CN110197876A - 电子设备和照明设备 - Google Patents

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Abstract

提供了电子设备和照明设备，该电子设备包括在两个电极之间具有中间层的发光装置，其中该中间层包括具有由以下式中的一个表示的钙钛矿化合物的发光层：1)[A][B1 n1B2 (1‑n1)][X]3、2)[A]2[B1 n2B2 (1‑n2)][X]4、3)[A]3[B1 n2B2 (1‑n2)]2[X]7和4)[A]4[B1 n2B2 (1‑n2)]3[X]10，其中，在式1)至4)中，A为至少一种单价有机阳离子、单价无机阳离子或其任何组合，B1为Sm2+离子，B2为至少一种二价无机阳离子且不包括Sm2+离子，n1为满足0<n1≤1的实数，n2为满足0<n2≤1的实数，且X为至少一种单价阴离子；该照明设备包括光源；和光转换层，其中该光转换层包括上述钙钛矿化合物。

Description

电子设备和照明设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年2月26日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请第10-2018-0022970号的权益，其公开通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式涉及包括钙钛矿化合物的电子设备和包括钙钛矿化合物的照明设备。
背景技术
钙钛矿化合物指的是具有与CaTiO3晶体结构相关的三维晶体结构的材料，且可用于各种的电子设备中。
例如，钙钛矿化合物可用作发光装置中的发光材料、电极材料、光敏材料、光吸收材料等。
然而，常规钙钛矿化合物在实现具有高效率和长寿命的电子设备方面会受到限制。具体地，包括Pb2+阳离子的钙钛矿化合物可对环境有不利的影响。
发明内容
本公开的方面提供包括钙钛矿化合物的高质量电子设备和照明设备。
其他方面将在后面的描述中部分列举，并且从该描述来看部分上将是明显的，或者可通过实践本实施方式来了解。
一个方面提供包括发光装置的电子设备，所述发光装置包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间并包括发光层的中间层，其中所述发光层包括由式1至4中的一个表示的钙钛矿化合物：
<式1>
[A][B1 n1B2 (1-n1)][X]3
<式2>
[A]2[B1 n2B2 (1-n2)][X]4
<式3>
[A]3[B1 n2B2 (1-n2)]2[X]7
<式4>
[A]4[B1 n2B2 (1-n2)]3[X]10。
在式1至4中，
A可为至少一种单价有机阳离子、单价无机阳离子或其任何组合，
B1可为Sm2+离子，
B2可为至少一种二价无机阳离子且可不包括Sm2+离子，
n1可为满足0<n1≤1的实数，
n2可为满足0<n2≤1的实数，且
X可为至少一种单价阴离子。
另一方面提供电子设备，包括：第一基板；有机发光装置；和位于由所述有机发光装置发射的光的至少一个传播路径中的薄膜，其中所述薄膜包括以下钙钛矿化合物：
<式1>
[A][B1 n1B2 (1-n1)][X]3
<式2>
[A]2[B1 n2B2 (1-n2)][X]4
<式3>
[A]3[B1 n2B2 (1-n2)]2[X]7
<式4>
[A]4[B1 n2B2 (1-n2)]3[X]10。
在式1至4中，
A可包括至少一种单价有机阳离子、单价无机阳离子或其任何组合，
B1可为Sm2+离子，
B2可为至少一种二价无机阳离子且可不包括Sm2+离子，
n1为满足0<n1≤1的实数，
n2为满足0<n2≤1的实数，且
X可为至少一种单价阴离子。
另一方面提供照明设备，包括：光源；和光转换层，所述光转换层吸收由所述光源发射的光的至少一部分并发射具有与所吸收光的波段不同的波段的光，其中所述光转换层包括由式1至4中的一个表示的钙钛矿化合物：
<式1>
[A][B1 n1B2 (1-n1)][X]3
<式2>
[A]2[B1 n2B2 (1-n2)][X]4
<式3>
[A]3[B1 n2B2 (1-n2)]2[X]7
<式4>
[A]4[B1 n2B2 (1-n2)]3[X]10。
在式1至4中，
A可为至少一种单价有机阳离子、单价无机阳离子或其任何组合，
B1可为Sm2+离子，
B2可为至少一种二价无机阳离子且可不包括Sm2+离子，
n1可为满足0<n1≤1的实数，
n2可为满足0<n2≤1的实数，且
X可为至少一种单价阴离子。
附图说明
从以下结合附图对实施方式的描述中，这些和/或其他方面将变得更明显且更容易理解，其中：
图1为根据实施方式的发光装置的示意图；
图2为根据实施方式的有机发光显示设备的示意图；
图3至图6为根据实施方式的有机发光显示设备的部分放大截面示意图；
图7为根据实施方式的有机发光显示设备的截面示意图；以及
图8和图9为根据实施方式的照明设备的示意图。
具体实施方式
现将参考示例性实施方式更充分地描述本公开。然而，本公开可以以很多不同的形式体现并且不应解释为限于本文提出的实施方式；而是，提供这些实施方式使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的构思。通过参考稍后将详细描述的实施方式以及附图，本发明构思的优点、特征以及如何实现它们将变得明显。然而，本发明构思可以以很多不同的形式体现，并且不应该限于示例性实施方式。
如本文所使用的，术语“第一”、“第二”等仅仅用于区分一个部件与另一个部件，且这种部件不应被这些术语所限制。
如本文所使用的，除非上下文另有明确的说明，否则单数形式的“一(a)”、“一(an)”和“所述”旨在也包括复数形式。
将进一步理解的是，本文使用的术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指定所述特征或组件的存在，但不排除一个或多个特征或组件的存在或加入。
根据实施方式的包括在电子设备或照明设备中的钙钛矿化合物由式1至4中的一个表示：
<式1>
[A][B1 n1B2 (1-n1)][X]3
<式2>
[A]2[B1 n2B2 (1-n2)][X]4
<式3>
[A]3[B1 n2B2 (1-n2)]2[X]7
<式4>
[A]4[B1 n2B2 (1-n2)]3[X]10。
钙钛矿化合物指的是具有钙钛矿晶体结构的化合物。钙钛矿晶体结构指的是与CaTiO3晶体结构相关的三维晶体结构。
式1至4中的A可为至少一种单价有机阳离子、单价无机阳离子或其任何组合。
例如，A可为i)一种单价有机阳离子，ii)一种单价无机阳离子，iii)至少两种不同的单价有机阳离子的组合，iv)至少两种不同的单价无机阳离子的组合，或者v)单价有机阳离子和单价无机阳离子的组合。
在一个实施方式中，A可为(R1R2R3C)+、(R1R2R3R4N)+、(R1R2R3R4P)+、(R1R2R3R4As)+、(R1R2R3R4Sb)+、(R1R2N＝C(R3)-NR4R5)+、取代或未取代的环庚三烯单价阳离子、取代或未取代的五元含氮环的单价阳离子、取代或未取代的六元含氮环的单价阳离子、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+、Fr+或其任何组合，
R1至R5可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C6-C60芳基和-N(Q1)(Q2)，
取代的环庚三烯单价阳离子、取代的五元含氮环的单价阳离子和取代的六元含氮环的单价阳离子的至少一个取代基可选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C6-C60芳基和-N(Q3)(Q4)，且
Q1至Q4可各自独立地选自氢、氘、羟基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基和C6-C60芳基。
“五元含氮环”和“六元含氮环”指的是包括至少一个N和至少一个C作为成环原子的有机环状基团。例如，“五元含氮环”可为咪唑基、吡唑基、噻唑基、噁唑基、吡咯烷基、吡咯啉基、吡咯基或三唑基，且“六元含氮环”可为吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基或哌啶基，但本公开的实施方式不限于此。
例如，式1至4中的A可为(R1R2R3C)+、(R1R2R3R4N)+、(R1R2R3R4P)+、(R1R2R3R4As)+、(R1R2R3R4Sb)+、(R1R2N＝C(R3)-NR4R5)+、取代或未取代的环庚三烯单价阳离子、取代或未取代的咪唑鎓、取代或未取代的吡啶鎓、取代或未取代的哒嗪鎓、取代或未取代的嘧啶鎓、取代或未取代的吡嗪鎓、取代或未取代的吡唑鎓、取代或未取代的噻唑鎓、取代或未取代的噁唑鎓、取代或未取代的哌啶鎓、取代或未取代的吡咯烷鎓、取代或未取代的吡咯啉鎓、取代或未取代的吡咯鎓、取代或未取代的三唑鎓、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+、Fr+或其任何组合，
R1至R5可各自独立地选自：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；
各自被选自以下中的至少一个取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I和羟基；
苯基、萘基、联苯基和三联苯基；
各自被选自以下中的至少一个取代的苯基、萘基、联苯基和三联苯基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；以及
-N(Q1)(Q2)，
取代的环庚三烯单价阳离子、取代的咪唑鎓、取代的吡啶鎓、取代的哒嗪鎓、取代的嘧啶鎓、取代的吡嗪鎓、取代的吡唑鎓、取代的噻唑鎓、取代的噁唑鎓、取代的哌啶鎓、取代的吡咯烷鎓、取代的吡咯啉鎓、取代的吡咯鎓和取代的三唑鎓的至少一个取代基可选自：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；
各自被选自以下中的至少一个取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I和羟基；
苯基、萘基、联苯基和三联苯基；
各自被选自以下中的至少一个取代的苯基、萘基、联苯基和三联苯基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；以及
-N(Q3)(Q4)，且
Q1至Q4可各自独立地选自氢、氘、羟基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、联苯基和三联苯基。
在一个或多个实施方式中，式1至4中的A可为(R1R2R3R4N)+、(R1R2R3R4P)+、(R1R2R3R4As)+、(R1R2R3R4Sb)+、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+、Fr+或其任何组合，
R1至R4可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基和-N(Q1)(Q2)，且
Q1和Q2可各自独立地选自氢、氘、羟基、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基。
在一个或多个实施方式中，式1至4中的A可为(R1R2R3R4N)+、K+、Rb+、Cs+或其任何组合，
R1至R4可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基和-N(Q1)(Q2)，且
Q1和Q2可各自独立地选自氢、氘、羟基、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基。
在一个或多个实施方式中，式1至4中的A可为(NH4)+、(PH4)+、(AsH4)+、(SbH4)+、(NF4)+、(PF4)+、(NCl4)+、(PCl4)+、(CH3NH3)+、(CH3PH3)+、(CH3AsH3)+、(CH3SbH3)+、((CH3)2NH2)+、((CH3)2PH2)+、((CH3)2AsH2)+、((CH3)2SbH2)+、((CH3)3NH)+、((CH3)3PH)+、((CH3)3AsH)+、((CH3)3SbH)+、((CH3CH2)NH3)+、((CH3CH2)PH3)+、((CH3CH2)AsH3)+、((CH3CH2)SbH3)+、(CH2N2H4)+、(C7H7)+、(NH3OH)+、(NH3NH2)+、((CH2)3NH2)+、(CH(NH2)2)+、(C3N2H5)+、(NC4H8)+、((NH2)3C)+、K+、Rb+、Cs+或其任何组合，但本公开的实施方式不限于此。
式1至4中的B1可为Sm2+离子。
在式1至4中，B2可为至少一种二价无机阳离子，且B2可不包括Sm2+离子。
例如，式1至4中的B2可为i)一种二价无机阳离子，或者ii)至少两种不同的无机阳离子的组合。
在一个实施方式中，式1至4中的B2可包括稀土金属的二价阳离子、碱土金属的二价阳离子、过渡金属的二价阳离子、后过渡金属的二价阳离子或其任何组合。例如，B2可为La2+、Ce2+、Pr2+、Nd2+、Pm2+、Eu2+、Bi2+、Ag2+、Mn2+、Sn2+、Gd2+、Tb2+、Ho2+、Er2+、Tm2+、Yb2+、Lu2+、Be2 +、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Ra2+或其任何组合。
在一个实施方式中，式1至4中的B2可为稀土金属的二价阳离子、碱土金属的二价阳离子或其任何组合。
在一个或多个实施方式中，式1至4中的B2可为La2+、Ce2+、Pr2+、Nd2+、Pm2+、Eu2+、Bi2+、Ag2+、Mn2+、Sn2+、Gd2+、Tb2+、Dy2+、Ho2+、Er2+、Yb2+、Lu2+、Be2+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Ra2+或其任何组合。
在一个或多个实施方式中，式1至4中的B2也可为Eu2+、Bi2+、Ag2+、Mn2+、Sn2+或Yb2+，但本公开的实施方式不限于此。
式1中的n1可为满足0<n1<1的实数。也就是说，因为式1中的n1不为0，所以由式1表示的钙钛矿化合物可基本上包括Sm2+，且因为式1中的n1不为1，所以由式1表示的钙钛矿化合物可基本上包括除Sm2+以外的二价有机阳离子。
式2至4中的n2可为满足0.01<n2≤1的实数。也就是说，因为式2至4中的n2不为0，所以由式2至4中任一个表示的钙钛矿化合物可基本上包括Sm2+。
在一个实施方式中，式2至4中的n2可为满足0<n2≤1的实数。例如，因为式2至4中的n2不为0，所以由式2至4中任一个表示的钙钛矿化合物可基本上包括Sm2+，且因为式2至4中的n2不为1，所以由式2至4中任一个表示的钙钛矿化合物可基本上包括除Sm2+以外的二价有机阳离子。
在一个实施方式中，式1中的n1可为满足0.01<n1<1的实数，且式2至4中的n2可为满足0.01<n2<1的实数。
在一个实施方式中，式1中的n1可为满足0<n1≤0.6的实数，例如，满足0.001≤n1≤0.6的实数，例如，满足0.05≤n1≤0.4的实数。当式1中的n1在这个范围内时，包括该钙钛矿化合物的光电装置，例如，包括该钙钛矿化合物的发光装置可有效发射在可见光范围内的光。
在一个实施方式中，式2至4中的n2可为满足0<n2≤0.6的实数，例如，满足0.001≤n2≤0.6的实数，例如，满足0.05≤n2≤0.4的实数。当式2至4中的n2在这个范围内时，包括该钙钛矿化合物的光电装置，例如，包括该钙钛矿化合物的发光装置可有效发射在可见光范围内的光。
在一个或多个实施方式中，通过调节式1至4中n1和n2的范围可以调节钙钛矿化合物的发光颜色。
在一个实施方式中，
(i)n1可为满足0.01<n1≤0.2的实数，且可发射蓝光；
n1可为满足0.2<n1≤0.4的实数，且可发射绿光；或者
n1可为满足0.4<n1≤1的实数，且可发射红光，且
(ii)n2可为满足0.01<n2≤0.2的实数，且可发射蓝光；
n2可为满足0.2<n2≤0.4的实数，且可发射绿光；或者
n2可为满足0.4<n2≤1的实数，且可发射红光，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，
(i)n1可为满足0.01<n1≤0.2的实数，且可发射蓝光；
n1可为满足0.21<n1≤0.4的实数，且可发射绿光；或者
n1可为满足0.41<n1≤1的实数，且可发射红光，且
(ii)n2可为满足0.01<n2≤0.2的实数，且可发射蓝光；
n2可为满足0.21<n2≤0.4的实数，且可发射绿光；或者
n2可为满足0.41<n2≤1的实数，且可发射红光，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，
(i)n1可为满足0.01<n1<0.2的实数，且可发射蓝光；
n1可为满足0.2<n1<0.4的实数，且可发射绿光；或者
n1可为满足0.4<n1<1的实数，且可发射红光，且
(ii)n2可为满足0.01<n2<0.2的实数，且可发射蓝光；
n2可为满足0.2<n2<0.4的实数，且可发射绿光；或者
n2可为满足0.4<n2<1的实数，且可发射红光，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，
(i)n1可为满足0.01<n1<0.2的实数，且可发射蓝光；
n1可为满足0.21<n1<0.4的实数，且可发射绿光；或者
n1可为满足0.41<n1<1的实数，且可发射红光，且
(ii)n2可为满足0.01<n2<0.2的实数，且可发射蓝光；
n2可为满足0.21<n2<0.4的实数，且可发射绿光；或者
n2可为满足0.41<n2<1的实数，且可发射红光，但本公开的实施方式不限于此。
式1至4中的X可为至少一种单价阴离子。
例如，式1至4中的X可为i)一种单价阴离子，或者ii)至少两种不同的单价阴离子的组合。
在一个实施方式中，式1至4中的X可为选自Cl-、Br-和I-中的至少一种卤素阴离子。
例如，式1至4中的X可为i)选自Cl-、Br-和I-中的一种卤素阴离子，或者ii)选自Cl-、Br-和I-中的至少两种不同的卤素阴离子的组合。
在一个或多个实施方式中，式1至4中的X可为I-，但本公开的实施方式不限于此。
由式1至4中的一个表示的钙钛矿化合物可具有约4eV或更小的能隙。
在一个实施方式中，可通过调节i)一种卤素阴离子或者ii)至少两种不同的卤素阴离子的组合(其用作式1至4中的X)来调节钙钛矿化合物的能隙。例如，与其中X为I-的情况相比，在其中X为Br-的情况下，可以扩大能隙以实现短波长。与其中X为Br-的情况相比，在其中X为Cl-的情况下，可以扩大能隙以实现短波长。
根据用作X的单价阴离子的类型，钙钛矿化合物的平均颗粒尺寸可以改变。例如，在其中单价卤素阴离子用作X的情况下，当卤素阴离子变成I-、Br-、Cl-等时，可以调节能隙且可改变发光特性。
在一个实施方式中，由式1表示的钙钛矿化合物可选自：
[CH3NH3][Sm][X]3、[CH3NH3][SmnSr(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnMg(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnCa(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnBa(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnEu(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnBi(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnAg(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnMn(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnSn(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnYb(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnTm(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnLa(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnCe(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnPr(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnNd(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnPm(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnGd(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnTb(1-n)][X]3、[CH3NH3][SmnHo(1-n)][X]3和[CH3NH3][SmnEr(1-n)][X]3；
[Cs][Sm][X]3、[Cs][SmnSr(1-n)][X]3、[Cs][SmnMg(1-n)][X]3、[Cs][SmnCa(1-n)][X]3、[Cs][SmnBa(1-n)][X]3、[Cs][SmnEu(1-n)][X]3、[Cs][SmnBi(1-n)][X]3、[Cs][SmnAg(1-n)][X]3、[Cs][SmnMn(1-n)][X]3、[Cs][SmnSn(1-n)][X]3、[Cs][SmnYb(1-n)][X]3、[Cs][SmnTm(1-n)][X]]3、[Cs][SmnLa(1-n)][X]3、[Cs][SmnCe(1-n)][X]3、[Cs][SmnPr(1-n)][X]3、[Cs][SmnNd(1-n)][X]3、[Cs][SmnPm(1-n)][X]3、[Cs][SmnGd(1-n)][X]3、[Cs][SmnTb(1-n)][X]3、[Cs][SmnHo(1-n)][X]3和[Cs][SmnEr(1-n)][X]3；
[Rb][Sm][X]3、[Rb][SmnSr(1-n)][X]3、[Rb][SmnMg(1-n)][X]3、[Rb][SmnCa(1-n)][X]3、[Rb][SmnBa(1-n)][X]3、[Rb][SmnEu(1-n)][X]3、[Rb][SmnBi(1-n)][X]3、[Rb][SmnAg(1-n)][X]3、[Rb][SmnMn(1-n)][X]3、[Rb][SmnSn(1-n)][X]3、[Rb][SmnYb(1-n)][X]3、[Rb][SmnTm(1-n)][X]3、[Rb][SmnLa(1-n)][X]3、[Rb][SmnCe(1-n)][X]3、[Rb][SmnPr(1-n)][X]3、[Rb][SmnNd(1-n)][X]3、[Rb][SmnPm(1-n)][X]3、[Rb][SmnGd(1-n)][X]3、[Rb][SmnTb(1-n)][X]3、[Rb][SmnHo(1-n)][X]3和[Rb][SmnEr(1-n)][X]3；以及
[K][Sm][X]3、[K][SmnSr(1-n)][X]3、[K][SmnMg(1-n)][X]3、[K][SmnCa(1-n)][X]3、[K][SmnBa(1-n)][X]3、[K][SmnEu(1-n)][X]3、[K][SmnBi(1-n)][X]3、[K][SmnAg(1-n)][X]3、[K][SmnMn(1-n)][X]3、[K][SmnSn(1-n)][X]3、[K][SmnYb(1-n)][X]3、[K][SmnTm(1-n)][X]3、[K][SmnLa(1-n)][X]3、[K][SmnCe(1-n)][X]3、[K][SmnPr(1-n)][X]3、[K][SmnNd(1-n)][X]3、[K][SmnPm(1-n)][X]3、[K][SmnGd(1-n)][X]3、[K][SmnTb(1-n)][X]3、[K][SmnHo(1-n)][X]3和[K][SmnEr(1-n)][X]3，且
n可为满足0<n<1的实数，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，由式2表示的钙钛矿化合物可选自：
[CH3NH3]2[Sm][X]4、[CH3NH3]2[SmnSr(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnMg(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnCa(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnBa(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnEu(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnBi(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnAg(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnMn(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnSn(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnYb(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnTm(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnLa(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnCe(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnPr(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnNd(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnPm(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnGd(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnTb(1-n)][X]4、[CH3NH3]2[SmnHo(1-n)][X]4和[CH3NH3]2[SmnEr(1-n)][X]4；
[Cs]2[Sm][X]4、[Cs]2[SmnSr(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnMg(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnCa(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnBa(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnEu(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnBi(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnAg(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnMn(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnSn(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnYb(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnTm(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnLa(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnCe(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnPr(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnNd(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnPm(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnGd(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnTb(1-n)][X]4、[Cs]2[SmnHo(1-n)][X]4和[Cs]2[SmnEr(1-n)][X]4；
[Rb]2[Sm][X]4、[Rb]2[SmnSr(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnMg(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnCa(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnBa(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnEu(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnBi(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnAg(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnMn(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnYb(1-n)][X]4,、[Rb]2[SmnTm(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnLa(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnCe(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnPr(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnNd(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnPm(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnGd(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnTb(1-n)][X]4、[Rb]2[SmnHo(1-n)][X]4和[Rb]2[SmnEr(1-n)][X]4；以及
[K]2[Sm][X]4、[K]2[SmnSr(1-n)][X]4、[K]2[SmnMg(1-n)][X]4、[K]2[SmnCa(1-n)][X]4、[K]2[SmnBa(1-n)][X]4、[K]2[SmnEu(1-n)][X]4、[K]2[SmnBi(1-n)][X]4、[K]2[SmnAg(1-n)][X]4、[K]2[SmnMn(1-n)][X]4、[K]2[SmnSn(1-n)][X]4、[K]2[SmnYb(1-n)][X]4、[K]2[SmnTm(1-n)][X]4、[K]2[SmnLa(1-n)][X]4、[K]2[SmnCe(1-n)][X]4、[K]2[SmnPr(1-n)][X]4、[K]2[SmnNd(1-n)][X]4、[K]2[SmnPm(1-n)][X]4、[K]2[SmnGd(1-n)][X]4、[K]2[SmnTb(1-n)][X]4、[K]2[SmnHo(1-n)][X]4和[K]2[SmnEr(1-n)][X]4，且
n可为满足0<n<1的实数，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，由式3表示的钙钛矿化合物可选自：
[CH3NH3]3[Sm]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnSr(1-n)]2[X]7,、[CH3NH3]3[SmnMg(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnCa(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnBa(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnEu(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnBi(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnAg(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnMn(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnSn(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnYb(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnTm(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnLa(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnCe(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnPr(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnNd(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnPm(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnGd(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnTb(1-n)]2[X]7、[CH3NH3]3[SmnHo(1-n)]2[X]7和[CH3NH3]3[SmnEr(1-n)]2[X]7；
[Cs]3[Sm]2[X]7、[Cs]3[SmnSr(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnMg(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnCa(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnBa(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnEu(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnBi(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnAg(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnMn(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnSn(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnYb(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnTm(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnLa(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnCe(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnPr(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnNd(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnPm(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnGd(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnTb(1-n)]2[X]7、[Cs]3[SmnHo(1-n)]2[X]7和[Cs]3[SmnEr(1-n)]2[X]7；
[Rb]3[Sm]2[X]7、[Rb]3[SmnSr(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnMg(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnCa(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnBa(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnEu(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnBi(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnAg(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnMn(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnSn(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnYb(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnTm(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnLa(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnCe(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnPr(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnNd(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnPm(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnGd(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnTb(1-n)]2[X]7、[Rb]3[SmnHo(1-n)]2[X]7和[Rb]3[SmnEr(1-n)]2[X]7；以及
[K]3[Sm]2[X]7、[K]3[SmnSr(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnMg(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnCa(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnBa(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnEu(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnBi(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnAg(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnMn(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnSn(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnYb(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnTm(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnLa(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnCe(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnPr(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnNd(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnPm(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnGd(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnTb(1-n)]2[X]7、[K]3[SmnHo(1-n)]2[X]7和[K]3[SmnEr(1-n)]2[X]7，且
n可为满足0<n<1的实数，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，由式4表示的钙钛矿化合物可选自：
[CH3NH3]4[Sm]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnSr(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnMg(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnCa(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnBa(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnEu(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnBi(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnAg(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnMn(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnSn(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnYb(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnTm(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnLa(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnCe(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnPr(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnNd(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnPm(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnGd(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnTb(1-n)]3[X]10、[CH3NH3]4[SmnHo(1-n)]3[X]10和[CH3NH3]4[SmnEr(1-n)]3[X]10；
[Cs]4[Sm]3[X]10、[Cs]4[SmnSr(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnMg(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnCa(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnBa(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnEu(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnBi(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnAg(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnMn(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnSn(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnYb(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnTm(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnLa(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnCe(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnPr(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnNd(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnPm(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnGd(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnTb(1-n)]3[X]10、[Cs]4[SmnHo(1-n)]3[X]10和[Cs]4[SmnEr(1-n)]3[X]10；
[Rb]4[Sm]3[X]10、[Rb]4[SmnSr(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnMg(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnCa(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnBa(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnEu(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnBi(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnAg(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnMn(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnSn(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnYb(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnTm(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnLa(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnCe(1-n)]3[X]10,、[Rb]4[SmnPr(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnNd(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnPm(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnGd(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnTb(1-n)]3[X]10、[Rb]4[SmnHo(1-n)]3[X]10和[Rb]4[SmnEr(1-n)]3[X]10；以及
[K]4[Sm]3[X]10、[K]4[SmnSr(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnMg(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnCa(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnBa(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnEu(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnBi(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnAg(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnMn(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnSn(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnYb(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnTm(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnLa(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnCe(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnPr(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnNd(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnPm(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnGd(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnTb(1-n)]3[X]10、[K]4[SmnHo(1-n)]3[X]10和[K]4[SmnEr(1-n)]3[X]10，且
n可为满足0<n<1的实数，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，钙钛矿化合物可为纳米颗粒、纳米线、纳米层、多层纳米层、微颗粒、微线、微层或多层微层的形式。
可通过调节钙钛矿化合物的形状或尺寸来调节钙钛矿化合物的能隙和最大发射波长。例如，由式1至4中的一个表示的钙钛矿化合物可以通过控制i)平均颗粒尺寸或ii)组成比来不同地控制由钙钛矿化合物发射的最大发射波长。
例如，可通过控制A、B1、B2和X中的一个的类型(也就是说，颗粒尺寸)和组成比来控制最大发射波长。在一个实施方式中，即使当A、B1、B2和X中A和X的类型和组成比彼此相同时，可通过控制B1和B2的类型或组成比来控制由钙钛矿化合物发射的最大发射波长。在一个实施方式中，即使当A、B1、B2和X中B1、B2和X的类型和组成比彼此相同时，可通过控制A的类型或组成比来控制由钙钛矿化合物发射的最大发射波长。在一个或多个实施方式中，即使当A、B1、B2和X中A、B1和B2的类型和组成比彼此相同时，可通过控制X的类型或组成比来控制由钙钛矿化合物发射的最大发射波长。
式1至4中的n1和n2可不为0。也就是说，由式1至4中任一个表示的钙钛矿化合物可基本上包括Sm2+。因为Sm2+具有与常规钙钛矿化合物中使用的Pb2+的离子半径相似的离子半径，所以由式1至4中任一个表示的钙钛矿化合物具有约1的Goldschmidt容忍因子并具有稳定的立方相结构。因此，尽管不被特定理论所限制，可通过量子限制效应获得高的量子产率。
因此，例如，包括由式1至4中的一个表示的钙钛矿化合物的薄膜可具有高的光致发光(PL)量子产率(PLQY)和小的半峰全宽(FWHM)，且包括由式1至4中的一个表示的钙钛矿化合物的发光装置可具有优异的外量子效率和发光效率。
另一方面提供包括由式1至4中的一个表示的钙钛矿化合物的薄膜(薄层)。
包括在薄膜中的钙钛矿化合物与以上所描述的相同。
可通过已知的合成方法合成薄膜。在下文中，将详细描述包括钙钛矿化合物的薄膜的合成方法。
可通过以下制造薄膜：在预定基板(例如，要形成薄膜的区域)上提供含A的前驱体、含B1的前驱体和含B2的前驱体并对其进行热处理，以形成包括由式1至4中的一个表示的钙钛矿化合物的薄膜。
含A的前驱体、含B1的前驱体和含B2的前驱体中A、B1和B2的描述与式1至4中A、B1和B2的描述相同。
含A的前驱体可选自A的卤化物(例如，(A)(X1))，含B1的前驱体可选自B1的卤化物(例如，(B1)(X2)2)，且含B2的前驱体可选自B2的卤化物(例如，(B2)(X3)2)。在(A)(X1)、(B1)(X2)2和(B2)(X3)2中，A、B1和B2与以上所描述的相同，且X1至X3可各自独立地选自-F、-Cl、-Br和-I。
在一个实施方式中，含A的前驱体可为CH3NH3I，含B1的前驱体可为SmI2，且含B2的前驱体可为EuI2，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，可通过以下制造包括由式1至4中任一个表示的钙钛矿化合物的薄膜：在预定基板上提供含A的前驱体、含B1的前驱体和含B2的前驱体并对其同时进行热处理，以形成包括由式1至4中任一个表示的钙钛矿化合物的薄膜(也就是说，一步法)。
在一个或多个实施方式中，可通过以下制造包括由式1至4中任一个表示的钙钛矿化合物的薄膜：在预定基板上提供含A的前驱体、含B1的前驱体和含B2的前驱体以形成含前驱体的膜，并在该含前驱体的膜上进行热处理，以形成包括由式1至4中任一个表示的钙钛矿化合物的薄膜(也就是说，两步法)。
根据A前驱体中的A是否包括单价无机阳离子，薄膜制造方法中的热处理条件可以选择在不同的条件下。
例如，i)当A不包括单价无机阳离子时，薄膜制造方法中的热处理条件可以选择在约15分钟至约1小时的时间范围内和约100℃至400℃的温度范围内，且ii)当A包括单价无机阳离子时，薄膜制造方法中的热处理条件可以选择在约2小时至约48小时的时间范围内和约400℃至约800℃的温度范围内，但本公开的实施方式不限于此。
另外，各种修改是可能的。例如，可通过以下制造包括由式1至4中任一个表示的钙钛矿化合物的薄膜：在预定基板上提供包括由式1至4中任一个表示的钙钛矿化合物的混合物并对其进行热处理。
另一方面提供包括由式1至4中的一个表示的钙钛矿化合物的电子设备。
在一个实施方式中，电子设备可包括含有钙钛矿化合物的光电装置，且
该光电装置可为光伏装置、光电二极管、光电晶体管、光电倍增管、光电电阻、光电检测器、光敏检测器、固态三极管、电池电极、发光装置、发光二极管、有机发光装置、量子点发光二极管、晶体管、太阳能电池、激光器或者二极管注入激光器。
钙钛矿化合物可用作电子设备的发光材料(例如，包括发光层的发光装置的发光材料)、电荷传输材料(例如，用于包括空穴传输区的发光装置的空穴传输层的材料)、电极材料、光敏材料、光吸收材料(例如，用于太阳能电池的活性层的材料)、光转换材料(例如，当发光装置包括滤色器时用于滤色器的材料)等。
在一个实施方式中，电子设备可包括发光装置，发光装置包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间并包括发光层的中间层，其中发光层包括由式1至4中的一个表示的钙钛矿化合物：
<式1>
[A][B1 n1B2 (1-n1)][X]3
<式2>
[A]2[B1 n2B2 (1-n2)][X]4
<式3>
[A]3[B1 n2B2 (1-n2)]2[X]7
<式4>
[A]4[B1 n2B2 (1-n2)]3[X]10。
在式1至4中，
A可为至少一种单价有机阳离子、单价无机阳离子或其任何组合，
B1可为Sm2+离子，
B2可为至少一种二价无机阳离子，且B2可不包括Sm2+离子，
n1可为满足0<n1≤1的实数，
n2可为满足0<n2≤1的实数，且
X可为至少一种单价阴离子。
钙钛矿的描述与本文中所描述的相同。
在一个实施方式中，电子设备可为显示设备。
在一个实施方式中，包括在电子设备中的发光装置可为例如有机发光装置或者量子点发光二极管。例如，电子设备可为包括有机发光装置的有机发光显示设备。在一个或多个实施方式中，电子设备可为包括量子点发光二极管的量子点发光显示设备。
发光装置中的中间层可进一步包括在第一电极和发光层之间的空穴传输区以及在发光层和第二电极之间的电子传输区。
发光装置中的空穴传输区和电子传输区中的至少一个可包括无机材料。
例如，发光装置中的空穴传输区和电子传输区中的至少一个可包括含有金属卤化物、金属氧化物、金属硫属化物、金属硒化物或其任何组合的无机材料。
在一个实施方式中，发光装置中的空穴传输区和电子传输区中的至少一个可包括：
IV族半导体化合物(例如，碳化硅)；
III-V族半导体化合物(例如，砷化镓)；
II-VI族半导体化合物(例如，硒化镉)；
I-VII族半导体化合物(例如，氯化亚铜(I)或CuI)；
IV-VI族半导体化合物(例如，硒化铅)；
V-VI族半导体化合物(例如，碲化铋)；
II-V族半导体化合物(例如，砷化镉)；
三元或四元半导体化合物(例如，铜铟硒化物、铜铟镓二硒化物、铜锌锡硫化物或铜锌锡硫硒化物(CZTSSe))；或者
其任何组合，
但本公开的实施方式不限于此。
例如，发光装置中的空穴传输区和电子传输区中的至少一个可包括：
钛、铌、锡、锌、镉、铜、铅或其任何组合(例如，合金)的氧化物；
锑、铜、锌、铁、铋或其任何组合(例如，合金)的硫属化物(例如，硫化铜或硫化铁)；
铜锌锡硫属化物(例如，铜锌锡硫化物，如Cu2ZnSnS4(CZTS)和铜锌锡硫-硒化物，如Cu2ZnSn(S1-xSex)4(CZTSSe))；
铜铟硫属化物，如铜铟硒化物(CIS)；
铜铟镓硒化物，如CuIn1-xGaxSe2(CIGS)；
铜铟镓二硒化物；或者
其任何组合，
但本公开的实施方式不限于此。x可为大于0且小于或等于1的实数。
在一个实施方式中，空穴传输区和电子传输区中的至少一个可包括有机材料。
在一个实施方式中，空穴传输区可包括胺类化合物，且电子传输区可包括无金属的化合物，该无金属的化合物包括至少一个π电子耗尽的含氮环，但本公开的实施方式不限于此。
可包括在空穴传输区和电子传输区中的有机材料和其它材料与以下所描述的相同。
图1为包括在根据实施方式的电子装置中的发光装置10的示意图。发光装置10包括第一电极11、空穴传输区13、发光层15、电子传输区17和第二电极19。
在下文中，将结合图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
[第一电极11]
在图1中，在第一电极11之下或第二电极19之上可另外地设置基板。基板可为玻璃基板或塑料基板，各自具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面平滑度、易处理性和防水性。
第一电极11可通过将用于形成第一电极11的材料沉积或者溅射在基板上而形成。当第一电极11是阳极时，用于第一电极11的材料可选自具有高功函的材料以便于空穴注入。
第一电极11可以为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极11是透射电极时，用于形成第一电极11的材料可选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)及其任何组合，但本公开的实施方式不限于此。在一个或多个实施方式中，当第一电极11是半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极11的材料可选自镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)，镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)及其任何组合，但本公开的实施方式不限于此。
第一电极11可具有单层结构或包括两层或更多层的多层结构。例如，第一电极11可具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但第一电极11的结构不限于此。
[空穴传输区13]
空穴传输区13可具有i)单层结构，其包括含单种材料的单个层，ii)单层结构，其包括含多种不同材料的单个层，或者iii)多层结构，其具有包括多种不同材料的多个层。
空穴传输区13可包括选自空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层和电子阻挡层中的至少一个层。
例如，空穴传输区13可具有：单层结构，该单层结构包括含一种类型的材料的单个层(例如，由包括一种类型的材料的空穴传输层组成的单层结构)；单层结构，该单层结构包括含多种不同材料的单个层；或者多层结构，该多层结构具有空穴注入层/空穴传输层的结构、空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层的结构、空穴注入层/发光辅助层的结构、空穴传输层/发光辅助层的结构，或者空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的结构，其中对于每个结构，构成层以所陈述的顺序从第一电极11起依次堆叠，但空穴传输区13的结构不限于此。
空穴传输区13可包括无机材料。
空穴传输区13可包括由式1至4中任一个表示的钙钛矿化合物。
空穴传输区13可包括有机材料。
在一个实施方式中，有机材料的实例包括m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)、由式201表示的化合物和由式202表示的化合物：
在一个或多个实施方式中，有机材料的实例包括胺类化合物。
在一个或多个实施方式中，空穴传输层可包括选自由以下所示的式201表示的化合物和由以下所示的式202表示的化合物中的至少一种化合物：
<式201>
<式202>
在式201和202中，
L201至L204可各自独立地选自取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，
L205可选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C2-C20亚烯基、取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，
xa1至xa4可各自独立地为选自0至3的整数，
xa5可以为选自1至10的整数，并且
R201至R204和Q201可各自独立地选自取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团。
例如，在式202中，R201和R202可以可选地经单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基连接，且R203和R204可以可选地经单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基连接。
在一个或多个实施方式中，在式201和202中，
L201至L205可各自独立地选自：
亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蔻基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及
各自被选自以下的至少一个所取代的亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蔻基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C1-C10烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)和-N(Q31)(Q32)，并且
Q31至Q33可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或多个实施方式中，xa1至xa4可各自独立地为0、1或2。
在一个或多个实施方式中，xa5可以为1、2、3或4。
在一个或多个实施方式中，R201至R204和Q201可各自独立地选自：苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及
各自被选自以下的至少一个所取代的苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C1-C10烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)和-N(Q31)(Q32)，并且
Q31至Q33分别限定为与以上所描述的相同。
空穴传输区13的厚度可以在约至约例如，在约至约的范围内。当空穴传输区13包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个时，空穴注入层的厚度可以在约至约例如，约至约的范围内，并且空穴传输层的厚度可以在约至约例如约至约的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，在驱动电压无显著增加下可获得令人满意的空穴传输特性。
发光辅助层可通过根据发光层发射的光的波长补偿光学共振距离而增加发光效率，且电子阻挡层可阻挡来自电子传输区的电子的流动。发光辅助层和电子阻挡层可包括如上所述的材料。
除了这些材料以外，空穴传输区13可进一步包括电荷产生材料以改善导电特性。电荷产生材料可均匀或非均匀地分散在空穴传输区13中。
电荷产生材料可以为例如p型掺杂剂。
在一个实施方式中，p型掺杂剂可具有-3.5eV或更小的最低未占有分子轨道(LUMO)能级。
p型掺杂剂可包括选自醌衍生物、金属氧化物和含氰基的化合物中的至少一种，但本公开的实施方式不限于此。
例如，p型掺杂剂可包括选自以下的至少一种：
醌衍生物，比如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)；
金属氧化物，比如钨氧化物或钼氧化物；
1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲-六腈(HAT-CN)；以及
由以下式221表示的化合物，但本公开的实施方式不限于此：
在式221中，
R221至R223可各自独立地选自取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团，其中选自R221至R223中的至少一个可具有选自以下的至少一个取代基：氰基、-F、-Cl、-Br、-I、被-F取代的C1-C20烷基、被-Cl取代的C1-C20烷基、被-Br取代的C1-C20烷基和被-I取代的C1-C20烷基。
[发光层15]
当发光二极管为量子点发光二极管时，发光层15可包括由式1至4中任一个表示的钙钛矿化合物。形成发光层15的方法可参考形成包括钙钛矿化合物的薄膜的方法的描述。
当发光二极管为有机发光装置时，发光层15可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括选自磷光掺杂剂和荧光掺杂剂中的至少一种。
在发光层15中，基于100重量份的主体，掺杂剂的量可通常在约0.01重量份至约15重量份的范围内，但本公开的实施方式不限于此。
发光层15的厚度可在约至约例如，在约至约的范围内。当发光层15的厚度在这个范围内时，在驱动电压无显著增加下可获得优异的发光特性。
当有机发光装置10为全色有机发光装置时，根据子像素可将发光层15图案化为红色发光层、绿色发光层或蓝色发光层。在一个或多个实施方式中，发光层15可具有选自红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或者彼此分离。在一个或多个实施方式中，发光层15可包括选自红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中，两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。
[发光层15中的主体]
在一个或多个实施方式中，主体可包括由以下式301表示的化合物。
<式301>
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21。
在式301中，
Ar301可为取代或未取代的C5-C60碳环基团或取代或未取代的C1-C60杂环基团，
xb11可为1、2或3，
L301可选自取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，
xb1可为选自0至5的整数，
R301可选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)和-P(＝O)(Q301)(Q302)，
xb21可为选自1至5的整数，
Q301至Q303可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，式301中的Ar301可选自：
萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，并且
Q301至Q303可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但本公开的实施方式不限于此。
当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar301可通过单键连接。
在一个或多个实施方式中，由式301表示的化合物可由以下式301-1或301-2表示：
<式301-1>
<式301-2>
在式301-1和301-2中，
A301至A304可各自独立地选自苯基、萘基、菲基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、吡啶基、嘧啶基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、吲哚基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、萘并呋喃基、苯并萘并呋喃基、二萘并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、萘并噻吩基、苯并萘并噻吩基和二萘并噻吩基，
X301可为O、S或N-[(L304)xb4-R304]，
R311至R314可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
L301、xb1、R301和Q31至Q33分别限定为与以上所描述的相同，
L302至L304可各自独立地限定为与关于L301所描述的相同，
xb2至xb4可各自独立地限定为与关于xb1所描述的相同，
