CN112897477B - 一种多面体状硒化钛纳米晶的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明为一种多面体状硒化钛纳米晶的制备方法。将钛粉、硒粉以化学计量比均匀混合后压制成片,放入直流电弧等离子体放电装置内竖直放置的阴阳极之间。在水冷系统和氩气氛围的保护下将气压升至30‑40kPa,设置反应电流为100‑120A,阴阳两极起弧反应。冷却钝化后,在顶盖处收集到的黑色粉末为50‑200nm多面体状硒化钛纳米晶。本发明制备的多面体状硒化钛纳米晶可作为某种特定的场发射材料,具有良好的应用发展前景。

Description

一种多面体状硒化钛纳米晶的制备方法
技术领域
本发明属于无机纳米材料制备领域,具体涉及一种多面体状硒化钛纳米晶的制备方法。
背景技术
硒化钛(TiSe2)是一种具有六方晶格的过渡金属双卤代烷(TMD)材料,因其具有良好的光、电和物化性质,在下一代电子、光电器件等众多领域被认为是一类颇具应用前景的功能材料。在硒化钛的相关应用研究中,不同粒子尺寸、微观形貌的纳米材料所具有的物理化学性质也存在明显的差异,不同形貌和微结构的功能材料越来越受到广泛关注。
目前,传统方法合成出的TiSe2通常为二维层状材料。Sun(Chem.Eur.J,2017,24,1193–1197)等人通过固相烧结法将钛粉和硒粉的混合物煅烧48小时合成块体TiSe2,进而从块体剥离出多层TiSe2;Huang(Small,2017,15,1702181)等人通过高温水热法合成了纳米片状TiSe2。传统制备方法虽已被成功应用于TiSe2的合成过程,但产物形貌单一且不易控制。这些合成方法往往面临耗时长、反应温度较高、需同时添加多种有机溶剂、产出率低或产物团聚较严重等缺点,因此,从经济成本和绿色环保角度考虑,亟需开发一种经济、快速、高效、稳定的合成途径。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是通过直流电弧等离子体放电法可控合成不同微观形貌的TiSe2纳米晶材料。弥补现有技术的不足。
本发明的具体操作过程如下:
1.将钛粉、硒粉以为1:2摩尔比例称量后放入玛瑙研钵中,加入少许无水乙醇研磨30min,使钛粉和硒粉均匀混合。将研磨好的混合粉末放入压片模具中,压成高度约为3mm的圆片。
2.将圆片放入石墨锅中,石墨锅置入直流电弧等离子体放电装置的铜锅内。将阴极钨棒竖直固定在直流电弧等离子体放电装置里,使阴极和阳极在同一竖直轴线上,调整阴阳极约1cm的间距。
3.封闭反应装置,洗气后将腔室内气压抽至10Pa以下。在水冷系统和氩气氛围的保护下,将腔室内气压升至30-40kPa。打开起弧电源,设置反应电流为100-120A,调整阴阳两极1cm的距离,起弧直至反应完全。
4.在循环冷却系统和氩气氛围中冷却钝化1-3h。在顶盖处收集到的黑色粉末为多面体状TiSe2纳米晶。
本发明比现有技术的优势在于制备工艺简单、稳定性高、节约成本,可一步获得纯净的多面体状TiSe2纳米晶。
附图说明
图1直流电弧等离子体放电装置结构示意图。
图2多面体状TiSe2纳米晶的X射线衍射(XRD)图。
图3多面体状TiSe2纳米晶的扫描电子显微镜(SEM)图。
图4多面体状TiSe2纳米晶的透射电子显微镜(TEM)图。
图5多面体状TiSe2纳米晶的透射电子显微镜(TEM)高倍图。
图6多面体状TiSe2纳米晶的高分辨(HRTEM)图。
图7多面体状TiSe2纳米晶的扫描面分布(Mapping)图。
具体实施方式
实施例1直流电弧等离子体放电装置
图1为直流电弧等离子体放电装置示意图。使用装置的步骤为:把压制好的圆片放进阳极石墨锅10里,石墨锅10放置在铜锅9上,固定好阴极钨棒2,放置顶盖12,最后盖上玻璃罩1,形成密闭装置。4、8是与外部相接的进气口和出气口。
水冷系统的重要性在于:开始反应前,为保证设备安全运转,提前启动循环水。水冷系统从进水口5流进环形水冷壁11,从出水口7流出;阳极水冷从6流入、流出。在反应期间,循环水冷区和高温电弧之间产生的温度梯度是产生纯净的多面体状TiSe2的必备条件;反应结束后,水冷系统起到冷却钝化的作用。
实施例2多面体状TiSe2纳米晶的制备
按照摩尔比1:2分别称量钛粉0.2308g和硒粉0.7584g,加入少许无水乙醇研磨,使二者均匀混合。把研磨后的混合物放入压片机模具中,压制成高度为3mm、直径尺寸为1cm的圆柱形薄片。将圆片放入石墨锅,石墨锅置入直流电弧等离子体放电装置内的铜锅中。将阴极钨棒竖直固定在装置内部,和阳极位于同一竖直轴线上,调节阴阳两极间距约1cm。封闭反应装置,洗气后将装置内气压抽至10Pa以下。在水冷系统和氩气氛围的保护下将装置内气压升至40kPa。打开起弧电源,设置反应电流为120A,调整两极1cm的距离,进行起弧放电。反应持续5min后停止放电。在水冷系统和氩气氛围中冷却钝化2h,在顶盖处收集的黑色粉末为多面体状TiSe2纳米晶。
图2给出制得的多面体状TiSe2纳米晶的X射线衍射(XRD)谱图,峰位均与JCPDSno.30-1383标准卡片相匹配。所有的峰都是锐利的,峰形无宽化现象,没有观察到杂质峰。得到的三强峰分别位于33.18°、30.26°、42.58°,对应晶面为(101),(002),(102)。表明所制备的粉末具有较高的纯度。
图3为多面体状TiSe2纳米晶的扫描电子显微镜(SEM)图。从图中可以看到多面体状TiSe2纳米晶,其直径范围为50-200nm,边缘光滑,近似球形。图4为多面体状TiSe2纳米晶的透射电子显微镜(TEM)全貌图,可以看到尺寸均匀的多面体状的TiSe2纳米晶。图5为多面体状TiSe2的透射电子显微镜(TEM)高倍图,可以更加清晰的看到TiSe2多面体的直径约为70nm,与扫描电镜图片一致。图6给出多面体状TiSe2的透射电子显微镜高分辨(HRTEM)图。经测算晶格间距d值为
Figure BDA0002932066630000041
TiSe2沿(101)面生长。图7给出多面体状TiSe2纳米晶的面分布图(Mapping),可以明显的看到Se元素和Ti元素均匀分布,确定产物为多面体状的TiSe2纳米晶。表1中为多面体状TiSe2微晶的选区电子能谱(EDS)结果表。从图7和表1可知,多面体状TiSe2纳米晶只由钛和硒两种元素组成,且原子比例接近1:2。
表1多面体状TiSe2微晶的选区电子能谱(EDS)结果表
元素 线类型 表观浓度 wt% 原子百分比
Ti K线系 0.88 26.16 36.87
Se L线系 2.11 73.84 63.13
总量 100 100
以上所述的实施例仅对本发明的优选实施方式进行描述,并非对本发明的范围进行限定,在不脱离本发明设计精神的前提下,本领域普通技术人员对本发明的技术方案做出的各种变形和改进,均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。

Claims (3)

1.一种多面体状硒化钛纳米晶的制备方法,其特征在于,其主要步骤为:
(1)将钛粉、硒粉以化学计量比例混合,压制成片;
(2)将压制好的片置于直流电弧等离子体放电装置的阴阳极之间;阴极为钨棒,阳极为石墨锅套构于铜锅中;
(3)在循环冷却系统和惰性气体氛围的保护下,洗气后将气压升至30-40kPa,设置反应电流为100-120A,起弧至反应完全,冷却钝化至室温,在顶盖处收集到黑色粉末。
2.按照权利要求1所述的多面体状硒化钛纳米晶的制备方法,其特征在于,所述放电过程中,向水冷系统通入循环冷却水。
3.按照权利要求1所述的多面体状硒化钛纳米晶的制备方法,其特征在于,钛粉、硒粉、惰性气体的纯度均为99.99%以上。
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