为3mm以上且30mm以下。在一例中，第一导入部134c的第一成分液L1流动的流路直径大约为2mm以上且6mm以下，混合室134a的处理液L流动的流路直径大约为5mm以上20mm以下。
同样地，第二导入部134d的第二成分液L2流动的流路直径(Z方向的长度)小于混合室134a的处理液L流动的流路直径(Y方向的长度)。例如，第二导入部134d的第二成分液L2流动的流路直径大约为1mm以上且10mm以下，混合室134a的处理液L流动的流路直径为3mm以上且30mm以下。在一例中，第二导入部134d的第二成分液L2流动的流路直径大约为2mm以上且6mm以下，混合室134a的处理液L流动的流路直径大约为5mm以上且20mm以下。
如上所述，在本实施方式的基板处理装置100中，喷出喷嘴130的喷出流路134的至少一部分由石英形成。另外，优选将喷出流路134中的、比第一成分液L1与第二成分液L2混合的区域更靠下游侧的部分由石英形成，其中，第一成分液L1在第一供给流路141流动，第二成分液L2在第二供给流路142流动。例如，优选喷出流路134中的混合室134a以及相连部134b由石英形成。另外，在喷出喷嘴130的喷出流路134中，也可以将用于规定混合室134a的上部130a与用于规定相连部134b的下部130b进行焊接。
此外，用于形成第一供给流路141的第一配管140a配置于用于形成第二供给流路142的第二配管140b的铅垂上方。优选在第一供给流路141流动的第一成分液L1为，与在第二供给流路142流动的第二成分液L2相比，更适于清洗基板W以及/或者喷出喷嘴130的液体。通过不使第二成分液L2流动而使第一成分液L1流动，能够利用第一成分液L1恰当地清洗基板W以及/或者喷出喷嘴130。例如，优选第一成分液L1为，与第二成分液L2相比对于喷出喷嘴130的渗透度低的液体。
在此，参照图1以及图3，说明本实施方式的基板处理装置100的制造方法。图3A至图3D是示出基板处理装置100的制造方法的示意图。
如图3A所示，准备喷出喷嘴130。喷出喷嘴130具有喷出口132和喷出流路134。喷出流路134具有混合室134a、相连部134b、第一导入部134c以及第二导入部134d。混合室134a位于相连部134b的上游，喷出口132位于相连部134b的下游。
另外，喷出喷嘴130包括上部130a与下部130b。上部130a位于下部130b的铅垂上方。上部130a为在底面设置有孔的圆柱形状。混合室134a由上部130a的孔规定。下部130b为设置有贯通孔的圆筒形状。相连部134b由设置于下部130b的贯通孔规定。
如图3B所示，准备第一供给流路141以及第二供给流路142。第一供给流路141以及第二供给流路142也可以由不同的管状构件分别形成。例如，也可以分别准备具有第一供给流路141的第一配管140a以及具有第二供给流路142的第二配管140b。例如，第一配管140a以及第二配管140b由树脂形成。作为一例，第一配管140a以及第二配管140b由氟树脂形成，典型的是，由全氟烷氧基烷烃(perfluoro alkoxy alkane：PFA)形成。或者，第一供给流路141以及第二供给流路142也可以由单一构件的不同的贯通孔形成。
如图3C所示，在喷出喷嘴130连结供给部140。例如，在喷出喷嘴130的上部130a的外周连结第一配管140a以及第二配管140b。由此，第一配管140a的第一供给流路141经由喷出喷嘴130的第一导入部134c与混合室134a相连。另外，第二配管140b的第二供给流路142经由喷出喷嘴130的第二导入部134d与混合室134a相连。
然后，如图3D所示，在预先安装有旋转夹具120的腔室110内，配置喷出喷嘴130以及供给部140。也可以在腔室110预先设定喷嘴支撑构件150以及罩160。
而且，在用于供给第一成分液L1的第一成分液供给部连结第一供给流路141，在用于供给第二成分液L2的第二成分液供给部连结第二供给流路142。此外，也可以在将第一供给流路141连结到喷出喷嘴130之前，连结第一成分液供给部与第一供给流路141。另外，也可以在将第二供给流路142连结到喷出喷嘴130之前，连结第二成分液供给部与第二供给流路142。能够如上所述那样制造基板处理装置100。
此外，在参照图2以及图3进行的上述的说明中，第一配管140a以及第二配管140b均直接与喷出喷嘴130连结，但是本发明并不限定于此。第一配管140a以及第二配管140b也可以通过其他构件与喷出喷嘴130连结。
在此，参照图4，说明本实施方式的基板处理装置100的喷出喷嘴130以及供给部140。图4A以及图4B是示出基板处理装置100的喷出喷嘴130以及供给部140的示意图。
如图4A所示，供给部140也可以在第一配管140a以及第二配管140b的基础上还具有连结构件140c。连结构件140c覆盖喷出喷嘴130。在此，在连结构件140c的下方设置有孔，喷出喷嘴130安装在连结构件140c的孔。第一配管140a以及第二配管140b安装在连结构件140c的外周。例如，连结构件140c由树脂形成。在一例中，连结构件140c由PFA形成。
第一配管140a的外周面以及贯通孔向长度方向延伸。第一配管140a的贯通孔为流路141a。例如，第一配管140a由树脂形成。在一例中，第一配管140a由PFA形成。
另外，第二配管140b的外周面以及贯通孔向长度方向延伸。第二配管140b的贯通孔为流路142b。例如，第二配管140b由树脂形成。在一例中，第二配管140b由PFA形成。此外，优选第二配管140b由与第一配管140a相同的材料形成。
在连结构件140c的侧壁设置有贯通侧壁的两个贯通孔。连结构件140c的两个贯通孔中的一个贯通孔为，用于使第一成分液L1流动的流路141c，另一个贯通孔为，用于使第二成分液L2流动的流路142c。供给部140的第一供给流路141由第一配管140a的流路141a与连结构件140c的流路141c形成。流路141a的长度大于流路141c的长度。另外，供给部140的第二供给流路142由第二配管140b的流路142b与连结构件140c的流路142c形成。流路142b的长度大于流路142c的长度。
此外，优选连结构件140c由与第一配管140a以及第二配管140b相同的材料形成。此时，能够使第一配管140a与连结构件140c之间的连结、以及第二配管140b与连结构件140c之间的连结变得容易。
此外，在图4A所示的结构中，供给部140具有用于覆盖喷出喷嘴130的连结构件140c，在第一连结构件140c设置有流路141c以及流路142c，但是本发明并不限定于此。
如图4B所示，供给部140也可以在第一配管140a以及第二配管140b的基础上还具有第一连结管140d以及第二连结管140e。
第一配管140a的外周面向长度方向(Y方向)延伸。另外，设置于第一配管140a的贯通孔也向长度方向(Y方向)延伸。第一配管140a的贯通孔成为用于使第一成分液L1流动的流路141a。第一配管140a例如由树脂形成。在一例中，第一配管140a由PFA形成。
另外，第二配管140b的外周面向长度方向(Y方向)延伸。另外，设置于第二配管140b的贯通孔也向长度方向(Y方向)延伸。第二配管140b的贯通孔成为用于使第二成分液L2流动的流路142b。第二配管140b例如由树脂形成。在一例中，第二配管140b由PFA形成。此外，优选第二配管140b由与第一配管140a相同的材料形成。
第一连结管140d的外周面向长度方向(Y方向)延伸。另外，设置于第一连结管140d的贯通孔也向长度方向(Y方向)延伸。第一连结管140d的贯通孔为用于使第一成分液L1流动的流路141d。
第二连结管140e的外周面向长度方向(Y方向)延伸。另外，设置于第二连结管140e的贯通孔也向长度方向(Y方向)延伸。第二连结管140e的贯通孔为用于使第二成分液L2流动的流路142e。
第一连结管140d的流路141d与第一配管140a的流路141a相连。供给部140的第一供给流路141由第一配管140a的流路141a与第一连结管140d的流路141d形成。流路141a的长度大于流路141d的长度。
另外，第二连结管140e的流路142e与第二配管140b的流路142b相连。供给部140的第二供给流路142由第二配管140b的流路142b与第二连结管140e的流路142e形成。流路142b的长度大于流路142e的长度。
此外，优选在第一配管140a与第一连结管140d之间配置有连接器140f，连接器140f使第一配管140a与第一连结管140d接合。同样地，优选在第二配管140b与第二连结管140e之间配置有连接器140g，连接器140g使第二配管140b与第二连结管140e接合。典型的是，连接器140f以及连接器140g由导电构件形成。
第一连结管140d以及第二连结管140e独立地形成。此外，优选第一连结管140d以及第二连结管140e与喷出喷嘴130同样地由石英形成。此时，优选将第一连结管140d以及第二连结管140e与喷出喷嘴130进行焊接，第一连结管140d以及第二连结管140e与喷出喷嘴130形成为一体。
此外，在第一连结管140d以及第二连结管140e由石英形成的情况下，优选第一配管140a以及第二配管140b分别由导电性管形成。在喷出喷嘴130、第一连结管140d以及第二连结管140e由石英形成的情况下，由于石英显示出高电阻率以及高介电常数，因此当第一配管140a以及第二配管140b为绝缘体时，有时使喷出喷嘴130、第一连结管140d以及第二连结管140e过量地带电。但是，通过使第一配管140a以及第二配管140b均由导电性管形成，能够抑制喷出喷嘴130、第一连结管140d以及第二连结管140e的过量带电。
本实施方式的基板处理装置100尤其适用于，利用在混合时产生发热反应的第一成分液L1以及第二成分液L2，来生成处理液L的情况。例如，尤其优选为，在第一成分液L1以及第二成分液L2包含过氧化氢溶液以及硫酸，从第一成分液L1以及第二成分液L2生成硫酸过氧化氢溶液混合液作为处理液L的情况下，利用本实施方式的基板处理装置100。
在此，参照图5，说明将硫酸过氧化氢溶液混合液SPM作为处理液L供给至基板W的情况。图5是示出本实施方式的基板处理装置100的示意图。在图5所示的基板处理装置100中，除了第一供给流路141使过氧化氢溶液La作为第一成分液L1流动、第二供给流路142使硫酸Lb作为第二成分液L2流动之外，具有与参照图1说明的上述的基板处理装置100的结构相同的结构。因此，为了避免太长，省略重复说明。
供给部140具有第一供给流路141以及第二供给流路142。第一供给流路141使过氧化氢溶液La作为第一成分液L1流动，第二供给流路142使硫酸Lb作为第二成分液L2流动。
在此，供给部140将过氧化氢溶液La以及硫酸Lb供给至喷出喷嘴130。过氧化氢溶液La以及硫酸Lb在喷出喷嘴130被混合，从而生成硫酸过氧化氢溶液混合液SPM作为处理液L。此外，在混合过氧化氢溶液La以及硫酸Lb时，产生发热反应。喷出喷嘴130向基板W喷出硫酸过氧化氢溶液混合液SPM，利用硫酸过氧化氢溶液混合液SPM处理基板W。由此，将基板W上的抗蚀剂膜等的异物从基板W除去。此外，在本说明书中，有时将利用硫酸过氧化氢溶液混合液SPM处理基板W的情况记载为SPM处理。另外，在本说明书中，有时将硫酸过氧化氢溶液混合液SPM简称为混合液SPM。
第一供给流路141配置于第二供给流路142的铅垂上方。此时，能够利用在第一供给流路141流动的过氧化氢溶液La清洗喷出喷嘴130。尤其，在第二供给流路142使硫酸Lb流动的情况下，若硫酸Lb所含有的硫残留于喷出喷嘴130内，则有时对基板W的处理带来不良影响。但是，在本实施方式的基板处理装置100中，能够利用在第一供给流路141流动的过氧化氢溶液La清洗喷出喷嘴130，从而能够抑制硫的残留，其中，所述第一供给流路141配置于第二供给流路142的铅垂上方。
如上所述，在本实施方式的基板处理装置100中，喷出喷嘴130的至少一部分由石英形成。在混合过氧化氢溶液La与硫酸Lb时产生发热反应，但是由于喷出喷嘴130的至少一部分由石英形成，因此能够抑制在喷出喷嘴130混合过氧化氢溶液La与硫酸Lb时的影响。
此外，如图5所示，优选基板处理装置100还具有第一成分液阀145a以及第二成分液阀145b。第一成分液阀145a安装于第一供给流路141。第一成分液阀145a切换从第一供给流路141向喷出喷嘴130供给过氧化氢溶液La以及停止从第一供给流路141向喷出喷嘴130供给过氧化氢溶液La。当打开第一成分液阀145a时，从第一供给流路141向喷出喷嘴130供给过氧化氢溶液La。
另外，第二成分液阀145b安装于第二供给流路142。第二成分液阀145b切换从第二配管140b向喷出喷嘴130供给硫酸Lb以及停止从第二配管140b向喷出喷嘴130供给硫酸Lb。当打开第二成分液阀145b时，从第二供给流路142向喷出喷嘴130供给硫酸Lb。
此外，硫酸Lb也可以在加热至比室温更高的温度的状态下，在第二供给流路142流动。例如，如图5所示，优选基板处理装置100还具有温度调节器146。温度调节器146安装于第二供给流路142。温度调节器146调节经过温度调节器146的硫酸Lb的温度。温度调节器146例如为用于加热硫酸Lb的加热器。此外，温度调节器146可以配置于腔室110内，也可以配置于腔室110的外部。在第二供给流路142流动的硫酸Lb的温度例如为180℃以上且200℃以下。
如上所述，过氧化氢溶液La以及硫酸Lb在喷出喷嘴130被混合，从而生成混合液SPM作为处理液L。此外，在混合过氧化氢溶液La以及硫酸Lb时，产生发热反应。例如，混合液SPM的温度上升至200℃以上且240℃以下。
下面，与比较例的基板处理装置800比较，来说明图5所示的本实施方式的基板处理装置100的优点。图6A是示出比较例的基板处理装置800的示意图。比较例的基板处理装置800除了喷出喷嘴830由树脂形成之外，具有与参照图5说明的上述的基板处理装置100的结构相同的结构。因此，为了避免太长，省略重复说明。
基板处理装置800具有腔室810、旋转夹具820、喷出喷嘴830以及供给部840。在基板处理装置800中，喷出喷嘴830由PFA形成。
在比较例的基板处理装置800中，过氧化氢溶液La在第一供给流路841流动，并到达喷出喷嘴830的喷出流路834。在第一供给流路841流动的过氧化氢溶液La的温度为室温。另外，硫酸Lb在第二供给流路842流动，并到达喷出喷嘴830的喷出流路834。在第二供给流路842流动的硫酸Lb的温度高于室温。在一例中，在第二供给流路842流动的硫酸Lb的温度为180℃。过氧化氢溶液La以及硫酸Lb在喷出流路834被混合，从而在喷出流路834生成混合液SPM。
在基板处理装置800中，供给部840也将过氧化氢溶液La以及硫酸Lb供给至喷出喷嘴830。过氧化氢溶液La以及硫酸Lb在喷出喷嘴830被混合，从而生成混合液SPM来作为处理液L。喷出喷嘴830向基板W喷出混合液SPM，从而利用混合液SPM对基板W进行SPM处理。
图6B是比较例的基板处理装置800处理的基板W上的粒子的检测结果。在此，在对基板W1～W5即将进行SPM处理之前进行预分配处理之后，进行了SPM处理。此外，在对上一基板进行的SPM处理结束之后，立刻开始进行对下一基板进行的SPM处理。然后，将基板处理装置800放置12小时，对于基板W6～W10，在不进行预分配处理的情况下进行了SPM处理，在此，也在对上一基板进行的SPM处理结束之后，立刻开始进行对下一基板进行的SPM处理。针对基板W1～W10的各个基板，对粒径为26nm以上的粒子、粒径为30nm以上的粒子以及粒径为45nm以上的粒子的数量进行了计数。
如图6B所示，在进行了预分配处理的基板W1～W5中，粒径为26nm以上的粒子、粒径为30nm以上的粒子以及粒径为45nm以上的粒子的数量都少。另一方面，如图6B所示，在未进行预分配处理的基板W6～W10中，粒径为26nm以上的粒子、粒径为30nm以上的粒子以及粒径为45nm以上的粒子的数量均少量地增加。尤其，在放置12小时之后进行了SPM处理的第一张基板W6中，基板W6上的粒子的数量与基板W1～W5的粒子的数量相比显著地增加。此外，在对基板上的粒子进行能量分散X射线光谱法(Energy Dispersive X－ray Spectrometry：EDS)时，粒子含有来自喷出喷嘴830的成分。因此，考虑基板上的粒子是，喷出喷嘴830微量地溶解并作为杂质流出而成的。
在此，参照图7，说明在比较例的基板处理装置800中设想的杂质流出的机理。图7A至～图7D是将比较例的基板处理装置800的喷出喷嘴830放大的示意性的局部放大图。
如图7A所示，在基板处理装置800利用混合液SPM处理基板W的情况下，高温的混合液SPM在喷出喷嘴830的喷出流路834流动，喷出喷嘴830向基板W喷出混合液SPM。此外，在喷出喷嘴830由树脂形成的情况下，在喷出喷嘴830流动的混合液SPM的一部分成分渗透至喷出喷嘴830的内部。
如图7B所示，即使SPM处理结束，混合液SPM中的一部分成分也以渗透至喷出喷嘴830的内部的状态被保持。
如图7C所示，在放置长时间时，渗透至喷出喷嘴830的内部的混合液SPM的成分渐渐地使喷出喷嘴830的内部溶解。其中，溶解成分处于渗透至喷出喷嘴830的内部的状态。
如图7D所示，在放置长时间之后接着进行SPM处理的情况(典型的是，开始向下一基板W供给混合液SPM的情况)下，高温的混合液SPM在喷出喷嘴830的喷出流路834流动。此时，喷出喷嘴830的内部中的使喷出喷嘴830局部溶解的混合液SPM的成分从喷出喷嘴830的内部向外部流出，从而成为基板W的杂质。
此外，如图7B所示那样，在对某一基板进行SPM处理之后、对下一基板进行SPM处理之前，即使利用其它液体清洗喷出喷嘴830，渗透至喷出喷嘴830的内部的混合液SPM的成分也不会向外部流出。但是，在使加热至规定的处理温度的混合液SPM再次在喷出喷嘴830流动时，喷出喷嘴830的内部中的使喷出喷嘴830局部溶解的混合液SPM的成分从喷出喷嘴830的内部向外部流出，从而成为基板W上的杂质。
另一方面，在如图5所示的本实施方式的基板处理装置100中，喷出喷嘴130的喷出流路134的至少一部分由石英形成。因此，与比较例的基板处理装置800不同地，混合液SPM几乎不渗透至喷出喷嘴130。因此，在本实施方式的基板处理装置100中，能够抑制杂质的流出。
图8A是示出本实施方式的基板处理装置100的示意图。如图8A所示，在基板处理装置100中，供给部140具有第一配管140a、第二配管140b以及连结构件140c。此外，在如图8A所示的基板处理装置100中，喷出喷嘴130以及供给部140具有与图4A所示的喷出喷嘴130以及供给部140的结构相同的结构。
在本实施方式的基板处理装置100中，喷出喷嘴130由石英形成。连结构件140c覆盖喷出喷嘴130。在此，在连结构件140c设置有向下方打开的孔，喷出喷嘴130安装于连结构件140c的孔。第一配管140a以及第二配管140b安装于连结构件140c的外周。例如，连结构件140c由树脂形成。连结构件140c由PFA形成。
第一配管140a的外周面以及贯通孔向长度方向延伸。第一配管140a的贯通孔为流路141a。第一配管140a由PFA形成。另外，第二配管140b的外周面以及贯通孔向长度方向延伸。第二配管140b的贯通孔为流路142b。第二配管140b由PFA形成。
图8B是图8A所示的基板处理装置100处理的基板W上的粒子的检测结果。在此，在对基板W1～W5即将进行SPM处理之前进行预分配处理之后，进行了SPM处理。此外，在对上一基板进行的SPM处理结束之后，立刻开始进行对下一基板进行的SPM处理。然后，在将基板处理装置100放置12小时之后，针对基板W6～W10，在不进行预分配处理的情况下进行了SP M处理。在此，也在对上一基板进行的SPM处理结束之后，立刻开始进行对下一基板进行的SPM处理。针对基板W1～W10的各个基板，对粒径为26nm以上的粒子、粒径为30nm以上的粒子以及粒径为45nm以上的粒子的数量进行了计数。
如图8B所示，在进行了预分配处理的基板W1～W5中，粒径为26nm以上的粒子、粒径为30nm以上的粒子以及粒径为45nm以上的粒子的数量均少。另一方面，如图8B所示，在未进行预分配处理的基板W6～W10中，粒径为26nm以上的粒子、粒径为30nm以上的粒子以及粒径为45nm以上的粒子的数量均少量地增加。此外，在经过12小时之后进行了SPM处理的第一张基板W6中，基板W6上的粒子的数量与基板W1～W5的粒子的数量相比并没有增加太多。
从图6B与图8B的比较可理解，在本实施方式的基板处理装置100中，由于喷出喷嘴130由石英形成，因此即使混合液SPM在喷出喷嘴130流动，混合液SPM也几乎不会渗透至喷出喷嘴130的喷出流路134的内部，即使放置长时间，杂质也难以流出。这样，在本实施方式的基板处理装置100中，通过将喷出喷嘴130由石英形成，能够抑制杂质的流出。
图9A是示出本实施方式的基板处理装置100的示意图。供给部140具有第一配管140a、第二配管140b、第一连结管140d以及第二连结管140e。此外，在图9A所示的基板处理装置100中，喷出喷嘴130以及供给部140具有与图4B所示的喷出喷嘴130以及供给部140的结构相同的结构。
第一配管140a的外周面向长度方向(Y方向)延伸。另外，设置于第一配管140a的贯通孔也向长度方向(Y方向)延伸。第一配管140a的贯通孔成为流路141a。第一配管140a由PFA形成。
另外，第二配管140b的外周面向长度方向(Y方向)延伸。另外，设置于第二配管140b的贯通孔也向长度方向(Y方向)延伸。第二配管140b的贯通孔成为流路142b。第二配管140b例如由树脂形成。在一例中，第二配管140b由PFA形成。
第一连结管140d的外周面向长度方向(Y方向)延伸。另外，设置于第一连结管140d的贯通孔也向长度方向(Y方向)延伸。第一连结管140d由石英形成。
第二连结管140e的外周面向长度方向(Y方向)延伸。另外，设置于第二连结管140e的贯通孔也向长度方向(Y方向)延伸。第二连结管140e由石英形成。将第一连结管140d以及第二连结管140e与喷出喷嘴130进行焊接，第一连结管140d以及第二连结管140e与喷出喷嘴130形成为一体。
图9B是图9A所示的基板处理装置100处理的基板W上的粒子的检测结果。在此，在针对基板W1～W3即将进行SPM处理之前进行预分配处理之后，进行了SPM处理。此外，在对上一基板进行的SPM处理结束之后，立刻开始进行对下一基板进行的SPM处理。然后，在将基板处理装置800放置12小时之后，针对基板W4～W6，在不进行预分配处理的情况下进行了SPM处理。在此，也在对上一基板进行的SPM处理结束之后，立刻开始进行对下一基板进行的SPM处理。针对基板W1～W6的各个基板，对粒径为26nm以上的粒子、粒径为30nm以上的粒子以及粒径为45nm以上的粒子的数量进行了计数。
如图9B所示，在进行了预分配处理的基板W1～W3中，粒径为26nm以上的粒子、粒径为30nm以上的粒子以及粒径为45nm以上的粒子的数量均少。另一方面，如图9B所示，在未进行预分配处理的基板W4～W6中，粒径为26nm以上的粒子、粒径为30nm以上的粒子以及粒径为45nm以上的粒子均少量地增加。但是，在经过12小时之后进行了SPM处理的第一张基板W4中，基板W4上的粒子的数量与基板W1～W3的上的粒子的数量相比几乎没有增加。
可从图6B与图9B的比较理解，在本实施方式的基板处理装置100中，在经过12小时之后进行了SPM处理的第一张基板W4中，基板W上的粒子的数量几乎没有增加。在本实施方式的基板处理装置100中，除了喷出喷嘴130之外，第一供给流路141以及第二供给流路142中的、与喷出喷嘴130连结的第一连结管140d以及第二连结管140e也由石英形成。因此，即使混合液SPM在喷出喷嘴130流动，混合液SPM也几乎不会渗透至喷出喷嘴130的喷出流路134、第一供给流路141以及第二供给流路142的内部，在本实施方式的基板处理装置100中，即使放置长时间，杂质也难以流出。这样，在本实施方式的基板处理装置100中，通过由石英形成喷出喷嘴130、第一连结管140d以及第二连结管140e，能够抑制杂质流出。
此外，在参照图1至图5、图8A以及图9A进行的上述说明中，喷出喷嘴130的外形呈圆柱形状，但是本发明并不限定于此。喷出喷嘴130的外形也可以不是圆柱形状。
另外，在参照图1至图5、图8A以及图9A进行的上述说明中，喷出喷嘴130的喷出流路134沿着铅垂方向呈直线状延伸，但是本发明并不限定于此。喷出流路134也可以弯折。
图10A是示出本实施方式的基板处理装置100的喷出喷嘴130以及供给部140的一部分的示意图。在图10中，喷出喷嘴130以及供给部140的一部分形成为一体。另外，在此，喷出口132设置于喷出喷嘴130的侧面130s的下方。
在本实施方式的基板处理装置100中，喷出喷嘴130以及供给部140的一部分形成为一体。具体地说，供给部140具有连结构件140c、第一连结管140d以及第二连结管140e。在喷出喷嘴130连结有连结构件140c，在连结构件140c连结有第一连结管140d以及第二连结管140e。例如，连结构件140c通过焊接与喷出喷嘴130连结。另外，第一连结管140d以及第二连结管140e通过焊接与连结构件140c连结。第一连结管140d位于第二连结管140e的铅垂上方。
详细而言，连结构件140c与喷出喷嘴130的上部130a连结。在此，喷出喷嘴130、连结构件140c、第一连结管140d以及第二连结管140e均由石英形成。
在连结构件140c设置有贯通侧壁的两个贯通孔。连结构件140c的两个贯通孔中的一个贯通孔为，用于使第一成分液L1流动的流路141c，另一个贯通孔为，用于使第二成分液L2流动的流路142c。
第一连结管140d的外周面向长度方向(Y方向)延伸。另外，设置于第一连结管140d的贯通孔也向长度方向(Y方向)延伸。第一连结管140d的贯通孔为，用于使第一成分液L1流动的流路141d。
第二连结管140e的外周面向长度方向(Y方向)延伸。另外，设置于第二连结管140e的贯通孔也向长度方向(Y方向)延伸。第二连结管140e的贯通孔为，用于使第二成分液L2流动的流路142e。
在此，第一连结管140d的流路141d与连结构件140c的流路141c形成第一供给流路141的一部分。另外，第二连结管140e的流路142e与连结构件140c的流路142c形成第二供给流路142的一部分。
喷出喷嘴130具有喷出口132和喷出流路134。喷出流路134具有混合室134a和相连部134b。相连部134b具有直线状部134b1和弯折部134b2。直线状部134b1向一方向延伸。在此，直线状部134b1从混合室134a向铅垂下方(Z方向：第一方向)延伸。弯折部134b2从直线状部134b1的前端延伸至喷出口132且从第一方向向第二方向弯折。在此，弯折部134b2从直线状部134b1的前端延伸至喷出口132且向与Z方向交叉的方向弯折。
喷出喷嘴130具有侧面130s、上表面130t以及底面130u。在此，喷出喷嘴130形成为将圆柱形状的底面的一部分切开的形状。上表面130t以及底面130u分别与侧面130s相连。在侧面130s设置有喷出口132。喷出喷嘴130的底面130u相对于设置有喷出口132的侧面130s倾斜地配置。底面130u中的喷出口132侧的端部位于比底面130u中的、与喷出口132侧相反的一侧的端部更靠铅垂下方的位置。底面130u与弯折部134b2大致平行地延伸。
此外，喷出口132的口径(X方向的长度)与相连部134b的处理液L流动的流路直径(Y方向的长度)大致相同。例如，喷出口132的口径为2mm以上且45mm以下，相连部134b的处理液L流动的流路直径为2mm以上且45mm以下。在一例中，喷出口132的口径大约为3mm以上且18mm以下，相连部134b的处理液L流动的流路直径大约为3mm以上且18mm以下。
在本实施方式的基板处理装置100中，喷出喷嘴130的底面130u相对于设置有喷出口132的侧面130s倾斜地配置。因此，即使相对于喷出流路134的处理液L的润湿性比较高，处理液L也不会绕到喷出喷嘴130的底面130u而从喷出口132向铅垂下方流动。因此，能够抑制因绕到喷出喷嘴的底面的处理液而产生含有杂质的残留。
此外，如上面参照图1、图5、图8A以及图9A进行说明那样，优选喷出喷嘴130支撑于喷嘴支撑构件150。
在此，参照图10B，说明喷出喷嘴130以及喷嘴支撑构件150。图10B是示出本实施方式的基板处理装置100的喷出喷嘴130以及喷嘴支撑构件150的示意图。
如图10B所示，喷出喷嘴130支撑于喷嘴支撑构件150。喷嘴支撑构件150具有载置部152和臂构件154。喷出喷嘴130载置于载置部152。载置部152安装在臂构件154的前端。
在载置部152设置有阶梯部。载置部152具有铅垂方向的高度不同的上表面152a和上表面152b。上表面152b位于比上表面152a更靠铅垂上方的位置。
在载置部152设置有与喷出喷嘴130的外径对应的引导侧面。引导侧面与载置部152的上表面152a相连，且与载置部152的上表面152a垂直。喷出喷嘴130沿着载置部152的引导侧面配置，且载置于载置部152。在将喷出喷嘴130载置于载置部152时，喷出喷嘴130的连结构件140c的一部分配置在上表面152a上，喷出喷嘴130的第二连结管140e配置在上表面152b上。
此外，在参照图5、图8以及图9进行的上述说明中，作为第一成分液L1以及第二成分液L2，利用了在混合时产生发热反应的过氧化氢溶液La以及硫酸Lb，但是本发明并不限定于此。处理液L的成分液也可以包含渗透度比较高的液体。例如，处理液L的某一成分液也可以包含盐酸或者硫酸。
另外，在参照图1至图5、图8以及图9进行的上述说明中，供给部140具有第一供给流路141以及第二供给流路142，但是本发明并不限定于此。供给部140也可以具有3个以上的供给流路。
下面，参照图11，说明本实施方式的基板处理装置100。图11是示出本实施方式的基板处理装置100的示意图。图11所示的基板处理装置100除了供给部140在第一供给流路141以及第二供给流路142的基础上还具有第三供给流路143这一点之外，具有与参照图1进行说明的上述的基板处理装置100的结构相同的结构。因此，为了避免太长，而省略重复说明。
在本实施方式的基板处理装置100中，供给部140在第一供给流路141以及第二供给流路142的基础上还具有第三供给流路143。在本实施方式中，通过混合第一成分液L1、第二成分液L2以及第三成分液L3，来生成处理液L。
第一供给流路141使处理液L的第一成分液L1向喷出喷嘴130的喷出流路134流动。第二供给流路142使处理液L的第二成分液L2向喷出喷嘴130的喷出流路134流动。第三供给流路143使处理液L的第三成分液L3向喷出喷嘴130的喷出流路134流动。
第一供给流路141配置于第二供给流路142的铅垂上方。另外，第二供给流路142配置于第三供给流路143的铅垂上方。
优选在第一供给流路141流动的第一成分液L1为，与在第二供给流路142流动的第二成分液L2以及在第三供给流路143流动的第三成分液L3相比，更适于清洗基板W以及/或者喷出喷嘴130的液体。此时，通过使第一成分液L1流动而不使第二成分液L2以及/或者第三成分液L3流动，能够利用第一成分液L1恰当地清洗基板W以及/或者喷出喷嘴130。例如，优选第一成分液L1为，与第二成分液L2以及/或者第三成分液L3相比，对于喷出喷嘴130的渗透度低的液体。
第一成分液L1、第二成分液L2以及第三成分液L3在喷出喷嘴130的喷出流路134被混合。在本实施方式的基板处理装置100中，作为处理液L，优选使用盐酸过氧化氢溶液混合液(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：SC2)。此时，优选为，作为在最上方流动的第一成分液L1，使用水或者纯水，作为在下一上方流动的第二成分液L2，使用过氧化氢溶液，作为在最下方流动的第三成分液L3，使用盐酸。
接着，参照图12～图13，说明本实施方式的基板处理装置100。本实施方式的基板处理装置100在具有多个腔室110这一点上，与参照图1、图5、图8A、图9A以及图11进行说明的上述的基板处理装置100不同。其中，为了避免太长的说明，而省略重复说明。
首先，参照图12来说明基板处理装置100。图12是示出基板处理装置100的俯视图。如图12所示，基板处理装置100具有成分液柜100A、多个流体箱100B、多个处理单元100C、多个加载端口LP、分度器机械手(indexer robot)IR、中央机械手CR以及控制装置170。控制装置170控制加载端口LP、分度器机械手IR、中央机械手CR以及处理单元100C。控制装置170包括控制部172以及存储部174。
加载端口LP分别层叠地容纳多张基板W。分度器机械手IR在加载端口LP与中央机械手CR之间搬运基板W。中央机械手CR在分度器机械手IR与处理单元100C之间搬运基板W。处理单元100C分别向基板W喷出处理液L来处理基板W。流体箱100B分别容纳流体设备。成分液柜100A容纳第一成分液L1以及第二成分液L2。
具体地说，多个处理单元100C形成有多个塔TW(在图12中为四个塔TW)，多个塔TW以在俯视时包围中央机械手CR的方式配置。各塔TW包括上下层叠的多个处理单元100C(在图12中为三个处理单元100C)。多个流体箱100B分别与多个塔TW对应。成分液柜100A内的成分液经由某一流体箱100B，供给至与该流体箱100B对应的塔TW所包含的所有处理单元100C。
接着，参照图13，对于向处理单元100C供给处理液L的情况进行说明。图13是示出基板处理装置100的配管的图。如图13所示，在基板处理装置100中，成分液柜100A包括第一成分液柜100A1和第二成分液柜100A2。另外，在基板处理装置100的各塔TW中，多个处理单元100C分别具有腔室110、旋转夹具120、喷出喷嘴130以及供给部140。旋转夹具120、喷出喷嘴130、供给部140容纳于腔室110。
第一成分液柜100A1供给第一成分液L1。第一成分液柜100A1具有成分液贮存部182、过滤器184、泵186以及液循环配管188。成分液贮存部182、过滤器184以及泵186容纳于第一成分液柜100A1。液循环配管188的一部分容纳于第一成分液柜100A1，液循环配管188的其他部分容纳于流体箱100B。
液循环配管188包括：上游配管188a，从成分液贮存部182向下游延伸；多个单独配管188b，从上游配管188a分支；以及，下游配管188c，从各单独配管188b向下游延伸至成分液贮存部182。
上游配管188a的上游端与成分液贮存部182连接。下游配管188c的下游端与成分液贮存部182连接。上游配管188a的上游端相当于液循环配管188的上游端，下游配管188c的下游端相当于液循环配管188的下游端。各单独配管188b从上游配管188a的下游端向下游配管188c的上游端延伸。
多个单独配管188b分别与多个塔TW对应。与一个塔TW所包含的三个处理单元100C对应的三个供给部140，与一个单独配管188b连接。
泵186将成分液贮存部182内的第一成分液L1送至液循环配管188。过滤器184从在液循环配管188流动的第一成分液L1除去异物。
过滤器184以及泵186配置于上游配管188a。成分液贮存部182内的第一成分液L1利用泵186被送至上游配管188a，从上游配管188a向多个单独配管188b流动。单独配管188b内的第一成分液L1向下游配管188c流动，从下游配管188c返回成分液贮存部182。
另外，第二成分液柜100A2供给第二成分液L2。第二成分液柜100A2具有温度调节器146、成分液贮存部182、过滤器184、泵186以及液循环配管188。温度调节器146、成分液贮存部182、过滤器184以及泵186容纳于成分液柜100A。液循环配管188的一部分容纳于第二成分液柜100A2，液循环配管188的其他部分容纳于流体箱100B。
液循环配管188包括：上游配管188a，从成分液贮存部182向下游延伸；多个单独配管188b，从上游配管188a分支；以及，下游配管188c，从各单独配管188b向下游延伸至成分液贮存部182。
上游配管188a的上游端与成分液贮存部182连接。下游配管188c的下游端与成分液贮存部182连接。上游配管188a的上游端相当于液循环配管188的上游端，下游配管188c的下游端相当于液循环配管188的下游端。各单独配管188b从上游配管188a的下游端向下游配管188c的上游端延伸。
多个单独配管188b分别与多个塔TW对应。与一个塔TW所包含的三个处理单元100C对应的三个供给部140，与一个单独配管188b连接。
泵186将成分液贮存部182内的第二成分液L2送至液循环配管188。过滤器184从在液循环配管188流动的第二成分液L2除去异物。温度调节器146调节成分液贮存部182内的成分液的温度。温度调节器146例如为用于加热第二成分液L2的加热器。
温度调节器146、过滤器184以及泵186配置于上游配管188a。成分液贮存部182内的第二成分液L2利用泵186被送至上游配管188a，从上游配管188a向多个单独配管188b流动。单独配管188b内的第二成分液L2向下游配管188c流动，从下游配管188c返回成分液贮存部182。成分液贮存部182内的第二成分液L2被温度调节器146加热，使得变成规定温度TM以上的特定温度。因此，在液循环配管188循环的第二成分液L2的温度维持为规定温度TM以上的特定温度。当第二成分液L2在液循环配管188内维持为特定温度时，第二成分液L供给至供给部140。
流体箱100B具有阀192、流量计194以及流量调整阀196。将第一成分液L1以及第二成分液L2开始供给至喷出喷嘴130以及停止将第一成分液L1以及第二成分液L2供给至喷出喷嘴130是通过阀192来切换的。供给至喷出喷嘴130的第一成分液L1以及第二成分液L2的流量是由流量计194检测的。能够利用流量调整阀196变更流量。当阀192处于打开状态时，第一成分液L1以及第二成分液L2以与流量调整阀196的开度对应的流量从供给部140供给至喷出喷嘴130。结果，从喷出喷嘴130喷出处理液L。开度表示流量调整阀196打开的程度。
此外，图1至图13所示的基板处理装置100为逐张地处理基板W的单张式装置，但是本实施方式并不限定于此。基板处理装置100也可以是同时处理多个基板W的批量式装置。
上面，一边参照附图一边说明了本发明的实施方式。其中，本发明并不限定于上述的实施方式，在不脱离其宗旨的范围内，能够以各种方式实施。另外，通过恰当地组合上述的实施方式中公开的多个结构元件，能够形成各种发明。例如，也可以从实施方式中示出的全部结构元件中去除几个结构元件。而且，也可以适当地组合不同实施方式中的结构元件。就附图而言，是为了便于理解而将各种结构元件在主体上示意性地示出的，根据制作附图的情况，图示的各结构元件的厚度、长度、数量、间隔等有时与实际情况不同。另外，上述的实施方式中示出的各结构元件的材质、形状、尺寸等为一例，并不进行特别的限定，在实质上不脱离本发明的效果的范围内，能够进行各种变更。
本发明优选适用于处理基板的基板处理装置以及基板处理方法。

Claims (12)

1.一种基板处理装置，利用处理液处理基板，其中，
具有：
喷出喷嘴，具有用于向所述基板喷出所述处理液的喷出口以及与所述喷出口相连的喷出流路，以及，
供给部，与所述喷出喷嘴的所述喷出流路相连；
所述喷出流路的至少一部分由石英形成，
所述供给部具有：
第一供给流路，使所述处理液的第一成分液向所述喷出喷嘴的所述喷出流路流动，以及，
第二供给流路，使所述处理液的第二成分液向所述喷出喷嘴的所述喷出流路流动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述第一供给流路以及所述第二供给流路的至少一部分由石英形成。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述第一供给流路包括：
第一配管，以及，
第一连结部，将所述第一配管与所述喷出喷嘴连结；
所述第二供给流路包括：
第二配管，以及，
第二连结部，将所述第二配管与所述喷出喷嘴连结；
所述第一连结部以及所述第二连结部均由石英形成。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述第一连结部以及所述第二连结部与所述喷出喷嘴被焊接在一起。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述第一配管以及所述第二配管由导电性管形成。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述喷出流路具有混合室，所述混合室与所述第一供给流路以及所述第二供给流路相连。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述喷出流路还具有相连部，所述相连部将所述混合室与所述喷出口相连，
所述混合室的所述处理液流动的流路直径大于所述相连部的所述处理液流动的流路直径。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
所述喷出喷嘴具有：
上部，规定所述混合室，以及，
下部，规定所述相连部；
所述上部与所述下部被焊接在一起。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述第一成分液包含过氧化氢溶液，
所述第二成分液包含硫酸，
所述第一供给流路在铅垂方向上比所述第二供给流路更靠上侧。
10.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还具有喷嘴支撑构件，所述喷嘴支撑构件用于支撑所述喷出喷嘴。
11.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述喷出喷嘴具有设置有所述喷出口的侧面以及与所述侧面相连的底面；
所述喷出喷嘴的所述底面相对于设置有所述喷出口的所述侧面倾斜地配置。
12.一种基板处理方法，利用处理液处理基板，其中，
包括：
经由第一供给流路将所述处理液的第一成分液供给至喷出喷嘴的喷出流路的工序，
经由第二供给流路将所述处理液的第二成分液供给至所述喷出喷嘴的所述喷出流路的工序，
在所述喷出喷嘴的所述喷出流路中混合所述第一成分液以及所述第二成分液，来生成所述处理液的工序，以及，
从所述喷出喷嘴的喷出口向所述基板喷出所述处理液的工序；
所述喷出流路的至少一部分由石英形成。
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