R302至R304可各自独立地限定为与关于R301所描述的相同。
例如，在式301、301-1和301-2中，L301至L304可各自独立地选自：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及
各自被选自以下中的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，并且
Q31至Q33分别限定为与以上所描述的相同。
在一个实施方式中，在式301、301-1和301-2中，R301至R304可各自独立地选自：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，并且
Q31至Q33分别限定为与以上所描述的相同。
在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属络合物。例如，主体可选自Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物和Zn络合物。
主体可包括选自9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯(CBP)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)和化合物H1至H55中的至少一种，但本公开的实施方式不限于此：
[发光层15所包括的磷光掺杂剂]
磷光掺杂剂可包括由以下式401表示的有机金属络合物：
<式401>
M(L401)xc1(L402)xc2。
在式401中，
M可选自铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)和铥(Tm)，
L401可选自由式402表示的配位体，并且xc1可为1、2或3，其中，当xc1为2或更大时，两个或更多个L401可彼此相同或不同，
L402可为有机配位体，并且xc2可为选自0至4的整数，其中，当xc2为2或更大时，两个或多个L402可彼此相同或不同，
<式402>
在式402中，
X401至X404可各自独立地为氮或碳，
X401和X403可通过单键或双键连接，并且X402和X404可通过单键或双键连接，
A401和A402可各自独立地选自C5-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，
X405可为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q411)-*'、*-C(Q411)(Q412)-*'、*-C(Q411)＝C(Q412)-*'、*-C(Q411)＝*'或*＝C＝*'，其中，Q411和Q412可各自独立地为氢、氘、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，
X406可为单键、O或S，
R401和R402可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)和-P(＝O)(Q401)(Q402)，其中Q401至Q403可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C6-C20芳基和C1-C20杂芳基，
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且
式402中的*和*'各自表示与式401中的M的结合位点。
在一个实施方式中，在式402中，A401和A402可各自独立地选自苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻吩基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。
在一个或多个实施方式中，在式402中，i)X401可为氮，并且X402可为碳，或者ii)X401和X402可同时各自为氮。
在一个或多个实施方式中，在式402中，R401和R402可各自独立地选自：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基和C1-C20烷氧基；
各自被选自以下的至少一个取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、环戊基、环己基、金刚烷基、降莰烷基和降莰烯基；
环戊基、环己基、金刚烷基、降莰烷基、降莰烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；
各自被选自以下的至少一个取代的环戊基、环己基、金刚烷基、降莰烷基、降莰烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降莰烷基、降莰烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)和-P(＝O)(Q401)(Q402)，并且
Q401至Q403可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基和萘基，但本公开的实施方式不限于此。
在一个或多个实施方式中，在式401中，当xc1为2或更大时，在多个L401之间，两个A401可以可选地通过连接基团X407连接，或者两个A402可以可选地通过连接基团X408连接(参见化合物PD1至PD4和PD7)。X407和X408可各自独立地为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q413)-*'、*-C(Q413)(Q414)-*'或*-C(Q413)＝C(Q414)-*'(其中Q413和Q414可各自独立地为氢、氘、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基)，但本公开的实施方式不限于此。
式401中的L402可为单价、二价或三价有机配位体。例如，L402可选自卤素、二酮(例如，乙酰丙酮化物)、羧酸(例如，吡啶甲酸盐)、-C(＝O)、异腈、-CN和磷(例如，磷化氢或亚磷酸盐)，但本公开的实施方式不限于此。
在一个或多个实施方式中，磷光掺杂剂可选自，例如，化合物PD1至PD25，但本公开的实施方式不限于此：
[发光层15中的荧光掺杂剂]
荧光掺杂剂可包括芳基胺化合物或苯乙烯胺化合物。
荧光掺杂剂可包括由以下式501表示的化合物：
<式501>
在式501中，
Ar501可为取代或未取代的C5-C60碳环基团或取代或未取代的C1-C60杂环基团，
L501至L503可各自独立地选自取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，
xd1至xd3可各自独立地为选自0至3的整数；
R501和R502可各自独立地选自取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团，并且
xd4可为选自1至6的整数。
在一个实施方式中，式501中的Ar501可选自：
萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或多个实施方式中，式501中的L501至L503可各自独立地选自：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基。
在一个或多个实施方式中，在式501中，R501和R502可各自独立地选自：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)，并且
Q31至Q33可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2，但本公开的实施方式不限于此。
例如，荧光掺杂剂可选自化合物FD1至FD22：
在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可选自以下化合物，但本公开的实施方式不限于此。
[电子传输区17]
电子传输区17可具有i)包括单个层(单个层包括单种材料)的单层结构、ii)包括单个层(单个层包括多种不同的材料)的单层结构或iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
电子传输区17可包括选自缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和电子注入层中的至少一个，但本公开的实施方式不限于此。
例如，电子传输区17可具有电子传输层/电子注入层的结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层的结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层的结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层的结构，其中对于每个结构，构成层从发光层起依次堆叠。然而，电子传输区17的结构的实施方式不限于此。
电子传输区17可包括无机材料，且该无机材料限定为与以上所描述的相同。
在一个实施方式中，电子传输区17可包括由式1至4中任一个表示的钙钛矿化合物。
在一个或多个实施方式中，电子传输区17可包括有机材料。
电子传输区17中所包括的有机材料可为无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个π电子耗尽的含氮环。
“π电子耗尽的含氮环”表示具有至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的C1-C60杂环基团。
例如，“π电子耗尽的含氮环”可为i)具有至少一个*-N＝*'部分的五元至七元杂单环基团，ii)杂多环基团，其中两个或更多个各自具有至少一个*-N＝*'部分的五元至七元杂单环基团彼此稠合，或者iii)杂多环基团，其中至少一个各自具有至少一个*-N＝*'部分的五元至七元杂单环基团与至少一个C5-C60碳环基团稠合。
π电子耗尽的含氮环的实例包括咪唑、吡唑、噻唑、异噻唑、噁唑、异噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲唑、嘌呤、喹啉、异喹啉、苯并喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并咪唑、苯并异噻唑、苯并噁唑、苯并异噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、噻二唑、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶和氮杂咔唑，但是不限于此。
例如，电子传输区17可包括由式601表示的化合物。
<式601>
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21。
在式601中，
Ar601可为取代或未取代的C5-C60碳环基团或取代或未取代的C1-C60杂环基团，
xe11可为1、2或3，
L601可选自取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，
xe1可为选自0至5的整数，
R601可选自取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)和-P(＝O)(Q601)(Q602)，
Q601至Q603可各自独立地为C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，并且
xe21可为选自1至5的整数。
在一个实施方式中，数量为xe11个的Ar601中的至少一个和数量为xe21个的R601中的至少一个可包括π电子耗尽的含氮环。
在一个实施方式中，在式601中，Ar601可选自：
苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，并且
Q31至Q33可各自独立地选自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar601可通过单键连接。
在一个实施方式中，式601中的L601和L611至L613可各自独立地选自：
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及
各自被选自以下的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；
但本公开的实施方式不限于此。
在一个或多个实施方式中，在式601中，xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
在一个或多个实施方式中，在式601中，R601和R611至R613可各自独立地选自：
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；
各自被选自以下的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
-S(＝O)2(Q601)和-P(＝O)(Q601)(Q602)，并且
Q601和Q602分别限定为与以上所描述的相同。
在一个实施方式中，电子传输区17可包括选自以下中的至少一个化合物：2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BPhen)、Alq3、BAlq、TAZ(3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑)、NTAZ和TPBi，但本公开的实施方式不限于此：
<TPBi>
电子传输层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当电子传输层的厚度在上述范围内时，电子传输层在驱动电压无显著增加下可具有令人满意的电子传输特性。
除了以上所描述的材料之外，电子传输区17(例如，电子传输区17中的电子传输层)可进一步包括含金属的材料。
含金属的材料可包括选自碱金属络合物和碱土金属络合物中的至少一种。碱金属络合物可包括选自以下的金属离子：Li离子、Na离子、K离子、Rb离子和Cs离子，并且碱土金属络合物可包括选自以下的金属离子：Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子和Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配位体可选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但本公开的实施方式不限于此。
例如，含金属的材料可包括Li络合物。例如，Li络合物可包括化合物ET-D1(8-羟基喹啉锂，LiQ)或ET-D2。
电子传输区17可包括促进来自第二电极19的电子的注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极19。
电子注入层可具有i)包括单个层(单个层包括单种材料)的单层结构，ii)包括单个层(单个层包括多种不同的材料)的单层结构或iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。
碱金属可选自Li、Na、K、Rb和Cs。
碱土金属可选自Mg、Ca、Sr和Ba。
稀土金属可选自Sc、Y、Ce、Tb、Yb和Gd。
碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物可选自碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)。
碱金属化合物可选自碱金属氧化物(比如Li2O、Cs2O或K2O)和碱金属卤化物(比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI、KI或RbI)。在一个实施方式中，碱金属化合物可选自LiF、Li2O、NaF、LiI、NaI、CsI、KI和RbI，但本公开的实施方式不限于此。
碱土金属化合物可选自碱土金属氧化物(比如BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(0<x<1)或BaxCa1-xO(0<x<1))。在一个实施方式中，碱土金属化合物可选自BaO、SrO和CaO，但本公开的实施方式不限于此。
稀土金属化合物可选自YbF3、ScF3、Sc2O3、Y2O3、Ce2O3、GdF3和TbF3。在一个实施方式中，稀土金属化合物可选自YbF3、ScF3、TbF3、YbI3、ScI3和TbI3，但本公开的实施方式不限于此。
例如，电子注入层可包括碱金属化合物(例如，RbI)和稀土金属化合物(例如，Yb)，但本公开的实施方式不限于此。
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可包括如以上所描述的碱金属离子、碱土金属离子和稀土金属离子，并且与碱金属络合物、碱土金属络合物或稀土金属络合物的金属离子配位的配位体可选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但本公开的实施方式不限于此。
电子注入层可由以下组成：如以上所描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料。当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合可均匀地或不均匀地分散在包括有机材料的基质中。
电子注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，电子注入层在驱动电压无显著增加下可具有令人满意的电子注入特性。
[第二电极19]
第二电极19可设置在具有这样的结构的电子传输区17上。第二电极19可为阴极，其为电子注入电极，并且在这方面，用于形成第二电极19的材料可选自具有相对低功函的金属、合金、导电化合物或其组合。
第二电极19可包括选自以下中的至少一种：锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、银-镁(Ag-Mg)、ITO和IZO，但本公开的实施方式不限于此。第二电极19可为透射电极、半透射电极或反射电极。
第二电极19可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。
构成空穴传输区13的层和构成电子传输区17的层可使用一种或多种合适的方法在特定的区域中形成，方法选自真空沉积、旋转涂布、浇注、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨打印、激光打印和激光诱导的热成像。
当构成空穴传输区13的层和构成电子传输区17的层通过真空沉积形成时，考虑到要形成的层中要包括的材料以及要形成的层的结构，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约至约的沉积速率下进行。
当构成空穴传输区13的层和构成电子传输区17的层通过旋转涂布形成时，考虑到要形成的层中要包括的材料和要形成的层的结构，旋转涂布可在约2,000rpm至约5,000rpm的涂布速度和约80℃至约200℃的热处理温度下进行。
在一个实施方式中，电子设备包括：第一基板；有机发光装置；和设置在由有机发光装置发射的光的至少一个传播路径上的薄膜，并且
薄膜可包括钙钛矿化合物：
<式1>
[A][B1 n1B2 (1-n1)][X]3
<式2>
[A]2[B1 n2B2 (1-n2)][X]4
<式3>
[A]3[B1 n2B2 (1-n2)]2[X]7
<式4>
[A]4[B1 n2B2 (1-n2)]3[X]10。
在式1至4中，
A可为至少一种单价有机阳离子、单价无机阳离子或其任何组合，
B1可为Sm2+离子，
B2可为至少一种二价无机阳离子且B2可不包括Sm2+离子，
n1可为满足0<n1≤1的实数，
n2可为满足0<n2≤1的实数，且
X可为至少一种单价阴离子。
钙钛矿化合物与以上所描述的相同。
有机发光装置的描述可以通过参考除了量子点发光二极管的描述之外的其他发光装置的描述来理解。
在一个实施方式中，电子设备可为有机发光显示设备。
图2为根据实施方式的有机发光显示设备的截面示意图。图3至图6为根据实施方式的有机发光显示设备的部分放大截面示意图。
参考图2，根据该实施方式的有机发光显示设备100包括第一基板110。该第一基板110可为玻璃基板或塑料基板，各自具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面平滑度、易处理性和防水性。在一个实施方式中，因为有机发光显示设备100为顶部发射型显示设备，所以第一基板110可包括铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢、因瓦合金、因科内尔合金、科瓦合金或其任何组合，但本公开的实施方式不限于此。
有机发光装置120可设置在第一基板110上。有机发光装置120可包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间并包括发光层的有机层。通过参考发光装置10的描述，可以理解有机发光装置120的第一电极、第二电极、发光层和有机层的描述。
例如，第一电极可为阳极，且用于形成第一电极的材料可选自具有高功函的材料以便于空穴注入。另外，第一电极可为反射电极，且第一电极可包括选自镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)，镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)及其任何组合的材料，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，第一电极可包括透明电极材料比如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
在一个或多个实施方式中，第一电极可包括反射电极材料，比如镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)和其任何组合，且可进一步包括透明电极材料比如ITO或IZO。
在一个实施方式中，第一电极可具有单层结构或包括透射层和反射层的多层结构。例如，第一电极可具有ITO/Ag/ITO的多层结构。
另外，第一电极可进一步在第一电极周围包括相对于第一基板110具有预定角度的倾斜表面，使得沿着图2所示的有机发光显示设备的水平方向从有机层发射的光朝向薄膜130传播。第一电极的倾斜表面可设置在像素限定膜上。在这种情况下，从有机层发射的光可以从第一电极的倾斜表面反射并朝向薄膜130传播，从而提高有机发光显示设备的发光效率。
例如，有机层可进一步包括在第一电极和发光层之间的空穴传输区以及在发光层和第二电极之间的电子传输区。
例如，第二电极可为阴极，且用于形成第二电极的材料可选自具有低功函的金属、合金、导电化合物和其任何组合。另外，第二电极可为透射电极或半透射电极，且用于形成第二电极的材料可选自ITO、IZO、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)和其任何组合。
薄膜130可设置在有机发光装置120上，在从有机发光装置120发射的光的至少一个传播方向上，并且该薄膜可包括钙钛矿化合物。
包括钙钛矿化合物的薄膜130的描述与本文所描述的相同。
薄膜130设置在从有机发光装置120发射的光的至少一个传播方向上，并不排除在薄膜130和有机发光装置120之间进一步包括其他元件的情况。
在薄膜130的至少一个表面上可进一步包括阻挡膜(未示出)，以防止与氧或水分接触。因为光转换层包括阻挡膜，所以易受氧和/或水分影响的钙钛矿化合物可以保持在稳定的状态。
例如，阻挡膜可以形成在薄膜130的光入射表面(即，吸收从有机发光装置120发射的光的表面)和/或薄膜130的光出射表面(即，光从有机发光装置120出射的表面)上。在一个实施方式中，阻挡膜可包围整个薄膜130。
阻挡膜可包括，例如，聚酯、聚碳酸酯、聚烯烃、环烯烃共聚物(COC)或聚酰亚胺，但本公开的实施方式不限于此。
阻挡膜可进一步在其表面上包括单层或多层无机涂层。无机涂层中的无机材料可包括无机氧化物，例如二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锆或其任何组合。因为无机涂层抑制氧或水分的渗透，所以阻挡膜的氧和/或水分阻挡功能可由无机涂层进一步加强。
参考图3，有机发光装置220可发射第一光，且薄膜230可吸收第一光并发射第二光。第一光和第二光可具有不同的最大发射波长。
例如，第一光的最大发射波长可小于第二光的最大发射波长。
在一个实施方式中，第一光和第二光可组合以发射白光。
第一光可为蓝光，且第二光可为选自绿光、黄光和红光中的至少一种，但本公开的实施方式不限于此。例如，第一光可为蓝光，且第二光可为黄光或者绿光和红光的混合光，但本公开的实施方式不限于此。
第一光可为紫外(UV)光，第二光可为选自蓝光、绿光和红光中的至少一种，但本公开的实施方式不限于此。例如，第一光可为UV光，且第二光可为蓝光(例如，具有在约400nm至约490nm之间的波段的光)、绿光(例如，具有在约490nm至约570nm之间的波段的光)和红光(例如，具有在约570nm至约680nm之间的波段的光)的混合光，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，有机发光装置可发射蓝光或UV光。
例如，
(i)有机发光装置可发射蓝光，且
薄膜可包括：
第一钙钛矿化合物，该第一钙钛矿化合物吸收蓝光并发射绿光；和
第二钙钛矿化合物，该第二钙钛矿化合物吸收蓝光和/或绿光并发射红光，或者
(ii)有机发光装置可发射UV光，且
薄膜可包括：
第一钙钛矿化合物，该第一钙钛矿化合物吸收UV光并发射蓝光；
第二钙钛矿化合物，该第二钙钛矿化合物吸收UV光和/或蓝光并发射绿光；和
第三钙钛矿化合物，该第三钙钛矿化合物吸收UV光、蓝光和/或绿光并发射红光。
例如，薄膜230可包括由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物231和由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物232。可通过不同地调节第一钙钛矿化合物和第二钙钛矿化合物的平均颗粒尺寸来使第一钙钛矿化合物和第二钙钛矿化合物的最大发射波长是不同的。
薄膜230可为第一钙钛矿化合物和第二钙钛矿化合物均匀分散其中的单层膜。薄膜230可进一步包括第一钙钛矿化合物和第二钙钛矿化合物均匀分散其中的粘合剂树脂233。第一钙钛矿化合物和第二钙钛矿化合物的混合比没有特别限定，且可以通过考虑期望的光学特性来控制在合适的范围内。粘合剂树脂233可包括例如环氧树脂、硅酮环氧树脂、硅酮树脂、聚苯乙烯树脂、(甲基)丙烯酸酯树脂或其任何组合，但本公开的实施方式不限于此。
当第一光为蓝光时，第一钙钛矿化合物231可发射红光，且第二钙钛矿化合物232可发射绿光。在这种情况下，第一钙钛矿化合物的平均颗粒尺寸可大于第二钙钛矿化合物的平均颗粒尺寸，且可为例如约7nm至约10nm。第二钙钛矿化合物的平均颗粒尺寸可为例如约5nm至约7nm。
如上所述，根据用作X的单价阴离子的类型，钙钛矿化合物的平均颗粒尺寸可不同。例如，当单价卤素阴离子用作X时，通过将卤素阴离子改变为I-、Br-、Cl-等而可调节能隙且改变发光特性。
第一光、由第一钙钛矿化合物发射的红光和由第二钙钛矿化合物发射的绿光可组合以发射白光。
在一个实施方式中，有机发光装置可发射蓝光，且
薄膜可包括：
包括第一钙钛矿化合物的第一层，该第一钙钛矿化合物吸收蓝光并发射绿光；和
包括第二钙钛矿化合物的第二层，该第二钙钛矿化合物吸收蓝光和/或绿光并发射红光。
在一个实施方式中，参考图4，薄膜330可包括由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物331、由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物332和由式1至4中任一个表示的第三钙钛矿化合物333。通过不同地调节第一钙钛矿化合物、第二钙钛矿化合物和第三钙钛矿化合物的平均颗粒尺寸使得由第一钙钛矿化合物、第二钙钛矿化合物和第三钙钛矿化合物发射的最大发射波长可以是不同的。薄膜330可为第一钙钛矿化合物、第二钙钛矿化合物和第三钙钛矿化合物均匀分散于其中的单层膜。薄膜330可进一步包括第一钙钛矿化合物、第二钙钛矿化合物和第三钙钛矿化合物均匀分散于其中的粘合剂树脂334。第一钙钛矿化合物、第二钙钛矿化合物和第三钙钛矿化合物的混合比没有特别限定，且可以通过考虑期望的光学特性来控制在合适的范围内。
当第一光为UV光时，第一钙钛矿化合物331可发射红光，第二钙钛矿化合物332可发射绿光，且第三钙钛矿化合物333可发射蓝光。在这种情况下，第一钙钛矿化合物的平均颗粒尺寸可大于第二钙钛矿化合物的平均颗粒尺寸，且可为例如约7nm至约10nm。第二钙钛矿化合物的平均颗粒尺寸可大于第三钙钛矿化合物的平均颗粒尺寸，且可为例如约5nm至约7nm。第三钙钛矿化合物的平均颗粒尺寸可为例如约2nm至约5nm。第一光、由第一钙钛矿化合物发射的红光、由第二钙钛矿化合物发射的绿光和由第三钙钛矿化合物发射的蓝光可组合以发射白光。
参考图5，薄膜430可包括第一薄膜431和第二薄膜432。有机发光装置420可发射第一光。第一薄膜可吸收第一光并发射第二光。第二薄膜可吸收第一光和/或第二光并发射第三光。第一光、第二光和第三光可具有不同的最大发射波长。
例如，第一光的最大发射波长可小于第二光的最大发射波长和第三光的最大发射波长。另外，第二光的最大发射波长可小于第三光的最大发射波长。
在一个实施方式中，第一光、第二光和第三光可以组合以发射白光。
第一光可为蓝光，且第二光和第三光可各自独立地为选自绿光和红光中的至少一种，但本公开的实施方式不限于此。例如，第一光可为蓝光，第二光可为绿光，且第三光可为红光。
第一光可为UV光，且第二光和第三光可各自独立地为选自蓝光、青色光、绿光、黄光、红光和品红色光中的至少一种，但本公开的实施方式不限于此。例如，第一光可为UV光，第二光可为青色光，且第三光可为红光。在一个实施方式中，第一光可为UV光，第二光可为绿光，且第三光可为品红色光。在一个实施方式中，第一光可为UV光，第二光可为蓝光，且第三光可为黄光。
第一薄膜431可包括由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物，且第二薄膜432可包括由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物，但本公开的实施方式不限于此。
例如，第一光可为蓝光，第一钙钛矿化合物可发射绿光，且第二钙钛矿化合物可发射红光，但本公开的实施方式不限于此。
参考图6，薄膜530可包括第一薄膜531、第二薄膜532和第三薄膜533。有机发光装置520可发射第一光。第一薄膜531可吸收第一光并发射第二光。第二薄膜532可吸收第一光和/或第二光并发射第三光。第三薄膜533可吸收第一光、第二光和/或第三光并发射第四光。第一光、第二光、第三光和第四光可具有不同的最大发射波长。
例如，第一光的最大发射波长可小于第二光的最大发射波长、第三光的最大发射波长和第四光的最大发射波长，但本公开的实施方式不限于此。另外，第二光的最大发射波长可小于第三光的最大发射波长和第四光的最大发射波长，但本公开的实施方式不限于此。另外，第三光的最大发射波长可小于第四光的最大发射波长，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，第一光、第二光、第三光和第四光可组合以发射白光。
第一光可为蓝光，且第二光、第三光和第四光可各自独立地为选自绿光和红光中的至少一种，但本公开的实施方式不限于此。
第一光可为UV光，且第二光、第三光和第四光可各自独立地为选自蓝光、绿光和红光中的至少一种，但本公开的实施方式不限于此。例如，第一光可为UV光，第二光可为蓝光，第三光可为绿光，且第四光可为红光。
第一薄膜531可包括由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物，第二薄膜532可包括由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物，且第三薄膜533可包括由式1至4中任一个表示的第三钙钛矿化合物，但本公开的实施方式不限于此。
例如，第一光可为UV光，第一钙钛矿化合物可发射蓝光，第二钙钛矿化合物可发射绿光，且第三钙钛矿化合物可发射红光，但本公开的实施方式不限于此。
以上描述已经针对顶部发射型发光装置提供，并且可以针对底部发射型发光装置提供。在这种情况下，与顶部发射型发光装置相反，第一电极可为半透射电极或透明电极，且第二电极可为反射电极。在这种情况下，包括由式1至4中任一个表示的钙钛矿化合物的薄膜可设置在基板上。
图7为根据实施方式的有机发光显示设备600的截面示意图。
参考图7，滤色器640可设置在由薄膜630发射的光的至少一个传播方向上。
第一基板610可包括多个子像素区域，且滤色器640可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域。
像素限定膜624可形成在子像素区域之间以限定子像素区域。
滤色器640可包括在滤色器区域之间的光阻挡图案644。
滤色器区域可包括发射第一颜色光的第一滤色器区域641、发射第二颜色光的第二滤色器区域642和发射第三颜色光的第三滤色器区域643。第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可彼此不同。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，且第三颜色光可为蓝光，但本公开的实施方式不限于此。
图2至图7所示的有机发光显示设备为电子设备的实例，且电子设备可具有各种已知的形式。鉴于此，各种已知的配置可进一步被包括。
在下文中，将描述根据实施方式的照明设备。
照明设备包括：光源；和光转换层，该光转换层吸收由光源发射的光的至少一部分并发射具有与所吸收光的波段不同的波段的光，其中光转换层包括钙钛矿化合物。
该钙钛矿化合物与以上所描述的相同。
该钙钛矿化合物可吸收由光源发射的光的至少一部分。在这种情况下，光源的类型没有特别限定。例如，光源可接收外加电压并发射光。在一个实施方式中，光源可为荧光灯、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)或其任何组合。荧光灯可包括例如冷阴极荧光灯(CCFL)和/或外置电极荧光灯(EEFL)，但本公开的实施方式不限于此。
光源可发射蓝光(例如，具有在约420nm至约490nm之间波段的光)或UV光(例如，具有在约300nm至约420nm之间波段的光)。例如，光源可为发射蓝光的蓝色LED或者发射UV光的UV LED，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，光源可发射蓝光，且光转换层可包括钙钛矿化合物，该钙钛矿化合物吸收由光源发射的蓝光并发射具有与蓝光的波段不同的波段的光。
例如，光源可发射蓝光，且光转换层可包括钙钛矿化合物，该钙钛矿化合物吸收蓝光并发射黄光(例如，具有约540nm至约620nm之间波段的光)。在这种情况下，由光源发射的蓝光和由钙钛矿化合物发射的黄光可组合以发射白光。
光转换层可为包括钙钛矿化合物的薄膜。例如，可通过参考本文中提供的薄膜的描述来理解光转换层。
在一个实施方式中，光转换层可为其中发射黄光的钙钛矿化合物以单晶形式堆叠的薄膜。
在一个或多个实施方式中，光转换层可为包括发射黄光并且具有小于约500nm的纳米结构的钙钛矿化合物的薄膜。纳米结构可以是颗粒形式，例如，纳米颗粒、纳米棒、纳米线、纳米管、枝状纳米结构、纳米四角状结构(nanotetrapods)、纳米三角状结构(nanotripods)或纳米双角状结构(nanobipods)。纳米结构可以被例如至少一个配位体或基质树脂包围。配位体或基质树脂可以提高钙钛矿纳米结构的稳定性，并且可以保护钙钛矿纳米结构免受包括高温、高强度、外部气体或水分等的有害外部条件的影响。配位体可为，例如，具有胺基的分子(油胺、三乙胺、己胺、萘胺等)或聚合物、具有羧基的分子(油酸等)或聚合物、具有硫醇基的分子(丁硫醇、己硫醇、十二烷基硫醇等)或聚合物、具有吡啶基的分子(吡啶等)或聚合物、具有膦基的分子(三苯基膦等)、具有氧化膦基的分子(三辛基氧化膦等)、具有羰基的分子(烷基酮等)、具有苯环的分子(苯、苯乙烯等)或聚合物，或者具有羟基的分子(丁醇、己醇等)或聚合物。基质树脂可包括例如环氧树脂、硅环氧树脂、硅树脂、聚苯乙烯树脂、(甲基)丙烯酸酯树脂或其任何组合，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，光源可发射蓝光，且光转换层可包括第一钙钛矿化合物和第二钙钛矿化合物，该第一钙钛矿化合物吸收蓝光并发射绿光(例如，具有在约490nm至约570nm之间波段的光)，该第二钙钛矿化合物吸收蓝光和/或绿光并发射红光(例如，具有在约570nm至约680nm之间波段的光)。在这种情况下，由光源发射的蓝光、由第一钙钛矿化合物发射的绿光和由第二钙钛矿化合物发射的红光可组合以发射白光。
在一个实施方式中，光源可发射蓝光，且光转换层可包括发射绿光的第一钙钛矿化合物和发射红光的第二钙钛矿化合物均匀分散于其中的单膜。在这种情况下，第一钙钛矿化合物和第二钙钛矿化合物都具有纳米结构形式。
在一个或多个实施方式中，光源可发射蓝光，且光转换层可包括：包括第一钙钛矿化合物的第一层和包括第二钙钛矿化合物的第二层，该第一钙钛矿化合物吸收蓝光并发射绿光，该第二钙钛矿化合物吸收蓝光和/或绿光并发射红光。在这种情况下，第一层可以被设置成使得由光源发射的光的至少一部分入射到第一层上，并且第二层可以被设置成使得由光源发射并穿过第一层的光和/或由第一层发射的光入射到第二层上。第一层和第二层可以各自独立地为其中钙钛矿化合物以单晶形式堆叠的薄膜，或者包括纳米结构形式的钙钛矿化合物的薄膜。
在一个或多个实施方式中，光源可发射UV光，且光转换层可包括钙钛矿化合物，该钙钛矿化合物吸收由光源发射的UV光并发射具有与该UV光的波段不同的波段的光。
例如，光源可发射UV光，且光转换层可包括：第一钙钛矿化合物，其吸收UV光并发射蓝光；第二钙钛矿化合物，其吸收UV光和/或蓝光并发射绿光；以及第三钙钛矿化合物，其吸收UV光、蓝光和/或绿光并发射红光。在这种情况下，由第一钙钛矿化合物发射的蓝光、由第二钙钛矿化合物发射的绿光和由第三钙钛矿化合物发射的红光可组合以发射白光。
在一个实施方式中，光源可发射UV光，且光转换层可为吸收UV光并发射蓝光的第一钙钛矿化合物、吸收UV光和/或蓝光并发射绿光的第二钙钛矿化合物以及吸收UV光、蓝光和/或绿光并发射红光的第三钙钛矿化合物均匀分散于其中的单膜。在这种情况下，第一钙钛矿化合物、第二钙钛矿化合物和第三钙钛矿化合物可具有纳米结构形式。
在一个或多个实施方式中，光源可发射UV光，且光转换层可包括：包括第一钙钛矿化合物和第二钙钛矿化合物的第一层，该第一钙钛矿化合物吸收UV光并发射蓝光，该第二钙钛矿化合物吸收UV光和/或蓝光并发射绿光；以及包括第三钙钛矿化合物的第二层，该第三钙钛矿化合物吸收UV光、蓝光和/或绿光并发射红光。在这种情况下，第一层可以被设置成使得由光源发射的光的至少一部分入射到第一层上，并且第二层可以被设置成使得由光源发射并穿过第一层的光和/或由第一层发射的光入射到第二层上。第一层可为包括纳米结构形式的第一钙钛矿化合物和第二钙钛矿化合物的薄膜，并且第二层可为其中第三钙钛矿化合物以单晶形式堆叠的薄膜，或者包括纳米结构形式的第三钙钛矿化合物的薄膜。
在一个实施方式中，光源可发射UV光，且光转换层可包括：包括第一钙钛矿化合物的第一层，该第一钙钛矿化合物吸收UV光并发射蓝光；以及包括第二钙钛矿化合物和第三钙钛矿化合物的第二层，该第二钙钛矿化合物吸收UV光和/或蓝光并发射绿光，该第三钙钛矿化合物吸收UV光、蓝光和/或绿光并发射红光。在这种情况下，第一层可以被设置成使得由光源发射的光的至少一部分入射到第一层上，并且第二层可以被设置成使得由光源发射并穿过第一层的光和/或由第一层发射的光入射到第二层上。第一层可为其中第一钙钛矿化合物以单晶形式堆叠的薄膜，或者包括纳米结构形式的第一钙钛矿化合物的薄膜，并且第二层可为包括纳米结构形式的第二钙钛矿化合物和第三钙钛矿化合物的薄膜。
在一个或多个实施方式中，光源可发射UV光，且光转换层可包括：包括第一钙钛矿化合物的第一层，该第一钙钛矿化合物吸收UV光并发射蓝光；包括第二钙钛矿化合物的第二层，该第二钙钛矿化合物吸收UV光和/或蓝光并发射绿光；以及包括第三钙钛矿化合物的第三层，该第三钙钛矿化合物吸收UV光、蓝光和/或绿光并发射红光。在这种情况下，第一层可以被设置成使得由光源发射的光的至少一部分入射到第一层上，第二层可以被设置成使得由光源发射并穿过第一层的光和/或由第一层发射的光入射到第二层上，并且第三层可以被设置成使得由光源发射并穿过第一层和第二层的光、由第一层发射并穿过第二层的光和/或由第二层发射的光入射到第三层上。第一层、第二层和第三层可以各自独立地为其中钙钛矿化合物以单晶形式堆叠的薄膜，或者包括纳米结构形式的钙钛矿化合物的薄膜。
光转换层中所包括的层的厚度、当光转换层包括至少两种钙钛矿化合物时钙钛矿化合物的混合比等没有特别限制，且可以通过考虑期望的光学特性来设置在合适的范围内。
光转换层中所包括的包括钙钛矿化合物的层可以根据已知的合成方法合成。例如，包括钙钛矿化合物的层可以通过参考包括钙钛矿化合物的薄膜的合成方法来合成。
在一个实施方式中，光转换层中所包括的包括钙钛矿化合物的层可以通过以下制造：在预定基板上提供在基质树脂上混合的包括钙钛矿化合物的混合物，并对其进行干燥或热处理。可以对其进行各种修改。
在一个实施方式中，在光转换层的至少一个表面上可进一步包括阻挡膜以防止与氧或水分接触。因为光转换层包括阻挡膜，所以钙钛矿化合物可以保持在稳定的状态。
例如，阻挡膜可以形成在光转换层的光入射表面(即，吸收从光源发射的光的表面)和/或光转换层的光出射表面(即，光从光转换层出射的表面)上。在一个实施方式中，阻挡膜可以包围整个光转换层。
阻挡膜可包括例如聚酯、聚碳酸酯、聚烯烃、环烯烃共聚物(COC)或聚酰亚胺。
阻挡膜可进一步在其表面上包括单层或多层无机涂层。无机涂层中的无机材料可包括无机氧化物，例如二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锆或其任何组合。因为无机涂层抑制氧或水分的渗透，所以阻挡膜的氧和/或水分阻挡功能可由无机涂层进一步加强。
光转换层被设置成使得由光源发射的光的至少一部分入射到光转换层上。
设置光转换层以使得由光源发射的光入射到光转换层上并不排除在光源和光转换层之间进一步包括其他装置的情况。因此，在光源和光转换层之间可进一步包括其他装置。
例如，光源可直接接触光转换层。因此，由光源发射的光可直接入射到光转换层上。
在一个实施方式中，光源可与光转换层分离。例如，光源可与光转换层分离，并且在光源和光转换层之间可包括其他装置。在光源和光转换层之间包括其他装置，包括：光源面对光转换层并且其它装置设置在它们之间的情况，以及其他装置设置在由光源发射并入射到光转换层的光的传播路径上的情况。
该装置可为，例如，引导光的导光板、扩散光的扩散板、改善比如亮度的光学特性的预定光学片、反射来自光源的光以提高外部提取的光学效率的反射膜或其任何组合。
光学片可为，例如，棱镜片、微透镜片、亮度增强片或其任何组合，但本公开的实施方式不限于此。因此，光学片可包括具有各种功能的片。
在一个实施方式中，导光板、扩散板、棱镜片、微透镜片、亮度增强片、反射膜或其任何组合可设置在光源和光转换层之间。导光板、扩散板、棱镜片、微透镜片、亮度增强片、反射膜或其任何组合设置在光源和光转换层之间，意味着导光板、扩散板、棱镜片、微透镜片、亮度增强片、反射膜或其任何组合设置在由光源发射并入射到光转换层上的光的传播路径上。
在一个或多个实施方式中，导光板、扩散板、棱镜片、微透镜片、亮度增强片、反射膜或其任何组合可设置在光转换层上。
例如，照明设备可进一步包括光源上的扩散板。在这种情况下，光转换层可设置在光源和扩散板之间，或者可设置在扩散板上。扩散板可与光转换层分离，或者扩散板可直接接触光转换层。
另外，除了扩散板之外，照明设备可进一步包括预定光学片。包括扩散板和光学片的照明设备可具有例如光源/光转换层/扩散板/光学片、光源/扩散板/光转换层/光学片或光源/扩散板/光转换层的堆叠结构，但本公开的实施方式不限于此。
在一个实施方式中，照明设备可进一步包括引导光的导光板。导光板可设置在光源上，或者可设置在光源的一侧表面上。在这种情况下，光转换层可设置在光源和导光板之间，或者可设置在导光板上。导光板可与光转换层分离，或者导光板可直接接触光转换层。
另外，除了光源的一个表面上的导光板之外，照明设备可进一步包括扩散板和/或光学片。例如，扩散板和光学片可按照所述顺序堆叠在导光板上。在这种情况下，光转换层可设置在光源和导光板之间、导光板和扩散板之间、扩散板和光学片之间或者光学片上。
在一个实施方式中，照明设备可进一步包括反射光的反射膜。反射膜可设置在光源和光转换层之间，或者可设置在光转换层上。反射膜可与光转换层分离，或者反射膜可直接接触光转换层。
另外，照明设备可包括光转换层、导光板和反射膜。在这种情况下，导光板可设置在光转换层和反射膜之间，但本公开的实施方式不限于此。
图8和图9是根据实施方式的照明设备700和800的示意图。
如图8和图9所示，照明设备中的光源721、722、723和820以及光转换层710和810被设置成使得由光源721、722、723和820发射的光入射到光转换层710和810上。
在图8中，光源721、722和723可设置在光转换层710之下，使得由光源721、722和723向上发射的光入射到光转换层710上。
在图9中，光源820设置在光转换层810的一侧。在这种情况下，可包括如同引导光的导光板830的其他装置，使得由光源820发射的光更有效地入射到光转换层810上。
如图8和图9所示的照明设备仅仅是实例，并且照明设备可以具有各种已知形式。鉴于此，可以进一步包括各种已知的配置。
上述照明设备可用于各种目的。例如，照明设备可以用作液晶显示器(LCD)的背光单元。另外，照明设备可用于室内或室外照明、舞台照明、装饰照明等。照明设备的应用不限于此。
在下文中，将更详细地描述根据实施方式的薄膜和电子设备。
[实施例]
实施例1至36和对比例1至4
由表1所示的钙钛矿化合物在玻璃基板上制造实施例1至36和对比例1至4的膜至40nm的厚度。
评价例1：膜中PLQY和FWHM的评价
对根据实施例1至36和对比例1至4制造的膜的PLQY和FWHM进行评价，且其结果示于表1中。通过使用包括氙灯光源、单色仪、光子多通道分析仪和积分球并利用PLQY测量软件的滨松光子学的绝对PL量子产率测量系统(滨松光子学有限公司，静冈市，日本)评价每种膜的PLQY，并且通过用ISC PC1分光荧光计分析PL光谱评价每种膜的FWHM。
[表1]
表1证实了实施例1至36的膜显示出适合用于有机发光装置的PLQY和FWHM。特别地，在金属和卤素X的组成相同的条件下，与使用包括Pb的钙钛矿化合物的膜相比，使用包括Sm的钙钛矿化合物的膜显示出高的PLQY和小的FWHM
实施例41
作为基板和阳极，将其中形成康宁15Ω/cm2(100nm)ITO的玻璃基板切割成50mm×50mm×0.5mm的尺寸，分别用丙酮、异丙醇和纯水超声处理15分钟，然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟进行清洗。然后，将玻璃基板提供至真空沉积设备。
将CuI沉积在ITO阳极上以形成厚度为80nm的空穴传输层，从而形成空穴传输区。
在空穴传输区上形成包括CsSmI3且厚度为40nm的发光层。
将TPBi沉积在发光层上以形成厚度为50nm的电子传输层，并将RbI和Yb以1:1的体积比共沉积在电子传输层上以形成厚度为1.5nm的电子注入层，从而形成电子传输区。
将Ag和Mg以9:1的体积比共沉积在电子传输区上以形成厚度为10nm的阴极，从而完成具有ITO(100nm)/CuI(80nm)/CsSmI3(40nm)/TPBi(50nm)/RbI:Yb(1.5nm)/AgMg(Mg10vol％,10nm)的结构的发光装置的制造。
实施例42至49以及对比例41和42
除了在形成发光层时各自使用表2所示的化合物代替CsSmI3之外，以与实施例41中相同的方式制造发光装置。
评价例2：有机发光装置的电流效率的评价
通过使用吉时利MU 236和亮度计PR650测量根据实施例41至49以及对比例41和42制造的有机发光装置的驱动电压(在5mA/cm2下)、外量子效率和电流密度，且其结果示于表2中。
[表2]
发光层 电流密度(cd/A)
实施例41 CsSmI<sub>3</sub> 0.82
实施例42 CsSmBrI<sub>2</sub> 1.01
实施例43 CsSmBr<sub>2</sub>I 1.80
实施例44 CsSmBr<sub>3</sub> 1.10
实施例45 CsSmBr<sub>2</sub>Cl 1.03
实施例46 CsSmBr<sub>1.5</sub>I<sub>1.5</sub> 0.8
实施例47 Cs(Sm<sub>0.05</sub>Eu<sub>0.95</sub>)I<sub>3</sub> 0.8
实施例48 Cs(Sm<sub>0.05</sub>Bi<sub>0.95</sub>)Cl<sub>3</sub> 0.7
实施例49 Cs(Sm<sub>0.05</sub>Ag<sub>0.95</sub>)Cl<sub>3</sub> 0.9
对比例41 CsPbBrI<sub>2</sub> 0.21
对比例42 CsPbBr<sub>3</sub> 0.51
表2证实了与对比例41和42的有机发光装置相比，实施例41至49的有机发光装置具有显著更高的电流密度。
实施例51
通过在玻璃基板上形成包括CsSmBrI2且厚度为40nm的第一层并在该第一层上形成包括CsSmBr3且厚度为40nm的第二层来形成光转换层。
对比例51
将包括InP/ZnS(λem＝530nm)量子点的溶液以3,000rpm的速度在玻璃基板上旋转涂布20秒以形成具有40nm厚度的第一层，并将包括InP/ZnS(λem＝650nm)量子点的溶液以3,000rpm到4,000rpm的速度在第一层上旋转涂布30秒以形成具有40nm厚度的第二层，从而形成光转换层。
评价例3：照明设备的颜色再现性的评价
对于根据实施例51和对比例51制造的光转换层以及其中没有形成光转换层的对比例52，通过使用蓝色LCD作为光源并使用NTSC 1931标准来评价每个照明设备的颜色再现性，且其结果示于表3中。
另外，对于根据实施例51和对比例51制造的光转换层以及其中没有形成光转换层的对比例52，通过使用蓝色LED作为光源并使用NTSC 1931标准来评价每个照明设备的颜色再现性，且其结果示于表4中。
[表3]
光转换层中所包括的化合物 发光颜色 颜色再现性
对比例51 InP/ZnS 103％
对比例52 其中没有形成光转换层的情况 72％
实施例51 CsSmBrI<sub>2</sub>/CsSmI<sub>3</sub> 129％
[表4]
光转换层中所包括的化合物 发光颜色 颜色再现性
对比例51 InP/ZnS 110％
对比例52 其中没有形成光转换层的情况 105％
实施例51 CsSmBrI<sub>2</sub>/CsSmI<sub>3</sub> 131％
表3和表4证实了与对比例51和52相比，实施例51的包括光转换层的照明设备具有优异的颜色再现性。
包括含有钙钛矿化合物的薄膜的电子设备可具有高的效率和/或长的寿命。包括含有钙钛矿化合物的光转换层的照明设备可具有高的颜色再现性。
应理解的是，本文描述的实施方式应仅被认为是描述性意义而不是为了限制的目的。通常应认为每个实施方式中的特征或方面的描述可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。
尽管已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离以下权利要求书中限定的精神和范围的情况下，在形式和细节方面可作出各种改变。

Claims (23)

1.一种电子设备，包括：
发光装置，所述发光装置包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；以及
在所述第一电极和所述第二电极之间并包括发光层的中间层，
其中所述发光层包括由式1至4中的一个表示的钙钛矿化合物：
<式1>
[A][B1 n1B2 (1-n1)][X]3
<式2>
[A]2[B1 n2B2 (1-n2)][X]4
<式3>
[A]3[B1 n2B2 (1-n2)]2[X]7
<式4>
[A]4[B1 n2B2 (1-n2)]3[X]10，
其中，在式1至4中，
A为至少一种单价有机阳离子、单价无机阳离子或其任何组合，
B1为Sm2+离子，
B2为至少一种二价无机阳离子且不包括Sm2+离子，
n1为满足0<n1≤1的实数，
n2为满足0<n2≤1的实数，且
X为至少一种单价阴离子。
2.如权利要求1所述的电子设备，其中：
A为(R1R2R3C)+、(R1R2R3R4N)+、(R1R2R3R4P)+、(R1R2R3R4As)+、(R1R2R3R4Sb)+、(R1R2N＝C(R3)-NR4R5)+、取代或未取代的环庚三烯单价阳离子、取代或未取代的五元含氮环的单价阳离子、取代或未取代的六元含氮环的单价阳离子、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+、Fr+或其任何组合，
R1至R5各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C6-C60芳基和-N(Q1)(Q2)，
所述取代的环庚三烯单价阳离子、所述取代的五元含氮环的单价阳离子和所述取代的六元含氮环的单价阳离子的至少一个取代基各自独立地选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C6-C60芳基和-N(Q3)(Q4)，且
Q1至Q4各自独立地选自氢、氘、羟基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基和C6-C60芳基。
3.如权利要求1所述的电子设备，其中：
B2为稀土金属的二价阳离子、碱土金属的二价阳离子或其任何组合。
4.如权利要求1所述的电子设备，其中：
(i)n1为满足0.01<n1≤0.2的实数，且由所述钙钛矿化合物发射蓝光；
n1为满足0.2<n1≤0.4的实数，且由所述钙钛矿化合物发射绿光；或者
n1为满足0.4<n1≤1的实数，且由所述钙钛矿化合物发射红光，且
(ii)n2为满足0.01<n2≤0.2的实数，且由所述钙钛矿化合物发射蓝光；
n2为满足0.2<n2≤0.4的实数，且由所述钙钛矿化合物发射绿光；或者
n2为满足0.4<n2≤1的实数，且由所述钙钛矿化合物发射红光。
5.如权利要求1所述的电子设备，其中：
X为选自Cl-、Br-和I-中的至少一种卤素阴离子。
6.如权利要求1所述的电子设备，其中：
所述电子设备为显示设备。
7.一种电子设备，包括：
第一基板；
有机发光装置；和
位于由所述有机发光装置发射的光的至少一个传播路径中的薄膜，
其中所述薄膜包括以下钙钛矿化合物：
<式1>
[A][B1 n1B2 (1-n1)][X]3
<式2>
[A]2[B1 n2B2 (1-n2)][X]4
<式3>
[A]3[B1 n2B2 (1-n2)]2[X]7
<式4>
[A]4[B1 n2B2 (1-n2)]3[X]10，
其中，在式1至4中，
A为至少一种单价有机阳离子、单价无机阳离子或其任何组合，
B1为Sm2+离子，
B2为至少一种二价无机阳离子且不包括Sm2+离子，
n1为满足0<n1≤1的实数，
n2为满足0<n2≤1的实数，且
X为至少一种单价阴离子。
8.如权利要求7所述的电子设备，其中：
B2为稀土金属的二价阳离子、碱土金属的二价阳离子或其任何组合。
9.如权利要求7所述的电子设备，其中：
(i)n1为满足0.01<n1≤0.2的实数，且由所述钙钛矿化合物发射蓝光；
n1为满足0.2<n1≤0.4的实数，且由所述钙钛矿化合物发射绿光；或者
n1为满足0.4<n1≤1的实数，且由所述钙钛矿化合物发射红光，且
(ii)n2为满足0.01<n2≤0.2的实数，且由所述钙钛矿化合物发射蓝光；
n2为满足0.2<n2≤0.4的实数，且由所述钙钛矿化合物发射绿光；或者
n2为满足0.4<n2≤1的实数，且由所述钙钛矿化合物发射红光。
10.如权利要求7所述的电子设备，其中：
X为选自Cl-、Br-和I-中的至少一种卤素阴离子。
11.如权利要求7所述的电子设备，其中：
所述电子设备为有机发光显示设备。
12.如权利要求7所述的电子设备，其中：
所述有机发光装置发射第一光，
所述薄膜吸收所述第一光并发射第二光，且
所述第一光和所述第二光具有彼此不同的最大发射波长。
13.如权利要求7所述的电子设备，其中：
所述薄膜包括：
由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物和由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物；或者
所述由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物、所述由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物和由式1至4中任一个表示的第三钙钛矿化合物。
14.如权利要求7所述的电子设备，其中：
(i)所述薄膜包括含有由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物的第一薄膜和含有由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物的第二薄膜，
所述有机发光装置发射第一光，
所以第一薄膜吸收所述第一光并发射第二光，
所述第二薄膜吸收所述第一光和所述第二光中的至少一个且发射第三光，且
所述第一光、所述第二光和所述第三光具有彼此不同的最大发射波长，或者
(ii)所述薄膜包括含有由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物的第一薄膜、含有由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物的第二薄膜和含有由式1至4中任一个表示的第三钙钛矿化合物的第三薄膜，
所述有机发光装置发射第一光，
所述第一薄膜吸收所述第一光并发射第二光，
所述第二薄膜吸收所述第一光和所述第二光中的至少一个且发射第三光，
所述第三薄膜吸收所述第一光、所述第二光和所述第三光中的至少一个且发射第四光，且
所述第一光、所述第二光、所述第三光和所述第四光具有彼此不同的最大发射波长。
15.一种照明设备，包括：
光源；和
光转换层，所述光转换层吸收由所述光源发射的光的至少一部分并发射具有与所吸收光的波段不同的波段的光，
其中所述光转换层包括由式1至4中的一个表示的钙钛矿化合物：
<式1>
[A][B1 n1B2 (1-n1)][X]3
<式2>
[A]2[B1 n2B2 (1-n2)][X]4
<式3>
[A]3[B1 n2B2 (1-n2)]2[X]7
<式4>
[A]4[B1 n2B2 (1-n2)]3[X]10，
其中，在式1至4中，
A为至少一种单价有机阳离子、单价无机阳离子或其任何组合，
B1为Sm2+离子，
B2为至少一种二价无机阳离子且不包括Sm2+离子，
n1为满足0<n1≤1的实数，
n2为满足0<n2≤1的实数，且
X为至少一种单价阴离子。
16.如权利要求15所述的照明设备，其中：
B2为稀土金属的二价阳离子、碱土金属的二价阳离子或其任何组合。
17.如权利要求15所述的照明设备，其中：
(i)n1为满足0.01<n1≤0.2的实数，且由所述钙钛矿化合物发射蓝光；
n1为满足0.2<n1≤0.4的实数，且由所述钙钛矿化合物发射绿光；或者
n1为满足0.4<n1≤1的实数，且由所述钙钛矿化合物发射红光，且
(ii)n2为满足0.01<n2≤0.2的实数，且由所述钙钛矿化合物发射蓝光；
n2为满足0.2<n2≤0.4的实数，且由所述钙钛矿化合物发射绿光；或者
n2为满足0.4<n2≤1的实数，且由所述钙钛矿化合物发射红光。
18.如权利要求15所述的照明设备，其中：
X为选自Cl-、Br-和I-中的至少一种卤素阴离子。
19.如权利要求15所述的照明设备，其中：
所述光源为荧光灯、发光二极管、有机发光二极管、量子点发光二极管或其任何组合。
20.如权利要求15所述的照明设备，其中所述照明设备满足条件(i)和(ii)中的至少一种：
(i)所述光源发射蓝光，且
所述光转换层包括：
由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物，所述第一钙钛矿化合物吸收所述蓝光并发射绿光；和
由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物，所述第二钙钛矿化合物吸收所述蓝光和所述绿光中的至少一个并发射红光，或者
(ii)所述光源发射紫外光，且
所述光转换层包括：
由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物，所述第一钙钛矿化合物吸收所述紫外光并发射蓝光；
由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物，所述第二钙钛矿化合物吸收所述紫外光和所述蓝光中的至少一个并发射绿光；和
由式1至4中任一个表示的第三钙钛矿化合物，所述第三钙钛矿化合物吸收所述紫外光、所述蓝光和所述绿光中的至少一个并发射红光。
21.如权利要求15所述的照明设备，其中所述照明设备满足条件(i)、(ii)和(iii)中的至少一种：
(i)所述光源发射蓝光，且
所述光转换层包括：
包括由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物的第一层，所述第一钙钛矿化合物吸收所述蓝光并发射绿光；和
包括由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物的第二层，所述第二钙钛矿化合物吸收所述蓝光和所述绿光中的至少一个并发射红光，
(ii)所述光源发射紫外光，且
所述光转换层包括：
i)包括由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物和由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物的第一层，所述第一钙钛矿化合物吸收所述紫外光并发射蓝光，所述第二钙钛矿化合物吸收所述紫外光和所述蓝光中的至少一个并发射绿光；和
包括由式1至4中任一个表示的第三钙钛矿化合物的第二层，所述第三钙钛矿化合物吸收所述紫外光、所述蓝光和所述绿光中的至少一个并发射红光，或者
ii)包括由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物的第一层，所述第一钙钛矿化合物吸收所述紫外光并发射蓝光；和
包括由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物和由式1至4中任一个表示的第三钙钛矿化合物的第二层，所述第二钙钛矿化合物吸收所述紫外光和所述蓝光中的至少一个并发射绿光，所述第三钙钛矿化合物吸收所述紫外光、所述蓝光和/或所述绿光并发射红光，或者
(iii)所述光源发射紫外光，且
所述光转换层包括：
包括由式1至4中任一个表示的第一钙钛矿化合物的第一层，所述第一钙钛矿化合物吸收所述紫外光并发射蓝光；
包括由式1至4中任一个表示的第二钙钛矿化合物的第二层，所述第二钙钛矿化合物吸收所述紫外光和所述蓝光中的至少一个并发射绿光；和
包括由式1至4中任一个表示的第三钙钛矿化合物的第三层，所述第三钙钛矿化合物吸收所述紫外光、所述蓝光和所述绿光中的至少一个并发射红光。
22.如权利要求15所述的照明设备，其中：
所述光转换层与所述光源的至少一个表面直接接触，或者
所述光源和所述光转换层彼此分离。
23.如权利要求15所述的照明设备，其中：
导光板、扩散板、棱镜片、微透镜片、亮度增强片、反射膜或其任何组合在所述光源和所述光转换层之间，或者
导光板、扩散板、棱镜片、微透镜片、亮度增强片、反射膜或其任何组合在所述光转换层上。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112164703A (zh) * 2020-09-17 2021-01-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
CN113823747A (zh) * 2020-06-18 2021-12-21 Tcl科技集团股份有限公司 纳米材料及其制备方法和发光二极管

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3997258A1 (en) * 2019-07-08 2022-05-18 The Regents of the University of California Synthesis of europium halide perovskites in solution phase
KR102411504B1 (ko) * 2020-04-10 2022-06-21 한국화학연구원 페로브스카이트 화합물용 전구체 및 이를 이용한 페로브스카이트 화합물의 제조방법
US20220344525A1 (en) * 2020-04-13 2022-10-27 CapeSym, Inc. Halide-Semiconductor Radiation Detector
CN113161499B (zh) * 2021-04-13 2022-06-17 浙江大学 光电器件及其制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007031503A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 赤色蛍光体及び白色発光装置
CN101073165A (zh) * 2004-12-06 2007-11-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 有机电致发光光源
CN107286026A (zh) * 2016-04-11 2017-10-24 三星显示有限公司 钙钛矿化合物以及包括钙钛矿化合物的薄层和光电子装置
CN107464886A (zh) * 2016-06-02 2017-12-12 三星显示有限公司 发光装置
CN107528003A (zh) * 2016-06-15 2017-12-29 三星显示有限公司 有机发光显示装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5882548A (en) 1997-05-08 1999-03-16 International Business Machines Corporation Luminescent organic-inorganic perovskites with a divalent rare earth metal halide framework
US6420056B1 (en) 1999-07-08 2002-07-16 International Business Machines Corporation Electroluminescent device with dye-containing organic-inorganic hybrid materials as an emitting layer
US6429318B1 (en) 2000-02-07 2002-08-06 International Business Machines Corporaiton Layered organic-inorganic perovskites having metal-deficient inorganic frameworks
US7854222B2 (en) 2008-06-26 2010-12-21 General Electric Company Pyrocatalytic coatings for heating devices
KR20110012246A (ko) 2009-07-30 2011-02-09 엘지이노텍 주식회사 백라이트 유닛
US20120113671A1 (en) 2010-08-11 2012-05-10 Sridhar Sadasivan Quantum dot based lighting
GB201208793D0 (en) 2012-05-18 2012-07-04 Isis Innovation Optoelectronic device
KR20140042274A (ko) 2012-09-28 2014-04-07 삼성전자주식회사 디스플레이패널 및 그 장치
KR101676291B1 (ko) 2014-01-27 2016-11-15 성균관대학교산학협력단 광전환층을 포함하는 백색 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법
EP2942826B1 (en) 2014-05-09 2023-03-01 Novaled GmbH Doped perovskites and their use as active and/or charge transport layers in optoelectronic devices
JP2016021488A (ja) 2014-07-14 2016-02-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体撮像素子
GB201421133D0 (en) * 2014-11-28 2015-01-14 Cambridge Entpr Ltd Electroluminescent device
CN104795505A (zh) 2015-04-09 2015-07-22 山西大同大学 一种有机发光二极管
KR102463735B1 (ko) 2015-06-22 2022-11-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102600473B1 (ko) 2016-06-09 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 조명장치
KR102586044B1 (ko) 2016-08-10 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101073165A (zh) * 2004-12-06 2007-11-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 有机电致发光光源
JP2007031503A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 赤色蛍光体及び白色発光装置
CN107286026A (zh) * 2016-04-11 2017-10-24 三星显示有限公司 钙钛矿化合物以及包括钙钛矿化合物的薄层和光电子装置
CN107464886A (zh) * 2016-06-02 2017-12-12 三星显示有限公司 发光装置
CN107528003A (zh) * 2016-06-15 2017-12-29 三星显示有限公司 有机发光显示装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GENCAI PAN等: "Doping Lanthanide into Perovskite Nanocrystals: Highly Improved and Expanded Optical Properties", 《NANO LETTERS》, pages 8005 - 8011 *
SJOERD A. VELDHUIS等: "Perovskite Materials for Light-Emitting Diodes and Lasers", 《ADVANCED MATERIALS》, pages 6804 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113823747A (zh) * 2020-06-18 2021-12-21 Tcl科技集团股份有限公司 纳米材料及其制备方法和发光二极管
CN112164703A (zh) * 2020-09-17 2021-01-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板

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