CN110160918B - 晶圆再验的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明关于一种晶圆再验的方法,其包括以下步骤:提供一晶圆,其设有复数晶粒;提供复数探针组,各探针组包括复数探针,探针用以检测晶粒;令复数探针组以一第一阀值为基准分别对复数晶粒进行检测,以将复数晶粒区分成复数第一晶粒及复数再验晶粒,各第一晶粒所测得的数据高于第一阀值,各再验晶粒所测得的数据低于第一阀值;进行一智慧筛选作业,以一第二阀值为基准而将晶圆中的复数再验晶粒区分成复数第二晶粒及复数第三晶粒,其中,各第二晶粒所测得的数据高于第二阀值,各第三晶粒所测得的数据低于第二阀值。基于上述步骤可以将可合格的晶粒尽可能地筛选出来,进而增加晶粒可使用的数量,进而提升产能、减少浪费、增加获利。

Description

晶圆再验的方法
技术领域
本发明涉及半导体工艺技术领域,具体涉及一种晶圆再验的方法。
背景技术
近年来半导体的技术日新月异,产业需求也越来越大,举例但不限于:手机、电脑、电视、智能家电,因此,晶圆(wafer)的尺寸也从六寸、八寸、十二寸逐渐地扩大,以增加产能来供给需求。由于晶圆制造所需的设备及运作金费庞大,并非所有的公司都可以进行,故后来出现晶圆代工厂的生产型态,举例如台湾地区 的台积电即为晶圆代工典型的代表。
可以理解的是,晶圆制造成本昂贵,除了通过增加生产面积来提升产能外,要如何进一步提升合格品以减少浪费、提高获利更是此业界极力研究的目标。
以现今的检测方式,在晶圆检测时,在经过第一次检测而生成晶圆图像后,探针组会再沿原本路径再重新量测一次,以减少将可以使用的晶粒误判成不合格的情况。然而,此方式的测量条件都相同,其再次测量后的结果与第一次量测的差异并不大,故仍然会导致许多可以使用的晶粒被误判成不合格,造成成本的浪费。
因此,有必要提供一种新颖且具有进步性的晶圆再验的方法,以解决上述的问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种晶圆再验的方法,能针对欲再验晶粒做更可靠判断,以将可合格的晶粒尽可能地筛选出来,进而增加晶粒可使用的数量,进而提升产能、减少浪费、增加获利。
为达成上述目的,本发明提供一种晶圆再验的方法,其包括以下步骤:提供一晶圆,其设有复数晶粒;提供复数探针组,各所述探针组包括复数探针,所述探针用以检测所述晶粒;令所述复数探针组以一第一阀值为基准分别对所述复数晶粒进行检测,以将所述复数晶粒区分成复数第一晶粒及复数再验晶粒,各所述第一晶粒所测得的数据高于所述第一阀值,各所述再验晶粒所测得的数据低于所述第一阀值;进行一智慧筛选作业以将所述晶圆中的所述复数再验晶粒区分成复数第二晶粒及复数第三晶粒,其中,各所述第二晶粒所测得的数据高于一第二阀值,各所述第三晶粒所测得的数据低于所述第二阀值,所述智慧筛选作业包括:从所述复数探针中挑选出一最佳探针,所述最佳探针定义为所述复数探针中判别所述第一晶粒的合格率最高者,令所述最佳探针以所述第二阀值为基准而逐一筛选所述晶圆中的所述复数再验晶粒;或从所述复数探针组中挑选出一标准探针组,所述标准探针组具有最佳的第一整体平均值,所述第一整体平均值定义为各所述探针组中的所述复数探针分别检测过复数所述晶粒后所得所述第一晶粒的合格率的加总平均,接着,将所述晶圆依序地切分成复数连续的第一区块,各所述第一区块的晶粒最大数量等同于所述标准探针组的探针数量,令所述标准探针组以所述第二阀值筛选各所述第一区块中的至少一所述再验晶粒;或从所述复数探针组中挑选出所述标准探针组,接着,所述标准探针组以每次对应所述复数晶粒中能囊括最大数量的再验晶粒为准则将所述晶圆依序切分成复数第二区块,各所述第二区块的晶粒最大数量等同于所述标准探针组的探针数量,令所述标准探针组以所述第二阀值筛选各所述第二区块中的至少一所述再验晶粒。
具有以下有益效果:
本发明提供的晶圆再验的方法能够针对欲再验晶粒做更可靠判断,以将可合格的晶粒尽可能地筛选出来,进而增加晶粒可使用的数量,进而提升产能、减少浪费、增加获利。
附图说明
图1为本发明一实施例的立体图。
图2为本发明一实施例的检测路径示意图。
图3为本发明一实施例的再验路径示意图。
图4为本发明一实施例的第一区块及筛选层示意图。
图5为本发明一实施例的第二区块示意图。
图6为本发明一实施例的最佳脚位选定作业的示意表。
图7为本发明一实施例的最佳脚位选定作业的另一态样示意表。
图8为本发明一实施例的晶圆再验过后示意图。
图9为本发明一实施例的流程方块图。
具体实施方式
以下仅以实施例说明本发明可能的实施态样,然并非用以限制本发明所欲保护的范畴,合先叙明。
请参考图1至图9,其示出本发明的一实施例,本发明的晶圆再验的方法,其包括以下步骤:
提供一晶圆1,其设有复数晶粒。再提供复数探针组3,各探针组3包括复数探针31,探针31用以检测晶粒。
接着,令复数探针组3以一第一阀值为基准分别对复数晶粒进行检测,以将复数晶粒区分成复数第一晶粒21及复数再验晶粒22,其中,各第一晶粒21 所测得的数据高于第一阀值,各再验晶粒22所测得的数据低于第一阀值。
经过上述检测后,复数探针组3中分别会有检测过复数晶粒的数据,此数据包括判别第一晶粒21的合格率,藉此可以进行一智慧筛选作业以将晶圆1 中的复数再验晶粒22区分成复数第二晶粒221及复数第三晶粒222,其中,各第二晶粒221所测得的数据高于一第二阀值,各第三晶粒222所测得的数据低于第二阀值。
在本实施例中,第二阀值等同于第一阀值,因此,复数第二晶粒221明显地则是第一次筛选中误判的合格品。明显地,通过智慧筛选作业的再验方式可以大幅度提升晶圆1判定合格品的准确度,使得合格品的数量(复数第一晶粒 21及复数第二晶粒221)能够提升,进而可有效降低成本损耗、提升产能及增加获利。当然,在其他实施例中,可以定义第二阀值小于第一阀值,如此一来,复数第二晶粒则可作为另一批次级的合格品来与原先复数第一晶粒21作区别以作其他用途使用。
举例但不限于,智慧筛选作业包括三种模式态样,可以满足使用上的不同需求,详细说明说下:
第一种模式是从复数探针31中挑选出一最佳探针,最佳探针定义为复数探针31中判别第一晶粒21的合格率最高者,令最佳探针以第二阀值为基准而逐一筛选晶圆1中的复数再验晶粒22,于此模式下所获得的合格品数量会最大,而可以确实地避免有合格品被误判而丢弃,能够充分有效地利用晶圆1。
而第二种模式是从复数探针组3中挑选出一标准探针组4,标准探针组4 具有最佳的第一整体平均值,其中,第一整体平均值定义为各探针组3中的复数探针31分别检测过复数晶粒后所得第一晶粒21的合格率的加总平均。接着,将晶圆1依序地切分成复数连续的第一区块61,各第一区块61的晶粒最大数量等同于标准探针组4的探针31数量,令标准探针组4以第二阀值筛选各第一区块61中的至少一再验晶粒22。
较详细地说,标准探针组4的复数探针31是排列成复数列及至少一行,举例但不限于:标准探针组4的复数探针排列成1行8列、2行8列...等等,定义各行的延伸方向为一第一方向81,定义各列的延伸方向为一第二方向82,晶圆1对应标准探针组4的行数可分成沿第二方向82排列的复数筛选层7,各筛选层7于第一方向82上包括复数第一区块61,标准探针组4沿第一方向81 筛选完一筛选层7的再验晶粒22后,再偏移至另一筛选层7进行筛选。
更详细地说,标准探针组4会对各第一区块61进行一最佳脚位选定作业后再进行各第一区块61的至少一再验晶粒22筛选,最佳脚位选定作业是令标准探针组4以一第一区块61为基准而于第一方向81上进行不同程度的偏移,以使第一区块81内的至少一再验晶粒22会同时分别对应标准探针组4的探针 31,进而得到复数第二整体平均值,接着以获得最佳第二整体平均值时标准探针组4的位置作为对第一区块61筛选的最佳位置;其中,第二整体平均值定义为至少一再验晶粒22对应的数个探针31的合格率的加总平均。
如此一来,通过最佳脚位选定作业可针对一第一区块61找出标准探针组4 的相对最佳位置来进行筛选,以进一步地提升筛选后第二晶粒221的数量,以尽可能地不漏失合格品,以期达到产能的最大化。而至少一再验晶粒22同时对应受标准探针组4中不同的探针筛选的方式,能有效地将检测时间控制在较低的时间,以维持再验程序的效率。
最后,模式三是同样地从复数探针组3中挑选出标准探针组4,不同之处在于,以标准探针组4每次对应复数晶粒中能囊括最大数量的再验晶粒22为准则的方式将晶圆1依序切分成复数第二区块62。其中,各第二区块62的晶粒最大数量等同于标准探针组4的探针31数量,令标准探针组4以第二阀值筛选各第二区块62中的至少一再验晶粒22。
模式三举例来说,于一筛选层7中,若中间部分具有较多再验晶粒22时,第一个第二区块62的选定则是以中间部分且框定住有最多数量的再验晶粒22 为主,而第二个第二区块62则以剩余分布的再验晶粒22中再框选最大数量。以数量举例来说,第一个第二区块62框选住8个再验晶粒22,第二个第二区块62框选住6个再验晶粒22,而第三个第二区块62框选住4个再验晶粒22... 依此类推。
可以理解的是,以模式三进行再验筛选具有最短的检验时间,可以大幅减少再验时间,适用于需要快速大量产出的情况;而模式2则是以模式一及模式三的优点做适当的权重配置,使得以模式2进行再验作业时能够兼顾合格品的数量及检验时间。
值得一提的是,由于智慧筛选作业仅再验具有至少一再验晶粒22的复数第一区块61或复数第二区块62,故若第一区块61或复数第二区块62内皆为第一晶粒21时则无需检验,因而可大幅减少再验次数、缩短检测时间。
另外,各探针组3沿一检测路径51测量复数晶粒,其中,检测路径51沿第二方向82跨越复数筛选层7进行检测,于第二方向82的晶粒检测完后再沿第一方向81偏移后继续检测,若将标准探针组4于各筛选层7中的移动路径定义为一再验路径52,则再验路径52异于检测路径51。通过使标准探针组4 以不同路径来筛选复数再验晶粒22,可排除掉因原先路径中探针31与各晶粒的接触点或接触角度偏差造成误判的因素,以期能更加准确获得合格品。在本实施例中,检测路径51概呈圆弧形,再验路径52为直线状。
要补充说明的是,最佳脚位选定作业并不局限于上述以第一区块61为基准的态样,若是想要再更进一步提高筛选出合格的晶粒(复数第一晶粒21及复数第二晶粒221),请参考图8,于此提供最佳脚位选定作业另一种的态样,并表示标准探针组4A另一种排列组态(2行8列):
于此判定方式的最佳脚位选定作业是进一步地将第一区块61A细分成复数区段63。
令标准探针组4A以一区段63为基准而于第一方向81上进行不同程度的偏移,以使区段63内的至少一再验晶粒22会同时分别对应标准探针组4A中不同的探针31,进而得到复数第三整体平均值。
同样地,接着以获得最佳第三整体平均值时标准探针组4A的位置作为对区段63筛选的最佳位置;其中,第三整体平均值定义为至少一再验晶粒22对应的数个探针31的合格率的加总平均。由于,将第一区块61A切分成较小的区段63进行检测,而能够有较多偏移组合,而较容易使具有较高合格率的复数探针31能够对应到再验晶粒22,以期能够获得较多数量的第二晶粒221。
较仔细地说,于此判定态样下,最佳脚位选定作业是依据一第一区块61A 中至少一再验晶粒22于第一方向81的疏密分布作为复数区段63的划分标准。更仔细地说,复数区段63的数量为二,一区段63的再验晶粒22数量与另一区段63的再验晶粒22数量的数量差至少为二以上。经由上列所述,可以清楚得知,使用者能依据需求不同来选择不同的最佳脚位选定作业的再验模式,以符合实际情况所需。
综上,本发明晶圆再验的方法经过第一次检测出第一晶粒后,可以经由智慧筛选作业再对剩余的再验晶粒做进一步的筛选出第二晶粒与第三晶粒,其中,第一及第二晶粒为合格可利用的晶粒,以期能够充分地使得产能最大化,进而减少损失、提升获利。并且,通过最佳脚位选定作业可以进一步找出针对各区块,标准探针组的最佳检测位置,以期能有较佳的合格数量。此外,智慧筛选作业具有多种判定模式而能针对不同需求来选定。
以上所述是本发明较佳实施例及其所运用的技术原理,对于本领域的技术人员来说,在不背离本发明的精神和范围的情况下,任何基于本发明技术方案基础上的等效变换、简单替换等显而易见的改变,均属于本发明保护范围之内。

Claims (10)

1.一种晶圆再验的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
提供一晶圆,其设有复数晶粒;
提供复数探针组,各所述探针组包括复数探针,所述探针用以检测所述晶粒;
令所述复数探针组以一第一阀值为基准分别对所述复数晶粒进行检测,以将所述复数晶粒区分成复数第一晶粒及复数再验晶粒,各所述第一晶粒所测得的数据高于所述第一阀值,各所述再验晶粒所测得的数据低于所述第一阀值;
进行一智慧筛选作业以将所述晶圆中的所述复数再验晶粒区分成复数第二晶粒及复数第三晶粒,其中,各所述第二晶粒所测得的数据高于一第二阀值,各所述第三晶粒所测得的数据低于所述第二阀值,所述智慧筛选作业包括:
从所述复数探针中挑选出一最佳探针,所述最佳探针定义为所述复数探针中判别所述第一晶粒的合格率最高者,令所述最佳探针以所述第二阀值为基准而逐一筛选所述晶圆中的所述复数再验晶粒;或
从所述复数探针组中挑选出一标准探针组,所述标准探针组具有最佳的第一整体平均值,所述第一整体平均值定义为各所述探针组中的所述复数探针分别检测过复数所述晶粒后所得所述第一晶粒的合格率的加总平均,接着,将所述晶圆依序地切分成复数连续的第一区块,各所述第一区块的晶粒最大数量等同于所述标准探针组的探针数量,令所述标准探针组以所述第二阀值筛选各所述第一区块中的至少一所述再验晶粒;或
从所述复数探针组中挑选出所述标准探针组,接着,以所述标准探针组每次对应所述复数晶粒中能囊括最大数量的再验晶粒为准则的方式将所述晶圆依序切分成复数第二区块,各所述第二区块的晶粒最大数量等同于所述标准探针组的探针数量,令所述标准探针组以所述第二阀值筛选各所述第二区块中的至少一所述再验晶粒。
2.如权利要求1所述的晶圆再验的方法,其特征在于,所述标准探针组的复数探针排列成复数列及至少一行,定义各所述行的延伸方向为一第一方向,定义各所述列的延伸方向为一第二方向,所述晶圆对应所述标准探针组的行数分成沿所述第二方向排列的复数筛选层,各所述筛选层于所述第一方向上包括所述复数第一区块,所述标准探针组沿所述第一方向筛选完一所述筛选层的再验晶粒后,再偏移至另一所述筛选层进行筛选。
3.如权利要求2所述的晶圆再验的方法,其特征在于,各所述探针组沿一检测路径测量所述复数晶粒,将所述标准探针组于各所述筛选层中的移动路径定义为一再验路径,所述再验路径异于所述检测路径。
4.如权利要求3所述的晶圆再验的方法,其特征在于,所述检测路径沿所述第二方向跨越所述复数筛选层进行检测,在第二方向的晶粒检测完后再沿所述第一方向偏移后继续检测。
5.如权利要求2所述的晶圆再验的方法,其特征在于,所述标准探针组对各所述第一区块进行一最佳脚位选定作业后再进行各所述第一区块的至少一再验晶粒筛选,所述最佳脚位选定作业是令所述标准探针组以一所述第一区块为基准而于所述第一方向上进行不同程度的偏移,以使所述第一区块内的所述至少一再验晶粒同时分别对应所述标准探针组的探针,进而得到复数第二整体平均值,接着以获得最佳所述第二整体平均值时所述标准探针组的位置作为对所述第一区块筛选的最佳位置;其中,所述第二整体平均值定义为所述至少一再验晶粒对应的数个所述探针的合格率的加总平均。
6.如权利要求2所述的晶圆再验的方法,其特征在于,所述标准探针组对各所述第一区块进行一最佳脚位选定作业后再进行各所述第一区块的至少一再验晶粒筛选,所述最佳脚位选定作业是将所述第一区块细分成复数区段,令所述标准探针组以一所述区段为基准而于所述第一方向上进行不同程度的偏移,以使所述区段内的所述至少一再验晶粒同时分别对应所述标准探针组的探针,进而得到复数第三整体平均值,接着以获得最佳所述第三整体平均值时所述标准探针组的位置作为对所述区段筛选的最佳位置;其中,所述第三整体平均值定义为所述至少一再验晶粒对应的数个所述探针的合格率的加总平均。
7.如权利要求6所述的晶圆再验的方法,其特征在于,所述最佳脚位选定作业是依据一所述第一区块中所述至少一再验晶粒于所述第一方向的疏密分布作为所述复数区段的划分标准。
8.如权利要求7所述的晶圆再验的方法,其特征在于,所述复数区段的数量为二,一所述区段的再验晶粒数量与另一所述区段的再验晶粒数量的数量差至少为二以上。
9.如权利要求1所述的晶圆再验的方法,其特征在于,所述第二阀值等同于所述第一阀值。
10.如权利要求4所述的晶圆再验的方法,其特征在于,所述检测路径概为圆弧形,所述再验路径为直线状;所述标准探针组对各所述第一区块进行一最佳脚位选定作业后再进行各所述第一区块的至少一再验晶粒筛选,所述最佳脚位选定作业是令所述标准探针组以一所述第一区块为基准而于所述第一方向上进行不同程度的偏移,以使所述第一区块内的所述至少一再验晶粒同时分别对应所述标准探针组中不同的所述探针,进而得到复数第二整体平均值,接着以获得最佳所述第二整体平均值时所述标准探针组的位置作为对所述第一区块筛选的最佳位置;其中,所述第二整体平均值定义为所述至少一再验晶粒对应的数个所述探针的合格率的加总平均;所述第二阀值等同于所述第一阀值;所述标准探针组的复数探针排列成1行8列。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI807744B (zh) * 2022-03-30 2023-07-01 欣銓科技股份有限公司 晶圓測試的立即回測方法
CN114754713B (zh) * 2022-06-13 2022-09-20 广州粤芯半导体技术有限公司 用于原子力显微镜的探针损伤检测方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55124077A (en) * 1979-03-16 1980-09-24 Nec Corp Semiconductor wafer electric characteristic testing apparatus
US7253650B2 (en) * 2004-05-25 2007-08-07 International Business Machines Corporation Increase productivity at wafer test using probe retest data analysis
CN100495389C (zh) * 2006-06-23 2009-06-03 联华电子股份有限公司 集成电路工艺与半导体工艺的数据分析方法
CN200953030Y (zh) * 2006-08-04 2007-09-26 宏亿国际股份有限公司 一种晶圆测试卡
JP2008205042A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
US7576550B2 (en) * 2007-03-30 2009-08-18 Qualitau, Inc. Automatic multiplexing system for automated wafer testing
JP4997069B2 (ja) * 2007-10-30 2012-08-08 株式会社東芝 不良検出方法及び不良検出装置
CN201273844Y (zh) * 2008-09-27 2009-07-15 中茂电子(深圳)有限公司 具有太阳能电池组的发光元件批次检测机台
US8395191B2 (en) * 2009-10-12 2013-03-12 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
CN102565653B (zh) * 2010-12-29 2015-11-25 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种晶圆测试方法
US8890557B2 (en) * 2012-04-10 2014-11-18 International Business Machines Corporation Built-in self-test method and structure
TW201423122A (zh) * 2012-12-06 2014-06-16 Jtron Technology Corp Led晶圓多晶粒檢測方法及裝置
US9435847B2 (en) * 2014-06-26 2016-09-06 Macronix International Co., Ltd. Method for testing special pattern and probe card defect in wafer testing
US9797942B2 (en) * 2014-08-28 2017-10-24 Seek Thermal, Inc. Radiometric test and configuration of an infrared focal plane array at wafer probe
TWI571642B (zh) * 2015-09-10 2017-02-21 新特系統股份有限公司 使用單一探針測試晶片的多個連接墊的測試裝置及方法
CN106597037B (zh) * 2015-10-20 2019-07-16 创意电子股份有限公司 探针卡与测试方法
CN107037345B (zh) * 2016-02-02 2019-09-17 上海和辉光电有限公司 晶圆测试时自我检测的方法及其晶圆测试制具

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