CN110244091B - 位置修正方法、检查装置和探针卡 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够以高精度进行接触位置的修正的位置修正方法。一个实施方式的位置修正方法，其用于修正具有悬臂型的探针的探针卡与具有电极垫的被检查体的相对位置，在隔着上述探针卡的中心相对的第一区域和第二区域的各者中，配置有以通过上述第一区域、上述探针卡的中心和上述第二区域的第一方向作为长度方向的探针，在与上述第一方向垂直的第二方向上隔着上述探针卡的中心相对的第三区域和第四区域的各者中，配置有以上述第二方向作为长度方向的探针，基于使分别配置于上述第一区域、上述第二区域、上述第三区域和上述第四区域的上述探针与上述电极垫接触时形成于上述电极垫的针痕，修正上述探针卡与上述被检查体的相对位置。

Description

位置修正方法、检查装置和探针卡
技术领域
本发明涉及位置修正方法、检查装置和探针卡。
背景技术
在现有技术中，已知使探针与被检查体的电极垫接触，检查被检查体的电特性的检查装置。在检查装置中，使设置于探针卡的探针与电极垫的目标位置(例如电极垫的中心位置)正确地接触是很重要的。
作为使探针与电极垫的目标位置正确接触的方法，已知例如对使探针与电极垫接触时的针痕用监视器进行确认而确定针痕的位置，将被检查体向接触位置移送定位的方法(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平6-318622号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
但是，在使用悬臂型的探针时，将探针卡向被检查体按压时，与电极垫接触的探针的前端在探针的长度方向上滑动移动并进行摩擦动作，由此在电极垫形成针痕。因此，在电极垫形成根据设置于探针卡的探针的朝向而不同的形状的针痕。
当形成这样的不同形状的针痕时，用监视器确认针痕而确定针痕的位置(例如重心位置)时，有时在针痕的位置产生偏差。特别是，操作员用监视器确认针痕而确定针痕的位置时，会出现操作员的个人差异。于是，当在针痕的位置产生偏差时，难以对探针与电极垫接触的接触位置以高精度进行修正。
于是，本发明的一个方式的目的在于，提供能够以高精度进行接触位置的修正的位置修正方法。
用于解决技术问题的技术方案
为了达成上述目的，本发明的一个方式的位置修正方法，其用于修正具有悬臂型的探针的探针卡与具有电极垫的被检查体的相对位置，在上述位置修正方法中，在隔着上述探针卡的中心相对的第一区域和第二区域的各者中，配置有以通过上述第一区域、上述探针卡的中心和上述第二区域的第一方向作为长度方向的探针，在与上述第一方向垂直的第二方向上隔着上述探针卡的中心相对的第三区域和第四区域的各者中，配置有以上述第二方向作为长度方向的探针，基于使分别配置于上述第一区域、上述第二区域、上述第三区域和上述第四区域的上述探针与上述电极垫接触时形成于上述电极垫的针痕，修正上述探针卡与上述被检查体的相对位置。
发明效果
根据公开的位置修正方法，能够以高精度进行接触位置的修正。
附图说明
图1是表示本实施方式的检查装置的一例的概略图。
图2是说明第一结构例的探针的配置的图。
图3是说明第二结构例的探针的配置的图。
图4是说明第三结构例的探针的配置的图。
图5是表示由于探针的高度的不同而在θ方向产生偏差的结构的图(1)。
图6是说明由于探针的高度的不同而在θ方向产生偏差的结构的图(2)。
图7是说明由于探针的高度的不同而在θ方向产生偏差的结构的图(3)。
图8是说明不会由于探针的高度的不同而在θ方向产生偏差的结构的图。
图9是表示针痕的重心位置相对于电极垫的中心位置的偏差量的图。
附图标记说明
1 检查装置
200 检查室
233 探针卡
234 探针
300 控制装置
M 针痕
P 电极垫
W 晶片。
具体实施方式
以下，对用于实施本发明的方式参照附图进行说明。另外，在本说明书和附图中，对于实质上相同的结构，标注相同的附图标记，从而省略重复说明。
(检查装置)
对本实施方式的检查装置的一例进行说明。图1是表示本实施方式的检查装置的一例的概略图。
检查装置1是使探针234与在半导体晶片(以下简称为“晶片W”。)上形成的多个半导体器件的电极垫接触而检查半导体器件的电特性的装置。检查装置1具有运送室100、检查室200和控制装置300。
