CN110073504A - 高光电转换效率的太阳能电池、其制造方法、太阳能电池组件和光伏发电系统 - Google Patents

高光电转换效率的太阳能电池、其制造方法、太阳能电池组件和光伏发电系统 Download PDF

Info

Publication number
CN110073504A
CN110073504A CN201680090766.0A CN201680090766A CN110073504A CN 110073504 A CN110073504 A CN 110073504A CN 201680090766 A CN201680090766 A CN 201680090766A CN 110073504 A CN110073504 A CN 110073504A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive type
protective film
diffusion layer
area
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680090766.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110073504B (zh
Inventor
三田怜
渡部武纪
大塚宽之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN110073504A publication Critical patent/CN110073504A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110073504B publication Critical patent/CN110073504B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

[问题]为了提供一种低成本、高产率、可以容易地制造的背面接触型的高光电转换效率的太阳能电池。[解决方案]在该高光电转换效率的太阳能电池中，在第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上设置：扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层，扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层，和在第一导电型扩散层和第二导电型扩散层之间形成的高电阻层或本征半导体层。

Description

高光电转换效率的太阳能电池、其制造方法、太阳能电池组件 和光伏发电系统
技术领域
本发明涉及背面接触型的高光电转换效率的太阳能电池、其制造方法、太阳能电池组件和光伏发电系统。
背景技术
太阳能电池单元典型地由尺寸为100～150mm2、厚度为0.1～0.3mm的板状的多晶硅或单晶硅等制成，太阳能电池单元的主要材料为掺杂有硼等p型杂质的p型半导体基板。在这种太阳能电池单元中，n型扩散层(发射极层)和防反射膜形成于接受太阳光的受光面上，并形成贯通防反射膜以与发射极层接触的电极。
在太阳能电池单元中，电极对于取出光伏转换而得的电流是必不可少的。然而，由于电极的遮蔽，太阳光不能射入受光面上的电极区域下方的部位，电极的面积越大，转换效率下降得越多，电流越小。由受光面上形成的电极所造成的这样的电流损失称为阴影损失(shadow loss)。
相对的，背面接触型太阳能电池单元不具有阴影损失，没有形成于受光面上的电极，因而除了防反射膜无法防止反射的少量反射光以外能够吸收其中几乎100％的入射太阳光。因此原则上可以实现高转换效率。
典型地，背面接触型太阳能电池单元100具有如图1所示的截面结构。背面接触型太阳能电池单元100包括半导体基板101、发射极层104、BSF(Back Surface Field，背面场)层106、防反射膜兼钝化膜107及108、和电极109及110。
半导体基板101为背面接触型太阳能电池单元100的主要材料，且由单晶硅或多晶硅等制成。虽然可使用p型基板或n型基板，但经常使用掺杂有磷等n型杂质的n型硅基板。下文中，将以使用n型硅基板的情况为例进行说明。对于半导体基板101，优选尺寸为100～150mm2且厚度为0.1～0.3mm的板状的基板，一个主表面用作受光面，另一主表面用作非受光面(背面)。
用于光学限制的凹凸结构形成于受光面上。通过将半导体基板101浸渍于酸性或碱性溶液一定时间来获得凹凸结构。典型地，该凹凸结构称为纹理(texture)。
背面以发射极层104为掺杂有硼等p型杂质的p型扩散层、BSF层106为掺杂有磷等n型杂质的n型扩散层来形成。
由SiN(氮化硅)等制成的防反射膜兼钝化膜107、108进一步分别在形成有纹理的受光面以及形成有发射极层104和BSF层106的背面上形成。
然后，形成电极109以与发射极层104接触，形成电极110以与BSF层106接触。这些电极可在通过使用蚀刻糊剂等打开触点(contacts)之后通过溅射等来形成，或者可通过使用丝网印刷法来形成。当要使用丝网印刷法时，将含有玻璃料等的导电性银糊剂印刷在防反射膜兼钝化膜108上并干燥，从而在烧结后分别与发射极层104和BSF层106接触。通过烧结导电性银糊剂，分别形成与发射极层104接触的电极109和与BSF层106接触的电极110，贯通防反射膜兼钝化膜107、108。电极109、110各自由用于外部取出在背面接触型太阳能电池单元100中产生的光生电流的母线(bus bar)电极、和与母线电极接触的集电用栅线电极(finger electrode)构成(图示省略)。
在具有图1所示结构的背面接触型太阳能电池单元中，如果作为p型扩散层的发射极层和作为n型扩散层的BSF层之间的邻接区域在背面中的总长过长，在操作状态下，即当施加正向偏压时，漏电流容易由于隧道效应或通过杂质状态而流动，因而使得难以提高转换效率。
进一步地，在发射极层和BSF层邻接的情况下，当电极在一层上形成时，形成位置可以移位使得电极同样与另一层连接，因此减少并联电阻。当电极与发射极层宽度相比典型地以窄的宽度在BSF层上形成时，该问题尤为显著。
可以通过使发射极层和BSF层贯穿背面以它们之间有一定间隔地形成来避免这些问题。此时，发射极层和BSF层之间的间隔优选适度地狭窄。然而，如果将间隔控制在几μm至几十μm的量级，制造成本会很高且生产性会下降，由此这种控制是不现实的。同时，当间隔扩展至几百μm的量级时，除了使发射极层面积相对小外别无选择，致使少数载流子收集效率降低，电流因此减少。即转换效率降低。
因此，提出了一种使用激光等在发射极层和BSF层之间挖掘沟槽以在空间上分隔两层的方法(参照专利文献1，非专利文献1)。然而，这类加工有破坏半导体基板本体从而导致转换效率降低的风险，进一步地，附加的加工步骤增加制造成本。当两层的分隔不完全且留下一些未分隔区域时，在对太阳能电池单元施加反向偏压的情况下，漏电流会集中在非分隔区域。例如，当由太阳能电池单元构成的组件的一部分被遮蔽时，位于遮蔽地方的太阳能电池单元被施加反向偏压，漏电流集中在其上。如上所述的漏电流集中的地方会局部变热并且因此有着火的风险。
为了消除这类风险，太阳能电池单元和组件的制造商将旁路二极管引入组件中，同时还测量反向偏压下电池单元的漏电流。当该测量电流超过标准值时，不将此类组件作为产品出货。然而，在背面接触型太阳能电池单元中，由于作为p型扩散层的发射极层和作为n型扩散层的BSF层之间的边界与常规太阳能电池单元中的相比非常长，因此很难达到标准值。这导致了如下问题：当通过重视性能和安全性来严格执行标准值时产量下降，反之，当优先考虑产量时，性能和安全性下降。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP 2013-521645 T
非专利文献
非专利文献1：Ngwe Zin等人，"LASER-ASSISTED SHUNT REMOVAL ON HIGH-EFFICIENCY SILICON SOLAR CELLS,"27th European Photovoltaic Solar EnergyConference and Exhibition
发明内容
发明要解决的问题
本发明是为了解决上述问题而做出的，并且本发明的目的为提供背面接触型的高光电转换效率的太阳能电池、其制造方法、太阳能电池组件、和光伏发电系统。
用于解决问题的方案
(1)本发明的高光电转换效率的太阳能电池在第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上包括：扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层；扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层；以及在第一导电型扩散层和第二导电型扩散层之间形成的高电阻层或本征半导体层。(2)同时，与第一导电型扩散层相连接的第一电极和与第二导电型扩散层连接的第二电极中的任一者还与高电阻层或本征半导体层连接。
如上所述，由于本发明的太阳能电池具有简单的结构，其中对应于BSF层和发射极层的第一导电型扩散层和第二导电型扩散层通过高电阻层或本征半导体层彼此隔开，由此可以低成本、良好产率、简单地制造太阳能电池。利用彼此被高电阻层或本征半导体层隔开的发射极层和BSF层，在操作状态下，即施加正向偏压时，切断漏电流从而防止并联电阻的下降，因此可以获得具有良好转换效率的背面接触型太阳能电池。当施加反向偏压时，电流在整个电池单元的面内均匀泄漏，防止电池单元局部变热和由着火等造成的致命损坏，从而提高可靠性。此外，在发射极层或BSF层上形成电极时，即使形成位置发生位移，电极也仅与高电阻层或本征半导体层连接，因此能防止并联电阻的下降。
(3)在半导体基板的背面设置高度差。当从上方观察背面时，第一导电型扩散层和第二导电型扩散层的任一者可以设置在上段且另一个设置在下段，高电阻层或本征半导体层可以设置在上段。因此，形成电极时，特别是通过烧结贯通(firing through)技术在下段的一个导电型扩散层上形成电极时，电极几乎不与上段连接，进一步地，高电阻层或本征半导体层形成在上段的近端部，因此使电极更加不可能与其他导电型扩散层连接。
(4)当从上方观察背面时，例如，可形成高电阻层或本征半导体层，其宽度使第一导电型扩散层和第二导电型扩散层之间的间隔为1μm以上且100μm以下。因此可以更加可靠地获得由于阻断漏电流而改进转换效率的效果。
(5)例如，高电阻层可以通过扩散第一导电型杂质和第二导电型杂质二者来更加容易地形成。
(6)根据本发明的高光电转换效率的太阳能电池的制造方法是如下的太阳能电池的制造方法：其中，在设置有第一区域、第二区域和第三区域的第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上，在第一区域形成扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层，在第二区域形成扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层，在第一区域与第二区域之间的第三区域形成扩散有第一导电型杂质和第二导电型杂质的高电阻层，所述方法包括：第二杂质扩散步骤，其在半导体基板的整个背面扩散第二导电型杂质，从而形成第二导电型扩散层；保护膜形成步骤，其在第二导电型扩散层上形成保护膜；第一保护膜去除步骤，其将保护膜的覆盖第二区域的部分去除，同时从与覆盖第一区域的部分的边界起朝向与覆盖第二区域的部分的边界，保护膜的覆盖第三区域的部分的厚度从成膜厚度连续变薄至几乎为0；第二导电型扩散层去除步骤，其将在保护膜去除后露出的第二导电型扩散层去除，从而露出第二区域；第一杂质扩散步骤，其在第二区域和在透过保护膜连续变薄的部分的第三区域中扩散第一导电型杂质，从而分别形成第一导电型扩散层和高电阻层；和第二保护膜去除步骤，其去除剩余的保护膜。
(7)根据本发明的高光电转换效率的太阳能电池的另一制造方法是如下的太阳能电池的制造方法：其中，在设置有第一区域、第二区域和第三区域的第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上，在第一区域形成扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层，在第二区域形成扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层，在第一区域与第二区域之间的第三区域形成扩散有第一导电型杂质和第二导电型杂质的高电阻层，所述方法包括：第一杂质扩散步骤，其在半导体基板的整个背面扩散第一导电型杂质，从而形成第一导电型扩散层；保护膜形成步骤，其在第一导电型扩散层上形成保护膜；第一保护膜去除步骤，其将保护膜的覆盖第二区域的部分去除，同时从与覆盖第一区域的部分的边界起朝向与覆盖第二区域的部分的边界，保护膜的覆盖第三区域的部分的厚度从成膜厚度连续变薄至几乎为0；第一导电型扩散层去除步骤，其将在保护膜去除后露出的第一导电型扩散层去除，从而露出第二区域；第二杂质扩散步骤，其在第二区域和在透过保护膜连续变薄的部分的第三区域中扩散第二导电型杂质，从而分别形成第二导电型扩散层和高电阻层；和第二保护膜去除步骤，其去除剩余的保护膜。
在通过这些制造方法制造的太阳能电池中，作为发射极层的第二导电型扩散层和作为BSF层的第一导电型扩散层，被可以高产率、容易地形成的高电阻层或本征半导体层彼此分隔。因此在操作状态下，即施加正向偏压时，切断漏电流从而防止并联电阻的下降，因此可以获得高转换效率的太阳能电池。当施加反向偏压时，电流在电池单元的面内均匀地泄漏，防止电池单元局部变热和由着火等造成的致命损坏，因此提高可靠性。此外，在发射极层或BSF层上形成电极时，即使形成位置发生位移，电极也仅与高电阻层或本征半导体层连接，因此能防止并联电阻的下降。
(8)通过例如对保护膜的覆盖第二区域的部分涂布蚀刻糊剂或用激光照射同一部分，可以在第一保护膜去除步骤中将保护膜去除及薄化。通过对覆盖第二区域的部分涂布蚀刻糊剂或用激光照射同一部分，从蚀刻糊剂流出的蚀刻溶液或激光的能量传播到邻接第二区域的、覆盖第三区域的部分，从最远传播位置到第三区域和第二区域之间的边界，能量连续增加。因此，不仅第二区域中的保护膜可以被去除，而且第三区域中的保护膜也可以部分地去除，使得保护膜厚度从成膜厚度连续变薄至几乎为0。
(9)保护膜可以是氧化硅膜、氮化硅膜、含杂质的玻璃层、或通过层叠其中的两种或多种形成的层叠体。因此，例如通过原样留下杂质扩散时形成的玻璃层并作为保护膜使用，太阳能电池可以通过省略去除玻璃层的步骤而更加容易且经济地制造。
(10)可以连接多个本发明的高光电转换效率的太阳能电池来构成太阳能电池组件。
(11)光伏发电系统可以使用通过连接多个本发明的太阳能电池形成的太阳能电池组件构成。
附图说明
图1是说明常规背面接触型太阳能电池单元的构造的一个实例的视图。
图2(a)和2(b)是说明本发明的背面接触型太阳能电池单元的构造的视图。
图3是说明本发明的背面接触型太阳能电池单元的制造方法的流程图。
图4(a)和4(b)是说明本发明的背面接触型太阳能电池单元的构造的其他视图。
图5是说明本发明的背面接触型太阳能电池单元的制造方法的另一流程图。
图6为说明使用本发明的背面接触型太阳能电池单元构造的太阳能电池组件的构造例的示意图。
图7为说明图6中所示的太阳能电池组件的背面的构造例的示意图。
图8为说明图6中所示的太阳能电池组件的截面的构造例的示意图。
图9为说明使用图6中所示的太阳能电池组件构造的光伏发电系统的构造例的示意图。
具体实施方式
下文中，将描述本发明的实施方案。包括用于描述现有技术的附图在内的各图中共同的构成要素以相同的附图标记提供。
[第一实施方案]
图2(a)说明本发明的背面接触型太阳能电池单元200的构造。背面接触型太阳能电池单元200包括半导体基板101，发射极层104，BSF层106，防反射膜兼钝化膜107、108，电极109、110，和高电阻层202。背面接触型太阳能电池单元200通过在图1所示的常规背面接触型太阳能电池单元100的发射极层104和BSF层106之间形成高电阻层202来获得。在下文中，将参考图3描述背面接触型太阳能电池单元200的制造过程。
半导体基板101为背面接触型太阳能电池单元200的主要材料，且由单晶硅或多晶硅等制成。虽然可以使用p型基板或n型基板，但在本文中，将以含有磷等杂质且电阻率为0.1～4.0Ω·cm的n型硅基板的情况为例进行描述。对于半导体基板101，优选尺寸为100～150mm2且厚度为0.05～0.30mm的板状的基板，一个主表面用作受光面，另一主表面用作非受光面(背面)。
在制造背面接触型太阳能电池单元200之前，将半导体基板101浸渍于酸性溶液等中用于损伤蚀刻，从而除去由切片(slicing)等引起的表面的损伤，然后清洁并干燥半导体基板101。
在损伤蚀刻后的半导体基板101的背面上形成发射极层104(S1)。首先，如氧化硅膜等保护膜102形成于半导体基板101的整个表面上(S1-1)。具体地，膜厚度约30～300nm的氧化硅膜通过例如热氧化法形成，其中半导体基板101置于800～1100℃的高温下的氧气气氛中。随后，通过丝网印刷，将抗蚀糊剂涂布至覆盖除了在半导体基板101的背面上形成发射极层104的区域以外的区域的保护膜102部分，接着将抗蚀糊剂固化(S1-2)。然后将半导体基板101浸渍于氢氟酸水溶液中，从而除去覆盖用于形成发射极层104的区域的保护膜102(S1-3)，并进一步浸渍于丙酮等来除去抗蚀糊剂103(S1-4)。然后，在已除去保护膜102的区域通过例如热扩散法扩散p型杂质，从而形成作为p型扩散层的发射极层104和玻璃层105(S1-5)。具体地，例如通过将该半导体基板101置于含有BBr3的800～1100℃的高温气体中，硼在未形成有保护膜102的区域扩散，从而形成玻璃层105和薄层电阻为约20～300Ω/□的发射极层104。接着将半导体基板101浸渍于稀释的氢氟酸溶液等化学品中以除去残留的保护膜102和玻璃层105，并通过去离子水清洁(S1-6)。这导致p型杂质在其中扩散的发射极层104在半导体基板101的背面的期望的区域中形成。
接下来，以下述方式在半导体基板101的背面上形成BSF层106和高电阻层202(S2)。
如氧化硅膜等保护膜102在形成有发射极层104的半导体基板101的整个表面上形成(S2-1)。具体地，膜厚约30～300nm的氧化硅膜通过例如热氧化法形成，其中半导体基板101置于800～1100℃的高温下的氧气气氛中。
其后，通过丝网印刷，将用于蚀刻保护膜102的蚀刻糊剂201涂布至保护半导体基板101的背面上未形成有发射极层104的区域的保护膜102部分，然后将印刷的糊剂加热干燥(S2-2)。
在这种情况下，在印刷后即刻且在加热期间，蚀刻溶液从印刷的糊剂中渗出。为此，当通过将涂布有蚀刻糊剂201的半导体基板101浸渍于氢氧化钾水溶液中或通过一些其他手段来去除蚀刻糊剂201时，不仅保护膜102的厚度在印刷蚀刻糊剂201的区域变得几乎为0，而且在邻接印刷蚀刻糊剂201的区域的、发射极层104上的保护膜102的厚度也从成膜厚度连续变薄(S2-3)。即，从印刷糊剂渗出的蚀刻溶液的量从发射极层104上的最远到达位置到涂布有蚀刻糊剂201的位置逐渐增加。因此，在保护膜102中可以形成从成膜时的原始厚度连续变薄至几乎为0的部分。
其后，在由于去除蚀刻糊剂201而导致的保护膜102的厚度几乎为0的区域和保护膜102的厚度连续变薄的区域，例如，n型杂质通过热扩散法扩散。具体地，该半导体基板101置于例如含POCl3等的850～1100℃的高温气体中。因此，在保护膜102的厚度几乎为0的区域，形成玻璃层105以及作为n型扩散层的薄层电阻为约30～300Ω/□的BSF层106。同时，在保护膜102连续变薄的区域，通过混合先前为形成发射极层104而扩散的硼和透过厚度减少的保护膜102扩散的磷，形成高电阻层202(S2-4)。由此形成的高电阻层202的薄层电阻很难精确测量，尽管取决于杂质的混合物，但是其估计为几百至几千Ω/□或更大。
通过改变蚀刻糊剂201的粘度以调整渗出量，可以控制在发射极层104和BSF层106之间形成的高电阻层202的宽度。从防止发射极层104和BSF层106之间的漏电流的观点和从为形成电极的位移提供灵活性的观点来看，高电阻层202的宽度需要至少是1μm。同时，从保证发射极层104必需的最小面积的观点来看，高电阻层202的宽度优选为100μm以下。
然后，将半导体基板101浸渍于例如稀释的氢氟酸溶液等化学品中以去除剩余的保护膜102和玻璃层105，并用去离子水清洁(S2-5)。因此，在半导体基板101的背面上无发射极层104的区域，形成扩散有n型杂质的BSF层106，并且在发射极层104和BSF层106之间形成扩散有n型杂质和p型杂质二者的高电阻层202。
其后，称为纹理的凹凸结构形成于半导体基板101的受光面上(S3)。纹理可通过将半导体基板101浸渍于酸性或碱性溶液一定时间来形成。例如，纹理可通过借助于丝网印刷将抗蚀糊剂涂布至半导体基板101的整个背面、固化抗蚀糊剂、然后通过使用氢氧化钾水溶液等将半导体基板101的背面化学蚀刻、接着清洁干燥来形成。通过形成纹理，经受光面入射的光多重反射以将其限制在半导体基板101中，从而使得能够有效地减少反射率并改进转换效率。之后，将半导体基板101浸渍于丙酮等来除去涂布至半导体基板101的整个背面的抗蚀糊剂。注意，纹理可以在发射极层104和BSF层106形成之前形成。纹理也可以形成于半导体基板101的背面上。另外，FSF(Front Surface Field，正面场)层可进一步形成于半导体基板101的受光面上。
随后，由SiN(氮化硅)等制成的防反射膜兼钝化膜107、108分别形成于半导体基板101的两面(S4)。在氮化硅膜的情况下，其通过例如SiH4和NH3的混合气体被N2稀释、并借由辉光放电分解来等离子体气化的等离子体CVD法或通过一些其他方法来形成。考虑到与半导体基板101的折射率之差，防反射膜兼钝化膜107、108各自形成为折射率为约1.8～2.3和厚度为约50～100nm。该膜起到防止半导体基板101的正面上的光反射并将光有效地吸收在半导体基板101中的功能，并且还起到对n型扩散层具有钝化作用的钝化膜的功能，从而发挥改进太阳能电池单元的电气特性的效果。注意，防反射膜兼钝化膜107、108可以为氧化硅、碳化硅、非晶硅、氧化铝、或氧化钛等的单层膜，或者通过将这些组合而形成的层叠膜。半导体基板101的受光面和背面中可使用不同的膜。
随后，形成电极109、110(S5)。电极可通过例如借助于蚀刻糊剂等在防反射膜兼钝化膜108中设置开口部并进行溅射来形成，或者可通过丝网印刷法来形成。在使用丝网印刷法的情况下，首先，将含有例如银粉、玻璃料或清漆的导电性糊剂丝网印刷在防反射膜兼钝化膜108的、待形成与发射极层104连接的电极109的部分以及其待形成与BSF层106连接的电极110的部分上，然后干燥导电性糊剂。然后将上述印刷的导电性糊剂在约500℃～950℃下烧结约1～60秒，从而贯通防反射膜兼钝化膜108(烧结贯通)。这使得烧结的银粉与发射极层104或BSF层106电连接，从而形成电极109、110。注意，形成电极时的烧结可以一次进行，或者可以分开多次进行。另外，待涂布至发射极层104上的导电性糊剂和待涂布至BSF层106上的导电性糊剂可以不同。
各电极由用于外部提取太阳能电池单元中产生的光生电流的母线(bus bar)电极，和与这些母线电极连接的集电用栅线电极(finger electrodes)构成。
从上述描述中可以看出，高电阻层202可以低成本、良好产率、容易地形成。进一步地，利用该层将发射极层104和BSF层106彼此分隔，在操作状态下，即当施加正向偏压时，切断露电流以防止并联电阻的减少，因此可以获得高转换效率的太阳能电池。当施加反向偏压时，电流在整个电池单元的面内均匀泄漏，防止电池单元局部变热和由着火等造成的致命损坏，从而提高可靠性。
此外，在发射极层104或BSF层106上形成电极109或110时，即使形成位置发生位移，如图2(b)所示，电极109或110也仅与高电阻层202连接，因此能防止由于电极109或110与其他层连接会发生的并联电阻的减少。
如上所述，根据本发明的背面接触型太阳能电池的构造和制造方法，通过比具有从前结构的背面接触型太阳能电池的制造方法更少的步骤，可以容易地提供一种低成本、良好产率和优异转换效率的背面接触型太阳能电池。
注意，通过进行激光照射代替涂布蚀刻糊剂的方法可以形成保护膜连续变薄的部分。即，在上述实施方案中，激光照射覆盖半导体基板101的BSF层106的待形成区域的保护膜102的部分，使得能量注入到保护膜102的该部分中，且能量同样传播到邻接激光照射区域的、覆盖发射极层104的保护膜102的部分。能量的传播强度从能量到达的最远位置到能量照射的区域连续增大，因此能形成保护膜102的厚度连续变薄的部分。注意，保护膜102的覆盖BSF层106的待形成区域的部分以高能量密度(fluence)激光照射，保护膜102的覆盖用于形成高电阻层202的区域的部分以相对低能量密度激光照射，因此允许更加精确的控制膜厚度。
采用通过激光照射去除保护膜的方法，可以省略复杂且高成本的印刷、加热和干燥蚀刻糊剂的步骤。即，在图3所示的制造过程中，通过进行激光照射这一个步骤可以完成S2-2和S2-3两个步骤。这可以进一步降低制造成本。
[第二实施方案]
在第一实施方案的制造方法中，发射极层形成在半导体基板背面的一部分上，此后，BSF层形成在背面的未形成有发射极层的区域。然而，发射极层一旦形成在半导体基板的整个背面上之后，通过碱蚀刻等去除BSF层的待形成区域中的发射极层，以在去除区域形成BSF层。图4(a)说明通过第二实施方案的制造方法制造的背面接触型太阳能电池单元200的构造，图5说明其制造过程。
半导体基板101可以是如第一实施方案中所述的p型基板或n型基板。在这种情况下，以n型硅基板的情况作为实例进行描述。首先，发射极层104以下述方式在整个背面形成(S6)。保护膜102形成在损伤蚀刻后的半导体基板101的整个表面上(S6-1)，且去除整个背面上的保护膜(S6-2)。其后，p型杂质在整个背面扩散，形成作为p型扩散层的发射极层104和玻璃层105(S6-3)，去除保护膜102和玻璃层105(S6-4)。这使得在半导体基板101的整个背面形成发射极层104。
其次，以下述方式在半导体基板101的背面形成BSF层106和高电阻层202(S7)。首先，保护膜102在整个背面已形成有发射极层104的半导体基板101的两面上形成(S7-1)。
其后，蚀刻糊剂201通过丝网印刷涂布在保护膜102的覆盖用于形成BSF层106的区域的部分，然后加热干燥(S7-2)。同时，从印刷到加热，蚀刻溶液从印刷的糊剂中渗出。
为此，当通过将涂布有蚀刻糊剂201的半导体基板101浸渍于氢氧化钾水溶液中或通过一些其他手段去除蚀刻糊剂201时，不仅保护膜102的厚度在印刷蚀刻糊剂201的区域变得几乎为0，而且在邻接印刷蚀刻糊剂201的区域的、发射极层104上的保护膜102的厚度也从成膜厚度连续变薄(S7-3)。即，由于从印刷糊剂渗出并到达发射极层104的蚀刻溶液的量从发射极层104上最远到达位置到涂布有蚀刻糊剂201的位置逐渐增加，因此，可以在保护膜102中形成从成膜的原始厚度连续变薄至几乎为0的部分。
其后，通过碱蚀刻等去除在半导体基板101的用于形成BSF层106的区域形成的发射极层104(S7-4)。然后，在半导体基板101的发射极层104已去除的区域和保护膜102连续变薄的区域，例如，n型杂质通过热扩散法扩散。因此，在发射极层104已去除的区域，形成作为n型扩散层的BSF层106和玻璃层105。同时，在保护膜102连续变薄的区域形成高电阻层202，所述高电阻层202通过混合预先扩散以形成发射极层104的硼和透过厚度减少的保护膜102扩散的磷而获得(S7-5)。然后去除剩余的保护膜102和玻璃层105(S7-6)。因此，扩散有n型杂质的BSF层106形成在半导体基板101的背面上未形成发射极层104的区域，且扩散有n型杂质和p型杂质二者的高电阻层202形成在发射极层104和BSF层106之间。
根据第二实施方案的方法，由于将抗蚀剂图案化以部分地形成发射极层的步骤变得不需要，所以可从第一实施方案的方法中消除该步骤，从而更加减少制造成本。
在该方法中，由于发射极层一旦形成在半导体基板的整个背面上之后，去除BSF层的待形成部分中的发射极层，所以如图4(a)所示，在发射极层已去除的区域(即形成BSF层的区域)和发射极层未去除的区域(即形成发射极层和高电阻层的区域)之间出现高度差。具体地，当从上方观察背面时，发射极层和高电阻层形成在上段，BSF层与高电阻层邻接、形成在下段。利用如上所述形成的高度差，在形成电极时，特别是通过烧结贯通技术在下段的BSF层上形成电极时，电极几乎不与上段连接，进一步地，高电阻层形成在从BSF层观察的上段的近端部，因此使得电极更加不可能与发射极层连接(参考图4(b))。
在本文中，已经说明了如下的方法：其中发射极层一旦形成在半导体基板的整个背面上之后，去除BSF层的待形成区域中的发射极层，从而在发射极层去除的地方形成BSF层。然而，发射极层一旦形成在半导体基板整个背面上之后，可以去除发射极层的待形成区域中的BSF层，从而在BSF层去除的地方形成发射极层。在此情况下，当从上方观察背面时，BSF层和高电阻层形成在上段，发射极层与高电阻层邻接、形成在下段。
[变形例]
尽管上述各实施方案中，半导体基板是n型硅基板，但是当半导体基板是p型硅基板时，发射极层可以由n型扩散层构成，且BSF层可以由p型扩散层构成。
尽管上述各实施方案中说明了高电阻层形成在发射极层和BSF层之间的情况，但是可以设置本征半导体层来替代高电阻层。由于本征半导体具有非常低的载流子密度，所以如设置高电阻层的情况，可以防止露电流在发射极层和BSF层之间流动。此外，在发射极层或BSF层上形成电极时，即使形成位置发生位移，但是由于本征半导体层的存在，电极也仅与本征半导体层连接，因此能防止由于电极与其他层连接会发生的并联电阻的减少。
尽管上述各实施方案说明了保护膜是氧化硅膜的情况，但是它不一定必需是氧化硅膜，而可以是例如氮化硅膜、预先在扩散时形成的含杂质的玻璃层，或这些的层叠体。在保护膜是氮化硅膜的情况下，当保护膜通过例如等离子体CVD法形成时，其不需要在高温下加热，因此防止在高温加热的情况下发生的损寿物(lifetime killer)的污染。进一步地，原样使用在杂质扩散时形成的玻璃层作为保护膜，可以省略形成保护膜的步骤，因此更加降低制造成本。
根据上述各实施方案制作的背面接触型太阳能电池单元可用于太阳能电池组件。图6为说明太阳能电池组件300的构造例的示意图。太阳能电池组件300具有多个背面接触型太阳能电池单元200以砖片(tile)的形式平铺的结构。对于多个背面接触型太阳能电池单元200，几个至几十个彼此相邻的电池单元串联电连接，从而构成称为串(string)的串联电路。图7说明串的概述。图7对应于通常不可见的太阳能电池组件300的内部背面侧的示意图。在图7中，为了清楚描述起见而省略栅线和母线。为了构成串联电路，彼此相邻的背面接触型太阳能电池单元200的P母线和N母线通过引线320连接。图8说明太阳能电池组件300的截面示意图。如上所述，串通过将多个背面接触型太阳能电池单元200借助于引线320与母线310的连接而成。串典型地由透光性填充剂330如EVA(乙烯-乙酸乙烯酯)密封，非受光面(背面)侧由耐候性树脂膜340如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)覆盖，受光面由具有透光性和高机械强度的受光面保护材料350如钠钙玻璃覆盖。作为填充剂330，除了EVA以外，还可使用聚烯烃或硅酮等。
多个太阳能电池组件可连接构成光伏发电系统。图9为说明通过将多个由本发明的多个背面接触型太阳能电池单元200构成的太阳能电池组件300耦合(coupling)所形成的光伏发电系统400的构造例的示意图。光伏发电系统400通过布线410串联耦合多个太阳能电池组件300来形成并通过逆变器420向外部负载电路430供给所产生的电力。尽管图9中未示出，但光伏发电系统可进一步包括用于储存所产生的电力的二次电池。
本发明不限于上述实施方案和变形例。这些实施方案是说明性的，并且具有与权利要求中所述的技术思想实质上相同的构成并发挥与之类似的功能效果的发明，即使已做出了任何改变也包括在本发明的技术范围内。
实施例
使用通过下列实施例和比较例中所示方法制造的产品来评价本发明的效果。
准备掺杂有磷并通过切片成具有0.2mm厚度而生产的、且由电阻率为约1Ω·cm的n型单晶硅制成的n型硅基板，并对其进行外径加工，从而形成边长为15cm的正方形板状。将该基板浸渍于硝氟酸溶液15秒以进行损伤蚀刻，其后用去离子水清洁并干燥。
<比较例1>
在比较例1中，通过常规方法制造背面接触型太阳能电池单元。具体地，在进行下述步骤后，进行后述的第一和第二共同步骤。
将损伤蚀刻后的n型硅基板置于氧气气氛中并在1000℃的温度下热氧化120分钟，从而在基板的两面上形成厚度70nm的氧化硅膜。然后，将抗蚀糊剂丝网印刷在形成于基板背面的氧化硅膜上的BSF层的待形成区域上，并在100℃的温度下加热干燥。在该情况下，利用具有800μm宽度的发射极层和具有200μm宽度的BSF层，丝网印版形成为具有指叉型背接触电池(interdigitated back contact cell)的结构的图案，其中发射极层和BSF层交替形成。作为抗蚀糊剂，使用Lektrachem Ltd.制造的糊剂185。将基板浸渍于2％氢氟酸水溶液来部分除去氧化硅膜，同时使该膜留在BSF层的待形成区域上，然后浸渍于丙酮中以除去抗蚀糊剂，之后，将基板用去离子水清洁并干燥。接下来，在900℃的温度下在BBr3气体气氛中对基板的背面进行热扩散处理20分钟，从而在基板的背面上形成作为发射极层的p型扩散层及玻璃层。所形成的p型扩散层具有约70Ω/□的薄层电阻和0.5μm的扩散深度。其后，将该基板浸渍于25％氢氟酸水溶液，然后用去离子水清洁并干燥以除去氧化硅膜和玻璃层。
将如上所述形成有发射极层的基板置于氧气气氛中并在1000℃的温度下热氧化120分钟，从而在基板的两面上形成厚度为70nm的氧化硅膜。然后将抗蚀糊剂丝网印刷在形成于基板背面上的氧化硅膜的发射极层形成地方，在100℃的温度下加热干燥。在这种情况下，作为抗蚀糊剂，使用Lektrachem Ltd.制造的糊剂185。将基板浸渍于2％氢氟酸水溶液中从而部分地去除氧化硅膜，同时使该膜留在发射极层形成的地方上，然后浸渍于丙酮中从而去除抗蚀糊剂。
<实施例1>
在实施例1中，通过第一实施方案的方法制造背面接触型太阳能电池单元。具体地，在进行下述步骤后，进行后述的第一和第二共同步骤。
将如比较例1中一样形成有发射极层的基板置于氧气气氛中，并在1000℃的温度下热氧化120分钟，从而在基板的两面上形成厚度为70nm的氧化硅膜。然后，将蚀刻糊剂丝网印刷在形成于基板背面上的氧化硅膜的、未形成有发射极层的、BSF层的待形成区域，且在300℃温度下加热干燥。在这种情况下，作为蚀刻糊剂，使用Merck Ltd.制造的糊剂SolarEtch(注册商标)BES Type 10。此后，将基板浸渍于含1％氢氧化钾的溶液中从而去除蚀刻糊剂。通过该技术，在蚀刻糊剂印刷地方的正下方，即在未形成有发射极层的、BSF层的待形成区域，去除了氧化硅膜且膜厚度变得几乎为0nm。进一步地，由于蚀刻溶液从印刷后的蚀刻糊剂中渗出，所以从印刷部到其两端的30μm长度内，发射极层上的氧化硅膜的厚度从70nm连续变薄至0nm。
<实施例2>
在实施例2中，通过第二实施方案的方法制造背面接触型太阳能电池单元。具体地，在进行下述步骤后，进行后述的第一和第二共同步骤。
在BBr3气体气氛中且在900℃的温度下对损伤蚀刻后的n型硅基板的整个背面进行热扩散处理20分钟，从而形成作为发射极层的p型扩散层和玻璃层。形成的p型扩散层具有约70Ω/□的薄层电阻和0.5μm的扩散深度。将该基板浸渍于25％氢氟酸水溶液中，然后用去离子水清洁并干燥，从而去除玻璃层。将已去除玻璃层的基板置于氧气气氛中并在1000℃的温度下热氧化120分钟，从而在基板的两面上形成厚度为70nm的氧化硅膜。然后，将蚀刻糊剂丝网印刷在形成于基板背面的、氧化硅膜的、BSF层的待形成区域，且在300℃温度下加热干燥。在这种情况下，作为蚀刻糊剂，使用Merck Ltd.制造的糊剂SolarEtch(注册商标)BES Type 10。此后，将基板浸渍于含1％氢氧化钾的溶液中，从而去除蚀刻糊剂。将该基板浸渍于含25％氢氧化钾的70℃的溶液中5分钟，从而通过化学蚀刻去除残留在BSF层的待形成区域中的p型扩散层，此后，基板用去离子水清洁并干燥。通过该技术，在蚀刻糊剂印刷区域的正下方，即在BSF层的待形成区域，氧化硅膜的厚度为0nm且低于发射极层形成地方，因此形成高度差。进一步地，由于蚀刻溶液从印刷后的蚀刻糊剂中渗出，所以从蚀刻糊剂印刷部到其两端的30μm长度内，发射极层上的氧化硅膜的厚度从70nm连续变薄至0nm。
<实施例3>
在实施例3中，在第二实施方案中保护膜的去除步骤中，采用进行激光照射的方法代替涂布蚀刻糊剂的方法，从而制造背面接触型太阳能电池单元。具体地，在进行下列步骤后，进行后述的第一和第二共同步骤。
在BBr3气体气氛中在900℃的温度下对损伤蚀刻后的n型硅基板的整个背面进行热扩散处理20分钟，从而形成作为发射极层的p型扩散层和玻璃层。形成的p型扩散层具有约70Ω/□的薄层电阻和0.5μm的扩散深度。将该基板浸渍于25％氢氟酸水溶液中，然后用去离子水清洁并干燥，从而去除玻璃层。将已去除玻璃层的基板置于氧气气氛中并在1000℃的温度下热氧化120分钟，从而在基板的两面上形成厚度70nm的氧化硅膜。然后，将形成于基板背面上的、氧化硅膜的、BSF层的待形成区域以能量密度2J/cm2进行激光照射。在这种情况下，作为激光照射装置，使用ROFIN-SINAR Technologies Inc.制造的PowerlineE25/SHG。将激光照射后的基板浸渍于含25％氢氧化钾的70℃的溶液中5分钟，从而通过化学蚀刻去除残留在BSF层的待形成区域中的p型扩散层，此后，基板用去离子水清洁并干燥。通过该技术，在激光照射地方的正下方，即在BSF层的待形成区域，氧化硅膜的厚度为0nm且低于发射极层形成地方，因此形成高度差。进一步地，由于能量从激光照射部正下方的地方起传播，所以从激光照射部到其两端的30μm长度内，发射极层上的氧化硅膜的厚度从70nm连续变薄至0nm。
<比较例2>
除了以0.6J/cm2能量密度进行激光照射以外，比较例2与实施例3类似。作为激光照射的结果，由于能量从激光照射部正下方的地方起传播，所以从激光照射部到其两端的0.5μm长度内，发射极层上的氧化硅膜的厚度从70nm连续变薄至0nm。
<实施例4>
除了以0.9J/cm2能量密度进行激光照射以外，实施例4与实施例3类似。作为激光照射的结果，由于能量从激光照射部正下方的地方起传播，所以从激光照射部到其两端的1μm长度内，发射极层上的氧化硅膜的厚度从70nm连续变薄至0nm。
<实施例5>
除了以4J/cm2能量密度进行激光照射以外，实施例5与实施例3类似。作为激光照射的结果，由于能量从激光照射部正下方的地方起传播，所以从激光照射部到其两端的100μm长度内，发射极层上的氧化硅膜的厚度从70nm连续变薄至0nm。
<比较例3>
除了以5.5J/cm2能量密度进行激光照射以外，比较例3与实施例3类似。作为激光照射的结果，由于能量从激光照射部正下方的地方起传播，所以从激光照射部到其两端的150μm长度内，发射极层上的氧化硅膜的厚度从70nm连续变薄至0nm。
<实施例6>
除了在形成发射极层后不去除玻璃层而形成氧化硅膜以外，实施例6与实施例2类似。具体地，在进行下述步骤后，进行后述的第一和第二共同步骤。
在BBr3气体气氛中在900℃的温度下对损伤蚀刻后的n型硅基板的整个背面进行热扩散处理20分钟，从而在基板的背面形成作为发射极层的p型扩散层和玻璃层。此后，在将基板保留在炉中时，仅更换气体以设置氧气气氛，将基板在1000℃的温度下热氧化120分钟，从而进一步在玻璃层上形成氧化硅膜。形成的p型扩散层具有约80Ω/□的薄层电阻和1.0μm的扩散深度，作为保护膜的玻璃层和氧化硅膜作为层叠体以总膜厚为100nm形成。然后，将蚀刻糊剂丝网印刷在形成于基板背面上的、氧化硅膜和玻璃层的层叠体中的、BSF层的待形成区域上，在300℃的温度下加热干燥。在这种情况下，作为蚀刻糊剂，使用MerckLtd.制造的糊剂SolarEtch(注册商标)BES Type 10。此后，将基板浸渍于含1％氢氧化钾的溶液中，从而去除蚀刻糊剂。将该基板浸渍于含25％氢氧化钾的70℃的溶液中5分钟从而通过化学蚀刻去除残留在BSF层的待形成区域中的p型扩散层，此后，基板用去离子水清洁并干燥。通过该技术，在蚀刻糊剂印刷地方的正下方，即在BSF层的待形成区域，玻璃层和氧化硅膜的层叠体的厚度为0nm且低于发射极层形成地方，因此形成高度差。进一步地，由于蚀刻溶液从印刷后的蚀刻糊剂中渗出，所以从蚀刻糊剂印刷部到其两端的30μm长度内，发射极层上的玻璃层和氧化硅膜的层叠体的厚度从100nm连续变薄至0nm。
<第一共同步骤>
