CN110133022A - 一种通过ebsd技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法 - Google Patents

一种通过ebsd技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110133022A
CN110133022A CN201910293624.XA CN201910293624A CN110133022A CN 110133022 A CN110133022 A CN 110133022A CN 201910293624 A CN201910293624 A CN 201910293624A CN 110133022 A CN110133022 A CN 110133022A
Authority
CN
China
Prior art keywords
oxidation film
ebsd
crystal
preferred orientation
high preferred
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910293624.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110133022B (zh
Inventor
李阁平
张英东
刘承泽
袁福森
韩福洲
穆罕默德·阿里
郭文斌
马广财
顾恒飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Metal Research of CAS
Original Assignee
Institute of Metal Research of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Metal Research of CAS filed Critical Institute of Metal Research of CAS
Priority to CN201910293624.XA priority Critical patent/CN110133022B/zh
Publication of CN110133022A publication Critical patent/CN110133022A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110133022B publication Critical patent/CN110133022B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
    • G01N23/2005—Preparation of powder samples therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20058—Measuring diffraction of electrons, e.g. low energy electron diffraction [LEED] method or reflection high energy electron diffraction [RHEED] method
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/203—Measuring back scattering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法。该方法主要根据计算晶面的样品坐标方向，结合EBSD系统中样品坐标系与晶体坐标系的转换关系，以及通过晶面法向量公式计算与转化，最终获得与观察晶面垂直的晶面取向信息。该方法计算过程如下步骤：先制备氧化膜与基体的EBSD样品。在带有EBSD探头的扫描电镜进行EBSD测试，最终获得基体的晶体取向信息‑欧拉角信息；通过EBSD系统配套的CHANNEL5软件获得基体中晶粒的IPF图，通过测量软件测定与氧化膜接触的晶粒在样品坐标系下的法向。然后根据测定晶粒的欧拉角信息，通过样品坐标系与晶体坐标系的矩阵转换关系，最终得出垂直该晶粒的晶面的法向量。

Description

一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法
技术领域：
本发明属于材料分析领域，特别是指一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法。
背景技术：
20世纪90年代以来，对于装配在电子扫描电镜上的背散射花样晶体微区取向和晶体结构分析技术取得了很大的发展，并且在材料微观组织结构及微管织构的表征中广泛应用，该技术简称电子背散射衍射(Electron Backscattered Diffraction，简称EBSD)。而EBSD技术就是通过采集电子与样品的衍射信息，通过图像处理，数据库对比与修正，最后得出晶体的取向信息。
随着EBSD技术的不断发展和完善，该技术逐渐在陶瓷材料，氧化物研究等方面的应用。然而对于陶瓷和氧化物等材料，由于这些材料不导电，所以对于这些材料的样品制备处理要求非常严格，而且通过EBSD技术直接解析出氧化物晶粒取向的效果一般很不理想。而晶体取向与材料的氧化影响密切相关，周邦新等人研究了锆合金的不同晶面在模拟反应堆中的氧化腐蚀情况，得出了晶面的氧化各向异性，即不同晶面对应着不同的氧化速度。目前对于不同材料的晶面取向与氧化物形成关系研究较困难，因为很难获得氧化膜初始形成阶段、中间形成阶段、最后形成阶段过程中与氧化膜底部接触的晶面取向变化。而且材料在形成氧化膜时，氧化膜与基体的接触面为曲线面，所以也很难通过去除氧化膜方法来研究不同氧化阶段过程中氧化膜底部晶面的取向变化。因此，寻求一种方法研究材料氧化膜底部晶面取向变化的方法至关重要。
通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，是一种简单、有效地获取氧化膜底部的晶粒取向的方法。
发明内容：
本发明的目的是通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法。先通过制备带有氧化膜截面的EBSD样品；通过在带有EBSD探头的扫描电镜内测定基体的晶面取向信息(氧化膜很难通过EBSD解析出来)，把基体的晶面取向结果通过CHANNEL5软件导出IPF图(或者欧拉角图)；通过Ruler测量软件在IPF图上直接测定氧化膜底部接触的基体晶面的法向量(样品坐标系)；其次，通过转换矩阵，把样品坐标系下晶面的法向量转换成晶体坐标系下的法向量；最后通过不同类型的晶体结构的法向量与晶面的关系公式，最终把法向量指数转化为晶面指数，即所求氧化膜底部的晶面取向。
本发明通过以下技术方案获得：
一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，该方法采用EBSD技术，通过测定氧化膜与基体间晶面的样品坐标系的法向方向，计算出与氧化膜接触的晶面取向信息。
所述EBSD系统中默认欧拉角时，晶体坐标系的Yα、Zα轴与样品坐标系的Y、Z轴平行，通过矩阵T修正。
根据EBSD测定的晶面取向信息，得出IPF图，根据Ruler软件可以直接在IPF图上测量与氧化膜接触晶面的法向量(样品坐标系)，得出与氧化膜接触晶面法向量的近似解。
氧化膜与基体的接触面为曲面，即基体每一个晶面与氧化膜的接触面的法向量(样品坐标系)应该单独计算获得。
根据计算晶面的法向量(样品坐标系)，通过转置矩阵把样品坐标系下的晶面法向量转成晶体坐标系下的晶面法向量。
通过该方法求出与氧化膜接触晶面的法向量(晶体坐标系下的三指数坐标)，然后通过公式把所求的法向量转换为相对应的晶面指数，如果是FCC、BCC结构时，法向量的指数就是相对应的晶面指数，即[xyz]→{xyz}。
如果材料为HCP结构，那么法向量的指数[HKL]转换为晶面的指数就要考虑不同HCP结构的c/a值，先通过三指数转换四指数坐标，根据公式把法向量指数转化晶面指数。
通过EBSD测定晶面的取向信息-欧拉角，根据观察面所在的样品坐标系与晶体坐标系的转换关系，可以测定不同方向(样品坐标系)所对应的晶体坐标系下的晶面弥勒指数。
磨掉样品截面2-10微米，并且测定截面基体晶面取向，然后通过该方法计算氧化膜底部晶面取向，获得一系列计算结果后可以获得材料整个氧化膜底部的晶面取向(近似求解)。
该方法应用于HCP、BCC、FCC等不同晶体结构材料的氧化膜下的晶面指数计算。
一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法具体包括以下步骤：
1、先选择带有氧化膜且基体可以通过EBSD解析出来的材料，通过线切割机切除试样大小合适的样品；并且把切出的样品制作成EBSD样品，EBSD样品过程主要是通过研磨、机械抛光，最后电解抛光(不同材料的电解抛光液不同)；
2、通过在带有EBSD探头的扫描电镜进行EBSD测试，最终获得基体的晶面取向信息(氧化膜很难通过EBSD解析出来)；
3、通过EBSD系统配套的CHANNEL5软件导出基体中晶面的IPF图(或者Eulor图)，根据样品的宏观观察方向以及EBSD系统中对应的样品坐标系，在IPF图上通过测量软件Ruler直接近似测量氧化膜与基体晶粒之间的界面(在二维平面内，为一条直线)和样品坐标的夹角，进而获得氧化膜底部晶面的法向量(样品坐标系)；
4、由于EBSD系统中默认欧拉角时，晶体坐标系的Yα、Zα轴与样品坐标系的Y、Z轴平行，所以必须通过矩阵T来修正；
5、根据计算的氧化膜底部晶面的法向量P(α，β)的样品坐标方向，结合测定的基体晶粒欧拉角，通过欧拉角转换矩阵和修正矩阵T，把法向量的样品坐标系转换成晶体坐标系，并且得出氧化膜底部晶面的法向量(三坐标指数)，样品坐标与晶体坐标的具体过程如图1所示；
6、如果是FCC或者BCC结构，根据立方结构的晶面法向量与晶面的关系，如果已知晶面法向量可以得出晶面的弥勒指数(FCC或者BCC结构晶面的法向量表示的指数就是对应的晶面指数)；如果是HCP结构，那么得通过晶面与法向量的指数换算公式，最终把晶面的法向量转化为晶面的弥勒指数；
7、验证计算的氧化膜底部的晶面是否是所求的晶面，验证步骤如下所示：
通过测定晶粒欧拉角的工具，测定并且记录氧化膜与基体相接触晶粒的欧拉角信息，并且结合晶粒的极图，通过对比晶粒在不同极图的位置，如果晶粒在某极图的中心位置，那么就能够得出该晶粒的所表示的晶面信息(晶面指数)；
通过以上方法，根据不同晶体结构的法向量与晶面的关系，求出基体晶粒(与氧化膜接触的晶粒)的法向量，结合计算的氧化膜底部晶面的法向量，求出2个晶面之间的夹角是否为90°(误差范围为5°)。
本发明的特点如下所示：
1、通过测定氧化膜与基体间的晶面的样品坐标系的法向方向，通过该方法可以计算出与氧化膜接触的那个晶面的取向信息；
2、通过不同晶体结构对应着不同的晶面法向量指数与晶面指数的转换关系，把求出的晶面的法向量指数转换为晶面的弥勒指数；
3、通过不断磨掉样品截面约几微米(根据材料的晶粒直接而定，约为一个晶粒尺寸范围)并且测定截面基体晶面取向，然后通过该方法计算氧化膜底部晶面取向，获得一系列计算统计结果后，可以获得材料整个氧化膜底部的晶面取向(近似求解)；
4、由于EBSD技术的应用领域集很广泛(如金属材料、陶瓷材料、半导体等)，所以用该方法对于HCP、BCC、FCC等不同晶体结构材料的氧化膜下的晶面指数计算都适用，即通过该方法计算材料氧化膜底部晶面取向的方法的适用性很广泛；
相关技术原理：
氧化膜底部晶面在样品坐标系下的法向量求解原理如图2所示：
从图2可知：由于所观察面为z方向，即EBSD解析面为X-Y面，所以所求的氧化膜底部晶面在X-Y面内为一直线，所以可得β＝0；通过测量软件可测定θ角(近似求解)，进而可得α角(α+θ＝90°)，根据几何关系公式(1)求出EBSD系统内样品坐标系内晶面的法向量P(α，β)→[XYZ]。
X＝cosα；Y＝sinα；Z＝0 (1)
EBSD系统获得晶体取向信息主要是通过CHANNEL5软件系统处理获得晶体的欧拉角信息，通过软件系统内欧拉角的转换计算得出晶粒的取向信息。欧拉角的形成步骤：初始时，晶体坐标系与样品坐标系重合，记为x0y0z0。首先，绕z轴转过角，形成x1y1z坐标系，此时x、x1、y和y1共面。然后，再绕x1轴转过Φ角，形成x1y2z’坐标系，此时Ox1y1平面转到Ox1y2，两平面之交线表示为ON。y1，y2，z和z’四轴共面，且与ON正交。最后，再绕z’轴转过角，形成x'y'z'坐标系，形成如图3所示的欧拉角。
上述欧拉角的三次旋转变化可以分别用用矩阵M1、M2、M3表达为：
把矩阵M1、M2、M3相乘后得到三次转变后的转变矩阵M：
由于EBSD系统中默认欧拉角时，晶体坐标系的Y1、Z1轴与样品坐标系的Y、Z轴平行，所以必须通过矩阵T来修正:
根据公式(1)所求的样品坐标系下晶面的法向量[XYZ]，通过转变矩阵M(3)、修正矩阵T(4)，可得晶体坐标系内晶面的法向量[X’Y’Z’]，如公式(5)所示：
晶面法向量指数与晶面指数的转化。通过以上方法求的晶体坐标下的晶面法向量(三指数坐标)转换成相对应晶面的弥勒指数，其FCC(或者BCC)、HCP结构的转换公式分别如公式(6)、(7)所示：
FCC或者BCC结构:[xyz]→{xyz} (6)
HCP结构：
本发明优点：
EBSD样品制备简单，该计算晶面取向方法简单、准确，是一种容易操作的方法。
附图说明：
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对本申请中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1晶体坐标系和样品坐标系关系图；
图2氧化膜底部晶面在样品坐标系下的法向量求解原理示意图；
图3欧拉角及其形成过程示意图；
图4氧化膜底部的晶面指数的法向量在样品坐标系内计算过程；
图5Zr-4合金中氧化膜底部的晶面指数的EBSD观察位置。
具体实施方式：
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。
实施例1
一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法包括以下步骤：
1、先选择带有氧化膜且基体可以通过EBSD解析出来的材料，通过线切割机切除试样大小合适的样品；并且把切出的样品制作成EBSD样品，EBSD样品过程主要是通过研磨、机械抛光，最后电解抛光(不同材料的电解抛光液不同)；
2、通过在带有EBSD探头的扫描电镜进行EBSD测试，最终获得基体的晶面取向信息(氧化膜很难通过EBSD解析出来)；
3、通过EBSD系统配套的CHANNEL5软件导出基体中晶面的IPF图(或者Eulor图)，根据样品的宏观观察方向以及EBSD系统中对应的样品坐标系，在IPF图上通过测量软件Ruler直接近似测量氧化膜与基体晶粒之间的界面(在二维平面内，为一条直线)和样品坐标的夹角，进而获得氧化膜底部晶面的法向量(样品坐标系)；
4、由于EBSD系统中默认欧拉角时，晶体坐标系的Yα、Zα轴与样品坐标系的Y、Z轴平行，所以必须通过矩阵T来修正；
5、根据计算的氧化膜底部晶面的法向量P(α，β)的样品坐标方向，结合测定的基体晶粒欧拉角，通过欧拉角转换矩阵和修正矩阵T，把法向量的样品坐标系转换成晶体坐标系，并且得出氧化膜底部晶面的法向量(三坐标指数)；
6、如果是FCC或者BCC结构，根据立方结构的晶面法向量与晶面的关系，如果已知晶面法向量可以得出晶面的弥勒指数(FCC或者BCC结构晶面的法向量表示的指数就是对于的晶面指数)；如果是HCP结构，那么得通过晶面与法向量的指数换算公式，最终把晶面的法向量转化为晶面的弥勒指数；
7、验证计算的氧化膜底部的晶面是否是所求的晶面，验证步骤如下所示：
通过测定晶粒欧拉角的工具，测定并且记录氧化膜与基体相接触晶粒的欧拉角信息，并且结合晶粒的极图，通过对比晶粒在不同极图的位置，如果晶粒在某极图的中心位置，那么就能够得出该晶粒的所表示的晶面信息(晶面指数)；
通过以上方法，根据不同晶体结构的法向量与晶面的关系，求出基体晶粒(与氧化膜接触的晶粒)的法向量，结合计算的氧化膜底部的晶面的法向量，求出2个晶面之间的夹角是否为90°(误差范围为5°)。
综上，本实施例提出了一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，通过该方法可以计算出氧化膜与基体接触之间的晶面取向，即氧化膜底部的晶面取向；也可以通过EBSD测定晶面的取向信息(欧拉角)，根据观察面所在的样品坐标系与晶体坐标系的转换关系，可以测定不同方向(样品坐标系)所对应的晶体坐标系下的晶面弥勒指数；该方法是一种简单、准确，适用范围广的方法，为晶面取向对合金的氧化反应过程研究提供了一种有效的新型研究方法。
下述的实施例2都是在实施例1的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法的基础上具体展开实施的，特此说明。
实施例2
一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，通过以上描述的方法对在高压釜腐蚀30天左右的Zr-4合金管材的氧化膜底部晶面的计算。
Zr-4合金的名义成分为Zr-1.5Sn-0.2Fe-0.1Cr，该合金具有非常低的热中子吸收截面，高硬度，延展性和优良的耐腐蚀性，主要用于压水堆，沸水堆，重水堆中的燃料包壳材料。
首先是EBSD样品的制备，通过线切割样品、研磨、电解抛光等过程后制备出EBSD样品，然后在带有EBSD探头的扫描电镜下测定观察面为3000X(观察面的大小自己选择)时与氧化膜接触的基体晶面(大约氧化膜与基体接触20μm左右)所有晶面取向的信息，记录与氧化膜接触的基体晶面欧拉角信息，通过实施例1的步骤依次计算氧化膜与基体接触晶面的法向量，法向量的样品坐标与晶体坐标变换，晶体坐标的法向量指数转换为晶面指数，最终计算出观察面为3000X时，Zr-4合金中氧化膜底部的晶面指数，其法向量在样品坐标系内计算过程和计算结果如图4、5，表1所示。计算的氧化膜底部晶面指数结果如表2所示。
表1
表2

Claims (10)

1.一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：该方法采用EBSD技术，通过测定材料氧化膜与基体间晶面的样品坐标系的法向方向，计算出与氧化膜接触的晶面取向信息。
2.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：所述EBSD系统中默认欧拉角时，晶体坐标系的Yα、Zα轴与样品坐标系的Y、Z轴平行，通过矩阵T修正。
3.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：根据EBSD测定的晶面取向信息，得出IPF图，根据Ruler软件可以直接在IPF图上测量与氧化膜接触晶面的法向量(样品坐标系)，得出与氧化膜接触晶面法向量的近似解。
4.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：氧化膜与基体的接触面为曲面，即基体每一个晶面与氧化膜的接触面的法向量(样品坐标系)应该单独计算获得。
5.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：根据计算晶面的法向量(样品坐标系)，通过转置矩阵把样品坐标系下的晶面法向量转成晶体坐标系下的晶面法向量。
6.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：通过该方法求出与氧化膜接触晶面的法向量(晶体坐标系下的三指数坐标)，然后通过公式把所求的法向量转换为相对应的晶面指数，如果是FCC、BCC结构时，法向量的指数就是相对应的晶面指数，即[xyz]→{xyz}。
7.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：材料为HCP结构时，法向量的指数[HKL]转换为晶面的指数就要考虑不同HCP结构的c/a值，先通过三指数转换四指数坐标，根据公式把法向量指数转化晶面指数。
8.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：通过EBSD测定晶面的取向信息-欧拉角，根据观察面所在的样品坐标系与晶体坐标系的转换关系，可以测定不同方向(样品坐标系)所对应的晶体坐标系下的晶面弥勒指数。
9.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：磨掉样品截面2-10微米，并且测定截面基体晶面取向，然后通过该方法计算氧化膜底部晶面取向，获得一系列计算结果后可以获得材料整个氧化膜底部的晶面取向(近似求解)。
10.按照权利要求1所述的通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法，其特征在于：该方法应用于HCP、BCC、FCC等不同晶体结构材料的氧化膜下的晶面指数计算。
CN201910293624.XA 2019-04-12 2019-04-12 一种通过ebsd技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法 Expired - Fee Related CN110133022B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910293624.XA CN110133022B (zh) 2019-04-12 2019-04-12 一种通过ebsd技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910293624.XA CN110133022B (zh) 2019-04-12 2019-04-12 一种通过ebsd技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110133022A true CN110133022A (zh) 2019-08-16
CN110133022B CN110133022B (zh) 2021-12-21

Family

ID=67569926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910293624.XA Expired - Fee Related CN110133022B (zh) 2019-04-12 2019-04-12 一种通过ebsd技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110133022B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110900690A (zh) * 2019-11-28 2020-03-24 清华大学 旋转变换夹持装置、旋转变换切割系统及应用
CN112611661A (zh) * 2020-11-30 2021-04-06 中国科学院金属研究所 一种判断位错滑移类型的方法
CN117740630A (zh) * 2023-12-21 2024-03-22 重庆大学 一种基于透射电镜的晶粒三维表征方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3250316B2 (ja) * 1993-04-15 2002-01-28 株式会社島津製作所 イオン分析装置
CN101813645A (zh) * 2010-02-05 2010-08-25 北京工业大学 纳米锆酸镧外延层与Ni-W衬底晶体取向匹配关系的电子背散射衍射(EBSD)测试方法
JP2013116509A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Mitsubishi Materials Corp 表面被覆切削工具
CN104090033A (zh) * 2014-07-16 2014-10-08 大连理工大学 基于ebsd图谱的粗晶材料fdtd超声检测仿真模型建立方法
CN104155323A (zh) * 2014-07-23 2014-11-19 武汉钢铁(集团)公司 一种测量大晶粒硅钢织构的分析方法
CN106484978A (zh) * 2016-09-28 2017-03-08 北京理工大学 一种基于晶体滑移机制的各向异性线弹性本构的建立方法
CN107138820A (zh) * 2017-05-05 2017-09-08 北京工业大学 一种保证对接单晶焊点晶粒取向一致的方法
CN107607564A (zh) * 2017-07-20 2018-01-19 武汉大学 电子背散射衍射仪
CN108226198A (zh) * 2017-12-27 2018-06-29 北京北冶功能材料有限公司 钢铁材料裂纹形成时段的ebsd晶粒取向判定方法
CN109001238A (zh) * 2018-08-29 2018-12-14 哈尔滨工业大学 一种用x射线衍射法测定蓝宝石单晶材料应力的方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3250316B2 (ja) * 1993-04-15 2002-01-28 株式会社島津製作所 イオン分析装置
CN101813645A (zh) * 2010-02-05 2010-08-25 北京工业大学 纳米锆酸镧外延层与Ni-W衬底晶体取向匹配关系的电子背散射衍射(EBSD)测试方法
JP2013116509A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Mitsubishi Materials Corp 表面被覆切削工具
CN104090033A (zh) * 2014-07-16 2014-10-08 大连理工大学 基于ebsd图谱的粗晶材料fdtd超声检测仿真模型建立方法
CN104155323A (zh) * 2014-07-23 2014-11-19 武汉钢铁(集团)公司 一种测量大晶粒硅钢织构的分析方法
CN106484978A (zh) * 2016-09-28 2017-03-08 北京理工大学 一种基于晶体滑移机制的各向异性线弹性本构的建立方法
CN107138820A (zh) * 2017-05-05 2017-09-08 北京工业大学 一种保证对接单晶焊点晶粒取向一致的方法
CN107607564A (zh) * 2017-07-20 2018-01-19 武汉大学 电子背散射衍射仪
CN108226198A (zh) * 2017-12-27 2018-06-29 北京北冶功能材料有限公司 钢铁材料裂纹形成时段的ebsd晶粒取向判定方法
CN109001238A (zh) * 2018-08-29 2018-12-14 哈尔滨工业大学 一种用x射线衍射法测定蓝宝石单晶材料应力的方法

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHENGZE LIU ET AL: ""Oxygen induced phase transformation in an α+β titanium alloy"", 《MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS》 *
余煌 等: ""EBSD测定钛合金中氢化物的取向关系"", 《理化检验-物理分册》 *
周善民 等: ""T3铜的电子背散射衍射(EBSD)花样分析"", 《电子显微学报》 *
张骏 等: ""Zr-Sn-Fe-Cr-(Nb)合金在500℃过热蒸汽中的腐蚀各向异性研究"", 《金属学报》 *
苟少秋 等: ""Zr-4合金在LiOH水溶液中腐蚀时氧化膜生长各向异性的研究"", 《金属学报》 *
谢季佳 等: ""利用迹线测量晶体材料中特征面取向的EBSD方法"", 《电子显微学报》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110900690A (zh) * 2019-11-28 2020-03-24 清华大学 旋转变换夹持装置、旋转变换切割系统及应用
CN112611661A (zh) * 2020-11-30 2021-04-06 中国科学院金属研究所 一种判断位错滑移类型的方法
CN117740630A (zh) * 2023-12-21 2024-03-22 重庆大学 一种基于透射电镜的晶粒三维表征方法
CN117740630B (zh) * 2023-12-21 2024-06-04 重庆大学 一种基于透射电镜的晶粒三维表征方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110133022B (zh) 2021-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110133022A (zh) 一种通过ebsd技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法
Garner et al. The effect of Sn concentration on oxide texture and microstructure formation in zirconium alloys
CN102928449B (zh) 电子背散射衍射分析技术测试锆合金中科恩系数的方法
Hubert et al. Local Structure of Actinide Dioxide Solid Solutions Th1-x U x O2 and Th1-x Pu x O2
US8670608B2 (en) 3D atomic scale imaging methods
CN103713002B (zh) 一种测定汽车尾气催化剂涂层厚度的方法
Gaskey et al. Optical characterization of grain orientation in crystalline materials
CN110044527B (zh) 一种快速测定镍基单晶高温合金内应力的方法
US20120229794A1 (en) Thin Film Stress Measurement 3D Anisotropic Volume
CN104155323A (zh) 一种测量大晶粒硅钢织构的分析方法
CN104101736A (zh) 一种校准用纳米级台阶标准样品的制备方法
CN111664977A (zh) 一种丝织构薄膜残余应力检测方法
Järvinen et al. Correction of integrated X-ray intensities for preferred orientation in cubic powders
CN109959670A (zh) 采用电子背散射衍射技术测量双相钢中马氏体含量的方法
Frazer et al. Evaluation of the mechanical properties of TRISO particles using nanoindentation and ring compression testing
CN104793019B (zh) 在原子力显微镜上标定微悬臂梁弹性常数的溯源方法
CN111220633B (zh) 通过ebsd技术提取晶体中特定晶面的方法
Wenk et al. Texture analysis of polycrystalline silicon films
Armson et al. The importance of substrate grain orientation on local oxide texture and corrosion performance in α-Zr alloys
Cai et al. Comparative study of oxides formed on fusion zone and base metal of laser welded Zr-1.0 Sn-1.0 Nb-0.1 Fe alloy
Busch et al. Oxide layer mass determination at the silicon sphere of the Avogadro project
Isaenkova et al. Comparison of the results of texture analysis of zirconium alloys based on the data of backscattered electron diffraction and X-ray radiation of different powers
CN112050978A (zh) 一种机匣用Ti2AlNb合金的X射线残余应力测试方法
Bian et al. Oriented secondary magnetite micro-inclusions in plagioclase from oceanic gabbro
JP3750762B2 (ja) 金属の疲労損傷度の評価法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20211221

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee