CN110094643B - 发光装置 - Google Patents

发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110094643B
CN110094643B CN201910085755.9A CN201910085755A CN110094643B CN 110094643 B CN110094643 B CN 110094643B CN 201910085755 A CN201910085755 A CN 201910085755A CN 110094643 B CN110094643 B CN 110094643B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
region
base
semiconductor laser
laser element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910085755.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110094643A (zh
Inventor
北岛忠征
三浦创一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Publication of CN110094643A publication Critical patent/CN110094643A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110094643B publication Critical patent/CN110094643B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/68—Details of reflectors forming part of the light source
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V11/00—Screens not covered by groups F21V1/00, F21V3/00, F21V7/00 or F21V9/00
    • F21V11/16—Screens not covered by groups F21V1/00, F21V3/00, F21V7/00 or F21V9/00 using sheets without apertures, e.g. fixed
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V13/00—Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
    • F21V13/02—Combinations of only two kinds of elements
    • F21V13/10—Combinations of only two kinds of elements the elements being reflectors and screens
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/10—Construction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0087—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for illuminating phosphorescent or fluorescent materials, e.g. using optical arrangements specifically adapted for guiding or shaping laser beams illuminating these materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/30—Semiconductor lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4056—Edge-emitting structures emitting light in more than one direction

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

本发明提供一种发光装置，能够抑制荧光部的转换效率下降，并且减少发光不均匀。一个方式的发光装置具有：基体(50)、发出第一辐射光的第一半导体激光元件(11)、将第一辐射光向上方反射的第一光反射部(21)、具有第一辐射光所照射的下表面以及成为光输出面的上表面的荧光部(30)、以及包围荧光部30的侧方而设置的遮光部(40)。在发光装置中，第一光反射部(21)包括第一区域(21a)、以及第二区域(21b)，第一区域(21a)及第二区域(21b)形成为，使由第一区域(21a)反射的光之中的由接近第二区域(21b)的一侧反射的光、与由第二区域(21b)反射的光之中的由接近第一区域(21a)的一侧反射的光在到达荧光部(30)的下表面为止相交，并向荧光部(30)的下表面中的照射区域的两端部照射。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置。
背景技术
已知一种发光装置，其包括：多个半导体激光元件、包括多个光反射面的光反射部、在光反射部的上方配置的荧光部、以及在荧光部的侧方设置的遮光部(例如参照专利文献1的图27)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：(日本)特表2012-512508
在上述发光装置中，向荧光部的下表面照射的辐射光的光强度在中心部比其周围更高。在该情况下，由于在荧光部中，辐射光照射中心部的区域的发热量增大，荧光部的转换效率可能下降。另外，在从荧光部输出的光的发光强度上可能存在不均匀。
发明内容
本发明的一个方式的发光装置具有：基体、在所述基体的上表面配置且发出第一辐射光的第一半导体激光元件、在所述基体的上表面配置且将所述第一辐射光向上方反射的第一光反射部、具有所述第一辐射光所照射的下表面以及成为光输出面的上表面的荧光部、以及包围所述荧光部的侧方而设置的遮光部。另外，所述第一光反射部包括：所述第一辐射光的一部分所照射的第一区域、以及设置在比所述第一区域更远离所述第一半导体激光元件的位置且所述第一辐射光的另一部分所照射的第二区域，所述第一区域及所述第二区域形成为，由所述第一区域反射的光之中的由接近所述第二区域的一侧反射的光、与由所述第二区域反射的光之中的由接近所述第一区域一侧反射的光在到达所述荧光部的下表面为止相交，并向所述荧光部的下表面的照射区域的两端部照射。
根据上述发光装置，能够成为一种减少荧光部的转换效率下降、并且减少从荧光部输出的光的发光强度不均匀的发光装置。
附图说明
图1是第一实施方式的发光装置的立体图。
图2是第一实施方式的发光装置的俯视图。
图3是图2的III-III的剖视图。
图4是第一实施方式的发光装置所包括的第一光反射部的立体图。
图5是用来说明第一实施方式的发光装置中基体的凹部内部的图。
图6是用来说明在第一实施方式的发光装置中，从第一半导体激光元件辐射的第一辐射光由第一光反射部进行反射、直至向荧光部的下表面照射的第一辐射光的光路的图。
图7是在使光强度接近均匀并向荧光部照射光的情况下对荧光部的发光强度分布进行测量的数据。
图8是第二实施方式的发光装置的立体图。
图9是第二实施方式的发光装置的俯视图。
图10是用来说明第二实施方式的发光装置中基体的凹部内部的图。
图11是图10的虚线框内的放大图。
图12是对向荧光部的下表面照射的第一辐射光及第二辐射光的光强度分布进行模拟并测量的图。
图13是表示连接图12的XIII-XIII的直线上的光强度分布的图。
图14是对向荧光部的下表面照射的第一辐射光的光强度分布进行模拟并测量的图。
图15是第三实施方式的发光装置的立体图。
图16是第三实施方式的发光装置的俯视图。
图17是用来说明第三实施方式的发光装置的凹部内侧的俯视图。
图18是图16的XVIII-XVIII的剖视图。
附图标记说明
11第一半导体激光元件；12第二半导体激光元件；21第一光反射部；21a第一区域；21b第二区域；22第二光反射部；22a第三区域；22b第四区域；30荧光部；40遮光部；50基体；51主体部；52a，52b配线部；53a，53b第二配线部；61第一子基板；62第二子基板；70引线；80盖体；81支承部；82透光部；83接合材料；90第二遮光部；100热敏电阻；110散热体；200，300，400发光装置。
具体实施方式
下面，参照附图，说明用来实施本发明的方式。但是，如下所示的方式只是用来使本发明的技术思想具体化，而非限制本发明。需要说明的是，各附图所示的部件的大小以及位置关系等为了使说明明确而有所夸张。在本说明书中，将来自发光装置的光的输出侧(图3的上侧)称为上方，将相反一侧(图3的下侧)称为下方。
＜第一实施方式＞
图1表示第一实施方式的发光装置200的立体图，图2表示发光装置200的俯视图，图3表示图2的III-III的剖视图。另外，图4是发光装置200所包括的第一光反射部21的立体图，图5是用来说明基体50的凹部内部的俯视图，图6是表示从第一半导体激光元件11(下面，将“半导体激光元件”也称为“LD元件”)照射的第一辐射光由第一光反射部21进行反射、直至向荧光部30的下表面照射的第一辐射光的光路的示意图。
如图1～图6所示，发光装置200具有：基体50、在基体50的上表面配置且发出第一辐射光的第一LD元件11、在基体50的上表面配置且将第一辐射光向上方反射的第一光反射部21、具有第一辐射光所照射的下表面以及成为光输出面的上表面的荧光部30、以及包围荧光部30的侧方而设置的遮光部40。第一光反射部21包括：第一辐射光的一部分所照射的第一区域21a、以及设置在比第一区域21a更远离第一LD元件11的位置且第一辐射光的另一部分所照射的第二区域21b，第一区域21a及第二区域21b形成为，由第一区域21a反射的光之中的由接近第二区域21b的一侧反射的光、与由第二区域21b反射的光之中的由接近第一区域21a的一侧反射的光在到达荧光部30的下表面为止相交，并向荧光部30的下表面的照射区域的两端部照射。
根据发光装置200，认为可以减少荧光部30的转换效率下降，并且减少从荧光部30输出的光的发光强度不均匀。详细情况如下所述。
在现有的发光装置中，来自第一LD元件的光在荧光部的下表面中，照射区域的中心部的光强度比远离中心部的部分(照射区域的外缘附近)的光强度高。现有的发光装置例如使从LD元件辐射的辐射光由倾斜了45度的光反射面进行反射，从而向荧光部的下表面照射。此时，维持光强度分布不变，直接向荧光部的下表面照射。在该情况下，由于光强度较高的区域的荧光部的发热量比周围的发热量多，使荧光部的转换效率下降。另外，由于向荧光部照射的辐射光的强度差异，可能会在从荧光部输出的光的强度上产生不均匀。
因此，在发光装置200中，在荧光部30的下表面的照射区域(来自一个以上的LD元件的辐射光所照射的区域)上，使照射区域的中心的第一辐射光的强度不比照射区域的端部的光强度过高。具体而言，如图6所示，在第一光反射部21设有第一区域21a与第二区域21b，使第一光反射部21构成为，由第一区域21a反射的光之中的光强度较高的光(由图6所示的第一区域21a的左端附近反射的光)与由第二区域21b反射的光之中的光强度较高的光(由图6所示的第二区域21b的右端附近反射的光)在与荧光部30的下表面接触之前交叉，并向照射区域中与遮光部40接近的一侧照射。由此，在荧光部30的照射区域中，能够抑制其中心的发光强度过高，所以，认为可以成为减少荧光部30的转换效率下降、并且减少荧光部30的发光强度不均匀的发光装置。在此，配置第一LD元件11，以使从第一LD元件11射出的光之中光强度较高的区域(在此，所谓的“光强度较高的区域”，是指在远场图案(FFP)中，在使光强度最低的位置为0％、使光强度最高的位置为100％的情况下具有70％以上的光强度的部分)照射在第一区域21a与第二区域21b的界面。需要说明的是，在此，所谓的FFP，是指在与第一LD元件11的光射出面分离一定程度且与光射出面平行的面上测量辐射光的光强度分布的图，例如，作为峰值强度值的1/e2等任意强度的形状而加以确定。
下面，针对发光装置200的结构主要部件进行说明。
(基体50)
基体50安装有第一LD元件11。在此，利用设有凹部的基体50，在凹部的内侧，在基体50的上表面(成为凹部的底面的第一上表面)配置有第一LD元件11。
基体50的凹部具有：第一上表面、以及位于第一上表面的上方且位于凹部的内侧的第二上表面。也就是说，凹部自第一上表面而台阶状地具有第一阶的第二上表面、以及第二阶的第三上表面。而且，第一上表面、第二上表面、以及第三上表面相对于基体50的下表面实质上平行。在第二上表面配置有由透光性材料形成的盖体80，在盖体80的上表面固定有荧光部30及遮光部40。需要说明的是，作为基体50，也可以使用没有第二上表面的基体。在该情况下，在相当于基体50的第三上表面的面配置盖体80。
