JP2015527748A - マイクロチャンネル冷却型高熱負荷発光デバイス - Google Patents
マイクロチャンネル冷却型高熱負荷発光デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015527748A JP2015527748A JP2015528444A JP2015528444A JP2015527748A JP 2015527748 A JP2015527748 A JP 2015527748A JP 2015528444 A JP2015528444 A JP 2015528444A JP 2015528444 A JP2015528444 A JP 2015528444A JP 2015527748 A JP2015527748 A JP 2015527748A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- array
- head module
- lamp head
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000006870 function Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 75
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 26
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 235
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 49
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 39
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 39
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 22
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000013461 design Methods 0.000 description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 15
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 14
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000003491 array Methods 0.000 description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 12
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 10
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- -1 Glidcop Chemical compound 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008433 SnCU Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032912 absorption of UV light Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- REEBJQTUIJTGAL-UHFFFAOYSA-N 3-pyridin-1-ium-1-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)CCC[N+]1=CC=CC=C1 REEBJQTUIJTGAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000272168 Laridae Species 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 241000220010 Rhode Species 0.000 description 1
- 102220616555 S-phase kinase-associated protein 2_E48R_mutation Human genes 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004963 Torlon Substances 0.000 description 1
- 229920003997 Torlon® Polymers 0.000 description 1
- 229920004738 ULTEM® Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006397 acrylic thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 230000002528 anti-freeze Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003899 bactericide agent Substances 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010382 chemical cross-linking Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004141 dimensional analysis Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000004881 precipitation hardening Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B3/00—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat
- F26B3/28—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
- B05D3/061—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation using U.V.
- B05D3/065—After-treatment
- B05D3/067—Curing or cross-linking the coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
- H01L2924/30111—Impedance matching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Microbiology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2010年1月27日に出願された米国仮特許出願第61/336,979号の優先権の利益を主張する、2011年1月26日に出願された米国特許出願第13/014,069号と、2010年4月1日に出願された米国仮特許出願第61/341,594号と、2010年11月5日に出願された米国仮特許出願第61/456,426号との一部継続出願である。これらの特許文献の全ては、あらゆる目的で引用することによりそれらの全体が本明細書の一部をなす。
本明細書は、著作権保護の対象となる題材を含む。本著作権所有者は、本特許開示が特許商標庁の特許包袋又は記録に掲載されるとおりに任意の者により複写複製されることに何ら異存はないが、それ以外ではいかなる著作権権利も全て留保する。Copyright(c) 2010-2012, Fusion UV systems, Inc.
本出願全体を通して使用される用語の簡単な定義を以下に与える。
に従い、ここで、
はPhIの吸光係数又は吸収係数であり、cはPhIの濃度であり、dはサンプル(硬化される膜)の厚さである。以下の表から分かるように、PhI光吸収の効率は、波長と共に大きく変化する。この場合には、254nmにおいて、光吸収効率は405nmにおけるものよりも20倍高い。したがって、400nmにおけるUVLED光強度を、より短い波長(約100W/cm2)における通常の硬化パワーの100倍で供給することが可能である場合には、光の吸収における光開始剤の効率の差により酸素阻害を減少させることが可能である。
254nmにおいて1.94×104、
302nmにおいて、1.8×104、
313nmにおいて、1.5×104、
365nmにおいて、2.3×103、
405nmにおいて、8.99×102。
Claims (30)
- 発光デバイスのアレイであって、該アレイの長さが該アレイの幅よりも大きい高アスペクト比を有し、前記発光デバイスは高フィルファクターを生じるように近接して離間され、電気的に直列の発光デバイスからなる複数の群を含み、該複数の群は電気的に並列に接続される、発光デバイスのアレイと、
複数のL字型にパターニングされた回路材料層を含むモノリシック構造のサブマウントであって、前記複数のL字型にパターニングされた回路材料層のそれぞれはアーム部とステム部とを含み、前記アーム部は発光デバイスボンドパッドとして機能し、前記ステム部はワイヤボンドパッド及び回路トレースの両方として機能する、サブマウントと、
を備えるランプヘッドモジュールであって、
前記電気的に直列の発光デバイスからなる複数の群のうちの電気的に直列の発光デバイスからなる群の各発光デバイスは、前記サブマウントの対応するアーム部に固着され、
複数の前記ステム部は、前記アレイの前記長さ及び前記幅によって画定されるエリアの実質的に外部に配置され、前記アレイの前記長さに実質的に平行に延び、前記電気的に直列の発光デバイスからなる群の隣接する発光デバイス間の電流のための一次通電機能を共同で実行する、ランプヘッドモジュール。 - 前記複数のL字型にパターニングされた回路材料層は、連動構成で前記サブマウント上にパターニングされ、前記複数のL字型にパターニングされた回路材料層のうちの隣接するL字型にパターニングされた回路材料層の前記ステム部は、前記アレイの両側に配置され、互いに実質的に平行に延びる、請求項1に記載のランプヘッドモジュール。
- 複数の前記アーム部のそれぞれは、前記電気的に直列の発光デバイスからなる群の発光デバイスを前記発光デバイスボンドパッドに固着させるように意図される半田が、前記ワイヤボンドパッド及び前記回路トレース上に広がることを防ぐ半田障壁を組み込む、請求項1に記載のランプヘッドモジュール。
- アノード層及びカソード層を含む多層フレックス回路であって、該多層フレックス回路には矩形のアパーチャが形成され、該アパーチャ内に前記サブマウント及び前記アレイが配置される、多層フレックス回路を更に備え、
前記多層フレックス回路の前記アノード層は、前記電気的に直列の発光デバイスからなる群の最初の発光デバイスに関連付けられた発光デバイスボンドパッドに電気的に結合され、
前記多層フレックス回路の前記カソード層は、前記電気的に直列の発光デバイスからなる群の最後の発光デバイスに関連付けられた回路トレースに電気的に結合される、請求項1に記載のランプヘッドモジュール。 - 放熱を行う上面を有するマイクロチャンネル冷却器を更に備え、前記サブマウントはポリマー接着剤又は金属製半田によって前記放熱を行う上面に固着される、請求項1に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記アレイの前記長さ及び前記幅によって画定される総面積を前記アレイの発光表面積によって除算して100を乗算することにより測定される高フィルファクターは、70%よりも大きい、請求項1に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記発光表面積は、平方ミリメートルあたり1ワットよりも高い光出力パワー密度を有する、請求項1に記載のランプヘッドモジュール。
- モノリシック構造の第2のサブマウントを更に備え、前記電気的に直列の発光デバイスからなる複数の群のうちの電気的に直列の発光デバイスからなる第2の群は、前記第2のサブマウントによって電気的に直列に電気的に接続され、前記サブマウント及び前記第2のサブマウントは電気的に並列に接続される、請求項1に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記発光デバイスのうちの少なくとも1つは紫外線を放出する発光デバイスである、請求項1に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記発光デバイスのうちの少なくとも1つは、紫外線光スペクトルの外側の領域において発光する、請求項1に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記発光デバイスのうちの2つ以上は異なる波長で発光する、請求項1に記載のランプヘッドモジュール。
- 発光デバイスのアレイであって、該アレイの長さが該アレイの幅よりも大きい高アスペクト比を有する、発光デバイスのアレイと、
前記アレイによって放出される光子を方向付ける一対の光マクロ反射器であって、被加工物の表面上に、トップハット分布を有するビームパターンを生成するように構成される、一対の光マクロ反射器と、
を備える、ランプヘッドモジュール。 - 前記一対の光マクロ反射器は入口アパーチャ及び出口アパーチャを形成し、前記入口アパーチャは前記アレイの発光面に近接して位置決めされ、前記出口アパーチャは前記一対の光マクロ反射器の遠位端に配置され、前記入口アパーチャは、前記発光面の面積の101%の大きさの面積を有する、請求項12に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記一対の光マクロ反射器は入口アパーチャ及び出口アパーチャを形成し、前記入口アパーチャは前記アレイの発光面に近接して位置決めされ、前記出口アパーチャは前記一対の光マクロ反射器の遠位端に配置され、前記入口アパーチャは、前記発光面の面積の110%の大きさの面積を有する、請求項12に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記入口アパーチャは、前記発光面の上方に、該発光面から0ミクロン〜25ミクロンの範囲内に位置決めされる、請求項12に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記出口アパーチャから前記被加工物の前記表面までの距離は、前記入口アパーチャと前記出口アパーチャとの間の距離の約0.01倍〜3倍である、請求項12に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記一対の光マクロ反射器のそれぞれは、複数の楕円形分布を正確に近似するような形状にされた内面を有する、請求項12に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記トップハット分布は非対称である、請求項12に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記発光デバイスは直列/並列構成で電気的に結合される、請求項12に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記発光デバイスは、前記アレイの前記長さ及び前記幅によって画定される総面積を前記アレイの発光表面積によって除算して100を乗算することにより測定される、70%よりも高いフィルファクターを生じるように近接して離間される、請求項12に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記発光デバイスのうちの少なくとも1つは紫外線を放出する発光デバイスである、請求項12に記載のランプヘッドモジュール。
- アノード出力接続及びカソード出力接続を有する電源と、
発光面を有する発光デバイスのアレイであって、高輝度及び高アスペクト比を有する、アレイと、
前記アレイの複数の発光デバイスを電気的に直列に電気的に結合するように構成されるサブマウントであって、複数の発光デバイスボンドパッドエリアと複数のワイヤボンドエリアとを含む、サブマウントと、
ランプ本体と、
前記ランプ本体に装着されるフレックス回路であって、該フレックス回路の長さ及び高さについて高アスペクト比を有し、該フレックス回路には位置決めアパーチャが形成され、該アパーチャ内に前記サブマウントが装着され、該フレックス回路は、アノード層及びカソード層を含む反対の電気極性のパターニングされた導電層を備える、フレックス回路と、
を備えるランプヘッドモジュールであって、
前記フレックス回路の第1の端部は、前記アノード層の第1の部分を露出させ、前記電源の前記アノード出力接続との電気的な接続を形成し、前記カソード層の第1の部分を露出させ、前記電源の前記カソード出力接続との電気的な接続を形成し、
前記フレックス回路の第2の端部は、前記アノード層の第2の部分を露出させ、該第2の部分は、前記サブマウントの前記複数の発光デバイスボンドパッドエリアのうちの、前記複数の発光デバイスの最初の発光デバイスと関連付けられた発光デバイスボンドパッドエリアに電気的に結合され、
前記フレックス回路の前記第2の端部は、前記カソード層の第2の部分を露出させ、該第2の部分は、前記複数のワイヤボンドエリアのうちの、前記複数の発光デバイスの最後の発光デバイスと関連付けられたワイヤボンドエリアのカソード部に電気的に結合される、ランプヘッドモジュール。 - 前記高アスペクト比は約100:1〜200:1である、請求項22に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記高アスペクト比は約150:1である、請求項23に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記フレックス回路は、該フレックス回路の前記第1の端部が前記アレイの前記発光面を含む平面に対し垂直な平面内に実質的にあるように前記ランプ本体の回りをラッピングし、前記フレックス回路の前記第2の端部は前記アレイの前記発光面に対し平行な平面内に実質的にある、請求項22に記載のランプヘッドモジュール。
- 上面を有するマイクロチャンネル冷却器組立体を更に備え、該上面に前記サブマウント及び前記フレックス回路の前記第2の端部がボンディングされる、請求項22に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記アレイによって放出される光子を方向付ける、前記フレックス回路に固着された一対の光マクロ反射器を更に備える、請求項22に記載のランプヘッドモジュール。
- 前記発光デバイスのうちの少なくとも1つは紫外線を放出する発光デバイスである、請求項22に記載のランプヘッドモジュール。
- 発光デバイスのアレイであって、該アレイの長さが該アレイの幅よりも大きい高アスペクト比を有し、前記発光デバイスは高フィルファクターを生じるように近接して離間され、電気的に直列の発光デバイスからなる複数の群を含み、該複数の群は電気的に並列に接続される、発光デバイスのアレイと、
インレット冷却剤フローチャンネルとアウトレット冷却剤フローチャンネルとを有するランプ本体であって、前記インレット冷却剤フローチャンネル及び前記アウトレット冷却剤フローチャンネルは、前記アレイの前記幅と実質的に同様の厚さを有する仕切板によって分離される、ランプ本体と、
を備える、ランプヘッドモジュール。 - 前記厚さは前記アレイの前記幅の約10%の範囲内にある、請求項29に記載のランプヘッドモジュール。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2012/051588 WO2014031095A1 (en) | 2012-08-20 | 2012-08-20 | Micro-channel-cooled high heat load light emitting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015527748A true JP2015527748A (ja) | 2015-09-17 |
JP6150894B2 JP6150894B2 (ja) | 2017-06-21 |
Family
ID=50150257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015528444A Expired - Fee Related JP6150894B2 (ja) | 2012-08-20 | 2012-08-20 | マイクロチャンネル冷却型高熱負荷発光デバイス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2885818B1 (ja) |
JP (1) | JP6150894B2 (ja) |
KR (1) | KR20150092081A (ja) |
CN (1) | CN104956487A (ja) |
HK (1) | HK1210321A1 (ja) |
WO (1) | WO2014031095A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105682316A (zh) * | 2016-01-06 | 2016-06-15 | 瑞昌市佳佳机电设备有限公司 | 一种uv灯、uv灯启动装置及uv灯功率控制装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018156016A1 (en) * | 2017-02-06 | 2018-08-30 | Horvath Gusztav Jozef | Uv coating layer hardening device |
NL2018334B1 (nl) | 2017-02-06 | 2018-09-03 | Jozef Horvath Gusztav | Uv-afdeklaaguithardinrichting |
CN108831986A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-11-16 | 深圳技术大学(筹) | 热沉装置及其制备方法 |
IT201800008161A1 (it) * | 2018-08-22 | 2020-02-22 | Lts Italy Societa' A Responsabilita' Limitata Semplificata | Dispositivo di asciugatura a led per uso industriale. |
DE102019133203B4 (de) | 2018-12-18 | 2022-05-25 | Soulnano Limited | UV-LED-Array mit Stromanschlussverbindung und Wärmesenke |
US11107962B2 (en) | 2018-12-18 | 2021-08-31 | Soulnano Limited | UV LED array with power interconnect and heat sink |
CN110191760B (zh) * | 2019-04-16 | 2022-09-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微通道器件及其制造方法、微流控系统 |
CN110867424B (zh) * | 2019-11-21 | 2022-02-18 | 上海交通大学 | 内置微转子强化纳米流体换热的微通道热沉系统 |
JP7397320B2 (ja) | 2020-05-12 | 2023-12-13 | 株式会社Tenga | 精子採取装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1098215A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
JP2006039122A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | C I Kasei Co Ltd | 液晶表示パネル用バックライト |
JP2009088235A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置および照明器具 |
WO2011094293A1 (en) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | Fusion Uv Systems, Inc. | Micro-channel-cooled high heat load light emitting device |
JP2011216514A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | Led発光装置及びこれを用いた車両用ヘッドランプ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7418726B2 (en) * | 2003-01-02 | 2008-08-26 | Intellectual Property & Ideas, Llc | Illuminated devices using UV-LED's |
US7021797B2 (en) * | 2003-05-13 | 2006-04-04 | Light Prescriptions Innovators, Llc | Optical device for repositioning and redistributing an LED's light |
EP1735844B1 (en) * | 2004-03-18 | 2019-06-19 | Phoseon Technology, Inc. | Use of a high-density light emitting diode array comprising micro-reflectors for curing applications |
US7573074B2 (en) * | 2006-05-19 | 2009-08-11 | Bridgelux, Inc. | LED electrode |
US8029165B2 (en) * | 2007-05-21 | 2011-10-04 | Goldeneye, Inc. | Foldable LED light recycling cavity |
US8482015B2 (en) * | 2009-12-03 | 2013-07-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED light emitting apparatus and vehicle headlamp using the same |
JP2013541164A (ja) * | 2010-10-08 | 2013-11-07 | ソラア インコーポレーテッド | 高輝度光源 |
-
2012
- 2012-08-20 JP JP2015528444A patent/JP6150894B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-20 EP EP12883152.6A patent/EP2885818B1/en not_active Not-in-force
- 2012-08-20 WO PCT/US2012/051588 patent/WO2014031095A1/en active Application Filing
- 2012-08-20 KR KR1020157007062A patent/KR20150092081A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-08-20 CN CN201280076190.4A patent/CN104956487A/zh active Pending
-
2015
- 2015-11-10 HK HK15111043.7A patent/HK1210321A1/xx unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1098215A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
JP2006039122A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | C I Kasei Co Ltd | 液晶表示パネル用バックライト |
JP2009088235A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置および照明器具 |
WO2011094293A1 (en) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | Fusion Uv Systems, Inc. | Micro-channel-cooled high heat load light emitting device |
JP2011216514A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | Led発光装置及びこれを用いた車両用ヘッドランプ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105682316A (zh) * | 2016-01-06 | 2016-06-15 | 瑞昌市佳佳机电设备有限公司 | 一种uv灯、uv灯启动装置及uv灯功率控制装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014031095A1 (en) | 2014-02-27 |
EP2885818A4 (en) | 2016-07-13 |
EP2885818B1 (en) | 2019-02-27 |
CN104956487A (zh) | 2015-09-30 |
EP2885818A1 (en) | 2015-06-24 |
JP6150894B2 (ja) | 2017-06-21 |
HK1210321A1 (en) | 2016-04-15 |
KR20150092081A (ko) | 2015-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9632294B2 (en) | Micro-channel-cooled high heat load light emitting device | |
JP6150894B2 (ja) | マイクロチャンネル冷却型高熱負荷発光デバイス | |
TWI557379B (zh) | 微通道冷卻高熱負載發光裝置 | |
KR101164758B1 (ko) | 경화용 발광 다이오드를 사용하기 위한 방법 및 장치 | |
US8698171B2 (en) | Solid state lighting component | |
US9793247B2 (en) | Solid state lighting component | |
WO2011086416A1 (ja) | Ledユニット | |
JP6348595B2 (ja) | Ledモジュール | |
KR20160010352A (ko) | 광조사장치 | |
TWI569477B (zh) | 微通道冷卻之高熱負載發光裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150819 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160602 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170417 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170425 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170523 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6150894 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |