JP2009088235A - 発光装置および照明器具 - Google Patents

発光装置および照明器具 Download PDF

Info

Publication number
JP2009088235A
JP2009088235A JP2007255870A JP2007255870A JP2009088235A JP 2009088235 A JP2009088235 A JP 2009088235A JP 2007255870 A JP2007255870 A JP 2007255870A JP 2007255870 A JP2007255870 A JP 2007255870A JP 2009088235 A JP2009088235 A JP 2009088235A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
led chip
emitting device
light emitting
mounting substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007255870A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5491691B2 (ja
Inventor
Ryoji Yokoya
良二 横谷
Takashi Fujino
崇史 藤野
Koji Nishioka
浩二 西岡
Takanori Akeda
孝典 明田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Electric Works Co Ltd filed Critical Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority to JP2007255870A priority Critical patent/JP5491691B2/ja
Publication of JP2009088235A publication Critical patent/JP2009088235A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5491691B2 publication Critical patent/JP5491691B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】外部への光取り出し効率を向上させることができる発光装置および照明器具を提供する。
【解決手段】照明器具の光源として用いる発光装置Aは、LEDチップ1と、LEDチップ1が一表面側に実装された実装基板2と、LEDチップ1から放射された光によって励起されてLEDチップ1の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成され実装基板2の上記一表面側に配設されたドーム状の色変換部材4とを備える。発光装置Aは、平面視において色変換部材4の外周線よりも実装基板2の外周線が内側に位置し色変換部材4の開口端が実装基板2の外周部と接合されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、LEDチップ(発光ダイオードチップ)を利用した発光装置および照明器具に関するものである。
従来から、図10に示すように、LEDチップ1’と、LEDチップ1’が一表面側に実装された実装基板2’と、LEDチップ1’から放射された光によって励起されてLEDチップ1’の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成されたドーム状の色変換部材4’とを備えた発光装置A’が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
ここにおいて、図10に示した発光装置A’の実装基板2’は、絶縁性基板の一表面側にLEDチップ1’への給電用の配線パターン(図示せず)が形成されており、上記一表面側の中央部においてLEDチップ1’がフリップチップ実装されている。また、図10に示した構成の発光装置A’では、色変換部材4’が実装基板2’の上記一表面側にLEDチップ1’を覆うように配置されている。なお、上述の発光装置A’では、LEDチップ1’として青色光を放射する青色LEDチップを採用し、色変換部材4’の蛍光体として黄色蛍光体を採用することにより、LEDチップ1’から放射された青色光と黄色蛍光体から放射された黄色光とが色変換部材4’の光出射面から放射されることとなり、白色光を得ることができる。
また、図10に示した発光装置A’を光源として組み込んだ照明器具の一例として、図11や図12に示す構成のものが考えられている(公知文献にかかるものではない)。
ここにおいて、図11および図12それぞれに示した照明器具は、上述の発光装置A’と、発光装置A’が収納される有底円筒状の器具本体9’と、器具本体9’内に収納され発光装置A’の色変換部材4’の光出射面から放射される光の配光を制御する配光制御部材である椀状の反射鏡5’と、透光性材料(例えば、アクリル樹脂、ガラスなど)により形成され反射鏡5’の開口面を閉塞する形で配設される円板状の透光性カバー8’と、器具本体9’の開口縁に形成された溝部9b’の底面との間に透光性カバー8の周部と反射鏡5の開口縁から外方へ延設された外鍔部5c’とを重ねた形で保持する円環状の保持枠10’とを備えている。なお、配光制御部材である反射鏡5’は、照明器具の小型化(コンパクト化)および高効率化のために設けられている。
ここで、図11の照明器具では、外部への光取り出し効率を向上させるために、反射鏡5’の底部の開口部5a’のサイズが色変換部材4’よりも大きく且つ実装基板2’よりも小さく設定され、反射鏡5’の開口部5a’の内側面が色変換部材4’の周部に近接している。要するに、図11の照明器具では、色変換部材4’の開口端(実装基板2’側の端縁)を含む平面P1よりも反射鏡5a’の底部の開口面を含む平面P2の方が器具本体9’の内底面から遠くなるように反射鏡5a’の形状が設計されている。
一方、図12の照明器具では、外部への光取り出し効率を向上させるために、反射鏡5’の底部の開口部5a’の内側面が実装基板2’の外側面に対向するように反射鏡5’が設計されている。要するに、図12の照明器具では、色変換部材4’の開口端を含む平面P1よりも反射鏡5a’の底部の開口面を含む平面P2の方が器具本体9’の内底面に近くなるように反射鏡5a’の形状が設計されている。
また、図10に示した構成の発光装置A’を光源として組み込んだ照明器具としては、図13に示す構成のものも考えられている(公知文献にかかるものではない)。
ここにおいて、図13(a)に示した照明器具の基本構成は図11と略同じであり、配光制御部材として反射鏡5’の代わりに、発光装置A’から放射される光の配光を制御するハイブリッドレンズ6’を備えており、ハイブリッドレンズ6’の外側面から外方へ延設された外鍔部6d’が、器具本体9’の開口縁に形成された溝部9b’の底面と保持枠10’との間に保持されている。
上述のハイブリッドレンズ6’は、図13(b)に示すように、発光装置A’側に形成された凹所61’の内底面61a’と内側面61b’とが光入射面6a’を構成しており、光入射面6a’側の焦点Fから凹所61’の内底面61a’へ入射した光を屈折させて更に光出射面6b’で屈折させる機能と、光入射面6a’側の焦点Fから凹所61’の内側面61b’へ入射した光を屈折させた後に外側面6c’で全反射させ更に光出射面6b’で屈折させる機能とを有しており、図13(b)中に矢印で示すように焦点Fから放射され光入射面6a’へ入射した光が光出射面6b’から出射される。なお、ハイブリッドレンズ6’は、外側面6c’が回転放物面状に形成され、光出射面6a’が凸曲面状に形成されているが、外側面6c’はLEDチップ1’の光軸方向においてLEDチップ1’から離れるにつれて外形が徐々に大きくなる曲面状であって凹所61’の内側面61b’から入射した光を光出射面6a’側へ全反射できる形状であればよく、光出射面6a’は平面状でもよいし、フレネルレンズ状でもよい。
特開2007−490019号公報(段落〔0012〕−〔0017〕および図1)
ところで、図10に示した発光装置A’は、同図中に矢印で示すようにドーム状の色変換部材4’の光出射面の任意の点から放射される光の配光が拡散配光となるが、平面視における色変換部材4’のサイズよりも実装基板2’のサイズが大きいので、色変換部材4’の光出射面から放射され実装基板2’の上記一表面に入射した光の一部が実装基板2’に吸収され、外部への光取り出し効率が低下してしまう。また、上述の発光装置A’は、実装基板2’が絶縁性基板を用いて形成されているので、当該絶縁性基板の熱伝導率が低く、LEDチップ1’で発生した熱を効率良く放熱させることができず、LEDチップ1’の温度上昇による光束低下、寿命および信頼性低下を抑制するために、LEDチップ1’のジャンクション温度が最大ジャンクション温度を超えないようにLEDチップ1’への入力電力を制限する必要があり、光出力の高出力化が難しかった。
また、上述のように小型化および高効率化が望まれる照明器具に用いる配光制御部材には、コンパクト且つ高い光入射効率が要求され、図11に示した照明器具では、外部への光取り出し効率を向上させるために、発光装置A’の光軸に直交する面内において色変換部材4’と反射鏡5’の開口部5a’の内側面とを接触しないように近接させてあるが、反射鏡5’の底部が実装基板2’の上記一表面側において実装基板2’から離間して位置しているので、色変換部材4’と反射鏡5’の開口部5a’の内側面との間の隙間から同図中に矢印で示すように光が漏れて損失となるので、照明器具全体としての外部への光取り出し効率が低下してしまう。
また、図11に示した照明器具では、当該照明器具を正面から見た場合、色変換部材4’と反射鏡5’の開口部5a’の内側面との間の隙間が非発光部となるため、正面から見た光度が低下してしまう。なお、このような正面から見た光度の低下を抑制するためには、反射鏡5’の光出射側の開口部5b’のサイズを大きくする必要があり、照明器具全体のサイズが大きくなってしまう。
また、図12に示した照明器具では、色変換部材4’の開口端を含む平面P1よりも反射鏡5a’の底部の開口面を含む平面P2の方が器具本体9’の内底面に近くなるように反射鏡5a’の形状が設計されているので、図11の照明器具に比べて、色変換部材4’の周部から放射された光の反射鏡5’への入射効率を高めることができるが、色変換部材4’の光出射面から放射され実装基板2’の上記一表面に入射した光の一部が実装基板2’に吸収され、照明器具全体としての外部への光取り出し効率が低下してしまう。また、図12に示した照明器具では、反射鏡5’の開口部5a’のサイズを実装基板2’のサイズよりも大きくする必要があるので、色変換部材4’と反射鏡5’の内側面との間の隙間が非発光部となるため、正面から見た光度が低下してしまう。
また、図13(a)に示した照明器具では、ハイブリッドレンズ6’の凹所61’の内面を発光装置A’の色変換部材4’に近接させることにより、ハイブリッドレンズ6’の凹所61’の開口面のサイズを小さくしてハイブリッドレンズ6’のコンパクト化を図るとともに、発光装置A’から放射された光のハイブリッドレンズ6’への入射効率を高めてあるが、ハイブリッドレンズ6’が実装基板2’の上記一表面に接触しないように、ハイブリッドレンズ6’の凹所61’の開口面を含む平面P3を発光装置A’の実装基板2’の上記一表面を含む平面P1から離間して配置する必要があり、発光装置A’の光軸方向において実装基板2’とハイブリッドレンズ6’との間に隙間が生じるので、図13(a)中に矢印で示すように光が漏れ、光漏れによる損失が生じてしまう。また、このような光漏れによる損失の発生を抑制するために、ハイブリッドレンズ6’の凹所61’の開口面のサイズを実装基板2’のサイズよりも大きくし、ハイブリッドレンズ6’の凹所61’内に発光装置A’全体が収まるようにハイブリッドレンズ6’を配置することも考えられるが、この場合には、ハイブリッドレンズ6’のサイズが大きくなってしまう。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、外部への光取り出し効率を向上させることができる発光装置および照明器具を提供することにある。
請求項1の発明は、LEDチップと、LEDチップが一表面側に実装された実装基板と、LEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成され実装基板の前記一表面側に配設された色変換部材とを備え、平面視において色変換部材の外周線よりも実装基板の外周線が内側に位置し色変換部材の開口端が実装基板の外周部と接合されてなることを特徴とする。
この発明によれば、平面視において色変換部材の外周線よりも実装基板の外周線が内側に位置し色変換部材の開口端が実装基板の外周部と接合されているので、色変換部材の周部から放射された光が実装基板に吸収されることなく外部へ出射されることとなり、発光装置全体としての外部への光取り出し効率を向上させることができる。
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記LEDチップと前記色変換部材との間に、前記LEDチップを封止した透光性材料からなる封止部が設けられてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記LEDチップの光取り出し面が接する媒質が空気の場合に比べて前記LEDチップと前記光取り出し面が接する媒質との屈折率差が小さくなり、前記LEDチップからの光取り出し効率が向上し、結果的に発光装置全体としての光取り出し効率が向上する。
請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明において、前記実装基板の他表面側に、前記実装基板よりも熱伝導率の高い材料により形成され前記LEDチップで発生した熱が伝熱される伝熱プレートが埋設されてなり、平面視における伝熱プレートの外周線が前記LEDチップの外周線の外側に位置していることを特徴とする。
この発明によれば、前記LEDチップで発生した熱が前記LEDチップよりも広い伝熱プレートへ伝熱されて放熱されるので、前記LEDチップの温度上昇が抑制され、光束の向上を図れるとともに、寿命および信頼性の向上を図れる。
請求項4の発明は、請求項3の発明において、前記伝熱プレートは、前記実装基板の前記一表面側に露出するマウント部が突設されてなり、前記LEDチップは、マウント部に搭載されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記LEDチップで発生した熱が前記伝熱プレートへ直接伝熱されるので、放熱性が向上し、光束の向上を図れるとともに、寿命および信頼性の向上を図れる。
請求項5の発明は、請求項4の発明において、前記マウント部は、前記実装基板の前記一表面を含む平面から突出していることを特徴とする。
この発明によれば、前記LEDチップから放射される光のうち前記実装基板の前記一表面へ入射して吸収される成分を低減できて、前記色変換部材に直接入射する成分が増えるから、発光装置全体としての外部への光取り出し効率を向上できる。
請求項6の発明は、請求項3ないし請求項5の発明において、前記伝熱プレートは、前記実装基板の他表面側と同じ面側に中央から外側に向かって幅の広くなる溝が形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、発光装置を配線基板に実装して用いるにあたって、前記伝熱プレートを配線基板に半田により接合する際に、半田の溶融から硬化の過程で生じるフラックスなどのガスおよび気泡が溝に沿って外部に抜けやすくなり、硬化後の半田からなる接合部の内部にボイドが生じるのを抑制することができ、結果的に、前記LEDチップと前記配線基板との間の熱抵抗のばらつきを小さくすることができるとともに、温度サイクルがかかった時に実装基板と配線基板との線膨張率差によって生じる応力変化に対する接合部の耐性が高くなって信頼性が向上する。
請求項7の発明は、請求項4ないし請求項6の発明において、前記マウント部は、前記LEDチップの搭載領域の周囲に短絡防止溝が形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記LEDチップを前記搭載領域に半田により接合する際に前記LEDチップ直下から溢れ出た余分な半田が短絡防止溝に溜まるので、余分な半田が前記実装基板の前記一表面側の配線パターン上まで流れ出ることによる短絡を防止することができる。
請求項8の発明は、請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の発光装置と、発光装置から放射される光の配光を制御する反射鏡であって底部に発光装置が挿入される開口部を有する反射鏡と、発光装置および反射鏡が収納される器具本体とを備えてなることを特徴とする。
この発明によれば、発光装置の色変換部材の周部と反射鏡における底部の開口部の内側面との間の隙間を小さくすることができ、照明器具を正面から見た時の非発光部の面積が小さくなって正面光度が向上するとともに、照明器具の小型化を図りつつ照明器具全体としての外部への光取り出し効率を向上させることができる。
請求項9の発明は、請求項8の発明において、前記反射鏡は、前記開口部の周部の厚みが前記発光装置における前記実装基板の厚みよりも薄く、前記開口部の開口縁が前記色変換部材の開口端を含む平面よりも後退して位置するように配置されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記色変換部材の周部から放射された光の前記反射鏡への入射効率を高めることができ、照明器具全体としての外部への光取り出し効率を向上させることができる。
請求項1の発明では、発光装置全体としての外部への光取り出し効率を向上させることができるという効果がある。
請求項8の発明では、照明器具全体としての外部への光取り出し効率を向上させることができるという効果がある。
(実施形態1)
本実施形態の発光装置Aは、図1に示すように、LEDチップ1と、LEDチップ1が一表面側に実装された実装基板2と、LEDチップ1から放射された光によって励起されてLEDチップ1の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成されLEDチップ1を実装基板2との間に囲む形で実装基板2の上記一表面側に配設されたドーム状の色変換部材4と、LEDチップ1と色変換部材4との間に設けられLEDチップ1を封止した透光性材料からなる封止部3とを備えている。ここにおいて、本実施形態の発光装置Aは、LEDチップ1を実装基板2との間に囲む形で実装基板2の上記一表面側に配設されたドーム状の光学部材15を備えており、色変換部材4が、光学部材15の光出射面との間に空気層16が形成される形で実装基板2に接合されており、光学部材15と実装基板2とで囲まれた空間に封止部3が充実されている。
なお、本実施形態の発光装置では、LEDチップ1として、青色光を放射するGaN系青色LEDチップを用い、色変換部材4の蛍光体として、LEDチップ1から放射された青色光によって励起されてブロードな黄色系の光を放射する粒子状の黄色蛍光体を用いており、LEDチップ1から放射され封止部3および光学部材15および色変換部材4を透過した青色光と、色変換部材4の黄色蛍光体から放射された黄色光とが色変換部材4の光出射面から拡散した配光となって出射されることとなり、白色光を得ることができる。
実装基板2は、LEDチップ1が電気的に接続される配線パターン21が一表面側に設けられた多層セラミック基板により構成されている。ここにおいて、実装基板2の他表面側には外部接続用電極23が形成されており、配線パターン21がビア22aを介して内部の導体パターン22bと繋がっており、当該導体パターン22bが側面に沿って形成された導体パターン22cを介して外部接続用電極23と電気的に接続されている。なお、実装基板2の材料はセラミックに限らず、絶縁性の高いガラスエポキシ樹脂や液晶ポリマーなどの耐熱性樹脂でもよい。
また、本実施形態の発光装置Aは、実装基板2の他表面側に、実装基板2よりも熱伝導率の高い材料(例えば、Cuなど)により形成されLEDチップ1で発生した熱が伝熱される伝熱プレート25が埋設されており、平面視における伝熱プレート25の外周線がLEDチップ1の外周線の外側に位置している。要するに、伝熱プレート25の投影領域内にLEDチップ1が配置されている。したがって、LEDチップ1で発生した熱がLEDチップ1よりも広い伝熱プレート25へ伝熱されて放熱されるので、LEDチップ1の温度上昇が抑制され、光束の向上を図れるとともに、寿命および信頼性の向上を図れる。ここにおいて、伝熱プレート25は、実装基板2の上記一表面側に露出するマウント部25bが一表面の中央部から連続一体に突設されており、LEDチップ1は、マウント部25bに搭載されているので、LEDチップ1で発生した熱が伝熱プレート25へ直接伝熱されるから、放熱性が向上し、光束の向上を図れるとともに、寿命および信頼性の向上を図れる。ここにおいて、実装基板2は、上記他表面の中央部に伝熱プレート25が埋設される埋込穴24aが設けられるとともに上記一表面と埋込穴24aの内底面との間の部位にマウント部25bが挿入される貫通孔24bが設けられ、埋込穴24aの内底面(伝熱プレート25との接合部位)にメッキが施されており、伝熱プレート25がロウ付けなどで接合されている。また、伝熱プレート25は、他表面が実装基板2の上記他表面を含む平面よりも僅かに突出しており、伝熱プレート25の上記他表面が実装基板2の上記他表面を含む平面と平行になっている。なお、伝熱プレート25の材料は、Cuに限らず、例えば、CuWなどでもよい。
また、本実施形態では、マウント部25bが実装基板2の上記一表面を含む平面から突出しているので、LEDチップ1から放射される光のうち実装基板2の上記一表面へ入射して吸収される成分を低減できて、色変換部材4に直接入射する成分が増え、発光装置A全体としての外部への光取り出し効率を向上できる。
ところで、LEDチップ1は、厚み方向の両面に電極(図示せず)が形成されており、実装基板2側とは反対側の一方の電極が金細線からなるボンディングワイヤ14を介して配線パターン21と電気的に接続され、実装基板2側の電極が半田からなる接合部12を介してマウント部25bに接合されて電気的に接続されるとともに熱結合されている。なお、接合部12の材料は半田に限らず、導電性の高い銀ペーストなどを採用してもよい。
実装基板2は、上述のように上記他表面側に外部接続用電極23が形成されるとともに、伝熱プレート25が外部接続用電極を兼ねているので、一対の配線パターン73,75が形成された配線基板7に実装する際に、前者の外部接続用電極23を半田からなる接合部83を介して配線基板7の配線パターン73と接合して電気的に接続するとともに、伝熱プレート25を半田からなる接合部85を介して配線基板7の配線パターン75と接合して電気的に接続し且つ熱結合させることにより、LEDチップ1で発生した熱は上述の接合部12を通して伝熱プレート25へ直接伝熱され伝熱プレート25で拡散しつつ配線基板7へ伝熱されて外部へ放熱される。なお、配線基板7は、Cu製あるはAl製の金属板71上に絶縁層72が形成され、絶縁層72上に配線パターン73,75が形成された金属ベース基板(金属ベースプリント配線板)により構成されているが、金属ベース基板に限らず、例えば、ガラスエポキシ樹脂製の絶縁性基板上に配線パターン73,75が形成されたものでもよい。
また、LEDチップ1およびボンディングワイヤ14は、上述の封止部3により封止されている。ここにおいて、封止部3は、実装基板2の上記一表面側においてLEDチップ1およびボンディングワイヤ14を覆う凸レンズ状に形成されており、光出射面が光学部材15の光入射面と密着している。しかして、本実施形態の発光装置Aでは、LEDチップ1と色変換部材4との間に、LEDチップ1を封止した透光性材料からなる封止部3が設けられているので、LEDチップ1の光取り出し面が接する媒質が空気の場合に比べてLEDチップ1と当該LEDチップ1の光取り出し面が接する媒質との屈折率差が小さくなり、LEDチップ1からの光取り出し効率が向上し、結果的に発光装置A全体としての光取り出し効率が向上する。なお、本実施形態では、封止部3の透光性材料としてシリコーン樹脂を採用しているが、シリコーン樹脂に限らず、エポキシ樹脂などを採用してもよい。
上述の光学部材15は、透光性材料(例えば、シリコーン樹脂など)により形成されている。ここで、本実施形態では、光学部材15をシリコーン樹脂により形成してあるので、光学部材15と封止部3との屈折率差および線膨張率差を小さくすることができる。
ところで、光学部材15は、光出射面が、光入射面から入射した光を光出射面と上述の空気層16との境界で全反射させない凸曲面状に形成されている。ここで、光学部材15は、光出射面が球面(楕円球面も含む)の一部により形成されており、当該球面の中心がLEDチップ1の光軸上に位置するように配置されている。したがって、LEDチップ1から放射され光学部材15の光入射面に入射された光が光出射面と空気層16との境界で全反射されることなく色変換部材4まで到達しやすくなり、全光束を高めることができる。なお、LEDチップ1の側面から放射された光は封止部3および光学部材15および空気層16を伝搬して色変換部材4まで到達し色変換部材4の蛍光体を励起したり蛍光体には衝突せずに色変換部材4を透過したりする。また、光学部材15は、位置によらず法線方向に沿った肉厚が一様となるように形成されている。
色変換部材4は、シリコーン樹脂からなる透光性材料にLEDチップ1から放射された青色光によって励起されて黄色光を放射する粒子状の黄色蛍光体を分散させた混合材料を用いてドーム状に形成されている。なお、色変換部材4の材料として用いる透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがnmレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。また、色変換部材4の材料として用いる透光性材料に含有させる蛍光体も黄色蛍光体に限らず、色調整や演色性を高めるなどの目的で複数種類の蛍光体を用いてもよく、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを用いることで演色性の高い白色光を得ることができる。ここで、複数種類の蛍光体を用いる場合には必ずしも発光色の異なる蛍光体の組み合わせに限らず、例えば、発光色はいずれも黄色で発光スペクトルの異なる複数種類の蛍光体を組み合わせてもよい。
ところで、色変換部材4は、実装基板2の上記一表面側が開口され光入射面および光出射面それぞれが球面の一部からなるドーム状に形成されており、実装基板2を内包する形で実装基板2に接合されている。具体的には、色変換部材4および実装基板2それぞれの平面視における外周形状が円形状であり、平面視において色変換部材4の外周線よりも実装基板2の外周線が内側に位置し色変換部材4の開口端(実装基板2側の端縁)が実装基板2の外周部とシリコーン樹脂などの接着剤により接合されている。ここにおいて、色変換部材4の開口端には、実装基板2の外周部から突設された環状の突部2bが係合する切欠部4bが形成されている。なお、実装基板2の環状の突部2bは、色変換部材4および光学部材15の位置決め部を兼ねるとともに、上述の封止部3の形成時に封止部3の透光性材料が実装基板2の側面へ流れるのを防止する堰部として機能する。また、本実施形態では、実装基板2の外周形状が円形状となっているが、円形状に限らず、多角形状でもよい。
以上説明した本実施形態の発光装置Aでは、平面視において色変換部材4の外周線よりも実装基板2の外周線が内側に位置し色変換部材4の開口端が実装基板2の外周部と接合されているので、色変換部材4の周部から放射された光が実装基板2に吸収されることなく外部へ出射されることとなり、発光装置A全体としての外部への光取り出し効率を向上させることができる。
(実施形態2)
本実施形態の発光装置Aの基本構成は実施形態1と略同じであり、LEDチップ1として一表面側に各電極が形成されたものを用い、図2に示すように、LEDチップ1が、当該LEDチップ1と伝熱プレート25との線膨張率差に起因してLEDチップ1に働く応力を緩和するサブマウント部材30を介して伝熱プレート25のマウント部25bに搭載されている点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
サブマウント部材30は、LEDチップ1のチップサイズよりも大きなサイズの矩形板状に形成されている。ここにおいて、サブマウント部材30は、上記応力を緩和する機能だけでなく、LEDチップ1で発生した熱を伝熱プレート25のマウント部25bにおいてLEDチップ1のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能を有している。したがって、本実施形態の発光装置Aでは、LEDチップ1がサブマウント部材30を介して伝熱プレート25のマウント部25bに搭載されているので、LEDチップ1で発生した熱をサブマウント部材30および伝熱プレート25を介して効率良く放熱させることができるとともに、LEDチップ1と伝熱プレート25との線膨張率差に起因してLEDチップ1に働く応力を緩和することができる。なお、サブマウント部材30は、上述の熱伝導機能を有しており、伝熱プレート25のマウント部25bにおけるLEDチップ1側の表面の面積はLEDチップ1におけるマウント部25b側の表面の面積よりも十分に大きいことが望ましい。
本実施形態では、サブマウント部材30の材料として熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するAlNを採用し、サブマウント部材30の厚み方向の両面にAu層をめっきしてあり、LEDチップ1とサブマウント部材30とが半田からなる接合部12により接合され、サブマウント部材30と伝熱プレート25のマウント部25bとが半田からなる接合部31により接合されている。なお、サブマウント部材30の材料はAlNに限らず、例えば、熱伝導率の高いセラミックやSiCなどを採用してもよい。また、サブマウント部材30の厚みは0.1μmに設定してあるが、この厚みは一例であって特に限定するものではない。
また、実装基板2は、上記一表面側にLEDチップ1の各電極それぞれがボンディングワイヤ14を介して電気的に接続される配線パターン21が2つ設けられており、上記他表面側に外部接続用電極23が2つ設けられている。
本実施形態の発光装置Aは、実施形態1と同様、平面視において色変換部材4の外周線よりも実装基板2の外周線が内側に位置し色変換部材4の開口端が実装基板2の外周部と接合されているので、色変換部材4の周部から放射された光が実装基板2に吸収されることなく外部へ出射されることとなり、発光装置A全体としての外部への光取り出し効率を向上させることができる。
なお、本実施形態では、LEDチップ1として一表面側に各電極が形成されたものを用いているが、実施形態1と同様にLEDチップ1として厚み方向の両面に電極が形成されたものを用いる場合には、サブマウント部材30におけるLEDチップ1側のAu層と実装基板2の配線パターン21とをボンディングワイヤ14を介して電気的に接続することにより、LEDチップ1におけるサブマウント部材30側の電極を配線パターン21と電気的に接続するようにすればよい。また、LEDチップ1として厚み方向の両面に電極が形成されたものを用いる場合、実施形態1と同様に伝熱プレート25が外部接続用電極を兼ねる実装基板2を用い、サブマウント部材30に厚み方向の両面のAu層同士を電気的に接続するビアを設けるようにしてもよい。
(実施形態3)
本実施形態の発光装置Aの基本構成は実施形態1と略同じであり、図3に示すように、伝熱プレート25に実施形態1で説明したマウント部25b(図1(b)参照)が設けられておらず、実装基板2の上記一表面側に、LEDチップ1における実装基板2側の電極が接合される配線パターン21(要するに、LEDチップ1が搭載されるダイパッド部)が設けられており、当該配線パターン21がビア22aを介して伝熱プレート25と電気的に接続されている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
しかして、本実施形態の発光装置Aは、実施形態1と同様、平面視において色変換部材4の外周線よりも実装基板2の外周線が内側に位置し色変換部材4の開口端が実装基板2の外周部と接合されているので、色変換部材4の周部から放射された光が実装基板2に吸収されることなく外部へ出射されることとなり、発光装置A全体としての外部への光取り出し効率を向上させることができる。なお、本実施形態の発光装置Aでは、LEDチップ1で発生した熱が実装基板2の上記一表面と埋込穴24aの内底面との間の薄肉部を通して伝熱プレート25へ伝熱されるので、熱抵抗を小さくする観点から上記薄肉部の厚みは薄い方が望ましい。
(実施形態4)
本実施形態の発光装置Aの基本構成は実施形態1と略同じであり、図4に示すように、伝熱プレート25の上記他表面側(つまり、実装基板2の上記他表面側と同じ面側)に、中央から外側に向かって幅の広くなる複数の溝25dが放射状に形成されている点が相違する。ここにおいて、各溝25dは、伝熱プレート25の上記他表面の中央から外側に向かって幅寸法が徐々に大きくなるとともに深さ寸法も徐々に大きくなっている。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
ところで、実施形態1で説明したように実装基板2の伝熱プレート25を配線基板7の配線パターン75に半田からなる接合部85により接合した構成では、伝熱プレート25の上記他表面が平面であり外部接続用電極23に比べて面積がかなり大きいので、接合部85にボイドが発生する恐れがあり、接合部85にボイドがあると、温度サイクルがかかった時に実装基板2と配線基板7との線膨張率差によって生じる応力変化に起因して、接合部85に、当該接合部85のボイドが基点となってクラックが発生することがある。
これに対して、本実施形態の発光装置Aでは、伝熱プレート25の上記他表面側に、中央から外側に向かって幅の広くなる溝25dが形成されているので、発光装置Aを配線基板7に実装して用いるにあたって、図4(c)に示すように伝熱プレート25を配線基板7の配線パターン75に半田85’により接合する際に、半田85’の溶融から硬化の過程で生じるフラックスなどのガス86および気泡(図示せず)が溝25dに沿って外部に抜けやすくなり、硬化後の半田85’からなる接合部85の内部にボイドが生じるのを抑制することができ、結果的に、LEDチップ1と配線基板7との間の熱抵抗のばらつきを小さくすることができるとともに、温度サイクルがかかった時に実装基板2と配線基板7との線膨張率差によって生じる応力変化に対する接合部85の耐性が高くなって信頼性が向上する。なお、実施形態2,3の発光装置Aにおける伝熱プレート25の上記他表面に、本実施形態で説明した複数の溝25dを形成してもよいことは勿論である。
(実施形態5)
本実施形態の発光装置Aの基本構成は実施形態1と略同じであり、図5に示すように、伝熱プレート25のマウント部25bにおけるLEDチップ1の搭載領域の周囲に短絡防止溝25cが形成されている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
しかして、本実施形態の発光装置Aでは、LEDチップ1をマウント部25bの搭載領域に半田により接合する際にLEDチップ1直下から溢れ出た余分な半田12cが短絡防止溝25cに溜まるので、余分な半田12cが実装基板2の上記一表面側の配線パターン21上まで流れ出ることによる短絡を防止することができる。なお、実施形態4の発光装置Aにおいても、マウント部25bにおけるLEDチップ1の搭載領域の周囲に短絡防止溝25cを設けてもよいし、実施形態2の発光装置Aにおいて、マウント部25bにおけるサブマウント部材30の搭載領域の周囲に短絡防止溝25を設けてもよい。
(実施形態6)
本実施形態の発光装置Aの基本構成は実施形態1と略同じであり、図6に示すように、色変換部材4が箱型のドーム状に形成されている点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
本実施形態における色変換部材4は、シリコーン樹脂からなる透光性材料にLEDチップ1から放射された青色光によって励起されて黄色光を放射する粒子状の黄色蛍光体を分散させた混合材料を用いて円筒状に形成された色変換部41と、液晶ポリマー系の樹脂あるいはセラミックにより形成され色変換部41の一端側の開口面を閉塞する形で配設されてLEDチップ1からの光を拡散反射する円板状の反射部42とを結合することにより形成されている。したがって、LEDチップ1から放射され封止部3および光学部材6および空気層11を伝搬する光は、色変換部41に直接入射したり、反射部42で反射されて色変換部41に入射する。ここにおいて、反射部42として、Al板の表面に高反射の白塗装を施したものや、Al板の表面にAg蒸着などおによる鏡面仕上げを施したものを用いてもよく、これらを用いた場合には、色変換部材4の色変換部41で発生した熱が反射部42から効率良く放熱されるので、色変換部材4の変換効率が向上するとともに信頼性が向上する。なお、色変換部41は、実装基板2から離れるにつれて内径および外径が徐々に小さくなるテーパを有する円筒状に形成されている。また、反射部42の形状は、図7に示すように、LEDチップ1に近づくにつれて断面積が小さく錐状に形成されていてもよい。
しかして、本実施形態の発光装置Aは、実施形態1と同様、平面視において色変換部材4の外周線よりも実装基板2の外周線が内側に位置し色変換部材4の開口端が実装基板2の外周部と接合されているので、色変換部材4の周部から放射された光が実装基板2に吸収されることなく外部へ出射されることとなり、発光装置A全体としての外部への光取り出し効率を向上させることができる。なお、他の実施形態2〜5における色変換部材4の代わりに、本実施形態における色変換部材4を用いてもよい。
(実施形態7)
本実施形態では、実施形態1にて説明した発光装置Aを備えた照明器具を例示する。
本実施形態の照明器具は、図8に示すように、発光装置Aと、発光装置Aが実装された配線基板7と、発光装置Aから放射される光の配光を制御する反射鏡5と、配線基板7、発光装置Aおよび反射鏡5が収納される有底円筒状の器具本体9とを備えてなる。ここにおいて、反射鏡5は、椀状に形成され、底部に、発光装置Aが挿入される開口部5aを有しており、発光装置Aの周囲を囲む形で器具本体9内に配置されている。また、器具本体9は、金属材料(例えば、Alなど)により形成されている。
また、本実施形態の照明器具は、透光性材料(例えば、アクリル樹脂、ガラスなど)により形成され反射鏡5の開口面を閉塞する形で配設される円板状の透光性カバー8と、器具本体9の開口縁に形成された溝部9bの底面との間に透光性カバー8の周部と反射鏡5の開口縁から外方へ延設された外鍔部5cとを重ねた形で保持する円環状の保持枠10とを備えている。ここで、保持枠10は、外郭9に対して接着剤により固定されている。
また、配線基板7は、シリカやアルミナなどのフィラーからなる充填材を含有し且つ加熱時に低粘度化する樹脂シート(例えば、溶融シリカを高充填したエポキシ樹脂シートのような有機グリーンシート)を用い、当該樹脂シートにより配線基板7と器具本体9の底壁とを接合し、更に複数本の固定ねじ91により固定してある。上記樹脂シートは電気絶縁性を有するとともに熱伝導率が高く、しかも、加熱時の流動性が高く凹凸面への密着性が高いので、上記樹脂シートと配線基板7および器具本体9の底壁との間に空隙が発生するのを防止することができて、密着不足による熱抵抗の増大やばらつきの発生を防止することができ、ゴムシート状の放熱シートを用いる場合に比べて、LEDチップ1から器具本体9までの熱抵抗を小さくすることができて放熱性が向上するとともに熱抵抗のばらつきが小さくなり、LEDチップ1のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図れる。
反射鏡5は、色変換部材4の光出射面から放射されて入射した光を透光性カバー8側へ反射させ狭角配光が得られるように内側面の形状が設計されており、当該内側面がドーム状の色変換部材4の頂点を焦点とする放物面状に形成されている。なお、反射鏡5の内周面の形状は特に限定するものではなく、反射鏡5は、所望の配光特性に応じて、LEDチップ1の光軸方向においてLEDチップ1から離れるにつれて開口面積が徐々に大きくなる椀状の形状に形成されていればよい。
反射鏡5の材料としては、例えば、LEDチップ1や蛍光体から放射される光の反射率が高い金属(例えば、Alなど)などを採用すればよく、本実施形態では、Alを採用している。また、反射鏡5の内側面は、AlやAgなどを蒸着したり、白色塗装したり、拡散反射面としたりすることで所望の反射率を確保している。なお、反射鏡5の材料は金属に限らず、高耐熱の樹脂(例えば、PBTなど)などを採用してもよい。
なお、本実施形態における反射鏡5は、外鍔部5cが器具本体9と保持枠10との間に透光性カバー8の周部を介して保持され、実装基板2や配線基板7へ直接固定する必要がないから、反射鏡5を実装基板2や配線基板7に直接固定する場合に比べて、反射鏡5の機械的強度の制約が少なくなるとともに実装基板2と配線基板7との接合部83,85に機械的ストレスを与えるのを防止することができる。
以上説明した本実施形態の照明器具では、実施形態1の発光装置Aと、発光装置Aから放射される光の配光を制御する反射鏡5であって底部に発光装置Aが挿入される開口部5aを有する反射鏡5と、発光装置Aおよび反射鏡5が収納される器具本体9とを備えているので、発光装置Aの色変換部材4の周部と反射鏡5における底部の開口部5aの内側面との間の隙間を小さくすることができ、照明器具を正面から見た時の非発光部の面積が小さくなって正面光度が向上するとともに、配光制御部材である反射鏡5の小型化による照明器具の小型化を図りつつ照明器具全体としての外部への光取り出し効率を向上させることができる。ここにおいて、発光装置Aの色変換部材4の周部と反射鏡5における底部の開口部5aの内側面との間の隙間は小さい方が望ましく(要するに、色変換部材4の周部と反射鏡5における底部の開口部5aの内側面とを近接させることが望ましく)、当該隙間の寸法は、反射鏡5および発光装置Aの設置公差などを考慮して設定すればよい。
また、本実施形態の照明器具では、反射鏡5は、底部の開口部5aの周部の厚みが発光装置Aにおける実装基板2の厚みよりも薄く、開口部5aの開口縁を含む平面P2が色変換部材4の開口端を含む平面P1よりも後退して位置するように配置されているので、色変換部材4の周部から放射された光の反射鏡5への入射効率を高めることができ、照明器具全体としての外部への光取り出し効率を向上させることができる。図8(c)中には色変換部材4の周部から放射された光の進行経路を矢印で例示してある。
なお、本実施形態では、光源として実施形態1の発光装置Aを備えた照明器具について例示したが、光源としては実施形態2〜6のいずれかの発光装置Aを用いてもよい。
(実施形態8)
図9に示す本実施形態の照明器具の基本構成は実施形態7と略同じであり、発光装置Aから放射される光の配光を制御する配光制御部材として、実施形態7で説明した反射鏡5の代わりに、ハイブリッドレンズ(配光レンズ)6を備えている点が相違する。なお、実施形態7と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の照明器具では、ハイブリッドレンズ6の外側面から外方へ延設された外鍔部6dが、器具本体9の開口縁に形成された溝部9bの底面と保持枠10との間に保持されている。
ハイブリッドレンズ6は、発光装置A側に、発光装置Aが挿入される凹所61が形成されている。ここにおいて、ハイブリッドレンズ6は、凹所61の内底面61aと内側面61bとが光入射面6aを構成しており、光入射面6a側の焦点(図示せず)から凹所61の内底面61aへ入射した光を屈折させて更に光出射面6bで屈折させる機能と、光入射面6a側の上記焦点から凹所61の内側面61bへ入射した光を屈折させた後に外側面6cで全反射させ更に光出射面6bで屈折させる機能とを有しており、発光装置Aから放射され光入射面6aへ入射した光が光出射面6bから出射される。なお、ハイブリッドレンズ6は、外側面6cが回転放物面状に形成され、光出射面6aが凸曲面状に形成されているが、外側面6cはLEDチップ1の光軸方向においてLEDチップ1から離れるにつれて外形が徐々に大きくなる曲面状であって凹所61の内側面61bから入射した光を光出射面6a側へ全反射できる形状であればよく、光出射面6aは平面状でもよいし、フレネルレンズ状でもよい。
本実施形態の照明器具では、光源として、実施形態1にて説明した発光装置Aを用いているので、色変換部材4とハイブリッドレン6の凹所61の光入射面6aとを近接して配置することが可能となるから、配光制御部材であるハイブリッドレンズ6の小型化による照明器具の小型化を図りつつ照明器具全体としての外部への光取り出し効率を向上させることができる。ここにおいて、発光装置Aの色変換部材4の周部とハイブリッドレンズ6における凹所61の内側面61bとの間の隙間は小さい方が望ましく(要するに、色変換部材4の周部とハイブリッドレンズ6における凹所61の内側面61bとを近接させることが望ましく)、当該隙間の寸法は、例えば、ハイブリッドレンズ6および発光装置Aの組立て公差に設定すればよい。
また、本実施形態の照明器具では、ハイブリッドレンズ6における凹所61の開口面を含む平面P3が色変換部材4の開口端を含む平面P1よりも配線基板7に近くなるように配置されているので、色変換部材4の周部から放射された光のハイブリッドレンズ6への入射効率を高めることができ、照明器具全体としての外部への光取り出し効率を向上させることができる。
なお、本実施形態では、光源として実施形態1の発光装置Aを備えた照明器具について例示したが、光源としては実施形態2〜6のいずれかの発光装置Aを用いてもよい。
ところで、上述の各実施形態では、LEDチップ1として、青色光を放射する青色LEDチップを採用しているが、LEDチップ1は青色光を放射するものに限らず、例えば、紫外光を放射するものでもよく、色変換部材4における蛍光体の発光色も特に限定するものではない。
実施形態1の発光装置を示し、(a)は概略斜視図、(b)は配線基板に実装した状態の概略断面図である。 実施形態2の発光装置を示す概略断面図である。 実施形態3の発光装置を示す概略断面図である。 実施形態4の発光装置を示し、(a)は配線基板に実装した状態の概略断面図、(b)は伝熱プレートの下面側から見た概略斜視図、(c)は要部説明図である。 実施形態5の発光装置を示し、(a)は配線基板に実装した状態の概略断面図、(b)は要部概略平面図、(c)は要部概略断面図である。 実施形態6の発光装置を示す概略断面図である。 同上の他の構成例を示す概略断面図である。 実施形態7の照明器具を示し、(a)は概略正面図、(b)は概略断面図である。 実施形態8の照明器具を示す概略断面図である。 従来例を示す発光装置の概略断面図である。 従来例を示す照明器具の概略断面図である。 他の従来例の照明器具を示し、(a)は概略正面図、(b)は概略断面図である。 別の従来例の照明器具を示し、(a)は概略断面図、(b)は要部の機能説明図である。
符号の説明
A 発光装置
1 LEDチップ
2 実装基板
3 封止部
4 色変換部材
5 反射鏡
5a 開口部
6 ハイブリッドレンズ
9 器具本体
25 伝熱プレート
25b マウント部
25c 短絡防止溝
25d 溝

Claims (9)

  1. LEDチップと、LEDチップが一表面側に実装された実装基板と、LEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成され実装基板の前記一表面側に配設された色変換部材とを備え、平面視において色変換部材の外周線よりも実装基板の外周線が内側に位置し色変換部材の開口端が実装基板の外周部と接合されてなることを特徴とする発光装置。
  2. 前記LEDチップと前記色変換部材との間に、前記LEDチップを封止した透光性材料からなる封止部が設けられてなることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  3. 前記実装基板の他表面側に、前記実装基板よりも熱伝導率の高い材料により形成され前記LEDチップで発生した熱が伝熱される伝熱プレートが埋設されてなり、平面視における伝熱プレートの外周線が前記LEDチップの外周線の外側に位置していることを特徴とする請求項1または請求項2記載の発光装置。
  4. 前記伝熱プレートは、前記実装基板の前記一表面側に露出するマウント部が突設されてなり、前記LEDチップは、マウント部に搭載されてなることを特徴とする請求項3記載の発光装置。
  5. 前記マウント部は、前記実装基板の前記一表面を含む平面から突出していることを特徴とする請求項4記載の発光装置。
  6. 前記伝熱プレートは、前記実装基板の他表面側と同じ面側に中央から外側に向かって幅の広くなる溝が形成されてなることを特徴とする請求項3ないし請求項5のいずれか1項に記載の発光装置。
  7. 前記マウント部は、前記LEDチップの搭載領域の周囲に短絡防止溝が形成されてなることを特徴とする請求項4ないし請求項6のいずれか1項に記載の発光装置。
  8. 請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の発光装置と、発光装置から放射される光の配光を制御する反射鏡であって底部に発光装置が挿入される開口部を有する反射鏡と、発光装置および反射鏡が収納される器具本体とを備えてなることを特徴とする照明器具。
  9. 前記反射鏡は、前記開口部の周部の厚みが前記発光装置における前記実装基板の厚みよりも薄く、前記開口部の周部が前記色変換部材の開口端を含む平面よりも後退して位置するように配置されてなることを特徴とする請求項8記載の照明器具。
JP2007255870A 2007-09-28 2007-09-28 発光装置および照明器具 Active JP5491691B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007255870A JP5491691B2 (ja) 2007-09-28 2007-09-28 発光装置および照明器具

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007255870A JP5491691B2 (ja) 2007-09-28 2007-09-28 発光装置および照明器具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009088235A true JP2009088235A (ja) 2009-04-23
JP5491691B2 JP5491691B2 (ja) 2014-05-14

Family

ID=40661268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007255870A Active JP5491691B2 (ja) 2007-09-28 2007-09-28 発光装置および照明器具

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5491691B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010129320A2 (en) 2009-05-08 2010-11-11 Osram Sylvania Inc. Led light engine and method of manufacture thereof
JP2012143175A (ja) * 2011-01-11 2012-08-02 Showa Denko Kk 植物栽培用の照明装置および植物栽培装置
JP2012178487A (ja) * 2011-02-28 2012-09-13 Toyoda Gosei Co Ltd Ledランプ
WO2014037738A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 Litecool Limited Led thermal management
JP2015527748A (ja) * 2012-08-20 2015-09-17 ヘレウス ノーブルライト アメリカ エルエルシー マイクロチャンネル冷却型高熱負荷発光デバイス
US9831402B2 (en) 2013-10-17 2017-11-28 Nichia Corporation Light emitting device
JP2019114624A (ja) * 2017-12-22 2019-07-11 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP7488088B2 (ja) 2020-04-02 2024-05-21 日機装株式会社 半導体発光装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09223844A (ja) * 1995-12-15 1997-08-26 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2001217497A (ja) * 2000-02-02 2001-08-10 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2001243807A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Mitsubishi Electric Lighting Corp Led電球
JP2003023183A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Stanley Electric Co Ltd 面実装型ledランプ
JP2006202894A (ja) * 2005-01-19 2006-08-03 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2006237646A (ja) * 2005-01-27 2006-09-07 Kyocera Corp 発光装置
JP2006237557A (ja) * 2005-01-27 2006-09-07 Kyocera Corp 発光装置
JP2007116075A (ja) * 2005-09-20 2007-05-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09223844A (ja) * 1995-12-15 1997-08-26 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2001217497A (ja) * 2000-02-02 2001-08-10 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2001243807A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Mitsubishi Electric Lighting Corp Led電球
JP2003023183A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Stanley Electric Co Ltd 面実装型ledランプ
JP2006202894A (ja) * 2005-01-19 2006-08-03 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2006237646A (ja) * 2005-01-27 2006-09-07 Kyocera Corp 発光装置
JP2006237557A (ja) * 2005-01-27 2006-09-07 Kyocera Corp 発光装置
JP2007116075A (ja) * 2005-09-20 2007-05-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8618570B2 (en) 2009-05-08 2013-12-31 Osram Sylvania Inc. LED light engine and method of manufacture thereof
EP2427692A4 (en) * 2009-05-08 2014-07-30 Osram Sylvania Inc LED LIGHTING ENGINE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
EP2427692A2 (en) * 2009-05-08 2012-03-14 Osram Sylvania Inc. Led light engine and method of manufacture thereof
CN102422082A (zh) * 2009-05-08 2012-04-18 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 Led光引擎及其制造方法
WO2010129320A2 (en) 2009-05-08 2010-11-11 Osram Sylvania Inc. Led light engine and method of manufacture thereof
WO2010129320A3 (en) * 2009-05-08 2011-02-10 Osram Sylvania Inc. Led light engine and method of manufacture thereof
JP2012143175A (ja) * 2011-01-11 2012-08-02 Showa Denko Kk 植物栽培用の照明装置および植物栽培装置
JP2012178487A (ja) * 2011-02-28 2012-09-13 Toyoda Gosei Co Ltd Ledランプ
JP2015527748A (ja) * 2012-08-20 2015-09-17 ヘレウス ノーブルライト アメリカ エルエルシー マイクロチャンネル冷却型高熱負荷発光デバイス
WO2014037738A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 Litecool Limited Led thermal management
US9831402B2 (en) 2013-10-17 2017-11-28 Nichia Corporation Light emitting device
JP2019114624A (ja) * 2017-12-22 2019-07-11 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
CN110010753A (zh) * 2017-12-22 2019-07-12 斯坦雷电气株式会社 半导体发光装置及其制造方法
JP7488088B2 (ja) 2020-04-02 2024-05-21 日機装株式会社 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5491691B2 (ja) 2014-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5491691B2 (ja) 発光装置および照明器具
JP4789672B2 (ja) 発光装置および照明装置
KR100620844B1 (ko) 발광장치 및 조명장치
JP4960099B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明器具または液晶表示装置
JP6302762B2 (ja) 発光装置および照明装置
JP5480466B2 (ja) 発光装置
JP4808550B2 (ja) 発光ダイオード光源装置、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP2009071254A (ja) 発光装置
JP6045571B2 (ja) 熱伝導体を有する発光モジュール、ランプ及び照明器具
JP3151331U (ja) 漏れ及び滲みが防止可能な発光ダイオード台体構造
WO2003056636A1 (en) A led and led lamp
JP4650466B2 (ja) 照明器具
JP4981600B2 (ja) 照明器具
JP2006049814A (ja) 発光装置および照明装置
JP2008028181A (ja) 照明装置
JP4938255B2 (ja) 発光素子収納用パッケージ、光源および発光装置
JP2007123576A (ja) 発光装置および照明装置
JP5204585B2 (ja) 発光装置および照明器具
JP2006066657A (ja) 発光装置および照明装置
JP4960657B2 (ja) 発光装置
JP4816394B2 (ja) スポットライト
JP2009094213A (ja) 発光装置
JP4936465B2 (ja) 発光装置
JP2009245643A (ja) 照明装置
JP2006156604A (ja) 発光装置および照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100419

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100817

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20120112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120307

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130305

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130507

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140228

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5491691

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151