运送室100将从装置的外部送入的晶片W用运送臂(未图示)等向检查室200运送。晶片W例如可以是产品晶片、虚晶片。产品晶片是在表面形成有多个半导体器件的晶片。在各半导体器件设置有由金属形成的电极垫。各电极垫与在各半导体器件的内部形成的集成电路连接。虚晶片是在表面设置有用于位置修正的多个电极垫的晶片。各电极垫由金属形成，以与设置于后述的工具探针卡的多个探针各自的位置对应的方式设置。
检查室200与运送室100邻接地设置。在检查室200内，进行形成在晶片W的半导体器件的电特性的检查。检查室200具有载置台210、工作台220、检查单元230和拍摄单元240。
载置台210从运送室100接受送入检查室200内的晶片W，并且在上表面以吸附方式保持晶片W。
工作台220使载置台210向X方向、Y方向、Z方向和θ方向移动。工作台220具有X工作台221、Y工作台222、升降旋转机构223和电动机(未图示)。X工作台221、Y工作台222和升降旋转机构223利用电动机的动力移动或旋转。
检查单元230配置在检查室200的顶部。检查单元230具有头部板231、形成在头部板231的下表面的弹簧架(POGO frame)232和支承于弹簧架232的下表面的探针卡233。在探针卡233的下表面，设置有多个悬臂型的探针234。探针卡233与检测器(未图示)连接。在使各探针234与各电极垫接触(contact)的状态下，经由各探针234从检测器向各电极垫基于各种条件施加电压、电流，测量其输出值，由此检查半导体器件的电特性。
拍摄单元240具有在检查室200的顶部移动的上部拍摄机241和固定于载置台210的下部拍摄机242。上部拍摄机241和下部拍摄机242例如可以是CCD拍摄机。此外，上部拍摄机241和下部拍摄机242也可以是内置有CMOS传感器等其它拍摄元件的拍摄机。
控制装置300设置在运送室100的上部。控制装置300控制运送室100和检查室200内的各种设备、例如运送臂、载置台210、工作台220、检查单元230、拍摄单元240的动作。由此，实施半导体器件的电特性的检查。
利用该结构的检查装置1检查半导体器件的电特性时，首先以使得检查对象的半导体器件位于探针卡233的各探针234的正下方的方式使工作台220在XY平面移动。接着，使工作台220上升(在Z方向移动)，使各探针234与各电极垫接触。接着，在已使各探针234与各电极垫接触了的状态下，经由各探针234从检测器向各电极垫以各种条件施加电压、电流，测量其输出值，由此检查半导体器件的电特性。当检查结束时，使工作台220下降(在-Z方向移动)，使各探针234从各电极垫离开。
此外，利用拍摄单元240对半导体器件的各电极垫进行拍摄时，以上部拍摄机241位于拍摄对象的电极垫的正上方的方式，使工作台220在XY平面上移动而进行拍摄。此外，也可以以使上部拍摄机241位于拍摄对象的电极垫的正上方的方式，使上部拍摄机241在XY平面上移动而进行拍摄。
(探针卡)
说明本实施方式的检查装置1的设置于探针卡233的探针234的结构例。探针卡233可以是例如表面设置有用于位置修正的多个探针的工具探针卡。通过使用工具探针卡进行的位置修正而得到的修正结果，例如在使用用于产品检查的检查用探针卡时作为偏置值使用。此外，探针卡也可以是检查用探针卡。
(第一结构例)
图2是表示第一结构例的探针234的配置的图。图2中，表示探针卡233的中心与晶片W的中心O一致的状态，为了方便说明，省略探针卡233的图示。此外，相对于晶片W的大小，将电极垫和探针描绘得很大。图2中将各区域的分界线用虚线表示。
在第一结构例中，在将晶片W在周向上分割而成的4个区域A、B、C、D各者中形成有电极垫Pa、Pb、Pc、Pd，在与电极垫Pa、Pb、Pc、Pd对应的位置，配置有悬臂型的探针234a、234b、234c、234d。4个区域A、B、C、D可以被均匀地分割，也可以不均匀地分割。区域A和区域B隔着晶片W的中心O相对，区域C和区域D隔着晶片W的中心O相对。本结构例中，区域A、B、C、D包括分别从中心O向0点方向(+Y方向)、6点方向(-Y方向)、3点方向(+X方向)和9点方向(-X方向)延伸的直线。
探针234a、234b在与分别形成于区域A、B的电极垫Pa、Pb对应的位置，以长度方向为通过区域A、中心O和区域B的第一方向的方式配置。在本结构例中，探针234a、234b在与分别形成于区域A、B的电极垫Pa、Pb对应的位置，以长度方向分别为0点方向、6点方向的方式配置。此外，探针234a、234b以刮擦方向为相同方向(-Y方向)的方式配置。另外，刮擦方向是指，使探针与电极垫接触时的从刮擦的开始位置向结束位置的方向。
探针234c、234d在与分别形成于区域C、D的电极垫Pc、Pd对应的位置，以长度方向为通过区域C、中心O和区域D的第二方向的方式配置。第二方向可以是与第一方向垂直的方向。在本结构例中，探针234c、234d在与分别形成于区域C、D的电极垫Pc、Pd对应的位置，以长度方向分别为3点方向、9点方向方式配置。此外，探针234c、234d以刮擦方向为相同方向(+X方向)的方式配置。
(第二结构例)
图3是表示第二结构例的探针234的配置的图。图3中表示晶片W的中心与探针卡233的中心一致的状态，为了方便说明，省略探针卡233的图示。此外，相对于晶片W的大小，将电极垫和探针描绘得很大。图3中将各区域的分界线用虚线表示。
在第二结构例中，探针234a、234b以刮擦方向彼此为反方向的方式配置，探针234c、234d以刮擦方向彼此为反方向的方式配置。在本结构例中，探针234a以刮擦方向为-Y方向的方式配置，探针234b以刮擦方向为+Y方向的方式配置。此外，探针234c以刮擦方向为-X方向的方式配置，探针234d以刮擦方向为+X方向的方式配置。另外，关于其它结构，可以与第一结构例同样。
(第三结构例)
图4是表示第三结构例的探针234的配置的图。图4中表示晶片W的中心与探针卡233的中心一致的状态，为了方便说明，省略探针卡233的图示。此外，相对于晶片W的大小，将电极垫和探针描绘得很大。图4中，将各区域的分界线用虚线表示。
在第三结构例中，在将晶片W在周向分割而成的4个区域A、B、C、D各者中形成有电极垫Pa、Pb、Pc、Pd，在与电极垫Pa、Pb、Pc、Pd对应的位置，各配置有4个悬臂型的探针。
在区域A中，配置有探针234a1、234a2、234a3、234a4。探针234a1、234a2、234a3、234a4以刮擦方向为彼此不同的方向的方式配置。在本结构例中，探针234a1、234a2以刮擦方向彼此为反方向的方式配置，探针234a3、234a4以刮擦方向彼此为反方向的方式配置。但是，探针234a1、234a2也可以以刮擦方向为相同方向的方式配置，探针234a3、234a4也可以以刮擦方向为相同方向的方式配置。
在区域B中，配置有探针234b1、234b2、234b3、234b4。探针234b1、234b2、234b3、234b4以刮擦方向为彼此不同的方向的方式配置。在本结构例中，探针234b1、234b2以刮擦方向彼此为反方向的方式配置，探针234b3、234b4以刮擦方向彼此为反方向的方式配置。但是，探针234b1、234b2也可以以刮擦方向为相同方向的方式配置，探针234b3、234b4也可以以刮擦方向为相同方向的方式配置。
在区域C中，配置有探针234c1、234c2、234c3、234c4。探针234c1、234c2、234c3、234c4以刮擦方向为彼此不同的方向的方式配置。在本结构例中，探针234c1、234c2以刮擦方向彼此为反方向的方式配置，探针234c3、234c4以刮擦方向彼此为反方向的方式配置。但是，探针234c1、234c2也可以以刮擦方向为相同方向的方式配置，探针234c3、234c4也可以以刮擦方向为相同方向的方式配置。
在区域D中，配置有探针234d1、234d2、234d3、234d4。探针234d1、234d2、234d3、234d4以刮擦方向为彼此不同的方向的方式配置。在本结构例中，探针234d1、234d2以刮擦方向彼此为反方向的方式配置，探针234d3、234d4以刮擦方向彼此为反方向的方式配置。但是，探针234d1、234d2也可以以刮擦方向为相同方向的方式配置，探针234d3、234d4也可以以刮擦方向为相同方向的方式配置。
在以上说明的结构例中，均说明了将晶片W在周向分割成4个区域的情况，但并不限定于此，也可以将晶片W分割为5个以上的区域。此时，基于在使分别配置在5个以上的区域的探针与电极垫接触时形成于电极垫的针痕，可以修正探针卡与晶片W的相对位置。
