CN110098181A - 控制电路、位置检测装置、摄像装置、控制方法 - Google Patents

控制电路、位置检测装置、摄像装置、控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供受光发光装置的控制电路、位置检测装置、摄像装置、控制方法。减小驱动电流，或者改善S/N比。受光发光装置(810)包含发光元件(812)、第1受光元件(PD1)及第2受光元件(PD2)。基准信号发生器(910)生成包含预定的基准频率(ω0)的分量的基准信号(SREF)。驱动电路(920)向发光元件(812)供给驱动信号(IDRV)，以使得与第1受光元件(PD1)的输出相应的反馈信号(SFB)和基准信号(SREF)一致。相关检波器(930)对第2受光元件(PD2)的输出使用基准频率(ω0)的分量来进行相关检波。

Description

控制电路、位置检测装置、摄像装置、控制方法
技术领域
本发明涉及受光发光装置及其控制。
背景技术
例如，为了对接近电子设备等的物体进行检测，而使用被称为光反射器的受光发光装置。在专利文献1中公开了以往的受光发光装置的一个例子。该文献所公开的受光发光装置包括：基板；被搭载在该基板上的发光元件及受光元件；以及覆盖这些发光元件及受光元件的密封树脂。密封树脂使来自发光元件的光透过。当来自发光元件的光被物体反射时，受光元件接受该反射光。由此，能够检测物体的接近。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特开2010－45108号公报
发明内容
[发明要解决的课题]
本发明是在该状况下被做出的，其一个方案的例示性的目的之一在于，受光发光装置中的驱动电流的减少或者S/N比的改善。另外，其它方案的例示性的目的之一在于，提供能够实现更高精度的检测功能的受光发光装置。
[用于解决技术课题的技术方案]
本发明的一个方式涉及一种包含发光元件、第1受光元件及第2受光元件的受光发光装置的控制电路。控制电路包括：基准信号发生器，其生成包含预定的基准频率的分量的基准信号；驱动电路，其向发光元件供给驱动信号，以使得与第1受光元件的输出相应的反馈信号和基准信号一致；以及检波电路，其对第2受光元件的输出使用基准频率的分量来进行相关检波。
本发明的其它形态涉及一种受光发光装置。受光发光装置包括：基材；导电部，其被形成于上述基材；第1元件，其被搭载于上述基材且发出光；第2元件，其被搭载于上述基材且接受从上述第1元件发出的光；以及密封树脂，其覆盖上述第1元件及上述第2元件且使从上述第1元件发出的光透过，上述第1元件及上述第2元件在与上述基材的厚度方向成直角的第1方向上被彼此分离地配置，该受光发光装置包括：第3元件，其在上述第1方向上被配置在隔着上述第1元件与上述第2元件相反侧，且接受来自上述第1元件的光；以及遮光层，其被形成在上述密封树脂中的在上述厚度方向视角下与上述第3元件重叠的覆盖部，且由与上述密封树脂相比光的透过率更低的材质构成。
[发明效果]
根据本发明的一个方式，能够减小驱动电流，或者能够改善S/N比。另外，根据本发明的一个方式，能够发挥更高精度的检测功能。
本发明的其它特征及优点通过参照附图在以下进行的详细的说明而变得更清楚。
附图说明
图1是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的主要部分俯视图。
图2是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的主视图。
图3是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的后视图。
图4是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的仰视图及电路图。
图5是沿着图1的V－V的剖视图。
图6是沿着图1的VI－VI线的剖视图。
图7是沿着图1的VII－VII线的剖视图。
图8是沿着图1的VIII－VIII线的剖视图。
图9是沿着图1的IX－IX线的剖视图。
图10是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的主要部分放大剖视图。
图11是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的主要部分放大剖视图。
图12是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的主要部分放大后视图。
图13是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的第1元件的放大剖视立体图。
图14是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的制造方法的一个例子的主要部分放大剖视图。
图15是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的制造方法的一个例子的主要部分放大剖视图。
图16是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的第1变形例的主要部分放大剖视图。
图17是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的第2变形例的主要部分放大剖视图。
图18是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的第3变形例的主要部分放大剖视图。
图19是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的第4变形例的主要部分放大剖视图。
图20是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的第5变形例的主要部分放大剖视图。
图21是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的第6变形例的主要部分放大剖视图。
图22是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的第7变形例的主要部分放大剖视图。
图23是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的第8变形例的主要部分俯视图。
图24是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的第9变形例的主要部分俯视图。
图25是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的第10变形例的主要部分俯视图。
图26是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的第10变形例的第1元件的放大剖视立体图。
图27是示出本发明的第1实施方式的受光发光装置的第10变形例的第1元件的主要部分放大剖视图。
图28是示出本发明的第2实施方式的受光发光装置的主要部分俯视图。
图29是示出本发明的第2实施方式的受光发光装置的仰视图。
图30是沿着图28的XXX－XXX线的剖视图。
图31是沿着图28的XXXI－XXXI线的剖视图。
图32是示出本发明的第3实施方式的受光发光装置的主要部分俯视图。
图33是示出本发明的第3实施方式的受光发光装置的仰视图。
图34是沿着图32的XXXIV－XXXIV线的剖视图。
图35是沿着图32的XXXV－XXXV线的剖视图。
图36是沿着图32的XXXVI－XXXVI线的剖视图。
图37是沿着图32的XXXVII－XXXVII线的剖视图。
图38是示出本发明的第4实施方式的受光发光装置的主要部分俯视图。
图39是示出本发明的第4实施方式的受光发光装置的第1变形例的主要部分俯视图。
图40是示出本发明的第4实施方式的受光发光装置的第2变形例的主要部分俯视图。
图41是位置检测系统的框图。
图42的(a)是说明图41的位置检测系统的动作的图，图42的(b)是示出位置z与第2检测信号Vs2的关系的图，图42的(c)是说明图41的位置检测系统的其它动作的图。
图43是包括实施方式的控制电路的位置检测系统的电路图。
图44是说明图43的位置检测系统的动作的图。
图45是示出闪烁噪声的频率特性的图。
图46是示出控制电路的一实施例的电路图。
图47是示出一实施例的受光发光装置及控制电路的管脚配置的图。
图48是示出一实施例的受光发光装置及控制电路的管脚配置的图。
图49是示出一实施例的受光发光装置及控制电路的管脚配置的图。
图50是定位系统的框图。
图51(a)和图51(b)是变形例的形成有遮光层的密封树脂的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图具体说明本发明的优选实施方式。
本发明中的“第1”、“第2”、“第3”等用语仅用作标识，并非意图对那些对象物赋予顺序。
＜第1实施方式＞
图1～图15示出了本发明的第1实施方式的受光发光装置。本实施方式的受光发光装置A1包括基材1、导电部2、第1元件3、第2元件4、第3元件5、第1引线61、第2引线62、第3引线63、密封树脂7及遮光层8。
图1是示出受光发光装置A1的主要部分俯视图。图2是示出受光发光装置A1的主视图。图3是示出受光发光装置A1的后视图。图4是示出受光发光装置A1的仰视图及电路图。图5是沿着图1的V－V线的剖视图。图6是沿着图1的VI－VI线的剖视图。图7是沿着图1的VII－VII线的剖视图。图8是沿着图1的VIII－VIII线的剖视图。图9是沿着图1的IX－IX线的剖视图。图10是示出受光发光装置A1的主要部分放大剖视图。图11是示出受光发光装置A1的主要部分放大剖视图。图12是示出受光发光装置A1的主要部分放大后视图。图14是示出受光发光装置A1的制造方法的一个例子的主要部分放大剖视图。图15是示出受光发光装置A1的制造方法的一个例子的主要部分放大剖视图。在这些图中，z方向是基材1的厚度方向。x方向是本发明的第1方向。y方向是相对于x方向及z方向为直角的方向。另外，在图1中，为了便于理解，而省略了密封树脂7，利用虚线及剖面线示出了后述的第2部分75。另外，在遮光层8上带有剖面线。
受光发光装置A1的大小没有特别限定。如果例示受光发光装置A1的大小，则x方向尺寸为1.3mm～3.5mm，y方向尺寸为0.4mm～2.0mm，z方向尺寸为0.2mm～0.8mm，在图示的例子中，例如x方向尺寸为1.5mm，y方向尺寸为0.55mm，z方向尺寸为0.3mm。
基材1支承第1元件3、第2元件4及第3元件5。基材1的材质没有特别限定，例如由玻璃环氧树脂等绝缘性材料构成。在本实施方式中，基材1在z方向视角下为以x方向为长边方向、并以y方向为短边方向的长矩形状。基材1的厚度为例如40μm～50μm。
基材1具有主面11、背面12、一对侧面13及一对端面14。主面11朝向z方向，是搭载第1元件3、第2元件4及第3元件5的面。背面12朝向在z方向上与主面11相反侧。在本实施方式中，背面12被用作受光发光装置A1被组装于电路基板等上时的组装面。一对侧面13朝向y方向两侧，分别将主面11和背面12连接。一对端面14朝向x方向两侧，分别将主面11和背面12连接。
导电部2被形成在基材1上，构成了向第1元件3、第2元件4及第3元件5的导通路径。导电部2的材质没有特别限定，使用具有良好的导电性的金属，作为具体例，可举出Cu、Ni、Ti、Ag、Au等。导电部2例如通过镀敷而形成。导电部2的厚度例如为30μm左右，例如是在20μm左右的Cu层上层叠有10μm左右的Au层的构成。
本实施方式的导电部2具有第1粘片(Die bonding)部211、第1延伸部221、第1贯通部231、第2接合部212、一对第2延伸部222、一对第2贯通部232、第3粘片部213、一对第3延伸部223、一对第3贯通部233、共通引线键合部240、共通贯通部246、第1组装电极271、一对第2组装电极272、一对第3组装电极273及第4组装电极274。
第1粘片部211被形成于基材1的主面11。第1粘片部211是第1元件3被粘片的部位。在本实施方式中，第1粘片部211被配置在主面11的x方向大致中央。第1粘片部211的形状没有特别限定，在图示的例子中，在z方向视角下为矩形状。第1粘片部211从一对侧面13分离。第1粘片部211在y方向上被偏于图1的图中上侧地配置。
第2接合部212被形成于基材1的主面11。第2接合部212是第2元件4被粘片的部位。在本实施方式中，第2接合部212相对于第1粘片部211被配置在图1中的x方向右侧。第2接合部212的形状没有特别限定，在图示的例子中，在z方向视角下为矩形状。第2接合部212从一对侧面13及端面14分离。第2接合部212被配置在主面11的y方向大致中央。
第3粘片部213被形成于基材1的主面11。第3粘片部213是第3元件5被粘片的部位。在本实施方式中，第3粘片部213相对于第1粘片部211被配置在图1中的x方向左侧。换言之，第3粘片部213在x方向上隔着第1粘片部211地被配置在第2接合部212的相反侧。第3粘片部213的形状没有特别限定，在图示的例子中，在z方向视角下为矩形状。第3粘片部213从一对侧面13及端面14分离。第3粘片部213被配置在主面11的y方向大致中央。
共通引线键合部240是键合第1引线61、第2引线62及第3引线63的部位。在本实施方式中，共通引线键合部240在x方向上位于第2接合部212与第3粘片部213之间，在y方向视角下与第1粘片部211重叠。在图示的例子中，第1粘片部211和共通引线键合部240的x方向位置相同。共通引线键合部240在y方向上被与第1粘片部211分离地配置。共通引线键合部240的形状没有特别限定，在图示的例子中，在z方向视角下为将x方向作为长边方向的长矩形状。
在图示的例子中，第2接合部212及第3粘片部213的y方向尺寸各自同为尺寸y1。第1粘片部211的y方向尺寸小于尺寸y1。另外，在图1中，第1粘片部211、第2接合部212及第3粘片部213的y方向图中上端缘的y方向上的位置相互一致。共通引线键合部240的x方向尺寸比第1粘片部211的x方向尺寸即尺寸x1大。在图1中，第2接合部212、第3粘片部213及共通引线键合部240的y方向图中下端缘的y方向上的位置相互一致。
第1延伸部221与第1粘片部211相连，向一个侧面13沿y方向延伸。在图示的例子中，第1延伸部221到达一个侧面13。第1延伸部221的形状没有特别限定，在图示的例子中，为与第1粘片部211相比x方向尺寸小的矩形状。
一对第2延伸部222与第2接合部212相连，朝着一对侧面13向y方向两侧延伸。在图示的例子中，一对第2延伸部222分别到达一对侧面13。第2延伸部222的形状没有特别限定，在图示的例子中，为与第2接合部212相比x方向尺寸小的矩形状。
一对第3延伸部223与第3粘片部213相连，朝着一对侧面13向y方向两侧延伸。在图示的例子中，一对第3延伸部223分别到达一对侧面13。第3延伸部223的形状没有特别限定，在图示的例子中，为与第3粘片部213相比x方向尺寸小的矩形状。
共通延伸部245与共通引线键合部240相连，朝着另一个侧面13向y方向延伸。在图示的例子中，第1延伸部221到达另一个侧面13。共通延伸部245的形状没有特别限定，在图示的例子中，为与共通引线键合部240相比x方向尺寸小的矩形状。
第1组装电极271被形成于基材1的背面12。在图示的例子中，第1组装电极271到达一个侧面13。另外，第1组装电极271被配置在背面12的x方向大致中央。第1组装电极271的形状没有特别限定，在图示的例子中，为矩形状。如图1所示，第1组装电极271在z方向视角下与第1延伸部221及第1粘片部211重叠。更详细而言，第1组装电极271在z方向视角下与第1延伸部221的整体重叠，并与第1粘片部211的一部分重叠。
一对第2组装电极272被形成于基材1的背面12。在图示的例子中，一对第2组装电极272分别到达一对侧面13。另外，一对第2组装电极272在x方向上相对于第1组装电极271被配置在图4中的图中右侧。第2组装电极272的形状没有特别限定，在图示的例子中，为矩形状。如图1所示，一对第2组装电极272在z方向视角下与一对第2延伸部222及第2接合部212重叠。更详细而言，一对第2组装电极272在z方向视角下与一对第2延伸部222的整体重叠，并与第2接合部212的一部分重叠。
一对第3组装电极273被形成于基材1的背面12。在图示的例子中，一对第3组装电极273分别到达一对侧面13。另外，一对第3组装电极273在x方向上相对于第1组装电极271被配置在图4中的图中左侧。第3组装电极273的形状没有特别限定，在图示的例子中，为矩形状。如图1所示，一对第3组装电极273在z方向视角下与一对第3延伸部223及第3粘片部213重叠。更详细而言，一对第3组装电极273在z方向视角下与一对第3延伸部223的整体重叠，并与第3粘片部213的一部分重叠。
第4组装电极274被形成于基材1的背面12。在图示的例子中，第4组装电极274到达另一个侧面13。另外，第4组装电极274被配置在背面12的x方向大致中央。第4组装电极274在y方向上与第1组装电极271并列。第4组装电极274的形状没有特别限定，在图示的例子中，为矩形状。如图1所示，第4组装电极274在z方向视角下与共通延伸部245及共通引线键合部240重叠。更详细而言，第4组装电极274在z方向视角下与共通延伸部245的整体重叠，并与共通引线键合部240的一部分重叠。
第1贯通部231贯通基材1。第1贯通部231与第1延伸部221及第1组装电极271相连，在z方向视角下与第1延伸部221及第1组装电极271重叠。如图1、图3及图12所示，在本实施方式中，第1贯通部231具有第1露出面2311。第1露出面2311是从基材1的侧面13在y方向上露出的面。第1露出面2311与侧面13大致平齐。本实施方式的第1贯通部231在z方向视角下为半圆形。
在图示的例子中，第1贯通部231具有底面2312及顶面2313。底面2312从第1组装电极271向z方向下方露出。顶面2313为与第1延伸部221的分界面。底面2312为向z方向上方略微凹陷的曲面。顶面2313为向z方向上方略微鼓起的曲面。
说明这样的构成的第1贯通部231的制造方法的一个例子。首先，如图14所示，准备基板材料10。接下来，在基板材料10上形成第1延伸部221及第1组装电极271。基板材料10为能够形成多个基材1的大小及形状，图14是应当成为侧面13的面处的剖视图。
接下来，通过从第1组装电极271侧例如照射激光，从而形成贯通孔2310。通过照射激光，首先在第1组装电极271上形成贯通孔，接着在基板材料10上形成贯通孔。然后，在略微除去了第1延伸部221的一部分的时间点，停止激光的照射。由此，得到图示的形状的贯通孔2310。此时，在第1延伸部221上形成轻微的凹曲面。
接着，利用镀敷等方法，利用金属填埋贯通孔2310。通过该镀敷，形成应当成为第1贯通部231的金属部分。该金属部分的z方向下表面优选为向z方向上方略微凹陷的曲面。然后，通过将基板材料10、第1组装电极271、第1延伸部221及金属部分统一切断，从而形成基材1、第1延伸部221、第1组装电极271及第1贯通部231。于是，在基材1上形成侧面13，在第1贯通部231上形成第1露出面2311。
这样的第1贯通部231的形态是第1贯通部231的具体的形状的一个例子。以下所述的一对第2贯通部232、一对第3贯通部233及共通贯通部246在经过与第1贯通部231同样的制造方法的情况等下，可能成为同样的详细形状，但是，也可是不同的详细形状。
一对第2贯通部232贯通基材1。一对第2贯通部232分别与一对第2延伸部222及一对第2组装电极272相连，在z方向视角下与一对第2延伸部222及一对第2组装电极272重叠。如图1～图3所示，在本实施方式中，第2贯通部232具有第2露出面2321。
第2露出面2321是从基材1的侧面13在y方向上露出的面。第2露出面2321与侧面13大致平齐。本实施方式的第2贯通部232在z方向视角下为半圆形。
一对第3贯通部233贯通基材1。一对第3贯通部233分别与一对第3延伸部223及一对第3组装电极273相连，在z方向视角下与一对第3延伸部223及一对第3组装电极273重叠。如图1～图3所示，在本实施方式中，第3贯通部233具有第3露出面2331。第3露出面2331是从基材1的侧面13在y方向上露出的面。第3露出面2331与侧面13大致平齐。本实施方式的第3贯通部233在z方向视角下为半圆形。
共通贯通部246贯通基材1。共通贯通部246与共通延伸部245及第4组装电极274相连，在z方向视角下与共通延伸部245及第4组装电极274重叠。如图1及图2所示，在本实施方式中，共通贯通部246具有共通露出面2461。共通露出面2461是从基材1的侧面13在y方向上露出的面。共通露出面2461与侧面13大致平齐。本实施方式的共通贯通部246在z方向视角下为半圆形。
第1元件3是受光发光装置A1中的光源，发出预定的波长带的光。第1元件3被粘片于第1粘片部211，被搭载于基材1的主面11。第1元件3例如为LED芯片。从第1元件3发出的光没有特别限定，作为其一个例子，例示红外光。本实施方式的第1元件3具有第1电极31。第1电极31被形成于第1元件3的z方向上表面。第1元件3具有被形成在z方向下表面上的电极(省略图示)。第1元件3向第1粘片部211的键合是利用第1导电键合材料39进行的。第1导电键合材料39为Ag糊剂或焊料等，使第1元件3的电极与第1粘片部211导通。
图13示出了作为第1元件3的LED芯片的一个例子。图示的例子的第1元件3具有第1电极31、第4电极32、第1基板311、第1金属层312、第1半导体层313、第2半导体层314、发光层315及第3半导体层316。此外，在本例中，说明第1电极31为n侧电极、第4电极为p侧电极的情况，但是，它们也可以是相反的构成。
第1基板311例如由硅基板构成。当然，第1基板311例如也可以由GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)等半导体基板构成。第1基板311在本例中被形成为俯视大致正方形状，但是，第1基板311的平面形状没有特别限制，例如，也可以是俯视长方形状。第1基板311的厚度例如为150μm左右。
第1金属层312被以覆盖第1基板311的方式形成。第1金属层312例如由Au或含有Au的合金构成。第1金属层312既可以是Au层及Au合金层各自的单层，也可以是多层地层叠有这些层及其它金属层而成的层。第1金属层312在为多层的层叠构造的情况下，例如也可以是以Au/AuBeNi/Au/Mo/Au/Mo/Au/Ti表示的层叠构造。第1金属层312的厚度例如为0.5μm左右。
第1半导体层313在本例中为p型半导体层，例如包含p型接触层及p型窗口层。第1半导体层313的厚度例如为1.5μm左右。
第2半导体层314在本例中为p型半导体层，例如包含p型包覆层。第2半导体层第1电极314的厚度例如w为0.8μm左右。
发光层315例如具有MQW(multiple-quantum well)构造(多量子阱构造)，是通过电子和空穴进行再结合从而产生光，并使其产生的光放大的层。
第3半导体层316在本例中为n型半导体层，例如包含n型包覆层、n型窗口层及n型接触层。第3半导体层316的厚度例如为3.0μm左右。
第1电极31为n侧电极，被形成在第3半导体层316上。第1电极31例如由Au或含有Au的合金构成。具体而言，也可以是以Au/Ge/Ni/Au表示的层叠构造。
第4电极32为p侧电极，被形成在第1基板311的背面。第4电极32例如由Au或含有Au的合金构成。具体而言，也可是以Ti/Au/Mo/Au表示的层叠构造。
第2元件4是发挥通过接受从第1元件3发出的波长带的光，从而产生电信号的光电转换功能的元件。第2元件4被用于对从第1元件3发出的光由外部的物体反射时的反射光进行检测。第2元件4被粘片于第2接合部212，并被搭载于基材1的主面11。第2元件4例如为光电二极管、光电晶体管，图示的第2元件4是由光电二极管构成的情况。本实施方式的第2元件4具有第2电极41及受光部42。第2电极41被形成于第2元件4的z方向上表面。在图示的例子中，第2电极41在x方向上被靠近第1元件3地配置，在y方向上被靠近共通引线键合部240地配置。受光部42被设置在与第2电极41分离的区域，是进行光电转换功能中的受光的部位。第2元件4具有被形成在z方向下表面上的电极(省略图示)。第2元件4向第2接合部212的键合是利用第2导电键合材料49进行的。第2导电键合材料49为Ag糊剂或焊料等，使第2元件4的电极与第2接合部212导通。
第3元件5是发挥通过接受从第1元件3发出的波长带的光从而产生电信号的光电转换功能的元件。第3元件5被用于对从第1元件3发出的光中的、不被射出到外部而是在受光发光装置A1内部(密封树脂7内部)行进过来的光进行检测。第3元件5被粘片于第3粘片部213，并被搭载于基材1的主面11。第3元件5例如为光电二极管、光电晶体管，图示的第3元件5是由光电二极管构成的情况。本实施方式的第3元件5具有第3电极51及受光部52。第3电极51被形成于第3元件5的z方向上表面。在图示的例子中，第3电极51在x方向上被靠近第1元件3地配置，在y方向上被靠近共通引线键合部240地配置。受光部52被设置在与第3电极51分离的区域，是进行光电转换功能中的受光的部位。第3元件5具有被形成在z方向下表面上的电极(省略图示)。第3元件5向第3粘片部213的键合是利用第3导电键合材料59进行的。第3导电键合材料59为Ag糊剂或焊料等，使第3元件5的电极与第3粘片部213导通。
图6所示的第1元件3的z方向的高度H3、第2元件4的z方向的高度H4及第3元件5的z方向的高度H5能够进行各种设定，高度H3～H5可以全部相同，可以全部互不相同，也可以仅某2个相同。在图示的例子中，高度H3比高度H4、H5更低。另外，高度H4和高度H5为相同高度。高度H3例如为0.10mm左右，高度H4及高度H5例如为0.13mm左右。
第1引线61使第1元件3和导电部2导通。第1引线61例如由Au构成。第1引线61被键合于第1元件3的第1电极31和导电部2的共通引线键合部240。键合部611是第1引线61中的被键合在共通引线键合部240上的部分。
第2引线62使第2元件4和导电部2导通。第2引线62例如由Au构成。第2引线62被键合于第2元件4的第2电极41和导电部2的共通引线键合部240。键合部621是第2引线62中的被键合在共通引线键合部240上的部分。
第3引线63使第3元件5和导电部2导通。第3引线63例如由Au构成。第3引线63被键合于第3元件5的第3电极51和导电部2的共通引线键合部240。键合部631是第3引线63中的被键合在共通引线键合部240上的部分。
如图1所示，在本实施方式中，键合部611、键合部621及键合部631全部在y方向上存在于第2接合部212及第3粘片部213所在的区域(尺寸y1的区域)。另外，键合部611、键合部621及键合部631全部在x方向上存在于第1粘片部211所在的区域(尺寸x1的区域)。
如图4的电路图所示，在本实施方式中，第1元件3的第1电极31是第1元件3的阴极电极，未图示的背面电极是阳极电极。另外，第2元件4的第2电极41及第3元件5的第3电极51是阳极电极，第2元件4及第3元件5的未图示的背面电极是阴极电极。由此，第1组装电极271与第1元件3的阳极电极导通，第2组装电极272与第2元件4的阴极电极导通，第3组装电极273与第3元件5的阴极电极导通。另外，通过将第1引线61、第2引线62及第3引线63键合于共通引线键合部240，从而第4组装电极274与第1元件3的阴极电极、第2元件4及第3元件5的阳极电极导通。即，第1元件3、第2元件4及第3元件5被以相反极性的关系连接。
密封树脂7覆盖第1元件3、第2元件4及第3元件5，被形成于基材1的主面11。密封树脂7由使从第1元件3发出的波长带的光透过的材质构成，例如由具有透光性的环氧树脂、有机硅树脂构成。本实施方式的密封树脂7具有射出部71、入射部72、覆盖部73、第1部分74及第2部分75。
射出部71是使来自第1元件3的光射出的面，在z方向视角下与第1元件3重叠。在图示的例子中，射出部71是平滑的平面。
入射部72是使由外部的物体反射的光向第3元件5入射的面。入射部72在z方向视角下与第2元件4重叠。在本实施方式中，入射部72相对于射出部71在x方向上并列地配置。在图示的例子中，入射部72是平滑的平面。
覆盖部73是在x方向上相对于射出部71位于与入射部72相反侧的面。覆盖部73在z方向视角下与第3元件5重叠。在图示的例子中，覆盖部73是平滑的平面。
第1部分74位于覆盖部73的射出部71侧的分界，是弯曲的形状的部分。在图示的例子中，如图11所示，第1部分74具有第1角部741、第2角部742及侧面743。侧面743是位于射出部71与覆盖部73之间的面。在图示的例子中，覆盖部73与射出部71相比在z方向上从基材1的主面11分离。侧面743例如是与z方向平行的面。第1角部741由覆盖部73与侧面743的分界构成。覆盖部73与侧面743相互构成的角超过180°，在图示的例子中，为270°左右。第2角部742由侧面743与射出部71的分界构成。侧面743与射出部71构成的角为90°左右。
第2部分75位于射出部71与入射部72之间，是与射出部71相比来自密封树脂7的内部的光的反射率低的部位。在图示的例子中，第2部分75是从射出部71及入射部72在z方向上凹陷的槽状。如图10所示，第2部分75由具有底面752及一对侧面753的槽部751构成。底面752是位于z方向深处的面。一对侧面753将射出部71、入射部72、以及底面752连接。在图示的例子中，底面752及一对侧面753是与射出部71及入射部72相比表面粗糙度更粗的面。例如通过使树脂材料固化，形成密封树脂7，并利用刀片等切削密封树脂7的一部分，从而形成第2部分75。此外，在第2部分75通过模具形成的情况下，仅底面752由表面粗糙度较粗的面构成，侧面753可以由与射出部71或入射部72同等的平滑的面构成。
如图1所示，在图示的例子中，第2部分75在z方向视角下的区域R1中与第1粘片部211重叠。另外，第2部分75在z方向下的区域R2中与第2接合部212重叠。另外，第2部分75在z方向视角下的区域R3中与第1部分74重叠。在区域R1、区域R2及区域R3中，底面752距第1粘片部211、第2接合部212及共通引线键合部240的距离即高度H小于底面752距主面11的距离。另外，第2部分75在z方向视角下与第2引线62重叠。
遮光层8由与密封树脂7相比光的透过率更低的材质构成，例如由黑色、浓色的涂料形成。遮光层8覆盖密封树脂7的覆盖部73，在z方向视角下与第3元件5的至少一部分重叠。在图示的例子中，遮光层8在z方向上与第3元件5全部重叠。此外，作为遮光层8的材料，例如作为可涂布的材料而例示抗蚀剂油墨、环氧树脂。另外，作为遮光层8的其它材料，作为能够通过粘接等方法来形成的材料，例示光学滤光器、光学膜等。
如图11所示，遮光层8具有端缘80。端缘80与第1部分74一致，在图示的例子中，与第1部分74的第1角部741一致。另外，遮光层8具有曲面81。曲面81与端缘80相连，为凸形状的曲面。曲面81是在将用于形成遮光层8的涂料涂布到密封树脂7的覆盖部73上时形成的。欲从覆盖部73扩展的涂料在第1角部741处接触角变大，在因表面张力的作用而停留的状态下固化，从而形成曲面81。此外，遮光层8也可以不具有曲面81。另外，遮光层8的端缘80也可以不与第1部分74一致。
接下来，说明受光发光装置A1的作用。
根据本实施方式，通过设置遮光层8，从而能够抑制第3元件5接受从受光发光装置A1外行进过来的光。由此，能够利用第3元件5更精确地进行对第1元件3的状态监视。因此，受光发光装置A1能够发挥更高精度的检测功能。
另外，除了第1元件3及第2元件4之外，还包括第3元件5。第3元件5接受从第1元件3发出的光中的在密封树脂7内行进过来的光。因此，第3元件5的检测信号难以被受光发光装置A1的外部的状况左右，反映时效变化等第1元件3自身的状态。由此，能够持续地监视第1元件3的发光状态。因此，通过使第3元件5的检测结果反映到第2元件4的检测信号的处理中，从而能够在更长的期间中使受光发光装置A1适当地起作用。
通过在密封树脂7中设置入射部72，从而能够将遮光层8更精确地形成在所期望的区域。另外，设置遮光层8的曲面81，会容易成为遮光层8的该部分的厚度相对较厚的构成。该部分的厚度较厚对于提高遮光层8的遮光效果是有利的。另外，对于提高遮光层8的遮光效果，优选遮光层8在z方向视角下与第3元件5全部重叠的构成。
与射出部71、入射部72相比，第2部分75的表面粗糙度更粗。通过设置这样的第2部分75，从而能够抑制从第1元件3发出的光在密封树脂7的表面上反射而被第2元件4意外地受光。由此，能够抑制第2元件4的误检测。
由于第2部分75为槽状，从而能够促进第2部分75的反射抑制。另外，在图示的例子中，在区域R1、区域R2及区域R3中，第2部分75与第1粘片部211、第2接合部212及共通引线键合部240重叠。在这些区域中，如图5及图6所示，底面752距第1粘片部211、第2接合部212及共通引线键合部240的距离即高度H小于底面752距主面11的距离。这意味着缩窄从第1元件3发出的光在密封树脂7内行进的路径，对于抑制第2元件4的意外的受光是优选的。
如图1所示，第2元件4的第2电极41在x方向及y方向上被靠近共通引线键合部240地设置。由此，如图5所示，能够避免第2引线62与第2元件4的受光部42等干涉，并且能够抑制第2引线62距基材1的z方向高度。这对于受光发光装置A1的薄型化是优选的。同样，如图1所示，第3电极51在x方向及y方向上被靠近共通引线键合部240地设置。由此，能够抑制第3引线63距基材1的z方向高度。这对于受光发光装置A1的薄型化是优选的。
图16～图40示出了本发明的其它实施方式。此外，在这些图中，对于与上述实施方式相同或类似的要素，标注与上述实施方式相同的附图标记。
＜第1实施方式第1变形例＞
图16是示出受光发光装置A1的第1变形例的主要部分放大剖视图。在本变形例的受光发光装置A11中，侧面743和射出部71所成的角度α大于90°。这样的构成例如对于使用于形成密封树脂7的模具从密封树脂7顺畅地脱离是有利的。
＜第1实施方式第2变形例＞
图17是示出受光发光装置A1的第2变形例的主要部分放大剖视图。在本变形例的受光发光装置A12中，射出部71在z方向上与覆盖部73相比距基材1的主面11更远。而且，第1部分74为从覆盖部73侧起具有第2角部742、侧面743及第1角部741的构成。即，本变形例的第1角部741由侧面743与射出部71的分界构成。侧面743和射出部71相互所成的角度超过180°，例如为270°左右。根据这样的变形例，也能够在第1部分74的第1角部741处使用于形成遮光层8的涂料停留，能够在所期望的区域更精确地形成遮光层8。
此外，在利用模具来成形密封树脂7时，可以同时形成射出部71和覆盖部73，但是不限于此。也可以在利用模具进行成形的阶段中不形成覆盖部73，而预先形成与射出部71平齐的面，然后，通过激光照射，将应当涂布遮光层8的区域深挖，形成覆盖部73。
＜第1实施方式第3变形例＞
图18是示出受光发光装置A1的第3变形例的主要部分放大剖视图。在本变形例的受光发光装置A13中，射出部71和覆盖部73在z方向上处于大致相同的位置。另外，第1部分74为具有底面744及一对侧面743、一对第1角部741及一对第2角部742的槽状。底面744是位于z方向深处的面。一对侧面743将底面744与射出部71及入射部72分别连接。一对第1角部741由一个侧面743与射出部71的分界、及另一个侧面743与覆盖部73的分界构成。
根据这样的变形例，也能够在第1部分74的第1角部741处使用于形成遮光层8的涂料停留，能够在所期望的区域更精确地形成遮光层8。另外，由于第1部分74具有一对第1角部741，从而即使在用于形成遮光层8的涂料未因图中左方的第1角部741而停留的情况下，也能够如在图中虚线所示利用图中右方的第1角部741使该涂料停留。
＜第1实施方式第4变形例＞
图19是示出受光发光装置A1的第4变形例的主要部分放大剖视图。在本变形例的受光发光装置A14中，射出部71和覆盖部73在z方向上处于大致相同的位置。另外，第1部分74为具有顶面745及一对侧面743、一对第1角部741及一对第2角部742的凸状。顶面745为位于z方向最上位的面。一对侧面743将顶面745和射出部71及入射部72分别连接。一对第1角部741由一个侧面743与顶面745的分界构成。
根据这样的变形例，也能够在第1部分74的第1角部741处使用于形成遮光层8的涂料停留，能够在所期望的区域更精确地形成遮光层8。另外，由于第1部分74具有一对第1角部741，从而在用于形成遮光层8的涂料未因图中左方的第1角部741而停留的情况下，也能够如图中虚线所示利用图中右方的第1角部741使该涂料停留。
＜第1实施方式第5变形例＞
图20是示出受光发光装置A1的第5变形例的主要部分放大剖视图。在本变形例的受光发光装置A15中，射出部71和覆盖部73在z方向上处于大致相同的位置。另外，在射出部71与入射部72之间未形成上述的第1部分74。在本变形例中，在形成遮光层8时，例如在掩模覆盖了要成为射出部71的区域的状态下涂布遮光层8的材料。然后，通过除去该掩模，从而得到遮光层8。
从这样的变形例可以理解，即使是密封树脂7不具有第1部分74的构成，通过以使射出部71露出并将覆盖部73覆盖的方式设置遮光层8，从而能够发挥更高度的检测功能。
＜关于遮光层的变形＞
1.作为遮光层8，使用了与密封树脂7相比光的透过率更低的材质，但是不限于此。例如，作为遮光层8，也可以使用反射膜。在此情况下，作为反射膜，能够使用铝等金属材料，例如也可以通过镀敷而在覆盖部73的上表面上成膜。
2.通过使密封树脂7变质从而形成遮光层8。参照图17说明该工法。首先，不设置覆盖部73地模具成形密封树脂7。然后，在密封树脂7的表面的应当形成遮光层8的区域照射激光，使透明的密封树脂7变质，使透过率降低。变质的机理没有特别限定，既可以利用热性反应，也可以利用光学性反应。激光优选UV激光。
在图17、图19中，使覆盖部73平坦，但是不限于此。图51的(a)、(b)是包括变形例的遮光层的受光发光装置A1的剖视图。
在图51的(a)、(b)中，覆盖部73在接近射出部71的第1部分74、换言之第1元件3与第3元件5的分界部分具有槽76，在槽76中填充有遮光层8。在图51的(a)中，设置有截面为矩形的槽76，在图51的(b)中，形成有带有圆角的槽78。利用该槽76、78，能够抑制从受光发光装置A1外入射的光L1入射到第3元件5。
＜第1实施方式第6变形例＞
图21示出了受光发光装置A1的第6变形例。在本变形例的受光发光装置A16中，第2部分75由槽部751构成，该槽部751由曲面构成。即使是这样的构成，也能够抑制从第1元件3发出的光在密封树脂7的表面上反射而使得第2元件4意外地受光的情况。
＜第1实施方式第7变形例＞
图22示出了受光发光装置A1的第7变形例。在本变形例的受光发光装置A17中，第2部分75由平坦的形状的粗糙的面构成，并非槽状、凸状的形状。在本变形例中，与射出部71及入射部72相比，第2部分75的表面粗糙度更粗。即使是这样的构成，也能够抑制从第1元件3发出的光在密封树脂7的表面上反射而使得第2元件4意外地受光的情况。另外，能够期待缓和第2部分75上的应力集中的效果。
＜第1实施方式第8变形例＞
图23示出了受光发光装置A1的第8变形例。在本变形例的受光发光装置A18中，第2部分75在z方向视角下的区域R1中与第1粘片部211重叠，在区域R3中与共通引线键合部240重叠，另一方面，不与第2接合部212重叠。根据这样的变形例，通过设定区域R1及区域R3，从而提高抑制第3元件5的意外受光的效果。
＜第1实施方式第9变形例＞
图24示出了受光发光装置A1的第9变形例。在本变形例的受光发光装置A19中，第2部分75在z方向视角下的区域R2中与第2接合部212重叠，另一方面，不与第1粘片部211及共通引线键合部240重叠。根据这样的变形例，通过设定区域R2，从而提高抑制第3元件5的意外受光的效果。
＜第1实施方式第10变形例＞
图25～图27示出了受光发光装置A1的第10变形例。在本变形例的受光发光装置A1a中，作为第1元件3，使用了VCSEL元件。
如图25所示，本例的第1元件3在俯视角下设置有第1电极31和多个发光区域360。第1电极31在y方向上被靠近共通引线键合部240地配置。多个发光区域360在第1元件3的俯视角下被分散配置在除了第1电极31之外的区域中。
如图26及图27所示，本例的第1元件3包括第1电极31、第4电极32、第2基板351、第4半导体层352、活性层353、第5半导体层354、电流狭窄层355、绝缘层356及导电层357，形成有多个发光区域360。此外，同图所示的构成例是作为第1元件3的VCSEL元件的一个例子，不被限定于本构成。图27将包含1个发光区域360的部分放大示出。
第2基板351由半导体构成。构成第2基板351的半导体例如为GaAs。构成第2基板351的半导体也可以为GaAs以外的材料。
活性层353由化合物半导体构成，该化合物半导体通过自然放出及感应放出而例如放出980nm带(以下作为“λa”)的波长的光。活性层353位于第4半导体层352与第5半导体层354之间。
第4半导体层352典型地为DBR(Distributed Bragg Reflector：分散式布拉格反射镜)层，被形成在第2基板351上。第4半导体层352由具有第1导电型的半导体构成。在本例中，第1导电型为n型。第4半导体层352被构成为DBR，该DBR用于使从活性层353发出的光高效地反射。更具体而言，活性层353是通过多层叠合由2层反射率各不相同的厚度λa/4的AlGaAs层构成的对从而构成的。
第5半导体层354典型地为DBR层，由具有第2导电型的半导体构成。在本例中，第2导电型为p型。也可以与本实施方式不同，第1导电型为p型，第2导电型为n型。第4半导体层352位于第5半导体层354和第2基板351之间。第5半导体层354被构成为DBR，该DBR用于使从活性层353发出的光高效地反射。更具体而言，第5半导体层354是通过多层叠合由2层反射率各不相同的厚度λa/4的AlGaAs层的构成的对从而构成的。
电流狭窄层355位于第5半导体层354内。电流狭窄层355例如由含有很多Al并容易氧化的层构成。电流狭窄层355是通过将该容易氧化的层氧化从而形成的。电流狭窄层355不一定需要通过氧化来形成，也可以通过其它方法(例如离子注入)来形成。在电流狭窄层355中形成有开口3551。电流在开口3551中流动。
绝缘层356被形成在第5半导体层354上。绝缘层356例如由SiO2构成。在绝缘层356中形成有开口3561。
导电层357被形成在绝缘层356上。导电层357由导电材料(例如金属)构成。导电层357通过绝缘层356的开口3561而与第5半导体层354导通。导电层357具有开口3571。
发光区域360是来自活性层353的光直接或在反射之后被射出的区域。在本例中，发光区域360为俯视圆环形状，但是，其形状没有特别限定。发光区域360是通过层叠上述的第5半导体层354、电流狭窄层355、绝缘层356及导电层357，并形成电流狭窄层355的开口3551、绝缘层356的开口3561及导电层357的开口3571等，从而设置的。在发光区域360中，来自活性层353的光通过导电层357的开口3571而被射出。
第1电极31例如由金属构成，与第5半导体层354导通。第4电极32被形成在第2基板351的背面，例如由金属构成。
根据本变形例，通过将所谓的表面发光器件即VCSEL用作第1元件3，从而能够实现高亮度化、照射面积的扩大。从本变形例可以理解，第1元件3只要是发挥能实现检测的发光功能的元件，则其具体的构成没有特别限定。
＜第2实施方式＞
图28～图31示出了本发明的第2实施方式的受光发光装置。图28是示出本实施方式的受光发光装置A2的主要部分俯视图。图29是示出受光发光装置A2的仰视图。图30是沿着图28的XXX－XXX线的剖视图。图31是沿着图28的XXXI－XXXI线的剖视图。
在本实施方式中，共通引线键合部240具有共通第1部241、共通第2部242、共通第3部243及共通第4部244。共通第1部241在x方向上位于第1粘片部211与第3粘片部213之间。在图示的例子中，共通第1部241为在y方向上较长地延伸的形状。在本实施方式中，第1引线61的键合部611和第3引线63的键合部631被形成在共通第1部241上。
共通第2部242被配置在相对于第1粘片部211在y方向上分离的位置。另外，共通第2部242在x方向上被配置在比第1粘片部211的中心靠第2接合部212侧的位置。在图示的例子中，共通第2部242为以x方向为长轴的大致椭圆形。在本实施方式中，第2引线62的键合部621被形成于共通第2部242。
共通第3部243与共通第1部241的y方向一端相连。共通第1部241是与共通第2部242相比面积更大的部位，在图示的例子中，为圆形。在z方向视角下，共通第3部243与共通贯通部246重叠。共通第4部244将共通第2部242和共通第3部243连接。在图示的例子中，共通第4部244为沿x方向较长地延伸的带状。
在本实施方式中，共通引线键合部240在z方向视角下为L字状。第1粘片部211相对于共通引线键合部240在x方向一方侧及y方向一方侧处分别与其对置。另外，在第1粘片部211中形成有凹部2111。凹部2111是第1粘片部211中的与共通引线键合部240的共通第3部243对置的部位，在z方向视角下凹陷。
如图29所示，在本实施方式中，导电部2具有第1组装电极271、第2组装电极272、第3组装电极273及第4组装电极274。第1组装电极271、第2组装电极272、第3组装电极273及第4组装电极274均从基材1的一对侧面13及一对端面14分离。在本实施方式中，第1贯通部231、第2贯通部232、第3贯通部233及共通贯通部246被形成为贯通基材1的贯通孔，在z方向视角下为圆形。另外，在图示的例子中，通过第1贯通部231的中心的与x方向平行的中心线O231、通过第2贯通部232的中心的与x方向平行的中心线O232和通过第3贯通部233的中心的与x方向平行的中心线O233、以及通过共通贯通部246的中心的与x方向平行的中心线O246在y方向上的位置相互不同。另外，中心线O232和中心线O233在y方向上的位置相同。但是，这些中心线的位置关系不限定于图示的关系。
在图示的例子中，第2部分75在z方向视角下的区域R1及区域R2中与第1粘片部211及第2接合部212重叠，不与共通引线键合部240重叠。但是，也可以是第2部分75与共通引线键合部240重叠的构成。另外，第2部分75在z方向视角下与第2引线62重叠。
在本实施方式中，遮光层8与共通引线键合部240重叠。进而，遮光层8与共通引线键合部240的共通第1部241的全部重叠。
在图示的例子中，第2元件4具有受光部42。受光部42被设置在与第2电极41分离的区域，是进行光电转换功能中的受光的部位。另外，第3元件5具有受光部52。受光部52被设置在与第3电极51分离的区域，是进行光电转换功能中的受光的部位。此外，在上述的实施方式中，相当于受光部42及受光部52的部位被设置于第2元件4及第3元件5。
键合部611、键合部621及键合部631均在y方向上存在于尺寸y1的区域。另外，在y方向视角下第1粘片部211与键合部621重叠，不与键合部611及键合部631重叠。键合部611及键合部631在x方向上位于第1元件3与第3元件5之间。
根据本实施方式，也能够发挥更高精度的检测功能。另外，通过在第1元件3与第3元件5之间配置共通引线键合部240的共通第1部241，从而第1元件3与第3元件5的距离扩大。通过在该扩大的区域中设置遮光层8，从而能够抑制从外部行进过来的光意外地入射到第3元件5。
＜第3实施方式＞
图32～图37示出了本发明的第3实施方式的受光发光装置。本实施方式的受光发光装置A3主要是导电部2的构成与上述的实施方式不同。图32是示出受光发光装置A3的主要部分俯视图。图33是示出受光发光装置A3的仰视图。图34是沿着图32的XXXIV－XXXIV线的剖视图。图35是沿着图32的XXXV－XXXV线的剖视图。图36是沿着图32的XXXVI－XXXVI线的剖视图。图37是沿着图32的XXXVII－XXXVII线的剖视图。
如图32所示，本实施方式的导电部2具有第1粘片部211、第2接合部212、第3粘片部213、第1引线键合部251、第2引线键合部252及第3引线键合部253。它们被形成于基材1的主面11。
第1引线键合部251相对于第1粘片部211被并列在y方向一方侧地配置。第2引线键合部252相对于第2接合部212被并列在y方向一方侧地配置。第3引线键合部253相对于第3粘片部213被并列在y方向一方侧地配置。第1引线键合部251、第2引线键合部252及第3引线键合部253均从侧面13及端面14分离。第1引线键合部251、第2引线键合部252及第3引线键合部253的形状没有特别限定，在图示的例子中，为大致矩形状。
如图33所示，本实施方式的导电部2具有第1组装电极271、第2组装电极272、第3组装电极273、第4组装电极274、第5组装电极275及第6组装电极276。它们被形成于基材1的背面12。
第1组装电极271、第2组装电极272及第3组装电极273被在x方向上并列地配置。第4组装电极274、第5组装电极275及第6组装电极276被在x方向上并列地配置。第1组装电极271、第2组装电极272、第3组装电极273、第4组装电极274、第5组装电极275及第6组装电极276均从侧面13及端面14分离。如图32所示，第1组装电极271、第2组装电极272、第3组装电极273、第4组装电极274、第5组装电极275及第6组装电极276在z方向视角下分别与第1粘片部211、第2接合部212、第3粘片部213、第1引线键合部251、第2引线键合部252及第3引线键合部253重叠。
在本实施方式中，导电部2具有第1贯通部231、第2贯通部232、第3贯通部233、第4贯通部261、第5贯通部262及第6贯通部263。它们将基材1在z方向上贯通。
第1贯通部231与第1粘片部211及第1组装电极271相连。第2贯通部232与第2接合部212及第2组装电极272相连。第3贯通部233与第3粘片部213及第3组装电极273相连。第4贯通部261与第1引线键合部251及第1组装电极271相连。第5贯通部262与第2引线键合部252及第2组装电极272相连。第6贯通部263与第3引线键合部253及第3组装电极273相连。另外，在图示的例子中，通过第1贯通部231的中心的与y方向平行的中心线O231、通过第4贯通部261的中心的与y方向平行的中心线O261、通过第2贯通部232的中心的与y方向平行的中心线O232和通过第5组装电极275的中心的与y方向平行的中心线O275、通过第3贯通部233的中心的与y方向平行的中心线O233和通过第6组装电极276的中心的与y方向平行的中心线O276在x方向上的位置相互不同。另外，中心线O232与中心线O275在x方向上的位置相同。另外，中心线O233与中心线O276在x方向上的位置相同。但是，这些中心线的位置关系不限定于图示的关系。
第1引线61被键合在第1元件3的第1电极31和第1引线键合部251上。第2引线62被键合在第2元件4的第2电极41和第2引线键合部252上。第3引线63被键合在第3元件5的第3电极51和第3引线键合部253上。通过第1电极31的中心的与y方向平行的中心线O31、和通过键合部611的中心的与y方向平行的中心线O611彼此的x方向上的位置不同。但是，这些中心线的位置关系不限定于图示的关系。
第2部分75在z方向视角下的区域R1及区域R2中与第1粘片部211及第2接合部212重叠，但是，第2部分75的配置不限定于此。如图34所示，第2部分75具有底面752及一对侧面753。底面752与第1元件3及第2元件4的z方向上表面相比在z方向上接近基材1的主面11，例如处于比第2元件4的z方向上表面低高度H'的位置。
根据本实施方式，能够发挥更高精度的检测功能。另外，从本实施方式可以理解，包含第1元件3、第2元件4及第3元件5的电路构成只要是第1元件3、第2元件4及第3元件5适当地发挥功能的电路构成，则其具体的构成没有任何限定。另外，第2部分75在z方向视角下与第1引线61、第2引线62及第3引线63的任一者均不交叉。由此，在第2部分75为槽状的情况下，能够将第2部分75形成到更深的位置。这对于抑制第2元件4意外地受光是优选的。
＜第4实施方式＞
图38是示出本发明的第4实施方式的受光发光装置的主要部分俯视图。本实施方式的受光发光装置A4不包括第3元件5及遮光层8这一点与上述的实施方式不同。第1元件3及第2元件4的构成、第1元件3及第2元件4与导电部2的各构成要素的关系和上述的受光发光装置A3同样。
另外，在图示的例子中，通过第1贯通部231的中心的与y方向平行的中心线O231、通过第4贯通部261的中心的与y方向平行的中心线O261、以及通过第2贯通部232的中心的与y方向平行的中心线O232和通过第5贯通部262的中心的与y方向平行的中心线O262在x方向上的位置彼此不同。另外，中心线O232与中心线O262在x方向上的位置相同。但是，这些中心线的位置关系不限定于图示的关系。
根据这样的实施方式，从第1元件3发出的光在密封树脂7的表面上被反射，能够抑制第2元件4意外地受光。
＜第4实施方式第1变形例＞
图39示出了受光发光装置A4的第1变形例。在本变形例的受光发光装置A41中，导电部2具有共通引线键合部240。第1引线61及第2引线62被键合在共通引线键合部240上。另外，第2部分75在z方向视角下与第2引线62重叠。
另外，在图示的例子中，通过第1贯通部231的中心的与y方向平行的中心线O231、和通过共通贯通部246的中心的与y方向平行的中心线O246在x方向上的位置彼此不同。但是，这些中心线的位置关系不限定于图示的关系。
＜第4实施方式第2变形例＞
图40示出了受光发光装置A4的第1变形例。在本变形例的受光发光装置A42中，共通引线键合部240在z方向视角下与第2部分75交叉，被设置在第2部分75的x方向两侧。键合部611及键合部621分别被配置在第2部分75的x方向两侧。第2部分75在z方向视角下不与第1引线61及第2引线62交叉。
另外，在图示的例子中，通过第1贯通部231的中心的与y方向平行的中心线O231、通过共通贯通部246的中心的与y方向平行的中心线O246、以及通过第2贯通部232的中心的与y方向平行的中心线O232和通过共通贯通部246的中心的O246在x方向上的位置彼此不同。另外，中心线O232与中心线O246彼此的x方向上的位置相同。但是，这些中心线的位置关系不限定于图示的关系。
本发明的受光发光装置不限定于上述的实施方式。本发明的受光发光装置的各部的具体构成可自由地进行各种设计变更。
以上所述的实施方式及变形例中的各要素的部分构成分别既可以独立地采用，也可以各种组合地采用。作为部分构成，例如可举出遮光层8的有无及具体的构成、第1部分74的有无及第1部分74的具体的构成、第2部分75的有无及具体的构成、基材1及导电部2的具体的构成等。
＜驱动电路＞
接下来，说明用于驱动上述的实施方式、变形例的受光发光装置、或者其它受光发光装置的控制电路。
图41是位置检测系统800的框图。位置检测系统800生成表示位置检测的对象物OBJ的位置z的位置检测信号PDET。
位置检测系统800包括受光发光装置810、以及控制电路820。受光发光装置810包含发光元件812、第1受光元件PD1、以及第2受光元件PD2。发光元件812的出射光被照射到对象物OBJ。对于第1受光元件PD1，仅能从发光元件812直接入射光，对象物OBJ的反射光被遮蔽而不会入射。第1受光元件PD1的输出信号(检测电流)不取决于对象物OBJ的位置z，而是取决于发光元件812的输出强度。
控制电路820控制受光发光装置810，检测对象物OBJ的位置z。控制电路820包括电流驱动器822、传感放大器824、误差放大器826、以及传感放大器828。
电流驱动器822通过向发光元件812供给直流的驱动电流IDRV，从而使发光元件812以与驱动电流IDRV相应的亮度发光。
传感放大器824生成与第1受光元件PD1的输出信号相应的第1检测信号Vs1。第1检测信号Vs1表示发光元件812的发光亮度。
发光元件812的发光亮度的目标值SREF被输入到误差放大器826。误差放大器826对电流驱动器822的输出IDRV进行反馈控制，以使得第1检测信号Vs1接近目标值SREF。
对于第2受光元件PD2，仅能入射对象物OBJ的反射光，第2受光元件PD2的受光量根据对象物OBJ的位置z而变化。即，第2受光元件PD2的输出信号表示对象物OBJ的位置z。传感放大器828生成与第2受光元件PD2的输出信号相应的第2检测信号Vs2。这样，控制电路820能够根据第2检测信号Vs2来输出位置检测信号PDET。
图42的(a)是说明图41的位置检测系统800的动作的图。驱动电流IDRV在误差放大器826及电流驱动器822所进行的反馈控制下，被稳定化在与目标值SREF相应的目标量IREF(例如30mA左右)，发光元件812的发光亮度也被保持为恒定。当在该状态下对象物OBJ的位置z发生变化时，入射到第2受光元件PD2的对象物OBJ的反射光的量会变化，因此，第2检测信号Vs2会变化。图42的(b)是示出位置z与第2检测信号Vs2的关系的图。在位置z的某个范围z1～z2中，第2检测信号Vs2单调变化，因此，第2检测信号Vs2能够与位置z建立1对1的对应。
在图41的位置检测系统800中，位置检测的S/N比根据驱动电流IDRV的量而决定。因此，为了将S/N比取得较高，增大驱动电流IDRV即可，但是，当过度地增大驱动电流IDRV时，功耗会增大。另外，发热量会增加，因此，散热策略的成本会变高。
图42的(c)是说明图41的位置检测系统800的其它动作的图。在该动作中，驱动电流IDRV被时分地接通、断开，在接通的检测期间内检测对象物OBJ的位置z。因为能够将驱动电流IDRV的平均量维持得较小，并且使接通区间中的电流量增大，所以能够提高S/N比。但是，在驱动电流IDRV的断开区间TOFF中，因为不能检测位置，所以时间上的分辨率会降低。
以下，说明将驱动电流IDRV维持得较小并且得到高S/N比的控制电路及控制方法。
图43是包括实施方式的控制电路900的位置检测系统800的电路图。位置检测系统800包括受光发光装置810及控制电路900。受光发光装置810的构成与图41的构成同样。
控制电路900包括基准信号发生器910、驱动电路920、相关检波器930、第1检测电路940、以及第2检测电路950，是被集成化在一个半导体基板(芯片(chip)、裸片(die))上的功能IC。
控制电路900包括输出(OUT)管脚、接地(GND)管脚、反馈(PD1)管脚、以及感测(PD2)管脚。OUT管脚与受光发光装置810的发光元件812的阳极管脚(LED)连接，GND管脚被接地，PD1管脚与受光发光装置810的第1受光元件PD1的阴极管脚PD(F)连接，第2受光元件PD2管脚与受光发光装置810的第2受光元件PD2的阴极管脚PD(S)连接。
基准信号发生器910生成包含预定的基准频率ω0的分量的基准信号SREF。优选基准频率f0(＝ω0/2π)比伺服带的10倍大。第1检测电路940生成与第1受光元件PD1的输出电流IPD1相应的第1检测信号(反馈信号)SFB。另外，第2检测电路950生成与第2受光元件PD2的输出电流IPD2相应的第2检测信号SDET。第1检测电路940及第2检测电路950也可以包含将电流信号转换成电压信号的I/V转换器(跨阻放大器)。
驱动电路920以使得与第1受光元件PD1的输出IPD1相应的反馈信号SFB和基准信号SREF一致的方式生成驱动信号IDRV，并供给到发光元件812。驱动电路920包含电流驱动器922及反馈电路924。反馈电路924调节电流驱动器922，以使得反馈信号SFB与基准信号SREF的误差接近零。由此，发光元件812的发光亮度根据基准信号SREF而变化。反馈电路924在用模拟电路组装的情况下能够由误差放大器(运算放大器)构成。另外，在用数字电路组装的情况下，能够由生成反馈信号SFB与基准信号SREF的误差的减法器、以及处理误差的PI(比例-积分)控制器或PID(比例-积分-微分)控制器构成。
相关检波器930对第2检测电路950所生成的第2检测信号SDET使用基准信号SREF中所含有的基准频率ω0的分量来进行相关检波，并生成位置检测信号PDET。
以上是控制电路900的构成。接下来，说明其动作。
图44是说明图43的位置检测系统800的动作的图。基准信号SREF具有在直流的基线上叠加有预定的频率的正弦波的波形。通过驱动电路920所进行的反馈，使得发光元件812的发光亮度具有与基准信号SREF相应的波形。
为了反馈环的稳定化，希望使发光元件812在发光亮度相对于驱动电流IDRV的线性较高的区域中动作。在该观点下，当驱动电流IDRV低于某个阈值时，发光元件812熄灭。因此，可以以驱动电流IDRV的底线为非零的方式，更优选比发光阈值高的方式生成基准信号SREF。例如，在发光元件812的发光阈值为0.5mA的情况下，考虑余量，可以将驱动电流IDRV的底线设为1mA，也可以使驱动电流IDRV以2mA为中心而在1mA～3mA的范围内变化。请注意这是图42的(a)的IREF＝30mA的1/10左右。
入射到第2受光元件PD2的光强度I2(t)能够用以下的式来表示。
I2(t)＝A(z)×I1(t)
I1(t)是发光元件812的出射强度，用I1＝I0+cos(ω0t)来表示。A(z)是取决于位置z的调制信号，第2受光元件PD2的入射光强度I2(t)可理解为以cos(ω0t)为载波的AM(振幅调制)波。f0＝ω0/2π根据伺服带来规定即可，可以为伺服带的10倍以上，更优选为20倍以上。在伺服带为200Hz时，也可以设为f0＝10kHz。
相关检波器930对第2检测信号SDET使用基准信号SDET中所含有的预定基准频率ω0的分量来进行相关检波，并生成表示振幅调制分量A(z)的位置检测信号PDET。
以上是控制电路900的动作。根据该控制电路900，通过对驱动电流IDRV使用正弦波，从而能够减小驱动电流IDRV的平均值。
除此之外，如图44所示，有的情况下在第2检测信号SDET中会混入噪声N。在很多情况下，噪声N的频率与ω0不同，因此，能够利用相关检波器930适当地除去。根据该控制电路900，通过利用相关检波，从而能够进一步提高S/N比。
从另一观点看来，能够使为了得到相同的S/N比而需要的驱动电流IDRV的量与以往相比减小，能够实现低功耗化。
另外，控制电路900具有闪烁噪声的耐受性较高这样的优点。图45是示出闪烁噪声的频率特性的图。闪烁噪声也被称为1/f噪声，功率与频率f成反比。在图42的(a)、(b)所示的方式中，因为在由图45的虚线包围的区域中动作，所以容易受到闪烁噪声的影响。与此不同，在本实施方式中，因为在由频率f0＝ω0/2π所对应的实线包围的频率区域中动作，所以能够降低闪烁噪声。若考虑到闪烁噪声的降低，则希望使动作频率f0＝ω0/2π接近1/f角频率fc。
图46是示出控制电路900的一实施例的电路图。控制电路900由前端的模拟电路和后端的数字电路的混合型构成。
第1检测电路940及第2检测电路950由跨阻放大器构成，包含运算放大器OP1、电阻器R1、以及电容器C1。
基准信号发生器910包含波形发生器912、增益电路914、补偿电路916、以及D/A转换器918。波形发生器912生成具有预定的频率ω0的正弦波sinω0t及余弦波cosω0t，一者(在该例子中cosω0t)在基准信号SREF的生成中被使用。增益电路914设定余弦波cosω0t的振幅。补偿电路916对余弦波ω0t加上补偿OFS1，D/A转换器918将补偿电路916的输出转换成模拟的基准信号SREF。
驱动电路920包含电流输出型的运算放大器OP2。运算放大器OP2是将图43的电流驱动器922和反馈电路924一体化的电路，其输出电流IDRV被调节，以使得反馈信号SFB与基准信号SREF的误差接近零。
相关检波器930包括低通滤波器932、A/D转换器934、减法器936、增益电路938、乘法器960、乘法器962、滤波器964、以及运算器966。低通滤波器932是抗混叠滤波器，从第2检测信号SDET中除去不需要的频带(采用频率的1/2以上)的分量。A/D转换器934将低通滤波器932的输出转换成数字值的检测信号DDET。补偿电路936从检测信号DDET减去补偿OFS2。增益电路938对补偿电路936的输出乘以增益。乘法器960、962分别对增益电路938的输出乘以余弦波cosω0t、正弦波sinω0t。滤波器964从乘法器960、962的输出提取各自的DC分量α、β。运算器966计算√(α2+β2)，作为位置检测信号PDET而输出。√(α2+β2)表示振幅分量A(z)。
本领域技术人员可以理解控制电路900的构成不限定于图46的构成。
变形例1.例如，控制电路900也可以由全模拟电路组装。
变形例2.关于驱动电路920，也可以用数字的电流DAC来构成电流驱动器922，并用数字的反馈控制器来构成电流驱动器922。
说明控制电路900、受光发光装置810的管脚配置以及位置检测系统800的布局的优选实施例。
图47是示出一实施例的受光发光装置810及控制电路900的管脚配置的图。
说明受光发光装置810的管脚配置。第1受光元件PD1直接接受发光元件812的出射光，而第2受光元件PD2接受对象物OBJ的反射光。因此，第2受光元件PD2所生成的第2检测信号IPD2的信号强度微弱，可以说PD(S)管脚的噪声耐受性较低。因此，优选极力减小对PD(S)管脚的噪声混入，尤其是尽可能减小第1检测电流IPD1与第2检测电流IPD2之间的耦合是有效的。
关于受光发光装置810的管脚配置，在PD(F)与PD(S)之间插入有GND管脚。进而，在PD(F)管脚与PD(S)管脚之间插入有LED管脚，PD(F)管脚和PD(S)管脚相距最远。
控制电路900为8管脚封装，控制电路900和受光发光装置810被以长边彼此平行的方式配置。而且，将应当与受光发光装置810的PD(F)、GND、LED、PD(S)管脚连接的PD1、GND、OUT、PD2在组装时沿着与受光发光装置810对置的1边E1配置。由此，能够使对应的管脚之间的布线距离最短。
在控制电路900的另一边E2上分配有与主机处理器的通信用的管脚、电源管脚VCC等。通信用的管脚例如在I2C(相互作用IC(Inter IC))接口的情况下，包含时钟(SCL)管脚和数据(SDA)管脚)。
控制电路900及受光发光装置810被组装在印刷电路板上。图中，PTN1～PTN4示出印刷电路板上的布线图形。接地图形PTN1是接地用的图形，包含将控制电路900的GND管脚和受光发光装置810的GND管脚连接的第1部分PTN1a。
图形PTN2将受光发光装置810的PD(F)管脚和控制电路900的PD1管脚连接。图形PTN3将受光发光装置810的LED管脚和控制电路900的OUT管脚连接。图形PTN4将受光发光装置810的PD(S)管脚和控制电路900的PD2管脚连接。
接地图形PTN1包含将OUT管脚与PD2管脚之间分离的第2部分PTN1b。进而，接地图形PTN1包含将GND管脚与PD1管脚之间分离的第3部分PTN1c。进而，接地图形PTN1包含将沿着长边E1的管脚组(PD1、GND、OUT、PD2)与沿着长边E2的管脚组之间分离的第4部分PTN1d。由此，能够抑制不希望的串扰，能够改善S/N比。
图48是示出一实施例的受光发光装置810及控制电路900的管脚配置的图。受光发光装置810的管脚配置与图47同样。在控制电路900中，PD1管脚和PD2管脚被设置于不同的长边E1、E2。在该例子中，OUT、PD1、GND管脚被沿着第1长边E1设置，包含PD2管脚的其余的管脚被沿着第2长边E2设置。与图47同样，接地图形PTN1包含将沿着第1边E1的管脚组与沿着第2边E2的管脚组分离的部分PTN1d。由此，能够防止对PD2管脚的噪声混入。
另外，因为传播微弱的电流信号IPD2的图形(pattern)PTN4与传播可能成为噪声源的电流信号IPD1(或者IDRV)的图形PTN2(PTN3)被接地图形PTN1的第1部分PTN1a分离，所以能够改善S/N比。
图49是示出一实施例的受光发光装置810及控制电路900的管脚配置的图。受光发光装置810的管脚配置与图47同样。在该实施例中，PD1管脚和PD2管脚也被设置于不同的长边E1、E2。在该例子中，PD1、GND管脚被沿着第1长边E1设置，PD2管脚及OUT管脚被沿着第2长边E2设置。与图48同样，接地图形PTN1包含将沿着第1边E1的管脚组与沿着第2边E2的管脚组分离的部分PTN1d。由此，能够防止对PD2管脚的噪声混入。
另外，接地图形PTN1包含将PD2管脚与OUT管脚分离的部分PTN1b。由此，能够遮蔽从供驱动信号IDRV流动的OUT管脚向PD2管脚的噪声，能够改善S/N比。
(用途)
说明位置检测系统800的用途。位置检测系统800能够用于定位系统。图50是定位系统700的框图。例如，定位系统700被搭载在带照相机的电子设备中，用于透镜702的定位。透镜702被设置在向拍摄元件703的入射光路上。
定位系统700包括：作为对象物OBJ的透镜702；定位透镜702的致动器704；以及控制致动器704的致动器驱动器710。
定位对象的透镜702可以是AF用的透镜，在此情况下，致动器驱动器710将透镜702在z轴向上定位。由受光发光装置810及控制电路900构成的位置检测系统800检测透镜702的z轴向的位置。
透镜702也可以是抖动校正用的透镜。在此情况下，致动器驱动器710将透镜702在x轴向(或者y轴向)上定位。由受光发光装置810及控制电路900构成的位置检测系统800检测透镜702的x轴向(或者y轴向)的位置。
致动器驱动器710包含驱动电路720、反馈控制器730、以及上述的控制电路900。控制电路900生成表示透镜702的位置的位置检测信号PDET。从外部的处理器向致动器驱动器710提供表示透镜702的目标位置的信号PREF。反馈控制器730生成驱动控制信号，以使得位置检测信号PDET与位置目标信号PREF的误差接近零。驱动电路720将与驱动控制信号相应的驱动电流供给到致动器704。
在以往的AF系统、OIS(手部抖动校正)系统中，对于透镜702的位置检测使用了磁性的手段，但是，因为使用微弱磁信号，所以存在S/N比较低，而且容易受到偏差的影响这样的问题。通过作为其代替而使用本实施方式的位置检测系统800，从而能够高速且精确地检测透镜702的位置，能够提高AF、OIS的控制速度。
此外，位置检测系统800的用途不限定于透镜的定位。
〔附注1〕
一种受光发光装置，包括：
基材，
导电部，其被形成于上述基材，
第1元件，其被搭载于上述基材且发出光，
第2元件，其被搭载于上述基材且接受从上述第1元件发出的光，以及
密封树脂，其覆盖上述第1元件及上述第2元件且使从上述第1元件发出的光透过；
上述第1元件和上述第2元件在与上述基材的厚度方向成直角的第1方向上被相互分离地配置；
上述受光发光装置包括：
第3元件，其在上述第1方向上隔着上述第1元件而被配置在与上述第2元件相反侧，且接受来自上述第1元件的光，以及
遮光层，其被形成在上述密封树脂中的在上述厚度方向视角下与上述第3元件重叠的覆盖部，且由与上述密封树脂相比光的透过率更低的材质构成。
〔附注2〕
附注1所记载的受光发光装置，其中，上述遮光层在上述厚度方向视角下与上述第3元件全部重叠。
〔附注3〕
附注1或2所记载的受光发光装置，其中，上述覆盖部为平坦的面。
〔附注4〕
附注1至3的任一项记载的受光发光装置，其中，上述导电部具有搭载有上述第3元件的第3粘片部；
上述遮光层在上述厚度方向视角下与上述第3粘片部重叠。
〔附注5〕
附注1至4的任一项记载的受光发光装置，其中，上述密封树脂具有使来自上述第1元件的光射出的射出部、以及位于上述覆盖部的上述射出部侧的分界的第1部。
〔附注6〕
附注5记载的受光发光装置，其中，上述遮光层具有与上述第1部一致的端缘。
〔附注7〕
附注6记载的受光发光装置，其中，上述遮光层具有与上述端缘相连的凸形状的曲面。
〔附注8〕
附注5至7的任一项记载的受光发光装置，其中，上述第1部包含第1角部，该第1角部由彼此所成的角超过180°的面的分界构成。
〔附注9〕
附注8记载的受光发光装置，其中，上述第1部包含多个上述第1角部。
〔附注10〕
附注1记载的受光发光装置，其中，上述密封树脂具有：射出部，其使来自上述第1元件的光射出；入射部，其使朝向上述第2元件的光入射；以及第2部，其位于上述射出部与上述入射部之间，且与上述射出部相比来自内部的光的反射率更低。
〔附注11〕
附注10记载的受光发光装置，其中，上述导电部具有搭载有上述第1元件的第1键合部、以及搭载有上述第2元件的第2接合部；
上述第2部在上述厚度方向视角下与上述第1粘片部及上述第2接合部的至少任一者重叠。
〔附注12〕
附注11记载的受光发光装置，其中，上述第2部在上述厚度方向视角下与上述第1粘片部及上述第2接合部这两者重叠。
〔附注13〕
附注10至12的任一项记载的受光发光装置，其中，包括与上述第2元件连接的第2引线；
上述导电部具有键合有上述第2引线的引线键合部；
上述第2部在上述厚度方向视角下与上述第2引线重叠。
〔附注14〕
附注13记载的受光发光装置，其中，上述第2部在上述厚度方向视角下与上述引线键合部重叠。
〔附注15〕
附注10至14的任一项记载的受光发光装置，其中，上述第2部为从上述射出部及上述入射部在上述厚度方向上凹陷的槽状。
〔附注16〕
附注10至15的任一项记载的受光发光装置，其中，上述第2部为比上述射出部及上述入射部粗糙的面。
〔附注17〕
附注10至16的任一项记载的受光发光装置，其中，上述第2部在与上述厚度方向及上述第1方向成直角的第2方向上到达上述密封树脂的两端。
[附图标记说明]
A1、A11、A12、A13、A14、A16、A17、A18、A19、A1a、A2、A3、A4、A41、A42：受光发光装置；1：基材；2：导电部；3：第1元件；4：第2元件；5：第3元件；7：密封树脂；8：遮光层；10：基板材料；11：主面；12：背面；13：侧面；14：端面；31：第1电极；32：第4电极；39：第1导电键合材料；41：第2电极；42：受光部；49：第2导电键合材料；51：第3电极；52：受光部；59：第3导电键合材料；61：第1引线；62：第2引线；63：第3引线；71：射出部；72：入射部；73：覆盖部；74：第1部；75：第2部；80：端缘；81：曲面；211：第1粘片部；212：第2接合部；213：第3粘片部；221：第1延伸部；222：第2延伸部；223：第3延伸部；231：第1贯通部；232：第2贯通部；233：第3贯通部；240：共通引线键合部；241：共通第1部；242：共通第2部；243：共通第3部；244：共通第4部；245：共通延伸部；246：共通贯通部；251：第1引线键合部；252：第2引线键合部；253：第3引线键合部；261：第4贯通部；262：第5贯通部；263：第6贯通部；271：第1组装电极；272：第2组装电极；273：第3组装电极；274：第4组装电极；275：第5组装电极；276：第6组装电极；311：第1基板；312：第1金属层；313：第1半导体层；314：第2半导体层第1电极；314：第2半导体层；315：发光层；316：第3半导体层；316：第3半导体层第1电极；351：第2基板；352：第4半导体层；353：活性层；354：第5半导体层；355：电流狭窄层；356：绝缘层；357：导电层；360：发光区域；611、621、631：键合部；741：第1角部；742：第2角部；743：侧面；744：底面；745：顶面；751：槽部；752：底面；753：侧面；2111：凹部；2310：贯通孔；2311：第1露出面；2312：底面；2313：顶面；2321：第2露出面；2331：第3露出面；2461：共通露出面；3551、3561、3571：开口；H、H'、H3、H4、H5：高度；O231、O232、O233、O246、O261、O262、O275、O276、O31、O611：中心线；R1、R2、R3：区域；x1、y1：尺寸；α：角度；800：位置检测系统；OBJ：对象物；802：致动器；810：受光发光装置；812：发光元件；PD1：第1受光元件；PD2：第2受光元件；820：控制电路；822：电流驱动器；824：传感放大器；826：误差放大器；828：传感放大器；900：控制电路；910：基准信号发生器；912：波形发生器；914：增益电路；916：补偿电路；918：D/A转换器；920：驱动电路；922：电流驱动器；924：反馈电路；930：相关检波器；932：低通滤波器；934：A/D转换器；936：补偿电路；938：增益电路；960：乘法器；962：乘法器；964：滤波器；966：运算器；940：第1检测电路；950：第2检测电路。

Claims (16)

1.一种控制电路，是包含发光元件、第1受光元件及第2受光元件的受光发光装置的控制电路，其特征在于，包括：
基准信号发生器，其生成包含预定的基准频率的分量的基准信号，
驱动电路，其向上述发光元件供给驱动信号，以使得与上述第1受光元件的输出相应的反馈信号和上述基准信号一致，以及
检波电路，其对上述第2受光元件的输出使用上述基准频率的分量来进行相关检波。
2.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，
上述驱动信号的电平被规定在使上述发光元件的亮度为非零的范围。
3.如权利要求1或2所述的控制电路，其特征在于，
上述基准频率比伺服带的10倍大。
4.如权利要求1或2所述的控制电路，其特征在于，进一步包括：
第1检测电路，其包含将上述第1受光元件的输出转换成电压信号的上述反馈信号，以及
第2检测电路，其包含将上述第2受光元件的输出电流转换成电压信号的第2跨阻放大器。
5.如权利要求1或2所述的控制电路，其特征在于，
上述驱动电路包含运算放大器，该运算放大器在非倒相输入端子上接受上述基准信号，在倒相输入端子上接受上述反馈信号，在输出端子与上述倒相输入端子之间连接有电容器。
6.如权利要求1或2所述的控制电路，其特征在于，
上述驱动电路被以能够调节上述基准信号的DC电平的方式构成。
7.如权利要求4所述的控制电路，其特征在于，
上述检波电路包含：
A/D转换器，其将上述电压信号转换成数字值，
补偿电路，其对上述A/D转换器的输出提供补偿，
2个乘法器，其对上述补偿电路的输出乘以具有上述基准频率的正弦波、余弦波，以及
运算器，其处理上述2个乘法器的输出。
8.如权利要求1或2所述的控制电路，其特征在于，
上述控制电路具有：
输出管脚，其应当与上述发光元件连接，
第1管脚，其应当与上述第1受光元件连接，
第2管脚，其应当与上述第2受光元件连接，以及
接地管脚，其应当接地；
上述第1管脚和上述第2管脚在上述控制电路的封装的同一边上被以不相邻的方式设置。
9.如权利要求1或2所述的控制电路，其特征在于，
上述控制电路具有：
输出管脚，其应当与上述发光元件连接，
第1管脚，其应当与上述第1受光元件连接，
第2管脚，其应当与上述第2受光元件连接，以及
接地管脚，其应当接地；
上述第1管脚和上述第2管脚被设置在上述控制电路的封装的对置的不同边上。
10.一种位置检测装置，其包括：
受光发光装置，以及
权利要求1或2所述的控制电路；
上述受光发光装置包括：
基材，
导电部，其被形成于上述基材，
第1元件，其被搭载于上述基材且发出光，
第2元件，其被搭载于上述基材且接受从上述第1元件发出的光，以及
密封树脂，其覆盖上述第1元件及上述第2元件，且使从上述第1元件发出的光透过；
上述第1元件和上述第2元件在与上述基材的厚度方向成直角的第1方向上被彼此分离地配置；
上述受光发光装置包括：
第3元件，其在上述第1方向上被配置在隔着上述第1元件与上述第2元件相反侧，且接受来自上述第1元件的光，以及
遮光层，其被形成在上述密封树脂中的在上述厚度方向视角下与上述第3元件重叠的覆盖部，且由与上述密封树脂相比光的透过率更低的材质构成。
11.如权利要求10所述的位置检测装置，其中，
上述遮光层在上述厚度方向视角下与上述第3元件全部重叠。
12.如权利要求10或11所述的位置检测装置，其中，
上述覆盖部为平坦的面。
13.如权利要求10或11所述的位置检测装置，其中，
上述导电部具有搭载有上述第3元件的第3粘片部；
上述遮光层在上述厚度方向视角下与上述第3粘片部重叠。
14.如权利要求10或11所述的位置检测装置，其中，
上述密封树脂具有：
射出部，其使来自上述第1元件的光射出，以及
第1部，其位于上述覆盖部的上述射出部侧的分界。
15.一种摄像装置，其特征在于，包括：
拍摄元件，
透镜，其被设置在上述拍摄元件的入射光路上，
致动器，其定位上述透镜，
致动器驱动器，其控制上述致动器，以及
受光发光装置；
上述致动器驱动器包含控制上述受光发光装置的权利要求1或2所述的控制电路。
16.一种包含发光元件、第1受光元件及第2受光元件的受光发光装置的控制方法，其特征在于，包括：
生成包含预定的频率分量的基准信号的步骤，
对向上述发光元件供给的驱动信号进行反馈控制，以使得上述第1受光元件的输出接近上述基准信号的步骤，以及
对上述第2受光元件的输出使用上述基准信号来进行相关检波的步骤。
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