CN110197841B - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示面板。该显示面板包括有源区域和与有源区域相邻的外围区域，其中，有源区域包括显示区域和非显示区域，其中，显示区域包括多个发光像素，并且非显示区域包括多个非发光像素，多个发光像素中的发光像素包括发光元件，并且多个非发光像素中的非发光像素不包括任何发光元件或者包括不能发光的伪发光元件。

Description

显示面板
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年2月27日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0023885号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体地并入本文。
技术领域
本公开涉及一种显示面板。
背景技术
如有机发光二极管(OLED)显示器的显示装置包括显示面板，而显示面板包括用于显示图像的多个像素。每个像素包括用于接收数据信号的像素电极，并且像素电极连接到至少一个晶体管以接收电压。
最近，对各种形式的显示装置以及各种应用的需求已经出现。例如，显示装置可包括具有诸如圆形或椭圆形的非四边形形状的显示区域的显示面板。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本公开的背景的理解，因此其可能包含不构成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开提供了一种具有非四边形显示区域的显示面板。
本公开的示例性实施方式提供了一种显示面板，该显示面板包括有源区域和与有源区域相邻的外围区域，其中，有源区域包括显示区域和非显示区域，其中，显示区域包括多个发光像素，并且非显示区域包括多个非发光像素，多个发光像素中的发光像素包括发光元件，并且多个非发光像素中的非发光像素不包括任何发光元件或者包括不能发光的伪发光元件。
非显示区域可与显示区域相邻。
非显示区域与显示区域之间的边界可包括第一弯曲边缘。
在平面图中，多个发光像素与多个非发光像素在第一弯曲边缘处不重叠。
显示面板还可包括栅极驱动器和多个栅极线，其中，栅极驱动器设置在外围区域中，并且多个栅极线电连接到栅极驱动器，并且多个栅极线中的至少一个可在第一方向上延伸，可与第一弯曲边缘交叉，并且可穿过非显示区域和显示区域。
显示面板还可包括基板，基板相对于在第一方向上延伸的参考线具有不对称的形式。
有源区域的边界可包括第一弯曲边缘和面向第一弯曲边缘的至少一个第二弯曲边缘，并且基板可包括与第一弯曲边缘平行地延伸的第三弯曲边缘。
外围区域可包括第一外围区域和第二外围区域，其中，第一外围区域与显示区域相邻，并且第二外围区域与非显示区域相邻，并且第二外围区域可电连接到电路板。
非显示区域可包括面向第一弯曲边缘的线性侧，并且线性侧可形成非显示区域与第二外围区域之间的边界。
发光像素的发光元件可包括第一晶体管、第一绝缘层、第一连接件、第二绝缘层、第一像素电极、第三绝缘层、第一发射层和第一公共电极，其中，第一绝缘层具有设置在第一晶体管的导电区域上的第一接触孔，第一连接件通过第一接触孔电连接到第一晶体管的导电区域，第二绝缘层具有形成在第一连接件上的第二接触孔，第一像素电极通过第二接触孔电连接到第一连接件，第三绝缘层具有设置在第一像素电极上的第一开口，第一发射层设置在第一开口中，并且第一公共电极设置在第一发射层上，其中，多个非发光像素中的非发光像素包括伪发光元件，其中，伪发光元件不能发光，并且伪发光元件可包括排除了发光像素的发光元件的构成元件中的至少一个的、发光像素的发光元件的配置，其中，发光像素的发光元件的构成元件包括第二晶体管、第三接触孔、第二连接件、第四接触孔、第二像素电极、第二开口、第二发射层和第二公共电极，其中，第三接触孔形成在第一绝缘层中并且设置在第二晶体管的导电区域上，第二连接件通过第三接触孔电连接到第二晶体管的导电区域，第四接触孔形成在第二绝缘层中并且设置在第二连接件上，第二像素电极通过第四接触孔电连接到第二连接件，第二开口形成在第三绝缘层中并且设置在第二像素电极上，第二发射层设置在第二开口中，并且第二公共电极设置在第二发射层上。
本公开的另一实施方式提供了显示面板，该显示面板包括有源区域和与有源区域相邻的外围区域，其中，有源区域包括显示区域和非显示区域，其中，显示区域包括多个发光像素，并且非显示区域包括多个非发光像素，多个发光像素中的发光像素包括用于发光的发光元件，并且多个非发光像素中的非发光像素包括不能发光的伪发光元件。
非发光像素可包括晶体管、像素电极、第一绝缘层和公共电极，其中，像素电极电连接到晶体管，第一绝缘层设置在像素电极上，并且公共电极设置在第一绝缘层上，并且像素电极的整个上表面被第一绝缘层覆盖。
非发光像素可包括晶体管、第一绝缘层、第二绝缘层、发射层和公共电极，其中，第一绝缘层设置在晶体管上，第二绝缘层设置在第一绝缘层上并且包括开口，发射层设置在开口中，并且公共电极设置在发射层上，其中，发射层的整个下表面与第一绝缘层的上表面接触。
非发光像素可包括晶体管、像素电极、第一绝缘层和公共电极，其中，像素电极电连接到晶体管，第一绝缘层具有与像素电极重叠的开口，并且公共电极设置在像素电极上，其中，在开口中，像素电极可与公共电极接触。
非发光像素可包括多个晶体管、第一绝缘层、像素电极、发射层和公共电极，其中，第一绝缘层设置在晶体管上，像素电极设置在第一绝缘层上，发射层设置在像素电极上，并且公共电极设置在发射层上，并且像素电极不电连接到晶体管。
非发光像素可包括晶体管、像素电极和发射层，其中，像素电极电连接到晶体管，并且发射层设置在像素电极上，其中，发射层的上表面可不电连接到任何电极。
而本公开的又一实施方式提供了显示面板，该显示面板包括显示区域和非显示区域，其中，显示区域包括多个发光像素，并且非显示区域与显示区域相邻并且包括多个非发光像素，其中，多个发光像素中的发光像素和多个非发光像素中的非发光像素分别包括基板、晶体管、公共电极和第一层，其中，晶体管设置在基板上，公共电极设置在晶体管上，并且第一层用于与公共电极的上表面接触，其中，发光像素中的基板与第一层之间的配置不同于非发光像素中的基板与第一层之间的配置。
发光像素可包括第一像素电极和第一发射层，其中，第一像素电极电连接到晶体管，并且第一发射层与第一像素电极的上表面和公共电极的下表面接触，非发光像素可包括电连接到晶体管的第二像素电极，并且第二像素电极的整个上表面可被绝缘层覆盖。
发光像素可包括第一像素电极和第一发射层，其中，第一像素电极电连接到晶体管，并且第一发射层与第一像素电极的上表面和公共电极的下表面接触，非发光像素可包括与公共电极的下表面接触的第二发射层，并且第二发射层的下表面可不电连接到任何导体。
发光像素可包括第一像素电极和第一发射层，其中，第一像素电极电连接到晶体管，并且第一发射层与第一像素电极的上表面和公共电极的下表面接触，并且非发光像素可不包括任何发射层。
根据本公开的示例性实施方式，显示面板可具有非四边形形状的显示区域。
附图说明
图1示出了根据示例性实施方式的显示面板的布局图。
图2示出了图1中所示的显示面板的区域的布局图。
图3A和图3B分别示出了根据示例性实施方式的显示面板的区域的布局图。
图4示出了根据示例性实施方式的显示面板的显示区域与非显示区域之间的边界。
图5示出了根据示例性实施方式的显示面板中包括的像素的布局图。
图6示出了图5中所示的显示面板相对于线Va-Vb的剖面图。
图7、图8和图9A分别示出了根据示例性实施方式的显示面板的非发光像素相对于图5的线Va-Vb的剖面图。
图9B示出了包括图9A中所示的非发光像素的显示面板的布局图。
图10、图11和图12分别示出了根据示例性实施方式的显示面板的非发光像素相对于图5的线Va-Vb的剖面图。
图13示出了根据示例性实施方式的包括显示面板的头戴式显示装置。
具体实施方式
在下文中将参照示出了本公开的示例性实施方式的附图对本公开进行更加全面的描述。本领域普通技术人员将理解，所描述的实施方式可在不背离本公开的精神或范围的情况下以各种方式进行修改。
附图和描述本质上被认为是说明性的而非限制性的，并且在整个说明书中相同的附图标记表示相同的元件。
附图中所示的各个配置的尺寸和厚度为了更好地理解和易于描述和说明而被任意地示出，并且本公开不限于此。在附图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区域等的厚度可被夸大示出。为了更好地理解和易于描述和说明，一些层和区域的厚度可被夸大。
应理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，该元件可直接在另一元件上，或者也可存在有一个或多个中间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则可不存在中间元件。措辞“上(on)”或“上方(above)”意味着定位在对象部上或下，并且在本质上不意味着基于重力方向定位在对象部的上侧上。
除非另有明确相反的描述，否则措辞“包括(comprise)”以及诸如“包括(comprises)”或“包括有(comprising)”的变体将被理解为意图包含所述元件，而不排除任何其它元件。
在整个说明书中，平面图表示用于观察由彼此交叉的两个方向(例如，第一方向DR1和第二方向DR2)限定的侧面的视图，并且剖面图表示用于观察在与平行于第一方向DR1和第二方向DR2的侧面垂直的方向(例如，第三方想DR3)上切割的侧面的视图。此外，当两个构成元件彼此重叠时，这意味着两个构成元件在第三方向DR3上(例如，在与基板的上表面垂直的方向上)彼此重叠。
现在将参照图1至图7对根据示例性实施方式的显示面板进行描述。
参照图1和图2，根据示例性实施方式的显示面板1000可包括基板110。基板110可包括诸如玻璃或塑料的绝缘材料。基板110可为柔性的，并且其可为具有基本固定的形状的刚性基板。
显示面板1000的基板110包括有源区域AA和与有源区域AA相邻的外围区域PA。有源区域AA包括显示区域DA和至少一个非显示区域DAf。至少一个非显示区域DAf可与显示区域DA相邻。
有源区域AA中设置有多个信号线121和171。有源区域AA的显示区域DA中设置有多个像素PX，并且非显示区域DAf中设置有多个伪像素PXf。像素PX可被称为发光像素，并且伪像素PXf可被称为非发光像素。
信号线121和171可包括用于传输栅极信号的多个栅极线121、以及用于传输数据信号的多个数据线171。在有源区域AA中，连接到栅极线121和数据线171的开关元件可通过栅极信号导通或断开，并且导通的开关元件可将由数据线171传输的数据信号传输到与开关元件连接的电极。栅极线121基本上在第一方向DR1上延伸，并且数据线171可与多个栅极线121交叉，并且可基本上在第二方向DR2上延伸。
显示区域DA可在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的侧面上显示图像。设置在显示区域DA中的每个像素PX可包括至少一个开关元件和与其连接的一个发光元件。开关元件可为三端子元件，如集成在显示面板1000上的晶体管，并且可电连接到至少一个栅极线121和一个数据线171。当显示装置显示图像时，设置在显示区域DA中的像素PX可输出光，以使得用户可观察到在显示区域DA中显示的图像。
显示区域DA的边界可具有闭环形式，并且其可配置非四边形形式(诸如圆形形式或椭圆形形式)。例如，显示区域DA的边界可包括至少一个弯曲边缘DCG1和DCG2。
参照图1和图2，两个弯曲边缘DCG1和DCG2可形成两个边界，这两个边界设置在显示区域DA的上部和下部并且彼此面对。
如图1和图2中所示，弯曲边缘DCG1和DCG2可为弯曲的，并且与此不同，弯曲边缘DCG1和DCG2中的至少一个可为阶梯型并且可包括至少一个弯曲部。弯曲边缘DCG1和DCG2中的至少一个为逐步弯曲的，并且弯曲边缘DCG1和DCG2可包括在第一方向DR1或第二方向DR2上延伸的多个线。
当弯曲边缘DCG2逐步弯曲时，如图4中所示，弯曲边缘DCG2可对应于经过非显示区域DAf的伪像素PXf与显示区域DA的像素PX之间的边界。相应地，在平面图中，弯曲边缘DCG2可不与多个像素PX和多个伪像素PXf重叠。当显示面板1000的分辨率足够高时，弯曲边缘DCG1和DCG2可被识别为曲线。
参照图1，显示区域DA的边界还可包括连接两个弯曲边缘DCG1和DCG2的侧边DEG1和DEG2。两个侧边DEG1和DEG2可形成设置在显示区域DA的左侧和右侧上并且彼此面对的侧边界，并且它们可为与第二方向DR2平行地延伸的线性侧边。
此处，根据示例性实施方式，左和右意味着相对于显示面板1000的虚拟中心线CL的左侧和右侧，这将在下文中同样应用。此外，为了便于描述，示出了经过上侧上的弯曲边缘DCG1与侧边DEG1和DEG2之间的边界的虚拟水平线EL1和经过下侧上的弯曲边缘DCG2与侧边DEG1和DEG2之间的边界的虚拟水平线EL2。在下文中，上侧可意味着相对于水平线EL1的上部，并且下侧可意味着相对于水平线EL2的下部。
与图1和图2不同，显示区域DA的边界可不包括线性侧边，并且可形成圆形或椭圆形。这可通过减小图1和图2中所示的侧边DEG1和DEG2占据显示区域DA的侧边界的比例来实现。
与显示区域DA不同，非显示区域DAf不显示图像。详细地，当显示装置显示图像时，显示区域DA发光，但是设置在非显示区域DAf中的伪像素PXf不发光，因此它们可被识别为非显示区域。非显示区域DAf可具有与显示区域DA几乎相同的配置，并且可具有不显示图像的配置。通过类似的方式，伪像素PXf可具有与像素PX几乎相同的配置，并且可具有不能发光的配置。也就是说，像素PX可接收数据电压并且可发光，并且伪像素PXf可具有不发光的配置。将在本说明书的后一部分中对其详细配置进行描述。
设置在非显示区域DAf中的伪像素PXf的排列形式可基本上对应于设置在显示区域DA中的像素PX的排列形式。例如，设置在非显示区域DAf中的伪像素PXf之间的间距或伪像素PXf的尺寸可基本上对应于设置在显示区域DA中的像素PX之间的间距或像素PX的尺寸。
如上所述，至少一个非显示区域DAf可设置在显示区域DA附近，并且特别地，其可与包括在显示区域DA中的至少一个弯曲边缘DCG2相邻。参照图1和图2，左侧上的非显示区域DAf与显示区域DA的下部上的弯曲边缘DCG2的左侧部分相邻，并且右侧上的非显示区域DAf可与显示区域DA的下部上的弯曲边缘DCG2的右侧部分相邻。相应地，非显示区域DAf与显示区域DA之间的边界可对应于显示区域DA的弯曲边缘DCG2。
作为非显示区域DAf与显示区域DA之间的边界的弯曲边缘DCG2可不是附加构成元件或附加层的实际边界。如上所述，弯曲边缘DCG2可对应于经过非显示区域DAf的伪像素PXf与显示区域DA的像素PX之间的边界。当显示面板1000显示图像时，非显示区域DAf的伪像素PXf与显示区域DA的像素PX之间的边界可通过显示图像的区域与不显示图像的区域来区分开。在一些实施方式中，当显示面板1000不显示图像时，非显示区域DAf的伪像素PXf与显示区域DA的像素PX之间的边界可在可不发光的伪像素PXf与可发光的像素PX之间区分开。
在非显示区域DAf的边界中与显示区域DA不相邻的边界可包括侧边DSGf。侧边DSGf可为与第一方向DR1平行地延伸的线性侧。侧边DSGf可包括在有源区域AA的下边界上。作为示例性实施方式，如图1和图2中所示，侧边DSGf的一部分可与显示区域DA的下侧的弯曲边缘DCG2相切。
包括显示区域DA和非显示区域DAf的有源区域AA的整个平面可具有由上部上的弯曲边缘DCG1、左侧和右侧上的边缘DEG1和DEG2以及下部上的侧边DSGf围绕的非四边形形状。为了便于描述，显示区域DA的弯曲边缘DCG1也将被称为有源区域AA的弯曲边缘DCG1，显示区域DA的边缘DEG1和DEG2也将被称为有源区域AA的侧边DEG1和DEG2，并且非显示区域DAf的侧边DSGf也将被称为有源区域AA的侧边DSGf。
具体地，在本示例性实施方式中，彼此相邻的显示区域DA与非显示区域DAf之间的边界可形成弯曲边缘DCG2，并且至少一个栅极线121可延伸越过可形成显示区域DA与非显示区域DAf之间的边界的弯曲边缘DCG2。也就是说，与形成显示区域DA与非显示区域DAf之间的边界的弯曲边缘DCG2交叉的栅极线121可穿过左侧上的非显示区域DAf，可与左侧上的弯曲边缘DCG2交叉，可穿过显示区域DA，可与右侧上的弯曲边缘DCG2交叉，并且可穿过右侧上的非显示区域DAf。
外围区域PA可包括第一外围区域PA1和第二外围区域PA2，其中，第一外围区域PA1与有源区域AA的边界之中的左侧、右侧和上侧上的边界相邻，并且第二外围区域PA2与下侧的边界相邻。
第一外围区域PA1可沿有源区域AA的边界延伸。例如，第一外围区域PA1可包括一对线性部分和弯曲部，其中，一对线性部分沿有源区域AA的左侧上的侧边DEG1和右侧上的侧边DEG2延伸，并且弯曲部沿有源区域AA的上侧上的弯曲边缘DCG1延伸。
参照图1和图2，第一外围区域PA1可包括从有源区域AA的上侧、左侧和右侧上的边界设置到基板110的边界的区域。基板110的边界之中与第一外围区域PA1相邻的边界可包括侧边SEG1和SEG2以及弯曲边缘SCG，其中，侧边SEG1和SEG2与有源区域AA的侧边DEG1和DEG2平行地延伸，并且弯曲边缘SCG与有源区域AA的上侧上的弯曲边缘DCG1平行地延伸。
弯曲边缘SCG可基本上具有圆形曲线形式。弯曲边缘SCG可连接到侧边SEG1和SEG2之间侧边SEG1和SEG2。侧边SEG1和SEG2可为线性侧。因为基板110的边界是显示面板1000的边界，因此基板110的边界上的侧边SEG1和SEG2以及弯曲边缘SCG可对应于显示面板1000的边界上的侧边SEG1和SEG2以及弯曲边缘SCG。
第二外围区域PA2可设置在非显示区域DAf的下部中。第二外围区域PA2可对应于从有源区域AA的下边界至基板110的边界的区域。基板110的边界之中的与第二外围区域PA2相邻的边界可包括侧边SSG以及侧边SEG1和SEG2，其中，侧边SSG与有源区域AA的非显示区域DAf或下侧上的侧边DSGf平行地延伸，并且侧边SEG1和SEG2从第一外围区域PA1延伸。侧边SSG可为线性侧。如图1和图2中所示，基板110下侧上的侧边SSG与左侧和右侧上的侧边SEG1和SEG2相交的角部可为指向的。在其它实施方式中，角部可以倾斜方式切割或者可形成圆形曲线。
栅极驱动器400a和400b可分别设置在第一外围区域PA1中的左侧和右侧上。
栅极驱动器400a和400b可连接到设置在有源区域AA中的栅极线121以传输栅极信号。栅极驱动器400a和400b可分别包括顺序地彼此连接的多个级40和41。级40和41可分别连接到对应的栅极线121。包括级40和41的栅极驱动器400a和400b可与设置在有源区域AA中的多个信号线121和171以及开关元件一起形成在基板110上。
级40和41可分别包括用于产生栅极信号的多个晶体管和至少一个电容器，并且密集地形成有多个晶体管和电容器的区域可具有在一个方向上伸长的平面形状。
在级40和41之中，设置在有源区域AA的侧边DEG1和DEG2与基板110的侧边SEG1和SEG2之间的级40可基本上与第一方向DR1平行地伸长。相反，设置在有源区域AA的弯曲边缘DCG1与基板110的弯曲边缘SCG之间的级41可基本上在与第一方向DR1和第二方向DR2不同的方向上伸长。
第一外围区域PA1中设置在左侧和右侧上的级40可具有基本上相同的形式，并且可基本上在第二方向DR2上排列，并且第一外围区域PA1中相对于水平线EL1设置在上侧上的级41可设置成与级40不同的形式。详细地，级41可沿弯曲边缘DCG1以逐渐旋转的方式设置。例如，级40和41伸长的方向可基本上与有源区域AA的边界的垂直线平行。
设置在左侧或右侧上的栅极驱动器400a和400b中的一个可被省略。
第二外围区域PA2中可设置有驱动电路部700和焊盘部PAD。
驱动电路部700可将用于驱动显示面板1000的驱动信号输出到第一外围区域PA1和有源区域AA。驱动电路部700可包括粘结并连接到显示面板1000的驱动电路芯片。数据线171可朝向第二外围区域PA2延伸并且可连接到驱动电路部700，并且可从驱动电路部700接收数据信号。
焊盘部PAD可与显示面板1000的下边界相邻。焊盘部PAD可包括用于与电路板(如柔性印刷电路(FPC)板)电连接的多个焊盘。
根据示例性实施方式的显示装置还可包括电连接到显示面板1000的焊盘部PAD的电路板600。电路板600可为柔性膜类型。
显示面板1000还可包括设置在外围区域PA中的电压传输线177。电压传输线177可包括在第一外围区域PA1中沿有源区域AA的边界延伸的部分、以及设置在第二外围区域PA2中并且连接到焊盘部PAD的部分。电压传输线177可将恒定电压(如公共电压(ELVSS))传输到有源区域AA。
与上侧上的边界的弯曲边缘SCG不同，基板110的下侧上的边界(例如，侧边SSG)可为不弯曲的，并且用于将驱动信号传输到根据示例性实施方式的显示装置的电路板600可连接到显示面板1000的下部。也就是说，显示面板1000和基板110的边界从顶部到底部可是不对称的。基板110的第二外围区域PA2中可设置有连接到电路板600的多个导线。
参照图1和图2，设置在显示面板1000的左侧和右侧上的非显示区域DAf可基本上彼此分离。非显示区域DAf的下侧上的侧边DSGf可基本上形成单个连续的线。
参照图3A，设置在显示面板1000a的左侧和右侧上的非显示区域DAf(主要对应于上述的显示面板1000的非显示区域DAf)可彼此连接以形成连续的非显示区域DAf。在这种情况下，非显示区域DAf的下侧上的侧边DSGf可与显示区域DA的下侧上的弯曲边缘DCG2分离。
参照图3B，设置在显示面板1000b的左侧和右侧上的非显示区域DAf(主要对应于显示面板1000的非显示区域DAf)可在第一方向DR1上彼此分离，并且非显示区域DAf的各个侧边DSGf可彼此分离。在这种情况下，侧边DSGf可不与显示区域DA的下侧上的弯曲边缘DCG2接触。
根据示例性实施方式的显示面板1000、1000a和1000b可包括多个层，其中，多个层设置在基板110上并在其上被图案化。现在将参照图5和图6对层的平面结构和剖面结构进行描述。
基板110上可设置有阻挡层120。如图所示，阻挡层120可包括多个层，或者其可形成为单层。
阻挡层120上设置有有源图案130。有源图案130可包括用于形成包括在一个像素PX中的多个晶体管T1、T2、T3_1、T3_2、T4_1、T4_2、T5、T6和T7的各自的沟道的沟道区131a、131b、131c_1、131c_2、131d_1、131d_2、131e、131f和131g。另外，有源图案130可包括导电区域，该导电区域包括设置在晶体管T1、T2、T3_1、T3_2、T4_1、T4_2、T5、T6和T7的沟道区131a、131b、131c_1、131c_2、131d_1、131d_2、131e、131f和131g的各自侧上的源区136a、136b、136c_1、136c_2、136d_1、136d_2、136e、136f和136g以及漏区137a、137b、137c_1、137c_2、137d_1、137d_2、137e、137f和137g。
有源图案130可包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。
有源图案130上可设置有第一绝缘层141，并且第一绝缘层141上可设置有第一导电层。第一导电层可包括多个扫描线151、152和154、控制线153和驱动栅电极155a。扫描线154与扫描线152基本上相同，并且扫描线154可传输由扫描线152传输的扫描信号之后的下一级上的扫描信号。多个扫描线151、152和154以及控制线153可包括在上述的栅极线121中。
有源图案130和与其重叠的多个扫描线151、152和154以及控制线153可形成多个晶体管T1、T2、T3_1、T3_2、T4_1、T4_2、T5、T6和T7。第一晶体管T1包括沟道区131a、源区136a和漏区137a以及与沟道区131a在平面中重叠的驱动栅电极155a。第二晶体管T2包括沟道区131b、源区136b和漏区137b以及作为扫描线151的在平面中与沟道区131b重叠的一部分的栅电极155b。第三晶体管T3_1和T3_2可包括彼此连接的子晶体管T3_1和T3_2。子晶体管T3_1包括沟道区131c_1、源区136c_1和漏区137c_1以及作为扫描线151的与沟道区131c_1重叠的一部分的栅电极155c_1。子晶体管T3_2包括沟道区131c_2、源区136c_2和漏区137c_2、以及作为扫描线151的与沟道区131c_2重叠的一部分的栅电极155c_2。第四晶体管T4_1和T4_2可包括彼此连接的子晶体管T4_1和T4_2。子晶体管T4_1包括沟道区131d_1、源区136d_1和漏区137d_1以及作为扫描线152的与沟道区131d_1重叠的一部分的栅电极155d_1。子晶体管T4_2包括沟道区131d_2、源区136d_2和漏区137d_2以及作为扫描线152的与沟道区131d_2重叠的一部分的栅电极155d_2。第五晶体管T5包括沟道区131e、源区136e和漏区137e以及作为控制线153的与沟道区131e重叠的一部分的栅电极155e。第六晶体管T6包括沟道区131f、源区136f和漏区137f以及作为控制线153的与沟道区131f重叠的一部分的栅电极155f。第七晶体管T7包括沟道区131g、源区136g和漏区137g以及作为扫描线154的与沟道区131g重叠的一部分的栅电极155g。
第一导电层和第一绝缘层141上可设置有第二绝缘层142，并且第二绝缘层142上可设置有第二导电层。第二导电层可包括存储线156和用于传输初始化电压的初始化电压线159。存储线156可包括设置在像素PX中的延伸部157。延伸部157的一部分可被去除以形成开口51。
第二导电层和第二绝缘层142上可设置有第三绝缘层160。
阻挡层120、第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层160中的至少一个可包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiON)。第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层160中的一些或全部可具有多个接触孔61、62、63、64、65、67、68和69。
第三绝缘层160上可设置有第三导电层。第三导电层可包括上述的电压传输线177和数据线171、驱动电压线172以及多个连接件174、175和179。数据线171和驱动电压线172可基本上在第二方向DR2上延伸，并且可与多个扫描线151、152和154交叉。
连接件174的第一部分可通过存储线156的延伸部157的开口51和开口51中的接触孔61连接到驱动栅电极155a，并且连接件174的第二部分可通过接触孔63连接到第三晶体管T3的子晶体管T3_1的漏区137c_1和第四晶体管T4的子晶体管T4_1的漏区137d_1。连接件175可通过接触孔64连接到初始化电压线159，并且可通过接触孔65连接到第七晶体管T7的漏区137g。连接件179可通过接触孔69连接到第六晶体管T6的漏区137f。数据线171可通过接触孔62连接到第二晶体管T2的源区136b，并且驱动电压线172可通过接触孔67连接到第五晶体管T5的源区136e并且通过接触孔68连接到存储线156的延伸部157。因此，存储线156的延伸部157可接收驱动电压线172的驱动电压(ELVDD)。
第一导电层、第二导电层和第三导电层中的至少一个可包括导电材料，诸如铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)以及它们中至少两种的合金。
驱动栅电极155a和存储线156的延伸部157彼此重叠并且可形成电容器Cst，其中，驱动栅电极155a与存储线156的延伸部157之间具有第二绝缘层142。
第三导电层和第三绝缘层160上设置有作为第四绝缘层的钝化层180。钝化层180可具有设置在连接件179上的接触孔89。钝化层180可包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料，诸如聚丙烯酸基树脂或聚酰亚胺基树脂。
钝化层180上设置有像素电极层。像素电极层可包括像素电极191。像素电极191可通过接触孔89连接到连接件179以接收数据电压。像素电极层还可包括像素导电图案192。像素导电图案192可沿像素电极191的边界弯曲。像素导电图案192可传输初始化电压。在一些实施方式中，像素导电图案192可被省略。像素电极层可包括半透导电材料或反射导电材料。
钝化层180和像素电极层上设置有作为第五绝缘层的像素限定层350。像素限定层350的设置在像素电极191上的部分可被去除以形成与像素电极191重叠的开口351。像素限定层350可包括光敏材料，诸如聚丙烯酸基树脂或聚酰亚胺基树脂。像素限定层350可为透明的或不透明的，并且其可包括如炭黑的颜料。
像素电极191上设置有发射层370。发射层370可包括设置在像素限定层350的开口351中的部分。发射层370可包括有机发射材料或无机发射材料。在平面图中，开口351的区域可对应于像素PX发光的区域。
发射层370上设置有公共电极270。公共电极270形成在像素限定层350上，并且其可连续地横跨多个像素PX来形成。公共电极270可包括导电透明材料。
在显示区域DA中，像素PX的像素电极191、发射层370和公共电极270形成作为发光元件的发光二极管ED，并且像素电极191和公共电极270中的一个对应于阴极，而另一个对应于发光二极管ED的阳极。发光二极管ED可为自发光元件。
公共电极270上可设置有封装层380。封装层380可通过防止外部杂质渗透来保护发光二极管ED。封装层380可包括至少一个有机层382和至少一个无机层381和383。有机层382的下侧沿无机层381的表面可具有距基板110不同的高度，并且其上侧可形成平坦表面。
现在将参照图5、图6和图7至图12对设置在显示面板1000、1000a和1000b的非显示区域DAf中的伪像素PXf的各种配置进行描述。
如上所述，伪像素PXf可具有与参照图5和图6描述的像素PX几乎相同的配置，但是其可具有不能产生光并因此不能发光的配置。
详细地，像素PX的发光二极管ED的公共电极270可电连接到包括在像素PX中的多个晶体管(特别是，第六晶体管T6)以接收电压并向发射层370施加电流。然而，伪像素PXf可不包括发光二极管(LED)(例如，其可不包括发射层)，或者当伪像素PXf包括具有与发光二极管相同的配置的伪发光二极管时，伪像素PXf可具有像素电极191不电连接到多个晶体管(特别是，第六晶体管T6)的配置，因此伪像素PXf可不接收电压，并且没有电流施加到伪发光二极管，因此不能发光。
参照图7，作为非发光像素的伪像素PXf的实例，伪像素PXfa通常具有与像素PX相同的配置，但是像素限定层350可不包括设置在伪像素PXf的像素电极191上的开口351。相应地，像素电极191的整个上表面被像素限定层350覆盖并与其接触，并且当发射层370f设置在像素限定层350上时，发射层370f可不与像素电极191接触。发射层370f通常对应于上述的发射层370，并且其可设置在像素限定层350上。与此不同，发射层370f可被省略。相应地，像素电极191和公共电极270不能在伪像素PXfa中形成发光二极管，因此伪像素PXfa无法发光。
参考图8，作为伪像素PXf的实例，伪像素PXfb通常具有与像素PX相同的配置，但是可不形成像素电极191。因此，当形成发射层370时，发射层370的整个底(或下)表面可不与导体或电极接触并且可与钝化层180的上表面接触。相应地，伪像素PXfb上未形成发光二极管，因此伪像素PXfb无法发光。
参照图9A和图9B，作为伪像素PXf的实例，伪像素PXfc通常具有与像素PX相同的配置，但是可不形成发射层370。因此，设置在非显示区域DAf中的公共电极270b可与像素电极191接触。因此，伪像素PXfc中未形成发光二极管，因此伪像素PXfc不能发光。
参照图9B，在本示例性实施方式中，设置在非显示区域DAf中的公共电极270b可与设置在显示区域DA中的公共电极270a电气地且物理地分离。公共电极270a与上述的公共电极270大致相同，但是公共电极270a可仅设置在显示区域DA中。设置在非显示区域DA中的公共电极270b可不接收公共电压并且可浮置。
与图9A和图9B中所示的不同，可省略非显示区域DAf中的公共电极270b。在这种情况下，在非显示区域DAf中，像素电极191的整个上表面可不与公共电极接触，而是可与另一层(例如，如封装层380的绝缘层)接触。
参照图10和图11，作为伪像素PXf的实例，伪像素PXfd和PXfe通常具有与像素PX相同的配置，但是像素电极191可不电连接到任何晶体管，并且其可不接收电压。
详细地，参考图10，伪像素PXfd通常具有与像素PX相同的配置，但是可不形成连接件179。因此，像素电极191可不与用于传输数据电压的晶体管(例如，晶体管T6)电连接，并且像素电极191可不接收数据电压。因此，当像素电极191、发射层370和公共电极270形成伪发光二极管EDf，并且显示面板被驱动时，伪像素PXfd的伪发光二极管EDf可一直被断开并且无法发光。
与图10中所示的不同，可形成或可不形成连接件179，并且可不形成第三绝缘层160的接触孔69，因此第三绝缘层160可覆盖第六晶体管T6的漏区137f的整个上侧。
参照图11，伪像素PXfe通常具有与像素PX相同的配置，但是钝化层180可不具有设置在连接件179上的接触孔89。相应地，像素电极191可不与用于接收数据电压的连接件179电连接，因此其可不接收数据电压。因此，当像素电极191、发射层370和公共电极270形成伪发光二极管EDf，并且显示装置被驱动时，伪像素PXfe的伪发光二极管EDf可一直被断开并且无法发光。
参照图12，作为伪像素PXf的实例，伪像素PXfg通常具有与像素PX相同的配置，但是发射层370和像素限定层上350可不形成有公共电极270。也就是说，发射层370的上表面可不电连接到任何电极。相应地，伪像素PXfg上未形成发光二极管，因此伪像素PXfg无法发光。
根据示例性实施方式的显示面板可包括基于图7至图12中所示的伪像素PXfa、PXfb、PXfc、PXfd、PXfe和PXfg的各个特性的各种特性。
除了所示的之外，伪像素PXf可包括各种类型的配置，其中当没有形成发光元件(例如，发光二极管)时电压可不传输到像素电极191，或者其包括具有与发光二极管相同的配置的伪发光二极管。例如，在非显示区域DAf中，可去除有源图案130的一个或多个层，至少可省略第六晶体管T6，可省略绝缘层中的接触孔61、62、63、64、65、67、68和69中的一个或多个，可去除第一导电层，可去除第三导电层，可同时应用上面所列的省略的层中的至少两个，或者可应用参照附图的上面所列的省略的层与上述的其它特征的任何组合。在这些情况下，可添加层，或者可在没有附加配置的情况下形成非显示区域DAf，从而防止生产成本增加。
参照图13和上述的附图，根据示例性实施方式的显示装置可包括根据上述的示例性实施方式的显示面板1000、1000a和1000b中的一个或多个。例如，根据示例性实施方式，头戴式显示装置2000可包括一对显示面板1000L和1000R以及用于固定它们的框架2001。各个显示面板1000L和1000R可显示可输入到用户的各个眼睛的图像。
各个显示面板1000L和1000R可设置成使得显示面板1000L和1000R的弯曲边缘SCG可与用户的鼻子相邻。也就是说，通过将非显示区域DAf设置为向上设置并且将弯曲边缘SCG设置为向下设置并且提供与用户的鼻子相邻的弯曲边缘SCG，可改善显示装置2000的可佩戴性。设置在距离用户的鼻子的较远侧的显示面板1000L和1000R的边界可不以与弯曲边缘SCG的类似形式弯曲。非显示区域DAf设置在显示面板1000L和1000R的上边界附近，以使得由用户的眼睛观察到的图像的显示区域DA可被识别为非四边形形式，例如，圆形形式或椭圆形形式。
虽然已结合目前被认为是示例性实施方式对本公开进行了描述，但是应理解，本公开不限于所公开的实施方式，而是相反，旨在涵盖包括在所附权利要求书的精神和范围内的各种修改和等同设置。

Claims (17)

1.显示面板，包括：
有源区域和与所述有源区域相邻的外围区域，
其中，所述有源区域包括：
显示区域，所述显示区域包括多个发光像素；以及
非显示区域，所述非显示区域包括多个非发光像素，
所述多个发光像素中的发光像素包括发光元件，以及
所述多个非发光像素中的非发光像素不包括任何发光元件或者包括不能发光的伪发光元件，
其中，所述非显示区域与所述显示区域之间的边界包括第一弯曲边缘，并且
其中，在平面图中，所述多个发光像素与所述多个非发光像素在所述第一弯曲边缘处不重叠。
2.如权利要求1所述的显示面板，其中，所述非显示区域与所述显示区域相邻。
3.如权利要求1所述的显示面板，还包括：
栅极驱动器，所述栅极驱动器设置在所述外围区域中；以及
多个栅极线，所述多个栅极线电连接到所述栅极驱动器，
其中，所述多个栅极线中的至少一个在第一方向上延伸，与所述第一弯曲边缘交叉，并穿过所述非显示区域和所述显示区域。
4.如权利要求1所述的显示面板，还包括：
基板，所述基板相对于参考线具有不对称的形式。
5.如权利要求4所述的显示面板，其中，所述有源区域的边界包括所述第一弯曲边缘和面向所述第一弯曲边缘的至少一个第二弯曲边缘，以及
所述基板包括与所述第一弯曲边缘平行地延伸的第三弯曲边缘。
6.如权利要求5所述的显示面板，其中，
所述外围区域包括：
第一外围区域，所述第一外围区域与所述显示区域相邻；以及
第二外围区域，所述第二外围区域与所述非显示区域相邻，并且所述第二外围区域电连接到电路板。
7.如权利要求6所述的显示面板，其中，所述非显示区域包括面向所述第一弯曲边缘的线性侧，以及
所述线性侧形成所述非显示区域与所述第二外围区域之间的边界。
8.如权利要求1所述的显示面板，其中，所述发光像素的所述发光元件包括：
第一晶体管；
第一绝缘层，所述第一绝缘层具有设置在所述第一晶体管的导电区域上的第一接触孔；
第一连接件，所述第一连接件通过所述第一接触孔电连接到所述第一晶体管的所述导电区域；
第二绝缘层，所述第二绝缘层具有设置在所述第一连接件上的第二接触孔；
第一像素电极，所述第一像素电极通过所述第二接触孔电连接到所述第一连接件；
第三绝缘层，所述第三绝缘层具有设置在所述第一像素电极上的第一开口；
第一发射层，所述第一发射层设置在所述第一开口中；以及
第一公共电极，所述第一公共电极设置在所述第一发射层上，
其中，所述多个非发光像素中的非发光像素包括：
伪发光元件，所述伪发光元件不能发光，并且所述伪发光元件包括排除了所述发光像素的所述发光元件的构成元件中的至少一个的、所述发光像素的所述发光元件的配置，其中，所述发光像素的所述发光元件的所述构成元件包括：
第二晶体管；
第三接触孔，所述第三接触孔形成在所述第一绝缘层中并且设置在所述第二晶体管的导电区域上；
第二连接件，所述第二连接件通过所述第三接触孔电连接到所述第二晶体管的所述导电区域；
第四接触孔，所述第四接触孔形成在所述第二绝缘层中并且设置在所述第二连接件上；
第二像素电极，所述第二像素电极通过所述第四接触孔电连接到所述第二连接件；
第二开口，所述第二开口形成在所述第三绝缘层中并且设置在所述第二像素电极上；
第二发射层，所述第二发射层设置在所述第二开口中；以及
第二公共电极，所述第二公共电极设置在所述第二发射层上。
9.显示面板，包括：
有源区域和与所述有源区域相邻的外围区域，
其中，所述有源区域包括：
显示区域，所述显示区域包括多个发光像素；以及
非显示区域，所述非显示区域包括多个非发光像素，
所述多个发光像素中的发光像素包括用于发光的发光元件，以及
所述多个非发光像素中的非发光像素包括不能发光的伪发光元件，
其中，所述非显示区域与所述显示区域之间的边界包括第一弯曲边缘，并且
其中，在平面图中，所述多个发光像素与所述多个非发光像素在所述第一弯曲边缘处不重叠。
10.如权利要求9所述的显示面板，其中，所述非发光像素包括：
晶体管；
像素电极，所述像素电极电连接到所述晶体管；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述像素电极上；以及
公共电极，所述公共电极设置在所述第一绝缘层上，以及
所述像素电极的整个上表面被所述第一绝缘层覆盖。
11.如权利要求9所述的显示面板，其中，所述非发光像素包括：
晶体管；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述晶体管上；
第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上并且包括开口；
发射层，所述发射层设置在所述开口中；以及
公共电极，所述公共电极设置在所述发射层上，
其中，所述发射层的整个下表面与所述第一绝缘层的上表面接触。
12.如权利要求9所述的显示面板，其中，所述非发光像素包括：
晶体管；
像素电极，所述像素电极电连接到所述晶体管；
第一绝缘层，所述第一绝缘层具有与所述像素电极重叠的开口；以及
公共电极，所述公共电极设置在所述像素电极上，
其中，在所述开口中，所述像素电极与所述公共电极接触。
13.如权利要求9所述的显示面板，其中，所述非发光像素包括：
多个晶体管；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述多个晶体管上；
像素电极，所述像素电极设置在所述第一绝缘层上；
发射层，所述发射层设置在所述像素电极上；以及
公共电极，所述公共电极设置在所述发射层上，以及
所述像素电极不电连接到所述晶体管。
14.如权利要求9所述的显示面板，其中，所述非发光像素包括：
晶体管；
像素电极，所述像素电极电连接到所述晶体管；以及
发射层，所述发射层设置在所述像素电极上，
其中，所述发射层的上表面不电连接到任何电极。
15.显示面板，包括：
显示区域，所述显示区域包括多个发光像素；以及
非显示区域，所述非显示区域与所述显示区域相邻并且包括多个非发光像素，
其中，所述多个发光像素中的发光像素和所述多个非发光像素中的非发光像素分别包括：
基板；
晶体管，所述晶体管设置在所述基板上；
公共电极，所述公共电极设置在所述晶体管上；以及
第一层，所述第一层用于与所述公共电极的上表面接触，
其中，所述发光像素中的所述基板与所述第一层之间的配置不同于所述非发光像素中的所述基板与所述第一层之间的配置，
其中，所述发光像素包括：
第一像素电极，所述第一像素电极电连接到所述晶体管；以及
第一发射层，所述第一发射层与所述第一像素电极的上表面和所述公共电极的下表面接触，
所述非发光像素包括电连接到所述晶体管的第二像素电极，以及
所述第二像素电极的整个上表面被绝缘层覆盖。
16.显示面板，包括：
显示区域，所述显示区域包括多个发光像素；以及
非显示区域，所述非显示区域与所述显示区域相邻并且包括多个非发光像素，
其中，所述多个发光像素中的发光像素和所述多个非发光像素中的非发光像素分别包括：
基板；
晶体管，所述晶体管设置在所述基板上；
公共电极，所述公共电极设置在所述晶体管上；以及
第一层，所述第一层用于与所述公共电极的上表面接触，
其中，所述发光像素包括：
第一像素电极，所述第一像素电极电连接到所述晶体管；以及
第一发射层，所述第一发射层与所述第一像素电极的上表面和所述公共电极的下表面接触，
所述非发光像素包括与所述公共电极的下表面接触的第二发射层，以及
所述第二发射层的下表面不电连接到任何导体。
17.显示面板，包括：
显示区域，所述显示区域包括多个发光像素；以及
非显示区域，所述非显示区域与所述显示区域相邻并且包括多个非发光像素，
其中，所述多个发光像素中的发光像素和所述多个非发光像素中的非发光像素分别包括：
基板；
晶体管，所述晶体管设置在所述基板上；
公共电极，所述公共电极设置在所述晶体管上；以及
第一层，所述第一层用于与所述公共电极的上表面接触，
其中，所述发光像素包括：
第一像素电极，所述第一像素电极电连接到所述晶体管；以及
第一发射层，所述第一发射层与所述第一像素电极的上表面和所述公共电极的下表面接触，以及
所述非发光像素不包括任何发射层。
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