在通过上述比较例1～3和实施例1～6中所示步骤获得的各基板的背面，在POCl3气体气氛中在930℃的温度下进行热扩散处理20分钟，从而在去除氧化硅膜的区域扩散磷，并形成玻璃层和作为BSF层的n型扩散层。形成的n型扩散层具有约30Ω/□的薄层电阻和0.5μm的扩散深度。进一步地，在各实施例1～6中，磷同样从氧化硅膜连续变薄的区域扩散到发射极层，因此形成其中混合有硼和磷的高电阻层。该高电阻层的薄层电阻无法精确测量，但不小于1000Ω/□。之后，将这些基板浸渍于25％氢氟酸水溶液中，然后使用去离子水清洁并干燥，从而去除氧化硅膜和玻璃层。
<实施例7>
实施例7以与实施例3相似的过程制造，但与实施例3不同的是，发射极层和高电阻层是在BSF层形成之后形成的，而在实施例3中，BSF层和高电阻层是在发射极层形成之后形成的。具体地，在进行下述步骤后，进行后述的第二共同步骤。
在POCl3气体气氛中在930℃的温度下对损伤蚀刻后的n型硅基板的整个背面进行热扩散处理20分钟，从而形成作为BSF层的n型扩散层和玻璃层。形成的n型扩散层具有约30Ω/□的薄层电阻和0.5μm的扩散深度。此后，将该基板浸渍于25％氢氟酸水溶液中，然后用去离子水清洁并干燥，从而去除氧化硅膜和玻璃层。将已去除玻璃层的基板置于氧气气氛中并在1000℃的温度下热氧化120分钟，从而在基板的两面上形成厚度为70nm的氧化硅膜。然后，对形成于基板背面上的氧化硅膜中的、发射极层的待形成区域以2J/cm2能量密度进行激光照射。在这种情况下，作为激光照射装置，使用ROFIN-SINAR Technologies Inc.制造的Powerline E25/SHG。将激光照射后的基板浸渍于含25％氢氧化钾的70℃的溶液中5分钟，从而通过化学蚀刻去除残留在发射极层的待形成区域中的n型扩散层，此后，基板用去离子水清洁并干燥。通过该技术，在激光照射地方的正下方，即在发射极层的待形成区域，氧化硅膜的厚度为0nm且低于BSF层形成地方，因此形成高度差。进一步地，由于能量从激光照射部正下方的地方起传播，所以从激光照射部到其两端的30μm的长度内，BSF层上的氧化硅膜的厚度从70nm连续变薄至0nm。其后，在BBr3气体气氛中在930℃温度下对基板背面进行热扩散处理20分钟，从而在已去除氧化硅膜的区域扩散硼，且形成作为发射极层的p型扩散层和玻璃层。形成的p型扩散层具有约80Ω/□的薄层电阻和0.1μm的扩散深度。进一步地，硼同样从氧化硅膜连续变薄的区域扩散至BSF层，因此形成其中混合有硼和磷的高电阻层。此后，将该基板浸渍于25％氢氟酸水溶液中，然后使用去离子水清洁并干燥，从而去除氧化硅膜和玻璃层。
<第二共同步骤>
将抗蚀糊剂丝网印刷在通过各比较例1～3和实施例1～7所示的步骤形成有发射极层、BSF层和高电阻层的基板的整个背面上，在100℃的温度下加热干燥基板。在这种情况下，作为抗蚀糊剂，使用Lektrachem Ltd.制造的糊剂185。将基板浸渍于含2％氢氧化钾和2％IPA的70℃的溶液中5分钟，然后用去离子水清洁并干燥，从而在基板的受光面上形成纹理结构。此后，将基板浸渍于丙酮中，从而去除抗蚀糊剂。
接下来，通过使用SiH4、NH3和N2的等离子体CVD法，在基板的受光面和背面上形成厚度为100nm的作为防反射膜兼钝化膜的氮化硅膜。
通过使用丝网印刷法将导电性银糊印刷在到目前为止经过上述处理的基板的发射极层上，然后在150℃下干燥。通过使用丝网印刷法将导电性银糊印刷在基板的BSF层上，然后在150℃下干燥。在这种情况下，在各比较例1、2中，发现其中电极发生位移并从BSF层突出到发射极层的地方。同时，在各实施例1～7中，发现电极发生位移并在BSF层与发射极层之间的高电阻层上突出的地方。在这种情况下，作为导电性银糊，使用Heraeus Holding制造的SOL9383M。如上所述印刷的导电性糊剂之后在800℃的最大温度下烧结5秒，从而制造根据各比较例和实施例的背面接触型太阳能电池单元。
<实施结果>
表1显示出通过上述比较例1～3和实施例1～7所述的各方法制造的各100个背面接触型太阳能电池单元的平均转换效率、平均短路电流密度、平均开路电压和平均曲线因子(average fill factor)。
[表1]
如表1所示，与依照常规结构的比较例1相比，具有本发明结构的实施例中的任意特性值都高。比较其中高电阻层的宽度彼此不同的实施例3～5和比较例2、3的各个特性值，在高电阻层的宽度如比较例2中一样小于1μm的情况下，无法防止并联电阻的减少，致使曲线因子降低，与之相反的，在高电阻层的宽度如比较例3中一样大于100μm的情况下，由于发射极层的面积减少导致短路电流减少，致使转换效率降低。相应地，为了获得本发明的背面接触型太阳能电池单元中所期待的优异转换效率，高电阻层可以设计为1μm以上且100μm以下的宽度。
附图标记说明
101 半导体基板
102 保护膜
103 抗蚀糊剂
104 发射极层
105 玻璃层
106 BSF层
107、108 防反射膜兼钝化膜
109、110 电极
201 蚀刻糊剂
202 高电阻层

Claims (11)

1.一种高光电转换效率的太阳能电池，其在第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上包括：
扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层；
扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层；和
在所述第一导电型扩散层和所述第二导电型扩散层之间形成的高电阻层或本征半导体层。
2.根据权利要求1所述的高光电转换效率的太阳能电池，其包括：
与所述第一导电型扩散层连接的第一电极；和
与所述第二导电型扩散层连接的第二电极；
其中所述第一电极和所述第二电极中的任一者还与所述高电阻层或所述本征半导体层连接。
3.根据权利要求1或2所述的高光电转换效率的太阳能电池，其中
在所述背面设置高度差，
当从上方观察所述背面时，所述第一导电型扩散层和所述第二导电型扩散层中的任一者设置在上段且另一个设置在下段，和
所述高电阻层或所述本征半导体层设置在所述上段。
4.根据权利要求1至3任一项所述的高光电转换效率的太阳能电池，其中，当从上方观察所述背面时，形成所述高电阻层或所述本征半导体层，其宽度使所述第一导电型扩散层和所述第二导电型扩散层之间的间隔为1μm以上且100μm以下。
5.根据权利要求1至4任一项所述的高光电转换效率的太阳能电池，其中所述第一导电型杂质和所述第二导电型杂质两者都在所述高电阻层中扩散。
6.一种高光电转换效率的太阳能电池的制造方法，其中
在设置有第一区域、第二区域和第三区域的第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上，在所述第一区域形成扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层，在所述第二区域形成扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层，在所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域形成扩散有所述第一导电型杂质和所述第二导电型杂质的高电阻层，所述方法包括：
第二杂质扩散步骤，其在所述半导体基板的整个背面扩散所述第二导电型杂质，从而形成所述第二导电型扩散层；
保护膜形成步骤，其在所述第二导电型扩散层上形成保护膜；
第一保护膜去除步骤，其将所述保护膜的覆盖所述第二区域的部分去除，同时从与覆盖所述第一区域的部分的边界起朝向与覆盖所述第二区域的部分的边界，所述保护膜的覆盖所述第三区域的部分的厚度从成膜厚度连续变薄至几乎为0；
第二导电型扩散层去除步骤，其将在所述保护膜去除后露出的第二导电型扩散层去除，从而露出所述第二区域；
第一杂质扩散步骤，其在所述第二区域和在透过所述保护膜连续变薄的部分的第三区域中扩散所述第一导电型杂质，从而分别形成所述第一导电型扩散层和所述高电阻层；和
第二保护膜去除步骤，其去除剩余的保护膜。
7.一种高光电转换效率的太阳能电池的制造方法，其中
在设置有第一区域、第二区域和第三区域的第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上，在所述第一区域形成扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层，在所述第二区域形成扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层，在所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域形成扩散有所述第一导电型杂质和所述第二导电型杂质的高电阻层，所述方法包括：
第一杂质扩散步骤，其在所述半导体基板的整个背面扩散所述第一导电型杂质，从而形成所述第一导电型扩散层；
保护膜形成步骤，其在所述第一导电型扩散层上形成保护膜；
第一保护膜去除步骤，其将所述保护膜的覆盖所述第二区域的部分去除，同时从与覆盖所述第一区域的部分的边界起朝向与覆盖所述第二区域的部分的边界，所述保护膜的覆盖所述第三区域的部分的厚度从成膜厚度连续变薄至几乎为0；
第一导电型扩散层去除步骤，其将在所述保护膜去除后露出的第一导电型扩散层去除，从而露出所述第二区域；
第二杂质扩散步骤，其在所述第二区域和在透过所述保护膜连续变薄的部分的第三区域中扩散所述第二导电型杂质，从而分别形成所述第二导电型扩散层和所述高电阻层；和
第二保护膜去除步骤，其去除剩余的保护膜。
8.根据权利要求6或7所述的高光电转换效率的太阳能电池的制造方法，其中，通过对所述保护膜的覆盖所述第二区域的部分涂布蚀刻糊剂或用激光照射同一部分，在所述第一保护膜去除步骤中将所述保护膜去除及薄化。
9.根据权利要求6至8任一项所述的高光电转换效率的太阳能电池的制造方法，其中，所述保护膜是氧化硅膜、氮化硅膜、含杂质的玻璃层、或通过层叠其中的两种或多种形成的层叠体。
10.一种太阳能电池组件，其包括多个根据权利要求1至5任一项所述的高光电转换效率的太阳能电池。
11.一种光伏发电系统，其包括根据权利要求10所述的太阳能电池组件。
CN201680090766.0A 2016-11-15 2016-11-15 高光电转换效率的太阳能电池、其制造方法、太阳能电池组件和光伏发电系统 Active CN110073504B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/083811 WO2018092189A1 (ja) 2016-11-15 2016-11-15 高光電変換効率太陽電池、その製造方法、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110073504A true CN110073504A (zh) 2019-07-30
CN110073504B CN110073504B (zh) 2023-04-28

Family

ID=61020721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680090766.0A Active CN110073504B (zh) 2016-11-15 2016-11-15 高光电转换效率的太阳能电池、其制造方法、太阳能电池组件和光伏发电系统

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11201253B2 (zh)
EP (1) EP3355364A4 (zh)
JP (1) JP6266176B1 (zh)
CN (1) CN110073504B (zh)
TW (1) TWI650874B (zh)
WO (1) WO2018092189A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190207041A1 (en) * 2017-12-29 2019-07-04 Sunpower Corporation Solar cells having differentiated p-type and n-type architectures fabricated using an etch paste
US11824126B2 (en) * 2019-12-10 2023-11-21 Maxeon Solar Pte. Ltd. Aligned metallization for solar cells
WO2021149651A1 (ja) * 2020-01-20 2021-07-29 パナソニック インテレクチュアル プロパティ コーポレーション オブ アメリカ 攻撃検知方法、攻撃検知システム、及びプログラム
CN113284961B (zh) * 2021-07-22 2021-09-28 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种太阳能电池及其钝化接触结构、电池组件及光伏系统

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244428A (ja) * 1993-02-15 1994-09-02 Fuji Electric Co Ltd Ｍｏｓ型半導体素子の製造方法
JP2003124483A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Toyota Motor Corp 光起電力素子
JP2007059644A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Toyota Motor Corp 光起電力素子
US20070264746A1 (en) * 2004-12-27 2007-11-15 Naoetsu Electronics Co., Ltd. Back Junction Solar Cell and Process for Producing the Same
US20100029039A1 (en) * 2007-10-18 2010-02-04 Wei Shan Mono-silicon solar cells
US20100224251A1 (en) * 2007-07-13 2010-09-09 Yasushi Funakoshi Method of manufacturing solar cell
US20110306164A1 (en) * 2010-06-11 2011-12-15 Young Su Kim Method for manufacturing solar cell
JP2016004930A (ja) * 2014-06-18 2016-01-12 富士電機株式会社 逆阻止ｉｇｂｔおよびその製造方法
JP2016174154A (ja) * 2015-03-17 2016-09-29 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1321660C (en) * 1985-11-05 1993-08-24 Hideo Yamagishi Amorphous-containing semiconductor device with high resistivity interlayer or with highly doped interlayer
DE10021440A1 (de) 2000-05-03 2001-11-15 Univ Konstanz Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und nach diesem Verfahren hergestellte Solarzelle
US20080173347A1 (en) * 2007-01-23 2008-07-24 General Electric Company Method And Apparatus For A Semiconductor Structure
EP2239788A4 (en) * 2008-01-30 2017-07-12 Kyocera Corporation Solar battery element and solar battery element manufacturing method
US20100108130A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Crystal Solar, Inc. Thin Interdigitated backside contact solar cell and manufacturing process thereof
US8790957B2 (en) 2010-03-04 2014-07-29 Sunpower Corporation Method of fabricating a back-contact solar cell and device thereof
JP5408022B2 (ja) 2010-04-21 2014-02-05 信越化学工業株式会社 太陽電池セル及びその製造方法
TWI532196B (zh) 2011-08-04 2016-05-01 愛美科公司 指叉電極的形成方法以及指叉式背接觸光伏特電池
KR101363141B1 (ko) * 2012-06-29 2014-02-18 주식회사 신성솔라에너지 태양전지의 제조방법
KR102044466B1 (ko) * 2013-01-16 2019-11-13 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101613843B1 (ko) * 2013-04-23 2016-04-20 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101622089B1 (ko) 2013-07-05 2016-05-18 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101627204B1 (ko) 2013-11-28 2016-06-03 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR102140068B1 (ko) 2014-01-13 2020-07-31 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
KR101622091B1 (ko) 2014-08-20 2016-05-18 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244428A (ja) * 1993-02-15 1994-09-02 Fuji Electric Co Ltd Ｍｏｓ型半導体素子の製造方法
JP2003124483A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Toyota Motor Corp 光起電力素子
US20070264746A1 (en) * 2004-12-27 2007-11-15 Naoetsu Electronics Co., Ltd. Back Junction Solar Cell and Process for Producing the Same
JP2007059644A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Toyota Motor Corp 光起電力素子
US20100224251A1 (en) * 2007-07-13 2010-09-09 Yasushi Funakoshi Method of manufacturing solar cell
US20100029039A1 (en) * 2007-10-18 2010-02-04 Wei Shan Mono-silicon solar cells
US20110306164A1 (en) * 2010-06-11 2011-12-15 Young Su Kim Method for manufacturing solar cell
JP2016004930A (ja) * 2014-06-18 2016-01-12 富士電機株式会社 逆阻止ｉｇｂｔおよびその製造方法
JP2016174154A (ja) * 2015-03-17 2016-09-29 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
EP3355364A1 (en) 2018-08-01
CN110073504B (zh) 2023-04-28
TWI650874B (zh) 2019-02-11
EP3355364A4 (en) 2018-08-01
JP6266176B1 (ja) 2018-01-24
WO2018092189A1 (ja) 2018-05-24
TW201830718A (zh) 2018-08-16
US11201253B2 (en) 2021-12-14
KR20190082743A (ko) 2019-07-10
JPWO2018092189A1 (ja) 2018-11-15
US20190013423A1 (en) 2019-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103794679B (zh) 一种背接触太阳能电池的制备方法
KR101032624B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101387718B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR20100107258A (ko) 태양전지 및 그 제조방법
KR20120024483A (ko) 태양 전지 셀 및 그 제조 방법
KR20090091562A (ko) 태양전지 및 그 제조방법
JP2008034609A (ja) 太陽電池素子及びこれを用いた太陽電池モジュール、並びに、これらの製造方法
JP2016532319A (ja) 金属化のための位置合わせ
US20120247539A1 (en) Rear-Contact Heterojunction Photovoltaic Cell
JP6525583B2 (ja) 太陽電池素子および太陽電池モジュール
CN110073504A (zh) 高光电转换效率的太阳能电池、其制造方法、太阳能电池组件和光伏发电系统
US8283199B2 (en) Solar cell patterning and metallization
JP2014123692A (ja) 光起電力素子およびその製造方法
EP2054927A1 (en) Thin-film solar module
JP2005353851A (ja) 太陽電池モジュール
KR101198430B1 (ko) 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
EP2634816A1 (en) Solar battery cell and method of manufacturing the same
JP6670808B2 (ja) 高光電変換効率太陽電池、その製造方法、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム
KR20120077712A (ko) 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
KR102674778B1 (ko) 고광전변환효율 태양전지, 그 제조 방법, 태양전지 모듈 및 태양광 발전 시스템
KR101199649B1 (ko) 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
JP6125042B2 (ja) 太陽電池セルの製造方法
KR101743716B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR20100099449A (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
JP5726308B2 (ja) 太陽電池素子および太陽電池モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant