CN111599941A - 一种自适应变色像素定义oled显示器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种自适应变色像素定义OLED显示器件，包括基板、阳极单元、OLED层、阴极层以及封装层，还包括显示时根据阳极和阴极间电压差变色的一组像素定义结构，相邻两个像素定义结构之间设有OLED层和阳极单元形成复合结构层，基板、复合结构层、阴极层以及封装层依次叠层设置。其制备方法，包括以下步骤：提供一基板，在所述基板上制备阳极层；在所述基板和阳极层上，利用黄光工艺和刻蚀工艺依次形成显示时根据阳极和阴极间电压差变色的功能型像素定义结构；在所述基板和阳极层上的功能型像素定义结构之间依次蒸镀OLED层；蒸镀阴极材料；形成薄膜封装。其可减少光的侧向输出，达到改善产品侧视角色偏的作用。
Description
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域，尤其是涉及一种自适应变色像素定义OLED显示器件及其制备方法。
背景技术
OLED在显示器件终端的应用已经非常普遍，其中像素定义层多选用无机薄膜材料氮化硅、氧化硅，以及有机的透明材料。
电致变色技术自被提出以后，在学术界的研究已有几十年的历史，目前主要应用在电致变色窗、防眩光后视镜等领域。通过在电致变色器件两极施加正负电压，可以实现器件的着色与褪色；现有技术的光侧向输出较大，产品存在侧视角色偏问题。
发明内容
针对现有技术不足，本发明提供一种自适应变色像素定义OLED显示器件及其制备方法，其在像素显示时，会根据阳极和阴极之间的电压差来改变其光透过率，减少光的侧向输出。
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：
一种自适应变色像素定义OLED显示器件，包括基板、阳极单元、OLED层、阴极层以及封装层，还包括显示时根据阳极和阴极间电压差变色的一组像素定义结构，所述相邻两个像素定义结构之间设有OLED层和阳极单元形成复合结构层，所述基板、复合结构层、阴极层以及封装层依次叠层设置。
所述OLED层和阳极单元两者叠层设置，OLED层位于阳极单元的上方。
所述像素定义结构包括变色层、离子传输层、离子储存层以及绝缘层，所述离子传输层设在变色层和离子储存层之间，绝缘层位于变色层和离子传输层上方，变色层与阳极单元相连，离子储存层与阴极层相连。
所述基板上设有一组过孔，所述阳极单元与过孔对应设置。
所述封装层设在基板上，封装层内形成腔体结构，所述阳极单元、OLED层、阴极层以及像素定义结构均位于腔体结构内。
所述绝缘层上设有通孔，离子储存层穿过通孔与阴极层相接触。
所述阴极层覆盖在绝缘层、离子储存层以及OLED层上。
所述变色层的型材料为氧化钨，离子传输层的型材料为含氢离子或锂离子的盐，离子储存层的型材料为氧化镍，绝缘层的型材料为氮化硅或氧化硅。
一种自适应变色像素定义OLED显示器件的制备方法，包括以下步骤：
S1：提供一基板，在所述基板上制备阳极层；
S2：在所述基板和阳极层上，利用黄光工艺和刻蚀工艺依次形成显示时根据阳极和阴极间电压差变色的功能型像素定义结构；
S3：在所述基板和阳极层上的功能型像素定义结构之间依次蒸镀OLED层；
S4：在S3基础上蒸镀阴极材料；
S5：形成薄膜封装。
本发明与现有技术相比，具有以下优点：
该自适应变色像素定义OLED显示器件及其制备方法设计合理，在显示时阳极单元和阴极之间的压差，其会使离子在变色层和离子储存层之间移动，从而使变色层和离子储存层变色，形成不透明的像素定义结构；通过电压差来改变其光透过率，减少光的侧向输出，达到改善产品侧视角色偏的作用。
附图说明
下面对本说明书各幅附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
图1为本发明显示器件结构示意图。
图2为本发明制备流程示意图一。
图3为本发明制备流程示意图二。
图4为本发明制备流程示意图三。
图5为本发明制备流程示意图四。
图6为本发明制备流程示意图五。
图7为本发明制备流程示意图六。
图8为本发明制备流程示意图七。
图9为本发明制备流程示意图八。
图10为本发明制备流程示意图九。
图11为本发明制备流程示意图十。
图12为本发明制备流程示意图十一。
图中：
10.基板、11.过孔、20.阳极层、21.阳极单元、30.像素定义结构、31.变色层、32.离子传输层、33.离子储存层、34.绝缘层、40.OLED层、50.阴极层、60.封装层。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
如图1至图12所示，该自适应变色像素定义OLED显示器件，包括基板、阳极单元、OLED层、阴极层、封装层以及显示时根据阳极和阴极间电压差变色的一组像素定义结构。
相邻两个像素定义结构之间设有OLED层和阳极单元形成复合结构层，OLED层和阳极单元两者叠层设置，OLED层位于阳极单元的上方，OLED层和阳极单元上下对齐并与像素定义结构并排设置；基板、复合结构层、阴极层以及封装层从下至上依次叠层设置。
像素定义结构包括变色层、离子传输层、离子储存层以及绝缘层，离子传输层设在变色层和离子储存层之间，绝缘层位于变色层和离子传输层上方，变色层与阳极单元相连，离子储存层与阴极层相连。
基板上设有一组过孔，阳极单元与过孔对应设置；若干个阳极单元呈像素图形排布形成阳极层。
绝缘层上设有通孔，离子储存层穿过通孔与阴极层相接触；阴极层覆盖在绝缘层、离子储存层以及OLED层上。
封装层设在基板上，封装层内形成腔体结构，所述阳极单元、OLED层、阴极层以及像素定义结构均位于腔体结构内。
其中，变色层的型材料为氧化钨，离子传输层的型材料为含氢离子或锂离子的盐，离子储存层的型材料为氧化镍，绝缘层的型材料为氮化硅或氧化硅。
自适应变色像素定义OLED显示器件的制备方法，包括以下步骤：
S1：提供一基板，在所述基板上制备阳极层；
S2：在所述基板和阳极层上，利用黄光工艺和刻蚀工艺依次形成显示时根据阳极和阴极间电压差变色的功能型像素定义结构；
S3：在所述基板和阳极层上的功能型像素定义结构之间依次蒸镀OLED层；
S4：在S3基础上蒸镀阴极材料；
S5：形成薄膜封装。
本发明利用黄光工艺和刻蚀工艺，制作一种功能型像素定义结构，该结构在像素显示时，会根据阳极和阴极之间的电压差来改变其光透过率，减少光的侧向输出，达到改善产品侧视角色偏的作用。
优选具体实例为：
本发明提供了一种OLED显示屏，其包括：依次设置的基板10，阳极层20，像素定义结构30，OLED层40，阴极层50和薄膜封装层60；像素定义结构30由变色层31，离子传输层32，离子储存层33和绝缘层34构成。
具体的，基板10上设有若干个规则排列的过孔11，阳极层20包括若干个阳极单元21，若干个阳极单元21呈像素图形排布于阳极层20，且阳极单元21与过孔11一一对应，阳极单元21为氧化铟锡(ITO)。
像素定义结构30包括变色层31，离子传输层32，离子储存层33和绝缘层34；其中，变色层31与阳极单元21相连，离子传输层32位于变色层31和离子储存层33之间，绝缘层34位于变色层31和离子传输层32上方。
其中，变色层31型材料为氧化钨，离子传输层32的典型材料为含氢离子或锂离子的盐，如碳酸锂等，离子储存层33的典型材料为氧化镍，绝缘层34的典型材料为氮化硅或氧化硅。
OLED层40位于阳极单元21上方，两个像素定义结构30之间。阴极层50位于OLED层40上方，如图12所示，阴极层50与像素定义结构30中的离子储存层33接触。
封装层60完全覆盖阴极层50及基板10。
OLED显示器件制备过程中可以按照图2至图12制备流程进行，简便高效，并能保证产品质量。
以上OLED显示屏，在显示时，阳极单元和阴极之间的压差，会是离子在变色层和离子储存层之间移动，从而是变色层和离子储存层变色，形成不透明的像素定义结构。通过电压差来改变其光透过率，减少光的侧向输出，达到改善产品侧视角色偏的作用。
上述仅为对本发明较佳的实施例说明，上述技术特征可以任意组合形成多个本发明的实施例方案。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种自适应变色像素定义OLED显示器件，包括基板、阳极单元、OLED层、阴极层以及封装层，其特征在于：还包括显示时根据阳极和阴极间电压差变色的一组像素定义结构，所述相邻两个像素定义结构之间设有OLED层和阳极单元形成复合结构层，所述基板、复合结构层、阴极层以及封装层依次叠层设置。
2.如权利要求1所述自适应变色像素定义OLED显示器件，其特征在于：所述OLED层和阳极单元两者叠层设置，OLED层位于阳极单元的上方。
3.如权利要求1所述自适应变色像素定义OLED显示器件，其特征在于：所述像素定义结构包括变色层、离子传输层、离子储存层以及绝缘层，所述离子传输层设在变色层和离子储存层之间，绝缘层位于变色层和离子传输层上方，变色层与阳极单元相连，离子储存层与阴极层相连。
4.如权利要求1或2所述自适应变色像素定义OLED显示器件，其特征在于：所述基板上设有一组过孔，所述阳极单元与过孔对应设置。
5.如权利要求1所述自适应变色像素定义OLED显示器件，其特征在于：所述封装层设在基板上，封装层内形成腔体结构，所述阳极单元、OLED层、阴极层以及像素定义结构均位于腔体结构内。
6.如权利要求3所述自适应变色像素定义OLED显示器件，其特征在于：所述绝缘层上设有通孔，离子储存层穿过通孔与阴极层相接触。
7.如权利要求3所述自适应变色像素定义OLED显示器件，其特征在于：所述阴极层覆盖在绝缘层、离子储存层以及OLED层上。
8.如权利要求3所述自适应变色像素定义OLED显示器件，其特征在于：所述变色层的型材料为氧化钨，离子传输层的型材料为含氢离子或锂离子的盐，离子储存层的型材料为氧化镍，绝缘层的型材料为氮化硅或氧化硅。
9.一种自适应变色像素定义OLED显示器件的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：
S1：提供一基板，在所述基板上制备阳极层；
S2：在所述基板和阳极层上，利用黄光工艺和刻蚀工艺依次形成显示时根据阳极和阴极间电压差变色的功能型像素定义结构；
S3：在所述基板和阳极层上的功能型像素定义结构之间依次蒸镀OLED层；
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S5：形成薄膜封装。
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