KR102138207B1 - 광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널, 디스플레이 장치, 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하는 방법, 및 디스플레이 패널을 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 출원은 복수의 서브픽셀의 어레이를 갖는 디스플레이 패널을 개시한다. 디스플레이 패널은 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하도록 구성되는 복수의 광 변조기를 포함한다. 복수의 광 변조기 각각은 디스플레이 패널을 투과하는 광을 허용하도록 구성되는 광 변조 영역에 있다. 광 변조 영역 내의 광 투과율은 복수의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제1 게이트 라인 및 제1 데이터 라인에 의해 제어된다.

Description

광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널, 디스플레이 장치, 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하는 방법, 및 디스플레이 패널을 제조하는 방법
본 발명은 디스플레이 기술에 관한 것으로, 특히, 광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널, 디스플레이 장치, 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트(display contrast)를 변조하는 방법, 및 디스플레이 패널을 제조하는 방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이(liquid crystal display)(LCD) 장치들 및 유기 발광 다이오드(organic light-emitting diode)(OLED) 디스플레이 장치들과 같은 디스플레이 장치들이 광범위하게 사용되었다. LCD 및 OLED 디스플레이 디바이스들은 디스플레이 패널에서 픽셀들을 제어하기 위해 박막 트랜지스터(thin film transistor)(TFT)를 사용한다.
일 양태에서, 본 개시내용은 복수의 서브픽셀의 어레이를 갖는 디스플레이 패널을 제공하며, 디스플레이 패널은 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하도록 구성되는 복수의 광 변조기를 포함하고, 복수의 광 변조기 각각은 디스플레이 패널을 투과하는 광을 허용하도록 구성되는 광 변조 영역에 있고; 광 변조 영역 내의 광 투과율(light transmittance)은 복수의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제1 게이트 라인 및 제1 데이터 라인에 의해 제어된다.
임의로, 복수의 광 변조기 각각은 제1 전극, 제1 전극 상의 전기변색 층, 및 제1 전극에 원위인 전기변색 층의 측면 상의 제2 전극을 포함한다.
임의로, 디스플레이 패널은 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 제1 전극에 연결되는 소스 전극, 및 접지에 연결되는 드레인 전극을 갖는 광 변조 영역 내의 제1 박막 트랜지스터를 포함한다.
임의로, 제1 박막 트랜지스터는 누설 트랜지스터(leaky transistor)이다.
임의로, 디스플레이 패널은 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 제1 데이터 라인에 연결되는 소스 전극, 및 제1 서브픽셀 내의 제3 전극에 연결되는 드레인 전극을 포함하는 제1 서브픽셀 내의 제2 박막 트랜지스터를 포함한다.
임의로, 제1 서브픽셀 내의 제2 박막 트랜지스터는 활성층을 추가로 포함하고; 제1 박막 트랜지스터의 소스 전극은 제2 박막 트랜지스터의 활성층에 연결된다.
임의로, 제1 서브픽셀 내의 제3 전극 및 광 변조 영역 내의 제1 전극은 동일한 층에 있고 동일한 재료로 만들어진다.
임의로, 디스플레이 패널은 제2 박막 트랜지스터에 원위인 제3 전극의 측면 상의 유기 발광 층; 및 제3 전극에 원위인 유기 발광 층의 측면 상의 제4 전극을 추가로 포함하며; 제1 서브픽셀 내의 제4 전극 및 광 변조 영역 내의 제2 전극은 동일한 층에 있고 동일한 재료로 만들어진다.
임의로, 광 변조 영역은 복수의 서브픽셀과 실질적으로 중복되지 않는다.
임의로, 제1 서브픽셀은 광 변조 영역에 인접한 서브픽셀이다.
임의로, 복수의 광 변조기의 수는 복수의 서브픽셀의 수와 실질적으로 동일하다.
임의로, 디스플레이 패널은 투명 디스플레이 패널이다.
다른 양태에서, 본 개시내용은 본 명세서에 설명되거나 본 명세서에 설명되는 방법에 의해 제조되는 디스플레이 패널을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
다른 양태에서, 본 개시내용은 본 명세서에 설명되거나 본 명세서에 설명되는 방법에 의해 제조되는 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하는 방법을 제공하며, 방법은 복수의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위해 제1 게이트 스캐닝 신호를 제1 게이트 라인에 제공하고 제1 데이터 신호를 제1 데이터 라인에 제공하는 단계; 및 제1 게이트 스캐닝 신호 및 제1 데이터 신호를 사용하여 광 변조 영역에서 광 투과율을 변조하는 단계를 포함한다.
임의로, 복수의 광 변조기 각각은 제1 전극, 제1 전극 상의 전기변색 층, 및 제1 전극에 원위인 전기변색 층의 측면 상의 제2 전극을 포함하고; 광 투과율을 변조하는 단계는 제1 전극에 제1 데이터 신호로부터 유도되는 전압 신호를 인가함으로써 광 변조 영역에서 광 투과율을 낮추는 단계를 포함한다.
임의로, 디스플레이 패널은 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 제1 전극에 연결되는 소스 전극, 및 접지에 연결되는 드레인 전극을 갖는 광 변조 영역 내의 제1 박막 트랜지스터, 및 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 제1 데이터 라인에 연결되는 소스 전극, 및 제1 서브픽셀 내의 제3 전극에 연결되는 드레인 전극을 갖는 제1 서브픽셀 내의 제2 박막 트랜지스터를 포함하고; 방법은 제1 게이트 스캐닝 신호를 제1 게이트 라인에 제공하여 제2 박막 트랜지스터를 턴 온시킴으로써 제1 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위해 제1 데이터 신호가 제2 박막 트랜지스터의 소스 전극으로부터 제2 박막 트랜지스터의 드레인 전극으로 통과할 수 있게 하는 단계; 및 제1 게이트 스캐닝 신호를 제1 게이트 라인에 제공하여 제1 박막 트랜지스터를 턴 온시킴으로써 제1 데이터 신호가 제1 박막 트랜지스터의 소스 전극으로부터 제1 박막 트랜지스터의 드레인 전극으로 통과할 수 있게 하는 단계를 추가로 포함한다.
임의로, 제1 박막 트랜지스터는 누설 트랜지스터이고; 제1 전극에 인가되는 전압 신호의 전압 레벨은 제1 데이터 신호의 전압 레벨보다 더 낮다.
다른 양태에서, 본 개시내용은 복수의 서브픽셀의 어레이를 갖는 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 제공하며, 방법은 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하도록 구성되는 복수의 광 변조기를 형성하는 단계 - 복수의 광 변조기 각각은 디스플레이 패널을 투과하는 광을 허용하도록 구성되는 광 변조 영역에 형성됨 - ; 및 복수의 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위해 복수의 게이트 라인을 형성하고 복수의 데이터 라인을 형성하는 단계를 포함하며; 복수의 광 변조기, 복수의 게이트 라인, 및 복수의 데이터 라인은 광 변조 영역 내의 광 투과율이 복수의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제1 게이트 라인 및 제1 데이터 라인에 의해 제어되도록 형성된다.
임의로, 복수의 광 변조기 각각은 제1 전극, 제1 전극 상의 전기변색 층, 및 제1 전극에 원위인 전기변색 층의 측면 상의 제2 전극을 포함하도록 형성되며; 방법은 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 제1 전극에 연결되는 소스 전극, 및 접지에 연결되는 드레인 전극을 갖는 제1 박막 트랜지스터를 광 변조 영역에 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
임의로, 제1 박막 트랜지스터는 제1 데이터 라인을 통한 제1 데이터 신호의 인가 시에 광 변조 영역의 그레이 레벨과 제1 서브픽셀의 그레이 레벨 사이의 차이는 데이터 전압 레벨들의 범위에 걸쳐서 실질적으로 최소화되도록 누설 전류를 갖도록 형성된다.
임의로, 방법은 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 제1 데이터 라인에 연결되는 소스 전극, 및 제1 서브픽셀 내의 제3 전극에 연결되는 드레인 전극을 갖는 제2 박막 트랜지스터를 제1 서브픽셀에 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
이하의 도면들은 여러 가지 개시된 실시예들에 따른 예시적 목적들을 위한 예들일 뿐이고 본 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다.
도 1은 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널을 예시하는 개략도이다.
도 2는 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널을 예시하는 개략도이다.
도 3은 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널을 예시하는 개략도이다.
도 4는 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널을 예시하는 개략도이다.
도 5는 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널을 예시하는 개략도이다.
도 6은 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하는 회로의 회로도이다.
도 7은 디스플레이 패널이 오프 상태에 있을 때 광 변조 영역 내의 광 투과율을 예시한다.
도 8은 디스플레이 패널이 온 상태에 있을 때 광 변조 영역 내의 광 투과율을 예시한다.
도 9는 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 디스플레이 패널 내의 제1 데이터 신호의 인가 시에 광 변조 영역 및 제1 서브픽셀의 그레이 레벨들을 예시한다.
도 10은 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 디스플레이 패널 내의 제1 데이터 신호의 인가 시에 광 변조 영역 및 제1 서브픽셀의 그레이 레벨들을 예시한다.
도 11은 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 디스플레이 패널 내의 제1 데이터 신호의 인가 시에 광 변조 영역 및 제1 서브픽셀의 그레이 레벨들을 예시한다.
개시내용은 이제 이하의 실시예들을 참조하여 더 구체적으로 설명될 것이다. 일부 실시예들의 이하의 설명들이 예시 및 설명의 목적만을 위해 제시된다는 점이 주목되어야 한다. 그것은 총망라하거나 개시된 정확한 형태에 제한되도록 의도되지 않는다.
종래의 디스플레이 패널들, 특히 투명 디스플레이 패널들에서, 디스플레이 콘트라스트는 주위 광 강도가 상대적으로 높을 때, 예를 들어, 옥외 환경에서 또는 디스플레이 패널이 투명 디스플레이 패널일 때 악화된다. 이것은 독자들이 디스플레이된 이미지를 보는 것을 어렵게 한다. 독자들은 이미지 디스플레이를 더 잘 보기 위해 야외 디스플레이 패널의 휘도를 증가시킬 수 있다. 그러나, 이것은 훨씬 더 높은 전력 소비를 초래한다.
따라서, 본 개시내용은 그 중에서도, 관련 기술분야의 제한들 및 단점들로 인한 문제들 중 하나 이상을 실질적으로 제거하는 광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널, 디스플레이 장치, 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하는 방법, 및 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 제공한다. 일 양태에서, 본 개시내용은 복수의 서브픽셀의 어레이를 갖는 디스플레이 패널을 제공한다. 일부 실시예들에서, 디스플레이 패널은 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하도록 구성되는 복수의 광 변조기를 포함한다. 복수의 광 변조기 각각은 디스플레이 패널을 투과하는 광을 허용하도록 구성되는 광 변조 영역에 있다. 임의로, 광 변조 영역 내의 광 투과율은 복수의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제1 게이트 라인 및 제1 데이터 라인에 의해 제어된다.
도 1은 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널을 예시하는 개략도이다. 도 1을 참조하면, 디스플레이 패널은 복수의 서브픽셀, 예를 들어, 서브픽셀들(Sp1, Sp2, Sp3, Sp4, ..., Sp10), 및 복수의 광 변조 영역(예를 들어, 광 변조 영역들(R1, R2, R3, ..., R10)) 내의 복수의 광 변조기(예를 들어, 광 변조기들(M1, M2, M3, ..., M10))를 각각 포함한다. 복수의 광 변조기는 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하도록 구성된다. 임의로, 복수의 광 변조 영역 각각은 디스플레이 패널을 투과하는 광을 허용하도록 구성된다. 일 예에서, 복수의 광 변조 영역 각각은 디스플레이 패널이 오프 상태에 있을 때 디스플레이 패널을 투과하는 광(예를 들어, 주위 광)을 허용하는 실질적으로 투명한 영역이다. 임의로, 디스플레이 패널은 예를 들어, 디스플레이 패널이 턴 오프될 때 시청자가 디스플레이 패널을 지켜보는 것을 허용하는 투명 디스플레이 패널이다.
디스플레이 패널은 복수의 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 복수의 게이트 라인(예를 들어, 게이트 라인들(GL1, GL2, 및 GL3)) 및 복수의 데이터 라인(예를 들어, 데이터 라인들(DL1, DL2, DL3, ..., DL6))을 추가로 포함한다. 예를 들어, 제1 게이트 라인(GL1) 및 제1 데이터 라인(DL1)은 제1 서브픽셀(Sp1)에서 이미지 디스플레이를 구동하도록 구성되며, 제1 게이트 라인(GL1) 및 제2 데이터 라인(DL2)은 제2 서브픽셀(Sp2)에서 이미지 디스플레이를 구동하도록 구성되는 등등이다. 복수의 광 변조 영역 각각 내의 광 투과율은 또한 복수의 서브픽셀 중 하나에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 복수의 게이트 라인 중 하나 및 복수의 데이터 라인 중 하나에 의해 제어된다. 예를 들어, 제1 광 변조 영역(R1) 내의 광 투과율은 제1 서브픽셀(Sp1)에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제1 게이트 라인(GL1) 및 제1 데이터 라인(DL1)에 의해 제어되며, 제2 광 변조 영역(R2) 내의 광 투과율은 제2 서브픽셀(Sp2)에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제1 게이트 라인(GL1) 및 제2 데이터 라인(DL2)에 의해 제어되는 등등이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 광 변조 영역들의 수는 디스플레이 패널 내의 복수의 서브픽셀의 수와 동일하며, 예를 들어, 복수의 서브픽셀 각각은 복수의 광 변조 영역들 중 하나와 연관된다. 복수의 광 변조 영역 각각은 복수의 서브픽셀의 대응하는 서브픽셀의 측면 상에 배치된다.
본 개시내용의 다양한 대안 구현들이 실시될 수 있다. 도 2는 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널을 예시하는 개략도이다. 도 2를 참조하면, 디스플레이 패널은 복수의 광 변조 영역들(R1, R2, R3, ..., R10) 내의 복수의 광 변조기(M1, M2, M3, ..., M10)를 포함한다. 복수의 서브픽셀 각각은 복수의 광 변조 영역들 중 하나와 연관된다. 복수의 광 변조 영역 각각은 복수의 서브픽셀의 대응하는 서브픽셀을 둘러싼다. 복수의 광 변조 영역 각각 내의 광 투과율은 복수의 서브픽셀 중 하나에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 복수의 게이트 라인 중 하나 및 복수의 데이터 라인 중 하나에 의해 제어된다. 예를 들어, 제1 광 변조 영역(R1) 내의 광 투과율은 제1 서브픽셀(Sp1)에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제1 게이트 라인(GL1) 및 제1 데이터 라인(DL1)에 의해 제어되며, 제2 광 변조 영역(R2) 내의 광 투과율은 제2 서브픽셀(Sp2)에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제1 게이트 라인(GL1) 및 제2 데이터 라인(DL2)에 의해 제어되는 등등이다.
도 3은 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널을 예시하는 개략도이다. 도 3을 참조하면, 디스플레이 패널은 복수의 광 변조 영역들(R1, R2) 내의 복수의 광 변조기(M1, M2)를 포함한다. 복수의 광 변조 영역 각각(및 복수의 광 변조기 각각)은 평균적으로 복수의 서브픽셀 중 4개의 인접 서브픽셀과 연관된다. 복수의 광 변조 영역 각각은 복수의 서브픽셀의 대응하는 4개의 인접 서브픽셀을 둘러싼다. 복수의 광 변조 영역 각각 내의 광 투과율은 복수의 서브픽셀 중 하나에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 복수의 게이트 라인 중 하나 및 복수의 데이터 라인 중 하나에 의해 제어된다. 예를 들어, 제1 광 변조 영역(R1) 내의 광 투과율은 제1 서브픽셀(Sp1)에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제1 게이트 라인(GL1) 및 제1 데이터 라인(DL1)에 의해 제어되며, 제2 광 변조 영역(R2) 내의 광 투과율은 제3 서브픽셀(Sp3)에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제1 게이트 라인(GL1) 및 제3 데이터 라인(DL3)에 의해 제어된다.
여러 가지 적절한 광 변조기들은 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트 및 광 변조 영역 내의 광 투과율을 변조하기 위해 사용될 수 있다. 적절한 광 변조기들의 예들은 전기변색 타입 광 변조기들, 전기 광학 타입 광 변조기들(예를 들어, 액정), 전자 기계 타입 광 변조기들, 반사 광 변조기들, 미세 전자 기계 시스템(microelectromechanical system)(MEMS), 및 다른 타입들의 광 변조기들을 포함한다.
일부 실시예들에서, 복수의 광 변조기는 전기변색 타입 광 변조기들이다. 도 4는 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널을 예시하는 개략도이다. 제1 광 변조 영역(R1)은 제1 서브픽셀(Sp1)의 측면 상에 배치된다. 도 4를 참조하면, 디스플레이 패널은 일부 실시예들에서 제1 광 변조 영역(R1) 내의 제1 광 변조기(M1)를 포함한다. 제1 광 변조기(M1)는 제1 전극(E1), 제1 전극(E1) 상의 전기변색 층(EC), 및 제1 전극(E1)에 원위인 전기변색 층(EC)의 측면 상의 제2 전극(E2)을 포함한다.
여러 가지 적절한 재료들 및 여러 가지 적절한 제조 방법들은 전기변색 층(EC)을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 전기변색 재료는 플라즈마 강화 화학 기상 퇴적(plasma-enhanced chemical vapor deposition)(PECVD) 공정에 의해 퇴적될 수 있다. 그 다음, 퇴적된 전기변색 재료 층은 예를 들어, 리소그래픽 공정에 의해 패턴화된다. 전기변색 층(EC)을 제조하는 적절한 전기변색 재료들의 예들은 텅스텐 산화물(예를 들어, W2O5), 텅스텐 산화물 및 니켈 산화물의 조합(예를 들어, W2O5 및 NiO), 니오븀 오산화물, 티타늄 산화물(예를 들어, TiO3), 코발트 산화물(CoO), 비올로겐(viologen) 전기변색 재료 또는 그것의 유도체들, 금속-프탈로시아닌(metal-phthalocyanine) 전기변색 재료 또는 그것의 유도체들(예를 들어, 루테튬-프탈로시아닌(lutetium-phthalocyanine) 전기변색 재료 또는 그것의 유도체들), 폴리아닐린(polyaniline) 전기변색 재료 또는 그것의 유도체들, 폴리피롤(polypyrrole) 전기변색 재료 또는 그것의 유도체들, 폴리티오펜(polythiophene) 전기변색 재료 또는 그것의 유도체들, 및 테트라치아풀발렌(tetrathiafulvalene) 전기변색 재료 또는 그것의 유도체들을 포함한다.
제1 서브픽셀(Sp1)에서, 디스플레이 패널은 디스플레이 유닛, 예를 들어, 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 여러 가지 다른 타입들의 디스플레이 유닛은 본 디스플레이 패널에 사용될 수 있다. 일 예에서, 디스플레이 유닛은 픽셀 전극, 공통 전극 및 액정 층을 포함하는 액정 디스플레이 유닛이다. 도 4를 참조하면, 디스플레이 패널은 베이스 기판(10), 베이스 기판(10) 상에서 제1 광 변조 영역(R1) 내의 광 투과율을 제어하기 위한 제1 박막 트랜지스터(T1), 제1 서브픽셀(Sp1)에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제2 박막 트랜지스터(T2), 베이스 기판(10)에 원위인 제1 박막 트랜지스터(T1) 및 제2 박막 트랜지스터(T2)의 측면 상의 층간 유전체 층(ILD)을 포함한다. 제1 서브픽셀(Sp1)에서, 디스플레이 패널은 베이스 기판(10)에 원위인 층간 유전체 층(ILD)의 측면 상의 제3 전극(E3), 층간 유전체 층(ILD)에 원위인 제3 전극(E3)의 측면 상의 유기 발광 층(EM), 제3 전극(E3)에 원위인 유기 발광 층(EM)의 측면 상의 제4 전극(E4)을 추가로 포함한다. 임의로, 제3 전극(E3)은 애노드이고, 제4 전극(E4은 캐소드이다. 임의로, 제3 전극(E3)은 캐소드이고, 제4 전극(E4)은 애노드이다.
임의로, 디스플레이 패널은 베이스 기판(10)에 원위인 제2 전극(E2) 및 제4 전극(E4)의 측면 상의 캡슐화 층(EN)을 추가로 포함한다. 캡슐화 층(EN)은 디스플레이 유닛을 캡슐화한다.
일부 실시예들에서, 제1 박막 트랜지스터(T1)는 베이스 기판(10) 상의 제1 활성층(AL1), 베이스 기판(10)에 원위인 제1 활성층(AL1)의 측면 상의 게이트 절연 층(GI), 베이스 기판(10)에 원위인 게이트 절연 층(GI)의 측면 상의 제1 게이트 전극(G1), 게이트 절연 층(GI)에 원위인 제1 게이트 전극(G1)의 측면 상의 패시베이션 층(PVD), 베이스 기판(10)에 원위인 패시베이션 층(PVD)의 측면 상의 제1 소스 전극(S1) 및 제1 드레인 전극(D1)을 포함한다. 제1 광 변조기(M1)의 제1 전극(E1)은 층간 유전체 층(ILD)을 통해 연장되는 비아를 통해 제1 소스 전극(S1)에 연결된다. 제1 드레인 전극(D1)은 패시베이션 층(PVD)을 통해 연장되는 비아를 통해 접지(G)에 연결된다. 제1 게이트 전극(G1)은 제1 게이트 라인(GL1)에 연결된다. 제1 드레인 전극(D1)은 접지(예를 들어, 접지 전압 또는 고정 전압)에 연결된다.
일부 실시예들에서, 제2 박막 트랜지스터(T2)는 베이스 기판(10) 상의 제2 활성층(AL2), 베이스 기판(10)에 원위인 제2 활성층(AL2)의 측면 상의 게이트 절연 층(GI), 베이스 기판(10)에 원위인 게이트 절연 층(GI)의 측면 상의 제2 게이트 전극(G2), 게이트 절연 층(GI)에 원위인 제2 게이트 전극(G2)의 측면 상의 패시베이션 층(PVD), 베이스 기판(10)에 원위인 패시베이션 층(PVD)의 측면 상의 제2 소스 전극(S2) 및 제2 드레인 전극(D2)을 포함한다. 제2 게이트 전극(G2)은 제1 게이트 라인(GL1)에 연결된다. 제2 소스 전극(S2)은 제1 데이터 라인(DL1)에 연결된다. 제2 드레인 전극(D2)은 제1 서브픽셀(Sp1) 내의 제3 전극(E3)에 연결된다.
제1 박막 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)은 제2 박막 트랜지스터(T2)의 제2 활성층(AL2)에 연결된다. 제2 박막 트랜지스터(T2)가 제2 게이트 전극(G2)에 제공되는 제1 게이트 스캐닝 신호에 의해 턴 온될 때, 제2 소스 전극(S2)에 제공되는 제1 데이터 신호가 제2 박막 트랜지스터(T2)의 제2 드레인 전극(D2) 및 제1 박막 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)으로 통과한다. 제2 드레인 전극으로 통과한 제1 데이터 신호는 제1 서브픽셀(Sp1)에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위해 사용된다. 제1 소스 전극(S1)으로 통과한 제1 데이터 신호는 제1 광 변조 영역(R1)에서 광 투과율을 제어하기 위해 사용된다.
임의로, 제1 서브픽셀(Sp1) 내의 제3 전극(E3) 및 제1 광 변조 영역(R1) 내의 제1 전극(E1)은 동일한 층에 있고 동일한 전극 재료로 만들어진다. 임의로, 제1 서브픽셀(Sp1) 내의 제4 전극(E4) 및 제1 광 변조 영역(R1) 내의 제2 전극(E2)은 동일한 층에 있고 동일한 전극 재료로 만들어진다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "동일한 층"은 동일한 단계에서 동시에 형성되는 층들 사이의 관계를 언급한다. 일 예에서, 제1 서브픽셀(Sp1) 내의 제3 전극(E3) 및 제1 광 변조 영역(R1) 내의 제1 전극(E1)은 재료의 동일한 층에서 수행되는 동일한 패턴화 공정의 하나 이상의 단계로서 형성될 때 동일한 층에 있다. 다른 예에서, 제1 서브픽셀(Sp1) 내의 제3 전극(E3) 및 제1 광 변조 영역(R1) 내의 제1 전극(E1)은 제1 서브픽셀(Sp1)에 제3 전극(E3)을 형성하는 단계 및 제1 광 변조 영역(R1)에 제1 전극(E1)을 형성하는 단계를 동시에 수행함으로써 동일한 층에 형성될 수 있다. 용어 "동일한 층"은 단면도에서의 층의 두께 또는 층의 높이가 동일한 것을 항상 의미하는 것은 아니다.
임의로, 제1 광 변조 영역(R1)은 디스플레이 패널 내의 복수의 서브픽셀과 실질적으로 중복되지 않으며, 예를 들어, 제1 서브픽셀(Sp1)과 중복되지 않는다. 임의로, 제1 광 변조 영역(R1)은 복수의 서브픽셀 중 하나와 부분적으로 중복되며, 예를 들어, 제1 서브픽셀(Sp1)과 부분적으로 중복된다. 임의로, 제1 광 변조 영역(R1)은 복수의 서브픽셀 중 하나와 실질적으로 중복되며, 예를 들어, 제1 서브픽셀(Sp1)과 실질적으로 중복된다.
임의로, 제1 서브픽셀(Sp1)은 제1 광 변조 영역(R1)에 인접한 서브픽셀이다(예를 들어, 도 4 참조). 임의로, 제1 서브픽셀(Sp1)은 제1 광 변조 영역(R1)에 인접하지 않는 서브픽셀이다.
임의로, 제1 서브픽셀(Sp1)은 제1 광 변조 영역(R1)에 직접 인접하지 않는 서브픽셀이다. 도 5는 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 광 변조 영역을 갖는 디스플레이 패널을 예시하는 개략도이다. 도 5를 참조하면, 디스플레이 패널은 일부 실시예들에서 복수의 서브픽셀(중심 내의 제1 서브픽셀(Sp1)을 포함함)을 둘러싸는 제1 광 변조 영역(R1)을 포함한다. 제1 서브픽셀(Sp1) 내의 이미지 디스플레이는 제1 게이트 라인(GL1) 및 제1 데이터 라인(DL1)에 의해 구동된다. 디스플레이 패널은 제1 광 변조 영역(R1) 내의 제1 광 변조기(M1)를 포함한다. 제1 광 변조 영역 내의 광 투과율은 제1 게이트 라인(GL1) 및 제1 데이터 라인(DL1)에 의해 제어된다. 도 5에서, 제1 서브픽셀(Sp1)은 제1 광 변조 영역(R1)에 직접 인접하지 않으며, 예를 들어, 그들은 하나 이상의 서브픽셀들에 의해 분리된다.
도 6은 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하는 회로의 회로도이다. 도 6을 참조하면, 디스플레이 유닛(OLED)은 이미지 디스플레이를 위한 제1 게이트 라인(GL1) 및 제1 데이터 라인(DL1)에 의해 구동된다. 제1 게이트 스캐닝 신호가 제1 게이트 라인(GL1)에 제공될 때, 제1 박막 트랜지스터(T1) 및 제2 박막 트랜지스터(T2)는 턴 온된다. 제1 데이터 신호는 제1 데이터 라인(DL1)에 제공된다. 제2 박막 트랜지스터(T2)가 턴 온될 때, 제1 데이터 신호는 디스플레이 유닛(OLED)에 전달되고, 디스플레이 유닛(OLED)은 광을 방출한다. 동시에, 제1 박막 트랜지스터(T1)가 또한 제1 게이트 스캐닝 신호에 의해 턴 온될 때, 제1 데이터 신호는 제1 광 변조기(M1)(예를 들어, 제1 광 변조기(M1)의 제1 전극)에 전달된다. 제1 데이터 신호(또는 제1 데이터 신호로부터 유도되는 신호)를 제1 광 변조기(M1)에 인가함으로써, 제1 광 변조기(M1) 내의 전기변색 층의 광 투과율이 제어될 수 있다. 제1 광 변조기(M1)에 인가되는 전압 레벨이 더 높을수록, 전기변색 층의 광 투과율이 더 낮아진다. 따라서, 본 디스플레이 패널에서, 광 변조 영역 내의 광 투과율은 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 동일한 게이트 라인 및 동일한 데이터 라인을 사용하여 제어될 수 있다. 제1 데이터 신호가 제로 전압을 가질 때, 어떠한 전압도 제1 광 변조기(M1)에 인가되지 않으며, 광 변조 영역은 실질적으로 투명하게 유지될 수 있다. 제1 데이터 신호가 낮은 전압을 가질 때, 광 변조 영역 내의 광 투과율이 낮아진다. 제1 데이터 신호가 높은 전압을 가질 때, 광 변조 영역은 실질적으로 투명하지 않게 된다. 따라서, 디스플레이 패널이 이미지 디스플레이를 위해 사용될 때, 배경 광(주위 광)은 이미지 디스플레이 영역에서 실질적으로 차단되며, 그것에 의해 디스플레이 콘트라스트를 향상시킨다. 디스플레이 패널이 이미지 디스플레이를 위해 사용되지 않을 때, 배경 광은 디스플레이 패널을 투과하도록 허용된다.
일부 실시예들에서, 디스플레이 패널은 투명 디스플레이 패널이다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "투명 디스플레이 패널"은 디스플레이 패널의 후면으로부터 입사되는 광이 통과할 수 있게 하면서 동시에 그래픽 이미지를 디스플레이할 수 있는 디스플레이 패널을 지칭한다. 임의로, 본 개시내용의 맥락에서의 투명 디스플레이 패널은 적어도 20% 이상의 투과율을 갖는다. 본 개시내용에 따른 투명 디스플레이 패널은 투명 액정 디스플레이 패널들 및 투명 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널들을 포함한다. 투명 디스플레이 패널들의 예들은 방 내의 창문, 빌딩, 기기, 자동차 윈드실드들, 차량 헤드업 디스플레이, 안경, 쌍안경, 차양들, 헬멧들 등의 형태인 투명 디스플레이 패널들을 포함한다.
임의로, 디스플레이 패널은 액정 디스플레이 패널이다. 임의로, 디스플레이 패널은 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널이다. 임의로, 디스플레이 패널은 전기영동 디스플레이 패널이다.
도 7은 디스플레이 패널이 오프 상태에 있을 때 광 변조 영역 내의 광 투과율을 예시한다. 일부 실시예들에서, 디스플레이 패널은 투명 디스플레이 패널이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 주위 광은 제1 광 변조 영역(R1) 및 제1 서브픽셀(Sp1)을 투과한다. 디스플레이 패널은 실질적으로 투명하다.
도 8은 디스플레이 패널이 온 상태에 있을 때 광 변조 영역 내의 광 투과율을 예시한다. 도 8을 참조하면, 제1 서브픽셀(Sp1)은 디스플레이 패널이 온 상태에 있을 때 광을 방출한다. 제1 광 변조 영역(R1) 내의 제1 광 변조기(M1)는 또한 제1 광 변조 영역(R1)에서 광 투과율을 변조하기 위해 턴 온된다. 데이터 신호가 제1 전극(E1)에 제공됨에 따라, 전기변색 층(EC)의 광 투과율이 낮아지며, 그것에 의해 주위 광의 주위 광이 디스플레이 패널을 투과하는 것을 차단한다. 따라서, 제1 광 변조 영역(R1) 내의 배경 광은 제1 서브픽셀(Sp1)이 이미지 디스플레이를 위해 광을 방출하도록 구성될 때 감소된다. 이러한 디자인을 가짐으로써, 이미지 디스플레이 영역 내의 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트는 상당히 향상된다.
일부 실시예들에서, 제1 박막 트랜지스터(T1)는 누설 트랜지스터이다. 제1 박막 트랜지스터(T1)가 제1 전극(E1)에의 데이터 신호의 인가를 허용하기 위해 턴 온될 때, 제1 박막 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)과 제1 드레인 전극(D1) 사이의 누설 전류는 제1 데이터 신호의 전압 레벨을 낮춘다. 제1 전극(E1)에 실제로 인가되는 전압 신호의 전압 레벨은 제1 데이터 신호의 전압 레벨보다 더 낮다. 누설 박막 트랜지스터를 제1 박막 트랜지스터(T1)로서 가짐으로써, 제1 광 변조 영역(R1)의 그레이 레벨은 디스플레이 유닛(OLED)의 그레이 레벨과 일치하여 유지될 수 있다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "그레이 레벨"은 컬러 성분 또는 흑색-및-백색 성분, 예를 들어, 흑색과 백색 사이 또는 컬러 레벨들 사이의 진폭 레벨을 언급한다. 임의로, 진폭 레벨들은 256 그레이 레벨(예를 들어, 0에서 255까지임)을 포함한다.
누설 박막 트랜지스터는 제1 데이터 라인을 통한 제1 데이터 신호의 인가 시에 광 변조 영역의 그레이 레벨과 제1 서브픽셀의 그레이 레벨 사이의 차이를 실질적으로 최소화하는 누설 전류를 갖도록 디자인될 수 있다. 도 9 내지 도 11은 본 개시내용에 따른 일부 실시예들에서 디스플레이 패널 내의 제1 데이터 신호의 인가 시에 광 변조 영역 및 제1 서브픽셀의 그레이 레벨들을 예시한다. 도 9 내지 11을 참조하면, 도 10에서의 누설 박막 트랜지스터의 누설 전류는 광 변조 영역 및 제1 서브픽셀의 그레이 레벨들 사이의 차이를 가장 효과적으로 최소화하는 것이다. 누설 박막 트랜지스터의 누설 전류는 박막 트랜지스터의 채널 영역의 종횡비를 변화시킴으로써 변화될 수 있다.
다른 양태에서, 본 개시내용은 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하는 방법을 제공한다. 일부 실시예들에서, 방법은 복수의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위해 제1 게이트 스캐닝 신호를 제1 게이트 라인에 제공하고 제1 데이터 신호를 제1 데이터 라인에 제공하는 단계; 및 제1 게이트 스캐닝 신호 및 제1 데이터 신호를 사용하여 광 변조 영역에서 광 투과율을 변조하는 단계를 포함한다. 임의로, 광 투과율을 변조하는 단계는 제1 전극에 제1 데이터 신호 또는 제1 데이터 신호로부터 유도되는 전압 신호를 인가함으로써 광 변조 영역에서 광 투과율을 낮추는 단계를 포함한다. 임의로, 제1 전극에 제1 데이터 신호로부터 유도되는 전압 신호를 인가하는 단계는 제1 전극에 인가되는 제1 데이터 신호의 전압 레벨을 낮추는 단계를 포함한다. 임의로, 제1 데이터 신호의 전압 레벨을 낮추는 단계는 누설 박막 트랜지스터에 의해 수행된다.
일부 실시예들에서, 방법은 제1 게이트 스캐닝 신호를 제1 게이트 라인에 제공하여 제2 박막 트랜지스터를 턴 온시킴으로써 제1 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위해 제1 데이터 신호가 제2 박막 트랜지스터의 소스 전극으로부터 제2 박막 트랜지스터의 드레인 전극으로 통과할 수 있게 하는 단계를 추가로 포함한다. 임의로, 방법은 제1 게이트 스캐닝 신호를 제1 게이트 라인에 제공하여 제1 박막 트랜지스터를 턴 온시킴으로써 제1 데이터 신호가 제1 박막 트랜지스터의 소스 전극으로부터 제1 박막 트랜지스터의 드레인 전극으로 통과할 수 있게 하는 단계를 추가로 포함한다.
다른 양태에서, 본 개시내용은 복수의 서브픽셀의 어레이를 갖는 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 제공한다. 일부 실시예들에서, 방법은 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하도록 구성되는 복수의 광 변조기를 형성하는 단계 - 복수의 광 변조기 각각은 디스플레이 패널을 투과하는 광을 허용하도록 구성되는 광 변조 영역에 형성됨 - ; 및 복수의 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위해 복수의 게이트 라인을 형성하고 복수의 데이터 라인을 형성하는 단계를 포함한다. 임의로, 복수의 광 변조기, 복수의 게이트 라인, 및 복수의 데이터 라인은 광 변조 영역 내의 광 투과율이 복수의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제1 게이트 라인 및 제1 데이터 라인에 의해 제어되도록 형성된다.
일부 실시예들에서, 복수의 광 변조기 각각은 제1 전극, 제1 전극 상의 전기변색 층, 및 제1 전극에 원위인 전기변색 층의 측면 상의 제2 전극을 포함하도록 형성된다. 임의로, 방법은 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 제1 전극에 연결되는 소스 전극, 및 접지에 연결되는 드레인 전극을 갖는 제1 박막 트랜지스터를 광 변조 영역에 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
일부 실시예들에서, 방법은 제1 박막 트랜지스터를 누설 박막 트랜지스터로서 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 임의로, 제1 박막 트랜지스터는 제1 데이터 라인을 통한 제1 데이터 신호의 인가 시에 광 변조 영역의 그레이 레벨과 제1 서브픽셀의 그레이 레벨 사이의 차이가 데이터 전압 레벨들의 범위에 걸쳐서 실질적으로 최소화되도록 누설 전류를 갖도록 형성된다.
임의로, 방법은 상기 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 제1 데이터 라인에 연결되는 소스 전극, 및 제1 서브픽셀 내의 제3 전극에 연결되는 드레인 전극을 갖는 제2 박막 트랜지스터를 제1 서브픽셀 에 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
다른 양태에서, 본 개시내용은 본 명세서에 설명되거나 본 명세서에 설명되는 방법에 의해 제조되는 디스플레이 패널을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 적절한 디스플레이 장치들의 예들은 전자 종이, 이동 전화, 태블릿 컴퓨터, 텔레비전, 모니터, 노트북 컴퓨터, 디지털 앨범, GPS 등을 포함하지만, 이들에 제한되지 않는다.
발명의 실시예들의 상술한 설명은 예시 및 설명의 목적들을 위해 제시되었다. 그것은 총망라하거나 발명을 개시된 정확한 형태 또는 예시적 실시예들에 제한하도록 의도되지 않는다. 따라서, 상술한 설명은 제한적인 것보다는 오히려 예시적인 것으로 간주되어야 한다. 명백히, 많은 수정들 및 변형들은 본 기술분야의 통상의 실무자들에게 분명할 것이다. 실시예들은 발명의 원리들 및 그것의 최적의 방식 실시 응용을 설명하기 위해 선택되고 기재되며, 그것에 의해 생각된 특정 사용 또는 구현에 적합해지는 바와 같이 본 기술분야의 통상의 기술자들이 다양한 실시예들에 대한 그리고 다양한 수정들을 갖는 발명을 이해할 수 있게 한다. 발명의 범위는 이에 첨부되는 청구항들 및 그것의 균등물들에 의해 정의되는 것으로 의도되며 여기서 모든 용어들은 달리 지시되지 않는 한 그들의 가장 넓은 합리적인 의의로 의미된다. 따라서, 용어 "발명", "본 발명" 등은 청구 범위를 구체적 실시예에 반드시 제한하는 것은 아니고, 발명의 예시적 실시예들에 대한 참조는 발명에 관한 제한을 암시하지 않고, 어떤 그러한 제한도 추론되지 않는다. 발명은 첨부된 청구항들의 사상 및 범위에 의해서만 제한된다. 더욱이, 이러한 청구항들은 "제1", "제2" 등 뒤에 명사 또는 요소의 사용을 언급할 수 있다. 그러한 용어들은 명명법으로서 이해되어야 하고 구체적 수가 제공되지 않는 한 그러한 명명법에 의해 수정되는 요소들의 수에 제한을 제공하는 것으로서 해석되지 않아야 한다. 설명된 임의의 장점들 및 이득들은 발명의 모든 실시예들에 적용되지 않을 수 있다. 이하의 청구항들에 의해 정의되는 바와 같은 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고서 본 기술분야의 통상의 기술자들에 의해 설명되는 실시예들에서 변형들이 이루어질 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 더욱이, 본 개시내용 내의 어떠한 요소 및 구성요소도 요소 또는 구성요소가 이하의 청구항들에 명백히 열거되는지에 관계없이 대중에게 전용되도록 의도되지 않는다.

Claims (21)

  1. 복수의 서브픽셀의 어레이를 갖는 디스플레이 패널로서,
    상기 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하도록 구성되는 복수의 광 변조기를 포함하며, 상기 복수의 광 변조기 각각은 상기 디스플레이 패널을 투과하는 광을 허용하도록 구성되는 광 변조 영역에 있고;
    상기 광 변조 영역 내의 광 투과율(light transmittance)은 상기 복수의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제1 게이트 라인 및 제1 데이터 라인에 의해 제어되고,
    상기 광 변조 영역은 상기 복수의 서브픽셀과 실질적으로 중복되지 않는 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 광 변조기 각각은 제1 전극, 상기 제1 전극 상의 전기변색 층, 및 상기 제1 전극에 원위인 상기 전기변색 층의 측면 상의 제2 전극을 포함하는 디스플레이 패널.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 상기 제1 전극에 연결되는 소스 전극, 및 접지에 연결되는 드레인 전극을 갖는 상기 광 변조 영역 내의 제1 박막 트랜지스터를 포함하는 디스플레이 패널.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 박막 트랜지스터는 누설 트랜지스터(leaky transistor)인 디스플레이 패널.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 상기 제1 데이터 라인에 연결되는 소스 전극, 및 상기 제1 서브픽셀 내의 제3 전극에 연결되는 드레인 전극을 포함하는 상기 제1 서브픽셀 내의 제2 박막 트랜지스터를 포함하는 디스플레이 패널.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 서브픽셀 내의 상기 제2 박막 트랜지스터는 활성층을 추가로 포함하고;
    상기 제1 박막 트랜지스터의 상기 소스 전극은 상기 제2 박막 트랜지스터의 상기 활성층에 연결되는 디스플레이 패널.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1 서브픽셀 내의 상기 제3 전극 및 상기 광 변조 영역 내의 제1 전극은 동일한 층에 있고 동일한 재료로 만들어지는 디스플레이 패널.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제2 박막 트랜지스터에 원위인 상기 제3 전극의 측면 상의 유기 발광 층; 및
    상기 제3 전극에 원위인 상기 유기 발광 층의 측면 상의 제4 전극
    을 추가로 포함하며;
    상기 제1 서브픽셀 내의 상기 제4 전극 및 상기 광 변조 영역 내의 상기 제2 전극은 동일한 층에 있고 동일한 재료로 만들어지는 디스플레이 패널.
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 서브픽셀은 상기 광 변조 영역에 인접한 서브픽셀인 디스플레이 패널.
  11. 제1항에 있어서, 상기 복수의 광 변조기의 수는 상기 복수의 서브픽셀의 수와 실질적으로 동일한 디스플레이 패널.
  12. 제1항에 있어서, 상기 디스플레이 패널은 투명 디스플레이 패널인 디스플레이 패널.
  13. 제1항 내지 제8항 및 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항의 디스플레이 패널을 포함하는, 디스플레이 장치.
  14. 제1항 내지 제8항 및 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항의 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하는 방법으로서,
    복수의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위해 제1 게이트 스캐닝 신호를 제1 게이트 라인에 제공하고 제1 데이터 신호를 제1 데이터 라인에 제공하는 단계; 및
    상기 제1 게이트 스캐닝 신호 및 상기 제1 데이터 신호를 사용하여 광 변조 영역에서 광 투과율을 변조하는 단계
    를 포함하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 복수의 광 변조기 각각은 제1 전극, 상기 제1 전극 상의 전기변색 층, 및 상기 제1 전극에 원위인 상기 전기변색 층의 측면 상의 제2 전극을 포함하고;
    상기 광 투과율을 변조하는 단계는 상기 제1 전극에 상기 제1 데이터 신호로부터 유도되는 전압 신호를 인가함으로써 상기 광 변조 영역에서 상기 광 투과율을 낮추는 단계를 포함하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 디스플레이 패널은 상기 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 상기 제1 전극에 연결되는 소스 전극, 및 접지에 연결되는 드레인 전극을 갖는 상기 광 변조 영역 내의 제1 박막 트랜지스터, 및 상기 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 상기 제1 데이터 라인에 연결되는 소스 전극, 및 상기 제1 서브픽셀 내의 제3 전극에 연결되는 드레인 전극을 갖는 상기 제1 서브픽셀 내의 제2 박막 트랜지스터를 포함하고;
    상기 방법은,
    상기 제1 게이트 스캐닝 신호를 상기 제1 게이트 라인에 제공하여 상기 제2 박막 트랜지스터를 턴 온(turn on)시킴으로써 상기 제1 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위해 상기 제1 데이터 신호가 상기 제2 박막 트랜지스터의 상기 소스 전극으로부터 상기 제2 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극으로 통과(pass)할 수 있게 하는 단계; 및
    상기 제1 게이트 스캐닝 신호를 상기 제1 게이트 라인에 제공하여 상기 제1 박막 트랜지스터를 턴 온시킴으로써 상기 제1 데이터 신호가 상기 제1 박막 트랜지스터의 상기 소스 전극으로부터 상기 제1 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극으로 통과할 수 있게 하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1 박막 트랜지스터는 누설 트랜지스터이고;
    상기 제1 전극에 인가되는 전압 신호의 전압 레벨은 상기 제1 데이터 신호의 전압 레벨보다 더 낮은 방법.
  18. 복수의 서브픽셀의 어레이를 갖는 디스플레이 패널을 제조하는 방법으로서,
    상기 디스플레이 패널의 디스플레이 콘트라스트를 변조하도록 구성되는 복수의 광 변조기를 형성하는 단계 - 상기 복수의 광 변조기 각각은 상기 디스플레이 패널을 투과하는 광을 허용하도록 구성되는 광 변조 영역에 형성됨 - ; 및
    상기 복수의 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위해 복수의 게이트 라인을 형성하고 복수의 데이터 라인을 형성하는 단계
    를 포함하며;
    상기 복수의 광 변조기, 상기 복수의 게이트 라인, 및 상기 복수의 데이터 라인은 상기 광 변조 영역 내의 광 투과율이 상기 복수의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀에서 이미지 디스플레이를 구동하기 위한 제1 게이트 라인 및 제1 데이터 라인에 의해 제어되도록 형성되고,
    상기 광 변조 영역은 상기 복수의 서브픽셀과 실질적으로 중복되지 않는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 복수의 광 변조기 각각은 제1 전극, 상기 제1 전극 상의 전기변색 층, 및 상기 제1 전극에 원위인 상기 전기변색 층의 측면 상의 제2 전극을 포함하도록 형성되고;
    상기 방법은,
    상기 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 상기 제1 전극에 연결되는 소스 전극, 및 접지에 연결되는 드레인 전극을 갖는 제1 박막 트랜지스터를 상기 광 변조 영역에 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제1 박막 트랜지스터는 상기 제1 데이터 라인을 통한 제1 데이터 신호의 인가 시에 상기 광 변조 영역의 그레이 레벨과 상기 제1 서브픽셀의 그레이 레벨 사이의 차이가 데이터 전압 레벨들의 범위에 걸쳐서 실질적으로 최소화되도록 누설 전류를 갖도록 형성되는 방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기 제1 게이트 라인에 연결되는 게이트 전극, 상기 제1 데이터 라인에 연결되는 소스 전극, 및 상기 제1 서브픽셀 내의 제3 전극에 연결되는 드레인 전극을 갖는 제2 박막 트랜지스터를 상기 제1 서브픽셀에 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
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