KR20240068698A - 검사 장치 및 검사 방법 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판을 검사하는 검사 장치로서, 기판이 탑재되는 탑재 부재와, 기판 상의 전극에 접촉하는 프로브를 갖는 프로브 카드를 유지하는 유지부와, 상기 탑재 부재를 유지하여 수평 방향 및 상하 방향으로 이동시키는 이동 기구와, 상기 이동 기구에 고정되고, 상기 프로브의 위치를 취득하기 위한 제 1 취득부와, 상기 탑재 부재에 탑재된 기판 상의 상기 전극의 위치를 취득하기 위한 제 2 취득부와, 제어부를 구비하고, 상기 프로브 카드 또는 상기 유지부 중 적어도 어느 한쪽에, 제 1 타겟이 복수 마련되어 있고, 상기 탑재 부재에, 제 2 타겟이 상기 제 1 타겟과 동수 마련되어 있고, 상기 제 1 타겟과, 당해 제 1 타겟에 대응하는 상기 제 2 타겟을 동시에 검출하기 위한 검출부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 제 1 취득부를 이용하여, 프로브 기준 위치에 대한 상기 프로브의 대표 위치를 취득하는 공정과, 상기 유지부에 유지된 상기 프로브 카드와 평면에서 볼 때에 겹치지 않는 영역에 위치하는, 상기 제 2 취득부의 아래쪽의 영역으로, 상기 탑재 부재를 이동시키고, 상기 제 2 취득부를 이용하여, 전극 기준 위치에 대한 상기 전극의 대표 위치를 취득하는 공정과, 상기 검출부를 이용하여, 모든 상기 제 1 타겟이 동시에 당해 제 1 타겟에 대응하는 상기 제 2 타겟과 평면에서 볼 때에 소정의 위치 관계가 되는, 합치 위치를 취득하는 공정과, 상기 프로브의 대표 위치와 상기 전극의 대표 위치에 기초하여, 상기 프로브와 상기 전극을 접촉시킬 때의 상기 탑재 부재의 위치인 접촉 위치를 취득하고, 상기 합치 위치에 기초하여 상기 접촉 위치를 보정하는 공정을 실행하도록 구성되어 있다.

Description

검사 장치 및 검사 방법
본 개시는, 검사 장치 및 검사 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 반도체 웨이퍼의 전기적 특성 검사를 행하는 검사실에 적합하도록 형성되고 또한 프로브 카드를 소정 위치에 위치시키면서 착탈 가능하게 장착되는 지지체를 갖는 프로브 검출실을 구비하는 프로브 카드 검출 장치가 개시되어 있다. 이 장치는, 상기 지지체의 상기 소정 위치에 대하여 제 1 유지체를 통해서 위치되어 장착되는 프로브 카드와, 상기 프로브 검출실 내에 이동 가능하게 마련되고 또한 상기 프로브 카드의 적어도 2개의 프로브의 바늘 끝을 검출하는 제 1 촬상 장치를 더 구비한다. 또한, 상기 프로브 카드 검출 장치는, 상기 프로브 카드 대신에 상기 지지체의 상기 소정 위치에 대하여 제 2 유지체를 통해서 위치되어 착탈 가능하게 장착되고 또한 상기 적어도 2개의 프로브에 대응하는 적어도 2개의 타겟을 갖는 프로브 보정 카드를 구비한다. 상기 프로브 검출실 내에서, 상기 적어도 2개의 프로브의 바늘 끝의 수평 위치와 상기 적어도 2개의 타겟의 수평 위치의 차이가, 상기 제 1 촬상 장치에서 검출된다. 상기 차이는, 상기 검사실에 있어서의 상기 프로브 카드의 적어도 2개의 프로브와 상기 반도체 웨이퍼의 적어도 2개의 전극 패드의 위치 맞춤을 행하기 위한 보정값으로서 검출된다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 2012-204695호 공보
본 개시에 따른 기술은, 기판을 검사하는 검사 장치에 있어서, 기판에 마련된 전극과 프로브 카드의 프로브의 위치 맞춤을 보다 정확하게 행한다.
본 개시의 한 측면은, 기판을 검사하는 검사 장치로서, 기판이 탑재되는 탑재 부재와, 기판 상의 전극에 접촉하는 프로브를 갖는 프로브 카드를 유지하는 유지부와, 상기 탑재 부재를 유지하여 수평 방향 및 상하 방향으로 이동시키는 이동 기구와, 상기 이동 기구에 고정되고, 상기 프로브의 위치를 취득하기 위한 제 1 취득부와, 상기 탑재 부재에 탑재된 기판 상의 상기 전극의 위치를 취득하기 위한 제 2 취득부와, 제어부를 구비하고, 상기 프로브 카드 또는 상기 유지부 중 적어도 어느 한쪽에, 제 1 타겟이 복수 마련되어 있고, 상기 탑재 부재에, 제 2 타겟이 상기 제 1 타겟과 동수 마련되어 있고, 상기 제 1 타겟과, 당해 제 1 타겟에 대응하는 상기 제 2 타겟을 동시에 검출하기 위한 검출부를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 제 1 취득부를 이용하여, 프로브 기준 위치에 대한 상기 프로브의 대표 위치를 취득하는 공정과, 상기 유지부에 유지된 상기 프로브 카드와 평면에서 볼 때에 겹치지 않는 영역에 위치하는, 상기 제 2 취득부의 아래쪽의 영역으로, 상기 탑재 부재를 이동시키고, 상기 제 2 취득부를 이용하여, 전극 기준 위치에 대한 상기 전극의 대표 위치를 취득하는 공정과, 상기 검출부를 이용하여, 모든 상기 제 1 타겟이 동시에 당해 제 1 타겟에 대응하는 상기 제 2 타겟과 평면에서 볼 때에 소정의 위치 관계가 되는, 합치 위치를 취득하는 공정과, 상기 프로브의 대표 위치와 상기 전극의 대표 위치에 기초하여, 상기 프로브와 상기 전극을 접촉시킬 때의 상기 탑재 부재의 위치인 접촉 위치를 취득하고, 상기 합치 위치에 기초하여 상기 접촉 위치를 보정하는 공정을 실행하도록 구성되어 있다.
본 개시에 따르면, 기판을 검사하는 검사 장치에 있어서, 기판에 마련된 전극과 프로브 카드의 프로브의 위치 맞춤을 보다 정확하게 행할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 검사 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 검사 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 3은 검사 영역의 측단면도이다.
도 4는 포고 프레임의 주변의 단면도이다.
도 5는 프로브 카드의 하면도이다.
도 6은 척 탑(70)의 상면도이다.
도 7은 비교의 형태에 따른 접촉 위치의 결정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 실시의 형태에 따른, 접촉 위치의 결정 처리를 수반하는 검사 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 실시의 형태에 따른, 접촉 위치의 결정 처리를 수반하는 검사 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 실시의 형태에 따른, 접촉 위치의 결정 처리를 수반하는 검사 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 실시의 형태에 따른, 접촉 위치의 결정 처리를 수반하는 검사 처리를 설명하기 위한 도면이다.
반도체 제조 프로세스에서는, 반도체 웨이퍼(이하, "웨이퍼"라고 한다) 상에 소정의 회로 패턴을 갖는 다수의 반도체 디바이스가 형성된다. 형성된 반도체 디바이스는, 전기적 특성 등의 검사가 행하여지고, 양품과 불량품으로 선별된다. 반도체 디바이스의 검사는, 예컨대, 각 반도체 디바이스로 분할되기 전의 웨이퍼의 상태에서, 검사 장치를 이용하여 행하여진다.
검사 장치에는, 다수의 바늘 형상의 접촉 단자인 프로브를 다수 갖는 프로브 카드가 마련되어 있다. 전기적 특성의 검사 때에는 우선, 웨이퍼와 프로브 카드를 접근시켜, 웨이퍼에 형성되어 있는 반도체 디바이스의 각 전극에 프로브 카드의 프로브가 접촉한다. 이 상태에서, 프로브 카드의 위쪽에 마련된 테스터로부터 각 프로브를 통해서 반도체 디바이스에 전기 신호가 공급된다. 그리고, 각 프로브를 통해서 반도체 디바이스로부터 테스터가 수신한 전기 신호에 기초하여, 당해 반도체 디바이스가 불량품인지 여부가 판별된다.
이와 같은 전기적 특성 검사가 적절하게 행하여지도록, 검사 장치에서는, 프로브 카드와 웨이퍼의 위치 맞춤, 구체적으로는, 프로브와 웨이퍼 상의 전극의 위치 맞춤이 행하여지고 있다. 최근에는, 전자 디바이스가 더욱더 집적화되는 것에 의해 전극의 소형화가 도모되고 있는 것 등으로부터, 상술한 위치 맞춤을 보다 정확하게 행하는 것이 요구되고 있다.
본 개시에 따른 기술은, 기판 상의 전극과 프로브 카드의 프로브의 위치 맞춤을 보다 정확하게 행하는 것이 가능한, 기판의 검사 장치를 제공한다.
이하, 본 실시형태에 따른 검사 장치 및 검사 방법에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 부여하는 것에 의해 중복 설명을 생략한다.
<검사 장치>
도 1 및 도 2는 각각, 본 실시형태에 따른 검사 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면도 및 종단면도이다. 또, 도 2에서는, 후술하는 얼라이너에 대해서는 그 일부만을 나타내고 있다.
도 1 및 도 2의 검사 장치(1)는, 기판으로서의 웨이퍼 W를 검사하는 것이고, 구체적으로는, 웨이퍼 W에 형성된 검사 대상 디바이스로서의 반도체 디바이스의 전기적 특성 검사를 행하는 것이다. 검사 장치(1)는, 하우징(10)을 갖고, 그 하우징(10)에는, 반입출 영역(11), 반송 영역(12), 검사 영역(13)이 마련되어 있다. 반입출 영역(11)은, 검사 장치(1)에 대하여 웨이퍼 W의 반입출이 행하여지는 영역이다. 반송 영역(12)은, 반입출 영역(11)과 검사 영역(13)을 접속하는 영역이다. 또한, 검사 영역(13)은, 웨이퍼 W에 형성된 반도체 디바이스의 전기적 특성 검사가 행하여지는 영역이다.
반입출 영역(11)에는, 복수의 웨이퍼 W를 수용한 카세트 C를 받아들이는 포트(20), 후술하는 프로브 카드를 수용하는 로더(21), 검사 장치(1)의 각 구성 요소의 제어 등을 행하는 제어부(22)가 마련되어 있다. 제어부(22)는, 예컨대 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 각종 정보를 기억하는 기억부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 기억부에는, 예컨대, 검사 처리 등을 실현하는 프로그램이 저장되어 있다. 또, 상기 프로그램은, 컴퓨터가 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있는 것으로서, 당해 기억 매체로부터 상기 제어부(22)에 인스톨된 것이더라도 좋다. 상기 기억 매체는 일시적인 것이더라도 비일시적인 것이더라도 좋다. 또, 프로그램의 일부 또는 전부는 전용 하드웨어(회로 기판)로 실현하더라도 좋다. 또한, 상기 기억부는, 예컨대 HDD 등의 스토리지 디바이스, 프로그램의 연산에 관계된 일시적으로 필요한 정보를 기억하는 RAM 등의 메모리, 또는 이들의 조합이다.
반송 영역(12)에는, 웨이퍼 W 등을 유지한 상태에서 자유롭게 이동 가능한 반송 장치(30)가 배치되어 있다. 이 반송 장치(30)는, 반입출 영역(11)의 포트(20) 내의 카세트 C와, 검사 영역(13)의 사이에서 웨이퍼 W의 반송을 행한다. 또한, 반송 장치(30)는, 검사 영역(13) 내의 후술하는 포고 프레임에 고정된 프로브 카드 중 메인터넌스를 필요로 하는 것을 반입출 영역(11)의 로더(21)에 반송한다. 또한, 반송 장치(30)는, 신규의 또는 메인터넌스가 끝난 프로브 카드를 로더(21)로부터 검사 영역(13) 내로 반송한다.
검사 영역(13)에는, 테스터(40)가 복수 마련되어 있다. 구체적으로는, 검사 영역(13)은, 예컨대, 도 2에 나타내는 바와 같이, 연직 방향으로 3개로 분할되고, 각 분할 영역(13a)에는, 수평 방향(도면의 X 방향)으로 배열된 4개의 테스터(40)로 이루어지는 테스터 열이 마련되어 있다. 또한, 각 분할 영역(13a)에는, 1개의 이동 기구로서의 얼라이너(50)와, 1개의 상부 카메라(60)가 마련되어 있다. 또, 테스터(40), 얼라이너(50), 상부 카메라(60)의 수나 배치는 임의로 선택할 수 있다.
테스터(40)는, 전기적 특성 검사용의 전기 신호를 웨이퍼 W와의 사이에서 송수신하는 것이다.
얼라이너(50)는, 후술하는 척 탑(70)을 유지하여, 수평 방향(도 1의 X 방향 및 Y 방향, 도면의 Z축을 중심으로 한 θ 방향) 및 상하 방향(도면의 Z 방향)으로 이동시키는 것이 가능하게 구성되어 있다. 또한, 이 얼라이너(50)는, 척 탑(70)에 탑재된 웨이퍼 W와 후술하는 프로브 카드의 프로브의 위치 맞춤에 이용된다.
상부 카메라(60)는, 아래쪽을 촬상하도록 마련되어 있다. 일 실시형태에 있어서, 상부 카메라(60)는, 수평으로 이동이 자유롭게 구성되어 있다. 상부 카메라(60)는, 예컨대, 당해 상부 카메라(60)가 마련된 검사실 내의 각 테스터(40)의 앞의 영역으로서, 후술하는 포고 프레임에 유지된 프로브 카드와 평면에서 볼 때에 겹치지 않는 영역에 위치하여, 얼라이너(50) 상의 척 탑(70)에 탑재된 웨이퍼 W를 촬상한다.
또, 상부 카메라(60)는, 제어부(22)에 의해 제어된다. 또한, 상부 카메라(60)에 의한 촬상 결과는 제어부(22)에 출력된다.
척 탑(70)은, 탑재 부재의 일례이고, 웨이퍼 W가 탑재된다. 척 탑(70)은, 예컨대, 탑재된 웨이퍼 W를 흡착 등에 의해 유지할 수 있다.
이 검사 장치(1)에서는, 반송 장치(30)가 하나의 테스터(40)를 향해서 웨이퍼 W를 반송하고 있는 동안에, 다른 테스터(40)는 다른 웨이퍼 W에 형성된 전자 디바이스의 전기적 특성의 검사를 행할 수 있다.
<검사 영역>
계속해서, 도 3 내지 도 6을 이용하여, 검사 영역(13)의 보다 상세한 구성에 대하여 설명한다. 도 3은 검사 영역(13)의 측단면도이다. 도 4는 후술하는 포고 프레임의 주변의 단면도이다. 도 5는 후술하는 프로브 카드의 하면도이다. 도 5에서는, 후술하는 프로브의 도시는 생략하고 있다. 도 6은 척 탑(70)의 상면도이다.
검사 영역(13)의 각 분할 영역(13a)에는, 전술한 바와 같이, 얼라이너(50) 및 상부 카메라(60)가 마련되어 있다. 또한, 도 3에 나타내는 바와 같이, 각 분할 영역(13a)에는, 후술하는 하부 카메라(80), 포고 프레임(90) 및 프로브 카드(100)가 마련되어 있다.
얼라이너(50)는, 예컨대 X 스테이지(51), Y 스테이지(52) 및 Z 스테이지(53)를 갖는다.
X 스테이지(51)는, 얼라이너(50)에 의한 이동 평면(XY 평면)의 좌표계를 구성하는 X축 방향으로, 가이드 레일(51a)을 따라 이동한다. 이 X 스테이지(51)에 대해서는, X 스테이지(51)의 X 방향에 관계된 위치, 즉 척 탑(70)의 X축 방향에 관계된 위치를 검출하는 위치 검출 기구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 상기 위치 검출 기구는, 예컨대 리니어 인코더이다.
Y 스테이지(52)는, X 스테이지(51) 위를 이동한다. 구체적으로는, 얼라이너(50)에 의한 이동 평면(XY 평면)의 좌표계를 구성하는 Y축 방향으로, 가이드 레일(52a)을 따라 이동한다. 이 Y 스테이지(52)에 대해서는, Y 스테이지(52)의 Y축 방향에 관계된 위치, 즉 척 탑(70)의 Y축 방향에 관계된 위치를 검출하는 위치 검출 기구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 상기 위치 검출 기구는, 예컨대 리니어 인코더이다.
Z 스테이지(53)는, 얼라이너(50)에 의한 이동 평면(XY 평면)과 직교하는 높이 방향(Z 방향)으로 신축이 자유로운 신축 축(53a)에 의해, 상기 높이 방향(Z 방향)으로 이동한다. 이 Z 스테이지(53)에 대해서는, Z 스테이지(53)의 Z 방향에 관계된 위치, 즉 척 탑(70)의 Z 방향에 관계된 위치를 검출하는 위치 검출 기구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 상기 위치 검출 기구는, 예컨대 리니어 인코더이다.
또한, Z 스테이지(53) 위에 척 탑(70)이 착탈이 자유롭게 흡착 유지된다. Z 스테이지(53)에 의한 척 탑(70)의 흡착 유지는, 흡착 유지 기구(도시하지 않음)에 의한 진공 흡착 등에 의해 행하여진다.
하부 카메라(80)는, 제 1 취득부의 일례이고, 프로브 카드(100)에 마련된 후술하는 프로브의 대표 위치 등을 취득하기 위한 것이다. 또한, 하부 카메라(80)는, 제 1 촬상부의 일례이고, 위쪽을 촬상한다. 또, 전술한 상부 카메라(60)는, 제 2 취득부의 일례이고, 얼라이너(50) 상의 척 탑(70)에 탑재된 웨이퍼 W의 대표 위치 등을 취득하기 위한 것이다. 또한, 상부 카메라(60)는, 제 2 촬상부의 일례이고, 전술한 바와 같이 아래쪽을 촬상한다.
하부 카메라(80)는, 얼라이너(50)에 고정되어 있다. 구체적으로는, 하부 카메라(80)는, 얼라이너(50)의 Z 스테이지(53)에 고정되어 있다. 이와 같이 고정되어 있기 때문에, 하부 카메라(80)는, 얼라이너(50)에 의해, 척 탑(70)과 함께 이동 가능하다.
하부 카메라(80)는, 예컨대, 포고 프레임(90)에 고정된 프로브 카드(100)의 아래쪽의 영역에 위치하여, 당해 프로브 카드(100)를 촬상한다.
또, 얼라이너(50)나 하부 카메라(80)는, 제어부(22)에 의해 제어된다. 또한, 하부 카메라(80)에 의한 촬상 결과와, X 스테이지(51), Y 스테이지(52) 및 Z 스테이지(53)에 마련된 위치 검출 기구에 의한 위치 검출 결과는, 제어부(22)에 출력된다.
테스터(40)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 테스터 마더보드(41)를 저부에 갖는다. 테스터 마더보드(41)에는, 복수의 검사 회로 기판(도시하지 않음)이 세워진 상태로 장착되어 있다. 또한, 테스터 마더보드(41)의 저면에는 복수의 전극(도시하지 않음)이 마련되어 있다.
또한, 테스터(40)의 아래쪽에는, 포고 프레임(90)이 마련되어 있다.
포고 프레임(90)은, 유지부의 일례이고, 프로브 카드(100)를 유지한다. 또한, 포고 프레임(90)은, 프로브 카드(100)와 테스터(40)를 전기적으로 접속한다. 이 포고 프레임(90)은, 상술한 전기적인 접속을 위해, 포고 핀(91)을 갖고, 구체적으로는, 다수의 포고 핀(91)을 유지하는 포고 블록(92)을 갖는다.
포고 프레임(90)의 하면에는, 프로브 카드(100)가, 소정의 위치에 위치 맞춤된 상태로 고정된다.
또, 배기 기구(도시하지 않음)에 의해, 테스터 마더보드(41)는 포고 프레임(90)에 진공 흡착되고, 프로브 카드(100)는, 포고 프레임(90)에 진공 흡착된다. 이들 진공 흡착을 행하기 위한 진공 흡인력에 의해, 포고 프레임(90)의 각 포고 핀(91)의 하단은, 프로브 카드(100)의 후술하는 카드 본체(101)의 상면에 있어서의, 대응하는 전극에 접촉하고, 각 포고 핀(91)의 상단은, 테스터 마더보드(41)의 하면의 대응하는 전극에 가압된다.
프로브 카드(100)는, 복수의 전극이 상면에 마련된 원판 형상의 카드 본체(101)를 갖는다. 카드 본체(101)의 하면에는, 아래쪽을 향해서 연장되는 바늘 형상의 접촉 단자인 프로브(102)가 복수 마련되어 있다.
카드 본체(101)의 상면에 마련된 상술한 복수의 전극은 각각 대응하는 프로브(102)와 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 검사 때에는, 프로브(102)는 각각, 웨이퍼 W에 형성된 반도체 디바이스의 전극 P(도 6 참조)와 접촉한다. 따라서, 전기적 특성 검사 때에는, 포고 핀(91), 카드 본체(101)의 상면에 마련된 전극 및 프로브(102)를 통해서, 테스터 마더보드(41)와 웨이퍼 W 상의 반도체 디바이스의 사이에서, 검사에 관계된 전기 신호가 송수신된다.
또, 검사 장치(1)는, 웨이퍼 W에 형성된 복수의 반도체 디바이스의 전기적 특성 검사를 일괄적으로 행하기 위해, 프로브(102)는, 카드 본체(101)의 하면 대략 전체를 덮도록 다수 마련되어 있다.
또한, 포고 프레임(90)의 하면에는, 벨로즈(93)가 부착되어 있다. 벨로즈(93)는, 프로브 카드(100)를 둘러싸도록 아래로 늘어지는 통 형상의 신축이 자유로운 부재이다. 또한, 벨로즈(93)는, 도 4에 있어서 점선으로 나타내는 바와 같이, 프로브 카드(100)의 아래쪽의 위치에 척 탑(70)을 흡착 유지한다.
또한, 벨로즈(93)는, 척 탑(70)을 흡착 유지하는 것에 의해, 프로브 카드(100)를 포함하는 포고 프레임(90), 벨로즈(93) 및 척 탑(70)으로 둘러싸이는 밀폐 공간 S를 형성한다. 밀폐 공간 S를 감압 기구(도시하지 않음)에 의해 감압함으로써, 웨이퍼 W와 프로브(102)의 접촉 상태를 유지할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 프로브 카드(100)의 카드 본체(101)의 하면에, 프로브(102) 외에, 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 1 타겟(103)이 복수 마련되어 있다. 제 1 타겟(103)은, 웨이퍼 W와 프로브 카드(100)의 위치 맞춤을 행하기 위한 마크이다. 각 제 1 타겟(103)의 평면에서 볼 때의 형상은 예컨대 원 형상이다. 또한, 각 제 1 타겟(103)은, 예컨대, 프로브(102)가 형성되어 있는 영역 R1의 바깥쪽을 둘러싸는 영역 R2에, 프로브 카드(100)의 중심을 중심으로 한 동일 원주 상에 균등한 간격으로 마련되어 있다.
제 1 타겟(103)의 수, 형상 및 배치는, 제 1 타겟(103)을 마련한 목적을 달성하는 것이 가능한 범위에서 임의이다.
또한, 본 실시형태에서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 척 탑(70)의 상면에, 제 2 타겟(71)이 제 1 타겟(103)과 동수 마련되어 있다. 제 2 타겟(71)은, 제 1 타겟(103)과 동일하게, 웨이퍼 W와 프로브 카드(100)의 위치 맞춤을 행하기 위한 마크이다. 각 제 2 타겟(71)의 평면에서 볼 때의 형상은 예컨대 원 형상이다. 또한, 각 제 2 타겟(71)은, 예컨대, 웨이퍼 W가 탑재되는 영역 R11의 바깥쪽을 둘러싸는 영역 R12에, 척 탑(70)의 중심을 중심으로 한 동일 원주 상에 균등한 간격으로 마련되어 있다.
제 2 타겟의 수, 형상 및 배치는, 제 2 타겟을 마련한 목적을 달성하는 것이 가능한 범위에서 임의이다.
또한, 제 1 타겟(103) 및 제 2 타겟(71)은 이하와 같이 마련되어 있다. 즉, 모든 제 1 타겟(103)이 동시에, 당해 제 1 타겟(103)에 대응하는 제 2 타겟(71)과, 평면에서 볼 때에 소정의 위치 관계가 될 수 있도록, 제 1 타겟(103) 및 제 2 타겟(71)은 마련되어 있다. 구체적으로는, 예컨대, 모든 제 1 타겟(103)이 동시에, 당해 제 1 타겟(103)에 대응하는 제 2 타겟(71)과, 평면에서 볼 때에 겹칠 수 있도록(보다 구체적으로는, 서로의 중심이 일치할 수 있도록), 제 1 타겟(103) 및 제 2 타겟(71)은 마련되어 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제 2 타겟(71)마다, 즉 제 1 타겟(103)마다, 기준 맞춤 카메라(110)가 마련되어 있다.
기준 맞춤 카메라(110)는, 검출부의 일례이고, 대응하는 제 1 타겟(103)과, 당해 제 1 타겟(103)에 대응하는 제 2 타겟(71)을 동시에 검출하기 위한 것이다. 또한, 기준 맞춤 카메라(110)는, 제 3 촬상부의 일례이고, 얼라이너(50)에 있어서의, 제 2 타겟(71)의 아래쪽이 되는 위치에 마련되고, 위쪽을 촬상한다.
기준 맞춤 카메라(110)에 의한 제 1 타겟(103)과 제 2 타겟(71)의 동시 촬영을 가능하게 하고, 또한, 밀폐 공간 S의 밀폐가 유지 가능하도록, 제 1 타겟(103) 및 기준 맞춤 카메라(110)는 이하와 같이 마련되어 있다.
즉, 척 탑(70)에는, 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍(72)이 형성되어 있다. 관통 구멍(72)은, 기준 맞춤 카메라(110)의 촬상에 이용되는 광에 대하여 투명한 재료로 형성된 창 부재(73)로, 막혀 있다. 이 창 부재(73)에, 제 2 타겟(71)이 마련되고, 기준 맞춤 카메라(110)는, 관통 구멍(72)을 통해서, 제 2 타겟(71) 및 제 1 타겟(103)을 촬상한다. 일 실시형태에 있어서, 기준 맞춤 카메라(110)가, 제 2 타겟(71) 너머 제 1 타겟(103)을 촬상 가능하도록, 제 2 타겟(71)은 제 1 타겟(103)보다 작게 형성된다. 또한, 일 실시형태에 있어서, 제 2 타겟(71)을 평면에서 볼 때에 중앙에 구멍을 갖는 환형으로 형성하고, 기준 맞춤 카메라(110)가, 상기 구멍 너머, 제 1 타겟(103)을 촬상하더라도 좋다.
<비교의 형태에 따른 접촉 위치의 결정 방법>
계속해서, 본 실시형태에 따른 접촉 위치의 결정 방법의 설명을 행하기 전에, 본 실시의 형태와는 다른 형태(이하, "비교의 형태"라고 한다)에 따른 접촉 위치의 결정 방법에 대하여, 도 7을 이용하여 설명한다. 접촉 위치란, 척 탑(70)에 지지된 웨이퍼 W의 전극 P와 프로브(102)를 접촉시킬 때의 척 탑(70)의 위치이다.
비교의 형태에 따른 접촉 위치의 보정 방법에서는, 하부 카메라(80)를 이용하여, 프로브 기준 위치에 대한 프로브(102)의 대표 위치가 취득된다. 프로브 기준 위치에 대한 프로브(102)의 대표 위치란, 다시 말해서, 하부 카메라(80)에 의한 촬상에 기초하는 좌표계에 있어서의, 프로브(102)의 대표 위치이다.
또한, 포고 프레임(90)에 유지된 프로브 카드(100)와 평면에서 볼 때에 겹치지 않는 영역에 위치하는 상부 카메라(60)를 이용하여, 전극 기준 위치에 대한, 척 탑(70)에 탑재된 웨이퍼 W 상의 전극 P의 대표 위치가 취득된다. 전극 기준 위치에 대한 상기 전극 P의 대표 위치란, 다시 말해서, 상부 카메라(60)에 의한 촬상에 기초하는 좌표계에 있어서의, 상기 전극 P의 대표 위치이다.
또한, 프로브 기준 위치와 전극 기준 위치를 대응시키기 위한 정보, 즉, 하부 카메라(80)에 의한 촬상에 기초하는 좌표계와 상부 카메라(60)에 의한 촬상에 기초하는 좌표계를 대응시키기 위한 정보가 취득된다. 구체적으로는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 포고 프레임(90)에 유지된 프로브 카드(100)와 평면에서 볼 때에 겹치지 않는 영역에 위치하는, 상부 카메라(60)의 아래쪽의 영역(이하, "얼라인먼트 영역"이라고 한다) A로, 하부 카메라(80)가 이동된다. 또한, 상부 카메라(60)와 하부 카메라(80)로 동일한 타겟(500)이 촬상되고, 그때의 Z 스테이지(53)의 위치의 정보가, 프로브 기준 위치와 전극 기준 위치를 대응시키기 위한 정보로서, 취득된다.
그리고, 취득된, 프로브 기준 위치에 대한 프로브(102)의 대표 위치, 전극 기준 위치에 대한 상기 전극 P의 대표 위치, 및, 프로브 기준 위치와 전극 기준 위치를 대응시키기 위한 정보에 기초하여, 접촉 위치가 결정된다.
그러나, 얼라이너(50)가 설치되는 하우징(10)은, 당해 하우징(10)의 온도 변화에 의한 팽창 또는 수축이나, 당해 하우징(10) 내에 있어서의 복수의 얼라이너(50)의 무게중심 변화 등에 의해, ㎛ 정도의 변형이 발생한다. 또한, 프로브 기준 위치와 전극 기준 위치를 대응시키기 위한 정보를 취득하였을 때, 즉 얼라인먼트 영역 A에 하부 카메라(80)가 위치할 때의 척 탑(70)과, 포고 프레임(90)에 유지된 프로브 카드(100)의 바로 아래의 척 탑(70) 사이에는, 거리가 있다. 그 때문에, 상술한 바와 같은 변형이 있으면, 비교의 형태에 따른 방법에서 결정한 접촉 위치에서는, 프로브(102)와 전극 P를 적절하게 접촉시킬 수 없는 경우가 있다.
<검사 장치(1)를 이용한 검사 처리>
계속해서, 검사 장치(1)를 이용한, 접촉 위치의 결정 처리를 수반하는 검사 처리에 대하여, 도 8 내지 도 11을 이용하여 설명한다.
(S1: 반입)
우선, 소망하는 분할 영역(13a)으로의 검사 대상의 웨이퍼 W의 반입이 행하여진다.
구체적으로는, 반송 장치(30) 등이 제어부(22)에 의해 제어되고, 반입출 영역(11)의 포트(20) 내의 카세트 C로부터 웨이퍼 W가 꺼내어져, 예컨대 중단의 분할 영역(13a) 내에 반입되고, 얼라이너(50)에 흡착 유지된 척 탑(70) 상에 탑재된다.
(S2: 접촉 위치의 결정)
계속하여, 제어부(22)에 의해, 접촉 위치가 결정된다.
(S2a: 프로브의 대표 위치의 취득)
접촉 위치의 결정 때에는, 제어부(22)에 의해, 하부 카메라(80)를 이용하여, 프로브 기준 위치에 대한 프로브(102)의 대표 위치가 취득된다. 구체적으로는, 제어부(22)의 제어에 의해, 도 8에 나타내는 바와 같이, 프로브 카드(100)의 아래쪽의 영역에 하부 카메라(80)가 위치하도록, 척 탑(70)이 얼라이너(50)에 의해 이동되고, 하부 카메라(80)의 촬상 결과와 얼라이너(50)의 위치 검출 기구의 검출 결과에 기초하여, 프로브 기준 위치에 대한 프로브(102)의 대표 위치가 취득된다.
프로브(102)의 대표 위치란, 예컨대 미리 정하여진 복수 개소의 프로브(102)의 무게중심 위치이다. 각 프로브(102)의 위치(구체적으로는 위치 좌표)는, 하부 카메라(80)에 의해 획득된 화상의 중심에 당해 프로브(102)의 선단이 위치할 때의, 얼라이너(50)의 위치 검출 기구로부터의 출력에 기초하여, 취득할 수 있다.
또한, 프로브 기준 위치는, 미리 정하여져 있더라도 좋고, 예컨대, 프로브 카드(100)의 중심의 설계 위치이더라도 좋다.
일 실시형태에서는, 스텝 S2a에 있어서, 제어부(22)에 의해, 하부 카메라(80)를 이용하여, 프로브 기준 위치로서, 프로브 카드(100)의 제 1 타겟(103)의 대표 위치가 취득된다.
제 1 타겟(103)의 대표 위치란, 예컨대, 복수의 제 1 타겟(103)의 무게중심 위치이다. 각 제 1 타겟(103)의 위치는, 예컨대, 하부 카메라(80)에 의해 획득된 화상의 중심에 당해 제 1 타겟(103)의 중심이 위치할 때의, 얼라이너(50)의 위치 검출 기구로부터의 출력에 기초하여, 취득할 수 있다.
또, 이상에서는, "○○ 위치가 취득된다"와 같이 기재하고 있지만, 실제로 "○○ 위치"가 취득되어 있지 않더라도 좋고, "○○" 위치를 취득하기 위해 필요한 정보가 취득되어 있으면 된다. 이하에서도 동일하다.
(S2b: 전극의 대표 위치의 취득)
접촉 위치의 결정 때에는, 또한, 제어부(22)에 의해, 도 9에 나타내는 바와 같이, 얼라인먼트 영역 A로, 척 탑(70)이 이동되고, 상부 카메라(60)를 이용하여, 전극 기준 위치에 대한 전극 P의 대표 위치가 취득된다. 전극 기준 위치에 대한 전극 P의 대표 위치는, 구체적으로는, 상부 카메라(60)의 촬상 결과와 얼라이너(50)의 위치 검출 기구의 검출 결과에 기초하여 취득된다.
전극 P의 대표 위치란, 예컨대 미리 정하여진 복수 개소의 전극 P의 무게중심 위치이다. 각 전극 P의 위치(구체적으로는 위치 좌표)는, 상부 카메라(60)에 의해 획득된 화상의 중심에 당해 전극 P의 중심이 위치할 때의, 얼라이너(50)의 위치 검출 기구로부터의 출력에 기초하여, 취득할 수 있다.
또한, 전극 기준 위치는, 미리 정하여져 있더라도 좋고, 예컨대, 척 탑(70)의 중심의 설계 위치이더라도 좋다.
일 실시형태에서는, 스텝 S2b에 있어서, 제어부(22)에 의해, 상부 카메라(60)를 이용하여, 전극 기준 위치로서, 척 탑(70)의 제 2 타겟(71)의 대표 위치가 취득된다.
제 2 타겟(71)의 대표 위치란, 예컨대, 복수의 제 2 타겟(71)의 무게중심 위치이다. 각 제 2 타겟(71)의 위치는, 예컨대, 상부 카메라(60)에 의해 획득된 화상의 중심에 당해 제 2 타겟(71)의 중심이 위치할 때의, 얼라이너(50)의 위치 검출 기구로부터의 출력에 기초하여, 취득할 수 있다.
(S2c: 합치 위치의 취득)
접촉 위치의 결정 때에는, 제어부(22)에 의해, 기준 맞춤 카메라(110)를 이용하여, 합치 위치가 취득된다. 합치 위치란, 모든 제 1 타겟(103)이 동시에 당해 제 1 타겟(103)에 대응하는 제 2 타겟(71)과 평면에서 볼 때에 소정의 위치 관계가 될 때의 척 탑(70)의 위치이다. "평면에서 볼 때에 소정의 위치 관계"란, 예컨대, 제 1 타겟(103)의 중심이, 당해 제 1 타겟(103)에 대응하는 제 2 타겟(71)의 중심과 평면에서 볼 때에 겹치는 위치 관계를 말한다.
이 스텝 S2c에서는, 제어부(22)의 제어에 의해, 도 10에 나타내는 바와 같이, 척 탑(70)이, 프로브 카드(100)의 아래쪽의 영역에 위치하도록, 얼라이너(50)에 의해 이동되고, 기준 맞춤 카메라(110)의 촬상 결과와 얼라이너(50)의 위치 검출 기구의 검출 결과에 기초하여, 합치 위치가 취득된다.
(S2d: 임시 접촉 위치의 취득 및 보정)
그리고, 제어부(22)에 의해, 프로브 기준 위치에 대한 프로브(102)의 대표 위치와 전극 기준 위치에 대한 전극 P의 대표 위치에 기초하여 접촉 위치가 취득되고, 스텝 S2c에서 취득된 합치 위치에 기초하여 상기 접촉 위치가 보정된다. 즉, 제어부(22)에 의해, 프로브 기준 위치에 대한 프로브(102)의 대표 위치와 전극 기준 위치에 대한 전극 P의 대표 위치에 기초하여, 임시 접촉 위치가 취득되고, 임시 접촉 위치가, 스텝 S2c에서 취득된 합치 위치에 기초하여 보정되고, 보정 후의 임시 접촉 위치가, 접촉 위치로 결정된다. 합치 위치에 기초하여 임시 접촉 위치가 보정된다고 하는 것은, 다시 말해서, 프로브 기준 위치와 전극 기준 위치가 대응된다고 하는 것이다. 또한, 합치 위치의 정보는, 프로브 기준 위치와 전극 기준 위치를 대응시키기 위한 정보이다.
본 스텝 S2d에서는, 구체적으로는, 제어부(22)에 의해, 도 11에 나타내는 바와 같이, 접촉 기준 위치 B1로부터의 합치 위치 B2의 위치 어긋남 D에 기초하여, 임시 접촉 위치 B3이 보정되고, 보정 후의 임시 접촉 위치가, 접촉 위치 B4로 결정된다.
접촉 기준 위치 B1은, 예컨대 미리 정하여진다.
또한, 접촉 기준 위치 B1은, 제어부(22)에 의해,
(1) 프로브 기준 위치로서의, 프로브 카드(100)의 제 1 타겟(103)의 대표 위치와, 미리 정하여진 전극 기준 위치에 기초하여, 취득되더라도 좋고,
(2) 미리 정하여진 프로브 기준 위치와, 전극 기준 위치로서의, 척 탑(70)의 제 2 타겟(71)의 대표 위치에 기초하여 취득되더라도 좋고,
(3) 프로브 기준 위치로서의, 프로브 카드(100)의 제 1 타겟(103)의 대표 위치와, 전극 기준 위치로서의, 척 탑(70)의 제 2 타겟(71)의 대표 위치에 기초하여 취득되더라도 좋다.
(S3: 척 탑(70)의 이동 및 상승)
접촉 위치가 결정되면, 제어부(22)에 의해, 척 탑(70)이, 접촉 위치로 이동되고, 그 후, 척 탑(70)이 상승된다. 상승은, 프로브(102)와 전극 P가 접촉할 때까지 행하여진다.
일 실시형태에서는, 상승 중, 제어부(22)에 의해, 기준 맞춤 카메라(110)를 이용하여, 프로브 카드(100)에 대한 제 2 타겟(71)의 수평 방향의 위치 변화가 취득되고, 취득 결과에 기초하여, 척 탑(70)의 위치가 수정된다. 구체적으로는, 상승 중, 제어부(22)에 의해, 기준 맞춤 카메라(110)를 이용하여 상기 수평 방향의 위치 변화가 취득되고, 이 위치 변화가 캔슬되도록, 척 탑(70)의 위치가 접촉 위치로부터 수정된다.
프로브 카드(100)에 대한 제 2 타겟(71)의 수평 방향의 위치 변화를 용이하게 취득할 수 있도록, 예컨대, 프로브 카드(100)에 있어서의 제 1 타겟(103)의 주위에, 사각형 패턴 등의 패턴을 마련하더라도 좋다.
(스텝 S4: 척 탑(70)의 흡착)
그 후, 제어부(22)의 제어 하에, 척 탑(70)이 포고 프레임(90)에 흡착된다.
구체적으로는, 전극 P와 프로브(102)가 접촉하고 있는 상태에서, 감압 기구(도시하지 않음) 등이 제어됨과 아울러 얼라이너(50)의 Z 스테이지(53)가 하강되고, 이것에 의해, 척 탑(70)이, 얼라이너(50)로부터 분리되어 포고 프레임(90)에 흡착된다.
(스텝 S5: 검사)
척 탑(70)과 얼라이너(50)의 분리 후, 웨이퍼 W에 형성된 전자 디바이스의 전기적 특성 검사가 행하여진다.
전기적 특성 검사용의 전기 신호는, 테스터(40)로부터 포고 핀(91)이나 프로브(102) 등을 통해서 전자 디바이스에 입력된다.
(S6: 반출)
그 후, 검사 후의 웨이퍼 W가 반출된다.
구체적으로는, 포고 프레임(90)에 흡착되어 있었던 척 탑(70)이 얼라이너(50)에 전달되어 유지된다. 또한, 얼라이너(50)에 유지된 척 탑(70) 상의 검사 후의 웨이퍼 W가, 반송 장치(30)에 의해, 검사 영역(13)으로부터 반출되고, 반입출 영역(11)의 포트(20) 내의 카세트 C로 돌아간다.
또, 하나의 테스터(40)에서의 검사 중에, 얼라이너(50)에 의해, 다른 테스터(40)로의 검사 대상의 웨이퍼 W의 반송이나 다른 테스터(40)로부터의 검사 후의 웨이퍼 W의 회수가 행하여진다.
<본 실시형태의 주된 효과>
본 실시형태에서는, 비교의 형태에 비하여, 프로브 기준 위치와 전극 기준 위치를 대응시키기 위한 정보를 취득한 위치로부터, 접촉 위치까지의 이동 거리가 짧다. 따라서, 전술한 바와 같이 하우징(10)에 변형이 발생하였다고 하더라도, 프로브(102)와 전극 P를 보다 적절하게 접촉시킬 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 제 1 타겟(103)의 대표 위치를, 프로브 기준 위치로 하더라도 좋다. 이것에 의해, 프로브 카드(100)의 상태에 관계없이, 프로브(102)와 전극 P를 보다 적절하게 접촉시킬 수 있다. 예컨대, 프로브 카드(100)의 온도 변화에 의한 당해 프로브 카드(100)의 팽창 또는 수축이 발생한 경우에도, 프로브(102)와 전극 P를 적절하게 접촉시킬 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 제 2 타겟(71)의 대표 위치를, 전극 기준 위치로 하더라도 좋다. 이것에 의해, 척 탑(70)의 상태에 관계없이, 프로브(102)와 전극 P를 보다 적절하게 접촉시킬 수 있다. 예컨대, 척 탑(70)의 온도 변화에 의한 당해 척 탑(70)의 팽창 또는 수축이 발생한 경우에도, 프로브(102)와 전극 P를 적절하게 접촉시킬 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 척 탑(70)의 상승 중에, 기준 맞춤 카메라(110)를 이용하여, 프로브 카드(100)에 대한 제 2 타겟(71)의 수평 방향의 위치 변화가 취득되고, 취득 결과에 기초하여, 척 탑(70)의 위치가 수정되더라도 좋다. 이것에 의해, 척 탑(70)의 상승 중에 상기 위치 변화가 발생하더라도, 프로브(102)와 전극 P를 적절하게 접촉시킬 수 있다.
<변형예>
이상의 예에서는, 제 1 타겟(103)을 프로브 카드(100)에 마련하고 있었지만, 제 1 타겟은, 포고 프레임(90)에 마련하더라도 좋다. 구체적으로는, 제 1 타겟은, 포고 프레임(90)의 하면에 있어서의 벨로즈(93)에 둘러싸인 영역 내에 마련되어 있더라도 좋다.
또한, 이상의 예에서는, 제 1 타겟(103)과 제 2 타겟(71)을 동시에 검출하기 위한 기준 맞춤 카메라(110)를 얼라이너(50)에 마련하고 있고, 제 2 타겟(71) 너머 제 1 타겟(103)을 촬상하였다. 그러나, 상기 동시 검출을 위한 기준 맞춤 카메라는, 포고 프레임(90)에 마련되어 있더라도 좋다.
이 경우, 스텝 S3에 있어서, 척 탑(70)의 상승 중에, 제어부(22)에 의해, 기준 맞춤 카메라(110)를 이용하여, 척 탑(70)에 대한 제 1 타겟(103)의 수평 방향의 위치 변화가 취득되고, 취득 결과에 기초하여, 척 탑(70)의 위치가 수정되더라도 좋다.
이번 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이고 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시형태는, 첨부된 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하는 일 없이, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되더라도 좋다.
1: 검사 장치
22: 제어부
50: 얼라이너
60: 상부 카메라
70: 척 탑
71: 제 2 타겟
80: 하부 카메라
90: 포고 프레임
100: 프로브 카드
102: 프로브
103: 제 1 타겟
110: 기준 맞춤 카메라
B2: 합치 위치
B3: 접촉 위치
B4: 접촉 위치
P: 전극
W: 웨이퍼

Claims (13)

  1. 기판을 검사하는 검사 장치로서,
    기판이 탑재되는 탑재 부재와,
    기판 상의 전극에 접촉하는 프로브를 갖는 프로브 카드를 유지하는 유지부와,
    상기 탑재 부재를 유지하여 수평 방향 및 상하 방향으로 이동시키는 이동 기구와,
    상기 이동 기구에 고정되고, 상기 프로브의 위치를 취득하기 위한 제 1 취득부와,
    상기 탑재 부재에 탑재된 기판 상의 상기 전극의 위치를 취득하기 위한 제 2 취득부와,
    제어부
    를 구비하고,
    상기 프로브 카드 또는 상기 유지부 중 적어도 어느 한쪽에, 제 1 타겟이 복수 마련되어 있고,
    상기 탑재 부재에, 제 2 타겟이 상기 제 1 타겟과 동수 마련되어 있고,
    상기 제 1 타겟과, 당해 제 1 타겟에 대응하는 상기 제 2 타겟을 동시에 검출하기 위한 검출부를 더 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 제 1 취득부를 이용하여, 프로브 기준 위치에 대한 상기 프로브의 대표 위치를 취득하는 공정과,
    상기 유지부에 유지된 상기 프로브 카드와 평면에서 볼 때에 겹치지 않는 영역에 위치하는, 상기 제 2 취득부의 아래쪽의 영역으로, 상기 탑재 부재를 이동시키고, 상기 제 2 취득부를 이용하여, 전극 기준 위치에 대한 상기 전극의 대표 위치를 취득하는 공정과,
    상기 검출부를 이용하여, 모든 상기 제 1 타겟이 동시에 당해 제 1 타겟에 대응하는 상기 제 2 타겟과 평면에서 볼 때에 소정의 위치 관계가 되는, 합치 위치를 취득하는 공정과,
    상기 프로브의 대표 위치와 상기 전극의 대표 위치에 기초하여, 상기 프로브와 상기 전극을 접촉시킬 때의 상기 탑재 부재의 위치인 접촉 위치를 취득하고, 상기 합치 위치에 기초하여 상기 접촉 위치를 보정하는 공정
    을 실행하도록 구성되어 있는
    검사 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로브의 대표 위치를 취득하는 공정은, 상기 제 1 취득부를 이용하여, 상기 프로브 기준 위치로서, 상기 제 1 타겟의 대표 위치를 취득하는 공정을 포함하는 검사 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판의 대표 위치를 취득하는 공정은, 상기 제 2 취득부를 이용하여, 상기 전극 기준 위치로서, 상기 제 2 타겟의 대표 위치를 취득하는 공정을 포함하는 검사 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보정하는 공정은, 접촉 기준 위치로부터의 상기 합치 위치의 위치 어긋남에 기초하여, 상기 접촉 위치를 보정하는 검사 장치.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 보정하는 공정은, 접촉 기준 위치로부터의 상기 합치 위치의 위치 어긋남에 기초하여, 상기 접촉 위치를 보정하고,
    상기 접촉 기준 위치는, 상기 프로브 기준 위치 및 상기 전극 기준 위치에 기초하여 취득되는
    검사 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 보정된 상기 접촉 위치로 상기 탑재 부재를 이동시킨 후, 당해 탑재 부재를 상승시키는 공정을 더 실행하는 검사 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 탑재 부재를 상승시키는 공정은, 상기 검출부를 이용하여, 상승 중에 있어서의, 상기 프로브 카드에 대한 상기 제 2 타겟의 수평 방향의 위치 변화, 또는, 상승 중에 있어서의, 상기 기판에 대한 상기 제 1 타겟의 수평 방향의 위치 변화를 취득하고, 취득 결과에 기초하여, 상기 접촉 위치를 수정하는 공정을 포함하는 검사 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 취득부는, 위쪽을 촬상하는 제 1 촬상부인 검사 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 취득부는, 아래쪽을 촬상하는 제 2 촬상부인 검사 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 검출부는, 상기 이동 기구에 있어서의, 상기 제 2 타겟의 아래쪽에 마련되고, 위쪽을 촬상하는 제 3 촬상부인 검사 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 탑재 부재는,
    상하 방향으로 관통하는 관통 구멍과,
    상기 관통 구멍을 막는, 투명한 재료로 형성된 창 부재
    를 갖고,
    상기 제 2 타겟은, 상기 창 부재에 마련되고,
    상기 제 3 촬상부는, 상기 관통 구멍을 통해서 상기 제 1 타겟 및 상기 제 2 타겟을 촬상하는
    검사 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 검출부는, 상기 제 1 타겟의 위쪽에 마련되고, 아래쪽을 촬상하는 제 3 촬상부인 검사 장치.
  13. 검사 장치에 의해 기판을 검사하는 방법으로서,
    상기 검사 장치는,
    기판이 탑재되는 탑재 부재와,
    기판 상의 전극에 접촉하는 프로브를 갖는 프로브 카드를 유지하는 유지부와,
    상기 탑재 부재를 유지하여 수평 방향 및 상하 방향으로 이동시키는 이동 기구와,
    상기 이동 기구에 고정되고, 상기 프로브 카드의 위치를 취득하기 위한 제 1 취득부와,
    상기 탑재 부재에 탑재된 기판 상의 상기 전극의 위치를 취득하기 위한 제 2 취득부
    를 구비하고,
    상기 프로브 카드 또는 상기 유지부 중 적어도 어느 한쪽에, 제 1 타겟이 복수 마련되어 있고,
    상기 탑재 부재에, 상기 제 1 타겟에 대응하는 제 2 타겟이 복수 마련되어 있고,
    상기 제 1 타겟과, 당해 제 1 타겟에 대응하는 상기 제 2 타겟을 동시에 검출하기 위한 검출부를 더 구비하고,
    상기 제 1 취득부를 이용하여, 프로브 기준 위치에 대한 상기 프로브의 대표 위치를 취득하는 공정과,
    상기 유지부에 유지된 상기 프로브 카드와 평면에서 볼 때에 겹치지 않는 영역에 위치하는, 상기 제 2 취득부의 아래쪽의 영역으로, 상기 탑재 부재를 이동시키고, 상기 제 2 취득부를 이용하여, 전극 기준 위치에 대한 상기 전극의 대표 위치를 취득하는 공정과,
    상기 검출부를 이용하여, 모든 상기 제 1 타겟이 동시에 당해 제 1 타겟에 대응하는 상기 제 2 타겟과 평면에서 볼 때에 소정의 위치 관계가 되는, 합치 위치를 취득하는 공정과,
    상기 프로브의 대표 위치와 상기 전극의 대표 위치에 기초하여, 상기 프로브와 상기 전극을 접촉시킬 때의 상기 탑재 부재의 위치인 접촉 위치를 취득하고, 상기 합치 위치에 기초하여 상기 접촉 위치를 보정하는 공정
    을 포함하는
    검사 방법.
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