CN110205594A - 一种盖板im镀膜结构及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种盖板IM镀膜结构及制备方法，一种盖板IM镀膜结构及制备方法，所述盖板IM镀膜机构包括由基板后依次交替镀制SIO2或AL2O3中的低折射率材料和TI3O5或NB2O5中的高折射率薄膜，所述低折射率材料所含膜层厚度为10‑1000nm，所述高折射率材料膜层厚度为10‑1000nm。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜加工技术领域，具体涉及一种盖板IM镀膜结构及制备方法。
背景技术
IM膜主要运用于手机、遥控器电脑等电器的面板和仪器、玩具 等产品的前盖板上，应用非常广泛，市场需求大，IM膜的作用就是增加油墨颜色的绚丽及使油墨呈现各种不同的颜色，目前行业通常的做法是使用蒸镀机镀SIO2和TIO2作IM膜，由于受基板和工艺影响不能加热镀制，因此薄膜结构很疏松，丝印、超洗加工过程中容易脱膜，附着力不能满足客户要求，紫外线照射及高温高湿等试验后有水印、变色、脱膜等现象发生，也有使用溅射镀膜机镀SIO2和NB2O5作IM膜，尽管此工艺所镀膜层致密，但非油墨区膜层褪镀不彻底，必须在镀膜前非丝印区丝印可剥胶，这种可剥胶在镀前清洗时会污染清洗机，可剥胶封闭不严形成大量漏镀不良，丝印区与镀膜区错位不良。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供了一种使用溅射沉积工艺使IM膜在低温下沉积膜层结构更致密，耐环境性能测试力强，与基材附着力好的盖板IM镀膜工艺。
为了达到上述设计目的，本发明所采用的技术方案是：一种盖板IM镀膜结构及制备方法，所述盖板IM镀膜机构包括由基板后依次交替镀制SIO2或AL2O3中的低折射率材料和TI3O5或NB2O5中的高折射率薄膜，所述低折射率材料所含膜层厚度为10-1000nm，所述高折射率材料膜层厚度为10-1000nm。
所述盖板IM镀膜其制备方法，包括以下步骤：A）将低折射率材料靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到低折射率膜层，工作气体为氩气，所述反应气体为氧气；氩气：氧气体积比=（1~3）：（2~4）；氩气流量为250-350SCCM；氧气流量150-450SCCM；磁控溅射的气压为1.0-2.0*10-3Pa；磁控溅射的功率为7---15kw；磁控溅射的氧化功率为1.5---3kw；B）将高折射率材料靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到高折射率膜层，工作气体为氩气，所述反应气体为氧气；氩气：氧气体积比=（1~3）：（2~4）；氩气流量为250-350SCCM；氧气流量150-300SCCM；磁控溅射的气压为1.0-5.0*10-3Pa；磁控溅射的功率为5.5---15kw；磁控溅射的氧化功率为1.5---3kw；C）将所述衬底上的非丝印区薄膜褪镀掉；褪镀温度为80—120摄氏度；褪镀液PH值为10—15；褪镀时间为0—30S。
所述高折射率靶材和低折射率靶材的纯度在99.999%的高纯靶材, 靶材到基板的距离可以为2-5cm。
本发明有益效果：本工艺加工出来的薄膜不仅具有绚丽的颜色，同时还具有很好的耐环境测试性能和满足完美的褪镀要求，其产品的颜色经久耐用，能够满足任何严苛的使用环境。本发明工序简单，生产成本低，良品率高，本盖板IM镀膜工艺具有很好的推广价值。
附图说明
图1为本发明盖板IM镀膜膜层示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细描述。如图1所示的：一种盖板IM镀膜结构及制备方法，所述盖板IM镀膜机构包括由基板后依次交替镀制SIO2或AL2O3中的低折射率材料和TI3O5或NB2O5中的高折射率薄膜，所述低折射率材料所含膜层厚度为10-1000nm，所述高折射率材料膜层厚度为10-1000nm。
所述盖板IM镀膜其制备方法，包括以下步骤：A）将低折射率材料靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到低折射率膜层，工作气体为氩气，所述反应气体为氧气；氩气：氧气体积比=（1~3）：（2~4）；氩气流量为250-350SCCM；氧气流量150-450SCCM；磁控溅射的气压为1.0-2.0*10-3Pa；磁控溅射的功率为7---15kw；磁控溅射的氧化功率为1.5---3kw；B）将高折射率材料靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到高折射率膜层，工作气体为氩气，所述反应气体为氧气；氩气：氧气体积比=（1~3）：（2~4）；氩气流量为250-350SCCM；氧气流量150-300SCCM；磁控溅射的气压为1.0-5.0*10-3Pa；磁控溅射的功率为5.5---15kw；磁控溅射的氧化功率为1.5---3kw；C）将所述衬底上的非丝印区薄膜褪镀掉；褪镀温度为80—120摄氏度；褪镀液PH值为10—15；褪镀时间为0—30S。
所述高折射率靶材和低折射率靶材的纯度在99.999%的高纯靶材, 靶材到基板的距离可以为2-5cm。
本发明使用时: 将磁控溅射的常规衬底、基片可以为玻璃、或PMMA其它材料用超声波清洗机或平板清洗机清洗干净，用夹具装夹好送入真空环境中，镀前运用RF源放电对基片表面微观油污和灰尘进一步行清洁，以提高膜层附着力，后将低折射率靶材在工作气体和反应气体环境中进行磁控溅射，在衬底上得到低折射率膜层；将高折射率靶材在工作气体和反应气体环境中进行磁控溅射，在衬底上得到高折射率膜层，交替镀制得到颜色薄膜，镀后基材做防污处理后丝印烘干，使用褪镀液把不需要镀膜部分膜层褪镀，经过超洗干净就可得到了颜色膜盖板；为了进一步理解本发明，下面结合实例对本发明优选实施方案进行描述，1、如附图1所列举，6层膜结构依次由低折射率SIO2、AL2O3与高折射率TI3O5、NB2O5交替薄膜排列所得;各层的物理厚度分别为0~10nm，20~60nm，40~60 nm，20~50 nm，40~100 nm，20~40 nm，中的某个最优值，其中打底层可以是低折射率或高折射率中的一种；2、镀膜参数经过验证使用最优匹配值，低折射率选定溅射气体为氩气，溅射功率为9KW；反应气体为氧气，氧化功率1.5KW；优选后，氩气流量为350 sccm，氧气流量为250 sccm。高折射率选定溅射气体为氩气，溅射功率为9.5KW，反应气体为氧气，氧化功率2.5KW；优选后，氩气流量为300 sccm，氧气流量为150 sccm。其中离子清扫操作中使用氩气，流量为 150sccm，处理时间约为 60-300秒；3、镀前表面清洁，玻璃光坯需经过超声波清洗中，有过高浓度清洗剂、纯水洗、低浓度清洗剂、纯水洗、风干的一系列流程，随后干净的玻璃光件在塑料框中小心转移到装盘区域；其中，玻璃光坯在印子灯灯下再次检查不良后进行装盘工序，使用打底胶带包好的不锈钢基板作为工件，工件边沿有事先贴好的强力胶条，玻璃被轻放在工件上后用压具轻压使玻璃与底胶结合牢固，在整个转移过程中严格保证装盘区域和镀膜机区域的干湿度和粉尘度，避免玻璃镀膜出现瑕疵；4、镀膜后的薄片经过一系列严苛的性能测试：a）反射光谱测试，通过进口反射率测定仪测试镀膜面反射光谱，各个批次的产品均要求360-740 nm范围内色度坐标满足客户要求；b）膜层附着力测试，满足5B要求；c）丝印镀膜区后插框放入褪镀液内60-120度，30秒-120秒，非镀膜区膜层脱落，镀膜区因有丝印油墨保护而保留；综上，使用该种工艺在玻璃基材表面及油墨中镀的增亮颜色膜，膜层牢固，可做成不同的蓝、白、红、金、银等颜色。
Claims (2)
1.一种盖板IM镀膜结构及制备方法，其特征在于：所述盖板IM镀膜机构包括由基板后依次交替镀制SIO2或AL2O3中的低折射率材料和TI3O5或NB2O5中的高折射率薄膜，所述低折射率材料所含膜层厚度为10-1000nm，所述高折射率材料膜层厚度为10-1000nm；
盖板IM镀膜其制备方法，包括以下步骤：
A）将低折射率材料靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到低折射率膜层，工作气体为氩气，所述反应气体为氧气；氩气：氧气体积比=（1~3）：（2~4）；氩气流量为250-350SCCM；氧气流量150-450SCCM；磁控溅射的气压为1.0-2.0*10-3Pa；磁控溅射的功率为7---15kw；磁控溅射的氧化功率为1.5---3kw；B）将高折射率材料靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到高折射率膜层，工作气体为氩气，所述反应气体为氧气；氩气：氧气体积比=（1~3）：（2~4）；氩气流量为250-350SCCM；氧气流量150-300SCCM；磁控溅射的气压为1.0-5.0*10-3Pa；磁控溅射的功率为5.5---15kw；磁控溅射的氧化功率为1.5---3kw；C）将所述衬底上的非丝印区薄膜褪镀掉；褪镀温度为80—120摄氏度；褪镀液PH值为10—15；褪镀时间为0—30S。
2.根据权利要求1所述的一种盖板IM镀膜结构及制备方法，其特征在于：所述高折射率靶材和低折射率靶材的纯度为99.999%的高纯靶材，靶材到基板的距离可以为2-5cm。
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