如图5所示，设有凹部的基体50具有：由绝缘体形成的主体部51、在基体50的第三上表面及第一上表面上从主体部51露出的配线部52a、52b、在基体50的第三上表面及第一上表面上从主体部51露出且与热敏电阻100电连接的第二配线部53a、53b、以及在第二上表面上从主体部51露出的金属化部。通过使与外部电连接的配线部52a、52b及第二配线部53a、53b从主体部51的下表面以外的其它面露出，能够使基体50的下表面整个面为安装于散热器等散热部件的面，因而容易使由发光装置产生的热向散热部件散发。
主体部51可以使用以陶瓷为主要成分的材料。作为陶瓷，例如可以举例出：氧化铝、氮化铝、氮化硅、或碳化硅，从排热性的角度出发，优选使用以氮化铝为主要成分的主体部51。配线部52a、52b以及第二配线部53a、53b可以使用金、银、铝、钯等金属材料，金属化部可以使用金等金属材料。
需要说明的是，作为基体50，也可以使用具有基部、以及在基部的上表面配置的框部的基体。在该情况下，在基部的上表面且框部的内侧配置有第一LD元件11。另外，在作为基体50而使用具有基部与框部的基体的情况下，考虑到发光装置的散热性，配线部52a、52b优选在框部的外侧设置于基部的上表面。
(第一半导体激光元件11)
第一LD元件11的第一辐射光在与第一LD元件11的光射出面平行的面上，具有椭圆形状的FFP，该椭圆形状的FFP包括活性层在内的多个半导体层的层压方向的长度比与其垂直的方向的长度长。第一LD元件11配置为，其光射出面与基体50的下表面垂直，FFP的椭圆形的长度方向与基体50的下表面垂直。由此，因为能够将第一LD元件11的面积较大的面与基体50的下表面平行地进行配置，所以容易将由第一LD元件11产生的热向基体50及散热器散发。需要说明的是，在此，所谓的“垂直”，包括安装时偏移程度的倾斜。例如，包括±10度左右的倾斜。
作为第一LD元件11，可以使用发光峰值波长为320nm～530nm的范围内、典型地为430nm～480nm的范围内的元件。所述范围的LD元件因为发出相对高能量的辐射光，所以，荧光部30的转换效率容易下降，并且减少发光强度不均匀的效果变得显著。作为所述范围的LD元件，例如优选使用含有氮化物半导体的材料，可以举例出包括GaN、InGaN、以及AlGaN的至少一种的材料。
第一LD元件11经由第一子基板61而安装于基体50。由此，因为使从第一LD元件11的光射出面的发光点至基体50的第一LD元件11的安装面(在图3中为凹部的第一上表面)的距离只增大第一子基板61的厚度的量，所以，能够将第一LD元件11的辐射光有效地向第一光反射部21照射。第一LD元件11可以利用Au-Sn等导电层，固定在第一子基板61。
作为第一子基板61，优选使用具有基体50的热膨胀系数与第一LD元件11的热膨胀系数之间的热膨胀系数的基板。由此，能够抑制第一LD元件11的剥离、以及第一子基板61的剥离。在使用包括氮化物半导体的材料作为第一LD元件11的情况下，作为第一子基板61，例如可以使用氮化铝、或者碳化硅。
第一LD元件11利用引线70(金属细线)，与基体50的配线部52a、52b电连接。
在此，虽然在一个基体上配置有一个LD元件，但也可以配置有多个LD元件。在配置有多个LD元件的情况下，在向荧光部的下表面的照射区域照射的光的整体中，要使中心部的光的强度不比端部的光的强度过高。
(第一光反射部21)
第一光反射部21将来自第一LD元件11的第一辐射光向荧光部30反射。如发光装置200那样，通过使来自第一LD元件11的第一辐射光由第一光反射部21进行反射，与利用透射式透镜使第一辐射光的发光强度均匀的情况相比，能够减小发光装置200的厚度(图3的上下方向上的长度)，并且能够在向荧光部30的照射区域照射的第一辐射光中，抑制中心部的光强度变得过高。
作为第一光反射部21，可以使用主材由石英或BK7等玻璃或铝等金属等耐热材料形成、光反射面由金属、电介质多层膜等反射率高的材料形成的光反射部。
如图6所示，第一光反射部21包括：第一辐射光的一部分所照射的第一区域21a、以及设置在比第一区域21a更远离第一LD元件11的位置且第一辐射光的另一部分所照射的第二区域21b。而且，第一区域21a及第二区域21b形成为，由第一区域21a反射的光之中的由接近第二区域21b的一侧反射的光、与由第二区域21b反射的光之中的由接近第一区域21a的一侧反射的光在到达荧光部30的下表面为止相交，并向荧光部30的下表面的照射区域的两端部照射。
第一区域21a及第二区域21b优选在荧光部30的下表面的照射区域中，使接近遮光部40的一侧的光强度比中心的光强度高。也就是说，优选在荧光部30的下表面的照射区域中，使长度方向的两端部的光强度比中央部的光强度高。图7表示使荧光部的照射区域的第一辐射光的光强度接近于均匀地进行照射、从荧光部的上表面侧测量光强度分布的照片。根据图7可知，即使将光强度接近于均匀的第一辐射光向荧光部照射，从接近遮光部的一侧(荧光部的周缘部)输出的光的强度也比从远离遮光部的一侧(荧光部的中心部)输出的光强度低。这可以认为是由于遮光部附近的光由遮光部反射、在中心部集中而产生的。与此相对，可以考虑通过使接近遮光部40的区域的辐射光的光强度增高，使从荧光部30输出的光的强度接近于均匀。例如，如图6所示，使由第一区域21a反射的光之中的光强度相对较高的部分与由第二区域21b反射的光之中的光强度相对较高的部分在光路中交差，在荧光部30的下表面不重叠，由此，能够使荧光部30的照射区域的长度方向的两端部的光强度比中央部的光强度高。需要说明的是，也可以在荧光部30的下表面的照射区域，设有第一区域21a及第二区域21b以均匀的光强度进行照射。在该情况下，与中心部的光强度较高的现有的发光装置相比，也能够获得一定的效果。
在发光装置200中，第一区域21a及第二区域21b只改变向第一光反射部21照射的椭圆形状的长度方向上的光强度分布而设置。也就是说，设有第一区域21a及第二区域21b，以不改变宽度方向上的光强度分布，使长度方向上的光强度分布在中央部不变得过高。这是因为第一LD元件11的FFP尤其在长度方向上容易扩散，通过控制长度方向上的光强度分布，能够获得更大的效果。需要说明的是，虽然也能够改变宽度方向上的光强度分布，但考虑第一光反射部21的第一区域21a及第二区域21b的制作精度、以及第一光反射部21与第一LD元件11的位置配合精度，则第一区域21a及第二区域21b优选只改变第一辐射光的椭圆形状的长度方向上的光强度分布而设置。
第一区域21a及第二区域21b为平面。也就是说，第一光反射部21的光反射面由两个平面构成。由此，不但容易进行第一光反射部21的设计，安装偏差的容许范围上也会有富余。另外，通过使第一区域21a及第二区域21b为平面，容易形成第一光反射部21。需要说明的是，在此，虽然由两个平面构成光反射面，但也可以由三个以上的平面构成。在使荧光部30的照射区域的两端部的光强度比中央部的光强度高的情况下，由偶数个平面构成光反射面。另外，第一区域21a及第二区域21b也可以分别为曲面。
和载置有第一光反射部21的面(在发光装置200中为基体50的第一上表面)平行的面与第一区域21a形成的角度A小于和载置有第一光反射部21的面平行的面与第二区域21b形成的角度B。例如，基体50的上表面与第一光反射部21的第一区域21a形成的角度为大于15度、小于45度，基体50的上表面与第一光反射部21的第二区域21b形成的角度为大于45度、小于75度。
(盖体80)
使盖体80与基体50组合，并使配置有第一LD元件11的空间气密。由此，能够抑制有机物等向LD元件的光射出面集中。在此，作为盖体80，使用由蓝宝石形成的盖体。而且，在盖体80中的与基体50固定的区域形成有金属化膜，利用Au-Sn等焊锡将作为第二上表面的一部分的金属化膜彼此进行固定。因为蓝宝石相对地容易透过第一辐射光，并且是导热系数也高的材料，所以能够将由荧光部30产生的热向基体50散发。另外，通过利用Au-Sn等焊锡进行固定，与通过缝焊及电阻焊进行固定的情况相比，能够缩短从第一光反射部21至荧光部30的下表面的距离，所以能够提高辉度。需要说明的是，作为盖体80，也可以使用由包括石英、碳化硅、或玻璃等的透光性材料形成的盖体。
(荧光部30)
荧光部30具有由第一光反射部21反射的第一辐射光所照射的下表面、以及成为光输出面的上表面。如图3所示，荧光部30固定在盖体80的上方。
荧光部30含有荧光体，通过照射第一辐射光，发出荧光。作为荧光体，可以举例出YAG荧光体、LAG荧光体、α塞隆荧光体等。其中优选使用耐热性高的YAG荧光体。荧光部30由无机材料形成。由此，与含有有机材料的情况相比，因为耐热并耐光，所以能够使可靠性提高。作为由无机材料形成的荧光部30，可以使用荧光体陶瓷或荧光体单晶体。作为荧光体陶瓷，可以使用荧光体的粒子与作为粘合剂而发挥作用的添加材料的烧制体。在使用YAG荧光体的荧光体陶瓷的情况下，作为添加材料可以使用氧化铝。需要说明的是，只要是具有相对于第一辐射光的耐光性的材料即可，也可以为含有有机材料的荧光体。
如图1及图2所示，荧光部30的上表面为在一个方向上较长的形状，荧光部30的下表面也是在一个方向上较长的形状。另外，荧光部30的下表面的照射区域为在一个方向上较长的形状。而且，使荧光部30的下表面的长度方向与照射区域的长度方向平行地配置有第一LD元件11及第一光反射部21。由此，因为在荧光部30下表面中从照射区域至荧光部30的外缘的距离缩短，所以容易使由荧光部30产生的热向遮光部40散发。因此，容易减少荧光部30的转换效率下降。需要说明的是，在图1及图2中，虽然从荧光部30的量产角度出发，使荧光部30的上表面及下表面为长方形，但也可以为椭圆形。
在此，使与基体50的上表面平行的面中的从第一LD元件11的发光点至第一光反射部21的光反射面的距离为0.48mm。另外，使与基体的上表面垂直的面中的从第一光反射部21的光反射点至荧光部30的下表面的长度为1.3mm。另外，使角度A为33.5度，使角度B为56.5度。此时，在与基体50的上表面、第一区域21a以及第二区域21b垂直的面中，第一区域21a的长度(图6的第一光反射部21的下侧斜面的长度)为0.36mm，第二区域21b的长度(图6的第一光反射部21的上侧斜面的长度)为0.6mm。此外，荧光部的下表面在长度方向上为1mm，在宽度方向上为0.5mm。
(遮光部40)
遮光部40包围荧光部30的侧方而设置。也就是说，从荧光部30的上表面侧观察，完全包围荧光部30而设置遮光部40。通过设置遮光部40，能够减少光从荧光部30的上表面以外的位置射出。遮光部40与荧光部30直接相接而设置。由此，与利用树脂或玻璃等导热系数较低的材料进行接合的情况相比，能够容易地散发由荧光部30产生的热。
在荧光部30含有YAG荧光体的情况下，作为遮光部40，优选使用含有氧化铝作为主要成分的陶瓷。荧光部30与遮光部40通过烧制法直接结合。此时，在遮光部40之中与荧光部30接近的区域存在有空隙。因为来自荧光部30的光由氧化铝等粒子与空隙的界面进行反射，所以，遮光部40难以透过光。使荧光部30与遮光部40成为一体地进行烧制，在遮光部40的荧光部30附近具有空隙，由此，能够提高荧光部30与遮光部40的接合力，并且遮挡来自荧光部30的光。遮光部40优选与荧光部30接近的区域中的空隙比与遮光部40的周缘部接近的区域中的空隙多。也就是说，优选使与荧光部30接近的区域的烧制密度比与遮光部40的周缘部接近的区域的烧制密度低。由此，能够减少来自荧光部30的光反射率的下降，并且减少遮光部40的强度的下降。作为遮光部40，除了氧化铝以外也可以使用氮化铝等。
(第二遮光部90)
如图3所示，在盖体由透光性材料形成的情况下，优选覆盖盖体80的上表面的一部分及盖体80的侧面而设置第二遮光部90。由此，能够抑制第一辐射光及荧光等从盖体80或后面叙述的散热体110的侧方穿过。作为第二遮光部90，可以举例出含有二氧化钛等光散射粒子的树脂。
(热敏电阻100)
如图5所示，发光装置200具有热敏电阻100。通过设置热敏电阻100，能够测量LD元件的温度，所以能够使在LD元件中流动的电流与温度变化对应并改变。作为热敏电阻100的材料，例如可以使用陶瓷。热敏电阻100利用Au-Sn等焊锡材料配置在基体50的上表面。热敏电阻100经由引线而与第二配线部53b电连接。
＜第二实施方式＞
图8表示第二实施方式的发光装置300的立体图，图9表示图8的俯视图，图10表示用来说明发光装置300的凹部内部的俯视图，图11表示图10的虚线框内的放大图。发光装置300除了如下所述的说明以外，其它都与在发光装置200中所说明的实质相同。
发光装置300具有：在基体50的上表面(在本实施方式中为基体50的第一上表面)配置且发出第二辐射光的第二LD元件12、以及在基体50的上表面配置且将第二辐射光向荧光部30的下表面反射的第二光反射部22。由此，能够提高从荧光部30输出的光的强度。第二光反射部22包括：第二辐射光的一部分所照射的第三区域22a、以及设置在比第三区域22a更远离第二LD元件12的位置且第二辐射光的另一部分所照射的第四区域22b。而且，第三区域22a及第四区域22b形成为，由第三区域22a反射的光之中的由接近第四区域22b的一侧反射的光、与由第四区域22b反射的光之中的由接近第三区域22a的一侧反射的光在到达荧光部30的下表面为止相交，并向照射区域的两端部照射。第二光反射部22可以构成为与第一光反射部21的结构相同的结构。
第二LD元件12与第一LD元件11相同地，经由导电层而固定在第二子基板62的上表面。第二LD元件12、第二子基板62各自可以构成为与第一LD元件11、第一子基板61相同的结构。
如图10及图11所示，与第一LD元件11的光射出面及基体50的上表面(在本实施方式中为基体的第一上表面)垂直的面、和与基体50的上表面、第一光反射部21的第一区域21a以及第一光反射部21的第二区域21b垂直的面不平行。另外，与第二LD元件12的光射出面及基体50的上表面垂直的面、和与基体50的上表面、第二光反射部22的第三区域22a以及第二光反射部22的第四区域22b垂直的面不平行。也就是说，在俯视观察下，第一LD元件11与第一光反射部21倾斜地进行配置，同样地，第二LD元件12与第二光反射部22倾斜地进行配置。由此，不会使各光反射部的光反射面成为复杂的结构，而能够使来自各LD元件的光向与基体50的上表面垂直的方向以外的其它方向反射，所以能够将来自两个LD元件的光向一个荧光部30照射。如果利用图10进行说明，则来自第一LD元件11的光从左侧向第一光反射部21照射，向纸面前下方向反射后，向荧光部30的下表面照射，来自第二LD元件12的光从右侧向第二光反射部22照射，向纸面前上方向反射后，向荧光部30的下表面照射。
如图11所示，与第一LD元件11的光射出面及基体50的上表面垂直的面、和与基体50的上表面、第一光反射部21的第一区域21a、以及第一光反射部21的第二区域21b垂直的面形成的角度(下面称为“角度α”)优选在10度～60度的范围内，与第二LD元件12的光射出面及基体50的上表面垂直的面、和与基体50的上表面、第二光反射部22的第三区域22a以及第二光反射部22的第四区域22b垂直的面形成的角度(下面称为“角度β”)优选在10度～60度的范围内。通过使角度α及角度β为10度以上的角度，能够在荧光部30的下表面使第一辐射光与第二辐射光的中心难以重合，因而能够抑制荧光部30的下表面的中心的光强度增高。另外，通过使角度α及角度β为60度以下的角度，能够抑制由各光反射部反射的光过度扩散。使角度α及角度β为30度～40度的范围内则更为有效。
配置有第二光反射部22的面(在本实施方式中为基体50的上表面)与第二光反射部22的第三区域22a形成的角度为大于15度、小于45度，基体50的上表面与第二光反射部22的第四区域22b形成的角度为大于45度、小于75度。由此，能够抑制在荧光部30的下表面中照射区域中心的强度比外缘附近的强度过高。
如图10及图11所示，第一LD元件11和第二LD元件12以第一LD元件11的光射出面和第二LD元件12的光射出面位于斜对面的方式而设置。由此，如图8及图9所示，因为能够将荧光部30配置在发光装置300的中心部，所以能够相对均匀地散发由荧光部30产生的热。
图12表示对发光装置300中向荧光部30的下表面照射的第一辐射光及第二辐射光的光强度分布进行模拟并测量的图，图13表示对连接图12的XIII-XIII的直线上的光强度分布进行表示的图。另外，图14表示对向荧光部30的下表面照射的第一辐射光的光强度分布进行模拟并测量的图。下面，参照图10及图11，说明模拟的条件。
第一LD元件11、第一光反射部21、以及荧光部30为与第一实施方式相同的结构。在与基体50的上表面平行的面上，使从第二LD元件12的发光点至第二光反射部22的光反射面的距离为0.64mm。另外，使基体50的上表面与第二光反射部22的第三区域22a形成的角度为33.5度，使基体50的上表面与第二光反射部22的第四区域22b形成的角度为56.5度，使α及β各自为34度。此时，在与基体50的上表面、第三区域22a、以及第四区域22b垂直的面上，使第三区域22a的长度为0.36mm，使第四区域22b的长度为0.6mm。
如图14所示，来自第一LD元件11的光的强度分布在荧光部30的中心发生弯曲。而且，来自第二LD元件12的光的强度分布以与荧光部30的长度方向(图14的纵向)平行的中央线为轴，与第一LD元件11的光的强度分布轴对称地发生弯曲。也就是说，使来自各半导体激光元件的光在中心难以重合，在照射区域的两端部一部分重合。由此，照射区域的两端部的光强度比中心的光强度稍高，所以认为能够容易地从荧光部30获得发光强度均匀的光。在本实施方式中，第一光反射部21的光反射面以及第二光反射部22的光反射面分别为多个面，并且第一LD元件11及第一光反射部21、第二LD元件12及第二光反射部22各自倾斜地进行配置，由此，第一辐射光及第二辐射光各自发生弯曲，向荧光部30的下表面照射。需要说明的是，在此，虽然使照射区域的两端部的光强度增高，但也可以为了使光强度在照射区域的中心部及两端部接近于均匀，而设置第一LD元件11、第一光反射部21、第二LD元件12、以及第二光反射部22。
＜第三实施方式＞
图15表示第三实施方式的发光装置400的立体图，图16表示发光装置400的俯视图，图17表示用来说明发光装置400的凹部内侧的俯视图，图18表示图16的XVIII-XVIII的剖视图。发光装置400除了如下所述的说明以外，其它实际上都与在发光装置300中所述的说明相同。
发光装置400使用未设有第二上表面的基体作为基体50。另外，利用包括由金属形成的支承部81与透光部82的盖体80，使配置有第一LD元件11等的空间为气密密封的空间。支承部81与透光部82利用接合材料83进行接合。此外，基体50中与盖体80相接的部分由金属部件形成。而且，盖体80的支承部81与基体50通过焊接进行固定，以使由第一光反射部21反射的第一辐射光通过盖体80的透光部82。
支承部81和基体50中与盖体80相接的部分，由主要成分为含有铁的材料构成。在此，所谓的“作为主要成份而含有”，是指含有超过整体重量的50％的某材料。另外，透光部82由含有玻璃的材料构成。而且，在支承部81的上方、且荧光部30及遮光部40的下方设有散热体110。作为散热体110，可以使用蓝宝石、石英、或氮化硅，优选使用蓝宝石。
在本实施方式中，因为第一光反射部21与荧光部30之间的距离只增长了盖体80的厚度的量，所以角度α及角度β比发光装置300中的角度α及角度β小。例如，使角度α及角度β为30度。另外，第一光反射部21及第二光反射部22各自具有由三个平面形成的光反射面。
需要说明的是，虽然发光装置400，以不包括热敏电阻的装置为例进行了举例，但也可以如发光装置200及发光装置300那样，在发光装置400中包含有热敏电阻。
工业实用性
各实施方式中记载的发光装置可以应用在照明、车辆用灯具等中。

Claims (13)

1.一种发光装置，其特征在于，具有：
基体；
第一半导体激光元件，其配置在所述基体的上表面，发出第一辐射光；
第一光反射部，其配置在所述基体的上表面，将所述第一辐射光向上方反射；
荧光部，其具有所述第一辐射光所照射的下表面、以及成为光输出面的上表面；
遮光部，其包围所述荧光部的侧方而设置；
所述第一光反射部包括：所述第一辐射光的一部分所照射的第一区域、以及设置在比所述第一区域更远离所述第一半导体激光元件的位置且所述第一辐射光的另一部分所照射的第二区域，
所述第一区域及所述第二区域形成为，使由所述第一区域反射的光之中的由接近所述第二区域的一侧反射的光、即由所述第一区域反射的光之中光强度较高的光，与由所述第二区域反射的光之中的由接近所述第一区域的一侧反射的光、即由所述第二区域反射的光之中光强度较高的光，在到达所述荧光部的下表面为止相交，并向所述荧光部的下表面的照射区域的两端部照射。
2.权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述第一区域及所述第二区域为平面，
在与所述基体的上表面、所述第一光反射部的所述第一区域、以及所述第一光反射部的所述第二区域垂直的面上，所述基体的上表面与所述第一区域形成的角度小于所述基体的上表面与所述第二区域形成的角度。
3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，具有：
第二半导体激光元件，其配置在所述基体的上表面，发出第二辐射光；
第二光反射部，其配置在所述基体的上表面，将所述第二辐射光向上方反射；
所述第二光反射部包括：所述第二辐射光的一部分所照射的第三区域、以及设置在比所述第三区域更远离所述第二半导体激光元件的位置且所述第二辐射光的另一部分所照射的第四区域，
所述第三区域及所述第四区域形成为，使由所述第三区域反射的光之中的由接近所述第四区域的一侧反射的光、与由所述第四区域反射的光之中的由接近所述第三区域的一侧反射的光在到达所述荧光部的下表面为止相交，并向所述荧光部的下表面的照射区域的两端部照射。
4.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，具有：
第二半导体激光元件，其配置在所述基体的上表面，发出第二辐射光；
第二光反射部，其配置在所述基体的上表面，将所述第二辐射光向上方反射；
所述第二光反射部包括：所述第二辐射光的一部分所照射的第三区域、以及设置在比所述第三区域更远离所述第二半导体激光元件的位置且所述第二辐射光的另一部分所照射的第四区域，
所述第三区域及所述第四区域形成为，使由所述第三区域反射的光之中的由接近所述第四区域的一侧反射的光、与由所述第四区域反射的光之中的由接近所述第三区域的一侧反射的光在到达所述荧光部的下表面为止相交，并向所述荧光部的下表面的照射区域的两端部照射。
5.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，
所述第一半导体激光元件和所述第二半导体激光元件以所述第一半导体激光元件的光射出面和所述第二半导体激光元件的光射出面位于斜对面的方式配置。
6.如权利要求4所述的发光装置，其特征在于，
所述第一半导体激光元件和所述第二半导体激光元件以所述第一半导体激光元件的光射出面和所述第二半导体激光元件的光射出面位于斜对面的方式配置。
7.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，
与所述第一半导体激光元件的光射出面及所述基体的上表面垂直的面、和与所述基体的上表面、所述第一光反射部的所述第一区域以及所述第一光反射部的所述第二区域垂直的面不平行，
与所述第二半导体激光元件的光射出面及所述基体的上表面垂直的面、和与所述基体的上表面、所述第二光反射部的所述第三区域以及所述第二光反射部的所述第四区域垂直的面不平行。
8.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，
与所述第一半导体激光元件的光射出面及所述基体的上表面垂直的面、和与所述基体的上表面、所述第一光反射部的所述第一区域以及所述第一光反射部的所述第二区域垂直的面不平行，
与所述第二半导体激光元件的光射出面及所述基体的上表面垂直的面、和与所述基体的上表面、所述第二光反射部的所述第三区域以及所述第二光反射部的所述第四区域垂直的面不平行。
9.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，
与所述第一半导体激光元件的光射出面及所述基体的上表面垂直的面、和与所述基体的上表面、所述第一光反射部的所述第一区域以及所述第一光反射部的所述第二区域垂直的面形成的角度在10度～60度的范围内，
与所述第二半导体激光元件的光射出面及所述基体的上表面垂直的面、和与所述基体的上表面、所述第二光反射部的所述第三区域以及所述第二光反射部的所述第四区域垂直的面形成的角度在10度～60度的范围内。
10.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，
与所述第一半导体激光元件的光射出面及所述基体的上表面垂直的面、和与所述基体的上表面、所述第一光反射部的所述第一区域以及所述第一光反射部的所述第二区域垂直的面形成的角度在10度～60度的范围内，
与所述第二半导体激光元件的光射出面及所述基体的上表面垂直的面、和与所述基体的上表面、所述第二光反射部的所述第三区域以及所述第二光反射部的所述第四区域垂直的面形成的角度在10度～60度的范围内。
11.如权利要求3～10中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述基体的上表面与所述第一光反射部的第一区域形成的角度大于15度、小于45度，
所述基体的上表面与所述第一光反射部的第二区域形成的角度大于45度、小于75度，
所述基体的上表面与所述第二光反射部的第三区域形成的角度大于15度、小于45度，
所述基体的上表面与所述第二光反射部的第四区域形成的角度大于45度、小于75度。
12.如权利要求1～10中任一项所述的发光装置，其特征在于，
在所述基体设有凹部，所述凹部在内侧设有所述第一半导体激光元件及所述第一光反射部，
所述凹部具有：配置有所述第一半导体激光元件及所述第一光反射部且成为所述凹部的底面的第一上表面、以及位于所述第一上表面的上方且位于所述凹部的内侧的第二上表面，
在所述第二上表面设有盖体，
所述荧光部及所述遮光部固定在所述盖体的上表面。
13.如权利要求11所述的发光装置，其特征在于，
在所述基体设有凹部，所述凹部在内侧设有所述第一半导体激光元件及所述第一光反射部，
所述凹部具有：配置有所述第一半导体激光元件及所述第一光反射部且成为所述凹部的底面的第一上表面、以及位于所述第一上表面的上方且位于所述凹部的内侧的第二上表面，
在所述第二上表面设有盖体，
所述荧光部及所述遮光部固定在所述盖体的上表面。
CN201910085755.9A 2018-01-30 2019-01-29 发光装置 Active CN110094643B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018013695A JP6705462B2 (ja) 2018-01-30 2018-01-30 発光装置
JP2018-013695 2018-01-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110094643A CN110094643A (zh) 2019-08-06
CN110094643B true CN110094643B (zh) 2021-10-22

Family

ID=65243350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910085755.9A Active CN110094643B (zh) 2018-01-30 2019-01-29 发光装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10920937B2 (zh)
EP (1) EP3518355B1 (zh)
JP (1) JP6705462B2 (zh)
CN (1) CN110094643B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6711333B2 (ja) * 2017-08-16 2020-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11309680B2 (en) * 2017-09-28 2022-04-19 Nichia Corporation Light source device including lead terminals that cross space defined by base and cap
JP7032658B2 (ja) * 2018-10-10 2022-03-09 日亜化学工業株式会社 光学部品、その製造方法、及び、発光装置
JP7206494B2 (ja) * 2019-02-15 2023-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法、発光装置
JP7356311B2 (ja) * 2019-09-27 2023-10-04 豊田合成株式会社 発光装置、波長変換ユニット、及びヘッドライト又は表示装置
JPWO2022138733A1 (zh) * 2020-12-24 2022-06-30
CN113671781B (zh) * 2021-08-31 2023-03-14 青岛海信激光显示股份有限公司 发光单元、光源系统和激光投影设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106568002A (zh) * 2009-05-28 2017-04-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有封闭光源的罩的照明设备
CN106958753A (zh) * 2017-03-21 2017-07-18 超视界激光科技（苏州）有限公司 一种波长转换装置及光源

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53126286A (en) * 1977-04-11 1978-11-04 Hitachi Ltd Semiconductor laser package
JP2000269551A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
KR100752586B1 (ko) * 2004-06-28 2007-08-29 쿄세라 코포레이션 발광장치 및 조명장치
JP2006134948A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Omron Corp 発光光源
JP2007043060A (ja) * 2005-02-14 2007-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ装置およびレーザモジュール
US20060203860A1 (en) 2005-02-14 2006-09-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laser device and laser module
EP3540794B1 (en) * 2006-03-10 2022-03-30 Nichia Corporation Light-emitting device
US7839072B2 (en) * 2006-05-24 2010-11-23 Citizen Electronics Co., Ltd. Translucent laminate sheet and light-emitting device using the translucent laminate sheet
DE102008063634B4 (de) 2008-12-18 2021-03-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmittel und Projektor mit mindestens einem solchen Leuchtmittel
JP5359817B2 (ja) 2009-11-26 2013-12-04 セイコーエプソン株式会社 発光装置、およびプロジェクター
KR101081069B1 (ko) * 2009-12-21 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛
DE102012205513B4 (de) * 2012-04-04 2021-12-09 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Strahlungsanordnung und Strahlungsanordnung
DE102013104728A1 (de) * 2013-05-07 2014-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenvorrichtung
JP6177596B2 (ja) * 2013-06-18 2017-08-09 シャープ株式会社 発光装置
JP2015173213A (ja) 2014-03-12 2015-10-01 三菱電機株式会社 赤色レーザ光源モジュール
DE102014213406A1 (de) * 2014-07-10 2016-01-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaserbauteil und Kamera
JP6342279B2 (ja) * 2014-09-24 2018-06-13 シャープ株式会社 発光装置
JP6511757B2 (ja) * 2014-09-30 2019-05-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102014220276A1 (de) * 2014-10-07 2016-04-07 Osram Gmbh Beleuchtungseinrichtung
JP6146506B2 (ja) * 2015-03-26 2017-06-14 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置及びこの半導体レーザ装置を用いたバックライト装置
US10274161B2 (en) * 2015-06-30 2019-04-30 Signify Holding B.V. LED spot with customizable beam shape, beam color and color uniformity
JP6225976B2 (ja) * 2015-10-30 2017-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN106887507B (zh) * 2015-10-30 2020-09-22 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
JP2017117880A (ja) 2015-12-22 2017-06-29 京セラ株式会社 光素子搭載用パッケージ、光素子搭載用母基板および電子装置
JP6800221B2 (ja) * 2016-05-13 2020-12-16 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 光源装置及び照明装置
JP6447580B2 (ja) * 2016-06-15 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2018021414A1 (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 シャープ株式会社 アイセーフ光源および電子機器
JP6711333B2 (ja) 2017-08-16 2020-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106568002A (zh) * 2009-05-28 2017-04-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有封闭光源的罩的照明设备
CN106958753A (zh) * 2017-03-21 2017-07-18 超视界激光科技（苏州）有限公司 一种波长转换装置及光源

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019134017A (ja) 2019-08-08
CN110094643A (zh) 2019-08-06
US20210131619A1 (en) 2021-05-06
US20190234565A1 (en) 2019-08-01
US10920937B2 (en) 2021-02-16
JP6705462B2 (ja) 2020-06-03
EP3518355B1 (en) 2022-06-08
EP3518355A1 (en) 2019-07-31
US11527864B2 (en) 2022-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110094643B (zh) 发光装置
CN109404746B (zh) 发光装置
US9595806B2 (en) Laser light-emitting apparatus
RU2586385C2 (ru) Светоизлучающий модуль, лампа, осветительное устройство и устройство отображения
JP6121915B2 (ja) 発光モジュール、ランプ、照明器具、及び表示装置
WO2007072919A1 (ja) Ｌｅｄを用いた照明器具
JP2006313896A (ja) 発光素子パッケージ
JP6493308B2 (ja) 発光装置
JP4938255B2 (ja) 発光素子収納用パッケージ、光源および発光装置
JP2023014090A (ja) 光源装置
JP2009088235A (ja) 発光装置および照明器具
JP2006324392A (ja) 発光素子搭載用基板，発光素子収納用パッケージ，発光装置および照明装置
JP4557613B2 (ja) 発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置
JP6879290B2 (ja) 発光装置
JP6982268B2 (ja) 発光装置
JP7277844B2 (ja) 発光装置
US20130077302A1 (en) Light-emitting circuit and luminaire
JP7041372B2 (ja) 発光装置
JP2023083387A (ja) 発光装置
JP2017126714A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant