CN110137373A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及显示面板。阵列基板具有显示区以及位于显示区外周的非显示区，非显示区设有用于布置封装料的封装区，阵列基板包括衬底、无机层以及第一导电结构，第一导电结构在非显示区内围绕显示区的部分外周设置，第一导电结构在阵列基板厚度方向上的正投影具有第一外轮廓线，所述第一外轮廓线的至少部分位于所述封装区内。根据本发明实施例的阵列基板及显示面板，使得封装区与第一导电结构在阵列基板厚度方向上的正投影具有一定面积的重叠区域，从而在封装过程中使得封装料能够与至少部分第一导电结构接触，提高封装效果，减少因封装不良导致的显示问题。

Description

阵列基板及显示面板

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板由于其不需要背光源、对比度高、厚度薄、可弯曲等优异性能，具有非常广泛的应用前景。

OLED显示面板包括两个电极和设置在两个电极之间的有机发光层，有机发光层和电极遇水、氧等容易失效，因而需要在显示面板的非显示区进行密封。通常，在阵列基板和盖板之间设置封装料，经过后续处理可以将盖板与阵列基板粘接从而实现封装。然而，现有的阵列基板的表面结构，容易导致封装效果不佳，影响封装效果。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及显示面板，提高阵列基板及显示面板的封装性能。

一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，阵列基板具有显示区以及位于显示区外周的非显示区，非显示区设有用于布置封装料的封装区，封装区围绕显示区设置，阵列基板包括：衬底；无机层，位于衬底上；以及第一导电结构，位于无机层上，第一导电结构在非显示区内围绕显示区的部分外周设置，其中，第一导电结构在阵列基板厚度方向上的正投影具有第一外轮廓线，第一外轮廓线的至少部分位于封装区内。

根据本发明实施例的一个方面，封装区在阵列基板厚度方向上的正投影具有第二外轮廓线，第二外轮廓线与第一外轮廓线的距离为50微米至70微米。

根据本发明实施例的一个方面，第二外轮廓线与第一外轮廓线的距离为58微米至63微米。

根据本发明实施例的一个方面，第一导电结构设有至少一组槽结构，每组槽结构包括多个第一槽，多个第一槽围绕显示区的部分外周并且相互间隔设置。

根据本发明实施例的一个方面，每组槽结构中的多个第一槽相互等间距设置。

根据本发明实施例的一个方面，每组槽结构中的多个第一槽的尺寸相同。

根据本发明实施例的一个方面，第一导电结构设有至少两组槽结构，每组槽结构中的第一槽与相邻组槽结构的第一槽错位设置。

根据本发明实施例的一个方面，每个第一槽的槽底开设有第二槽，第二槽的槽口尺寸小于第一槽的槽口尺寸。

根据本发明实施例的一个方面，每个第一槽的槽底开设有多个第二槽。

根据本发明实施例的一个方面，第一槽自第一导电结构的表面贯穿至无机层的表面，第二槽开设于无机层。

根据本发明实施例的一个方面，部分无机层的表面在第一外轮廓线与阵列基板的边界线之间暴露，无机层设有多个第三槽，多个第三槽位于第二外轮廓线与第一外轮廓线之间。

根据本发明实施例的一个方面，阵列基板还包括：边界覆盖结构，覆盖第一槽的至少部分侧壁设置，和/或，覆盖第一槽的槽口的至少部分轮廓线设置。

根据本发明实施例的一个方面，阵列基板还包括：发光器件，位于无机层上，并且在显示区内阵列排布设置，发光器件包括第一电极、第二电极以及夹设在第一电极与第二电极之间的发光层，其中第一电极位于发光层的靠近衬底的一侧，边界覆盖结构的材料与第一电极的材料相同。

根据本发明实施例的一个方面，阵列基板还包括：第二导电结构，位于无机层与第一导电结构之间，第二导电结构的至少部分在非显示区与第一导电结构叠层设置，多个第一槽中的至少部分第一槽自第一导电结构的表面贯穿至第二导电结构的表面。

另一方面，本发明实施例提供一种显示面板，其包括：上述任一实施方式的阵列基板；盖板，位于阵列基板上；以及封装料，设于阵列基板的封装区，用于接合盖板与阵列基板。

根据本发明实施例的阵列基板及显示面板，阵列基板的第一导电结构在阵列基板厚度方向上的正投影具有第一外轮廓线。第一外轮廓线的至少部分位于封装区内，使得封装区与第一导电结构在阵列基板厚度方向上的正投影具有一定面积的重叠区域，从而在封装过程中使得封装料能够与至少部分第一导电结构接触，提高封装效果，减少因封装不良导致的显示问题。

在一些可选的实施例中，封装区在阵列基板厚度方向上的正投影具有第二外轮廓线。其中第二外轮廓线与第一外轮廓线的距离为50微米至70微米，以保证封装区与第一导电结构在阵列基板厚度方向上的正投影具有更大面积的重叠区域，从而在封装过程中使得封装料能够与更大面积的第一导电结构接触，提高封装效果，减少因封装不良导致的显示问题。

在一些可选的实施例中，第一导电结构设有至少一组槽结构，从而增加第一导电结构的表面粗糙度，增大封装时封装料与第一导电结构之间的粘附力，进一步提高封装效果。

在一些可选的实施例中，每组槽结构包括多个第一槽，每个第一槽的槽底开设有第二槽，从而提高槽的总深度，增加封装时封装料与阵列基板之间的粘附力。第二槽的槽口尺寸小于第一槽的槽口尺寸，使得第一槽的槽底的表面粗糙度进一步增加，从而进一步增加封装时封装料与阵列基板之间的粘附力。

在一些可选的实施例中，每个第一槽的槽底开设有多个第二槽，以更大程度提高第一槽的槽底的表面粗糙度，从而提高封装效果。

在一些可选的实施例中，阵列基板还包括边界覆盖结构，该边界覆盖结构覆盖第一槽的至少部分侧壁设置和/或覆盖第一槽的槽口的至少部分轮廓线设置，以避免第一导电结构在第一槽的槽口边界裸露，降低阳极异物发生率。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1示出根据本发明实施例的阵列基板的结构示意图；

图2a示出根据本发明第一实施例的阵列基板的局部结构示意图；

图2b示出图2a中BB向的截面图；

图3a示出根据本发明第二实施例的阵列基板的局部结构示意图；

图3b示出图3a中CC向的截面图；

图4a示出根据本发明第三实施例的阵列基板的局部结构示意图；

图4b示出图4a中DD向的截面图；

图5a示出根据本发明第四实施例的阵列基板的局部结构示意图；

图5b示出图5a中EE向的截面图；

图6a示出根据本发明第五实施例的阵列基板的局部结构示意图；

图6b示出图6a中FF向的截面图；

图7a示出根据本发明实施例的显示面板的结构示意图；

图7b示出图7a中GG向的截面示意图。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。

本发明实施例提供一种阵列基板，图1示出根据本发明实施例的阵列基板的结构示意图。阵列基板100具有显示区AA以及位于显示区AA外周的非显示区NA，非显示区NA设有用于布置封装料的封装区FA，封装区FA围绕显示区AA设置。在一些实施例中，阵列基板100的封装区FA上可以布置封装料，在封装料上可以设置盖板，通过激光烧结等工艺，使得封装料将盖板与阵列基板100接合，实现显示面板的封装。其中，封装料可以是玻璃料(Frit)。

图2a示出根据本发明第一实施例的阵列基板的局部结构示意图，其中图2a可以是图1中A区域的局部结构示意图，其主要示出阵列基板100的非显示区NA的局部结构。图2b示出图2a中BB向的截面图，为清楚示出封装区FA的位置，图2b中示出了设置在封装区FA的封装料300。本实施例中的阵列基板100包括衬底110、无机层120以及第一导电结构130。

衬底110可以是刚性的，例如是玻璃，也可以是柔性的，例如是聚酰亚胺(Polyimide，PI)薄膜等聚合物衬底或者包含PI等聚合物材料的衬底。本实施例中以衬底110是玻璃为例进行说明。

无机层120可以是氧化物层、氮化物层或碳化物层，例如是氮化硅或碳化硅制成。无机层120位于衬底110上。在一些实施例中，无机层120为阵列基板100的层间介质层(InterLayer Dielectric，ILD)。

第一导电结构130位于无机层120上，第一导电结构130在非显示区NA内围绕显示区AA的部分外周设置。第一导电结构130可以是图案化的金属导电结构，也可以是图案化的氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)导电结构，本实施例中以第一导电结构130是金属导电结构为例进行说明。在一些实施例中，第一导电结构130是公共电压信号(VSS)的布线结构。

在本实施例中，第一导电结构130在阵列基板100厚度方向上的正投影具有第一内轮廓线IC1以及第一外轮廓线OC1。本文中，某个结构在阵列基板100厚度方向上的正投影，是指该结构在垂直于阵列基板100厚度方向的平面上的正投影。

如前所述，第一导电结构130围绕显示区AA的部分外周设置，在本文中，第一内轮廓线IC1为第一导电结构130在阵列基板100厚度方向上的正投影的朝向显示区AA的轮廓线，并且在后文中，“第一导电结构130的第一内轮廓线IC1”指第一导电结构130在阵列基板100厚度方向上的正投影的第一内轮廓线IC1。第一外轮廓线OC1为第一导电结构130在阵列基板100厚度方向上的正投影的与第一内轮廓线IC1相对并且远离显示区AA的轮廓线，并且在后文中，“第一导电结构130的第一外轮廓线OC1”指第一导电结构130在阵列基板100厚度方向上的正投影的第一外轮廓线OC1。

第一导电结构130的第一外轮廓线OC1的至少部分位于封装区FA内，使得第一导电结构130自其第一外轮廓线OC1朝向显示区AA延伸的至少部分区域与封装区FA重叠。在封装过程中，封装料能够与一定面积的第一导电结构130接触，从而可以提高封装效果，减少因封装不良导致的显示问题。

封装区FA在阵列基板100厚度方向上的正投影具有第二内轮廓线IC2以及第二外轮廓线OC2。如前所述，封装区FA围绕显示区AA设置，在本文中，第二内轮廓线IC2为封装区FA在阵列基板100厚度方向上的正投影的朝向显示区AA的轮廓线，并且在后文中，“封装区FA的第二内轮廓线IC2”指封装区FA在阵列基板100厚度方向上的正投影的第二内轮廓线IC2。第二外轮廓线OC2为封装区FA在阵列基板100厚度方向上的正投影的与第二内轮廓线IC2相对并且远离显示区AA的轮廓线，并且在后文中，“封装区FA的第二外轮廓线OC2”指封装区FA在阵列基板100厚度方向上的正投影的第二外轮廓线OC2。

在本实施例中，封装区FA的第二外轮廓线OC2与第一导电结构130的第一外轮廓线OC1的距离为50微米至70微米。

根据本发明实施例的阵列基板100，第一内轮廓线IC1与第一外轮廓线OC1的距离也即第一导电结构130的宽度可以为400微米至500微米，例如是457微米。第二内轮廓线IC2与第二外轮廓线OC2的距离也即封装区FA的宽度可以为300微米至600微米，例如是400微米。通过控制第二外轮廓线OC2与第一外轮廓线OC1的距离为50微米至70微米，可以保证封装区FA与第一导电结构130在阵列基板100厚度方向上的正投影具有更大面积的重叠区域，从而在封装过程中使得封装料能够与更大面积的第一导电结构130接触，提高封装效果，减少因封装不良导致的显示问题。

在一些实施例中，第二外轮廓线OC2与第一外轮廓线OC1的距离为58微米至63微米，例如是60微米，从而进一步准确控制封装区FA与第一导电结构130在阵列基板100厚度方向上的正投影的重叠面积，使其达到更佳的值，以进一步提高封装过程中封装区FA内封装料与第一导电结构130的接触粘附效果，提高封装效果。

在一些实施例中，阵列基板100具有边界线100a，第二外轮廓线OC2与边界线100a的距离可以为60微米至80微米，例如是70微米。

如图2a和图2b，在一些实施例中，第一导电结构130设有至少一组槽结构GR，每组槽结构GR包括多个第一槽131，每组槽结构GR中的多个第一槽131围绕显示区AA的部分外周并且相互间隔设置。通过设置至少一组槽结构GR，可以增加第一导电结构130的表面粗糙度，增大封装时封装料与第一导电结构130之间的粘附力，进一步提高封装效果。

如图2a，在一些实施例中，每组槽结构GR中的多个第一槽131相互等间距设置，以提高封装时阵列基板100与盖板接合的均匀性。在一些实施例中，每组槽结构GR中的多个第一槽131的尺寸相同，进一步提高封装的的均匀性。

在一些实施例中，第一导电结构130设有至少两组槽结构GR。如图2a，例如在一些实施例汇总，第一导电结构130设有四组槽结构GR，当然可以理解的是，在其它一些实施例中，第一导电结构130设有槽结构GR的组数也可以是其它数目。

进一步地在一些实施例中，每组槽结构GR中的第一槽131与相邻组槽结构GR的第一槽131错位设置，提升封装效果。

图3a示出根据本发明第二实施例的阵列基板的局部结构示意图，其中图3a可以是图1中A区域的局部结构示意图，其主要示出阵列基板100的非显示区NA的局部结构。图3b示出图3a中CC向的截面图，为清楚示出封装区FA的位置，图3b中示出了设置在封装区FA的封装料300。本实施例中的阵列基板100包括衬底110、无机层120以及第一导电结构130。

以下将对本发明第二实施例的阵列基板与第一实施例的阵列基板的不同之处进行详细说明，相同之处不再详述。

与第一实施例不同的是，在第二实施例的阵列基板100中，每个第一槽131的槽底开设有第二槽121，从而提高槽的总深度，增加封装时封装料与阵列基板100之间的粘附力。在一些实施例中，第二槽121的槽口尺寸小于第一槽131的槽口尺寸，使得第一槽131的槽底的表面粗糙度进一步增加，从而进一步增加封装时封装料与阵列基板100之间的粘附力。

进一步地，如图3a和图3b，每个第一槽131的槽底开设有多个第二槽121，即每个第一槽131对应多个第二槽121。其中在一些实施例中，多个第二槽121可以在每个第一槽131的槽底阵列排布。在其它一些实施例中，多个第二槽121也可以在每个第一槽131的槽底无规律排布。通过在每个第一槽131的槽底开设有多个第二槽121，可以更大程度提高第一槽131的槽底的表面粗糙度，从而提高封装效果。

在本实施例中，第一槽131自第一导电结构130的表面贯穿至无机层120的表面，第二槽121开设于无机层120。在一些实施例中，第二槽121可以贯穿至衬底110的表面。

图4a示出根据本发明第三实施例的阵列基板的局部结构示意图，其中图4a可以是图1中A区域的局部结构示意图，其主要示出阵列基板100的非显示区NA的局部结构。图4b示出图4a中DD向的截面图，为清楚示出封装区FA的位置，图4b中示出了设置在封装区FA的封装料300。本实施例中的阵列基板100包括衬底110、无机层120以及第一导电结构130。

以下将对本发明第三实施例的阵列基板与第一实施例的阵列基板的不同之处进行详细说明，相同之处不再详述。

在第三实施例的阵列基板100中，每个第一槽131的槽底开设有第二槽121，从而提高槽的总深度，增加封装时封装料与阵列基板100之间的粘附力。在一些实施例中，第二槽121的槽口尺寸小于第一槽131的槽口尺寸，使得第一槽131的槽底的表面粗糙度进一步增加，从而进一步增加封装时封装料与阵列基板100之间的粘附力。

进一步地，如图4a和图4b，部分无机层120的表面在第一外轮廓线OC1与阵列基板100的边界线100a之间暴露，无机层120设有多个第三槽122，多个第三槽122位于第二外轮廓线OC2与第一外轮廓线OC1之间。即，多个第三槽122位于第一导电结构130所占据的区域外，并且位于封装区FA所占据的区域内。通过在阵列基板100上开设第一槽131、第二槽121、第三槽122等多种槽，使得阵列基板100在封装区FA的表面结构更加多样化，提高表面粗糙度以提高封装效果。

图5a示出根据本发明第四实施例的阵列基板的局部结构示意图，其中图5a可以是图1中A区域的局部结构示意图，其主要示出阵列基板100的非显示区NA的局部结构。图5b示出图5a中EE向的截面图，为清楚示出封装区FA的位置，图5b中示出了设置在封装区FA的封装料300。本实施例中的阵列基板100包括衬底110、无机层120以及第一导电结构130。

以下将对本发明第四实施例的阵列基板与第一实施例的阵列基板的不同之处进行详细说明，相同之处不再详述。

第一导电结构130设有至少一组槽结构GR，每组槽结构GR包括多个第一槽131，每组槽结构GR中的多个第一槽131围绕显示区AA的部分外周并且相互间隔设置。其中，本实施例的阵列基板100还包括边界覆盖结构140。

边界覆盖结构140覆盖第一槽131的至少部分侧壁设置，和/或，覆盖第一槽131的槽口的至少部分轮廓线设置。本实施例中，边界覆盖结构140与第一槽131一一对应设置，边界覆盖结构140覆盖每个第一槽131的侧壁，并且围绕该第一槽131的槽口的整个轮廓线设置。

在一些实施例中，阵列基板100还包括发光器件。发光器件位于无机层120上，并且在显示区AA内阵列排布设置。在一些实施例中，发光器件与无机层120之间可以设置平坦化层等其它层结构。

发光器件包括第一电极、第二电极以及夹设在第一电极与第二电极之间的发光层，其中第一电极位于发光层的靠近衬底110的一侧。第一电极、第二电极中的一个为阳极，另一个为阴极。本实施例中，第一电极为阳极，第二电极为阴极。

在一些实施例中，边界覆盖结构140的材料与第一电极的材料相同。第一电极的材料可以是ITO，也可以是金属材料，以实际设计需要调整。在一些实施例中，边界覆盖结构140可以与第一电极同层设置，并且在同一图案化过程中共同形成。本实施例利用边界覆盖结构140覆盖第一槽131的至少部分侧壁设置和/或覆盖第一槽131的槽口的至少部分轮廓线，能够避免第一导电结构130在第一槽131的槽口边界裸露，从而降低阳极异物发生率。

图6a示出根据本发明第五实施例的阵列基板的局部结构示意图，其中图6a可以是图1中A区域的局部结构示意图，其主要示出阵列基板100的非显示区NA的局部结构。图6b示出图6a中FF向的截面图，为清楚示出封装区FA的位置，图6b中示出了设置在封装区FA的封装料300。本实施例中的阵列基板100包括衬底110、无机层120以及第一导电结构130。

以下将对本发明第五实施例的阵列基板与第一实施例的阵列基板的不同之处进行详细说明，相同之处不再详述。

与第一实施例不同的是，阵列基板100还包括第二导电结构150。第二导电结构150位于无机层120与第一导电结构130之间，第二导电结构150的至少部分在非显示区NA与第一导电结构130叠层设置。

第二导电结构150可以是图案化的金属导电结构，也可以是图案化的ITO导电结构，本实施例中以第二导电结构150是金属导电结构为例进行说明。在一些实施例中，第二导电结构150是与第一导电结构130电连接的布线结构。

其中，多个第一槽131中的至少部分第一槽131自第一导电结构130的表面贯穿至第二导电结构150的表面。封装时，封装料300的一部分可以与第一导电结构130接触，封装料300的一部分与第二导电结构150接触，从而增加封装料300与全部导电结构的接触面积，增大封装时的粘结力。

在其它一些实施例中，第二导电结构150在对应于第一槽131的槽底位置还可以设置开槽，以进一步提高阵列基板100的表面粗糙度。

本发明实施例还提供一种显示面板，图7a示出根据本发明实施例的显示面板的结构示意图，图7b示出图7a中GG向的截面示意图。

该显示面板1000包括阵列基板100、盖板200以及封装料300，图7a中将盖板200透明化示出。阵列基板100可以是根据前述的任一实施方式的阵列基板100，其包括显示区AA以及位于显示区AA外周的非显示区NA，非显示区NA设有用于布置封装料的封装区FA，封装区FA围绕显示区AA设置。

盖板200例如是玻璃盖板，其位于阵列基板100上。封装料300可以是玻璃料(Frit)，封装料300设于阵列基板100的封装区FA，用于接合盖板200与阵列基板100。

根据本发明实施例的显示面板，阵列基板100的第一导电结构在阵列基板100厚度方向上的正投影具有第一外轮廓线。第一外轮廓线的至少部分位于封装区FA内，使得封装区FA与第一导电结构在阵列基板100厚度方向上的正投影具有一定面积的重叠区域，在封装过程中使得封装料300能够与至少部分第一导电结构接触，提高封装效果。

在一些实施例中，封装区FA在阵列基板100厚度方向上的正投影具有第二外轮廓线。其中第二外轮廓线与第一外轮廓线的距离为50微米至70微米，以保证封装区FA与第一导电结构在阵列基板100厚度方向上的正投影具有更大面积的重叠区域，从而在封装过程中使得封装料300能够与更大面积的第一导电结构接触，提高封装效果，减少因封装不良导致的显示问题。

依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，具有显示区以及位于所述显示区外周的非显示区，所述非显示区设有用于布置封装料的封装区，所述封装区围绕所述显示区设置，所述阵列基板包括：

衬底；

无机层，位于所述衬底上；以及

第一导电结构，位于所述无机层上，所述第一导电结构在所述非显示区内围绕所述显示区的部分外周设置，

其中，所述第一导电结构在所述阵列基板厚度方向上的正投影具有第一外轮廓线，所述第一外轮廓线的至少部分位于所述封装区内。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述封装区在所述阵列基板厚度方向上的正投影具有第二外轮廓线，所述第二外轮廓线与所述第一外轮廓线的距离为50微米至70微米。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电结构设有至少一组槽结构，每组所述槽结构包括多个第一槽，多个所述第一槽围绕所述显示区的部分外周并且相互间隔设置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，每组所述槽结构中的多个所述第一槽相互等间距设置；

优选地，每组所述槽结构中的多个所述第一槽的尺寸相同；

优选地，所述第一导电结构设有至少两组所述槽结构，每组所述槽结构中的所述第一槽与相邻组所述槽结构的所述第一槽错位设置。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，每个所述第一槽的槽底开设有第二槽，所述第二槽的槽口尺寸小于所述第一槽的槽口尺寸。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，每个所述第一槽的槽底开设有多个所述第二槽；

优选地，所述第一槽自所述第一导电结构的表面贯穿至所述无机层的表面，所述第二槽开设于所述无机层。

7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，部分所述无机层的表面在所述第一外轮廓线与所述阵列基板的边界线之间暴露，所述无机层设有多个第三槽，多个所述第三槽位于所述第二外轮廓线与所述第一外轮廓线之间。

8.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

边界覆盖结构，覆盖所述第一槽的至少部分侧壁设置，和/或，覆盖所述第一槽的槽口的至少部分轮廓线设置；

优选地，所述阵列基板还包括：

发光器件，位于所述无机层上，并且在所述显示区内阵列排布设置，所述发光器件包括第一电极、第二电极以及夹设在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层，其中所述第一电极位于所述发光层的靠近所述衬底的一侧，

所述边界覆盖结构的材料与所述第一电极的材料相同。

9.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

第二导电结构，位于所述无机层与所述第一导电结构之间，所述第二导电结构的至少部分在所述非显示区与所述第一导电结构叠层设置，

多个所述第一槽中的至少部分所述第一槽自所述第一导电结构的表面贯穿至所述第二导电结构的表面。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

根据权利要求1至9任一项所述的阵列基板；

盖板，位于所述阵列基板上；以及

封装料，设于所述阵列基板的封装区，用于接合所述盖板与所述阵列基板。