CN110116993A - 一种尺寸可控的二硒化钛纳米晶的制备方法 - Google Patents

一种尺寸可控的二硒化钛纳米晶的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110116993A
CN110116993A CN201810113112.6A CN201810113112A CN110116993A CN 110116993 A CN110116993 A CN 110116993A CN 201810113112 A CN201810113112 A CN 201810113112A CN 110116993 A CN110116993 A CN 110116993A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nanocrystalline
tise
size
controllable
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810113112.6A
Other languages
English (en)
Inventor
李学铭
唐利斌
周亮亮
潘峰
杨艳波
鲁朝宇
梁晶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunming North Tech Industrial Technology Research Institute Co Ltd
Yunnan University YNU
Beijing Institute of Technology BIT
Yunnan Normal University
Original Assignee
Kunming North Tech Industrial Technology Research Institute Co Ltd
Beijing Institute of Technology BIT
Yunnan Normal University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunming North Tech Industrial Technology Research Institute Co Ltd, Beijing Institute of Technology BIT, Yunnan Normal University filed Critical Kunming North Tech Industrial Technology Research Institute Co Ltd
Priority to CN201810113112.6A priority Critical patent/CN110116993A/zh
Publication of CN110116993A publication Critical patent/CN110116993A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007Tellurides or selenides of metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/82Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

本发明涉及一种尺寸可控的二硒化钛纳米晶制备方法,其特征在于制备的TiSe2纳米晶粒径小且均匀、分散性好、尺寸可控兼具较强的荧光特性。对本发明制备的TiSe2纳米晶进行SEM、AFM、TEM形貌的测定,XPS、XRD、Raman、FTIR、EDS物相结构的测定和PLE&PL、Uv‑vis光学性能的测定,结果表明该产物平均粒径为3nm,荧光量子产率大于40%。本发明制备工艺简单、尺寸可控且无毒,有望成为制备尺寸可控且环境友好型TiSe2纳米晶的一种普适方法。

Description

一种尺寸可控的二硒化钛纳米晶的制备方法
技术领域
本发明涉及纳米晶制备方法,具体涉及一种尺寸可控的二硒化钛纳米晶的制备方法。
背景技术
二硒化钛(TiSe2)是过渡金属硫化物的典型代表,是经典二维层状材料石墨烯的一种结构类似物。当TiSe2厚度减至单层时,其带隙可调且能稳定存在,单层TiSe2制备的器件显示出了高迁移率、高开关电流比等特性,在场效应晶体管、传感器应用等方面具有非常重要的价值和发展前景。
TiSe2纳米晶是尺寸可与体材料激子波尔半径相比拟的一类半导体纳米晶,在纳米晶中电子或空穴的运动在空间的三个维度上受到限制,表现为量子限域效应,使纳米晶具有不同于体材料能带的离散激子能级。离散的激子能级不仅使纳米晶具有分立的特征吸收峰,而且降低了光生载流子在声子辅助下的非辐射复合几率即声子瓶颈效应,有利于提高纳米晶的光电转换效率和发光效率,也增加了多激子效应的出现几率。纳米晶的尺寸通常为纳米量级,表面原子数占总原子数的比例远大于体材料,由此产生的表面效应是影响纳米晶物理化学性质和应用前景的重要因素。
超细粉体材料和纳米材料的制备是近年来材料科学的一个研究热点,它们在催化、高技术陶瓷、医药、感光材料、半导体材料以及日化产品等方面都有重要的用途。超细粉体材料的制备方法多种多样,常用的有气相法和液相法(如水热法、共沉淀法、乳浊液法以及溶胶凝胶法等),其中液相法具有很强的技术竞争优势,因为与该方法相关的工业过程控制与设备技术较为成熟。为了得到窄分布的超细纳米晶,可以采用微波技术、激光技术、爆轰技术、超重力技术以及超声技术等来实现上述要求。如功率超声的空化作用和传统搅拌技术相比更容易实现微介观均匀混合,消除局部浓度不匀,提高反应速度,刺激新相的形成,对团聚体还可以起到剪切作用。
二维过渡金属硫族化合物是一个蕴含着丰富物理内涵的新型材料家族,这类材料的能带结构与光电学性质呈现出显著的层数效应。为研究TiSe2纳米晶的相关性能,本发明利用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及透射电子显微镜(TEM)获得TiSe2纳米晶形貌结构及尺寸的信息,结合X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶红外(FTIR)、拉曼光谱(Raman)等测试技术对物相结构进行深度分析,并应用紫外可见分光光度计(UV-vis)和荧光光谱仪(PLE&PL)对其光学性能进行测试。
发明内容
本发明要解决的技术问题是TiSe2纳米晶的尺寸可控及均匀性问题。
本发明采用非传统的方法制备TiSe2纳米晶,该制备技术的主要特点包括:(1)设备和工艺简单、尺寸均匀可控,具有良好的可重复性,便于工业化生产;(2)原料TiSe2粉末必须经过充分的研磨,引入更多的缺陷,利于TiSe2纳米晶的形成;(3)TiSe2和溶剂的质量与体积配比为0.5g:50ml;(4)制备出的TiSe2纳米晶晶格间距为0.259nm,晶粒平均尺寸为3nm。
本发明的技术方案,其主要包括以下步骤:
第一步,取适量TiSe2固体粉末于玛瑙研钵中充分研磨约2小时;
第二步,在第一步研磨好的粉末样品中加入1-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)溶剂后混合,将上述混合液置于细胞破碎仪中反应数小时。
第三步,将第二步中反应后的悬浮液转移到离心机中离心,然后收集上层澄清溶液即可得到TiSe2纳米晶。
本发明的制备工艺具有以下优点:
(1)工艺简单:将研磨后的TiSe2粉末与NMP混合完成反应,无需复杂的设备也没有繁琐的操作流程,即可实现TiSe2纳米晶的制备,适用于工业化生产;
(2)成本低廉:本发明无论设备还是原材料都较常规,容易获得且成本较低。
本发明采用简便的工艺技术制备出尺寸均匀可控、分散性好且荧光特性显著的TiSe2纳米晶。
附图说明
图1是TiSe2纳米晶傅里叶红外光谱图。
图2是TiSe2纳米晶晶格条纹图。
图3是TiSe2纳米晶溶液紫外-可见光吸收光谱图。
图4是TiSe2纳米晶透射电子显微镜图。
具体实施例
下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明。
实施例1
用天平称取0.5g TiSe2粉末置于玛瑙研钵中充分研磨2小时,将研磨好的粉末转移到烧杯中,向其中加入50 mL 1-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)溶剂后混合,再将混合液置于细胞破碎仪中反应4小时,将反应后的溶液置于离心机中以5000转/分离心25分钟,取上层澄清溶液即得TiSe2纳米晶,避光、密封保存。

Claims (2)

1.一种尺寸可控的二硒化钛纳米晶制备方法,其主要步骤包括:
(1)取一定量固体TiSe2粉末于玛瑙研钵中充分研磨;
(2)向研磨好的粉末中加入1-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)溶剂充分混合,然后将混合液置于细胞破碎仪中反应;
(3)将反应好的溶液转移到离心机中离心,取上层清液即为TiSe2纳米晶溶液。
2.如权利要求1所述,一种尺寸可控的二硒化钛纳米晶制备方法,其特征在于:步骤(1)中,充分研磨TiSe2粉末2小时;步骤(2)中,TiSe2粉末与NMP溶剂的质量与体积的配比为0.5g:50ml;步骤(2)中,所述的反应时间为4小时;步骤(3)中,所述的离心转速为5000r/min,离心时间为25分钟。
CN201810113112.6A 2018-02-05 2018-02-05 一种尺寸可控的二硒化钛纳米晶的制备方法 Pending CN110116993A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810113112.6A CN110116993A (zh) 2018-02-05 2018-02-05 一种尺寸可控的二硒化钛纳米晶的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810113112.6A CN110116993A (zh) 2018-02-05 2018-02-05 一种尺寸可控的二硒化钛纳米晶的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110116993A true CN110116993A (zh) 2019-08-13

Family

ID=67519272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810113112.6A Pending CN110116993A (zh) 2018-02-05 2018-02-05 一种尺寸可控的二硒化钛纳米晶的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110116993A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112897477A (zh) * 2021-02-03 2021-06-04 吉林大学 一种多面体状硒化钛纳米晶的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105819410A (zh) * 2015-11-25 2016-08-03 云南师范大学 一种碲化铋量子点的制备方法
CN106904579A (zh) * 2017-01-20 2017-06-30 云南师范大学 一种制备二硒化钼量子点的方法
CN106905973A (zh) * 2017-01-20 2017-06-30 云南师范大学 一种超声制备碲化镍量子点的方法
CN106905965A (zh) * 2017-01-20 2017-06-30 云南师范大学 一种制备二硫化钨量子点的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105819410A (zh) * 2015-11-25 2016-08-03 云南师范大学 一种碲化铋量子点的制备方法
CN106904579A (zh) * 2017-01-20 2017-06-30 云南师范大学 一种制备二硒化钼量子点的方法
CN106905973A (zh) * 2017-01-20 2017-06-30 云南师范大学 一种超声制备碲化镍量子点的方法
CN106905965A (zh) * 2017-01-20 2017-06-30 云南师范大学 一种制备二硫化钨量子点的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DAN ZHANG等: "Readily Exfoliated TiSe2 Nanosheets for High-Performance Sodium Storage", 《CHEM. EUR. J.》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112897477A (zh) * 2021-02-03 2021-06-04 吉林大学 一种多面体状硒化钛纳米晶的制备方法
CN112897477B (zh) * 2021-02-03 2022-06-10 吉林大学 一种多面体状硒化钛纳米晶的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ou et al. Visible light response, electrical transport, and amorphization in compressed organolead iodine perovskites
Xiao-yan et al. Preparation and electrochemical performance of nano-scale nickel hydroxide with different shapes
Prasad et al. Spectroscopic characterization of zinc oxide nanorods synthesized by solid-state reaction
Kotkata et al. Synthesis and structural characterization of CdS nanoparticles
CN102897724B (zh) 硒化锡纳米花及其制备方法
CN107601443B (zh) 一种超薄硒化钨纳米片的制备方法
Yang et al. Synthesis and optical properties of single-crystalline bismuth selenide nanorods via a convenient route
CN102786098B (zh) 形貌可控黄铁矿型二硫化亚铁微/纳米晶材料的制备方法
CN107774294A (zh) 一种新颖光催化剂K‑g‑C3N4及其制备和应用
CN102522454A (zh) 一种CdSe纳米晶半导体薄膜的制备方法
Xiong et al. Synthesis and luminescence properties of hand-like α-Bi2O3 microcrystals
CN108439383A (zh) 一种超声超临界二氧化碳-剪切耦合剥离膨胀石墨制备寡层石墨纳米片的方法
CN100503444C (zh) CdS、CdSe或CdTe空心纳米环及其制法
Yuan et al. Facile synthesis of flake-like FeSe 2 particles in open-air conditions
CN101885475B (zh) 一种单质硒纳米带的合成方法
Shen et al. Preparation and characterization of ultrafine zinc oxide powder by hydrothermal method
CN110116993A (zh) 一种尺寸可控的二硒化钛纳米晶的制备方法
Thongtem et al. Solvothermal synthesis of CdS nanowires templated by polyethylene glycol
CN107954478A (zh) 一种制备二硫化钼量子点的液相溶液方法
CN105948117A (zh) 一种以水热法制备HfO2纳米颗粒的方法
CN107892282A (zh) 一种尺寸均一的碲化铅纳米棒、制备方法及其应用
CN110092359B (zh) 一种液相剥离制备二硒化钒量子点的方法
Xia et al. Mesoporous CdS spheres for high-performance hybrid solar cells
CN106867540A (zh) 高荧光CdTe量子点的快速制备
CN110563036A (zh) 一种富含氧空位的氧化铋纳米材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190813