CN110098127B - 单桥线框去毛刺工艺 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 42
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 23
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 claims description 3
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 claims description 3
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000011221 initial treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4835—Cleaning, e.g. removing of solder
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种单桥线框去毛刺工艺，包括以下步骤：初步成型步骤：将待成型铜片通入模具中进行挤压，得到预制产品；加热步骤：将预制产品放到烤箱中加热，得到预热产品；冷处理步骤：将预热产品放入冷箱中，得到预成型产品；酸洗处理：将预成型产品放入酸洗液中进行酸洗；去毛刺步骤：将酸洗后的产品进行去毛刺处理。通过冷热交替处理，使将待成型铜片的毛刺部分变脆，再通过酸洗进行预处理，接着再去除毛刺，去除毛刺的效果好，残留量少，且去除效率高。
Description
技术领域
本发明涉及电子领域，尤其涉及一种单桥线框去毛刺工艺。
背景技术
目前，整流桥堆产品是由四只整流硅芯片作桥式连接，外用绝缘朔料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热。
桥堆是一种电子元件，内部由多个二极管组成。桥堆原理图桥堆原理图主要作用是整流，调整电流方向。用桥堆整流是比较好的，首先是很方便，而且它内部的四个管子一般是挑选配对的，所以其性能较接近，还有就是大功率的整流时，桥堆上都可以装散热块简化简化，使工作时性能更稳定，当然使用场合不同也要选择不同的桥堆，不能只看耐压是否够，比如高频特性等。
单列的桥堆在实际生产中也称为单桥，单桥的线框在进行下一工序前，一般需要去毛刺，现有的去毛刺的工艺比较单一且去毛刺效果不好，影响了生产效率。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种单桥线框去毛刺工艺，其能解决生产效率低的问题。
本发明的目的之一采用如下技术方案实现：
一种单桥线框去毛刺工艺，包括以下步骤：
初步成型步骤：将待成型铜片通入模具中进行挤压，得到预制产品；加热步骤：将预制产品放到烤箱中加热，得到预热产品；冷处理步骤：将预热产品放入冷箱中，得到预成型产品；酸洗处理：将预成型产品放入酸洗液中进行酸洗；去毛刺步骤：将酸洗后的产品进行去毛刺处理。
进一步地，在所述加热步骤中，加热温度设定为100℃-150℃。
进一步地，在所述冷处理步骤中，冷箱温度设定为零下10℃-零下20℃。
进一步地，在所述去毛刺步骤中，去毛刺的工艺采用电解去毛刺工艺。
进一步地，在所述去毛刺步骤中，去毛刺的工艺采用超声波去毛刺工艺。
进一步地，在所述超声波去毛刺工艺中，超声波冲击频率为2000次/秒～4000次/秒。
进一步地，在所述去毛刺步骤中，先通过电解去毛刺工艺进行初步处理，再通过超声波去毛刺工艺进行处理。
进一步地，所述单桥线框去毛刺工艺还包括后处理步骤：将产品浸入RT防铜变色剂中10-20min，取出后喷涂铜抗氧化剂。
进一步地，在所述酸洗处理步骤中，所述酸洗液的配方为：双氧水、稳定剂、硫酸、缓蚀剂、水及次氯酸，且配比为，4：1：1：1：5：0.5。
进一步地，所述稳定剂包括十二烷基硫酸钠及OP乳化剂。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：
将待成型铜片通入模具中进行挤压，得到预制产品；将预制产品放到烤箱中加热，得到预热产品；将预热产品放入冷箱中，得到预成型产品；将预成型产品放入酸洗液中进行酸洗；将酸洗后的产品进行去毛刺处理。通过冷热交替处理，使将待成型铜片的毛刺部分变脆，再通过酸洗进行预处理，接着再去除毛刺，去除毛刺的效果好，残留量少，且去除效率高。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1为本发明单桥线框去毛刺工艺的流程图。
具体实施方式
下面，结合附图以及具体实施方式，对本发明做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
需要说明的是，当组件被称为“固定于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1，一种单桥线框去毛刺工艺，包括以下步骤：
初步成型步骤：将待成型铜片通入模具中进行挤压，得到预制产品；
加热步骤：将预制产品放到烤箱中加热，得到预热产品；在所述加热步骤中，加热温度设定为100℃-150℃。
冷处理步骤：将预热产品放入冷箱中，得到预成型产品；在所述冷处理步骤中，冷箱温度设定为零下10℃-零下20℃。根据待成型铜片的产品特性，合理设定冷热交替的问题，保证毛刺的脆化，方便后续对于毛刺的处理。由于待成型铜片的独特特性，其结构较小且材质偏软，采用本申请中的冷热温度，来保证本体质量的同时，毛刺区域脆化，保证了后续电子配件的质量。
酸洗处理：将预成型产品放入酸洗液中进行酸洗；
去毛刺步骤：将酸洗后的产品进行去毛刺处理。
通过冷热交替处理，使将待成型铜片的毛刺部分变脆，再通过酸洗进行预处理，接着再去除毛刺，去除毛刺的效果好，残留量少，且去除效率高。
优选的，在所述去毛刺步骤中，去毛刺的工艺采用电解去毛刺工艺。电化学去毛刺对加工棱边可取得较高的边缘均一性和良好的表面质量，具有去除毛刺效果好、安全可靠、高效等优点，一般情况和传统工艺相比，效率可提高10倍以一上。电解去毛刺是一种先进的去毛刺技术，是电化学加工(电解加工)技术中发展较快、应用较广的一项新工艺。通过电化学原理使得毛刺表面(阳极)得电流极大从而溶解，并通过一定压力的电解液带走。由于在现有技术中，电解去毛刺的工艺比较成熟，故本申请中不做详细描述。
优选的，在所述去毛刺步骤中，去毛刺的工艺采用超声波去毛刺工艺。具体的，在所述超声波去毛刺工艺中，超声波冲击频率为2000次/秒～4000次/秒。效率高，不影响工件尺寸和表面粗糙度，纯水物理打击对环境无污染，但对于一些结合力较大的翻边去除效果差，需要在工件的制程上做一定的改善后再去毛刺。基于超声波去毛刺的详细机理，可参考太原理工大学的研究论文-基于空化效应的超声波去毛刺机理及实验研究。
优选的，在所述去毛刺步骤中，可先通过电解去毛刺工艺进行初步处理，再通过超声波去毛刺工艺进行处理，两种工艺分开进行，进一步提升了去毛刺的效果。
优选的，所述单桥线框去毛刺工艺还包括后处理步骤：将产品浸入RT防铜变色剂中10-20min，取出后喷涂铜抗氧化剂。
优选的，在所述酸洗处理步骤中，所述酸洗液的配方为：双氧水、稳定剂、硫酸、缓蚀剂、水及次氯酸，且配比为，4：1：1：1：5：0.5。具体的，所述稳定剂包括十二烷基硫酸钠及OP乳化剂。所述酸洗液的配置方法为：
1、先向配液容器中加入所需的水；
2、缓缓加入所需量的硫酸，要防止酸液飞溅，搅拌均匀放冷。
3、待温度到50～55℃时，加入所需量的缓蚀剂，搅拌使完全溶解；
4、待温度到常温时，加入所需量的双氧水、稳定剂及缓蚀剂。
上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。
Claims (6)
1.一种单桥线框去毛刺工艺，其特征在于，包括以下步骤：
初步成型步骤：将待成型铜片通入模具中进行挤压，得到预制产品；
加热步骤：将预制产品放到烤箱中加热，得到预热产品；
冷处理步骤：将预热产品放入冷箱中，得到预成型产品；
酸洗处理：将预成型产品放入酸洗液中进行酸洗，酸洗液的配方为：双氧水、稳定剂、硫酸、缓蚀剂、水及次氯酸，且配比为，4：1：1：1：5：0.5，稳定剂包括十二烷基硫酸钠及OP乳化剂；
去毛刺步骤：将酸洗后的产品进行去毛刺处理，先通过电解去毛刺工艺进行初步处理，再通过超声波去毛刺工艺进行处理；
后处理步骤：将产品浸入RT防铜变色剂中10-20min，取出后喷涂铜抗氧化剂。
2.如权利要求1所述的单桥线框去毛刺工艺，其特征在于：在所述加热步骤中，加热温度设定为100℃-150℃。
3.如权利要求1所述的单桥线框去毛刺工艺，其特征在于：在所述冷处理步骤中，冷箱温度设定为零下10℃-零下20℃。
4.如权利要求1所述的单桥线框去毛刺工艺，其特征在于：在所述去毛刺步骤中，去毛刺的工艺采用电解去毛刺工艺。
5.如权利要求1所述的单桥线框去毛刺工艺，其特征在于：在所述去毛刺步骤中，去毛刺的工艺采用超声波去毛刺工艺。
6.如权利要求5所述的单桥线框去毛刺工艺，其特征在于：在所述超声波去毛刺工艺中，超声波冲击频率为2000次/秒～4000次/秒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910271912.5A CN110098127B (zh) | 2019-04-04 | 2019-04-04 | 单桥线框去毛刺工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910271912.5A CN110098127B (zh) | 2019-04-04 | 2019-04-04 | 单桥线框去毛刺工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110098127A CN110098127A (zh) | 2019-08-06 |
| CN110098127B true CN110098127B (zh) | 2020-12-04 |
Family
ID=67444377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910271912.5A Active CN110098127B (zh) | 2019-04-04 | 2019-04-04 | 单桥线框去毛刺工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110098127B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102056415A (zh) * | 2010-02-09 | 2011-05-11 | 深南电路有限公司 | Pcb板的加工方法及设备 |
| CN108326227A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-07-27 | 魏龙飞 | 一种机械齿轮表面覆膜工艺 |
| CN109531434A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-29 | 富乐压铸(太仓)有限公司 | 一种惯性盘冷冻去毛刺的处理方法 |
-
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102056415A (zh) * | 2010-02-09 | 2011-05-11 | 深南电路有限公司 | Pcb板的加工方法及设备 |
| CN108326227A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-07-27 | 魏龙飞 | 一种机械齿轮表面覆膜工艺 |
| CN109531434A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-29 | 富乐压铸(太仓)有限公司 | 一种惯性盘冷冻去毛刺的处理方法 |
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|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
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