CN110231118A - 半导体压力传感器 - Google Patents

半导体压力传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN110231118A
CN110231118A CN201910150481.7A CN201910150481A CN110231118A CN 110231118 A CN110231118 A CN 110231118A CN 201910150481 A CN201910150481 A CN 201910150481A CN 110231118 A CN110231118 A CN 110231118A
Authority
CN
China
Prior art keywords
diaphragm
cavity
pressure sensor
silicon substrate
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910150481.7A
Other languages
English (en)
Inventor
佐藤公敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CN110231118A publication Critical patent/CN110231118A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/1071—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical and mechanical input and output, e.g. having combined actuator and sensor parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0067—Mechanical properties
    • B81B3/0072—For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G01L9/0047—Diaphragm with non uniform thickness, e.g. with grooves, bosses or continuously varying thickness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/008—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using piezoelectric devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/1051—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
    • H10N30/10513—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/302—Sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/308—Membrane type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/875—Further connection or lead arrangements, e.g. flexible wiring boards, terminal pins
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • H10N30/883—Further insulation means against electrical, physical or chemical damage, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one piezoelectric, electrostrictive or magnetostrictive element covered by groups H10N30/00 – H10N35/00

Abstract

本发明得到即使是薄的隔膜也难以破损且容易处理的半导体压力传感器。在第1半导体衬底(1)的表面形成有具有空腔(4)的氧化膜(2)。隔着氧化膜(2)将第2半导体衬底(3)贴合于第1半导体衬底(1)。第2半导体衬底(3)在空腔(4)之上具有隔膜(5)。在隔膜(5)的区域内，在第1半导体衬底(1)的表面没有形成凹部。在隔膜(5)的外周，在氧化膜(2)形成有应力缓和槽(6)。

Description

半导体压力传感器
技术领域
本发明涉及对气压等进行测量的隔膜型的半导体压力传感器。
背景技术
当前，在隔膜的区域内，在衬底表面形成凹部而作为空腔(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2011-237364号公报
如果在衬底表面形成凹部，则隔膜的下方的空腔的高度变高。因此，隔膜的弯曲量变大，有时大于或等于破坏强度的应力会施加于隔膜。因此，存在如果是薄的隔膜，则容易破损，难以进行处理的问题。
发明内容
本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于，得到即使是薄的隔膜也难以破损且容易处理的半导体压力传感器。
本发明涉及的半导体压力传感器的特征在于，具备：第1半导体衬底，其具有表面；氧化膜，其形成于所述第1半导体衬底的所述表面之上，具有空腔；第2半导体衬底，其隔着所述氧化膜而贴合于所述第1半导体衬底，在所述空腔之上具有隔膜；以及压电元件，其形成于所述隔膜，在所述隔膜的区域内，在所述第1半导体衬底的所述表面没有形成凹部，在所述隔膜的外周，在所述氧化膜形成有应力缓和槽。
发明的效果
在本发明中，在隔膜的区域内，没有在作为隔膜的止动件起作用的第1半导体衬底的表面形成凹部，因此空腔的高度由氧化膜的膜厚决定。通过对氧化膜的膜厚进行调整，从而能够简单地对空腔的高度进行设定，以使得不向隔膜施加大于或等于破坏强度的应力。另外，通过在隔膜的外周，在氧化膜形成应力缓和槽，从而能够降低翘曲量。由此，能够得到即使是薄的隔膜也难以破损且容易处理的半导体压力传感器。
附图说明
图1是表示实施方式1涉及的半导体压力传感器的俯视图。
图2是沿图1的I-II的剖视图。
图3是表示实施方式1涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图4是表示实施方式1涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图5是表示对比例涉及的半导体压力传感器的俯视图。
图6是沿图5的I-II的剖视图。
图7是表示实施方式1涉及的半导体应力传感器的变形例的俯视图。
图8是表示实施方式2涉及的半导体压力传感器的俯视图。
图9是沿图8的I-II的剖视图。
图10是表示实施方式2涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图11是表示实施方式2涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图12是表示实施方式2涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图13是表示实施方式3涉及的半导体压力传感器的俯视图。
图14是沿图13的I-II的剖视图。
图15是表示实施方式3涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图16是表示实施方式3涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
图17是表示实施方式3涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。
标号的说明
1硅衬底(第1半导体衬底)，2硅氧化膜(氧化膜)，3硅衬底(第2半导体衬底)，4空腔，5隔膜，6应力缓和槽，7压电元件，11空腔扩展室，14压力导入孔
具体实施方式
参照附图，对实施方式涉及的半导体压力传感器进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同标号，有时省略重复说明。
实施方式1.
图1是表示实施方式1涉及的半导体压力传感器的俯视图。图2是沿图1的I-II的剖视图。在硅衬底1的表面形成有硅氧化膜2。硅氧化膜2在硅衬底1的中央部具有开口。硅衬底3隔着硅氧化膜2而贴合于硅衬底1。由硅衬底1和硅衬底3夹着的硅氧化膜2的开口为空腔4。将这样的结构称为空腔SOI晶片。
处于空腔4之上的硅衬底3为隔膜5。空腔4及隔膜5在俯视观察时为四边形。在该隔膜5的区域内，在硅衬底1的表面没有形成凹部。在隔膜5的外周，在硅氧化膜2形成有应力缓和槽6。
在隔膜5的4个边分别形成有压电元件7。压电元件7通过扩散配线8和金属配线9进行了惠斯通电桥接线。如果隔膜5的弯曲量由于压力变化而发生变化，则由于对在隔膜5的4个边配置的压电元件7施加的应力变化，而使压电元件7的扩散值发生变化。因此，能够将压力变化作为电压值变化而输出。
由于在真空中将硅衬底1和硅衬底3贴合，因此空腔4为真空室。成为其真空度为压力变化的基准的绝对压力传感器。能够通过隔膜5的厚度和面积对相对于压力变化的检测灵敏度进行控制。隔膜5的厚度为硅衬底3的厚度。隔膜5的面积为空腔4的面积。在硅衬底3之上形成有保护膜10。
图3及图4是表示实施方式1涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。如图3所示，在硅衬底1的表面形成硅氧化膜2。在芯片中央部对硅氧化膜2进行蚀刻而形成空腔4，在芯片外周部对硅氧化膜2进行蚀刻而形成应力缓和槽6。
然后，如图4所示，在真空中隔着硅氧化膜2将硅衬底1和硅衬底3贴合而接合。由此，空腔4成为真空室。以使得硅衬底3成为所期望的厚度的方式进行研磨，形成隔膜5。
然后，如图2所示，将杂质注入至硅衬底3，进行退火处理而形成作为扩散电阻的压电元件7。通过扩散配线8及金属配线9对压电元件7进行惠斯通电桥接线。最后，在硅衬底3之上形成保护膜10。
接着，与对比例进行比较而说明本实施方式的效果。图5是表示对比例涉及的半导体压力传感器的俯视图。图6是沿图5的I-II的剖视图。在对比例中，在对硅衬底100的背面进行了研磨后，通过从背面进行的蚀刻而形成隔膜101。由于该研磨量和蚀刻量的面内波动，隔膜101的厚度产生波动。如果考虑到波动，则该厚度的极限为20μm左右。另外，在设为绝对压力传感器的情况下需要在硅衬底100的背面对玻璃102进行阳极接合而形成真空室，制造工艺复杂。
相对于此，在本实施方式中，将隔着硅氧化膜2而贴合于硅衬底1的硅衬底3作为隔膜5。通过硅衬底3的背面研磨，能够使隔膜5面内波动少且形成得薄。
另外，空腔4的下部的硅衬底1作为隔膜5的止动件起作用，对隔膜5的弯曲量进行限制。由于在硅衬底1的表面没有形成凹部，因此空腔4的高度由硅氧化膜2的膜厚决定。该空腔4的高度决定隔膜5的相对于压力变化的可动范围。通过对硅氧化膜2的膜厚进行调整，从而能够简单地对空腔4的高度进行设定，以使得不向隔膜5施加大于或等于破坏强度的应力。
例如，在绝对压力型的1个气压的传感器的情况下，如果将隔膜5设为400μm见方、10μm厚，则通过将空腔4的高度设为1.5μm左右，从而在施加5个气压左右的压力时，隔膜5与硅衬底1接触而作为止动件起作用。
但是，由于空腔4的高度与硅氧化膜2的膜厚相同，因此如果使硅氧化膜2变厚则空腔SOI晶片整体的翘曲量变大。存在如下等问题，即，如果翘曲量大则无法进行晶片的输送，为了对晶片翘曲量进行控制，晶片工艺变得复杂。因此，通过在隔膜5的外周，在硅氧化膜2设置应力缓和槽6，从而能够降低翘曲量。例如，应力缓和槽6的宽度为1μm，应力缓和槽6和空腔4的距离为300μm。但是，硅氧化膜2只要在芯片外周部是分离的即可，因此应力缓和槽6的宽度也可以比1μm窄。由此，能够得到即使是薄的隔膜5也难以破损且容易处理的半导体压力传感器。
图7是表示实施方式1涉及的半导体应力传感器的变形例的俯视图。在图1中以芯片为单位设置了应力缓和槽6，但也可以如图3所示在相邻芯片连续配置应力缓和槽6。由此，能够进一步降低晶片翘曲量。
实施方式2.
图8是表示实施方式2涉及的半导体压力传感器的俯视图。图9是沿图8的I-II的剖视图。在隔膜5的区域外，在硅衬底1的表面形成有空腔扩展室11。空腔扩展室11是在硅衬底1的表面形成的凹部。空腔扩展室11经由扩展室导入孔12连接于空腔4。
图10至图12是表示实施方式2涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。首先，如图10所示，在硅衬底1之上形成具有开口的硅氧化膜13。通过将该硅氧化膜13用作掩模而对硅衬底1进行蚀刻，从而形成空腔扩展室11。之后，除去硅氧化膜13。也可以在除去后再次在晶片整面形成硅氧化膜。
然后，如图11所示，通过在硅衬底3形成硅氧化膜2，实施照相制版而进行蚀刻，从而形成应力缓和槽6、扩展室导入孔12、空腔4。
然后，如图12所示，在真空中隔着硅氧化膜2将形成了空腔扩展室11的硅衬底1和硅衬底3贴合而接合。应力缓和槽6、扩展室导入孔12、空腔4成为真空。以使得硅衬底3成为所期望的厚度的方式进行研磨，形成隔膜5。
然后，如图9所示，将杂质注入至硅衬底3，进行退火处理而形成作为扩散电阻的压电元件7。通过扩散配线8及金属配线9对压电元件7进行惠斯通电桥接线。最后，在硅衬底3之上形成保护膜10。
这里，在空腔4的高度低且空腔4的容量小的情况下，相对于压力变化的隔膜5的弯曲量的追随性恶化。这引起输出电压的线性度恶化。因此，通过设置空腔扩展室11，能够实质地将空腔4的容量增大。由此，能够防止输出电压的线性度恶化。另外，在隔膜5的区域外形成空腔扩展室11，从而隔膜5的下方的空腔4的高度不会变高。因此，能够得到即使是薄的隔膜也难以破损且容易处理、压力传感器特性优异的半导体压力传感器。
实施方式3.
图13是表示实施方式3涉及的半导体压力传感器的俯视图。图14是沿图13的I-II的剖视图。实施方式1、2涉及的半导体压力传感器为绝对压力传感器，但本实施方式涉及的半导体压力传感器为压差传感器。
形成有从硅衬底1的背面到达空腔扩展室11的压力导入孔14。由此，隔膜5对应于上下的压力差而产生位移，因此得到对隔膜5上下的压力差进行检测的压差传感器。
图15至图17是表示实施方式3涉及的半导体压力传感器的制造方法的剖视图。首先，如图15所示，在硅衬底1之上形成具有开口的硅氧化膜13。通过将该硅氧化膜13用作掩模而对硅衬底1进行蚀刻，从而形成空腔扩展室11。之后，除去硅氧化膜13。也可以在除去后再次在晶片整面形成硅氧化膜。
然后，如图16所示，通过在硅衬底3形成硅氧化膜2，实施照相制版而进行蚀刻，从而形成应力缓和槽6、扩展室导入孔12、空腔4。在整面形成硅氧化膜15。这里，虽然可以在硅氧化膜15也形成应力缓和槽6，但由于硅氧化膜15可以相对于硅氧化膜15形成为薄膜，因此不形成应力缓和槽6也没问题。
然后，如图17所示，在真空中隔着硅氧化膜2及硅氧化膜15将形成了空腔扩展室11的硅衬底1和硅衬底3贴合而接合。应力缓和槽6、扩展室导入孔12、空腔4成为真空。以使得硅衬底3成为所期望的厚度的方式进行研磨，形成隔膜5。
然后，如图17所示，将杂质注入至硅衬底3，进行退火处理而形成作为扩散电阻的压电元件7。通过扩散配线8及金属配线9对压电元件7进行惠斯通电桥接线。最后，在硅衬底3之上形成保护膜10。
然后，如图14所示，从背面对硅衬底1进行蚀刻而形成到达空腔扩展室11的压力导入孔14。由于在该贯穿蚀刻时硅氧化膜15对隔膜5进行保护，因此不会损伤已形成的隔膜5的形状。
另外，通过在配置于隔膜5的区域外的空腔扩展室11形成压力导入孔14，从而隔膜5的下方的空腔4的高度不会变高。因此，能够得到即使是薄的隔膜也难以破损且容易处理的压差检测型半导体压力传感器。

Claims (3)

1.一种半导体压力传感器，其特征在于，具备：
第1半导体衬底，其具有表面；
氧化膜，其形成于所述第1半导体衬底的所述表面之上，具有空腔；
第2半导体衬底，其隔着所述氧化膜而贴合于所述第1半导体衬底，在所述空腔之上具有隔膜；以及
压电元件，其形成于所述隔膜，
在所述隔膜的区域内，在所述第1半导体衬底的所述表面没有形成凹部，
在所述隔膜的外周，在所述氧化膜形成有应力缓和槽。
2.根据权利要求1所述的半导体压力传感器，其特征在于，
在所述隔膜的区域外，在所述第1半导体衬底的所述表面形成有与所述空腔连接的空腔扩展室。
3.根据权利要求2所述的半导体压力传感器，其特征在于，
形成有从所述第1半导体衬底的背面到达所述空腔扩展室的压力导入孔。
CN201910150481.7A 2018-03-05 2019-02-28 半导体压力传感器 Pending CN110231118A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018038830A JP6922788B2 (ja) 2018-03-05 2018-03-05 半導体圧力センサ
JP2018-038830 2018-03-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110231118A true CN110231118A (zh) 2019-09-13

Family

ID=67622883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910150481.7A Pending CN110231118A (zh) 2018-03-05 2019-02-28 半导体压力传感器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10454017B2 (zh)
JP (1) JP6922788B2 (zh)
CN (1) CN110231118A (zh)
DE (1) DE102019201880A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113465809A (zh) * 2020-03-30 2021-10-01 三菱电机株式会社 半导体压力传感器及其制造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019225205A1 (ja) * 2018-05-22 2019-11-28 株式会社村田製作所 圧力検出素子および圧力検出装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002004907A1 (en) * 2000-07-06 2002-01-17 California Institute Of Technology Surface-micromachined pressure sensor and high pressure application
CN1392399A (zh) * 2001-06-19 2003-01-22 欧姆龙株式会社 压力传感器和压力测定装置
US20040040382A1 (en) * 2000-07-20 2004-03-04 Thomas Peterson Sensor usable in ultra pure and highly corrosive environments
CN1942746A (zh) * 2005-01-14 2007-04-04 松下电工株式会社 静电电容式半导体物理量传感器及其制造方法
CN201758117U (zh) * 2010-06-22 2011-03-09 中微半导体设备(上海)有限公司 一种能够消减应力的结构
CN102243125A (zh) * 2010-05-13 2011-11-16 三菱电机株式会社 半导体压力传感器
CN102252789A (zh) * 2010-04-13 2011-11-23 株式会社山武 压力传感器
CN102620864A (zh) * 2012-03-15 2012-08-01 西安交通大学 一种基于cmut 的超低量程压力传感器及其制备方法
CN103907175A (zh) * 2011-10-21 2014-07-02 皇家飞利浦有限公司 通过使用有槽的衬底的低翘曲晶片结合
CN105551945A (zh) * 2015-12-16 2016-05-04 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 晶圆键合工艺中减小界面应力的方法
CN107238462A (zh) * 2016-03-29 2017-10-10 精工爱普生株式会社 压力传感器、高度计、电子设备以及移动体

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5894452A (en) * 1994-10-21 1999-04-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Microfabricated ultrasonic immersion transducer
DE19839123C1 (de) * 1998-08-27 1999-11-04 Siemens Ag Mikromechanische Struktur
WO2000012428A1 (de) * 1998-08-27 2000-03-09 Infineon Technologies Ag Mikromechanisches bauelement mit verschlossenen membranöffnungen
US7489593B2 (en) * 2004-11-30 2009-02-10 Vermon Electrostatic membranes for sensors, ultrasonic transducers incorporating such membranes, and manufacturing methods therefor
JP4585426B2 (ja) * 2005-10-31 2010-11-24 アルプス電気株式会社 静電容量型圧力センサ
JP2007210083A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Hitachi Ltd Ｍｅｍｓ素子及びその製造方法
JP2012026956A (ja) 2010-07-27 2012-02-09 Fujikura Ltd 圧力センサの製造方法及び圧力センサ
US9814405B2 (en) 2012-09-07 2017-11-14 Vital Connect, Inc. R-R interval measurement using multi-rate ECG processing
FI125960B (en) * 2013-05-28 2016-04-29 Murata Manufacturing Co Improved pressure gauge box

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002004907A1 (en) * 2000-07-06 2002-01-17 California Institute Of Technology Surface-micromachined pressure sensor and high pressure application
US20040040382A1 (en) * 2000-07-20 2004-03-04 Thomas Peterson Sensor usable in ultra pure and highly corrosive environments
CN1392399A (zh) * 2001-06-19 2003-01-22 欧姆龙株式会社 压力传感器和压力测定装置
CN1942746A (zh) * 2005-01-14 2007-04-04 松下电工株式会社 静电电容式半导体物理量传感器及其制造方法
CN102252789A (zh) * 2010-04-13 2011-11-23 株式会社山武 压力传感器
CN102243125A (zh) * 2010-05-13 2011-11-16 三菱电机株式会社 半导体压力传感器
CN201758117U (zh) * 2010-06-22 2011-03-09 中微半导体设备(上海)有限公司 一种能够消减应力的结构
CN103907175A (zh) * 2011-10-21 2014-07-02 皇家飞利浦有限公司 通过使用有槽的衬底的低翘曲晶片结合
CN102620864A (zh) * 2012-03-15 2012-08-01 西安交通大学 一种基于cmut 的超低量程压力传感器及其制备方法
CN105551945A (zh) * 2015-12-16 2016-05-04 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 晶圆键合工艺中减小界面应力的方法
CN107238462A (zh) * 2016-03-29 2017-10-10 精工爱普生株式会社 压力传感器、高度计、电子设备以及移动体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113465809A (zh) * 2020-03-30 2021-10-01 三菱电机株式会社 半导体压力传感器及其制造方法
CN113465809B (zh) * 2020-03-30 2023-08-25 三菱电机株式会社 半导体压力传感器及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019152568A (ja) 2019-09-12
JP6922788B2 (ja) 2021-08-18
US10454017B2 (en) 2019-10-22
DE102019201880A1 (de) 2019-09-05
US20190273200A1 (en) 2019-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7111518B1 (en) Extremely low cost pressure sensor realized using deep reactive ion etching
US9546922B2 (en) Absolute pressure sensor with improved cap bonding boundary
US8375799B2 (en) Increased sensor die adhesion
EP3012638B1 (en) Silicon diaphragm pressure sensor
US7487681B1 (en) Pressure sensor adjustment using backside mask
EP1845353A1 (en) Pressure Sensor Methods and Systems
CN102261979B (zh) 用于真空测量的低量程压阻式压力传感器的制造方法
US20110023618A1 (en) Low pressure sensor device with high accuracy and high sensitivity
CN110231118A (zh) 半导体压力传感器
US20160033349A1 (en) Pressure sensor having cap-defined membrane
US8552513B2 (en) Semiconductor pressure sensor
JP5220866B2 (ja) 半導体圧力センサ
CN115585934B (zh) 一种硅电容式压力传感器及其制造方法
JP4548771B2 (ja) 容量式圧力センサの製造方法
US6308575B1 (en) Manufacturing method for the miniaturization of silicon bulk-machined pressure sensors
JP2009265012A (ja) 半導体センサ
WO2009104544A1 (ja) 半導体圧力センサの製造方法
WO2009104545A1 (ja) 半導体圧力センサの製造方法
JP2010281570A (ja) 半導体圧力センサ
CN113677968A (zh) 半导体压力传感器及其制造方法
US9733139B2 (en) Vertical membranes for pressure sensing applications
US20230341281A1 (en) Semiconductor pressure sensor
KR100411147B1 (ko) 압력센서
JP4178585B2 (ja) 半導体基板の製造方法
KR20060019053A (ko) 압력 센서

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination