CN110121783B - 具有调光区的显示面板、显示装置、调节显示面板显示对比度的方法、以及制造显示面板的方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种具有多个子像素的阵列的显示面板。显示面板包括多个调光器，其配置为调节显示面板的显示对比度。所述多个调光器中的每一个位于配置为允许光透射通过显示面板的调光区中。调光区中的透光率由用于驱动所述多个子像素中的第一子像素的图像显示的第一栅线和第一数据线控制。

Description

具有调光区的显示面板、显示装置、调节显示面板显示对比度 的方法、以及制造显示面板的方法
技术领域
本发明涉及显示技术，更具体地，涉及具有调光区的显示面板、显示装置、调节显示面板显示对比度的方法、以及制造显示面板的方法。
背景技术
诸如液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置的显示装置已被广泛使用。LCD显示装置和OLED显示装置使用薄膜晶体管(TFT)来控制显示面板中的像素。
发明内容
一方面，本公开提供了一种具有多个子像素的阵列的显示面板，其包括配置为调节显示面板的显示对比度的多个调光器，所述多个调光器中的每一个位于配置为允许光透射通过显示面板的调光区中；其中，所述调光区中的透光率由用于驱动所述多个子像素中的第一子像素的图像显示的第一栅线和第一数据线控制。
可选地，所述多个调光器中的每一个包括第一电极、位于第一电极上的电致变色层、以及位于电致变色层的远离第一电极的一侧的第二电极。
可选地，显示面板包括位于调光区中的第一薄膜晶体管，其具有耦接至第一栅线的栅极、耦接至第一电极的源极和耦接至地的漏极。
可选地，第一薄膜晶体管是漏电晶体管(leaky transistor)。
可选地，显示面板包括位于第一子像素中的第二薄膜晶体管，其包括耦接至第一栅线的栅极、耦接至第一数据线的源极和耦接至第一子像素中的第三电极的漏极。
可选地，位于第一子像素中的第二薄膜晶体管还包括有源层；并且第一薄膜晶体管的源极与第二薄膜晶体管的有源层耦接。
可选地，第一子像素中的第三电极和调光区中的第一电极位于同一层并且由相同的材料制成。
可选地，显示面板还包括：位于第三电极的远离第二薄膜晶体管的一侧的有机发光层；以及位于有机发光层的远离第三电极的一侧的第四电极；其中，所述第一子像素中的第四电极和所述调光区中的第二电极位于同一层并且由相同的材料制成。
可选地，调光区与所述多个子像素实质上不重叠。
可选地，第一子像素是与调光区相邻的子像素。
可选地，所述多个调光器的数量与所述多个子像素的数量实质上相同。
可选地，显示面板是透明显示面板。
另一方面，本公开提供了一种显示装置，其包括本文所述的或者通过本文所述方法制造的显示面板。
另一方面，本公开提供了一种调节本文所述的或者通过本文所述方法制造的显示面板的显示对比度的方法，包括：向第一栅线提供第一栅极扫描信号并向第一数据线提供第一数据信号，用于驱动所述多个子像素中的第一子像素的图像显示；以及使用第一栅极扫描信号和第一数据信号调节调光区中的透光率。
可选地，所述多个调光器中的每一个包括第一电极、位于第一电极上的电致变色层、以及位于电致变色层的远离第一电极的一侧的第二电极；并且调节透光率的步骤包括通过对第一电极施加来源于第一数据信号的电压信号来降低调光区中的透光率。
可选地，显示面板包括：位于所述调光区中的第一薄膜晶体管，其具有耦接至第一栅线的栅极、耦接至第一电极的源极和耦接至地的漏极；以及位于第一子像素中的第二薄膜晶体管，其具有耦接至第一栅线的栅极、耦接至所述第一数据线的源极、和耦接至第一子像素中的第三电极的漏极；所述方法还包括：向第一栅线提供第一栅极扫描信号以使第二薄膜晶体管导通，从而允许第一数据信号从第二薄膜晶体管的源极传递至第二薄膜晶体管的漏极，用于驱动第一子像素的图像显示；以及向第一栅线提供第一栅极扫描信号以使第一薄膜晶体管导通，从而允许第一数据信号从第一薄膜晶体管的源极传递至第一薄膜晶体管的漏极。
可选地，第一薄膜晶体管是漏电晶体管；并且施加至第一电极的电压信号的电压水平低于第一数据信号的电压水平。
另一方面，本公开提供了一种制造具有多个子像素的阵列的显示面板的方法，其包括：形成配置为调节显示面板的显示对比度的多个调光器，所述多个调光器中的每一个形成在配置为允许光透射通过显示面板的调光区中；以及形成多条栅线和形成多条数据线，用于驱动所述多个子像素的图像显示。其中，所述多个调光器、所述多条栅线、和所述多条数据线形成为使得调光区中的透光率由用于驱动所述多个子像素中的第一子像素的图像显示的第一栅线和第一数据线控制。
可选地，所述多个调光器中的每一个形成为包括第一电极、位于第一电极上的电致变色层、以及位于电致变色层的远离第一电极的一侧的第二电极；所述方法还包括在调光区中形成第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有耦接至第一栅线的栅极、耦接至第一电极的源极和耦接至地的漏极。
可选地，第一薄膜晶体管形成为具有漏电流，使得在通过第一数据线施加第一数据信号时调光区的灰度与第一子像素的灰度之间的差异在数据电压水平的范围内基本最小化。
可选地，所述方法还包括在第一子像素中形成第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有耦接至第一栅线的栅极、耦接至第一数据线的源极和耦接至第一子像素中的第三电极的漏极。
附图说明
以下附图仅是根据所公开的各实施例的用于说明目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。
图1是示出根据本公开的一些实施例中的具有调光区的显示面板的示意图。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的具有调光区的显示面板的示意图。
图3是示出根据本公开的一些实施例中的具有调光区的显示面板的示意图。
图4是示出根据本公开的一些实施例中的具有调光区的显示面板的示意图。
图5是示出根据本公开的一些实施例中的具有调光区的显示面板的示意图。
图6是根据本公开的一些实施例中的用于调节显示面板的显示对比度的电路的电路图。
图7示出了在显示面板处于关闭状态时调光区中的光透射。
图8示出了在显示面板处于打开状态时调光区中的光透射。
图9示出了在根据本公开的一些实施例中的显示面板中应用第一数据信号时调光区和第一子像素的灰度。
图10示出了在根据本公开的一些实施例中的显示面板中应用第一数据信号时调光区和第一子像素的灰度。
图11示出了在根据本公开的一些实施例中的显示面板中应用第一数据信号时调光区和第一子像素的灰度。
具体实施方式
现在将参照以下实施例具体描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅出于示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者被限制为所公开的确切形式。
在传统显示面板(特别是透明显示面板)中，当环境光强度相对高(例如，在室外环境下)时或者当显示面板为透明显示面板时，显示对比度变差。这使得读者难以观看显示图像。为了更好地观看图像显示，读者可以增加室外显示面板的亮度。然而，这导致功耗高出很多。
因此，本公开特别提供了一种具有调光区的显示面板、显示装置、调节显示面板的显示对比度的方法以及制造显示面板的方法，其基本避免了由于现有技术的局限和缺点而导致的问题中的一个或多个。一方面，本公开提供了一种具有多个子像素的阵列的显示面板。在一些实施例中，显示面板包括多个调光器，其配置为调节显示面板的显示对比度。所述多个调光器中的每一个位于配置为允许光透射通过显示面板的调光区中。可选地，调光区中的透光率由用于驱动所述多个子像素中的第一子像素中的图像显示的第一栅线和第一数据线控制。
图1是示出根据本公开的一些实施例中的具有调光区的显示面板的示意图。参见图1，显示面板包括多个子像素(例如，子像素Sp1、Sp2、Sp3、Sp4、...、Sp10)、以及分别位于多个调光区(例如，调光区R1、R2、R3、...、R10)中的多个调光器(例如，调光器M1、M2、M3、...、M10)。所述多个调光器配置为调节显示面板的显示对比度。可选地，所述多个调光区中的每一个配置为允许光透射通过显示面板。在一个示例中，所述多个调光区中的每一个是在显示面板处于关闭状态时允许光(例如，环境光)透射通过显示面板的基本透明区。可选地，显示面板是例如在显示面板关闭时允许观看者看透显示面板的透明显示面板。
显示面板还包括用于驱动所述多个子像素中的图像显示的多条栅线(例如，栅线GL1、GL2和GL3)和多条数据线(例如，数据线DL1、DL2、DL3、...、DL6)。例如，第一栅线GL1和第一数据线DL1配置为驱动第一子像素Sp1中的图像显示，第一栅线GL1和第二数据线DL2配置为驱动第二子像素Sp2中的图像显示，等等。所述多个调光区中的每一个的透光率也由用于驱动所述多个子像素中的一个子像素的图像显示的所述多条栅线中的一条栅线和所述多条数据线中的一条数据线控制。例如，第一调光区R1的透光率由用于驱动第一子像素Sp1的图像显示的第一栅线GL1和第一数据线DL1控制，第二调光区R2中的透光率由用于驱动第二子像素Sp2的图像显示的第一栅线GL1和第二数据线DL2控制，等等。
如图1所示，在显示面板中，所述多个调光区的数量与所述多个子像素的数量相同，例如，所述多个子像素中的每一个与所述多个调光区中的一个相关联。所述多个调光区中的每一个布置在所述多个子像素中的对应子像素的一侧。
可以实践本公开的各种替代实施方式。图2是示出根据本公开的一些实施例中的具有调光区的显示面板的示意图。参见图2，显示面板包括位于多个调光区(R1、R2、R3、...、R10)中的多个调光器(M1、M2、M3、...、M10)。所述多个子像素中的每一个与所述多个调光区中的一个相关联。所述多个调光区中的每一个包围所述多个子像素中的对应子像素。所述多个调光区中的每一个的透光率由用于驱动所述多个子像素中的一个子像素的图像显示的所述多条栅线中的一条栅线和所述多条数据线中的一条数据线控制。例如，第一调光区R1中的透光率由用于驱动第一子像素Sp1的图像显示的第一栅线GL1和第一数据线DL1控制，第二调光区R2中的透光率由用于驱动第二子像素Sp2的第一栅线GL1和第二数据线DL2控制，等等。
图3是示出根据本公开的一些实施例中的具有调光区的显示面板的示意图。参见图3，显示面板包括位于多个调光区(R1、R2)中的多个调光器(M1、M2)。所述多个调光区中的每一个(以及所述多个调光器中的每一个)平均与所述多个子像素中的四个相邻子像素相关联。所述多个调光区中的每一个包围所述多个子像素中的对应四个相邻子像素。所述多个调光区中的每一个的透光率由用于驱动所述多个子像素中的一个子像素的图像显示的所述多条栅线中的一条栅线和所述多条数据线中的一条数据线控制。例如，第一调光区R1的透光率由用于驱动第一子像素Sp1的图像显示的第一栅线GL1和第一数据线DL1控制，第二调光区R2中的透光率由用于驱动第三子像素Sp3的第一栅线GL1和第三数据线DL3控制。
各种合适的调光器可用于调节显示面板的显示对比度和调光区中的透光率。合适的调光器的示例包括电致变色型调光器，电光型调光器(例如，液晶)，机电型调光器，反射调光器，微机电系统(MEMS)、以及其它类型的调光器。
在一些实施例中，所述多个调光器是电致变色型调光器。图4是示出根据本公开的一些实施例中的具有调光区的显示面板的示意图。第一调光区R1布置在第一子像素Sp1的一侧。参见图4，一些实施例中的显示面板包括位于第一调光区R1中的第一调光器M1。第一调光器M1包括第一电极E1、位于第一电极E1上的电致变色层EC、以及位于电致变色层EC的远离第一电极E1的一侧的第二电极E2。
可使用各种合适的材料和各种合适的制造方法来制作电致变色层EC。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来沉积电致变色材料。然后例如通过光刻工艺对沉积的电致变色材料层进行构图。用于制作电致变色层EC的合适的电致变色材料的示例包括氧化钨(例如，W2O5)、氧化钨和氧化镍(例如，W2O5和NiO)的组合、五氧化二铌、氧化钛(例如，TiO3)、氧化钴(CoO)、紫罗碱电致变色材料或其衍生物、金属-酞菁电致变色材料或其衍生物(例如，镥-酞菁电致变色材料或其衍生物)、聚苯胺电致变色材料或其衍生物、聚吡咯电致变色材料或其衍生物、聚噻吩电致变色材料或其衍生物、以及四硫富瓦烯电致变色材料或其衍生物。
在第一子像素Sp1中，显示面板包括显示单元，例如，有机发光二极管OLED。在当前显示面板中可使用各种其它类型的显示单元。在一个示例中，显示单元是具有像素电极、公共电极和液晶层的液晶显示单元。参见图4，显示面板包括：衬底基板10；位于衬底基板10上的第一薄膜晶体管T1，其用于控制第一调光区R1的透光率；第二薄膜晶体管T2，其用于驱动第一子像素Sp1的图像显示；位于第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的远离衬底基板10的一侧的层间介电层ILD。在第一子像素Sp1中，显示面板还包括位于层间介电层ILD的远离衬底基板10的一侧的第三电极E3、位于第三电极E3的远离层间介电层ILD的一侧的有机发光层EM、位于有机发光层EM的远离第三电极E3的一侧的第四电极E4。可选地，第三电极E3是阳极，并且第四电极E4是阴极。可选地，第三电极E3是阴极，并且第四电极E4是阳极。
可选地，显示面板还包括位于第二电极E2和第四电极E4的远离衬底基板10的一侧的封装层EN。封装层EN封装显示单元。
在一些实施例中，第一薄膜晶体管T1包括位于衬底基板10上的第一有源层AL1、位于第一有源层AL1的远离衬底基板10的一侧的栅绝缘层GI、位于栅绝缘层GI的远离衬底基板10的一侧的第一栅极G1、位于第一栅极G1的远离栅绝缘层GI的一侧的钝化层PVD、位于钝化层PVD的远离衬底基板10的一侧的第一源极S1和第一漏极D1。第一调光器M1的第一电极E1通过延伸穿过层间介电层ILD的过孔与第一源极S1耦接。第一漏极D1通过延伸穿过钝化层PVD的过孔与地G耦接。第一栅极G1与第一栅线GL1耦接。第一漏极D1耦接至地(例如，地电压或固定电压)。
在一些实施例中，第二薄膜晶体管T2包括位于衬底基板10上的第二有源层AL2、位于第二有源层AL2的远离衬底基板10的一侧的栅绝缘层GI、位于栅绝缘层GI的远离衬底基板10的一侧的第二栅极G2、位于第二栅极G2的远离栅绝缘层GI的一侧的钝化层PVD、位于钝化层PVD的远离衬底基板10的一侧的第二源极S2和第二漏极D2。第二栅极G2与第一栅线GL1耦接。第二源极S2与第一数据线DL1耦接。第二漏极D2耦接至第一子像素Sp1中的第三电极E3。
第一薄膜晶体管T1的第一源极S1与第二薄膜晶体管T2的第二有源层AL2耦接。当通过提供至第二栅极G2的第一栅极扫描信号使第二薄膜晶体管T2导通时，提供至第二源极S2的第一数据信号通过第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2和第一薄膜晶体管T1的第一源极S1。传递至第二漏极的第一数据信号用于驱动第一子像素Sp1的图像显示。传递至第一源极S1的第一数据信号用于控制第一调光区R1中的透光率。
可选地，第一子像素Sp1中的第三电极E3和第一调光区R1中的第一电极E1位于同一层并且由相同的电极材料制成。可选地，第一子像素Sp1中的第四电极E4和第一调光区R1中的第二电极E2位于同一层并且由相同的电极材料制成。如本文中所用，术语“同一层”是指在同一步骤中同时形成的各层之间的关系。在一个示例中，当第一子像素Sp1中的第三电极E3和第一调光区R1中的第一电极E1作为在同一材料层中执行的同一构图工艺的一个或多个步骤的结果而形成时，第一子像素Sp1中的第三电极E3和第一调光区R1中的第一电极E1位于同一层。在另一示例中，通过同时执行形成第一子像素Sp1中的第三电极E3的步骤和形成第一调光区R1中的第一电极E1的步骤，可使第一子像素Sp1中的第三电极E3和第一调光区R1中的第一电极E1形成在同一层。术语“同一层”不总是意味着在横截面视图中层的厚度或层的高度相同。
可选地，在显示面板中，第一调光区R1与所述多个子像素基本不重叠，例如，与第一子像素Sp1不重叠。可选地，第一调光区R1与所述多个子像素中的一个子像素部分地重叠，例如，与第一子像素Sp1部分地重叠。可选地，第一调光区R1与所述多个子像素中的一个基本重叠，例如，与第一子像素Sp1基本重叠。
可选地，第一子像素Sp1是与第一调光区R1相邻的子像素(例如参见图4)。可选地，第一子像素Sp1是与第一调光区R1不相邻的子像素。
可选地，第一子像素Sp1是与第一调光区R1不直接相邻的子像素。图5是示出根据本公开的一些实施例中的具有调光区的显示面板的示意图。参见图5，一些实施例中的显示面板包括包围多个子像素(包括位于中心的第一子像素Sp1)的第一调光区R1。第一子像素Sp1的图像显示由第一栅线GL1和第一数据线DL1驱动。显示面板包括位于第一调光区R1中的第一调光器M1。第一调光区中的透光率由第一栅线GL1和第一数据线DL1控制。在图5中，第一子像素Sp1与第一调光区R1不直接相邻，例如，它们相隔一个或多个子像素。
图6是根据本公开的一些实施例中的用于调节显示面板的显示对比度的电路的电路图。参见图6，显示单元OLED由第一栅线GL1和第一数据线DL1驱动，以进行图像显示。当向第一栅线GL1提供第一栅极扫描信号时，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2导通。向第一数据线DL1提供第一数据信号。当第二薄膜晶体管T2导通时，第一数据信号传递至显示单元OLED，显示单元OLED发光。同时，由于第一薄膜晶体管T1也通过第一栅极扫描信号而导通，因此第一数据信号传递至第一调光器M1(例如，第一调光器M1的第一电极)。通过对第一调光器M1施加第一数据信号(或者来源于第一数据信号的信号)，可以控制第一调光器M1中的电致变色层的透光率。施加至第一调光器M1的电压水平越高，电致变色层的透光率越低。因此，在当前显示面板中，可使用用于驱动子像素的图像显示的同一栅线和同一数据线来控制调光区中的透光率。当第一数据信号的电压为零时，没有对第一调光器M1施加电压，调光区可保持基本透明。当第一数据信号具有低电压时，调光区中的透光率降低。当第一数据信号具有高电压时，调光区变得基本不透明。因此，当显示面板用于图像显示时，在图像显示区中背景光(环境光)基本被阻挡，从而增强了显示对比度。当显示面板不用于图像显示时，允许背景光透射通过显示面板。
在一些实施例中，显示面板是透明显示面板。如本文中所用，术语“透明显示面板”是指能够在显示图形图像的同时允许从显示面板的背面入射的光通过的显示面板。可选地，本公开的上下文中的透明显示面板的透光率为至少20％以上。根据本公开的透明显示面板包括透明液晶显示面板和透明有机发光二极管显示面板。透明显示面板的示例包括房间、建筑物、器具、汽车挡风玻璃、车辆平视显示器(head-up display)、眼镜、双筒望远镜、遮阳板，头盔等中的窗形式的透明显示面板。
可选地，显示面板是液晶显示面板。可选地，显示面板是有机发光二极管显示面板。可选地，显示面板是电泳显示面板。
图7示出了在显示面板处于关闭状态时调光区中的光透射。在一些实施例中，显示面板是透明显示面板。如图7所示，环境光透射通过第一调光区R1和第一子像素Sp1。显示面板是基本透明的。
图8示出了在显示面板处于打开状态时调光区中的光透射。参见图8，当显示面板处于打开状态时，第一子像素Sp1发光。第一调光区R1中的第一调光器M1也被开启，以调节第一调光区R1的透光率。当向第一电极E1提供数据信号时，电致变色层EC的透光率降低，从而阻止环境光的至少一部分透射通过显示面板。因此，当第一子像素Sp1配置为发出用于图像显示的光时，第一调光区R1中的背景光减少。通过这种设计，显示面板在其图像显示区中的显示对比度显著增强。
在一些实施例中，第一薄膜晶体管T1是漏电晶体管。当第一薄膜晶体管T1导通以允许对第一电极E1施加数据信号时，第一薄膜晶体管T1的第一源极S1和第一漏极D1之间的漏电流降低了第一数据信号的电压水平。实际施加至第一电极E1的电压信号的电压水平低于第一数据信号的电压水平。通过将漏电薄膜晶体管作为第一薄膜晶体管T1，第一调光区R1的灰度可以与显示单元OLED的灰度保持一致。如本文中所用，术语“灰度”是指彩色分量或黑白分量的(例如，在黑和白之间或者彩色水平之间的)幅度水平。可选地，幅度水平包括256级灰度(例如，从0至255)。
漏电薄膜晶体管可以设计为具有在通过第一数据线施加第一数据信号时使调光区的灰度与第一子像素的灰度之间的差异基本最小化的漏电流。图9至图11示出了在根据本公开的一些实施例中的显示面板中应用第一数据信号时调光区和第一子像素的灰度。参见图9至图11，图10中的漏电薄膜晶体管的漏电流是最有效地最小化调光区的灰度与第一子像素的灰度之间的差异的漏电流。可通过改变薄膜晶体管的沟道区的纵横比来改变漏电薄膜晶体管的漏电流。
另一方面，本公开提供了一种调节显示面板的显示对比度的方法。在一些实施例中，所述方法包括：向第一栅线提供第一栅极扫描信号并向第一数据线提供第一数据信号，用于驱动所述多个子像素中的第一子像素的图像显示；以及使用第一栅极扫描信号和第一数据信号调节调光区中的透光率。可选地，调节透光率的步骤包括通过对第一电极施加第一数据信号或来源于第一数据信号的电压信号来降低调光区中的透光率。可选地，对第一电极施加来源于第一数据信号的电压信号的步骤包括降低施加至第一电极的第一数据信号的电压水平。可选地，降低第一数据信号的电压水平的步骤由漏电薄膜晶体管来执行。
在一些实施例中，所述方法还包括：对第一栅线提供第一栅极扫描信号以使第二薄膜晶体管导通，从而允许第一数据信号从第二薄膜晶体管的源极传递至第二薄膜晶体管的漏极，用于驱动第一子像素的图像显示。可选地，所述方法还包括：对第一栅线提供第一栅极扫描信号以使第一薄膜晶体管导通，从而允许第一数据信号从第一薄膜晶体管的源极传递至第一薄膜晶体管的漏极。
另一方面，本公开提供了一种制造具有多个子像素的阵列的显示面板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：形成配置为调节显示面板的显示对比度的多个调光器，所述多个调光器中的每一个形成在配置为允许光透射通过显示面板的调光区中；以及形成多条栅线和形成多条数据线，用于驱动多个子像素中的图像显示。可选地，所述多个调光器、所述多条栅线、和所述多条数据线形成为使得调光区中的透光率由用于驱动所述多个子像素中的第一子像素中的图像显示的第一栅线和第一数据线控制。
在一些实施例中，所述多个调光器中的每一个形成为包括第一电极、位于第一电极上的电致变色层、以及位于电致变色层的远离第一电极的一侧的第二电极。可选地，所述方法还包括在调光区中形成第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有耦接至第一栅线的栅极、耦接至第一电极的源极和耦接至地的漏极。
在一些实施例中，所述方法还包括将第一薄膜晶体管形成为漏电薄膜晶体管。可选地，第一薄膜晶体管形成为具有漏电流，使得在通过第一数据线施加第一数据信号时调光区的灰度与第一子像素的灰度之间的差异在数据电压水平的范围内基本最小化。
可选地，所述方法还包括在第一子像素中形成第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有耦接至第一栅线的栅极、耦接至第一数据线的源极和耦接至第一子像素中的第三电极的漏极。
另一方面，本公开提供了一种显示装置，其包括本文所述的或者通过本文所述方法制造的显示面板。合适的显示装置的示例包括但不限于电子纸、移动电话、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相册、GPS等。
已出于示意和说明目的呈现了对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使本领域技术人员能够通过各种实施例及适用于特定用途或所构思的实施方式的各种变型来理解本发明。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而不应解释为对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非已给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变型。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。

Claims (10)

1.一种显示面板，其具有多个子像素的阵列，并且包括：
多个调光器，其配置为调节所述显示面板的显示对比度，所述多个调光器中的每一个位于配置为允许光透射通过所述显示面板的调光区中；所述多个调光器中的每一个包括第一电极、位于所述第一电极上的电致变色层、以及位于所述电致变色层的远离所述第一电极的一侧的第二电极；
其中，所述调光区中的透光率由用于驱动所述多个子像素中的第一子像素的图像显示的第一栅线和第一数据线控制；
所述显示面板还包括位于所述调光区中的第一薄膜晶体管，其具有耦接至所述第一栅线的栅极、耦接至所述第一电极的源极和耦接至地的漏极；
所述显示面板还包括位于所述第一子像素中的第二薄膜晶体管，其包括耦接至所述第一栅线的栅极、耦接至所述第一数据线的源极、耦接至所述第一子像素中的第三电极的漏极和有源层，所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的有源层耦接；所述第一薄膜晶体管是漏电晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一子像素中的第三电极和所述调光区中的第一电极位于同一层并且由相同材料制成。
3.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：位于所述第三电极的远离所述第二薄膜晶体管的一侧的有机发光层；以及
位于所述有机发光层的远离所述第三电极的一侧的第四电极；
其中，所述第一子像素中的第四电极和所述调光区中的第二电极位于同一层并且由相同的材料制成。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述调光区与所述多个子像素不重叠。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一子像素是与所述调光区相邻的子像素。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个调光器的数量与所述多个子像素的数量相同。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板是透明显示面板。
8.一种显示装置，包括根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板。
9.一种调节根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板的显示对比度的方法，包括：
向第一栅线提供第一栅极扫描信号并向第一数据线提供第一数据信号，用于驱动所述多个子像素中的第一子像素的图像显示；以及
使用所述第一栅极扫描信号和所述第一数据信号调节所述调光区中的透光率；
所述多个调光器中的每一个包括第一电极、位于所述第一电极上的电致变色层、以及位于所述电致变色层的远离所述第一电极的一侧的第二电极；并且
调节透光率的步骤包括通过对所述第一电极施加来源于所述第一数据信号的电压信号来降低所述调光区中的透光率；
所述显示面板包括：位于所述调光区的第一薄膜晶体管，其具有耦接至所述第一栅线的栅极、耦接至所述第一电极的源极和耦接至地的漏极；以及位于所述第一子像素中的第二薄膜晶体管，其具有耦接至所述第一栅线的栅极、耦接至所述第一数据线的源极、耦接至所述第一子像素中的第三电极的漏极和有源层，所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的有源层耦接；所述第一薄膜晶体管是漏电晶体管，并且施加至所述第一电极的电压信号的电压水平低于所述第一数据信号的电压水平；
所述方法还包括：
向所述第一栅线提供第一栅极扫描信号以使所述第二薄膜晶体管导通，从而允许所述第一数据信号从所述第二薄膜晶体管的源极传递至所述第二薄膜晶体管的漏极，用于驱动所述第一子像素的图像显示；以及
向所述第一栅线提供第一栅极扫描信号以使所述第一薄膜晶体管导通，从而允许所述第一数据信号从所述第二薄膜晶体管的有源层传递至第一调光器的第一电极，所述第一调光器为所述第一薄膜晶体管所在的调光区中的调光器。
10.一种制造显示面板的方法，所述显示面板具有多个子像素的阵列，所述方法包括：
形成配置为调节所述显示面板的显示对比度的多个调光器，所述多个调光器中的每一个形成在配置为允许光透射通过所述显示面板的调光区中；以及
形成多条栅线和形成多条数据线，用于驱动所述多个子像素的图像显示；
其中，所述多个调光器、所述多条栅线、和所述多条数据线形成为使得所述调光区中的透光率由用于驱动所述多个子像素中的第一子像素的图像显示的第一栅线和第一数据线控制；
所述多个调光器中的每一个形成为包括第一电极、位于所述第一电极上的电致变色层、以及位于所述电致变色层的远离所述第一电极的一侧的第二电极；
所述方法还包括：
在所述调光区中形成第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有耦接至第一栅线的栅极、耦接至所述第一电极的源极和耦接至地的漏极；所述第一薄膜晶体管形成为具有漏电流，使得在通过第一数据线施加第一数据信号时所述调光区的灰度与所述第一子像素的灰度之间的差异在数据电压水平的范围内最小化；
在所述第一子像素中形成第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有耦接至所述第一栅线的栅极、耦接至所述第一数据线的源极、耦接至所述第一子像素中的第三电极的漏极和有源层，所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的有源层耦接。
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