CN109920824B - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置包括基底、辅助电极、缓冲层、多个主动元件以及多个发光元件。辅助电极形成于基底上，且重叠于主动区。缓冲层形成于辅助电极上。多个主动元件位于缓冲层上，且位于主动区中。多个发光元件分别电性连接多个主动元件。每个发光元件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的发光层。每个第二电极电性连接辅助电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示装置，且特别涉及一种具有辅助电极的显示装置。
背景技术
在现有的显示装置中，通常会于主动区的周围设置驱动芯片，并通过驱动芯片来控制主动区上的多个发光元件。然而，并非每个发光元件与驱动芯片之间的距离都相同。因此，距离驱动芯片较远的发光元件会因为电压信号传递的路径较长，而出现压降(IR Drop)的问题。压降(IR Drop)的问题会使得传递给不同位置之发光元件的信号不均匀，这使得显示装置出现亮度或色彩不均匀(mura)的情况。
发明内容
本发明的一个实施方式提供一种显示装置，能改善压降问题。
本发明的一个实施方式的一种显示装置包括基底、辅助电极、缓冲层、多个主动元件以及多个发光元件。辅助电极形成于基底上，且重叠于主动区。缓冲层形成于辅助电极上。多个主动元件位于缓冲层上，且位于主动区中。多个发光元件分别电性连接多个主动元件。每个发光元件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的发光层。每个第二电极电性连接辅助电极。
基于上述，本发明的一个实施方式的显示装置中，第二电极电性连接于辅助电极，通过辅助电极来改善发光元件因为第二电极电阻过大而出现压降的问题。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是依照本发明的一个实施方式的一种显示装置的俯视示意图。
图1B是依照本发明的一个实施方式的一种显示装置的局部俯视示意图。
图1C是沿图1B的剖线I-I’、II-II’以及III-III’的剖面示意图。
图2是依照本发明的一个实施方式的一种显示装置的局部电路示意图。
图3是依照本发明另一个实施方式的一种显示装置的俯视示意图。
附图标记说明：
10、20：显示装置
100：基底
110：辅助电极
120：缓冲层
122：第一子层
124：第二子层
130：闸绝缘层
140：第一绝缘层
150：第二绝缘层
160：像素定义层
210：芯片
212：接垫
220：栅极驱动电路
A：主动区
B：外围区
C、H1、H2、H3、H4、O1、O2：开口
CH1、CH2：通道层
CL：共用线
D1、D2：漏极
DL：数据线
E1：第一电极
E2：第二电极
EL：发光层
G1、G2：栅极
L：发光元件
P1～P4：子像素
R110、RE2、RCL：电阻
S1、S2：源极
T1、T2：主动元件
TH：通孔
Vdd、Vss：电压信号
W1：第一侧
W2：第二侧
W3：第三侧
W4：第四侧
具体实施方式
图1A是依照本发明的一个实施方式的一种显示装置的俯视示意图。图1B是依照本发明的一个实施方式的一种显示装置的局部俯视示意图。图1C是沿图1B的剖线I-I’、II-II’以及III-III’的剖面示意图。
请同时参照图1A至图1C，显示装置10包括基底100、辅助电极110、缓冲层120、多个主动元件T以及多个发光元件L。另外，显示装置10可还包括栅极绝缘层130、第一绝缘层140、第二绝缘层150、像素定义层160、芯片210、接垫212以及栅极驱动电路220。为了方便说明起见，图1A与图1B省略示出了部分构件。
在本实施方式中，显示装置10具有主动区A以及位于主动区外侧的外围区B。辅助电极110形成于基底100上，且重叠于主动区A。举例来说，辅助电极110全面地重叠于主动区A，且部分辅助电极110自主动区A延伸至外围区B。在其他实施方式中，辅助电极110全面地覆盖基底100。辅助电极110的材料例如包括钛、铝、钼、铜、金或其他金属材料或上述材料的组合。辅助电极110的厚度约为100纳米至500纳米。
缓冲层120形成于辅助电极110上，辅助电极110位于缓冲层120及基底100之间。在本实施方式中，缓冲层120为多层结构。举例来说，缓冲层120包括第一子层122以及第二子层124。第一子层122形成于辅助电极110上，第二子层124形成于第一子层122上。第一子层122的材料包括氧化硅或氮化硅，且第一子层122的厚度约为50纳米至500纳米。第二子层124的材料包括氧化硅或氮化硅，且第二子层124的厚度约为50纳米至500纳米。在其他实施方式中，缓冲层120可为单层结构或三层以上的堆叠结构。
多个主动元件T1、T2位于缓冲层120上。主动元件T1、T2可以是本领域中普通技术人员所周知的任一种顶部栅极型薄膜电晶体、底部栅极型薄膜电晶体或其他合适类型的薄膜电晶体。在本实施方式中，主动元件T1为顶部栅极型薄膜电晶体，其包括通道层CH1、栅极G1、源极S1与漏极D1。栅极G1重叠于通道层CH1，且栅极G1与通道层CH1之间夹有闸绝缘层130。栅极绝缘层130位于缓冲层120以及通道层CH1上。第一绝缘层140位于栅极G1以及栅极绝缘层130上。源极S1与漏极D1位于第一绝缘层140上，且分别通过开口H1、开口H2而电性连接至通道层CH1。开口H1、开口H2至少贯穿第一绝缘层140。在本实施方式中，开口H1、H2贯穿闸绝缘层130与第一绝缘层140。
在本实施方式中，主动元件T2的栅极G2电性连接主动元件T1。主动元件T2包括通道层CH2、栅极G2、源极S2与漏极D2。栅极G2重叠于通道层CH2，且栅极G2与通道层CH2之间夹有闸绝缘层130。源极S2与漏极D2位于第一绝缘层140上，且分别通过开口H3、开口H4而电性连接至通道层CH2。开口H3、开口H4至少贯穿第一绝缘层140。在本实施方式中，开口H3、开口H4贯穿闸绝缘层130与第一绝缘层140。
在本实施方式中，主动元件T2的栅极G2电性连接主动元件T1的漏极D1，举例来说，漏极D1通过第一绝缘层140的开口O1而电性连接至栅极G2。主动元件T1的栅极G1电性连接至扫描线SL，且源极S1电性连接至数据线DL。在本实施方式中，扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向不相同，较佳的是扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向垂直。此外，扫描线SL与数据线DL可位于不相同的膜层，且扫描线SL与数据线DL之间可夹有绝缘层(例如第一绝缘层110)。基于导电性的考虑，扫描线SL与数据线DL一般是使用金属材料。然而，本发明并不限于此，根据其他实施方式，扫描线SL与数据线DL也可以使用例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物等的其他导电材料，或是金属材料与前述其它导电材料的堆叠层。另外，所述绝缘层的材质可为无机材料、有机材料或其组合，其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少两种材料的堆叠层；有机材料例如是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。
在本实施方式中，主动元件T2的源极S2电性连接共用线CL。在本实施方式中，共用线CL与数据线DL实质上平行，且两者属于同一膜层，换句话说，共用线CL与数据线DL可由相同膜层图案化形成，但本发明不限于此。在其他实施方式中，共用线CL与数据线DL属于不同膜层。
第二绝缘层150形成于第一绝缘层140上，且覆盖主动元件T1、主动元件T2。
多个发光元件L分别电性连接多个主动元件T2。每个发光元件L包括第一电极E1、第二电极E2以及位于第一电极E1与第二电极E2之间的发光层EL。第一电极E1形成于第二绝缘层150上。第一电极E1通过第二绝缘层150中的开口O2而电性连接至主动元件T2的漏极D2。像素定义层160形成于第二绝缘层150上，且具有对应第一电极E1的开口C。发光层EL形成于第一电极E1上，且填入开口C中。在本实施方式中，发光层EL的材料包括有机发光材料，换句话说，发光元件L为有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。第二电极E2形成于发光层EL上。第二电极E2的为透明或半透明的导电材料，例如包括银、铝、锂、镁、钙、铟、金、铟锡氧化物或其他合适的材料。第二电极E2的厚度约为1纳米至50纳米。在本实施方式中，显示装置10使用顶部发光(top emission)的发光元件L。也就是说，第二电极E2位于发光元件L的发光面。
每个第二电极E2电性连接辅助电极110。在本实施方式中，第二电极E2通过通孔TH而电性连接辅助电极110。通孔TH例如贯穿缓冲层120、栅极绝缘层130、第一绝缘层140、第二绝缘层140以及像素定义层160，但本发明不限于此。
在本实施方式中，通孔TH、芯片210以及栅极驱动电路220位于外围区B中。通孔TH位于主动区A的第一侧W1以及相对于第一侧W1的第二侧W2。栅极驱动电路220位于主动区A的第三侧W3以及相对于第三侧W3的第四侧W4。芯片210位于主动区A的第一侧W1。通孔TH举例是沿着第一侧W1排列，且/或沿着第二侧W2排列。多个子像素P1～P4举例是位于沿着第一侧W1排列的通孔TH以及沿着第二侧W2排列的通孔TH之间。通孔TH不与数据线DL及共用线CL于基底100的垂直投影方向重叠。
栅极驱动电路220电性连接至扫描线SL。栅极驱动电路220例如是用栅极驱动电路基板技术(Gate on Array,GOA)形成，但本发明不限于此。
芯片210电性连接至数据线DL、共用线CL、第二电极E2以及辅助电极110。在本实施方式中，芯片210通过接垫212电性连接至辅助电极110，但本发明不限于此。在其他实施方式中，芯片210还通过其他接垫而电性连接至共用线CL、数据线DL以及第二电极E2，共用线CL、数据线DL以及第二电极E2分别电性连接至芯片210之不同接脚。在本实施方式中，第二电极E2直接连接至芯片210，但本发明不限于此。在其他实施方式中，第二电极E2通过辅助电极110而电性连接至芯片210。
在图1B中，以显示装置10包括子像素P1至子像素P4为例，但本发明并不限于此。子像素P1至子像素P4各自可包括发光元件L、主动元件T1以及主动元件T2。子像素P3、子像素P4相较于子像素P1、子像素P2更远离芯片210，换句话说，芯片210的信号要传递至子像素P3、子像素P4需要经过较长的传递距离。在本实施方式中，可以通过辅助电极110来协助传递第二电极E2上的电压信号，借此可以改善发光元件L因为第二电极E2电阻过大而出现压降(IR Drop)的问题。在本实施方式中，辅助电极110还可以作为散热层使用，其可具有使主动元件T1、主动元件T2的通道层CH1、通道层CH2降温的技术效果，辅助电极110与通道层CH1、通道层CH2于基底100的垂直投影方向完全重叠，但本发明不限于此。
在本实施方式中，以子像素P1至子像素P4各自包括发光元件L、主动元件T1以及主动元件T2为例，但本发明不限于此。在其他实施方式中，子像素P1至子像素P4还可以包括电容，以构成2T1C的控制电路。在其他实施方式中，子像素P1至子像素P4也可以包括其他类型的控制电路，且子像素P1至子像素P4中主动元件与被动元件的数量并未特别限制。
图2是依照本发明的一实施方式的一种显示装置的局部电路示意图。举例来说，图2为图1A～图1C的显示面板10的局部电路示意图。
请参照图2与图1B，主动区A电性连接电压信号Vdd以及电压信号Vss。举例来说，共用线CL电性连接至电压信号Vdd，发光元件L的第二电极E2以及辅助电极110电性连接至电压信号Vss。
在本实施方式中，电压信号Vdd电性连接至共用线CL，而共用线CL具有电阻RCL。电压信号Vss除了电性连接至第二电极E2，还电性连接至辅助电极110。第二电极E2具有电阻RE2，这里的电阻RE2指的是多个第二电极E2的电阻。辅助电极110具有电阻R110。由于电阻RE2以及电阻R110并联后所得的电阻会小于单独的电阻R110或电阻RE2，因此电压信号Vss比较不容易因为压降(IR Drop)的问题而损耗，进而避免了显示装置出现亮度或色彩不均匀(mura)的情况。
在一些实施方式中，电阻R110小于电阻RE2，借此，能进一步改善显示装置压降的问题。
图3是依照本发明另一实施方式的一种显示装置的俯视示意图。以下，将参照图3进行详细说明。在此必须说明的是，下述实施方式沿用了前述实施方式的元件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式，下述实施方式不再重复赘述。
请参照图3，图3的显示装置20与图1A的显示装置10相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式。以下，将就两者间的差异处做说明。
请参照图3，在本实施方式中，通孔TH除了位于主动区A的第一侧W1以及第二侧W2之外，还位于主动区A的第三侧W3以及相对于第三侧W3的第四侧W4。通孔TH沿着第一侧W1、第三侧W3、第二侧W2以及第四侧W4排列。通过设置较多的通孔TH，辅助电极110与第二电极E2上的电压可以分布的更均匀。
虽然在本实施方式中，以主动区A的第三侧W3以及第四侧W4未设置栅极驱动电路为例，但本发明不限于此。在其他实施方式中，外围区B有足够的空间，且主动区A的第三侧W3以及第四侧W4除了有通孔TH之外，还设置有栅极驱动电路。栅极驱动电路可以位于通孔TH与主动区A之间。
在本实施方式中，第二电极E2并未直接连接芯片210。第二电极E2通过通孔TH电性连接至辅助电极110，并通过辅助电极110电性连接至芯片210。
综上所述，本发明通过辅助电极来协助传递第二电极上的电压信号，借此可以改善发光元件因为第二电极电阻过大而出现压降(IR Drop)的问题，进而避免了显示装置出现亮度或色彩不均匀(mura)的情况。在一些实施方式中，辅助电极还可以作为散热层使用，其可具有使主动元件的通道层降温的技术效果。
虽然本发明已以实施方式公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定为准。
Claims (12)
1.一种显示装置，包括：
一基底；
一辅助电极，形成于该基底上，且全面地重叠于一主动区且部分该辅助电极自该主动区延伸至一外围区，该外围区位于该主动区的外侧；
一缓冲层，形成于该辅助电极上；
多个主动元件，位于该缓冲层上，且位于该主动区中；以及
多个发光元件，分别电性连接多个所述主动元件，其中每个所述发光元件包括一第一电极、一第二电极以及位于该第一电极与该第二电极之间的一发光层，其中每个所述第二电极电性连接该辅助电极，其中所述辅助电极与对应的主动元件的一通道层CH1和一通道层CH2于所述基底的垂直投影方向完全重叠，其中该第二电极具有电阻RE2，该辅助电极具有电阻R110，电阻RE2以及电阻R110并联后所得的电阻小于单独的电阻R110或电阻RE2，其中电阻R110小于电阻RE2，其中该主动区电性连接电压信号Vdd以及电压信号Vss，电压信号Vdd电性连接至共用线，而共用线具有电阻RCL，该共用线电性连接该主动区与该电压信号Vdd之间，该电压信号Vss电性连接该电阻R110与电阻RE2之间，而该电阻R110与电阻RE2电性连接该主动区与该电压信号Vss之间。
2.如权利要求1所述的显示装置，还包括一芯片，其中该辅助电极与多个所述第二电极电性连接至该芯片。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中多个所述第二电极通过贯穿该缓冲层的多个通孔而电性连接该辅助电极。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中多个所述通孔位于该主动区的一第一侧以及相对于该第一侧的一第二侧。
5.如权利要求4所述的显示装置，还包括一栅极驱动电路，位于该主动区的一第三侧以及相对于该第三侧的一第四侧。
6.如权利要求4所述的显示装置，其中多个所述通孔还位于该主动区的一第三侧以及相对于该第三侧的一第四侧。
7.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
一栅极绝缘层，位于该缓冲层上；
一第一绝缘层，位于该栅极绝缘层上；
一第二绝缘层，位于该第一绝缘层上，且覆盖多个所述主动元件；以及
一像素定义层，位于该第二绝缘层上。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中该辅助电极的材料包括钛、铝、钼、铜、金或上述材料的组合。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中该辅助电极的厚度为100纳米至500纳米。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中多个所述第二电极的材料包括银、铝、锂、镁、钙、铟、金、铟锡氧化物或上述材料的组合。
11.如权利要求1所述的显示装置，其中多个所述第二电极的厚度为1纳米至50纳米。
12.如权利要求1所述的显示装置，其中该缓冲层包括：
一第一子层，形成于该辅助电极上，其中该第一子层的材料包括氧化硅或氮化硅，且该第一子层的厚度为50纳米至500纳米；以及
一第二子层，形成于该第一子层上，其中该第二子层的材料包括氧化硅或氮化硅，且该第二子层的厚度为50纳米至500纳米。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104681595A (zh) * | 2015-03-11 | 2015-06-03 | 上海和辉光电有限公司 | Oled显示面板及双边驱动方法 |
| CN106206673A (zh) * | 2016-09-09 | 2016-12-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled显示装置 |
| CN106653819A (zh) * | 2017-02-17 | 2017-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
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Family Cites Families (14)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0283536A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2005109148A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US7772763B2 (en) * | 2004-12-02 | 2010-08-10 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electro-luminescence display device comprising grid shaped auxiliary electrode |
| KR100654564B1 (ko) * | 2005-10-31 | 2006-12-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20080000475A (ko) * | 2006-06-27 | 2008-01-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광 표시소자 및 그 제조방법 |
| KR20080003109A (ko) * | 2006-06-30 | 2008-01-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광 표시소자의 제조방법 |
| KR20100013533A (ko) * | 2008-07-31 | 2010-02-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR101649225B1 (ko) * | 2009-03-24 | 2016-08-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법 |
| KR101246789B1 (ko) * | 2009-07-23 | 2013-03-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
| KR102352290B1 (ko) * | 2014-09-03 | 2022-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시패널 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104681595A (zh) * | 2015-03-11 | 2015-06-03 | 上海和辉光电有限公司 | Oled显示面板及双边驱动方法 |
| CN106206673A (zh) * | 2016-09-09 | 2016-12-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled显示装置 |
| CN106653819A (zh) * | 2017-02-17 | 2017-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
| CN107799576A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-13 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏幕结构 |
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