(位置修正方法)
在本实施方式的检查装置1中，说明修正具有悬臂型的探针234的探针卡233与具有电极垫P的晶片W的相对位置的方法(以下称为“位置修正方法”。)的一例。本实施方式的位置修正方法是，例如在将产品晶片收纳在检查室200中而进行在产品晶片形成的半导体器件的电特性的检查之前，使用工具探针卡实施的。此外，通过使用工具探针卡实施的位置修正方法计算的修正结果，在使用用于产品检查的检查用探针卡时用作偏置值。
首先，作为检查单元230的探针卡233，安装工具探针卡。工具探针卡可以是例如具有上述第一结构例到第三结构例中表示的探针234的探针卡。
接着，作为晶片W，将在表面设置有用于位置修正的多个电极垫的虚晶片载置在检查室200内的载置台210上，使接触位置移动。接着，使工作台220的升降旋转机构223伸长而使载置台210上升，由此使载置于载置台210的虚晶片的电极垫与工具探针卡的探针接触，在电极垫形成针痕。
接着，使拍摄对象的电极垫向上部拍摄机241的下方移动，而对在电极垫形成的针痕进行拍摄。由上部拍摄机241摄取的包括针痕的图像被发送至控制装置300。此外，对多个电极垫实施该处理。另外，也可以不使虚晶片移动，而使上部拍摄机241移动到虚晶片的上方而对在电极垫形成的针痕进行拍摄。
接着，控制装置300对由上部拍摄机241摄取的包含针痕的图像进行分析，由此计算针痕的重心位置。在利用图像分析的重心位置的计算中，能够使用公知的方法。例如，将构成包含于图像的针痕所占的区域或其边界的像素基于该像素的亮度检测出来，基于这些像素的坐标计算针痕的重心位置。接着，控制装置300对预先决定的目标位置(例如电极垫的中心位置)与针痕的重心位置进行比较，由此计算目标位置与针痕的重心位置的偏差量。此外，控制装置300对多个电极垫实施该处理。
接着，控制装置300基于计算出的各电极垫的各偏差量，计算作为探针卡整体的修正量。具体地说，例如，控制装置300以按每个电极垫而不同的偏差量分别尽量接近0的方式，即以各针痕的重心位置与各目标位置尽量近似的方式，计算探针卡的整体的修正量。修正量的计算能够使用公知的方法，例如能够使用最小二乘法。此外，计算出的修正量储存于例如控制装置300的存储部。
接着，将工具探针卡更换为用于产品检查的检查用探针卡，并且在载置台210上代替虚晶片而载置产品晶片。控制装置300将计算出的修正量用作偏置值，修正载置在载置台210上的产品晶片的进行检查的接触位置。
接着，控制装置300使产品晶片移动到修正后的接触位置。接着，使工作台220的升降旋转机构223伸长而使载置台210上升，由此，使载置于载置台210的产品晶片的电极垫与检查用探针卡的探针接触。之后，在产品晶片的电极垫和检查用探针卡的探针接触的状态下，进行形成在产品晶片的半导体器件的电特性的检查。
但是，在使用悬臂型的探针使各电极垫和各探针分别接触时，由于探针的前端的高度不同而导致在电极垫形成的针痕的位置、大小产生不同。探针的前端的高度不同例如由于探针卡的设计上的误差、每个探针的经年劣化的发展程度而产生。
图5到图7是说明由于探针的高度的不同而在θ方向产生偏差的结构的图。图8是说明即使探针的高度的不同也不在θ方向产生偏差的结构的图。图6的(a)、图7的(a)和图8的(a)表示形成在晶片W的电极垫P和设置于探针卡的探针234的位置关系，图6的(b)、图7的(b)和图8的(b)表示形成于电极垫P的针痕M的位置。
在没有探针卡的设计上的误差、探针的经年劣化时使用将X方向作为长度方向的探针234，针痕M的重心位置Mg与电极垫P的中心位置Pg一致，形成在长度方向上具有规定的长度L的针痕M(参照图5的(a))。
此时，当由于探针的设计上的误差、探针的经年劣化而探针的前端的高度不同时，例如像图5的(b)～(d)所示那样，有针痕M的重心位置Mg相对于电极垫P的中心位置Pg向+X方向或-X方向偏置的情况。此外，例如像图5的(b)～(d)所示，有在针痕M的长度方向的长度产生不同的情况。
此时，例如像图6的(a)所示那样，使用具有以长度方向为相同方向(X方向)的方式配置的4个探针234a、234b、234c、234d的探针卡，计算探针卡整体的修正量。此时，几乎不产生探针234c、234d的针痕Mc、Md的重心位置Mgc、Mgd的Y座标与对应的电极垫Pc、Pd的中心位置Pgc、Pgd的Y座标之间的偏差。因此，能够高精度地修正Y方向的偏差量。另一方面，探针234a、234b的针痕Ma、Mb的重心位置Mga、Mgb的X座标与对应的电极垫Pa、Pb的中心位置Pga、Pgb的X座标之间的偏差量大。因此，不能够高精度地修正X方向的偏差量。结果，不能够正确修正探针卡与晶片W之间的θ方向的偏差量。
此外，例如像图7的(a)所示，使用具有以长度方向为相同方向(Y方向)的方式配置的4个探针234a、234b、234c、234d的探针卡，计算探针卡整体的修正量。此时，几乎不产生探针234a、234b的针痕Ma、Mb的重心位置Mga、Mgb的X座标与电极垫Pa、Pb的中心位置Pga、Pgb的X座标之间的偏差。因此，能够高精度地修正X方向的偏差量。另一方面，探针234c、234d的针痕Mc、Md的重心位置Mgc、Mgd的Y座标与电极垫Pc、Pb的中心位置Pgc、Pgd的Y座标之间的偏差量大。因此，不能够高精度地修正Y方向的偏差量。结果，不能够正确修正探针卡与晶片W之间的θ方向的偏差量。
对此，如图8的(a)所示，在本实施方式的探针卡中，在隔着晶片W的中心O相对的区域A、B的各者中，配置有以通过区域A、中心O和区域B的第一方向(Y方向)为长度方向的探针234a、234b。此外，在与第一方向垂直的第二方向(X方向)上隔着中心O相对的区域C、D的各者中，配置有以第二方向为长度方向的探针234c、234d。使用4根侵入方向不同的探针。此时，探针234a、234b的针痕Ma、Mb的重心位置Mga、Mgb的X座标与电极垫Pa、Pb的中心位置Pga、Pgb的X座标之间的偏差量小。因此能够高精度地修正X方向的偏差量。此外，几乎不产生探针234c、234d的针痕Mc、Md的重心位置Mgc、Mgd的Y座标与电极垫Pc、Pd的中心位置Pgc、Pgd的Y座标之间的偏差。因此，能够基于探针234c、234d的针痕Mc、Md高精度地修正Y方向的偏差量。结果，能够正确地修正探针卡与晶片W之间的θ方向的偏差量，能够高精度地进行接触位置的修正。另外，探针的侵入方向是探针234a和探针234b相同、探针234c和探针234d相同时也能够得到相同的效果。
如以上说明的方式，本实施方式的位置修正方法是，基于使分别配置于区域A～D的探针234a～234d与各电极垫Pa～Pd接触时的针痕Ma～Md，修正探针卡233与晶片W的相对位置。由此，即使由于探针卡233的设计上的误差、各探针234的经年劣化的发展程度不同而探针234的高度产生不同时，也能够正确地计算探针卡233与晶片W之间的偏差量。因此，能够高精度地修正使探针234与电极垫P接触的位置。
此外，本实施方式的位置修正方法是，使用具有悬臂型的探针234的探针卡233修正使探针234与电极垫P接触的位置。由此，在检查室200的高度方向尺寸短时也能够应用，相比于具有垂直型的探针的探针卡具前优越性。
(实施例)
说明确认本实施方式的位置修正方法的效果的实施例。在实施例中，首先进行使用具有上述以图4所示的方式配置的探针的工具探针卡进行接触位置的修正。接着，使产品晶片的各电极垫与检查用探针卡的各探针分别接触，在产品晶片的各电极垫形成约3000个针痕，测量各针痕的重心位置相对于各电极垫的中心位置的偏差量。此外，实施例中，控制装置300分析由上部拍摄机241摄取的针痕的图像计算针痕的重心位置。
在比较例中，使用具有以图6的(a)所示的方式配置的探针的工具探针卡进行接触位置的修正。接着，通过与实施例同样的方法，使产品晶片的各电极垫与检查用探针卡的各探针分别接触，在产品晶片的各电极垫形成约3000个针痕，测量各针痕的重心位置相对于各电极垫的中心位置的偏差量。此外，在比较例中，操作员用监视器确认由上部拍摄机241拍摄的多处的针痕以确定针痕的重心位置。
图9是表示针痕的重心位置相对于电极垫的中心位置的偏差量的图。图9的(a)和图9的(b)分别表示实施例和比较例的结果。图9的(a)和图9的(b)中横轴表示X方向的偏差量(μm)，纵轴表示Y方向的偏差量(μm)。
如图9的(a)所示，在实施例中，X方向的偏差量的中央值为+1.3μm，Y方向的偏差量的中央值为-1.0μm，能够确认X方向和Y方向的偏差量的中央值为接近0的值。
另一方面，如图9的(b)所示，在比较例中，X方向的偏差量的中央值为-9.8μm，Y方向的偏差量的中央值为+7.2μm，能够确认X方向和Y方向的偏差量的中央值为离开0的值。
根据以上的结果，通过使用本实施方式的位置修正方法，能够高精度地进行接触位置的修正。
另外，在上述的实施方式中，区域A、区域B、区域C、区域D分别是第一区域、第二区域、第三区域和第四区域的一例。此外，晶片W是被检查体的一例，上部拍摄机241是拍摄机构的一例。
以上，说明了用于实施本发明的方式，但上述内容并不限定发明的内容，能够在本发明的范围内进行各种变形和改良。

Claims (7)

1.一种位置修正方法，其用于修正具有悬臂型的探针的探针卡与具有电极垫的被检查体的相对位置，所述位置修正方法的特征在于：
在隔着所述探针卡的中心相对的第一区域和第二区域的各者中，配置有以通过所述第一区域、所述探针卡的中心和所述第二区域的第一方向作为长度方向的探针，
在与所述第一方向垂直的第二方向上隔着所述探针卡的中心相对的第三区域和第四区域的各者中，配置有以所述第二方向作为长度方向的探针，
在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域的各者中，配置有刮擦方向彼此不同的多个探针，
基于使分别配置于所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域的所述探针与所述电极垫接触时形成于所述电极垫的针痕，修正所述探针卡与所述被检查体的相对位置。
2.如权利要求1所述的位置修正方法，其特征在于：
配置于所述第一区域的所述探针的刮擦方向与配置于所述第二区域的所述探针的刮擦方向是相同方向，
配置于所述第三区域的所述探针的刮擦方向与配置于所述第四区域的所述探针的刮擦方向是相同方向。
3.如权利要求1所述的位置修正方法，其特征在于：
配置于所述第一区域的所述探针的刮擦方向与配置于所述第二区域的所述探针的刮擦方向是相反方向，
配置于所述第三区域的所述探针的刮擦方向与配置于所述第四区域的所述探针的刮擦方向是相反方向。
4.如权利要求1～3中任一项所述的位置修正方法，其特征在于：
在修正所述探针卡与所述被检查体的相对位置时，利用拍摄机构对所述针痕进行拍摄，根据进行所述拍摄而得到的所述针痕的图像计算所述针痕的重心位置，基于所述重心位置修正所述探针卡与所述被检查体的相对位置。
5.如权利要求1～3中任一项所述的位置修正方法，其特征在于：
所述探针卡是在表面设置有用于位置修正的多个探针的工具探针卡，
由该位置修正方法得到的所述相对位置的修正量，在使用产品检查用的检查用探针卡时用作偏置值。
6.一种检查装置，其使悬臂型的探针与被检查体的电极垫接触来检查被检查体的电特性，所述检查装置的特征在于：
配置有所述探针的探针卡；和
修正所述探针卡与所述被检查体的相对位置的控制装置，
在所述探针卡，在隔着所述探针卡的中心相对的第一区域和第二区域的各者中，配置有以通过所述第一区域、所述探针卡的中心和所述第二区域的第一方向作为长度方向的探针，并且在与所述第一方向垂直的第二方向上，在隔着所述探针卡的中心相对的第三区域和第四区域的各者中，配置有以所述第二方向作为长度方向的探针，
在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域的各者中，配置有刮擦方向彼此不同的多个探针，
所述控制装置基于使分别配置在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域的所述探针与所述电极垫接触时形成于所述电极垫的针痕，修正所述探针卡与所述被检查体的相对位置。
7.一种探针卡，其用于使悬臂型的探针与被检查体的电极垫接触来检查被检查体的电特性的检查装置，所述探针卡的特征在于，包括：
在隔着该探针卡的中心相对的第一区域和第二区域的各者中配置的、以通过所述第一区域、该探针卡的中心和所述第二区域的第一方向作为长度方向的探针；和
在与所述第一方向垂直的第二方向上隔着该探针卡的中心相对的第三区域和第四区域的各者中配置的、以所述第二方向作为长度方向的探针，
在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域的各者中，配置有刮擦方向彼此不同的多个探针。
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